DE2954732C2 - Signal processing unit with photoelectric conversion - Google Patents

Abstract

The photoelectric conversion device proposed has a common substrate, a number of photoelectric converting elements (102) formed on the substrate, each having a pair of electrodes and a semiconductor region, and one of the electrodes of each element is made as a signal conductor in the form of a strip layer on the substrate. There is also a section for converting the time sequence signal.The semiconductor regions of each converting element are separated from one another and on one side of the strip layer there is an insulating layer and on the side of the insulating layer away from the strip layer there is provided a conducting layer forming a capacitance with the strip layer

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines photoelektrischen Wandlers bzw. auf einen photoelektri­ schen Wandler gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bzw. 3.The invention relates to a method of manufacture a photoelectric converter or on a photoelectric rule converter according to the preamble of claim 1 or 3rd

Aus der DE 27 23 914 A1 ist es bekannt, anstelle eines Sili­ zium-Einkristalls aufgrund dessen problematischer Herstellung in gewünschten Größenordnungen eine amorphe Silzium-Dünnschicht als Wandlerelement zu verwenden. Weiter ist dort beschrieben, daß eine Vielzahl von photoleitenden Wandlerelementen zu einem Wandler zusammengeschaltet werden können, wobei die einzelnen Wandlerelemente auf einem einzigen Substrat in einer zusammenhängenden Silizium-Dünnschicht ausgebildet sind. From DE 27 23 914 A1 it is known instead of a sili zium single crystal due to its problematic manufacture an amorphous silicon thin film in the desired dimensions to use as a converter element. It is also described there that a Variety of photoconductive transducer elements to form a transducer can be interconnected, the individual transducer elements are formed on a single substrate in a coherent silicon thin layer.  

Aus der DE 26 32 987 A1 ist ein photoelektrisches Bauelement mit einem pn-Übergang bekannt. Dabei wird dort zu dessen Herstellung eine Elektrodenschicht auf einem Substrat ausgebildet. Anschließend wird ein Halbleiterbereich ausgebildet, wobei dabei ein amorpher Silizium-Dünnfilm auf der Elektrodenschicht durch Glimmentladung ausgebildet wird, der sich hinsichtlich seines Leitfähigkeits-Typs von einem weiteren amorphen Silizium-Dünnfilm unterscheidet, der anschlie­ ßend auf dem zuvor gebildeten Silizium-Dünnfilm durch Glimmentladung ausgebildet wird. Abschließend wird zur Fer­ tigstellung des Bauelements noch eine weitere Elek­ trodenschicht auf dem Halbleiterbereich ausgebildet.DE 26 32 987 A1 describes a photoelectric component with a pn junction known. An electrode layer is used to manufacture it formed on a substrate. Then a Semiconductor region formed, with an amorphous silicon thin film formed on the electrode layer by glow discharge which differs in terms of its conductivity type from another amorphous silicon thin film, which then eats through on the previously formed silicon thin film Glow discharge is formed. Finally, the Fer completion of the component still another elec trode layer formed on the semiconductor region.

Gegenüber diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Pa­ tentanspruchs 1 bzw. einen photoelektrischen Wandler gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 3 derart weiterzubilden, daß eine Vereinfachung hinsichtlich der Abfolge der erforder­ lichen Herstellungsschritte, insbesondere der Ätzschritte, bzw. eine Vergrößerung der elektrischen Wandlereffektivität bei der Verwendung einer Vielzahl von Wandlerelementen er­ reichbar ist.The invention lies opposite this prior art Task based on a method according to the preamble of Pa according to claim 1 or a photoelectric converter to further develop the preamble of claim 3, that a simplification in the sequence of the required manufacturing steps, especially the etching steps, or an increase in the electrical converter effectiveness when using a variety of transducer elements he is reachable.

Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 bzw. 3 ange­ gebenen Maßnahmen erreicht.This object is by the in claim 1 and 3 respectively given measures achieved.

Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprü­ che.Advantageous further developments are the subject of the dependent claims che.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispie­ len unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:The invention is described below with reference to exemplary embodiments len described with reference to the drawing. It demonstrate:

Fig. 1 eine schematische Schnittansicht zur Erläuterung des grundsätzlichen Aufbaus von photoelektrischen Wandlerelemen­ ten in einem Abschnitt eines photoelektrischen Wandlers gemäß der vorliegenden Erfindung, Fig. 1 is a schematic sectional view for explaining the basic construction of photoelectric Wandlerelemen in a portion of th of a photoelectric converter according to the present invention,

Fig. 2 bis 5 jeweils schematische perspektivische, zum Teil im Schnitt dargestellte Ansichten, die den Aufbau eines Wandlerabschnitts und eines damit verbundenen Zeitfolgesi­ gnal-Umsetzabschnitts zeigen, und Fig. 2 to 5, respectively, schematic perspective, shown partly in section views showing the structure of a converter section and a Zeitfolgesi gnal converting section connected thereto, and

Fig. 6 und 7 jeweils schematische Ansichten, die einen Aufbau eines Bildvorlagen-Leseabschnitts zeigen, wie er bei einem Digital-Kopiergerät verwendet wird. FIGS. 6 and 7 are schematic views of an image original reading section show a structure as used in a digital copying machine.

Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht, die den grund­ sätzlichen Aufbau eines photoelektrischen Wandlerelements der photovoltaischen Ausführungsart zeigt. Fig. 1 is a schematic sectional view showing the basic structure of a photoelectric conversion element of the photovoltaic embodiment.

Ein in Fig. 1 gezeigtes photoelektri­ sches Wandlerelement 701 ist aus einer Zeilenelektrode 702, einer Spaltenelektrode 704 und einer photovoltaischen Schicht 703 zwischen diesen Elektroden 702 und 704 gebildet. Mit 705 ist ein Substrat bezeichnet. Dabei ist die photovoltaische Schicht 703 so aufgebaut, daß an der Zeilenelektrode 702 eine p-Halbleiterschicht ausgebildet ist und an der Spaltenelektrode 704 eine n-Halbleiterschicht aus­ gebildet ist, wodurch ein p-n-Übergang gebildet ist. A photoelectric conversion element 701 shown in FIG. 1 is formed from a row electrode 702 , a column electrode 704 and a photovoltaic layer 703 between these electrodes 702 and 704 . 705 denotes a substrate. The photovoltaic layer 703 is constructed such that a p-type semiconductor layer is formed on the row electrode 702 and an n-type semiconductor layer is formed on the column electrode 704 , as a result of which a pn junction is formed.

Selbstverständlich kann die Aufeinanderfolge der Auf­ schichtung dieser p- bzw. n-Halbleiterschichten zu dem dargestellten Aufbau entgegengesetzt sein. Als Material zur Ausbildung des Übergangs dient amorphes Silicium. Die photovoltaische Schicht 703 wird mittels eines sog. physikalischen Aufdampfverfahrens (PVD), dem Glimmentladungsverfahren, ausgebildet.Of course, the sequence of the stratification of these p- or n-semiconductor layers can be opposite to the structure shown. Amorphous silicon serves as the material for forming the transition. The photovoltaic layer 703 is formed by means of a so-called physical vapor deposition (PVD) process, the glow discharge process.

Als p-Halbleitermaterial kann a-Si verwendet werden, das mit Substanzen wie Se, Se_1-xAs_x, SeTe, PbO, Sb₂S₃, ZnCdTe, CdSeO₃, B, dotiert ist. Als n-Halbleitermaterial kann a-Si verwendet werden, das mit Substanzen wie Se, CdS, PbO, Sb₂S₃, ZnSe, CdSe, In₂O₃, SnO₂, P, dotiert ist.As the p-type semiconductor material, a-Si can be used, which is doped with substances such as Se, Se _1-x As _x , SeTe, PbO, Sb₂S₃, ZnCdTe, CdSeO₃, B. As the n-type semiconductor material a-Si can be used, which is doped with substances such as Se, CdS, PbO, Sb₂S₃, ZnSe, CdSe, In₂O₃, SnO₂, P.

Die Zeilenelektrode 702 und die Spaltenelektrode 704 werden aus Stoffen hergestellt, die mit der photovolta­ ischen Schicht 703 ohmsche Kontakte bilden. The row electrode 702 and the column electrode 704 are made of substances which form ohmic contacts with the photovoltaic layer 703 .

Als Elektrodenmaterial für die p-a-Si-Schicht kann Pt, Ir, Au, Pd, Al, Mo, polykristallines Si, Nb, Ta, V, Ti, Cr oder rostfreier Stahl verwendet wurden, während als Elektrodenmaterial für die n-a-Si-Schicht Al, Mo, polykristallines Si, Nb, Ta, V, Ti, Cr oder rostfreier Stahl verwendet wird.As electrode material for the p-a-Si layer, Pt, Ir, Au, Pd, Al, Mo, polycrystalline Si, Nb, Ta, V, Ti, Cr or stainless steel were used while as electrode material for the n-a-Si layer Al, Mo, polycrystalline Si, Nb, Ta, V, Ti, Cr or stainless steel is used.

Wenn gemäß der Darstellung in der Zeichnung die Lichtstrahlen von der Seite der Zeilenelektrode 702 her auftreffen, ist die von den Lichtstrahlen bestrahlte p-Schicht vorzugsweise so dünn wie möglich auszubilden, damit eine möglichst große Lichtstrahlungsmenge den p-n-Übergang erreicht. Wenn im Gegensatz dazu die Be­ strahlung von der Seite des Substrats 705 her erfolgt, ist aus dem vorgenannten Grund die n-Schicht vorzugsweise dünn auszubilden. In diesem Fall muß natürlich die Spaltenelektrode 704 für das Bestrahlungslicht durchläs­ sig sein. If, as shown in the drawing, the light rays strike from the side of the row electrode 702 , the p-layer irradiated by the light rays should preferably be made as thin as possible so that the largest possible amount of light radiation reaches the pn junction. In contrast, when the radiation is from the side of the substrate 705 , the n-layer should preferably be made thin for the aforementioned reason. In this case, of course, the column electrode 704 must be transparent to the irradiation light.

Die Eigenschaften des a-Si bestehen darin, daß es trotz seiner amorphen Form eine p- und n-Leitfähigkeit aufweisen kann, über im wesentlichen den ganzen Bereich des sichtbaren Lichts eine hohe Photoempfindlichkeit hat, einen großen Lichtabsorptions­ koeffizienten hat, die Herstellung eines photoelektrischen Wandlerabschnitts mit einer großen Lichtempfangsfläche erlaubt, da es amorphe Form hat und daher keiner Ein­ schränkung hinsichtlich des Formats der Lichtempfangs­ fläche des auszubildenden photoelektrischen Wandler­ abschnitts unterliegt und keinerlei Gefährdung für Menschen oder Umweltverschmutzung herbeiführt. Das Material ist daher für einen photoelektrischen Wandler gut geeignet. The properties of a-Si are that it despite its amorphous form, p and n conductivity may have over substantially the entire range of visible light is high Has photosensitivity, a large light absorption has coefficient, the production of a photoelectric Transducer section with a large light receiving area allowed because it has amorphous form and therefore no one restriction on the format of light reception area of the photoelectric converter to be trained section is subject and does not endanger people or causes pollution. The material is therefore for a photoelectric converter well suited.  

Fig. 2 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die einen Teil des Aufbaus einer Informations­ verarbeitungsvorrichtung mit photoelektrischer Um­ wandlung zeigt. Bei dieser Vorrichtung ist ein Zeitfolge­ signal-Umsetzabschnitt 1503 als ladungsgekoppeltes Register (CCDR) aufgebaut. Das Register ist dabei so aufgebaut, daß beispielsweise eine Isolierschicht 1506 aus SiO₂ an einem Teil einer p-Siliciumschicht 1505 ausgebildet ist und an dieser Isolierschicht 1506 n Übertragungselektroden 1508 unabhängig und getrennt voneinander angebracht sind. In der p-Silicium­ schicht 1505 ist eine n⁺-Siliciumschicht 1507 ausge­ bildet, an der n Elektroden 1509 entsprechend den jeweiligen unabhängigen Elektroden X₁, X₂, . . . X_n für jeweilige photoelektrische Wandlerelemente 1502 (P₁, P₂, P₃, . . . P_n) angebracht sind, welche einen eindimen­ sionalen langgestreckten photoelektrischen Wandlerab­ schnitt 1501 bilden. Die n Elektroden 1509 und die n unabhängigen Elektroden X₁, X₂, . . . X_n sind gemäß der Darstellung in der Zeichnung elektrisch jeweils einzeln untereinander über Leiterdrähte 1512 verbunden. Fig. 2 is a schematic perspective view showing part of the structure of an information processing device with photoelectric conversion. In this device, a time series signal converting section 1503 is constructed as a charge coupled register (CCDR). The register is constructed such that, for example, an insulating layer 1506 made of SiO₂ is formed on part of a p-type silicon layer 1505 and n insulating electrodes 1508 are attached to this insulating layer 1506 independently and separately from one another. In the p-silicon layer 1505 an n⁺-silicon layer 1507 is formed, on the n electrodes 1509 corresponding to the respective independent electrodes X₁, X₂,. . . X _n for respective photoelectric converter elements 1502 (P₁, P₂, P₃,... P _n ) are attached which form a one-dimensional elongated photoelectric converter section 1501 . The n electrodes 1509 and the n independent electrodes X₁, X₂,. . . X _n are electrically connected to each other individually via conductor wires 1512 as shown in the drawing.

Die photoelektrischen Wandlerelemente 1502 (P₁, P₂, P₃, . . . P_n) sind so aufgebaut, daß eine photoelektri­ sche Wandlerschicht 1511 zwischen den unabhängigen Elektroden X₁, X₂, X₃, . . . X_n und einer gemeinsamen Elektrode Y angebracht ist. Die photoelektrische Wandlerschicht 1511 bildet eine photovoltaische Schicht bzw. Sperrschicht, in der ein p-n- Übergang ausgebildet ist. In diesem Fall braucht die gemeinsame Elektrode Y nicht unbedingt auf dem ganzen Oberflächenbereich der photoelektrischen Wandlerschicht 1511 angebracht sein, sondern kann gemäß der Darstel­ lung in der Zeichnung an einem Oberflächenteil der photoelektrischen Wandlerschicht 1511 ausgebildet sein. Folglich braucht bei Lichteinstrahlung von der Seite der gemeinsamen Elektrode Y her kein Verlust an Einstrahlungs­ licht aufgrund der Absorption desselben in der gemein­ samen Elektrode Y in Betracht gezogen werden. Ferner braucht das Material für die gemeinsame Elektrode Y nicht immer lichtdurchlässig sein. Wenn gemäß den vorstehenden Ausführungen die photoelektrische Wandler­ schicht 1511 als Photosperrschicht bzw. photovoltaische Schicht ausgebildet ist, kann jede photoelektrische Wandlerschicht 1511 elektrisch dadurch isoliert werden, daß ein elektrisch isolierender Teilbereich 1510 vorge­ sehen wird. 1513 bezeichnet ein Substrat.The photoelectric transducer elements 1502 (P₁, P₂, P₃, ... P _n ) are constructed so that a photoelectric transducer layer 1511 between the independent electrodes X₁, X₂, X₃,. . . X _n and a common electrode Y is attached. The photoelectric converter layer 1511 forms a photovoltaic layer or barrier layer in which a pn junction is formed. In this case, the common electrode Y need not necessarily over the entire surface area of the photoelectric conversion layer 1511 be mounted, but according to the depicting lung in the drawing at a surface part of the photoelectric conversion layer 1511 be formed. Consequently, in the case of light irradiation from the side of the common electrode Y, no loss of irradiation light due to the absorption thereof in the common electrode Y needs to be considered. Furthermore, the material for the common electrode Y need not always be translucent. If according to the foregoing layer, the photoelectric conversion 1511 is formed as a photo-barrier layer and photovoltaic layer, each photoelectric conversion layer can be electrically insulated from 1511 characterized in that an electrically insulating portion 1510 is provided. 1513 denotes a substrate.

Fig. 3 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die in teilweiser Schnittdarstellung einen Teil des Aufbaus eines zweidimensionalen photoelektri­ schen Wandlerabschnitts 1601 und eines Zeitfolgesignal- Umsetzabschnitts 1602 in einer In­ formationsverarbeitungsvorrichtung mit photoelektrischer Umwandlung zeigt. Die Fig. 3 zeigt bei diesem Ausfüh­ rungsbeispiel, daß der Zeitfolgesignal-Umsetzabschnitt 1602 als ladungsgekoppeltes Register (CCDR) aufgebaut ist. Das den Umsetzabschnitt 1602 bildende Register ist beispielsweise so aufgebaut, daß an einem Teil einer p-Siliciumschicht 1603 eine Isolierschicht 1604 aus SiO₂ ausgebildet ist, an der getrennt und unabhängig voneinander n Übertragungselektroden 1605 angebracht sind. Andererseits ist in der p-Siliciumschicht 1603 eine n⁺-Siliciumschicht 1606 ausgebildet, an der n Elektroden 1608 entsprechend den Spaltenelektroden Y₁ . . . Y_i; Y_j . . . Y_n angebracht sind, die für jeweilige photoelektrische Wandlerelemente 1607 vorgesehen sind, welche den zweidimensionalen photoelektrischen Wandler­ abschnitt 1601 bilden. Die n Elektroden 1608 und die n Spaltenelektroden Y₁ . . . Y_i, Y_j . . . Y_n sind gemäß der Darstellung elektrisch einzeln untereinander mit Leiter­ drähten 1609 verbunden. Fig. 3 is a schematic perspective view showing, in partial sectional view, a part of the structure of a two-dimensional photoelectric conversion section 1601 and a timing signal conversion section 1602 in a photoelectric conversion information processing apparatus. Fig. 3 shows, for example approximately in this exporting that the time series signal converting section is constructed 1602 charge coupled register (CCDR). The register forming the conversion section 1602 is constructed, for example, in such a way that an insulating layer 1604 made of SiO 2 is formed on part of a p-type silicon layer 1603 , to which n transmission electrodes 1605 are attached separately and independently of one another. On the other hand, an n⁺-silicon layer 1606 is formed in the p-silicon layer 1603 , on the n electrodes 1608 corresponding to the column electrodes Y₁. . . Y _i ; Y _j . . . Y _{n are} attached, which are provided for respective photoelectric converter elements 1607 , which form the two-dimensional photoelectric converter section 1601 . The n electrodes 1608 and the n column electrodes Y₁. . . Y _i , Y _j . . . Y _n are electrically connected to each other with conductor wires 1609 as shown.

Die photoelektrischen Wandlerelemente 1607 sind so aufgebaut, daß zwischen die Spaltenelektroden Y₁ . . . Y_i, Y_j . . . Y_n und die Zeilenelektroden X₁ . . . X_k, X_l . . . X_m photoelektrische Wandlerschichten 1610 eingefügt sind. Eine jede photoelektrische Wandlerschicht 1610 bildet eine photovoltaische Schicht, in der ein p-n-Übergang ausgebildet ist. In diesem Fall brauchen die Zeilenelektroden X₁ . . . X_k, X_l . . . X_m nicht auf den ganzen Oberflächenbereich der photo­ elektrischen Wandlerschicht 1610 angebracht werden, sondern können gemäß der Darstellung in der Zeichnung an einem Oberflächenteil derselben ausgebildet sein. Dementsprechend braucht bei Bestrahlung der Zeilen­ elektroden X₁ . . . X_k, X_l . . . X_m kein Lichtverlust aufgrund der Absorption durch dÿe Elektroden berück­ sichtigt werden. Ferner müssen die Zeilenelektroden nicht unbedingt aus lichtdurchlässigem Material herge­ stellt werden. 1612 bezeichnet ein Substrat. Wenn gemäß den vorstehenden Ausführungen die photoelektrische Wandlerschicht 1610 eine photovoltaische Schicht bildet, können die jeweiligen photoelektrischen Wandlerschich­ ten 1610 elektrisch dadurch isoliert werden, daß zwi­ schen den jeweiligen Schichten ein elektrisch iso­ lierender Abschnitt 1611 vorgesehen wird.The photoelectric conversion elements 1607 are constructed so that Y₁ between the column electrodes. . . Y _i , Y _j . . . Y _n and the row electrodes X₁. . . X _k , X _l . . . X _m photoelectric conversion layers 1610 are inserted. Each photoelectric conversion layer 1610 forms a photovoltaic layer in which a pn junction is formed. In this case, the row electrodes need X₁. . . X _k , X _l . . . X _{m are} not applied to the entire surface area of the photoelectric conversion layer 1610 , but can be formed on a surface part of the same as shown in the drawing. Accordingly, electrodes X 1 needs when irradiating the rows. . . X _k , X _l . . . X _m no loss of light due to absorption by electrodes is taken into account. Furthermore, the row electrodes need not necessarily be made of translucent material. 1612 denotes a substrate. According to the above, when the photoelectric conversion layer 1610 forms a photovoltaic layer, the respective photoelectric conversion layers 1610 can be electrically isolated by providing an electrically insulating portion 1611 between the respective layers.

Fig. 4 ist gleichfalls eine schematische perspektivische Ansicht, die teilweise in Schnittdar­ stellung einen Teil des Aufbaus eines zweidimensionalen photoelektrischen Wandlerabschnitts 1701 und eines Zeitfolgesignal-Umsetzabschnitts 1702 in einer Informationsverarbeitungsvorrichtung mit photoelektrischer Umwandlung zeigt. Der grundsätzliche Aufbau unterscheidet sich nicht wesentlich von dem­ jenigen nach Fig. 3. Der Unterschied bei diesem Ausführungsbeispiel gegenüber demjenigen nach Fig. 3 besteht darin, daß, während bei dem Ausführungsbei­ spiel nach Fig. 3 der Zeitfolgesignal-Umsetzabschnitt 1602 mit einem ladungsgekoppelten Register aufgebaut ist, bei welchem der Sammelabschnitt und der Übertragungs­ abschnitt integral ausgebildet sind, bei dem ladungs­ gekoppelten Register (CCDR) in diesem Ausführungs­ beispiel nach Fig. 4 der Sammelabschnitt und der Über­ tragungsabschnitt getrennt voneinander ausgebildet sind und im Verhältnis 1 : 1 in bezug auf Übertragungs­ elektroden 1705 Sammel- oder Speicherelektroden 1712 vorgesehen sind. Der übrige Aufbau und die Funktionen entsprechen genau denjenigen bei dem Ausführungsbei­ spiel nach Fig. 3; dabei bezeichnen die mit 17. . beginnenden Bezugszeichen gleiche Bauteile wie die mit 16. . beginnenden Bezugszeichen in Fig. 3. Fig. 4 is also a schematic perspective view, partly in section, showing a part of the construction of a two-dimensional photoelectric conversion section 1701 and a timing signal conversion section 1702 in a photoelectric conversion information processing apparatus. The basic structure is not significantly different from that of Fig. 3. The difference in this embodiment from that in Fig. 3 is that while in the embodiment in Fig. 3, the timing signal conversion section 1602 is constructed with a charge-coupled register is in which the collecting section and the transmission section are integrally formed, in the charge-coupled register (CCDR) in this embodiment example of FIG. 4, the collecting section and the transmission section are formed separately from one another and in a ratio of 1: 1 with respect to transmission electrodes 1705 collecting or storage electrodes 1712 are provided. The rest of the structure and the functions correspond exactly to those in the game Ausführungsbei of Fig. 3; denote by 17 . . the same components as those beginning with 16 . . reference numerals beginning in FIG. 3.

Um zu ermöglichen, mit der Informationsverarbeitungs­ vorrichtung mit photoelektrischer Umwandlung auch Farbinformationen zu verarbeiten, können unterschied­ liche Verfahren angewandt werden, die wirkungsvoll auf dem Gebiet der gewöhnlichen Bildverarbeitungs­ technik verwendet werden, wie beispielsweise ein Ver­ fahren, bei dem direkt an der Lichtempfangsfläche des photoelektrischen Wandlerabschnitts drei Farb­ filterbeschichtungen für Blau, Grün und Rot ange­ bracht sind, die jeweils getrennt voneinander und in Form eines Mosaiks ausgebildet sind, ein Verfahren, bei dem auf einem weiteren Substrat getrennt voneinander und in Mosaikart drei Farbfilterbeschichtungen für Blau, Grün und Rot ausgebildet sind und dann dieses Substrat unter Verwendung eines Klebemittels oder dgl. auf die Lichtempfangsfläche des photoelektrischen Wandlerabschnitts aufgebracht ist, oder ein Verfahren, bei dem die Lichtbestrahlung dreimal unter jeweiligem Wechseln von drei Farbfiltern für Blau, Grün und Rot erfolgt.To enable with information processing device with photoelectric conversion too Processing color information can make a difference processes that are effective in the field of ordinary image processing technology are used, such as a ver drive, directly at the light receiving surface of the photoelectric conversion section three colors filter coatings for blue, green and red are brought, each separately and in Form a mosaic, a process in which on a separate substrate and in mosaic style three color filter coatings for Blue, green and red are formed and then this Substrate using an adhesive or Like. On the light receiving surface of the photoelectric Transducer section is applied, or a method where the light irradiation three times under each Change from three color filters for blue, green and red  he follows.

Im folgenden werden Ausführungsbei­ spiele der Vorrichtung im Hinblick auf die Herstellungs­ schritte von ladungsgekoppelten Registern (CCDR) als photoelektrischer Wandlerabschnitt und Zeitfolgesignal- Umsetzabschnitt näher erläutert.The following are execution examples games of the device in terms of manufacturing steps of charge coupled registers (CCDR) as Photoelectric converter section and timing signal Implementation section explained in more detail.

Beispiel 1example 1 Herstellung eines eindimensionalen langgestreckten photoelektrischen WandlerabschnittsMaking a one-dimensional elongated photoelectric converter section

Ein Glas-Substrat mit den Dimensionen 10 mm×250 mm× 2 mm wurde ausreichend mit einem neutralen Waschmittel, Ultraschallwellen, strömendem Wasser, reinem Wasser, einem Gemisch aus Äthylalkohol und Ätzkali, wiederum reinem Wasser und Ultraschallwellen in der genannten Reihenfolge gereinigt, wonach es getrocknet wurde.A glass substrate with the dimensions 10 mm × 250 mm × 2 mm was sufficient with a neutral detergent, Ultrasonic waves, flowing water, pure water, a mixture of ethyl alcohol and caustic potash, again pure water and ultrasonic waves in the above Order cleaned, after which it was dried.

Auf dieses gereinigte Substrat wurde Aluminium in einer Dicke von 1 µm durch Vakuumaufdampfen bei einem Vakuum von 7×10^-4 Pa (5×10^-6 Torr) aufgedampft. Nach dem Aufdampfen des Aluminiums wurde das aluminium­ beschichtete Substrat in eine gesonderte Ablagerungs­ kammer gebracht. Dann wurden in diese Kammer SiH₄- und PH₃-Gase bei einem Vakuum von 1,33×10^-3 Pa (1×10^-5 Torr) eingeführt, wonach der Druck in der Ablagerungs­ kammer auf ungefähr 133,3 Pa (1 Torr) gehalten wurde. Darauffolgend wurde über eine um das Äußere der Ablagerungskammer gewickelte Induktionsspule elektrische Hochfrequenzleistung mit 13,56 MHz zugeführt, um dadurch eine Glimmentladung innerhalb der Ablagerungskammer herbei zuführen und damit auf die Aluminiumbeschichtung amorphes n-Silicium bzw. n-a-Si in einer Stärke von 1 µm abzulagern. Als nächstes wurde die Zufuhr des PH₃-Gases unterbrochen und B₂H₆-Gas in die Ablagerungs­ kammer eingeleitet. In dieser Atmosphäre aus SiH₄- Gas und B₂H₆-Gas wurde die Ablagerung von p-a-Si bis zum Erreichen einer Dicke von 0,3 µm fortgesetzt. Die Temperatur des Substrats wurde während der Glimm­ entladungsablagerung auf 300°C gehalten.Aluminum was evaporated to a thickness of 1 μm on this cleaned substrate by vacuum evaporation under a vacuum of 7 × 10 ^-4 Pa (5 × 10 ^-6 Torr). After the aluminum had been evaporated, the aluminum-coated substrate was placed in a separate deposition chamber. Then SiH₄ and PH₃ gases were introduced into this chamber at a vacuum of 1.33 × 10 ^-3 Pa (1 × 10 ^-5 Torr), after which the pressure in the deposition chamber was raised to approximately 133.3 Pa (1 Torr) was held. Subsequently, high-frequency electrical power at 13.56 MHz was supplied via an induction coil wrapped around the outside of the deposition chamber, thereby causing a glow discharge within the deposition chamber and thus depositing amorphous n-silicon or na-Si in a thickness of 1 μm on the aluminum coating . Next, the supply of PH₃ gas was interrupted and B₂H₆ gas introduced into the deposition chamber. In this atmosphere of SiH₄ gas and B₂H₆ gas, the deposition of pa-Si was continued until it reached a thickness of 0.3 µm. The temperature of the substrate was kept at 300 ° C during the glow discharge deposition.

Das Substrat, an welchem die Filme aus Aluminium, n-a-Si und p-a-Si ausgebildet waren, wurde unter Unter­ brechung des Vakuumzustands der Kammer entnommen, wonach ein Photolack aufgebracht wurde. Nach Aufbringen des Photolacks wurde durch Belichtung mit einer Quecksil­ berlampe und nachfolgendes Entwickeln ein Bildelement­ muster des Photolacks an dem p-a-Si über eine Maske mit einem derartigen vorbestimmten Bildelementemuster gebildet. Unter Verwendung einer Ätzflüssigkeit (für das Ätzen des a-Si: HF/HNO₃ im Verhältnis 1/5; für das Ätzen des Al: H₂PO₄/CH₃COOH/HNO₃/H₂O im Verhältnis 35/7/1/7) wurde der nicht mit dem Photolack bedeckte Teilbereich geätzt, um das p-a-Si, das n-a-Si und den Aluminiumfilm entsprechend dem Bildelementemuster zu entfernen. Nach ausreichendem Trocknen nach dem Ätzen wurde durch Aufsprühen ein SiO₂-Film in einer Dicke von 3 µm aufgebracht, um damit einen SiO₂-Film an dem Photolack-Film und dem geätzten Bereich zwischen den Bildelementen abzulagern.The substrate on which the aluminum films n-a-Si and p-a-Si were formed under the vacuum state of the chamber is removed, after which a photoresist was applied. After applying the Photoresists were made by exposure to a mercury lamp and subsequent developing an image element Pattern of the photoresist on the p-a-Si over a mask with such a predetermined picture element pattern educated. Using an etching liquid (for the Etching the a-Si: HF / HNO₃ in the ratio 1/5; for the Etching of Al: H₂PO₄ / CH₃COOH / HNO₃ / H₂O in the ratio 35/7/1/7) was not covered with the photoresist Partial etched around the p-a-Si, the n-a-Si and the aluminum film according to the picture element pattern to remove. After drying sufficiently after Etching was sprayed on a SiO₂ film in one Thickness of 3 microns applied to a SiO₂ film on the photoresist film and the etched area between to deposit the picture elements.

Nach der Ablagerung des SiO₂-Films wurde erneut der Vakuumzustand aufgehoben und das Substrat aus der Ab­ lagerungskammer herausgenommen, wonach der Photolack in einer Ablöseflüssigkeit entfernt wurde. In diesem Fall blieb der SiO₂-Film als Isolierelement zwischen den Bildelementen stehen. Danach wurde über die Aluminium­ elektrode (X-Elektrode), den n-a-Si-Film und den p-a- Si-Film in Form einer Überquerung dieser Filme Aluminium in einer Dicke von 1 µm mittels des Vakuumaufdampfver­ fahrens abgelagert, wodurch die Y-Elektrode gebildet wurde. Die Breite dieses Aluminiumfilms kann im Ver­ gleich zu derjenigen der X-Elektrode sehr klein sein. Fig. 5 zeigt das Prozeßablaufdiagramm der vorstehend beschriebenen Herstellungsschritte. After the deposition of the SiO₂ film, the vacuum state was released again and the substrate was removed from the deposition chamber, after which the photoresist was removed in a stripping liquid. In this case, the SiO₂ film remained as an insulating element between the picture elements. Thereafter, aluminum was deposited over the aluminum electrode (X electrode), the na-Si film and the pa- Si film in the form of a crossing of these films in a thickness of 1 μm by means of the vacuum evaporation process, thereby forming the Y electrode has been. The width of this aluminum film can be very small compared to that of the X electrode. Fig. 5 shows the process flow diagram of the manufacturing steps described above.

Nach der Herstellung des photoelektrischen Wandlerab­ schnitts und des (bei diesem Ausführungsbeispiel durch das ladungsgekoppelte Register gebildeten) Zeitfolge­ signal-Umsetzabschnitts wurde die Y-Elektrode des photoelektrischen Wand­ lerabschnitts mit Masse verbunden, während die jeweiligen X-Elektroden in 1 : 1-Beziehung über Leitungsdrähte jeweils mit Elektroden in einem Register des Zeitfolgesignal-Umsetzabschnitts verbunden wurden. Die auf diese Weise erzielte Verbindung des Wandlerab­ schnitts mit dem Umsetzabschnitt wurde in der schematisch in Fig. 6 gezeigten Lage als Eingabeeinheit in das Haupt­ gehäuse eines Digital-Kopiergeräts eingebaut, bei welchem ein Tintenstrahlsystem als Ausgabeeinheit verwendet wurde; mit diesem Kopiergerät wurde eine Bildvorlage im Format A4 reproduziert. Dabei konnte ein sehr klar reproduziertes Bild mit hoher Bildauflösung und hoher Bildqualität erzielt werden.After the production of the photoelectric converter section and the (in this exemplary embodiment formed by the charge-coupled register) time sequence signal conversion section, the Y electrode of the photoelectric converter section was connected to ground, while the respective X electrodes in 1: 1 relationship via lead wires were each connected to electrodes in a register of the timing signal converting section. The connection obtained in this way of the converter section with the conversion section was installed in the position shown schematically in FIG. 6 as an input unit in the main housing of a digital copying machine, in which an ink jet system was used as the output unit; With this copier, an A4 original image was reproduced. A very clearly reproduced image with high image resolution and high image quality could be achieved.

In Fig. 6 bezeichnet 2001 eine Bildvorlage, während 2007 die Lichtempfangsfläche des photoelektrischen Wandlerabschnitts bezeichnet. Zwischen der Bildvorlage 2001 und der Lichtempfangsfläche 2007 sind ein Spalt 2002 mit einer vorbestimmten Breite und ein optisches System 2003 in jeweils vorgegebenen Stellungen ange­ bracht. 2008-1 und 2008-2 bezeichnen Lichtquellen für die Beleuchtung der Oberfläche der Bildvorlage. Das optische System 2003 besteht aus Linsensystemen 2004 und 2006 sowie einem Drehspiegel 2005, der zwischen das Linsensystem 2004 und das Linsensystem 2006 einge­ setzt ist. Die Abtastung zum Lesen der Bildvorlage 2001 kann über den ganzen Bereich der Bildvorlage 2001 durch Relativbewegung der Bildvorlage 2001 und des optischen Systems 2003 einschließlich der Lichtquellen 2008-1 und 2008-2 erfolgen. In diesem Fall ist mit "Bewegung des optischen Systems 2003" die Bewegung irgendeines der das optische System 2003 bildenden Elemente gemeint.In Fig. 6, 2001 denotes an original image, while 2007 denotes the light receiving surface of the photoelectric conversion section. Between the image template 2001 and the light receiving surface 2007 , a gap 2002 with a predetermined width and an optical system 2003 are placed in predetermined positions. 2008-1 and 2008-2 denote light sources for illuminating the surface of the original image. The optical system 2003 consists of lens systems 2004 and 2006 as well as a rotating mirror 2005 , which is inserted between the lens system 2004 and the lens system 2006 . The scanning for reading the image template 2001 can take place over the entire area of the image template 2001 by relative movement of the image template 2001 and the optical system 2003 including the light sources 2008-1 and 2008-2 . In this case, "movement of the optical system 2003 " means the movement of any of the elements forming the optical system 2003 .

Beispiel 2Example 2 Herstellung eines zweidimensionalen photoelektri­ schen WandlerabschnittsProduction of a two-dimensional photoelectric converter section

Entsprechend den in dem Ablaufdiagramm in Fig. 5 gezeigten Prozeßschritten wurde der photoelektrische Wandlerabschnitt folgendermaßen hergestellt:
Ein Glas-Substrat mit dem Format 210 mm×300 mm× 2 mm wurde ausreichend mit neutralem Waschmittel, Ultraschallwellen, strömendem Wasser, reinem Wasser, einem Gemisch aus Äthylalkohol und Ätzkali, wiederum reinem Wasser und Ultraschallwellen in der genannten Reihenfolge gereinigt, wonach das Substrat getrocknet wurde.According to the process steps shown in the flowchart in Fig. 5, the photoelectric conversion section was manufactured as follows:
A glass substrate with the format 210 mm × 300 mm × 2 mm was sufficiently cleaned with neutral detergent, ultrasonic waves, flowing water, pure water, a mixture of ethyl alcohol and caustic potash, again pure water and ultrasonic waves in the order mentioned, after which the substrate was dried.

Danach wurde durch das Vakuumaufdampfverfahren bei einem Vakuum von 7×10^-4 Pa (5×10^-6 Torr) auf dieses Substrat Aluminium in einer Filmdicke von 1 µm auf ge­ dampft. Nach der Ablagerung des Aluminiumfilms wurde in die Ablagerungskammer SiH₄-Gas und PH₃-Gas einge­ leitet und der Druck innerhalb der Kammer bei 133 Pa (1 Torr) gehalten. Durch Zufuhr von elektrischer Hoch­ frequenzleitung mit 13,56 MHz über eine um das Äußere der Ablagerungskammer gewickelte Induktions­ spule wurde darauffolgend in der Ablagerungskammer eine Glimmentladung herbeigeführt, um dadurch an dem abgelagerten Aluminiumfilm n-a-Si in einer Dicke von 1 µm abzulagern. Danach wurde die Zufuhr des PH₃-Gases in die Ablagerungskammer beendet und statt dessen B₂H₆- Gas eingeleitet, um darauffolgend in der Gasatmosphäre aus SiH₄ und B₂H₆ einen p-a-Si-Film in einer Dicke von 0,3 µm abzulagern. Während dieser Glimmentladungs­ ablagerung wurde das Substrat auf einer Temperatur von 300°C gehalten.Thereafter, aluminum was evaporated onto this substrate in a film thickness of 1 μm by a vacuum evaporation process at a vacuum of 7 × 10 ^-4 Pa (5 × 10 ^-6 Torr). After the deposition of the aluminum film, SiH₄ gas and PH₃ gas were passed into the deposition chamber and the pressure inside the chamber was kept at 133 Pa (1 torr). By supplying high-frequency electrical line at 13.56 MHz via an induction coil wound around the outside of the deposition chamber, a glow discharge was subsequently brought about in the deposition chamber, to thereby deposit Na-Si in a thickness of 1 μm on the deposited aluminum film. Then the supply of the PH₃ gas was stopped in the deposition chamber and instead B₂H₆ gas was introduced in order to subsequently deposit a pa-Si film in a thickness of 0.3 μm in the gas atmosphere made of SiH₄ and B₂H₆. During this glow discharge deposition, the substrate was kept at a temperature of 300 ° C.

Das Substrat, auf dem aufeinanderfolgend der aufge­ dampfte Al-Film, der n-a-Si-Film und der p-a-Si-Film aufgeschichtet waren, wurde unter Aufheben des Vakuum­ zustands der Ablagerungskammer entnommen. Auf dieses Substrat wurde ein Photolack aufgebracht, wonach ein Bildelementemuster des Photolacks an dem p-a-Si-Film über eine Maske mit einem derartigen vorbestimmten Bildelementemuster durch Belichtung mit einer Quecksilberlampe und nachfolgendes Entwickeln des Musters gebildet wurde. Danach wurde unter Verwen­ dung der bei dem vorhergehenden Beispiel 1 genannten Ätzflüssigkeit der nicht vom Photolack bedeckte Teilbe­ reich geätzt, um den p-a-Si-Film, den n-a-Si-Film und den Al-Film entsprechend dem Bildelementemuster von dem Substrat zu entfernen.The substrate on which successively the up vaporized Al film, the n-a-Si film and the p-a-Si film were piled up, breaking the vacuum state taken from the deposition chamber. On this A photoresist was applied to the substrate, after which a picture element pattern of the photoresist on the p-a-Si film over a mask with such a predetermined picture element pattern by exposure with a mercury lamp and subsequent development of the pattern was formed. After that was under use extension of those mentioned in Example 1 above Etching liquid the part not covered by the photoresist richly etched around the p-a-Si film, the n-a-Si film and the Al film according to the picture element pattern to remove from the substrate.

Nach ausreichendem Trocknen nach dem Ätzen wurde durch Aufsprühen ein SiO₂-Film in einer Dicke von 3 µm aufgebracht, wobei der SiO₂-Film auf den Photo­ lackfilm und die geätzten Bereiche zwischen den jeweili­ gen Bildelementen abgelagert wurde. After drying sufficiently after the etching was completed by spraying a SiO₂ film in a thickness of 3 microns applied, the SiO₂ film on the photo paint film and the etched areas between the respective was deposited against picture elements.  

Nach der Ablagerung des SiO₂-Films wurde erneut der Vakuumzustand aufgehoben und das Substrat der Ablage­ rungskammer entnommen, wonach der Photolack in einer Ablöseflüssigkeit entfernt wurde. Der SiO₂-Film blieb nur zwischen den Bildelementen als Isolierteil stehen. After the SiO₂ film was deposited again Vacuum state released and the substrate of the tray Removed chamber, after which the photoresist in a Removal liquid has been removed. The SiO₂ film remained only stand between the picture elements as an insulating part.  

Nach der auf die vorstehend beschriebene Weise er­ folgten Herstellung des photoelektrischen Wandlerab­ schnitts und des (bei diesem Ausführungsbeispiel durch das ladungsgekoppelte Register gebildeten) Zeitfolgesignal-Umsetzabschnitts wurden die jeweiligen X-Elektroden (Zeilenelektroden) des photoelektrischen Wandlerabschnitts jeweils mit einem Anschluß eines Zeilenwählsignal-Generatorabschnitts verbunden, während die jeweiligen Y-Elektroden (Spaltenelektroden) jeweils mittels eines Leitungsdrahts mit jeweils einer Elektrode eines Registers des Umsetzabschnitts in 1 : 1-Beziehung verbunden wurden. Diese zusammengesetzte Einheit wurde in einer schematisch in Fig. 7 gezeigten Lage als Eingabeeinheit in das Hauptgehäuse eines Digital-Kopiergeräts eingebaut, bei dem als Ausgabeeinheit ein Tintenstrahlsystem ver­ wendet wurde; mit dem Kopiergerät wurde eine Bildvorlage im Format A4 reproduziert. Es konnte ein sehr klar reproduziertes Bild mit hoher Bildauflösung und hoher Bildqualität erzielt werden.After the manner described above, he followed the manufacture of the photoelectric converter section and (in this embodiment, formed by the charge-coupled register) time sequence signal conversion section, the respective X electrodes (row electrodes) of the photoelectric converter section were each connected to a terminal of a row selection signal generator section , while the respective Y electrodes (column electrodes) were each connected by means of a lead wire to each electrode of a register of the conversion section in a 1: 1 relationship. This assembled unit was installed in a position shown schematically in FIG. 7 as an input unit in the main housing of a digital copying machine, in which an ink jet system was used as an output unit; an image in A4 format was reproduced with the copier. A very clearly reproduced image with high image resolution and high image quality could be achieved.

In der Fig. 7 bezeichnet 2101 eine Bildvorlage, während 2102 die Lichtempfangsfläche des photoelektri­ schen Wandlerabschnitts bezeichnet. Zwischen der Bild­ vorlage 2101 und der Lichtempfangsfläche 2102 ist in einer vorbestimmten Stellung ein optisches Abbildungs­ system 2103 angeordnet. 2114 bezeichnet Lichtquellen für die Beleuchtung der Oberfläche der Bildvorlage. Das optische System 2103 ist bewegbar angebracht, so daß die Bildvorlage auf der Lichtempfangsfläche fokussiert werden kann.In Fig. 7, 2101 denotes an image, while 2102 denotes the light receiving surface of the photoelectric conversion section. Between the image template 2101 and the light receiving surface 2102 , an optical imaging system 2103 is arranged in a predetermined position. 2114 denotes light sources for illuminating the surface of the original image. The optical system 2103 is movably mounted so that the original image can be focused on the light receiving surface.

Da bei dem Beleuchtungssystem die Bildflächen-Leucht­ dichte entlang des Umfangs des Vorlagebilds gemäß dem cos⁴Θ-Gesetz für den Bildwinkel Θ selbst dann ab­ sinkt, wenn eine Projektionslinse keine Vignettierung hat, kann die Leucht­ dichte entlang der Umfangsfläche der Bildvorlage 2101 höher als die Leuchtdichte am Mittelteil der Bildvor­ lagen-Fläche gewählt werden, um die Bildflächen-Leucht­ dichte an der Lichtempfangsfläche gleichförmig zu machen. Als ein Verfahren für eine derartige Korrektur sind ge­ mäß der Darstellung in Fig. 7 die Lichtquellen 2104 für die Beleuchtung längs des Umfangs der Bildvorlage 2101 angeordnet.Since in the lighting system the screen luminance along the circumference of the original image drops according to the cos⁴Θ law for the image angle Θ even if a projection lens has no vignetting, the luminance along the peripheral surface of the image template 2101 can be higher than the luminance on The middle part of the image template area can be selected to make the image area luminance at the light receiving surface uniform. As a method for such a correction of the representation 7, the light sources are accelerator as in Fig. 2 104 arranged for the illumination along the periphery of the image original 2,101th

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines photoelektrischen Wandlers mit der Abfolge:

• A) Ausbilden einer ersten Elektrodenschicht auf einem Sub­ strat,
• B) Ausbilden eines Halbleiterbereichs durch
• Ba) Ausbilden eines ersten Silizium-Dünnfilms eines er­ sten Leitfähigkeit-Typs auf der ersten Elektrodenschicht durch Glimmentladung, sowie
• Bb) Ausbilden eines zweiten Silizium-Dünnfilms eines zweiten, von dem ersten Leitfähigkeit-Typ verschiedenen Leit­ fähigkeit-Typs auf dem ersten Silizium-Dünnfilm durch Glim­ mentladung, und
• C) Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht auf dem Halb­ leiterbereich,

1. Method for producing a photoelectric converter with the sequence:

• A) forming a first electrode layer on a substrate,
• B) forming a semiconductor region by
• Ba) forming a first silicon thin film of a first conductivity type on the first electrode layer by glow discharge, and
• Bb) forming a second silicon thin film of a second conductivity type different from the first conductivity type on the first silicon thin film by glow discharge, and
• C) forming a second electrode layer on the semiconductor region,

gekennzeichnet durchmarked by

• D) Entfernen eines Teils des Halbleiterbereichs und der er­ sten Elektrodenschicht vor Ausbilden der zweiten Elektroden­ schicht, so daß eine Vielzahl von jeweils voneinander getren­ nten photovoltaischen Elementen auf dem Substrat als der pho­ toelektrische Wandler erhalten wird.D) removing part of the semiconductor region and the he most electrode layer before forming the second electrodes layer, so that a large number of each separated nth photovoltaic elements on the substrate as the pho toelectric converter is obtained.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einem weiteren Schritt ein Isolator zwischen den photo­ voltaischen Elementen eingebracht wird.2. The method according to claim 1, characterized in that in Another step is to isolate the photo  voltaic elements. 3. Photoelektrischer Wandler mit

• A) einer ersten Elektrodenschicht auf einem Substrat,
• B) einem Halbleiterbereich aus
• Ba) einem auf der ersten Elektrodenschicht durch Glim­ menladung aufgebrachten ersten Silizium-Dünnfilm eines ersten Leitfähigkeit-Typs, sowie
• Bb) einem auf dem ersten Silizium-Dünnfilm durch Glim­ mentladung aufgebrachten zweiten Silizium-Dünnfilm eines zweiten, von dem ersten Leitfähigkeit-Typ verschiedenen Leit­ fähigkeit-Typs, und
• C) einer zweiten Elektrodenschicht auf dem Halbleiterber­ eich,

3. Photoelectric converter with

• A) a first electrode layer on a substrate,
• B) a semiconductor area
• Ba) a first silicon thin film of a first conductivity type applied to the first electrode layer by glow charge, and
• Bb) a second silicon thin film of a second conductivity type different from the first conductivity type and deposited on the first silicon thin film by glow charge, and
• C) a second electrode layer on the semiconductor area,

gekennzeichnet durch

• D) eine Vielzahl von photovoltaischen Elementen auf dem Substrat als der photoelektrische Wandler, die durch Zwis­ chenräume, in denen der Halbleiterbereich und die erste Elek­ trodenschicht entfernt wurden, jeweils voneinander getrennt sind,

marked by

• D) a plurality of photovoltaic elements on the substrate as the photoelectric converter, which are separated from each other by interstices in which the semiconductor region and the first electrode layer have been removed,

wobei die Zwischenräume mit einem Isolator aufgefüllt sind.the gaps are filled with an insulator. 4. Photoelektrischer Wandler nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die photovoltaischen Elemente in einer eindimensionalen Anordnung angeordnet sind.4. Photoelectric converter according to claim 3, characterized characterized in that the photovoltaic elements in one one-dimensional arrangement are arranged. 5. Photoelektrischer Wandler nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die photovoltaischen Elemente in einer zweidimensionalen Anordnung angeordnet sind.5. Photoelectric converter according to claim 3, characterized characterized in that the photovoltaic elements in one two-dimensional arrangement are arranged.