DE2950644C2 - Schottky-Diode - Google Patents

Schottky-Diode

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DE2950644C2
DE2950644C2 DE19792950644 DE2950644A DE2950644C2 DE 2950644 C2 DE2950644 C2 DE 2950644C2 DE 19792950644 DE19792950644 DE 19792950644 DE 2950644 A DE2950644 A DE 2950644A DE 2950644 C2 DE2950644 C2 DE 2950644C2
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schottky diode
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Erich Dr. 7913 Senden Kasper
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KASPER, ERICH, DR.RER.NAT., 7914 PFAFFENHOFEN, DE
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes

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Abstract

Die erfindungsgemäße Abtasthalteschaltung besitzt zum zyklischen Umschalten von einer Abtastphase auf eine Haltephase mindestens einen Schalter, dessen Ein- und Ausgänge in der Haltephase auf einer Haltespannung gehalten werden, die am Haltekondensator anliegt. Dadurch werden beim Umschalten z.B. störende Umladeströme vermieden und insbesondere eine schnelle und hochgenaue A/D-Umsetzung erreicht.

Description

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
25
Die Erfindung betrifft eine Schottky-Diode für einen Mikrowellenmischer mit einem niederohmigen Halbleiterkörper und einer etwa 0,2 μιη dicken epitaktischen Halbleiterschicht mit einer darauf angebrachten Metallschicht, die mit der IHalbleiterschicht einen Schottky-Kontakt bildet, und einer darauf angeordneten weiteren Metallschicht. Eine derartige Schottky-Diode ist aus der Literaturstellc »Nachrichtenelektronik« 11,1979, Seiten 357 bis 361, bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine 35 Schottky-Diode anzugeben, die eine geringe Sperrschichtkapazität sowie einen kleinen Serienwiderstand aufweist und die sich für die Anwendung in einem Mikrowellenmischer eignet. Diese Aufgabe wird bei einer Schottky-Diode der eingangs erwähnten Art nach der 40 Erfindung durch die kennzeichnenden Merkmale des § Anspruchs 1 gelöst.
|, Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung werden
S bei Verwendung der erfindungsgemäßen Schottky-Di
ode für Mikrowellenmischer der Arbeitspunkt und die Leistung des Lokaloszillators so niedrig gewählt, daß U„u,x < Ud- 0,016 V ist, wenn Uum die maximale Betriebsspannung und t/pdie Diffusionsspannung sind.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Nach der Figur wird auf die polierte Vorderseite eines niederohmigen As-dotierten Siliziumsubstrats 1 (z. B. 1 mHcm) eine hochohmige, z. B. 0,2 μιη dicke Schicht 2 aus Silizium epitaktisch abgeschieden. Die Dotierung der epitaktischen Schicht 2, die beispielsweise mit Sb dotiert ist, beträgt z.B. Nd = 2 ■ 1013/cm3 (r>d ■ d = 4 · 103/cm2). Auf der Epitaxieschicht 2 wird durch elektrolytische Abscheidung als Schottky-Kontakt z. B. eine Pt-Schicht 3 und auf die Pt-Schicht 3 eine Au-Schicht 4 aufgebracht. Die Dicke der Pt-Schicht 3 beträgt beispielsweise 0,1 μπι und die Dicke der Au-Schicht 4 10 μπι. Auf die Rückseite des Substrats 1 wird durch Aufdampfen eine Au-Schicht 5 als ohmscher Kontakt aufgebracht, die beispielsweise eine Dicke von 0,2 μηι hat.
Die Epitaxieschicht 2 kann gemäß der Figur in dem nicht vom Schottky-Kontakt bedeckten Oberflächenbereich durch selektives Ätzen bis zum Siliziumsubstrat 1

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Schottky-Diode für einen Mikrowellenmischer mit einem niederohmigen Halbleiterkörper (1) und einer etwa 0,2 μΐη dicken epitaktischen Halbleiterschicht (2) mit einer darauf angebrachten Metallschicht (3), die mit der Halbleiterschicht (2) einen Schottky-Kontakt bildet, und einer darauf angeordneten weiteren Metallschicht (4), dadurch gekennzeichnet, daß die epitaktische Halbleiterschicht (2) aus Silizium besteht, und mit etwa 2 χ 1013 Atomen/cm3 dotiert ist
2. Verfahren zum Betrieb einer Schottky-Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung der Diode für einen Mikrowellenmischer der Arbeitspunkt und die Leistung des Lokaloszillator!? so niedrig werden, daß Umax < Ud- 0,016 V ist, wenn Umax die maximale Betriebsspannung und Uo die Diffusionsspannung sind.
abgetragen werden. Die so freigelegte Oberflache des Substrats wird vorzugsweise mit einer Siliziumdioxydschicht 6, die als Passivierungsschicht wirkt, bedeckt.
Die fertige Schottky-Diode wird beispielsweise in ein Mikrowellengehäuse eingebaut. Zu diesem Zweck wird die ohmsche Elektrode 5 mit dem Boden des Mikrowellengehäuses verlötet, während die Verbindung mit dem Schottky-Kontakt durch einen Bonddraht hergestellt wird, der mit der Au-Schicht 4 verlötet wird.
Der Arbeitspunkt wird in Flußrichtung beispielsweise bei U = 0,3 V eingestellt. Die Lokaloszillatorleistung beträgt 0,3 mW.
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