DE2936857A1 - Galvanisches element mit einem dicht verschlossenen gehaeuse - Google Patents
Galvanisches element mit einem dicht verschlossenen gehaeuseInfo
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Description
VARTA Batterie Aktiengesellschaft 3000 Hannover 21, Am Leineufer 51
Galvanisches Element mit einem dicht verschlossenen Gehäuse .
Die Erfindung betrifft ein galvanisches Element; mit einem dicht verschlossenen Gehäuse, welches rti.o Elektroden,
den Separator und den Elektrolyten enthält und welches mit Polanschlüssen versehen ist.
Die Gehäuse, beispielsweise von Knopfzellen, bestehen
aus einem Napf, zugleich Behälter für die positive Elektrode, und einem dazu passenden Deckelf wol.cher die
negative Elektrode enthält«. Deckel und Napf werden ineinander gefügt und dabei gewöhnlich durch einen Kunststoffring
voneinander abisoliert, da beide Gnhäuseteile zugleich die Polanschlüsse des Elements bilden.
Dur-jb Bördelung des Napfrandes gegen die Deckelkante
wird der Kunststoff ring soweit verforrat, daß or sich dem
Rand und den Oberflächenunebenheiten des Napfes anschmiegen und damit auch abdichten solle
Die isolierende Abdichtung von Metallflächen mit einem
plastischen, laugebeständigen Kunststoff wie z.B. weiches Hochdruck-Polyäthylen oder Polyamid stellt, ühor kurze
Gebrauchszeiten hinweg kein Problem dar5 da d.i.öse Kunststoffe
der Forderung nach hoher Anschmiegsamkeit genügen. Längerfristig weichen sie jedoch den Druck ausübenden
Flächen und Kanten durch sogenanntes KaltflioOon aus,
Als Folge des nachlassenden Anpreßdrucks lös·- sich der
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anfangs hermetisch dichte Kunststoff/Metall-Verbund, und die Phasengrenzfläche wird für den Elektrolyten zunehmend
transparent: er beginnt zu kriechen. Insbesondere niedrige Knopfzellen mit entsprechend kurzem Kriechweg sind
von diesem Mangel betroffen; grundsätzlich haftet er jedoch allen galvanischen Elementen mit nur mechanisch
abgedichteten Gehäusen an.
An elektrische Batterien für beispielsweise Armbanduhren und elektronische Geräte wird heute die Bedingung
einer Mindestgebrauchsdauer von 5 Jahren geknüpft. Knopfzellen nach dem bekannten Bauprinzip gewährleisten
diese Bedingung im ollgemeJnen nicht, da si3 vorzelt,Ig
den Elektrolyten verlieren, wobei das Undichtwerden als eine Funktion der Kriechgeschwindigkeit des Elektrolyten
anzusehen ist. Die Kriechgeschwindigkeit wiederum wird von mehreren Parametern beeinflußt, von denen keiner im
wünschenswerten Sinne beliebig verändert werden kann. Zu diesen Parametern zählen u.a. die Pressung im Dichtungsbereich,
die Potentiallage und der Oberflächenzustand der Dichtungspartner. Auch Zellen anderer Außenform
sind prinzipiell ähnlich aufgebaut.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein galvanisches Element mit einem vollständig isolierenden
Gehäuse anzugeben, dessen elektrische Anschlüsse bzw, Stromableiter in solcher Weise ausgebildet sind, daß
sie einen Elektrolytaustritt im Durchführungsbereich
durch das Gehäuse erschweren.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß es zumindest für die eine Elektrodenpolarität sowohl
einen inneren als auch einen äußeren Polanschluß besitzt und daß beide Polanschlüsse durch eine innerhalb
der Gehäusewandung aus isolierendem Material labyrinthartig verlegte Leiterbahn elektrisch miteinander
verbunden sind.
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Das Gehäusematerial ist vorzugsweise ein Kunststoff, bei Verwendung von Natron- oder Kalilauge als Elektrolyt beispielsweise
das alkalibeständige Polyamid. Besonders vorteilhaft ist es, zwei Gehäuseteile nahtlos miteinander
zu verschweißen, so daß das elektrochemische System hermetisch dicht und vollkommen isoliert eingeschlossen ist.
Ebenso kann ein Hohlzylinder aus Kunststoff an seinen
Stirnseiten durch Aufschweißen oder Aufkleben einer Boden- und einer Deckplatte abgedichtet sein, oder es ist einem
Gehäusenapf ein ebener Deckel aufgeschweißt.
In .jedem Fall jedoch ist erfindungsgemäß mindestens eine
Gehäusewandung zwischen dem inneren und dem äußeren PoI-anschluß aus zwei durch Kleben, Spritzen, Schweißen oder
Pressen fest, miteinander verbundenen Schichten zusammengesetzt, in deren Berührungsebene die labyrinthförmige
Leiterbahn verläuft. Von den beiden Enden der Leiterbahn ist jeweils das eine Ende durch die Innenschicht der Gehäusewandung
zum inneren Polanschluß und das andere Ende durch die Außenschicht der Gehäusewandung zum außenliegenden
Polanschluß durchkontaktiert oder auf andere Weise mit den Anschlußpolen elektrisch verbunden.
Die Leiterbahn erstreckt sich somit innerhalb des Gehäuses über eine Weglänge, welche die Dicke der Gehäusewandung
um ein Vielfaches übertrifft; und da sis von dem Gehäusematerial fest eingeschlossen ist, ergibt sich für
die Elektrolytlauge ein unverhältnismäßig langer Kriechweg, der ihr auch langfristig den Austritt aus der Zelle
versperrt.
Mit der Länge der Leiterbahn soll andererseits keine nennenswerte Erhöhung des Innenwiderstandes bei der erfindungs-
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gemäßen Zelle gegenüber Widerstandswerten bekannter Knopfzellen in Kauf genommen werden. Diese weisen typische
Widerstände zwischen 4 und 5OJQaUf. Daß der längenbedingte
zusätzliche Ohm'sche Widerstand des Ableiterlabyrinths unbedeutend ist, läßt sich auf einfache Weise
errechnen.
Die Fläche F einer Zelle mit den Abmessungen 0 7,9 mm χ
ρ
2,0 mm beträgt F«48 mm . Hiervon soll die Hälfte der Fläche im Wandinnern mit Leiterbahnen bedeckt sein, derart, daß zwischen den Leiterbahnen Zwischenräume vcn gleicher Breite wie eine Leiterbahn vorhanden sind. Die nutzbare Fläche F/2 beträgt demnach 24 mm .
2,0 mm beträgt F«48 mm . Hiervon soll die Hälfte der Fläche im Wandinnern mit Leiterbahnen bedeckt sein, derart, daß zwischen den Leiterbahnen Zwischenräume vcn gleicher Breite wie eine Leiterbahn vorhanden sind. Die nutzbare Fläche F/2 beträgt demnach 24 mm .
Wenn das eingebrachte Leitermaterial Kupfer mit einer Schichtstärke sL = 70 p. = 70 χ 10"-5Mn ist
(/»Kupfer = °'0252 ^2M
so ergeben sich, falls zusätzliche Leiterbahnwiderstände R- von einer bestimmten Größe zugelassen,werden die entsprechenden
Leiterbahnlängen gemäß der folgenden Tabelle
Zugelassener
zusätzlicher 0,1 0,2 0,5 1 2 -Ω-Widerstand
13 20 29 41 cm
Danach lassen sich bei einem vernachlässigbaren zusätzlichen Widerstand von 2 χ 0,1 IX (Becher + Deckel) immerhin 9 cm
Leiterbahn als Kriechweg sowohl im Deckel als auch im Becher unterbringen.
Da das Laugekriechen die Elektrodenableitungen im allgemeinen ungleich, z.B. bei einer AgO/Zn-Zelle die Zink-
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Elektrodenableitung stärker befällt, genügt es meist, dort einen längeren Kriechweg zur Verfugung zu stellen,
während die AgO-Elektrode mit einem kürzeren Kriechweg ausgestattet sein kann.
Die Figuren 1 bis 3 zeigen Ausführungsbeispielο erfindungsgemäßer
galvanischer Elemente und lassen durch Teilansichten zugleich Einzelheiten des Herstellverfahrens
erkennen. Die Herstellung wird im folgenden au Hand der Figuren beschrieben.
Gemäß Figur 1(a) bilden Deckelteil 2 und Becherteil 3, beide aus Kunststoff gespritzt, die Grundbausteine der
Zelle 1. ßeicie Teile v/erden beidseitig mit einem Leitmetall,
z.B. Kupfer, in einer Schichtstärke von z.B. 50 bis 100 μ beschichtet. Aus den Außenbeschlchtungen
wird jeweils ein Leiterbahnlabyrinth 4, beispielsweise
in Form einer Spirale, und aus den Innenflächen jeweils eine Kontaktplatte 5 ausgeätzt. Dies geschieht nach
einer ähnlichen Methode wie bei der Herstellung gedruckter Schaltungen. Eine Durchkontaktierung 6 verbindet jeweils
das eine Ende einer Ableiterspirale k mit einor Kontaktplatte
5. Durch Aufkleben, Aufspritzen, Aufschweißen
oder Aufpressen von Deckplatten 7 auf die Äuüon.tMächen
der Gehäuseteile werden die Leiterspiralen A nunmehr vollkommen in die Gehäusewandung eingschlossen und die Deckplatten
7 an ihrer Außenseite mit MetalJ-Anpohl.ußplatten
versehen, die durch Öffnungen 9 der Deckplatten 7 hindurch jeweils mit den anderen Enden der Ablei.terspiralen
kontaktiert sind.
Die fertigen Gehäuseteile werden anschließend, nachdem sie mit Elektroden beschickt worden sind (der Deckel z.B. mit
Zinkpulver 10, der Becher mit einer AgO-Tablo!·. l;e 11) und
nachdem ein Separator 12 mit Quellblatt 13 sowie der
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Elektrolyt (z.B. NaOH) eingebracht wurden, zusammengefügt und entlang ihrer Randzone 14 mittels Ultraschall
dicht verschweißt.
Es liegt somit eine Anordnung vor, bei der für jede Elektrodenpolarität
zwei Polanschlüsse, die Kontaktplatte 5 als innerer und die Metall-Anschlußplatte 8 als äußerer
Polanschluß, vorhanden sind, bei der ferner die Gehäusewandung zwischen den Polanschlüssen aus zwei Schichten
besteht, die hier durch den Boden eines napfartigen Gehäuseteils 2 bzw. 3 und die Deckplatte 7 gebildet werden,
und bei der die Leiterbahn 4 in der Berührungsebene A-A dieser beiden Schichten verläuft.
Figur 1b verdeutlicht in einer Draufsicht auf die Ebene A-A die Wegführung der spiraligen Leiterbahn 4.
Das gleiche Bauprinzip läßt sich erfindungsgeinäß an einer
auf rationelle Weise vom Band gefertigten Zelle verwirklichen, wie es Figur 2 zeigt. Hier wird eine Folienbahn 2,
z.B. eine Polyesterfolie, zunächst mit einem Metall, z.B. Kupfer, beschichtet und aus der Beschichtung in Abständen,
z.B. nach einem optischen Verfahren, ein Leiterbahn-Labyrinth 4 (Spirale) ausgeätzt. Statt auf indirektem Wege
durch Ausätzen kann das Leiterbahn-Labyrinth auch direkt durch Sieb-Aufdampfverfahren auf die Folienbahn 2 aufgebracht
werden.
Durch Aufkleben oder Aufschweißen einer weiteren Folienbahn 7 wird das Leiterbahnlabyrinth 4 dann abgedeckt und
am einen Labyrinthende die Trägerbahn 2, am anderen Labyrinthende die Abdeckbahn 7 durch^kontaktiert. Mit der
so entstandenen Doppelbahn 15» die außenseitig noch mit
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Kontaktplatten (nicht abgebildet) versehen werden muß, sind die Gehäusewandungen bereits vorgefertigt (Figur 2a).
Gespritzte Hohlzylinder 16 aus Kunststoff in den gewünschten
Größenabmessungen der Zelle werden nunmehr mit einer Stirnseite auf die Doppelbahn 15 aufgeschweißt oder aufgeklebt,
mit den elektrochemisch aktiven Bestandteilen der Zelle gefüllt und danach durch eine gleiche Doppelbahn
mit entsprechend positionierten Labyrinth-Ableitern
verschlossen (Figur 2b). Nach Ausstanzen der Hohlzylinder bzw. Abtrennen der über die Hohlzylinder hinausragenden
Ränder sind die Zellen fertig.
Besondere Vorteile dieses Herstellungsverfahrens liegen darin, daß die obere Doppelbahn und die untere Doppelbahn
unabhängig von der jeweiligen Zellengröße oder Zellenhöhe verwendet werden können. Zellendurchmesser
und Zellenhöhe werden nur durch die gespritzten Hohlzylinder bestimmt.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Elements, bei '/elcher die äußeren Pclanschlüsse
sowohl der positiven wie der negativen Polarität auf einer Seite des. Gehäuses angeordnet sind, zeigt Figur 3. In
diesem Fall sind beide Elektrodenableiter in dem gleichen Gehäuseteil, beispielsweise in dem Deckel eines flachen
Ni/Cd-Akkumulators, untergebracht.
Zu seiner Herstellung wird eine Trägerfolie 7 aus Kunststoff (Figur 3a) auf einer Seite metallisiert, z.B. durch
Aufwalzen oder galvanische Abscheidung von Kupfer, und aus der Metallschicht wird ein Paar labyrinthartig geführter
Leiterbahnen 4,17 ausgeätzt, von denen mit Rück-
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sieht auf die Potentialabhängigkeit der Kriechgeschwindigkeit
des Elektrolyten die eine Leiterbahn kürzer als die andere ausgeführt sein kann. Die Ebene A-A
der Leiterbahnen ist durch Figur 3b in einer Draufsicht
dargestellt.
Auf die für den Innenanschluß vorgesehenen beiden Enden der Leiterbahnen werden die Kontaktierungen 6,18 aufgebondet,
während an den beiden für den Außenanschluß vorgesehenen Enden Nietlöcher durch die Folie gestanzt
und in diese Kontaktniete 19,20 mit Metall-Anschlußplatten 8 eingesetzt werden. Durch Aufspritzen oder Aufkleben
einer Deckfolie 2 aus Kunststoff wird der Deckel komplettiert.
In dem zugehörigen Gehäusebecher 3 aus Kunststoff sind Elektroden mit Ableiterfahnen so eingelegt, daß bei
Auflegen des Deckels die positiven Fahnen mit der einen und die negativen Fahnen mit der anderen Innenkontaktierung
elektrisch verbunden sind. Deckel und Becher werden nunmehr zu einem dichten Gehäuse mittels Ultraschall
verschweißt.
Diese Zellenbauart ist ebenfalls für eine kontinuierliche Fertigung geeignet, sofern man die an der Folie getroffenen
Maßnahmen auf ein Bandmaterial überträgt, auf dieses dann die Gehäusenäpfe aufbringt und nach dem Verschweißen
die Zellen aus dem Deckelband ausstanzt.
Für eine Akkumulatoren-Flachzelle gemäß Figur 3 und mit den Abmessungen 45 x 40 χ 5 mm ergibt sich ein Kriechweg
von ca. 17 bzw. 7 cm je Ableiter.
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Bei einer Schichtstärke von 70 um mit Kupfer ergibt die erwähnte Leiterbahnlänge bei einer Leiterbahnbreite von
3 mm einen zusätzlichen Innenwiderstand von ca 30,AiXl ,
also eine für diese Zellgröße vernachlässigbar kleine Widerstandszunahme.
Ein allgemeiner Vorteil des erfindungsgemäßen galvanischen Elements liegt in der Realisierbarkeit einer hermetischen
Zelle. Dabei müssen keine engen Toleranzen in Kauf genommen werden. Das Bauprinzip ist einer Serienfertigung
aus Kunststoffspritzteilen und Bandmaterial zugänglich. Durch die Sandwich-Bauweise Metall-Kunststoff-Metali-Kunststoff-Metall
wird eine besonder·= Formstabilität erreicht.
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Claims (9)
1. Galvanisches Element mit einem dicht verschlossenen Gehäuse, welches die Elektroden, den Separator und den
Elektrolyten enthält und welches mit Polanschlüssen versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß es zumindest
für die eine Elektrodenpolarität sowohl einen inneren (5) als auch einen äußeren Pcianschluü (8) jesitzt urid daß
beide Polanschlüsse durch eine innerhalb der Gehäusewandung aus isolierendem Material labyrinthartig verlegte
Leiterbahn (4) elektrisch miteinander verbunden sind.
2. Galvanisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäusematerial ein Kunststoff ist.
3. Galvanisches Element nach den Ansprüchen ί und £„ ',adurch
gekennzeichnet, daß die Gehäusewandung zwischen dem inneren Polanschluß (5) und dem äußeren Polanschluß (8) aus zwei fest miteinander verbundenen
Schichten (2,7)f (3,7) gebildet ist, in deren Berührungsebene die Leiterbahn (4) verläuft,
4. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse die Form einer
durch dichte Verbindung zweier napfförmiger Gehäuseteile (2,3) aus isolierendem Material gebildeten Knopfzelle
besitzt.
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5. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse aus einem
Hohlzylinder (16) besteht, der an seinen Stirnseiten
durch Deckplatten (15) verschlossen ist, welche die Polanschlüsse enthalten.
6. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse auf einer seiner
Außenflächen die Polanschlüsse beider Polaritäten besitzt.
7. Verfahren zur Herstellung eines galvanischen Elements mit einem dicht verschlossenen Gehäuse, welches die
Elektroden, den Separator und den Elektrolyten enthält und welches mit Polanschlüssen versehen ist,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Gehäuseteil (2 bzw. 3) aus einem Isoliermaterial hergestellt wird, dessen
Wandung auf der Innenseite mit einem inneren Polableiter (5) und auf der Außenseite mit einer labyrinthförmigen
Leiterbahn (4) versehen wird, die miteinander elektrisch verbunden werden und daß auf die äußere
Seite eine Deckschicht (7) aus Isoliermaterial mit einem äußeren Polableiter (8) aufgebracht wird, der
mit der Leiterbahn (4) verbunden wird, daß die Deckschicht (7) mit der Wandung unlösbar verbunden wird
und daß dieses Gehäuseteil mit einem weiteren Gehäuseteil (3 bzw. 2) nach Einbringen der aktiven Zellenbestandteile
fest verbunden wird.
8. Verfahren zur Herstellung eines galvanischen Elements nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
einzelnen Schichten der Gehäuseteile (2,3) aus Folienbahnen hergestellt und ausgeschnitten werden, die
kontinuierlich mit einem inneren Polanschluß (5) einer Leiterbahn (4) und einem äußeren Polanschluß (8)
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beschichtet und anschließend fest miteinander verbunden werden.
9. Verfahren zur Herstellung eines galvanischen Elements nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die metallische Beschichtung durch galvanische Abscheidung, Aufdampfen und Ausätzen oder Aufdrucken
hergestellt wird.
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