DE2934343C2 - Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten - Google Patents

Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten von einer Mutterplatte, bei dem in einem ersten Schritt die Mutterplatte gebildet wird, indem ein mit einem aufzuzeichnenden Signal modulierter Lichtstrahl auf die Mutterplatte projiziert wird, die auf einem ersten durchsichtigen Substrat eine erste Dünnfilmschicht aufweist, deren Lichtdurchlässigkeit sich ohne eine anschließende Entwicklung oder Nachbehandlung entsprechend der eingestrahlten Lichtenergie ändert, wodurch das aufzuzeichnende Signal unmittelbar als Aufzeichnungsmuster in Form entsprechender Lichtduirhlässigkeitsänderungen auf der ersten Dünnfilmschicht aufgezeichnet wird.
Bei einem derartigen bekannten Verfahren (Journal of the SMPTE, Vol. 83, Juli 1974, Seite 554 bis 559) wird als das erste durchsichtige Substrat eine Glasplatte und als die erste Dünnfilmschicht eine auf die Glasplatte aufgedampfte Metallschicht verwendet, die durch den modulierten Lichtstrahl entsprechend dem aufzuzeichnenden Signal verdampft wird, so daß die Lichtdurchlässigkeitsänderungen durch entsprechende Löcher dieser dünnen Metallschicht hervorgerufen werden. Zur Vervielfältigung der solchermaßen gebildeten Mutterplatte wird bei dem bekannten Verfahren aus der zweidimensionalen Mutterplatte mit Hilfe einer Photoätztechnik ein dreidimensionaler Prägestempel hergestellt, durch den Tochterplatten aus Kunststoff gepreßt werden, deren Oberfläche anschließend mit einer reflektierenden Metallschicht überzogen werden muß. Infolge dieser notwendigen Verfahrensschritte erweist sich jedoch das bekannte Verfahren als verhältnismäßig aufwendig.
Ebenso ist auch bei einem anderen bekannten Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten (DE-OS 23 47 435) vorgesehen, aus einer zweidimensional, d. h. mit optischen Transparenzunterschieden beschriebenen Mutterplatte ein dreidimensionales Reliefbild herzustellen. Auch in diesem Falle ist beispielsweise eine verhältnismäßig aufwendige Photoätztechnik erforderlich.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein bezüglich der Darstellung der Information
präzises, bezüglich der Verfahrensdauer kurzes und bezüglich des materiellen Bedarfs wenig aufwendiges Verfahren zum mehrfachen Vervielfältigen von Mutterplatten, auf denen die Information in Form von Änderungen der Lichtdurchlässigkeit aufgezeichnet ist, zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die durch Vervielfältigen zu bildenden Tochterplatten in zwei weiteren Verfahrensschritten hergestellt werden, in deren einem zunächst die Mutterplatte und die Tochterplatte, die auf einem eine geringere Wärmeleitfähigkeit und eine geringere Wärmekapazität als die des ersten Subrtrats aufweisenden zweiten Substrat eine zweite Dünnfilmschicht aufweist, deren Lichtdurchlässigkeit und Liehtreflexionsvermögen sich ohne eine anschließende Entwicklung oder Nachbehandlung entsprechend der Energie des eingestrahlten Lichts ändert, mit den jeweiligen Dünnfilmschichten aneinanderge^reßt werden, und in deren nachfolgendem weiteren Verfahrensschritt die zweite Dünnfilmschicht durch das erste lichtdurchlässige Substrat und die erste Dünnfilmschicht hindurch mittels eines Blitzlichtes beleuchtet wird, wodurch auf der zweiten Dünnfilmschicht unmittelbar ein dem aufzuzeichnenden Signal entsprechendes Muster unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit und unterschiedlichen Lichtreflexionsvermögen hervorgerufen wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Unteransprüchen angegeben.
In der folgenden Beschreibung sind die Erfindung und ihre Vorteile unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Hierin zeigt
F i g. 1 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens zum Vervielfältigen bespielter Platten,
Fig.2 eine schematische Seitenansicht einer weiteren Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens,
Fig.3 eine Darstellung der Abhängigkeit des zwischen einer zu vervielfältigenden Mutterplatte und einer herzustellenden Tochterplatte bestehenden Spaltes von dem herrschenden Anpreßdruck bei der Durchführung des Verfahrens, und
F i g. 4 eine schematische Darstellung des Wiedergabevorgangs bei der gebildeten Tochterplatte.
Gemäß einem in F i g. 1 dargestellten Prinzip eines Verfahrens zum Vervielfältigen bespielter Platten besteht eine zu vervielfältigende Platte, im folgenden Mutterplatte genannt aus einer auf einem ersten durchsichtigen Substrat ϊ aufgebrachte ersten Dünnfilmschicht 1, die mit Mustern unterschiedlicher Lichtdurchlassigkeit entsprechend den aufgezeichneten Signalen versehen ist. Die Platte, auf der diese Muster reproduziert werden sollen, im folgenden Tochterplatte genannt, besteht aus einer ebenfalls aus einem ebenfalls auf einem durchsichtigen Substrat 4 aufgebrachten zweiten Dünnfilmschicht 3. deren Lichtdurchlässigkeit und/oder Lichtreflexionsvermögen durch Wärmeenergie geändert wird. Die Mutter- Und die Tochterplatte werden durch eine Presse 5 derart zusammengepreßt, daß die die Muster tragende erste Dünnfilmschieht i und die wärmeempfindliche zweite Dünnfilmschicht 3 eng beieinanderliegen. Durch eine kurze Bestrahlung mittels einer Blitzröhre 6 werden die Muster auf der Mutterplatte auf der Tochterplatte reproduziert. Dabei wird in der wärmeernpfindlichen zweiten Dünnfilmschicht 3 die Temperatui f;ir eine kurze Zeit durch die Absorption des Blitzlichtes erhöht, wobei durch die entstehende Wärme entsprechende Änderungen verursacht werden.
F i g. 2 zeijt eine mögliche .Ausführungsform einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Dabei bezeichnen die Bezugszeichen 1 bis 6 dieselben Teile wie in F i g. 1. Ein Gummikissen 7 soll eine gleichförmige Druckverteilung sicherstellen, wenn die Mutter- und die Tochterplatte gegeneinander gepreßt werden. Eine durchsichtige Glasplatte 8 wurde einer Versteifungsbehandlung unterworfen.
ίο Die Blitzröhre 6 kann z. B. eine Xenon-Entladungsröhre mit einer Lichümpulsdauer von 1 μ* bis 1 m/sec sein. Wenn jedoch die Impulsdauer sehr groß wird, verteilt sich die absorbierte Wärme, wodurch eine verschwommende Vervielfältigung entsteht
Im folgenden werden die Mutter- und die Tochterplatte genauer beschrieben. Wie schon erwähnt besteht die Mutterplatte aus dem ersten durchsichtigen Substrat 2 und der auf die Oberfläche des Substrats 2 aufgebrachten lichtabschirmenden ersten Dünnfilmschicht 1. In der Dünnfilmschicht 1 enu-prechen Muster unterschiedlicher Helligkeit den aufgezeicbieten Signalen. Geeignete Materialien für die lichtundurchlässige Dünnfilmschicht 1 sind z. B. leicht schmelzende oder verdampfende Legierungen sowie Oxide und Sulfide von Metren oder Halbmetallen. Fokussiert man einen Strahl hoher Lichtenergie, beispielsweise eines Argon-Glaslasers, in einen Brennfleck mit einem Durchmesser von ungefähr 1 μπι und richtet ihn moduliert mit dem Videosignal oder dem Tonsignal auf die lichtundurchlässige Dünnfilmschicht 1, so wird die Lichtenergie von den bestrahlten Teilen absorbiert, so daß die Temperatur dieser Teile ansteigt und dort Veränderungen auftreten.
Diese Veränderungen kann man grob in zwei Typen
enteilen. Beim ersten Typ schmelzen oder verdampfen die beleuchteten Teile der Dünnfilmschicht 1, so daß ein Loch entsteht. In diesem Fall sind die geeigneten Materialien für die Dünnfilmschicht 1 niedrigschmelzende Legierungen und Verbindungen. Die schmelzenden Materialien schließen Wismutlegierungen mit einem geringen Zusatz von Gold ein und die verdampfenden Materialien schließen Verbindungen ein, die Tellur, Selen und Schwefel enthalten können. Der zweite Typ schließt Materialien ein, in denen durch eine chemische Reaktion die beleuchteten Teile der Dünnfümschicht 1
« durchsichtig werden. Dieser Typ umfaßt beispielsweise Metalloxide, Chalcogenverbindungen usw., deren durch den Lichtstrahl erwärmte Teile durchsichtig werden.
Materialien für das durchsichtige Substrat 2 der Mutterplatte sind vorzugsweise Gläser mit einer relativ
μ großen Dicke, insbesondere Sorten mit einer hervorragenden Durchsichtigkeit, Ebenheit, relativ hohen Wärmeleitfähigkeit und einer hohen Wärmekapazität. Die Ariiofderungen an das Substrat 2 werden später noch im Detail in Verbindung mit der Tochterplaue
5^ beschrieben. Bei einer anderen Ausführungsiorm der Mutterplatte wird eine sehr dünne Schicht transparenten Harzes auf die erste Dünnfilmschicht 1 aufgetragen. Wenn jedoch die Dirke der Harzachicht nicht geringer als I μιη ist, werden die vervielfältigten Muster verschwommen.
Die Tcchterplatte besteht, wie schon erwähnt, aus dem zweiten Substrat 4 in Form eines dünnen Harzsubstrats und der auf die Oberfläche des Substrats 4 aufgebrachten wämeempfindlichen zweiten Dünnfilmschicht 3. Wenn gewünscht, wird eine dünne durchsichtige Harzschicht auf die Dünnfilmschicht 3 mit sehr geringer Dicke aufgetragen. Wenn jedoch deren Dicke nicht kleiner als 1 μιη ist, werden die vervielfältig-
ten Muster verschwommen. Geeignete Materialien für die wärmeempfindliche zweite Dünnfilmschicht 3 sind solche, in denen die dem Licht entsprechende Wärmeenergie leicht absorbiert wird und die absorbierte Wärmeenergie einen Phasenübergang oder eine chemische Reaktion bewirkt, durch die die optische Dichte und/oder das Lichtreflexionsvermögen geändert wird. Solche Materialien sind beispielsweise amorphe Chalcogenverbindungen, typische Vertreter sind AsSr und GeTeSbS. Bei diesen Materialien wird durch die durch das absorbierte Licht entstehende Wärme die Anordnung der Atome geändert, wobei sich auch die optischen Eigenschaften und die elektrische Leitfähigkeit dieser Teile beträchtlich ändert. Andere Möglichkeiten sind z.B. amorphe niedrige Oxide, z.B. die niedrigen Oxide von Tellur und Germanium. Bei diesen Materialien werden die optischen Eigenschaften ebenfall.1; durch die durch das einfallende l.icht entstehende Wärmeenergie stark geändert. Alle diese Materialien erfordern keine Nachbehandlung wie z. B. Entwickeln, :o da sich ihre optische Dichte und/oder ihr Lichtreflexionsvermögen allein durch das einfallende Licht ändern. Weitere mögliche Materialien sind solche, bei denen die Wärme eine chemische Reaktion im Material selbst bewirkt und so zu einer Änderung der otpischen Dichte führt. Die Filmdicke für all diese Materialien sollte vorzugsweise größer als 60 nm und kleiner als 300 nm sein.
Die Anforderungen an das zweite Substrat 4 für die Tochterplatte sind unterschiedlich von den früher so erwähnten Anforderungen an das erste Substrat 2 für die Mutterplatte. Zwar sind dieselbe Lichtdurchlässigkeit und Ebenheit wie bei der Mutterplatte erforderlich, doch sollte die Wärmeleitfähigkeit so klein wie möglich sein. Deshalb ist die Verwendung von Harzmaterial wünschenswert.
Im folgenden werden die erforderlichen Eigenschaften für das jeweilige Substrat und die Dünnfilmschicht der Mutter- und der Tochterplatte im gegenseitigen Bezug im einzelnen beschrieben. -»ο
Bei der Herstellung der Tochterplatten werden die Mutterplatte und die Tochterplatte aufeinander angeordnet, wobei sie von dem auf der Seite der Mutterplatte angebrachten Blitzlicht 6 beleuchtet werden. In diesem Fall ist es wichtig sicherzustellen, daß während der Umwandlung der wärmeempfindlichen Dünnfilmschicht 3 der Tochterplatte aufgrund des einfallenden Lichtes die lichtundurchlässige Dünnfilmschicht 1 der Mutterplatte durch das Blitzlicht keine Veränderungen erleidet. Deshalb muß das Substratmaterial der Muterrplatte sowohl eine hohe Wärmeleitfähigkeit als auch eine hohe Wärmekapazität haben, damit die Temperaturen in der Dünnfilmschicht 1 der Mutterplatte so wenig wie möglich ansteigen. Beispielsweise sollte vorzugsweise ein Glassubstrat mit einer Dicke von 2 bis 20 mm benutzt werden. Da aber zur Änderung der Dünnfilmschicht 3 der Tochterplatte die durch das Absorbieren des Lichts entstehende Wärme notwendig ist, muß die Leitfähigkeit ihres Substrats 4 niedrig genug sein, um eine Ableitung der Wärmeenergie aus der Dünnfilmschicht 3 zu verhindern.
Daher sind Harzmat2rialien einschließlich Acrylharz, Venylchlorid, Polyester, Polycarbonat oder ähnliche geeignet. Die Wärmeleitfähigkeit dieser Materialien ist geringer als die von Glas. Zusätzlich muß die Dicke auf weniger als 2 mm reduziert werden, so daß ihre Wärmekapazität kleiner ist als die der Mutterplatte. Während die lichtundurchlässige Dünnfilmschichi 1 der Mutterplatte in wünschenswerter Weise eine hohe Empfindlichkeit für den zum Einschreiben der Informationen auf die Dünnfilmschicht 1 benützten Laserstrahl hat, darf keine Veränderung der Dünnfilmschicht 1 während des Belichtens mit dem Blitzlicht stattfinden. Mit dem beschriebenen Aufbau der Substrate wird die Temperatur der lichtundurchlässigen Dünnfilmschicht 1 in der Mutterplatte aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit und der hohen Wärmekapazität des ersten Substrats 2 nicht leicht erhöht. Andererseits steigt in der Tochterplatte die Temperatur der wärmeempfindlichen zweiten Dünnfilmschicht 3 aufgrund der niedrigen Wärmeleitfähigkeit und der niedrigen Wärmekapazität sehr viel leichter an als die Temperatur der lichtundurchlässigen Dünnfilmschicht 1 der Mutterplatte.
Im folgenden ist die Durchführung des Verfahrens mit der oben beschriebenen Vorrichtung und seine Teilschritte näher erlaurerl. Das Vervielfältigungsverfahren beabsichtigt eine exakte Reproduktion von Mustern, deren Feinheit größenordnungsmäßig 1 μιτι beträgt und die ein mit einer hohen Dichte aufgezeichnetes Videosignal oder dergleichen Signale enthalten. Demzufolge besteht das erste technische Hauptproblem darin, die Mutter- und die Tochterplatte in hinreichend engen Kontakt miteinander zu bringen. Um das Überschreiben von Mustern von ungefähr 1 μιτι von der Mutterplatte auf di'" Tochterplatte zu ermöglichen, darf die Spaltbreite zwischen den beiden Platten nicht größer als 1 μιτι sein. Natürlich müssen die beiden sich berührenden Oberflächen der Mutter- und der Tochterplatte glatt und frei von jedem Staub sein. Um einen engen Kontakt zwischen den beiden Platten sicherzustellen, ist die Anwendung von Druck notwendig.
F i g. 3 zeigt die Beziehung zwischen dem angewandten Druck und der Spaltbreite zwischen den beiden Platten. Die Kurve wurde mit einem Substrat 2 der Mutterplatte aus einer Glasscheibe und einem aus einer Acrylharzscheibe von 1 mm Dicke bestehenden Substrat 4 der Tochterplatte aufgenommen. Die Spaltbreite wurde mittels Interferenzstreifen von Licht bestimmt. Ein Druck von 20 g/cm2 ergab eine Spaltbreite von ungefähr 1 μπι, ein Druck von 50 000 g/cm2 ergab eine Spaltbreite von weniger als 0,1 μΐη. Die Anwendung von Drücken größer als 50 000 g/cm2 ist aufgrund der Gefahr einer Beschädigung der Aufzeichnungsoberflächen nicht wünschenswert. Die Anwendung von Drücken kleiner als 20 g/cm2 ergibt eine zu große Spaltbreite und damit ein verschwommenes reproduziertes Muster. Wenn aber der Druck in den oben genannten Grenzen angelegt wird, ergibt die Be'juchtung der Mutter- und der Tochterplatte mit dem Blitzlicht ein exaktes Überschreiben der feinen Muster von der Mutterplatte auf die Tochterplatte.
Wenn die Mutter- und Tochterplatte unter solchen Drücken in einen derart engen Kontakt gebracht werden, ergibt sich die technische Schwierigkeit, daß sie fest aneinanderheften und nicht mehr leicht trennbar sind. Diese Schwierigkeit kann durch eine sehr einfach erscheinende Maßnahme, beseitigt werden. Als erstes wird ein Material mit solchen Eigenschaften und einer solchen Dicke, daß eine gewisse Flexibilität gewährleistet ist, entweder für eine oder für alle beiden Platten verwandt Beispielsweise hat eine ungefähr 1 mm dicke Acrylplatte eine ausreichende Flexibilität Vinylchloridplatten mit einer Dicke bis zu 13 mm haben eine genügende Flexibilität und können in ausreichendem Umfang gebogen werden. Wenn ein Ende der in engem Kontakt befindlichen Mutter- und Tochterplatte bei
Verwendung solcher Materialien nach außen gebogen wird, so daß langsam ein Spalt zwischen ihnen entsteht, trennen sich die Platten durch die in der. Spalt einströmende Luft von selbst voneinander.
Die hierfür benötigte Zeit beträgt bei einem Plattendurchmesser von ungefähr 30 cm ungefähr 1 bis 2 Sekunden. Der zu Beginn durch Biegen der Platte entstehende Spalt ist ungefähr 0,1 bis 0,5 mm breit.
Als nächstes wird die Konstruktion einer solchen Tochterplatte unter bezug auf eine Wiedergabeeinheit beschrieben. Fig.4 zeigt schematisch ein mögliches Verfahren, mit dem die auf der Oberfläche der Tochterplatte entstehenden Signalmuster wiedergegeben werden können. Die Dünnfilmschicht 3 bzw. die Wiedergabeoberfläche der Tochterplatte ist auf dem lichtdurchlässigen Harz-Substrat 4 aufgebracht. Das von einem Halbleiterlaser 9 abgestrahlte Licht wird durch eine Kondensorlinse 10 fokussiert und durch das Substrat 4 hindurch auf die die Aufzeichnung tragende Dünnfilmschicht 3 projiziert. Das das Signal enthaltende Licht, das von der Dünnfilmschicht 3 reflektiert wird, wird von einem halbdurchlässigen Spiegel 11 umgelenkt und dann von einem Photodetektor 12 empfangen.
Wie schon früher erwähnt, wird während der Vervielfältigung das Licht von der Seite der wärmeemp- findlichen Dünnfilmschiht 3 auf die Tochterplatte projiziert. Während des Abspielens wird dagegen das Licht von der entgegengesetzten Seite oder der Substratseite aus projiziert, wobei auch die Wiedergabesigna1': von dieser Seite her ausgelesen werden. Also wird das Abspielen durch Lichteinstrahlung von der Substratseite her durchgeführt. Wenn das Licht dagegen von der Seite der Dünnfilmschicht 3 eingestrahlt würde, würde der dort befindliche Staub Signalstörungen erzeugen, während beim Einstrahlen des Lichtes von der Substratseite her der auf der Dünnfilmschicht 3 vorhandene Staub keine Störungen bewirkt. Der Grund hierfür ist, daß das Licht hauptsächlich von der Oberfläche der Dünnfilmschicht 3 auf der Substratseite reflektiert wird, so daß das Licht nicht durch den auf der entgegengesetzten Seite niedergeschlagenen Staub beeinflußt wird. Der auf der Oberfläche des Substrats 4 niedergeschlagene Staub ergibt ebenfalls keine Signalstörungen. Der Grund hierfür ist, daß das Abspiellicht auf die Oberfläche der Dünnfilmschicht 3 fokussiert ist und deshalb unfokussiert in einem größeren Bereich auf die Oberfläche des Substrats 4 auftrifft. Sowohl die beschriebene Konstruktion der Tochterplatte wie das Vervielfältigungsverfahren und das Wiedergabeverfahren sind sehr vorteilhaft in bezug auf die Beseitigung der von Staub herrührenden Signalstörungen. Weiter isl es wünschenswert, nach der Vervielfältigung eine Schutzschicht auf die Dünnfilmschicht 3 aufzutragen, um die Wiedergabeoberfläche zu schützen.
In einem speziellen Beispiel besteht das Substrat 2 der 5S Mutterplatte aus einem glatten Glassubstrat (Durchmesser 20 cm, 10 mm dick) und ihre Dünnfilmschicht 1 aus einer Bi-Au-Legierung, die mittels Aufdampfen auf dem Substrat 2 niedergeschlagen ist. Auf der aufgedampften Dünnfilmschicht 1 werden durch Verdampfen der Dünnfilmschicht 1 in Übereinstimmung mit dem aufzuzeichnenden Signal Punktmuster unter Verwendung eines Argonlasers erzeugt, dessen Licht durch eine Linse zu einem kleinen Brennfleck fokussiert ist. Die Tochterplatte besteht aus einer Vinylplatte (20 cm Durchmesser) mit einer glatten Oberfläche, auf die die Dünnfilmschicht 3 vakuumaufgedampft ist und beispielsweise aus
1. einem dünnen Film einer Chalcogenverbindung (eine Kompaktverbindung aus Schwefel, Selen und Tellur), wie z. B. AsSeSGe GeTeSbS oder
2. einem Dünnfilm aus niedrigen Oxiden, wie z. B. TeO2, GeO2 oder Mo2Oj
besteht.
Diese Platten sind im Hinblick auf die Kontaktvervielfältigung entworfen worden. Die Eigenschaften der Dünnfilmschichten nach 1. und 2. sind so, daß bei Beleuchtung der Dünnfilmschicht die durch das absorbierte Licht entstehende Hitze die Bindung zwischen benachbarten Atomen und damit die optische Dichte ändert. Die Mutter- und Tochterplatte werden so aufeinander angeordnet, daß die durch die Dünnfilmschichten gebildeten Oberflächen einander zugekehrt sind und eine einer Verstärkungsbehandlung unterworfene Glasscheibe zu Stützzwecken an der Außenseite des Stapels angebracht wird. Der Stapel wird von seinen Stirnseiten her einem Druck von 100 g/cm2 ausgesetzt und in diesem Zustand von der Seite der Mutterplatte mittels einer Xenon-Blitzröhre kurzzeitig beleuchtet. Dies führt zu einem Anstieg der optischen Dichte in dem 1 eil der Dünnfilschicht 3 der Tochterplatte, der ein von dem Licht durchdrungenes Muster auf dem dünnen Metallfilm der Mutterplatte entspricht, so daß ein dem Muster der Mutterpiatte komplementäres Muster auf der Tochterplatte erzeugt wird.
Bei diesem Beispiel werden 20 Xenon-Blitzlampen in einem Abstand von 3 cm von der Mutterpiatte angeordnet, wobei die Lampen mit einer elektrischen Eingangsleistung von 150 Joules/Lampe pro Blitz betrieben werden. Im Gegensatz zur herkömmlichen Vervielfältigungsmethode von Bildplatten, bei denen die Signale in Form von Eindrücken aufgezeichnet werden und die erforderliche Produktionszeit für eine Platte aufgrund der Notwendigkeit zu heizen und zu kühien in der Größenordnung von 1 Minute liegt, ist bei dem beschriebenen Verfahren eine Vervielfältigung in weniger als 0,1 Sek. möglich, und selbst dann, wenn die Zeit zum Zusammenpressen und zum Trennen mit eingeschlossen wird, beträgt die gesamte Produktionszeit jeder Platte nur ungefähr 15 Sekunden. Da die Materialien für die Tochterplatte eine Nachbehandlung wie ζ. B. Entwickeln nicht benötigen, bringt diese Vereinfachung große Vorteile bezüglich der Verminderung der Anzahl der insgesamt erforderlichen Produktionsschritte, wodurch sich die Herstellungskosten der Platten verringern.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten von einer Mutterplatte, bei dem in einem ersten Schritt die Mutterplatte gebildet wird, indem ein mit einem aufzuzeichnenden Signal modulierter Lichtstrahl auf die Mutterplatte projiziert wird, die auf einem ersten durchsichtigen Substrat (2) eine erste Dünnfilmschicht (1) aufweist, deren Lichtdurchlässigkeit sich ohne eine anschließende Entwicklung oder Nachbehandlung entsprechend der eingestrahlten Lichtenergie ändert, wodurch das aufzuzeichnende Signal unmittelbar als Aufzeichnungsmuster in Form entsprechender Lichtdurchlässigkeitsänderungen auf der ersten Dünnfilmschicht (1) aufgezeichnet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Vervielfältigen zu bildenden Tochterplatten in zwei weiteren Verfahrensschrkisn hergestellt werden, in deren einem zunächst äse Mutterplatte und die Tochterplatte, die auf einem eine geringere Wärmeleitfähigkeit und eine geringere Wärmekapazität als die des ersten Substrats (2) aufweisenden zweiten Substrat (4) eine zweite Dünnfilmschicht (3) aufweist, deren Lichtdurchlässigkeit und Lichtreflexionsvermögen sich ohne eine anschließende Entwicklung oder Nachbehandlung entsprechend der Energie des eingestrahlten Lichts ändert, mit den jeweiligen Dünnfilmschichten (1 bzw. 3) aneinandergepreßt werden, und in deren nachfolgendem weiteren Verfahrensschritt die zweite Dünnfilmschicht (3) durch das erste lichtdurchlässige Substrat (*/ und die erste Dünnfilmschicht (1) hindurch mittels eines Blitzlichtes (6) beleuchtet wird, wodurch auf d-.r zweiten Dünnfilmschicht (3) unmittelbar ein dem aufzuzeichnenden Signal entsprechendes Muster unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit und unterschiedlichen Lichtreflexionsvermögens hervorgerufen wird.
2. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Dünnfilmschicht aus einem dünnen Film (1) einer anorganischen Verbindung besteht, und daß dieser dünne anorganische Film selektiv durch einen Laserstrahl, dessen Intensität mit dem aufzuzeichnenden Signal moduliert ist, geschmolzen oder verdampft wird, so daß kleine Löcher aufgrund der selektiv geschmolzenen oder verdampften Bereiche entstehen, und die Lichtdurchlässigktit dieser Bereiche verändert wird.
3. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Dünnfilmschicht aus einem dünnen Film (1) einer Chalcogenverbindung oder einem Oxidfilm besteht, und daß dieser dünne Film selektiv durch einen Laserstrahl, dessen Intensität mit dem aufzuzeichnenden Signal moduliert ist, umgewandelt wird, wobei die Lichtdurchlässigkeit der selektiv umgewandelten Bereiche geändert wird.
4. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Dünnfilmschicht aus einem dünnen Film (3) einer Chalcogenverbindung besteht.
5. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Dünnfilmschicht aus einem Dünnfilm (3) eines niedrigen Oxids besteht.
6. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Substrat (4) aus lichtdurchlässigem Material ist
7. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Tochterplatte flexibel ist, um die aufeinanderhaftende Mutter- und ' Tochterplatte nach der Belichtung zu trennen, wozu ein Randstück der Tochterplatte unter Ausnutzung ihrer iHexibilität aufgebogen wird und die beiden Platten durch die hierdurch einströmende Luft voneinander getrennt werden.
8. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mutter- und Tochterplatte mit einem Druck von 20 g/cm2 bis 50 000 g/cm2 aneinandergepreßt werden.
9. Verfahren zum Vervielfältigen bespielter Platten entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gummikissen (7) auf das zweite Substrat (4) der Tochterplatte aufgelegt wird, so daß die Tochterplatte gegen die Mutterplatte über das Gummikissen angepreßt wird.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57191844A (en) * 1981-05-20 1982-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd Reproducing method for optical information
AU555354B2 (en) * 1982-05-28 1986-09-18 Energy Conversion Devices Inc. Video disc mastering
JPS60197960A (ja) * 1984-03-19 1985-10-07 Sharp Corp 光メモリ素子の製造方法
JP2534226B2 (ja) * 1985-09-19 1996-09-11 シャープ株式会社 光メモリ素子用フオトマスク
GB8629223D0 (en) * 1986-12-06 1987-01-14 Emi Plc Thorn Replication of carriers
JPH06101149B2 (ja) * 1987-04-20 1994-12-12 株式会社日立製作所 光学的情報記録媒体の結晶化方法
US5051340A (en) * 1989-06-23 1991-09-24 Eastman Kodak Company Master for optical element replication
US6366426B1 (en) * 1999-04-21 2002-04-02 Seagate Technology Llc Apparatus and method for reducing structural vibrations in a disc drive utilizing fusible alloys
JP3922338B2 (ja) * 2000-09-20 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 基板の製造方法及び製造装置
JP2007504591A (ja) * 2003-09-06 2007-03-01 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 情報記録媒体の製作用の記録マスター及びその製造方法
US20080187861A1 (en) * 2004-10-19 2008-08-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Master Substrate and Method of Manufacturing a High-Density Relief Structure
JP6210397B2 (ja) * 2015-09-18 2017-10-11 大日本印刷株式会社 情報記録媒体の作成方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3253918A (en) * 1962-06-01 1966-05-31 Eastman Kodak Co Print-out element
US3642477A (en) * 1969-04-24 1972-02-15 Keuffel & Esser Co Imaging method
US3701659A (en) * 1970-06-01 1972-10-31 Ibm Photolithographic masks of semiconductor material
US4032610A (en) * 1972-02-23 1977-06-28 Decca Limited Manufacture of contoured records
BE795718A (fr) * 1972-02-23 1973-06-18 Decca Ltd Procede et appareil pour la fabrication d'enregistrements profiles
DE2347435A1 (de) * 1972-11-22 1974-05-30 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung von informationstraegern
GB1574910A (en) * 1976-04-07 1980-09-10 Rca Corp Fabrication of diffractive subtractive filter embossing master

Also Published As

Publication number Publication date
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US4264551A (en) 1981-04-28
DE2934343A1 (de) 1980-03-13
JPS6243258B2 (de) 1987-09-12

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