DE2930176A1 - Mikroelektronische halbleiterschalteranordnung und damit ausgestattete optoelektronische steueranordnung - Google Patents

Mikroelektronische halbleiterschalteranordnung und damit ausgestattete optoelektronische steueranordnung

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Description

Mikroelektronische Halbleiterschalteranordnung und damit ausgestattete optoelektronische Steueranordung
Die Erfindung bezieht sich auf eine optoelektronische Steueranordnung zum Anschälten einer Energieversorgungequelle an eine Last und insbesondere auf eine mikroelektronische .Halbleiterschalteranordnung, die auf ein optisch erzeugtes Kleinleistungs-Eingangssignal anspricht und bei einem Spannungsabfall in Durchlaßrichtung von weniger als einem Volt eine Last mit einem Strom von 20 A schaltet. Das Eingangssignal wird der Gate-Elektrode eines MOS-Leistungsschaltungselements zugeführt, das einen bipolaren Ausgangstransistor ansteuert.
Zur Fernsteuerung von Schaltvorgängen benutzten die Automobilhersteller bisher mechanische Relais. BLs vor kurzem wurde die zum Ansteuern eines elektromechanischen Relais benötigte Leistung nicht als ein Problem angesehen. Außerdem
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waren die von mechanischen Relais erzeugten elektromagnetischen Störungen nicht besonders nachteilig. Derzeit wird jedoch angestrebt, den Leistungsbedarf zur Ansteuerung ■von Fernschaltvorrichtungen zu reduzieren; außerdem können elektromagnetische Störungen äußerst unangenehm werden,da sie beispielsweise Fehlfunktionen anderer empfindlicher elektronischer Steuerorgane zur Folge haben können.
Die hier zu beschreibende Leistungsschalteranordnung ermöglicht eine direkte Kopplung mit einem Steuersignal sehr kleiner Eingangsleistung, wie es für ein Kleinleistungs-Ausgangssignal eines Mikroprozessors typisch ist, das für eine Glasfaseroptik bestimmt ist. Die Anordnung wird mittels eines Eingangssignals von etwa einem halben Millivatt angesteuert; sie kann sowohl induktive als auch ohmsche Lasten bis zu einem Maximalwert von 20 A bei einem Spannungsabfall in Durchlaßrichtung von nicht mehr als einem Volt steuern. Beispielsweise kann die Schalteranordnung dazu benutzt werden, die Versorgungsenergie an Lastschaltungen wie einem Fensterhubmotor, einem Sitzhubmotor, einem Scheibenwischermotor, Scheinwerfern und Fahrtrichtungsanzeigern zu schalten. DLe Schalteranordnung ist auch <für Anwendungsfälle außerhalb des AutomobilSektors von Nutzen,
Eine Ausführung der Erfindung ist in einer mikroelektronischen Halbleiterschalteranordnung mit einem von einem MOS-Leistungstransistor angesteuerten bipolaren Ausgangstransistor enthalten. Die Gate-Elektrode des MOS-Leistungstransistors kann ein Eingangssteuersignal empfangen, während seine Source-Elektrode an Masse angelegt werden kann; seine Drain-Elektrode ist mit der Basis des
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bipolaren Transistors verbunden. Der Emitter des bipolaren Transistors ist an die Energieversorgungsquelle anschließbar, während sein Kollektor mit der Last verbunden werden kann, die ferngeschaltet werden soll.
Vorzugsweise liegt zwischen der Source-Elektrode und der Gate-Elektrode des MOS-Leistungstransistors eine Zenerdiode, damit seine Gate-Elektrode gegen kurzzeitige Spannungsspitzen geschützt wird.
Ferner wird vorzugsweise zwischen den Emitter und den Kollektor des bipolaren Transistors ein Gleichrichter eingefügt, damit dieser Transistor gegen ein mögliches Anschließen der Energieveraorgungsquelle mit umgekehrter Polarität geschützt wird.
Ferner wird vorzugsweise zwischen die Basis und den Emitter des bipolaren Transistors ein Widerstand eingefügt, damit der bei hohen Temperaturen auftretende Leckstrom reduziert wird. Ein ebensolcher Ableitwiderstand kann zwischen die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode des MOS-Transistors eingefügt werden, damit ein Ableitweg für einen externen Leckstrom geschaffen wird.
Unter einem allgemeineren Gesichtspunkt ist die Erfindung in einer optoelektronischen Steueranordnung verwirklicht, mit deren Hilfe die Energiezufuhr zu induktiven oder ohmschen Lasten geschaltet werden kann. Diese Anordnung enthält dabei eine Vorrichtung zur Erzeugung eines optischen Eingangssignals, eine Vorrichtung zum Umsetzen des optischen Eingangssignals in ein elektrisches Signal und eine elektronische
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Vorrichtung, die abhängig von dem elektrischen Signal eine eine hohe Spannung abgebende Energieversorgungsquelle an die Last anschaltet. Die Schaltervorrichtung enthält einen MOS-Leistungstransistor, dessen Gate-Elektrode das elektrische Signal empfängt, dessen Source-Elektrode an Masse liegt und dessen Drain-Elektröde mit der Basis eine PNP.-Transistors verbunden ist, dessen Emitter mit der Energieversorgungsquelle verbunden ist, während sein Kollektor an die Last angeschlossen ist.
Diese Ausführungsform enthält vorzugsweise ebenfalls die Zenerdiode, den Gleichrichter und die Ableitwiderstände, die oben erwähnt wurden.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung beispielshalber erläutert. Es zeigen:
Fig.1 ein Schaltbild der mikroelektronischen Halbleiterschalteranordnung nach der Erfindung,
Fig.2 ein Schaltbild der optoelektronischen Steueranordnung nach der Erfindung mit der Glasfaseroptikverbindung zur Erzeugung des Steuersignals sowie der Schalteranordnung, der Energieversorgungsquelle und der Last, und
Fig.3 ein Schaltbild des Festkörper-Doppelschalters von Fig.2.
Nach Fig.1 enthält die Schalteranordnung einen PNP-Transistor 11,der von einem MOS-Leistungstransistor 12 angesteuert wird.
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Der Transistor 11 kann beispielsweise ein bipolarer Transistor des Typs 2N5683 der Firma Texas Instruments sein; der Transistor 12 kann ein VMOS-Leistungs-Feldeffekttransistor des Typs 2N6657 der Firma Texas Instruments sein.
An der Anschlußklemme 1 empfängt die Schalteranordnung das Eingangssteuersignal; diese Klemme ist mit der Gate-Elektrode des MOS-Transistors verbunden. Das Steuersignal an dieser Klemme versetzt den Transistor 12 in den leitenden Zustand. Der Transistor 11 wird dadurch ebenfalls in den leitenden Zustand versetzt, so daß eine an die Anschlußklemme 2 angelegte Versorgungsenergie über die Klemme 3 an eine Lastschaltung angeschaltet wird. Die Anschlußklemme 4 liegt an Masse.
Eine Zenerdiode 13 ist zwischen die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 12 eingefügt, damit dessen Gate-Elektrode gegen kurzzeitige Spannungsspitzen geschützt wird. Zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors 12 liegt ein Ableitwiderstand 14, der einen Ableitweg für externe Leckströme bildet.
Der Widerstand 14 hat einen Wert zwischen 5 und 200 Kiloohm; vorzugsweise liegt sein Wert zwischen 25 und 100 Kiloohm. Bei Temperaturen unter -10°C wird der von diesem Widerstand gebildete Stromweg wichtig, um die Schalteranordnung daran zu hindern, in den "Ein"-Zustand überzugehen.
Zwischen dem Emitter und dem Kollektor des Transistors liegt ein Gleichrichter 15 als Schutz gegen ein Anschließen
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der Energieversorgungsquelle an die Klemme 2 mit umgekehrter Polarität.
Ein zweiter Ableitwiderstand 16 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 11, damit die bei hohen Temperaturen auftretenden Leckströme herabgesetzt werden.
In Fig.2 ist eine Doppel-Ein/Ausgabe-Anordnung dargestellt; der Eingang A dient einer Drehung eines Fensterhubmotors im Uhrzeigersinn, und der Eingang B dient einer Drehung dieses Motors gegen den Uhrzeigersinn, wie es für das Heben und das Senken des Fensters erforderlich ist.
Die Steuereinheit der Glasfaseroptik enthält eine Energieve rs orgung sque He 21, einen Schalter S1 für ein Drehen im Uhrzeigersinn, einen Schalter S2 für ein Drehen gegen den Uhrzeigersinn sowie Widerstände 22 und 23.
Die Glasfaseroptikverbindung enthält Leuchtdioden 24 und 25, die mittels einer optischen Glasfaser, beispielsweise einer Glasfaser des Typs Crofon der Firma DuPont, mit Phototransistoren 26 bzw. 27 gekoppelt sind.
Das vom Phototransistor 26 erzeugte Signal wird das Signal für den Eingang A der für das Drehen im Uhrzeigersinn zuständigen Hälfte des Festkörperschalters; das vom Phototransistor 27 erzeugte Signal ist das Eingangssignal für den Eingang B der für das Drehen gegen den Uhrzeigersinn zuständigen Hälfte des Schalters.
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Die Energie aus der Batterie 28 wird abwechselnd an die für das Drehen im Uhrzeigersinn zuständige Hälfte des Hubmotors 29 und an die für das Drehen gegen den Uhrzeigersinn Euständige Hälfte dieses Motors angeschaltet.
In Fig.3 sind die Einzelheiten des Doppel-Festkörperschalters von Fig.2 dargestellt. Ein Signal am Eingang A gelangt zur Gate-Elektrode des VMOS-Feldeffekttransistors 31 und schaltet dieses Bauelement in den leitenden Zustand, so daß der Transistor 32 ebenfalls in seinen leitenden Zustand versetzt wird, in dem er die Versorgungsenergie zum Ausgang A durchschaltet, damit der Hubmotor für ein Drehen im Uhrzeigersinn erregt wird.
Ein Signal am Eingang B, das zur Gate-Elektrode des Transistors 41 gelangt, schaltet dieses Bauelement in den leitenden Zustand, so daß der Transistor 42 ebenfalls in seinen leitenden Zustand versetzt wird, in dem er die Versorgungsenergie zum Ausgang B durchschaltet, damit der Hubmotor zum Drehen gegen den Uhrzeigersinn erregt wird.
Die hier beschriebene Schalteranordnung ist mit einer Internen Temperaturkompensation ausgestattet. Dies bedeutet, daß der bipolare Transistor einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist, während der Temperaturkoeffizient des Feldeffekttransistors positiv ist. Diese Eigenschaften wirken in einem Temperaturbereich von beispielsweise -400C bis 125°t! gegeneinander.
In der Anordnung kann zwar irgendein MOS-Leistungsfeldeffekttransistor benutzt werden, doch wird vorzugsweise ein VMOS-
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Feldeffekttransistor angewendet, da er einen niedrigen maximalen Spannungsabfall in Durchlaßrichtung und Kleinleistungs-Einschalteigenschaften bei hoher Eingangsimpedanz aufweist. Eine genaue Beschreibung eines VMOS-Bauelements kann einem Aufsatz von Arthur D.Evans et al in der Zeitschrift "Electronics" vom 22.Juni 1978, Seiten I05 bis 112 entnommen werden.
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Claims (10)

Patentansprüche
1. Mikroelektronische Halbleiterschalteranordnung, gekennzeichnet durch einen MOS-Leistungstransistor, an dessen Gate-Elektrode eine Eingangsspannung anlegbar ist, dessen Source-Elektrode an Masse anlegbar ist und an dessen Drain-Elektrode eine Steuervorrichtung einer Energieversorgungsquelle angeschlossen ist, wobei diese Steuervorrichtung einen bipolaren Transistor enthält, dessen Basis an die Drain-Elektrode angeschlossen ist, dessen Emitter an die Energieversorgungsquelle anschließbar ist und dessen Kollektor an ein Lastelement anschließbar ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß zwischen der Source-Elektrode und der Gate-Elektrode des MOS-Transistors eine Zenerdiode liegt.
3. Anordnung nach'Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Schutz des bipolaren Transistors gegen ein mögliches
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Anschließen der Energieversorgungsquelle mit umgekehrter Polarität zwischen den Emitter und den Kollektor dieses Transistors ein Gleichrichter eingefügt ist.
4. Anordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Impedanzvorrichtung zwischen dem Emitter und der Basis des bipolaren Transistors.
5c Anordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Ab-Leitwiderstand zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des MOS-Transistors.
6. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der MOS-Transistor ein MOS-Leistungsbauelement mit V-Nut ist.
7. Optoelektronische Steueranordnung zum Schalten der einer induktiven oder ohmschen Last zugeführten Energie, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zur Erzeugung eines optischen Eingangssignals, eine Vorrichtung zum Umsetzen des optischen Eingangssignals in ein elektrisches Signal und eine elektronische Schaltvorrichtung, die abhängig von dem elektrischen Signal eine eine hohe Spannung abgebende Energieversorgungsquelle an die Last anschaltet, wobei die Schaltvorrichtung einen MOS-Leistungstransistor enthält, dessen Gate-Elektrode das elektrische Signal empfängt, dessen Source-Elektrode an Masse liegt und dessen Drain-Elektrode mit der Basis eine PNP -Transistors verbunden ist, dessen Emitter mit der Energieversorgungsquelle
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verbunden ist und dessen Kollektor an die Last angeschlossen ist.
8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der MOS-Leistungstransistor eine VMOS-Struktur hat.
9. Anordnung nach Anspruch 8,gekennzeichnet durch eine Zenerdiode, die zwischen der Source-Elektrode und der Gate- Elektrode des MOS-Leistungstransistors liegt.
10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zum Schutz gegen ein Anschließen der Energieversorgungsquelle mit umgekehrter Polarität zwischen den Emitter und den Kollektor des PNP-Transistors ein Gleichrichter eingefügt ist.
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DE19792930176 1978-08-30 1979-07-25 Mikroelektronische halbleiterschalteranordnung und damit ausgestattete optoelektronische steueranordnung Ceased DE2930176A1 (de)

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GB (1) GB2029146B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0379320A1 (de) * 1989-01-17 1990-07-25 Fuji Electric Co., Ltd. Optokoppler-Schaltkreis

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4574266A (en) * 1983-06-13 1986-03-04 Motorola, Inc. Electrical load monitoring system and method
US4618872A (en) * 1983-12-05 1986-10-21 General Electric Company Integrated power switching semiconductor devices including IGT and MOSFET structures
FR2562322B1 (fr) * 1984-03-30 1986-08-08 Ecans Interrupteur electromagnetique de batterie a commande electronique
JPH0191493A (ja) * 1987-06-25 1989-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 電路形成方法
FR2725307B1 (fr) * 1994-09-30 1996-12-20 Sgs Thomson Microelectronics Composant semiconducteur d'alimentation, de recirculation et de demagnetisation d'une charge selfique
CN105790656A (zh) * 2016-03-06 2016-07-20 张舒维 一种采用光纤远程控制技术的电机控制***

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3663838A (en) * 1970-10-16 1972-05-16 Eberhart Reimers Optically triggered thyristor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2113300C3 (de) * 1971-03-19 1979-04-05 Tekade Felten & Guilleaume Fernmeldeanlagen Gmbh, 8500 Nuernberg Elektronischer Ruhekontakt
US3953748A (en) * 1972-03-10 1976-04-27 Nippondenso Co., Ltd. Interface circuit
GB1447494A (en) * 1973-03-22 1976-08-25 Gen Electric Co Ltd Electric circuit arrangements for energising electromagnetic relays
US4065683A (en) * 1974-06-12 1977-12-27 Square D Company Circuitry for industrial logic systems
US3958136A (en) * 1974-08-09 1976-05-18 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Level shifter circuit
US4142684A (en) * 1975-01-03 1979-03-06 Maschinenfabrik Peter Zimmer Aktiengesellschaft Pulse generator for intermittently energizing an actuating coil of a spray nozzle or the like
JPS5917898B2 (ja) * 1975-12-30 1984-04-24 株式会社山武 アイソレ−タ
US4121122A (en) * 1976-12-22 1978-10-17 Kurt Pokrandt Current sensing circuitry
US4143287A (en) * 1977-09-19 1979-03-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Photo coupling line isolation circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3663838A (en) * 1970-10-16 1972-05-16 Eberhart Reimers Optically triggered thyristor

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EVANS,Arthur D., HOFFMAN,David, OXNER,Edwin S., HEINZER,Walter, SHAEFFER,Lee: Higher power ratings extend, V-MOS FETs' dominion, In: Electronics, 22.Juni 1978, S.105-112 *
MACLEOD,D.D.: A sequential gate generator desig- ned in vmos, In: Electronic Engineering, 1977, H.8, S.24 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0379320A1 (de) * 1989-01-17 1990-07-25 Fuji Electric Co., Ltd. Optokoppler-Schaltkreis
US5043587A (en) * 1989-01-17 1991-08-27 Fuji Electric Co., Ltd. Photocoupler circuit having DC power source in series with detection and switching means

Also Published As

Publication number Publication date
GB2029146A (en) 1980-03-12
FR2435164A1 (fr) 1980-03-28
US4260908A (en) 1981-04-07
JPS5534595A (en) 1980-03-11
GB2029146B (en) 1982-11-10
FR2435164B1 (fr) 1985-11-15

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