DE2915885C2 - Thyristor controlled by field effect transistor - Google Patents

Thyristor controlled by field effect transistor

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein auf einen Träger (1) aufgebrachtes, korrosionsstabiles, lötfähiges Schichtensystem (3, 3Δ), bestehend aus einer Lötschicht (4) und einer diese überdeckenden und gegen Oxydation schützenden Korrosionsschutzschicht (6, 6Δ), wobei die Korrosionsschutzschicht (6, 6Δ) aus einem korrosiven Metall besteht. Um ein Schichtensystem (3, 3Δ) zu schaffen, das einfacher und kostengünstiger herstellbar ist, weist die Lötschicht (4) einen Anteil aus korrosivem Metall auf.The invention relates to a corrosion-resistant, solderable layer system (3, 3Δ) applied to a carrier (1), consisting of a solder layer (4) and an anti-corrosion layer (6, 6Δ) that covers it and protects against oxidation, the anti-corrosion layer ( 6, 6Δ) consists of a corrosive metal. In order to create a layer system (3, 3Δ) that can be produced more simply and cost-effectively, the soldering layer (4) has a proportion of corrosive metal.

Description

der Sourcezone 5 und die dritte Zone 1 mit der Drainzone Ddes Feldeffekttransistors verbunden.
- Bei der eingezeichneten Polarität der am Thyristor -. liegenden Spannung werden an den Gateanschluß Gde's · FET eine Steuerspannung angelegt Dabei fließen . negative Ladungsträger aus der ersten Zone 2 über den in Durchlaßrichtung vorgespannten pn-Obergang 13 in die zweite Zone 4 und von da über die Laststrecke des FET in die dritte Zone 1. Gleichzeitig fließen aus der p-dotierten vierten Zone 5 Löcher über den durchiässigen pn-Obergang 16 in die dritte Zone 1 des Thyristors. ', Damit wird der pn-Ubergang 14 in Durchlaßrichtung ; vorgespannt Das heißt, daß die beiden Teiltransistoren des Thyristors unmittelbar ohne die bei üblichen bipolaren Thyristoren mittelbar angeregte Injektion is '■ von Löchern aus der äußeren anodenseitigen Zone : eingeschaltet werden. Dies bedeutet, daß der Thyristor durch Anlegen einer Steuerspannung an den Gatean- : Schluß G äußerst schnell eingeschaltet werden kann. Die Steuerung erfolgt dabei, wie bei durch Feldeffekt 2i> gesteuerten Bauelementen üblich, bis auf dielektrische r Verluste nahezu ieistungsios.the source zone 5 and the third zone 1 connected to the drain zone D of the field effect transistor.
- With the polarity shown on the thyristor -. A control voltage is applied to the gate terminal Gde's · FET. negative charge carriers from the first zone 2 via the forward-biased pn junction 13 into the second zone 4 and from there via the load path of the FET into the third zone 1. At the same time, holes flow from the p-doped fourth zone 5 via the permeable pn -Transition 16 in the third zone 1 of the thyristor. ', So that the pn junction 14 is in the forward direction; biased That is, the two sub-transistors of the thyristor without the bipolar with conventional thyristors indirectly excited injection is' ■ of holes from the anode-side outer zone immediately: are turned on. This means that the thyristor can be switched on extremely quickly by applying a control voltage to the gate connection G. The control is effected as usual at controlled by field effect 2i> elements, except for dielectric losses r nearly ieistungsios.

Die eingezeichneten Widerstände R 1 und kZ sind zur Funktion des Bauelements, nicht unbedingt erforderlich. Es empfiehlt sich jedoch, wie bei Thyristoren allgemein üblich, zur Verbesserung des du/dt-Verhaltens wenigstens katodenseitig einen Emitter-Basis-Nebenschluß vorzusehen, der durch den Widerstand R 1 repräsentiert wird. Eine weitere Verbesserung kann durch einen anodenseitigen Nebenschluß erreicht werden, der durch den Widerstand R 2 dargestellt ist.The resistances R 1 and kZ shown are not absolutely necessary for the component to function. However, as is generally the case with thyristors, it is recommended to provide an emitter-base shunt at least on the cathode side, which is represented by the resistor R 1 , in order to improve the du / dt behavior. A further improvement can be achieved by a shunt on the anode side, which is represented by the resistor R 2.

Der in F i g. 2 dargestellte Halbleiterkörper weist wie im Prinzipbild nach Fig. 1 eine schwach n-dotierte dritte Zone 1, eine daran angrenzende stark p-dotierte zweite Zone 4_ und eine erste Zone 2 auf, die stark i~> η-dotiert ist. Die vierte Zone 5 ist stark p-dotiert. Die genannten Zonen sind durch die pn-Übergänge 13, 14, 16 voneinander getrennt. Die genannten Zonen bilden den Thyristorteil des Halbleiterkörpers. Weiterhin weist der Halbleiterkörper eine stark η-dotierte Zone 3 auf, «o die auf der Katodenseite an der ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers liegt. Diese Zone 3 kann die gleiche Tiefe wie die Zone 2 und die gleiche Dotierungskonzentration wie diese aufweisen. Die Gatezone des Feldeffekttransistors wird durch ein Teil 6 der zweiten ·<> Zone 4_ des Thyristors gebildet. Dieser Teil 6 ist zweckmäßigerweise wenigstens teilweise dünner ausgebildet als der zum Thyristor gehörende Teil der Zone A Die dritte Zone 1 tritt neberi der Gatezone 6 an die Oberfläche des Halbleiterkörpers. Die Zone 3 bildet >° dann die Sourcezone und die Zone 1 die Drainzone des in den Halbleiterkörper integrierten FET.The in F i g. As in the schematic diagram according to FIG. 1, the semiconductor body shown in FIG. 2 has a weakly n-doped third zone 1, an adjoining heavily p-doped second zone 4_ and a first zone 2 which is heavily i ~> η-doped. The fourth zone 5 is heavily p-doped. The mentioned zones are separated from one another by the pn junctions 13, 14, 16. The zones mentioned form the thyristor part of the semiconductor body. Furthermore, the semiconductor body has a heavily η-doped zone 3, which lies on the cathode side on the first surface of the semiconductor body. This zone 3 can have the same depth as zone 2 and the same doping concentration as this. The gate zone of the field effect transistor is formed by part 6 of the second · <> zone 4_ of the thyristor. This part 6 is expediently made at least partially thinner than the part of zone A belonging to the thyristor. The third zone 1 occurs next to the gate zone 6 on the surface of the semiconductor body. Zone 3 then forms the source zone and zone 1 the drain zone of the FET integrated into the semiconductor body.

Zweckmäßigerweise werden zumindest die Zone 3 und die Gatezone 6 durch Ionenimplantation hergestellt. Damit kann man insbesondere eine sehr geringe Dicke der Gatezone 6 und damit eine äußerst kurze Kanallänge des FET erreichen. Damit wird eine hohe Schaltgeschwindigkeit erzielt. Zur Herstellung der Gatezone 6 durch Ionenimplantation empfiehlt es sich, eine aus hochdotiertem, η-leitenden polykristallinem Silicium bestehende Gateelektrode zu verwenden. Die Gateelektrode 17 wird auf einer den Halbleiterkörper bedeckenden Isolierschicht 11 angebracht, die beispielsweise aus Siliciumdioxid S1O2 besteht. Die Gateelektrode 17 weist mindestens eine schräg zum Rand hin abfallende Flanke 18 auf, die als Maske für die Ionenimplantation derart wirkt, daß die Gatezone 6 des FET einen Bereich 7 erhält, der zur Oberfläche des Halbleiterkörpers schräg ansteigende Ranken hat Damit läßt sich die Kanallänge des FET genau einstellen.At least zone 3 and gate zone 6 are expediently produced by ion implantation. This allows, in particular, a very small thickness of the gate zone 6 and thus an extremely short one Reach the channel length of the FET. This achieves a high switching speed. To manufacture the Gate zone 6 by ion implantation, it is advisable to use a highly doped, η-conductive polycrystalline Use silicon existing gate electrode. The gate electrode 17 is on one of the semiconductor bodies covering insulating layer 11 attached, which consists for example of silicon dioxide S1O2. The gate electrode 17 has at least one slope 18 sloping towards the edge, which acts as a mask for the Ion implantation acts in such a way that the gate zone 6 of the FET receives a region 7 which faces the surface of the Semiconductor body has obliquely rising tendrils. This allows the channel length of the FET to be exactly to adjust.

Die erste Zone 2 des Thyristors ist mit einer Katodenelektrode 9 versehen, die an einer von der Zone 3 des FET entfernten Stelle einen Nebenschluß to mit der Zone 4_bildet Die Zone 3 des FET kann mit einem Nebenschluß :19 zur Zone 4_ versehen sein. Für die Funktion des Bauelements ist dieser jedoch nicht unbedingt erforderlich.The first zone 2 of the thyristor is provided with a cathode electrode 9, which is attached to one of the zone 3 of the FET remote location to shunt with the zone 4_bildet Zone 3 of the FET can with a Shunt: 19 to zone 4_ must be provided. For the Function of the component, however, this is not absolutely necessary.

Zur Erläuterung der Funktion des Bauelements wird von der eingezeichneten Polarität der am Thyristor liegenden Spannung ausgegangen. Liegt an_ der Gateelektrode 17 keine Spannung, so ist der pn-Obergang 14 in Sperrichtung vorgespannt und der Thyristor ist gesperrt. Wird an die Gateelektrode 17 positives Potential angelegt, so bildet sich an der Oberfläche des Halbleiterkörpers in der Gatezone 6 des FET ein η-leitender Kanal 8 aus, durch den die Zone 3 mit der dritten Zone 1 verbunden wird. Da'\;t wird der in Sperrichtung vorgespannte pn-übergang 14 überbrückt Es fließen dann negative Ladungsträger von der Katode durch die Zone 4_in die Zone 3 und durch den Kanal 8 in die dritte Zone 1. Damit wird der pn-Übergr« ig 13 in Durchlaßrichtung vorgespannt und die Zone 2 zur Injektion von negativen Ladungsträgern in die Zone 4_veranlaßt. Diese gelangen durch Diffusion zum pn-übergang 14. Gleichzeitig mit dem Fluß von negativen Ladungsträgern durch den Kanal 8 in die Zone 1 wird der pn-übergang 16 in Flußrichtung vorgespannt und zur Injektion von positiven Ladungsträgern in die Zone 1 gebracht. Diese diffundieren zum in Sperrichtung vorgespannten pn-Obergang 14. Der pn-übergang 14 wird dann durch Überschwemmen von Ladungsträgern beider Polarität in Durchlaßrichtung vorgespannt und der Thyristor zündet.To explain the function of the component, the polarity shown on the thyristor is used assumed tension. Is located on the Gate electrode 17 no voltage, the pn junction 14 is biased in the reverse direction and the thyristor is locked. If a positive potential is applied to the gate electrode 17, it is formed on the surface of the Semiconductor body in the gate zone 6 of the FET from an η-conductive channel 8, through which the zone 3 with the third zone 1 is connected. Since '\; t the reverse biased pn junction 14 is bridged Negative charge carriers then flow from the cathode through zone 4_in zone 3 and through the Channel 8 into the third zone 1. The pn-excess 13 is thus biased in the forward direction and Zone 2 initiates the injection of negative charge carriers into Zone 4. These arrive through diffusion to the pn junction 14. Simultaneously with the flow of negative charge carriers through the channel 8 into the In zone 1, the pn junction 16 is biased in the direction of flow and for the injection of positive charge carriers brought into zone 1. These diffuse to the reverse biased pn junction 14. Der pn junction 14 is then caused by flooding of charge carriers of both polarities in the forward direction biased and the thyristor ignites.

Das Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 unterscheidet sich von dem nach F i g. 2 lediglich dadurch, da3 h\a die vierte Zone 5 des Thyristors seitlich neben der Katode an der ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers angeounet ist. Im übrigen sind dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 in der Funktion gleiche Teile mi; gleichen Bezugszeichen versehen.The embodiment according to FIG. 3 differs from that according to FIG. 2 only in da3 h \ a the fourth zone 5 of the thyristor is angeounet the side of the cathode at the first surface of the semiconductor body. In addition, the exemplary embodiment according to FIG. 2 functionally identical parts mi; provided with the same reference numerals.

Der beschriebene Thyristor kann wie folgt dimensioniert sein:The thyristor described can be dimensioned as follows:

Dicke der Zonen 2,3 ca. 0,1 bis 0,2 μιη, Dotierung 1018 bis 1020Cm-3; Dicke der dritten Zone 1: ca. 10 bis 100μιη,Dotierung5 · 1013bis5 ^ 1013cm-3;Randdotierung der Zone 4: 1016 bis 1017, Dicke ca. 0,5 bis 5 μηΐ; Dicke der Zone 6: 0,3 bis I μπι, Implantation Dosis 2 bis 5 1012cm-2, Energie 150 bis 200 keV; Dicke der Gateelektrode 17: 0,4 bis > μπι: Kanallänge ca. 0,5 μιη, laterale /* usdehnung der Anordnung ca. 100 μιητThickness of the zones 2.3 approx. 0.1 to 0.2 μm, doping 10 18 to 10 20 cm -3 ; Thickness of the third zone 1: approx. 10 to 100 μm, doping 5 · 10 13 to 5 ^ 10 13 cm -3 ; edge doping of zone 4: 10 16 to 10 17 , thickness approx. 0.5 to 5 μm; Thickness of zone 6: 0.3 to 1 μm, implantation dose 2 to 5 10 12 cm- 2 , energy 150 to 200 keV; Thickness of the gate electrode 17: 0.4 to> μm: channel length approx. 0.5 μm, lateral expansion of the arrangement approx. 100 μm

Mit einem solchen Thyristor konnte eine: Spannung bis 200 V und eine Stromstärke von 1 A erzielt werden. Die Einschaltzeit des Thyristors lag dabei etwa bei 50 ns. Zur Erhöhung der Belastbarkeit können, wie aus der Technik der integrierten Halbleiterschaltkreise bekannt, eine Vielzahl der beschriebenen, aus einem Thyristor und einem FET bestehenden Strukturen auf einem Chip angeordnet und parallel geschaltet werden.With such a thyristor, a voltage of up to 200 V and a current strength of 1 A could be achieved. The turn-on time of the thyristor was around 50 ns. To increase the resilience, as from the Technology of semiconductor integrated circuits known, a plurality of the described, from a thyristor and an FET existing structures are arranged on a chip and connected in parallel.

Die beschriebene Form der Gatezone 6 int für die Funktion des Thyristors nicht notwendig. Es kann auch eine ebene, unter die Gateelektrode reichend« Gatezone verwendet werden, wie sie zum Beispiel in der DE-OS 26 11 338 beschrieben ist.The described shape of the gate zone 6 int is not necessary for the thyristor to function. It can also a flat gate zone reaching below the gate electrode can be used, as is shown, for example, in FIG DE-OS 26 11 338 is described.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (7)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit den Merkmalen:1. Thyristor with a semiconductor body with the features: Der Halbleiterkörper hat vier Zonen (2,4,2,5) abwechselnden Leitungstyps; zwischen den Zonen liegt jeweils ein pn-Übergang(13,14,16); The semiconductor body has four zones (2,4,2,5) alternating line type; a pn junction (13, 14, 16) is located between the zones; die erste Zone (2) liegt an der ersten ι ο Oberfläche;the first zone (2) lies on the first ι ο surface; die zweite Zone (4) grenzt an die erste Zone (2) und tritt an die ersTe Oberfläche,-"die dritte Zone (1) grenzt an die zweite und vierte Zone (4, 5) und tritt an die erste »5 Oberfläche;the second zone (4) adjoins the first zone (2) and occurs on the first surface - "the third zone (1) borders the second and fourth zones (4, 5) and joins the first »5 Surface; die erste Zone (2) ist mit einer Elektrode (9) kontaktiert und mit der zweiten Zone (4) über einen Nebenschluß (10) verbunden; in den Halbleiterkörper ist ein FET integriert, der zur Überbrückung des zwischen zweiter und dritter Zone liegenden pn-Übergangs (14) bestimmt ist;the first zone (2) is in contact with an electrode (9) and over with the second zone (4) a shunt (10) connected; an FET is integrated in the semiconductor body, the one for bridging the pn junction (14) between the second and third zone is determined; die Source- und Drainzone des FET liegen an der ersten Oberfläche,the source and drain zones of the FET are on the first surface, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:characterized by the following features: Die Sourcezone ist in der zweiten Zone (4J angeordnet;The source zone is arranged in the second zone (4J; die Gatezone (6,7) wird durch ein an die erste Oberfläche tretendes Teil der zweiten Zone (4) gebiL.it;the gate zone (6,7) is formed by a part of the second zone (4) that extends to the first surface gebiL.it; die dritte Zor.e (1) Ή im Vergleich zu den anderen Zonen schwach dotiert und bildet die Drainzone des FET.the third Zor.e (1) Ή weakly doped compared to the other zones and forms the Drain zone of the FET. 2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß d'e Sourcezone durch eine vom Nebenschluß (10) -ntfernt angeordnete Zone (3) vom gleichen Leitungstyp wie die erste Zone (2) gebildet ist.2. Thyristor according to claim 1, characterized in that that d'e source zone by a zone (3) which is arranged at a distance from the shunt (10) of the same conductivity type as the first zone (2) is formed. 3. Thyristor nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gatezone (6) wenigstens in dem an die erste Oberfläche des Halbleiterkörpers tretenden Bereich dünner als die zweite Zone (4) des Thyristors ist.3. Thyristor according to claim I or 2, characterized in that the gate zone (6) at least in the area coming to the first surface of the semiconductor body thinner than the second zone (4) of the Thyristor is. 4. Thyristor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil (7) der Gatezone (6) zur Oberfläche hin schräg ansteigend angeordnet ist.4. Thyristor according to claim 3, characterized in that at least part (7) of the gate zone (6) is arranged sloping towards the surface. 5. Thyristor nach Anspruch 4, dadurch gekenn- *> zeichnet, daß die Gateelektrode (17) aus hochdotiertem polykristallinem Silicium besteht, daß sie wenigstens eine zu einem ihrer Ränder hin abgeschrägte Flanke (18) hat, und daß das genannte Teil (7) der Gatezone (6) unter der abgeschrägten Flanke (18) parallel zu dieser verlaufend angeordnet ist.5. Thyristor according to claim 4, characterized marked- *> shows that the gate electrode (17) consists of highly doped polycrystalline silicon that it has at least one flank (18) bevelled towards one of its edges, and that said Part (7) of the gate zone (6) arranged below the beveled flank (18) running parallel to this is. 6. Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die erste Zone (2) des Thyristors, die Sourcezone (3) sowie die «ο Gatezone (6) des FET durch Ionenimplantation hergestellt sind.6. Thyristor according to one of claims 1 to 5, characterized in that at least the first Zone (2) of the thyristor, the source zone (3) and the «ο gate zone (6) of the FET by ion implantation are made. 7. Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Sourcezone (3) auf ihrer der Katodenelektrode (9) zugewandten Seite mit einem Nebenschluß (19) versehen ist.7. Thyristor according to one of claims 1 to 6, characterized in that the source zone (3) its side facing the cathode electrode (9) is provided with a shunt (19). Die Erfindung bezieht sich auf einen Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit den Merkmalen:The invention relates to a thyristor with a semiconductor body with the features: Der Halbleiterkörper hat vier Zonen abwechselnden Leitungstyps;The semiconductor body has four zones of alternating conductivity type; zwischen den Zonen liegt jeweils ein pn-übergang; die erste Zone liegt an der et sten Oberfläche;
die zweite Zone grenzt an die erste Zone und tritt an die erste Oberfläche;there is a pn junction between the zones; the first zone is on the et most surface;
the second zone is adjacent to the first zone and comes up against the first surface; die dritte Zone grenzt an die zweite und vierte Zone und tritt an die erste Oberfläche;
die erste Zone ist mit einer Elektrode kontaktiert und mit der zweiten Zone über einen Nebenschluß verbunden;the third zone adjoins the second and fourth zones and comes up to the first surface;
the first zone is contacted with an electrode and connected to the second zone via a shunt; in den Halbleitei körper ist ein FET integriert, der zur Überbrückung des zwischen zweiter und dritter Zone liegenden pn-Übergangs bestimmt ist;
die Source- und Drainzone des FET liegen an der ersten Oberfläche.An FET is integrated into the semiconductor body, which is intended to bridge the pn junction between the second and third zone;
the source and drain zones of the FET are on the first surface. Ein solcher Thyristor ist zum Beispiel aus der DE-AS 12 11 334. Fig.9 bekanntgeworden. Bei diesem Thyristor ist die Sourcezone des in den Halbleiterkörper integrierten FET in der von oben gesehenen dritten Zone angeordnet Die zweite Zone des FET wird durch die von der Oberfläche gesehen zweite Zone gebildet. Ein an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretendes Teil der dritten Zone bildet die Gatezone des FET. Wird an diesen bekannten Thyristor eine Sperrspannung in Vorwärtsrichtung (Kipprichtung) angelegt, so wird der zwischen zweiter und dritter Zone liegende pn-übergang in Sperrichtung vorgespannt. Dabei bilden sich in der dritten Zone Äquipotentiallinien aus, die teilweise zwischen der Gateelektrode und der dritten Zone durch die Oberfläche des Halbleiterkörpers treten. Dadurch, daß die Sourcezone in der dritten Zone angeordnet ist, werden dort die Äquipotentiallinien sehr dicht zusammengedrängt, so daß hier eine hohe Feldstärke auftritt. Dabei kann es zum Durchbruch zwischen der Gateelektrode und dem Halbleiterkörper kommen. Thyristoren dieser Art aind dahoT nur für niedrige Sperrspannungen geeignet.Such a thyristor has become known, for example, from DE-AS 12 11 334. Fig.9. With this thyristor is the source zone of the FET integrated into the semiconductor body in the third one seen from above Zone arranged The second zone of the FET is formed by the second zone as seen from the surface. A part of the third zone that comes to the surface of the semiconductor body forms the gate zone of the FET. Will a reverse voltage is applied to this known thyristor in the forward direction (tilting direction), the The pn junction between the second and third zone is biased in the reverse direction. In the process, in of the third zone consists of equipotential lines which partially pass through between the gate electrode and the third zone step on the surface of the semiconductor body. In that the source zone is arranged in the third zone, there the equipotential lines are pushed very close together, so that a high field strength occurs here. This can lead to a breakdown between the gate electrode and the semiconductor body. Thyristors of this type are only available for low levels Blocking voltages suitable. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Thyristor der eingangs genannten Gattung so weiterzubilden, daß er für wesentlich höhere Sperrspannungen geeignet ist.The invention is based on the object of developing a thyristor of the type mentioned at the beginning so that that it is suitable for much higher reverse voltages. Die Erfindung ist gekennzeichnet durch folgende Merkmale:The invention is characterized by the following features: Die Sourcezone ist in der zweiten Zone angeordnet; die Gatezone wird durch ein an die erste Oberfläche tretendes Teil der zweiten Zone gebildet;
die dritte Zone ist im Vergleich zu den anderen Zonen schwach dotiert und bildet die Drainzone des FET.The source zone is arranged in the second zone; the gate zone is formed by a part of the second zone protruding to the first surface;
the third zone is weakly doped compared to the other zones and forms the drain zone of the FET. Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.Further developments of the invention are the subject of the subclaims. AusFührungsbeispiele der Erfindung werden in Verbindung mit den F i g. I bis 3 näher erläutert. Es zeigt F i g. 1 das Prinzipschaltbild des Thyristors,Exemplary embodiments of the invention are described in connection with FIGS. I to 3 explained in more detail. It shows F i g. 1 the basic circuit diagram of the thyristor, F i g. 2 einen Schnitt durch den Halbleiterkörper eines ersten Thyristors undF i g. 2 shows a section through the semiconductor body of a first thyristor and F i g. 3 den Schnitt durch einen Halbleiterkörper eines zweiten Thyristors.F i g. 3 shows the section through a semiconductor body of a second thyristor. Das Prinzipschaltbild in F i g. 1 zeigt einen aus vier Zonen 2,4, 1,5 abwechselnden Leitungstyps bestehenden Halbleiterkörper eines Thyristors. Die n-leitende dritte Zone 1 und die angrenzende p-dotierte zweite Zone 4 sind durch einen pn-übergang 14 voneinander getrennt, der durch die Laststrecke eines Feldeffekttransistors FET überbrückt ist. Dabei ist die Zone 4 mitThe basic circuit diagram in FIG. 1 shows an alternating line type consisting of four zones 2, 4, 1, 5 Semiconductor body of a thyristor. The n-conducting third zone 1 and the adjacent p-doped second zone Zone 4 are separated from one another by a pn junction 14, which is connected by the load path of a field effect transistor FET is bridged. Zone 4 is included
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