DE2836901C2 - Bandpass circuit with CTD lines consisting of CTD elements - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Bandpaßschaltung mit aus CTD-Elementen bestehenden CTD-Leitungen, bei der an eine Zuführungs- und eine Abnahmeleitung wenigstens zwei in Kette geschaltete, in sich geschlossene Leitungsschleifen mit unidirektionalem Übertragungsverhalten angeschaltet sind, von denen wenigstens eine bei der Bandpaß-Mittenfrequenz ein Umlaufphasenmaß von b = 2 π.,,-τ hat, mit n., als ganzzahliger Zahl, die größer ist als 1 und deren Umladekapazität unterschiedlich ist gegenüber der Umladekapazität der Zu- bzw. Abnahmelcitung.The invention relates to a bandpass circuit with CTD lines consisting of CTD elements, in which at least two chain-connected, self-contained line loops with unidirectional transmission behavior are connected to a supply and a removal line, of which at least one is at the bandpass center frequency Circulation phase measure of b = 2 π. ,, - τ has, with n., As an integer number which is greater than 1 and whose reloading capacity is different compared to the reloading capacity of the supply or acceptance line.

Filtcrschallungen der vorbezeichneten Art sind beispielsweise aus der DE-PS 24 53 669 und auch aus der DE-AS 25 55 835 bekannt geworden. In diesen Druckschriften ist auch darauf hingewiesen, daß unter CTD-Leitungen einerseits sogenannte BBD-Anordnungen (Bucked Brigade Devices), also sogenannte Eimerkcttcnschaltungen, und andererseits auch sogenannte CCD-Anordnungen (Charge Coupled Devices) zu verstehen sind. CCD-Schaltungen sind solche Einrichtungen, die nach dem Prinzip der gekoppelten .atliingcn arbeiten. Als übergeordneter Begriff für diese beiden .Schaltungsarten hat sich die Bezeichnung »CTD«-Einrichtung (Charge Transfer Devices) eingebürgert, und es ist für diese CTD-Leitungen charakteristisch, daß sic aus einer größeren Anzahl, also beispielsweise 7. einzelnen CTD-Elemenien bestehen, die als vollintcgrierbare Gesamtanordnungen realisiert werden können. Bekanntlich müssen solche CTD-Anordnungen über ein Taktsigna! mit einer vorgebbaren Taktfrequenz /Vbetrieben werden, wobei das Taktsignal den einzelnen Umladekondensatoren zugeführt wird. In der Praxis werden dabei sogenannte Mehrphasen-CTD-Anordnungen bevorzugt, deren Taktsignale zueinander phasenverschoben sind, derart, daß benachbarte Umladekapazitäten mit phasenverschobenen Takten betrieben werden. Wenn man demzufolge ein sogenanntes p-Phasentaktsystem (p = 2, 3, 4...) verwendet, dannFilter soundings of the aforementioned type are known from DE-PS 24 53 669 and DE-AS 25 55 835, for example. These publications also point out that CTD lines are to be understood as meaning on the one hand so-called BBD arrangements (Bucked Brigade Devices), so so-called bucket circuits, and on the other hand also so-called CCD arrangements (Charge Coupled Devices). CCD circuits are such devices that work on the principle of coupled .atliingcn. The term "CTD" (Charge Transfer Devices) has become the general term for these two types of circuit, and it is characteristic of these CTD lines that they consist of a larger number, for example 7th, individual CTD elements , which can be implemented as fully integrated overall arrangements. As is known, such CTD arrangements must have a clock signal! be operated with a predefinable clock frequency / V, the clock signal being fed to the individual recharging capacitors. In practice, so-called multi-phase CTD arrangements are preferred, the clock signals of which are phase-shifted with respect to one another, in such a way that adjacent recharging capacities are operated with phase-shifted clocks. If you therefore use a so-called p-phase clock system (p = 2, 3, 4 ...), then

Hi besteht ein CTD-Elenient aus ρ benachbarten Umladekapazitäten. Einzelheiten hierüber finden sich z. B. außerdem in dem Buch »Charge Transfer Devices«, Academic Press Ina, New York, San Francisco, London 1975, Seiten 19—30. Auch sind in diesem Buch (insbesondere Seiten 47—61) und den einleitend genannten Druckschriften Schaltungsmöglichkeiten dafür angegeben, wie Signale für die Weiterverarbeitung in einer CTD-Anordnung aufbereitet werden können, bzw. wie umgekehrt über CTD-Anordnungen übertragene Signale in andere Signalformen, z. B. Analogsignale, rückverwandelt werden können. In der DE-PS 24 53 569 und insbesondere in der DE-AS 25 55 835 sind nun Filterschaltungen angegeben, bei denen solche CTD-Leitungen zu einem in sich geschlossenen resonanzfähigen Ring geschaltet sind, wobei die Resonanzfrequenz dieser Ringe unmittelbar von der Anzahl ζ der für die in sich geschlossene Leiterschleife verwendeten CTD-Leitungsclemente und der Taktfrequenz bestimmt wird. Für die Filtercharakteristik istHi, a CTD element consists of ρ neighboring transshipment capacities. Details about this can be found e.g. B. also in the book "Charge Transfer Devices", Academic Press Ina, New York, San Francisco, London 1975, pages 19-30. In this book (in particular pages 47-61) and the publications cited in the introduction, circuit options are also given for how signals can be prepared for further processing in a CTD arrangement, or how, conversely, signals transmitted via CTD arrangements are converted into other signal forms, e.g. . B. analog signals can be reconverted. In DE-PS 24 53 569 and in particular in DE-AS 25 55 835 filter circuits are now specified in which such CTD lines are connected to a self-contained ring capable of resonance, the resonance frequency of these rings being directly dependent on the number ζ of for the self-contained conductor loop used CTD line elements and the clock frequency is determined. For the filter characteristic is

ίο mitbestimmend das Verhältnis der Umladekapazitäten der in der AuEgangsleitung verwendeten CTD-Anordnung zu der Umladekapazität der in der geschlossenen Leiterschleife verwendeten CTD-Anordnung. In der DE-AS 25 55 835 ist u. a. auch darauf hingewiesen, daßίο co-determining the ratio of transhipment capacities the CTD arrangement used in the output line to the transfer capacity of the closed one Conductor loop used CTD arrangement. In DE-AS 25 55 835 is inter alia. also noted that

Γι es möglich ist, Resonatoren der dort beschriebenen Art über CTD-Leitungen in Kette zu schalten, um dadurch mehrkreisige Filterschaltungen zu realisieren. Nachdem, wie vorstehend bereits erwähnt, für die Filtercharakteristik das Verhältnis der Umladekapaziläten in der Ausgangsleilung zu geschlossener Leiterschleife u. a. mitbestimmend ist, hat dies zur Folge, daß bei der Realisierung von Bandpässen mit nur einem schmalen Durchlaßbereich, also beispielsweise einer relativen Bandbreite, die kleiner ist als 2%, die Umladekapazitä-It is possible to use resonators of the type described there to be switched in a chain via CTD lines in order to implement multi-circuit filter circuits. After this, As already mentioned above, the ratio of the transfer capacities in the filter characteristic Output line to closed conductor loop, etc. is co-determining, this has the consequence that in the Realization of bandpass filters with only a narrow pass band, for example a relative one Bandwidth that is less than 2%, the transfer capacity

r> ten der Ein- bzw. Ausgangsleitungen sich erheblich von den Umladekapazitäten der in sich geschlossenen Leiterschleife unterscheiden können.r> the input and output lines differ significantly from the reloading capacities of the self-contained Can distinguish between conductor loops.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Bandpaßschaltungen der vorerwähnten Art anzugeben, beiThe invention is based on the object of specifying bandpass circuits of the aforementioned type

•ίο denen das Verhältnis der genannten Umladekapazitäten auch bei Filtern mit relativ kleiner Bandbreite keinen allzu großen Wert annimmt, um dadurch eine gute Reproduzierbarkeit bei der Herstellung in integrierter Technik zu gewährleisten.• ίο which the ratio of the transhipment capacities mentioned does not assume a value that is too high even with filters with a relatively small bandwidth, in order to achieve a good To ensure reproducibility during manufacture in integrated technology.

~>i Ausgehend von einer Bandpaßschaitung der einleitend genannten Art. wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß wenigstens eine weitere der in sich geschlossenen Leiterschleifen (z. B. II) bei der Bandpaß-Mittenfrequenz ein Umlaufphasenmaß hat,~> i Based on a bandpass circuit of the introductory This object is achieved according to the invention in that at least one further of the in closed conductor loops (e.g. II) has a phase measure at the bandpass center frequency,

Mi das um ein ganzzahliges Vielfaches von 2 π unterschiedlich ist gegenüber den Umlaufphascnmaßen der übrigen in sich geschlossenen Leiterschleifen (I, MI)(Fi g. I).Mi that differs by an integral multiple of 2π compared to the circumferential phase dimensions of the remaining self-contained conductor loops (I, MI) (FIG. I).

In den Unteransprüchen sind weitere vorteilhafte Ausgestaltungen angegeben.Further advantageous refinements are specified in the subclaims.

h> Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbcispiclen nachstehend näher erläutert.
Es zeigt in der Zeichnung
F i g. 1 schematised eine Filterschaltung mit dreiThe invention is explained in more detail below with reference to exemplary embodiments.
It shows in the drawing
F i g. 1 schematised a filter circuit with three

Resonatoren, von denen der mittlere ein unterschiedliches Umlaufphasenmaß gegenüber den äußeren hat,Resonators, of which the middle one has a different orbital phase dimension compared to the outer one,

Fig.2 das elektrische Ersatzschaltbild für nur einen der Ringresonatoren der Schaltung von F i g. I,2 shows the electrical equivalent circuit diagram for only one of the ring resonators of the circuit of FIG. I,

Fig.3 eine weitere Möglichkeit einer Schaltung, bei --, der an einigen der Resonatoren die in sich geschlossene Leiterschleife als Mehrfachleitung ausgebildet und im Zuge der Schaltung ein zur Erzeugung von Dämpfungspolen geeigneter Schaltungsabschnitt enthalten ist. 3 shows a further possibility of a circuit in - that in the course of a suitable circuit for generating attenuation poles circuit portion is formed on some of the resonators, the self-contained loop conductor as multiple line and.

Im Ausföhrungsbeispiel von Fig. 1 sind drei Ringre- in sonatoren I, II, III enthalten, die als CTD-Anordnungen der einleitend besprochenen, bekannten Art ausgebildet sind. Wegen des unidirektionalen Übertragungsverhaltens solcher CTD-Leitungen sind in Fig.! an den einzelnen Schaltungsabschnitten Pfeile eingezeichnet, π die unmittelbar die Übertragungsrichtung der jeweiligen Leitungsabschnitte angeben. Der Eingang der Schaltung ist mit E, der Ausgang mit .4 bezeichnet. Dem Ein- und Ausgang müssen jeweils Schaltungen vor- bzw. nachgeschaltet sein, die beispielsweise Analogsignale in jn Signale umwandeln, die von CTD-Einrichtungen verarbeitbar sind, bzw. die solche auf CTD-Leitungen übertragbaren Signale wieder in Analogsignale rückumwandeln. Die Umladekapazitäten für die einzelnen CTD-Leitungsabschnitte sind ebenfalls in Fi g. I mitge- j-, zeichnet. Es haben also die Ringresonatoren I und 111 in ihrem oberen Abschnitt die Umladekapazität G und in ihrem unteren Abschnitt die Umladekapazität G- Diese Anordnungen bilden somit die in sich geschlossene resonanzfähige Leiterschleife. Entsprechend gilt dies für in den Ringresonator II, bei dem die Umladekapazitäten entsprechender Leitungsabschnitte mit einer Apostrophierung, also mit G' und G', kenntlich gemacht sind. Zur Kettenschaltung werden jeweils CTD-Leitungen mit der Umladekapazität G verwendet, deren Anschal- π tung an die Resonatoren 1 bis 3 in der eingangs beschriebenen bekannten Form erfolgt.In the exemplary embodiment of FIG. 1, three ring resonators I, II, III are included, which are designed as CTD arrangements of the known type discussed in the introduction. Because of the unidirectional transmission behavior of such CTD lines, FIG. arrows are drawn in at the individual circuit sections, π which directly indicate the direction of transmission of the respective line sections. The input of the circuit is labeled E, the output with .4. The input and output must be preceded and followed by circuits which, for example, convert analog signals into signals that can be processed by CTD devices or convert such signals back into analog signals that can be transmitted on CTD lines. The reloading capacities for the individual CTD line sections are also shown in FIG. I signed with j-, signed. The ring resonators I and 111 therefore have the charge reversal capacitance G in their upper section and the charge reversal capacitance G in their lower section. These arrangements thus form the self-contained conductor loop capable of resonance. This applies accordingly to the ring resonator II, in which the transfer capacities of corresponding line sections are marked with apostrophes, that is to say with G 'and G'. For the chain connection, CTD lines with the charge transfer capacitance G are used, which are connected to the resonators 1 to 3 in the known form described at the outset.

Für das Phasenmaß b solcher CTD-Leitungen gilt folgendes: Wenn die Taktfrequenz der elektronischenThe following applies to the phase dimension b of such CTD lines: If the clock frequency of the electronic

Leitung F— ψ ausreichend höher ist als die Frequenz /J₁ Line F— ψ is sufficiently higher than the frequency / J ₁

des zu übertragenden Signales, dann kann die Wellen-Fortpflanzungsgeschwindigkeit ν ausgedrückt werden durchof the signal to be transmitted, then the wave propagation speed ν can be expressed by

r = F. r = F.

Die eine Wellenlänge darstellende Anzahl von Leitungselementen /. bei der Frequenz F_n ergibt sich dann mit ><iThe number of line elements / representing a wavelength. at the frequency F _n it then results with><i

und damit eine Leitung der Phase 2 π. and thus a line of phase 2 π.

Bei der Erfindung wird nun die Bemessung der einzelnen in sich geschlossenen Leiterschleife, d. h. der einzelnen Ringresonatoren so vorgenommen, daß wenigstens einer, z. B. III bei der Bandpaß-Mittenfrequenz /Ii ein Umlaufphasenmaß von b — 2 n.jt hat. Es ist dabei n., eine gan/.zahlige Zahl, die größer als I ist. Weiterhin muß wenigstens eine weitere der in sich geschlossenen Leilerschleifen, im Ausführungsbeispiel der Fig. I also die Leiterschleife II, ein Umlaufphasenmaß haben, das um ein ganzzahliges Vielfaches von 2 π unterschiedlich ist gegenüber den UmlaufphasenmaT-en der übrigen in sicli geschlossenen Leiterschleifcn, im Ausführungsbeispiel also der in sich geschlossenen Leiterschleifen I und III.In the invention, the dimensioning of the individual self-contained conductor loop, ie the individual ring resonators, is carried out so that at least one, e.g. B. III at the bandpass center frequency / Ii has a phase measure of b - 2 n.jt. It is n., An integer number that is greater than I. Must continue to at least one other of the self-Leilerschleifen, in the embodiment of Fig. I so the conductor loop II, a Umlaufphasenmaß have that by an integer multiple of 2 π is different compared to the UmlaufphasenmaT-en the other closed in Sicli Leiterschleifcn, in the embodiment so the self-contained conductor loops I and III.

Auf diese Weise werden also solche CTD-Ringresonatoren in Kette geschaltet, die sämtlich bei nur einer gewünschten Bandpaß-Mittenfrequenz F_n eine Resonanz haben und dadurch auch periodisch sich wiederholende Dämpfungseinbrüche vermeiden, die durch den Leitungscharakter solcher CTD-Resonatoren bedingt sinu.In this way, such CTD ring resonators are connected in a chain, all of which have a resonance at only one desired bandpass center frequency F _n and thus also avoid periodically repeating attenuation drops that are caused by the conduction character of such CTD resonators.

Das elektrische Ersatzschaltbild für einen einzelnen Ringresonator aus CTD-Leitungsabschnitten ist in F i g. 2 gezeigt. Wirkungsgleiche Elemente sind mit gleichen Bezugshinweisen bezeichnet. Für die Resonanzfrequenz Fr gilt die Bezeichnung Fn = />», wenn ζ die Zahl der eingangs definierten CTD-Elemente ist. Im Resonanzfall hat der Ringresonator ein Umlaufphasenmaß b, das ein ganzzahliges Vielfaches von 2 π ist. Aus Gründen der einfacheren formelmäßigen Darstellung sind (was nicht zwingend erforderlich ist) in den Ausführungsbeispielen die Umladekapazität G der Eingangsleitung und die Umladekapazität G der Ausgangsleitung unter sich pk'.ch gewählt. Wenn zugleich die Bemessung G = G --■ G-G eingehalten wird, ergibt sich auch die in F i g. 2 ebenfalls angegebene Formel für die relative Bandbreite B. The electrical equivalent circuit diagram for a single ring resonator made up of CTD line sections is shown in FIG. 2 shown. Elements with the same effect are labeled with the same reference notes. The designation Fn = /> »applies to the resonance frequency Fr if ζ is the number of CTD elements defined at the beginning. In the case of resonance, the ring resonator has a phase dimension b that is an integral multiple of 2 π . For reasons of a simpler formulaic representation (which is not absolutely necessary) in the exemplary embodiments, the transfer capacity G of the input line and the transfer capacity G of the output line are selected from pk'.ch. If at the same time the dimensioning G = G - ■ GG is adhered to, the one in FIG. 2 also given formula for the relative bandwidth B.

Wie schon erwähnt, ist es bei den bekannten FiltPrschaltungen nicht ohne weiteres möglich, schmalbandige Bandpässe (B<2°/o) aus solchen, in sich geschlossene Leiterschleifen bildenden Ringresonatoren mit dem Umlaufphasenmaß b = 2 πFZf₀ aufzubauen, weil die dazu erforderlichen großen Verhältnisse der Umladekapazitäten G zu G wegen der Bedingung G/G ~ 1/ßnur schwer realisierbar sind.As already mentioned, with the known filter circuits it is not easily possible to build narrow bandpass filters (B <2 %) from such ring resonators, which form self-contained conductor loops and have a phase dimension of b = 2 πFZf ₀ , because the large ratios required for this the transfer capacities G to G are difficult to implement because of the condition G / G ~ 1 / ß.

Bei der Erfindung wird demgegenüber bei einem mehrkreisigen Bandpaß geringer Bandbreite aus entkoppelt in Kette geschalteten Ringresonatoren jeweils das Umlaufphasenmaß zu b = 2 n.„-r//7ö gewählt, mit η = n_a> 1 als ganzzahligem Phasenfaktor n, insbesondere bei denjenigen »äußeren« Ringresonatoren (z. B. I und III in Fig. 1), deren Resonanzfrequenz gegenüber der Bandpaß-Mittenfrequenz /Ό am weitesten verschoben ist.In the invention, in contrast, less in a multi-circuit band pass filter bandwidth is of switched ring resonators decoupled in the chain in each case the Umlaufphasenmaß to b = 2 n "-. R // 7ö chosen with η = n _a> 1 n being an integer phase factor, particularly those" outer ring resonators (e.g. I and III in Fig. 1), the resonance frequency of which is shifted the furthest from the bandpass center frequency / Ό.

Das zu realisierende Verhältnis der Umladekapazitäten reduziert sich dadurch um den Phasenfaktor n,,. Gleichzeitig kann die zusätzliche Durchlaßdämpfung, die durch die Frequenzverschiebung in Kauf genommen werden muß, ebenfalls reduziert werden.The ratio of reloading capacities to be achieved is thereby reduced by the phase factor n ,,. At the same time, the additional transmission loss, which has to be accepted due to the frequency shift, can also be reduced.

Wird diese Maßnahme bei allen Resonatoren des Filters mit dem einheitlichen Phasenfaktor n., getroffen, so entsteht eine Folge von parasitären Durchlaßbereichen in einem Rasterabstand AF_U = FoIn,,, die sich als Dämpfungseinbrüche im Sperrbereich auswirken. Um die Durchlaßdäippfung der parasitären Durchlaßbereiche drastisch zu erhöhen, bzw. die Dämpfungseinbrüche 7i' mindern, wird der Phasenfaktor η für die einzelnen Resonatoren unterschiedlich gewählt. Er wird insbesondere bei den ^inneren« Resonatoren, deren Resonanzfrequenz weniger oder gar nicht aus der Durchlaß-Mittenfrequenz verschoben ist. zu η — o,ä 1 gewählt, wobei π,·<π., ist.If this measure is taken for all resonators of the filter with the uniform phase factor n., Then a series of parasitic passbands arises in a grid spacing AF _U = FoIn ,, which have the effect of attenuation notches in the stop band. In order to drastically increase the transmission attenuation of the parasitic transmission ranges or to reduce the attenuation notches 7i ', the phase factor η is chosen differently for the individual resonators. It is particularly important in the case of the "inner" resonators, the resonance frequency of which is shifted less or not at all from the center frequency of the transmission. chosen to be η - o, ä 1, where π, · <π., is.

Wenn trot_ dieser Maßnahmen das Verhältnis der Umlad^kapazitäten G/G einiger Resonatoren für eine Realisierung noch zu groß ist. wird jeder dieser Resonatoren durch die entkoppelte Kettenschaltung einer wählbaren Anzahl von m Resonatoren mit kleinerem Verhältnis GVG < G/G realisiert. Für eine solche Ersatzscn.<ltung gleicher 3-dB-Bandbreite gilt in erster Näherung GVG = G/G//", wenn z.B. die in Ersatzresonatoren alle dasselbe KapazitätsverhältnisIf, despite these measures, the ratio of the recharging capacities G / G of some resonators is still too large for implementation. Each of these resonators is realized by the decoupled chain connection of a selectable number of m resonators with a smaller ratio GVG <G / G. For such a substitute resonator with the same 3 dB bandwidth, GVG = G / G // "applies as a first approximation, if, for example, those in substitute resonators all have the same capacitance ratio

C\/C'\ haben. Durch diese Maßnahme ergibt sich ein Gewinn an Sperrdämpfung bei Frequenzen, die weiter von der Durchlaß-Mittenfrequenz entfernt liegen als die 3-dB-Grenzfrequenzen. Dies wirkt sich vorteilhaft auf die Unterdrückung der parasitären üurchlaßbereiche aus. C \ / C '\ have. This measure results in a gain in blocking attenuation at frequencies which are further away from the center pass frequency than the 3 dB cutoff frequencies. This has an advantageous effect on the suppression of the parasitic transmission ranges.

In Γ i g. 3 ist eine Schaltung gezeigt, deren einzelne Resonatorgruppen entsprechend dem Vorstehenden mit I bis III bezeichnet sind, so daß die vorstehenden Ausführungen entsprechend Gültigkeil haben. Lediglich die einzelnen Ringresonatoren sind durch jeweils einen /.ahlenindex von 1 bis 4 unterschieden. In den Abschnitten I und III sind abweichend von F i g. 1 Resonatoren verwendet, bei denen die in sich geschlossenen l.citcrschlcifen als sogenannte Mehrfachleitungen ausgebildet sind. Allerdings enthalten auch diese l.eitcrschlcifen wenigstens einen Umlaufwcg, dessen Umlaufphase bei der Bandpaß-Mittcnfrcquenz ein ganzzahiigcs Vielfaches von 2 .τ. bzw. 2 ti.^t isi. Die Wirkungsweise solcher CTD-Anordnungen ist in der älteren Anmeldung P 28 31 398.6 beschrieben. Ks läßt sich durch diese Ausgestaltung die Resonanzfrequenz von in Kette geschalteten Einzelresonatoren auch bei ihrer Ausbildung in CTD-Technik geringfügig unterschiedlich wählen, beispielsweise ii±3.68kH/, wobei gleichzeitig eine einheitliche und verhältnismäßig niedrige Taktfrequenz für die CTD-Leitungen verwendet werden kann. Eine der Mehrfachleitungen kann dabei eine von der Umladckapazität O abweichende Umladekapazität CV haben.In Γ i g. 3 shows a circuit, the individual resonator groups of which are designated as I to III in accordance with the preceding, so that the above statements are accordingly valid. Only the individual ring resonators are distinguished by a number index from 1 to 4. In Sections I and III, deviating from Fig. 1 resonators are used in which the self-contained l.citcrschlcifen are designed as so-called multiple lines. However, these guide loops also contain at least one circulation path, the phase of which is an integer multiple of 2 at the bandpass center frequency. or 2 ti. ^ t isi. The mode of operation of such CTD arrangements is described in the earlier application P 28 31 398.6. With this configuration, the resonance frequency of individual resonators connected in a chain can be selected to be slightly different, e.g. One of the multiple lines can have a recharging capacitance CV that differs from the recharging capacitance O.

Im Beispiel der F i g. 3 isi das Filter für eine Band-Mittenfrequenz £, = 460 kHz konzipiert und wird dabei mit einer Taktfrequenz fi = 5.52 MHz betrieben. Auch sind in F i g. 3 für die einzelnen Leitiingsabsciinitte unmittelbar die Zahl der verwendeten CTD-Elementc für die einzelnen Leitungsabschnitte angegeben, also beispielsweise vier CTD-Elemcnte für den Leitungsabschnitt mit der Umlaufkapazität C·' und acht CTD-EIemente für den Leitungsabschnitt mit der Umlaufkapazität O' für die Resonatorengruppe Id bis lh. Entsprechend gilt dies auch für die Resonatorengruppc I und III "-.:". !0 b:".v. S5 b:·¹". ?b b?"' ^a~ rTD-E!"¹"""""^{1 A}*^r"" Anzahl in einer geschlossenen Lciterschleife die Resonanzfrequenz bestimmtIn the example of FIG. 3 the filter is designed for a band center frequency £, = 460 kHz and is operated with a clock frequency fi = 5.52 MHz. Also in FIG. 3 for the individual line sections the number of CTD elements used for the individual line sections is given, for example four CTD elements for the line section with the circulating capacitance C ' and eight CTD elements for the line section with the circulating capacitance O' for the resonator group Id to lh. This also applies accordingly to the resonator groups I and III "- .:". ! 0 b: ". V. S5 b: · ¹ ". ? bb? "' ^a ~ rTD-E!" ¹ """"" ^{1 A} * ^r "" number in a closed loop determines the resonance frequency

Aus der Filterschaltung in F i g. 3 ergibt sich für die inneren Resonatoren 11 bis IL — mit der jeweiligen Anzahl der CTD-Elemente 8 + 4 = 12 und der Durchlaß-Mi'.tenfrequenz i, = 460kHz — die Taktfrequenz fr = 12 ■ 460 = 5520 kHz bei einem Phasenfaktor η = I. Die Anzahl der Frsatzresonatoren beträgt m, = 4. Für die äußeren Resonatoren I₁, I₂ und lld und Ill> folgt aus der Anzahl der CTD-Glieder 86+10 = 96. Hj = 96 : 12 = 8 bei m., = 2. Der Abstand der parasitären Durchlaßbereiche beträgt damit Af_n = 460 :8 = 57.5 kHz. Diese parasitären Dämpfungseinbrüche bleiben im Ausführungsbeispiel jedoch bei einem Wert von mehr als 70 dB. In entsprechender Anwendung lassen sich die für F i g. 3 zahlenmäßig geschilderten Verhältnisse auch für andere Zahlenkombinationen ausnutzen.From the filter circuit in FIG. 3 results for the inner resonators 11 to IL - with the respective number of CTD elements 8 + 4 = 12 and the pass center frequency i = 460 kHz - the clock frequency fr = 12.460 = 5520 kHz with a phase factor η = I. The number of Frsatzresonatoren is m, = 4. For the outer resonators I ₁ , I ₂ and lld and Ill> follows from the number of CTD members 86 + 10 = 96. Hj = 96: 12 = 8 at m., = 2. The distance between the parasitic pass bands is thus Af _n = 460: 8 = 57.5 kHz. In the exemplary embodiment, however, these parasitic attenuation notches remain at a value of more than 70 dB. In a corresponding application, the for F i g. 3 can also be used for other number combinations.

Zur Unterdrückung des parasitären iJurchlaßbercichcs bei der Frequenz 2 f„ ist weiterhin eine sogenannte nichlrckiirsivc CTD-Schaltung IV in die Füterschaltung cinbc/.ogen. die dort einen Däinpfungspol erzeugt. Im ι Ausfiihrungsbeispiel von F i g. 3 wird hierzu dem Ausgang A der Leitungsabschnitt IV vorgeschaltet, dessen einer Abschnitt aus 4 CTD-Abschnitten und dessen zweiter Abschnitt aus 7 CTD-Elcmenten besteht. Dieser Leitungsabschnitt kann an sich an einerIn order to suppress the parasitic transmission area at the frequency 2f , a so-called non-reversing CTD circuit IV is also included in the feeder circuit. which creates a dampening pole there. In the embodiment of FIG. 3, line section IV is connected upstream of output A , one section of which consists of 4 CTD sections and the second section of 7 CTD elements. This line section can in itself at a

κι beliebigen Stelle zwischen Eingang F und Ausgang A eingefügt werden. Fin Dämpfungspol bei der Polfrcquenz f. ergibt sich stets dann, wenn am Punkt D die über die Umwegleitung /·" übertragenen Signale eine Phasendifferenz von 180° gegenüber den über dieAny point between input F and output A can be inserted. Fin attenuation pole at pole frequency f. Always results when at point D the signals transmitted via the detour line / · "have a phase difference of 180 ° compared to those via the

ι , direkte Leitung G übertragenen Signalen haben, wobei am Vrrzweigungspunki D die .Signalaufteilung so erfolgt, daß die unidirektionale Signalflußrichtung im Leitungsabschnitt G und im Leitungsabschnitt Fgleichι, direct line G have transmitted signals, the signal distribution at Vrrzweigungspunki D so that the unidirectional signal flow direction in the line section G and in the line section F is the same

.'Μ Pfeile ebenfalls zu erkennen. Zur Erzeugung von Dämpfungspolen müssen also die Leitungsabschnitte G und Feine unterschiedliche Anzahl von CTD-Klemcntcn haben. Wenn die l.eitungsabschnittc G und Funter sich die gleiche Umladckapazität haben, dann nimmt die.'Μ arrows can also be seen. In order to generate attenuation poles, the line sections G and Feine must have different numbers of CTD-Klemcntcn. If the l.leitungsabschnittc G and Funter have the same Umladckapacity, then the

:> Sperrdämpfung bei der Polfrequenz f„ zumindest theoretisch den Wert Unendlich an, eine optimale Ladungsaufteilung am Punkt Π läßt sich wegen der vorgcsviialteten Leitung mit der Umladckapazität C\ dann erreichen, wenn die Leitungen G und F die:> Blocking attenuation at the pole frequency f " at least theoretically the value infinite, an optimal charge distribution at point Π can be achieved because of the preconditioned line with the charge reversal capacity C \ if the lines G and F die

in Umladekapazität C|/2 haben.in transshipment capacity C | / 2.

Zusammenfassungsummary

Bandpaßschaltung mit aus CTD-Elementen
bestehenden CTD-LeitungenBandpass circuit with CTD elements
existing CTD lines

Die Erfindung betrifft eine Bandpaßschaltung mit aus CTD-Elementen bestehenden CTD-Leitungen. bei der an eine Zuführungs- und eine Abnahmelcitung (C\) wenigstens zwei in Kette geschaltete, in sich geschlosse-The invention relates to a bandpass circuit with CTD lines consisting of CTD elements. , closed when connected in a chain feed and a Abnahmelcitung (C \) at least two self-

4Ii nc Leitungsschleifen (I, II, III) mit unidirektionalem Übertragungsverhalten angeschaltet sind, deren UmIa-/H^l/^pa^iiäi IC, C,- C-! C) unterschiedlich ist gegenüber der Umladekapazität (C₁) der Zu- bzw. Abnahmeleitung. Aufgabe der Erfindung ist es, für4Ii nc line loops (I, II, III) with unidirectional transmission behavior are connected, whose UmIa- / H ^ l / ^ pa ^ iiäi IC, C, - C-! C) is different from the reloading capacity (C ₁ ) of the incoming or outgoing line. The object of the invention is for

4-, solche Bandpaßschaltungen auch dann ein günstiges Verhältnis der Umladekapazitäten zu erzielen, wenn die relative Bandbreite verhältnismäßig klein sein muß. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß wenigstens eine der in sich geschlossenen4-, such bandpass circuits to achieve a favorable ratio of the transfer capacities even if the relative bandwidth must be relatively small. According to the invention, this object is achieved by that at least one of the self-contained

■V) Leiterschleifen (z. B. Ill) bei der Bandpaß-Mittenfrequenz (f_(l) ein Umlaufphasenmaß von b = 2 n^x lUt. mit n., als ganzzahliger Zahl, die größer ist als f, und daß wenigstens eine weitere der in sich geschlossenen Leiterschleifen (z. B. H) bei der Bandpaß-Mittenfre-■ V) conductor loops (z. B. Ill) at the bandpass center frequency (f _(l ) a phase measure of b = 2 n ^ x lUt. With n., As an integer number that is greater than f, and that at least one more of the self-contained conductor loops (e.g. H) at the bandpass center frequency

-,5 quenz ein Umlaufphasenmaß hat, das um ein ganzzahliges Vielfaches von 2 -τ unterschiedlich ist gegenüber den Umlaufphasenmaßen der übrigen in sich geschlossenen Leiterschleifen (I, IH)(F ig. I).-, 5 quenz has a phase measure that differs by an integral multiple of 2 -τ the circumferential phase dimensions of the remaining self-contained conductor loops (I, IH) (Fig. I).

Hierzu 1 Bl;itt ZcichnuimcnFor this 1 sheet of drawings

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Bandpaßschaltung mit aus CTD-Elementen bestehenden CTD-Leitungen, bei der an eine Zuführungs- und eine Abnahmeleitung wenigstens zwei in Kette geschaltete, in sich geschlossene Leitungsschleifen mit unidirektionalem Übertragungsverhalten angeschaltet sind, von denen wenigstens eine bei der Bandpaß-Mittenfrequenz ein Umlaufphasenmaß von b = 2 nji hat, mit n_a als ganzzahliger Zahl, die größer ist als 1 und deren Umladekapazität unterschiedlich ist gegenüber der Umladekapazität der Zu- bzw. Abnahmeleitung, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine wei'· - .r in sich geschlossenen Leiterschleifen (z. B. II) bei der Bandpaß-Mittenfrequenz ein Umiaufphasenmaß hat, das um ein ganzzahliges Vielfaches von 2 π unterschiedlich ist gegenüber den Umlaufphasenmaßen der übrigen in sich geschlossenen Leiterschleifen(I,III)(Fig. 1).1. Bandpass circuit with CTD lines consisting of CTD elements, in which at least two chain-connected, self-contained line loops with unidirectional transmission behavior are connected to a supply and a take-off line, of which at least one at the bandpass center frequency has a phase measure of b = 2 has nji , with n _a as an integer number which is greater than 1 and whose reloading capacity is different compared to the reloading capacity of the incoming or outgoing line, characterized in that at least one white, self-contained conductor loop ( e.g. II) has a circumferential phase dimension at the bandpass center frequency which differs by an integral multiple of 2π compared to the circumferential phase dimension of the remaining self-contained conductor loops (I, III) (Fig. 1). 2. Bandpaßschailung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der in sich geschlossenen Leiterschleifen (Ii) als Mehrfachleitung ausgebildet ist mit wenigstens einem Umlaufweg, dessen Umlaufphase bei der Bandpaß-Mittenfrequenz (f_n) ein ganzzahliges Vielfaches von 2 π ist.2. Bandpaßschailung according to claim 1, characterized in that at least one of the self-contained conductor loops (Ii) is designed as a multiple line with at least one circulation path, the circulation phase at the bandpass center frequency (f _n ) is an integral multiple of 2 π . 3. Bandpaßschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Zuge der Kettenschaltung an eine der CTD-Verbindungsleitungen fCi) (Eingangsleitung, Ausgangsleitung, Zwischenleitungen) ^νΛ enigstens eine Umwegleitung (F) mit gleicher Übertragungsrich'nng, jedoch mit unterschiedlicher Anzahl von Cl D-Elementen zugeschaltet ist.3. Bandpass circuit according to claim 1 or 2, characterized in that in the course of the chain connection to one of the CTD connecting lines fCi) (input line, output line, intermediate lines) ^ν Λ at least one detour line (F) with the same transmission direction, but with a different number is switched on by Cl D elements.