DE2829917A1 - Solderable semiconductor unit prodn. - by coating with viscous mixt. of metal powder(s) in metal carbonyl, carbohydrate of liq. metal vehicle and heating - Google Patents

Solderable semiconductor unit prodn. - by coating with viscous mixt. of metal powder(s) in metal carbonyl, carbohydrate of liq. metal vehicle and heating

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Abstract

Semiconductor units are produced by (a) mixing >=1 powdered contact metal, (I), with a vehicle, (II), to form a highly viscous mist., (B) applying >=1 such mixt. on to semiconductor surfaces, in >=1 layer, according to a planned contact layer geometry, and then (c) heating to bond the contact metals of each semi-conductor surface strongly to one another and to the semiconductor material, by alloying or sintering. The contact metals can be used in the prod. of soft- or hard-solderable coatings. Metal coatings can be applied accurately in any desired structure, without masking. Layer no., thickness compsn. and mechanical properties can be controlled.

Description

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERBAUELEMENTEN METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit den Merkmalen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a method for producing semiconductor components with the features according to the preamble of claim 1.

Im Rahmen der Fertigung von Halbleiterbauelementen werden im Anschluß an die Erzeugung von Schichten unterschiedlichen Leitungstyps in Halbleiterkörpern auf deren Kontaktflächen metallische Uberzüge als Kontaktschichten zu ihrer Verbindung mit Stromleiterteilen aufgebracht.In connection with the manufacture of semiconductor components to the production of layers of different conductivity types in semiconductor bodies on their contact surfaces metallic coatings as contact layers for their connection applied with current conductor parts.

Es ist bekannt, derartige Überzüge durch Aufdampfen der dafür vorgesehenen Kontaktmetalle auf die entsprechenden Kontaktflächenbereiche und durch Legieren mit der Unterlage aus Halbleitermaterial herzustellen. Diese Methode erfordert erheblichen Materialeinsatz sowie hohen Arbeits- und Vorrichtungsaufwand beim Aufdampfen und erlaubt häufig nicht die gewünschte rationelle Groß-Serienherstellung von Halbleiterbauelementen.It is known that such coatings by vapor deposition of the intended Contact metals on the corresponding contact surface areas and by alloying with the base made of semiconductor material. This method requires considerable Use of materials as well as high work and equipment costs for vapor deposition and often does not allow the desired, efficient, large-scale production of semiconductor components.

Die weiterhin bekannte und im Vergleich zur Aufdampfmethode rationellere chemische Abscheidung der Kontaktmetalle ist im wesentlichen auf das Aufbringen von Nickel, Silber oder Gold beschränkt. Sie macht eine aufwendige Vorbehandlung des Halbleiterausgangsmaterials und, zur Erzielung gewünschter Kontaktflächenstrukturen, zusätzliche Maskierungsprozesse notwendig.The one that is still known and more efficient compared to the vapor deposition method chemical deposition of the contact metals is essentially due to the deposition of nickel, silver or gold limited. She makes an elaborate one Pretreatment of the semiconductor starting material and, to achieve the desired contact surface structures, additional masking processes necessary.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen zu schaffen, bei dem mit einem Minimum an Kontaktmaterial, an Verfahrensschritten und Vorrichtungen als Kontaktschichten dienende, metallische Überzuge auf vorbereiteten Halbleiterkörpern in beliebiger Flächenform und -ausdehnung erzeugt werden können.The invention is based on the object of a method for manufacturing of semiconductor components in which with a minimum of contact material, on process steps and devices serving as contact layers, metallic Coatings on prepared semiconductor bodies in any surface shape and size can be generated.

Die Lösung dieser Aufgabe besteht bei Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 in dessen kennzeichnenden Merkmalen.The solution to this problem consists in the method according to the preamble of claim 1 in its characterizing features.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den weiteren Ansprüchen gekennzeichnet.Developments of the invention are characterized in the further claims.

Die nach der Erfindung vorgesehenen Kontaktmetalle sind im Handel in Pulverform mit gewünschter Korngröße und in ausreichender Reinheit erhältlich. An ihre physikalischen Eigenschaften sind keine besonderen Anforderungen zu stellen. Entsprechend der jeweils vorgesehenen Verwendung der Kontaktmetalle kann eine Vorbehandlung derselben zu ihrer Aktivierung, d.h. zur Begünstigung ihrer Reaktion bei der Bildung der gewünschten Überzüge, z.B. mit Hilfe einer Ätzbehandlung, erforderlich sein.The contact metals provided according to the invention are commercially available available in powder form with the desired grain size and in sufficient purity. There are no special requirements for their physical properties. Depending on the intended use of the contact metals, a pretreatment can be carried out the same to their activation, i.e. to favor their reaction in formation the desired coatings, e.g. with the help of an etching treatment, may be required.

Die Wahl der Kontaktmetalle, und bei Mischung von mehreren auch ihr jeweiliger Anteil, ist abhängig von den gewünschten physikalischen Eigenschaften der Überzüge sowie, entsprechend dem vorgesehenen Verfahrensablauf, teilweise auch von ihrer gegenseitigen Reaktion und von ihrer Reaktion mit dem jeweiligen Halbleitermaterial. Es ist nicht erforderlich, daß bei Ueberzugen aus mehreren Metallen im Verlauf der Wärmebehandlung sämtliche Komponenten in flüssiger Phase vorliegen. So können hochschmelzende Metalle auch nach Durchführung der Wärmebehandlung kornförmig und fein verteilt in dem vorgesehenen metallischen Uberzug vorhanden sein. Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht überraschend einfach, daß die bei den vorgesehenen Verfahrenstemperaturen nicht schmelzenden Metalle mit den niederschmeizenden Metallen einen festen und mechanisch stabilen überzug auf der Halbleiteroberfläche bilden, wobei gerade die hochschmelzenden Materialien in Abhängigkeit von ihren Anteilen wesentlich zur Erzielung spezieller Eigenschaften der gewünschten Uberzüge beitragen können.The choice of contact metals, and if several are mixed, also you the respective proportion depends on the desired physical properties the coatings and, in accordance with the intended process sequence, in some cases as well from her mutual reaction and of their reaction with the respective semiconductor material. It is not necessary that with overcoats several metals in the course of the heat treatment, all components in liquid Phase. In this way, refractory metals can also be used after the heat treatment has been carried out granular and finely distributed in the provided metallic coating be. The method according to the invention makes it surprisingly easy that the At the intended process temperatures, non-melting metals with the low-melting ones Metals a solid and mechanically stable coating on the semiconductor surface form, with just the refractory materials depending on their Proportions essential to achieve special properties of the desired coatings can contribute.

Beispielsweise bildet sich bei Verwendung der Komponenten Molybdän, Aluminium und Silber im Verlauf der Wärmebebandlung ein ternäres System mit durch die Komponenten und deren Anteile bestimmten, mechanischen und elektrischen Eigenschaften.For example, when using the components molybdenum, Aluminum and silver through a ternary system in the course of the heat treatment the components and their proportions determine mechanical and electrical properties.

Zur Herstellung einer Mischung aus wenigstens einem Kontaktmetall und-aus einer Trägersubstanz können für die letztere Stoffe aus der Gruppe der Carbonyle verwendet werden, bei welchen Metalle mit Kohlenstoff und Sauerstoff koordinativ gebunden sind. Besonders vorteilhaft sind solche Verbindungen dieser Grupper deren Metallkomponente gleichzeitig als Komponente der vorgesehenen Kontaktmetallverbindung für die metallischen Überzüge nach der Erfindung geeignet ist. Die Carbonyle zersetzen sich bei Erwärmung in reduzierender Atmosphäre, und die dabei freiwerdenden Metalle reagieren aktiv mit der oder den in Pulverform vorliegenden Metallkomponenten.To produce a mixture of at least one contact metal and - from a carrier substance, substances from the group of carbonyls can be used for the latter are used in which metals are coordinated with carbon and oxygen are bound. Such compounds from this group are particularly advantageous Metal component at the same time as a component of the intended contact metal connection is suitable for the metallic coatings according to the invention. The carbonyls decompose when heated in a reducing atmosphere, and the metals released in the process react actively with the or the metal components present in powder form.

Weiter können organische Stoffe aus der Gruppe der Kohlenhydrate, z.B. Celluloseverbindungen, zur Herstellung der Trägersubstanz verwendet werden. Vorteilhaft eignen sich solche Stoffe, die bei Verfahrenstemperaturen bis 400 C rückstandsfrei verarbeitbar sind.Organic substances from the group of carbohydrates, e.g. cellulose compounds, can be used to produce the carrier substance. Substances which are suitable for use at process temperatures of up to 400.degree can be processed without leaving any residue.

Als Lösungsmittel für Carbonyle können beispielsweise Äther, Benzol, Metanol, Chloroform verwendet werden, und für Celluloseverbindungen ist beispielsweise Äthylacetat geeignet.As solvents for carbonyls, for example, ether, benzene, Metanol, chloroform can be used, and for cellulose compounds is for example Ethyl acetate suitable.

Als Trägersubstanz sind weiter flüssige Phasen von Metallen geeignet, die mit dem Halbleitermaterial bei entsprechenden Verfahrenstemperaturen eine Legierungsverbindung bilden.Liquid phases of metals are also suitable as a carrier substance, which form an alloy compound with the semiconductor material at appropriate process temperatures form.

Besonders vorteilhaft haben sich flüssige Phasen mit Gold, insbesondere eine solche aus 80 Gewichtsprozent Gold und 20 Gewichtsprozent Zinn erwiesen, der noch ein oder mehrere, mit der Trägersubstanz legierende oder in dieser nicht schmelzend verbleibende Kontaktmetalle beigemischt werden können.Liquid phases with gold, in particular, have proven particularly advantageous one of 80 weight percent gold and 20 weight percent tin proved to be one or more, alloying with the carrier substance or not melting in it remaining contact metals can be added.

Die Viskosität der Trägersubstanz wird durch die vorgesehene Methode der Aufbringung auf die Haibleiteroberfläche, z.B.The viscosity of the carrier is determined by the method provided application to the semiconductor surface, e.g.

Aufstreichen, Aufsprühen oder Siebdruck, bestimmt und ist unkritisch.Brushing on, spraying on or screen printing, definitely and not critical.

Im Verlauf der Wärmebehandlung nach dem Aufbringen der z.B.In the course of the heat treatment after the application of the e.g.

ein in Alkohol gelöstes Carbonyl enthaltenden Mischung aus Trägersubstanz und Kontaktmetall(en) auf die Halbleiteroberfläche verdampft zunächst das Lösungsmittel. Bei ansteigen- der Temperatur wird das Metall des Carbonyls reduziert, und schließlich erfolgt entsprechend der vorgegebenen Temperatur der Sinter- bzw. Legierungsprozess der Metallkomponenten zu ihrer festen Verbindung miteinander und mit dem Halbleitermaterial. Dabei kann auch eine der Metallkomponenteh unverändert kornförmig verbleiben. Aufgrund des höheren spezifischen Gewichts der nichtschmelzenden Materialien gegenüber weiteren Komponenten der Mischung erfolgt nach dem Aufbringen derselben auf die Halbleiteroberfläche eine Sedimentation, so daß die unmittelbar an die Unterlage angrenzende Schicht der Mischung sämtliche vorgesehenen Metalle enthält. Ein eventuell auf dem Überzug verbleibender Rest der Trägersubstanz stört bei der anschließenden Weiterverarbeitung des mit metallischen Überzügen versehenen Halbleiterkörpers nicht.a mixture of carrier substance containing carbonyl dissolved in alcohol and contact metal (s) on the semiconductor surface first evaporates the solvent. At rising- the temperature reduces the metal of the carbonyl, and finally the sintering or sintering process takes place according to the given temperature. Alloying process of the metal components to their firm connection with each other and with the semiconductor material. One of the metal components can also remain unchanged remain granular. Due to the higher specific weight of the non-melting ones Materials versus other components of the mixture takes place after application the same on the semiconductor surface sedimentation, so that the immediately the layer of the mixture adjoining the substrate includes all of the metals provided contains. Any residue of the carrier substance that may remain on the coating interferes in the subsequent further processing of the metallic coating Semiconductor body not.

Soll beispielsweise eine Kontaktschicht aus den Metallen Silber, Wolfram und Nickel hergestellt werden, so kann Nikkel in Form von Nickelcarbonyl vorliegen, und die beiden weiteren Metalle werden in Pulverform beigegeben. Zunächst wird Nickelcarbonyl in solcher Menge in einem der genannten Lösungsmittel gelöst, daß der gewünschte Anteil von Nickel in dem vorgesehenen metallischen Überzug gewährleistet ist. Dieser kann zum Beispiel aus 10 Gewichtsprozent Nickel, 20 Gewichtsprozent Silber und 70 Gewichtsprozent Wolfram bestehen. Danach werden die pulverförmigen Komponenten zugesetzt, und über die bedarfsweise Zugabe von Lösungsmittel wird z.B. eine pastenförmige Mischung hergestellt, die nach bekannter Siebdrucktechnik auf die Hälbleiteroberfläche aufgebracht werden kann Der resultierende Überzug weist: aufgrund des hohen Anteils an Wolfram hohe Festigkeitseigenschaften und speziell eine Wärmedehnzahl auf, welche annähernd derjenigen von-Silizium entspricht.Should, for example, a contact layer made of the metals silver and tungsten and nickel are produced, nickel can be in the form of nickel carbonyl, and the other two metals are added in powder form. First is nickel carbonyl dissolved in one of the solvents mentioned in such an amount that the desired Share of nickel in the intended metallic coating is guaranteed. This For example, 10 weight percent nickel, 20 weight percent silver and 70 Percent by weight tungsten. Then the powdery components are added, and through the addition of solvent, for example, a paste-like Mixture produced, which is applied to the semiconductor surface using the known screen printing technique can be applied The resulting coating has: due to the high proportion at Tungsten has high strength properties and especially a coefficient of thermal expansion which approximately corresponds to that of silicon.

Die Trägersubstanz kann gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel auch aus einer Lösung aus Äthylcellulose und 2(2-butoxyaethoxy) äthylacetat mit einem Celluloseanteil von 2 bis 6 Gewichtsprozent gebildet werden, welcher z.B. 50 bis 90 Gewichtsprozent Wolfram oder Molybdän, 30 bis 5 Gewichtsprozent Silber und 20 bis 5 Gewichtsprozent Aluminium jeweils in Pulverform beigegeben, d.h. in ihr aufgeschlämmt sind.According to a further exemplary embodiment, the carrier substance can also from a solution of ethyl cellulose and 2 (2-butoxyaethoxy) ethyl acetate with a Cellulose content of 2 to 6 percent by weight are formed, which is for example 50 to 90 percent by weight tungsten or molybdenum, 30 to 5 percent by weight silver and 20 Up to 5 percent by weight of aluminum is added in powder form, i.e. slurried in it are.

Das beim Siebdruckverfahren verwendete Sieb ist bereits entsprechend der Flächenstruktur ausgebildet, welche auf den in Betracht kommenden Halbleiteroberflächen beschichtet werden soll, so daß keine besonderen Maßnahmen zur Herstellung und Einhaltung einer gewünschten Schichtengeometrie auf den Halbleiteroberflächen erforderlich sind. Nach dem Aufbringen der Mischung oder der Mischungen in einer oder mehreren Schichten auf der jeweiligen Halbleiteroberfläche - das kann gleichzeitig an einer nur durch die Abmessungen der Siebdruckvorrichtung bestimmten Anzahl von Halbleiterkörpern erfolgen - werden die Halbleiterkörper vorzugsweise auf ihrer Unterlage z.B. in einen Durchlaufofen eingebracht und der zur Bildung eines Legierungs- oder Sinterprozesses notwendigen Temperaturbehandlung unterworfen.The screen used in the screen printing process is already appropriate the surface structure formed on the semiconductor surfaces in question to be coated, so that no special measures for production and compliance a desired layer geometry is required on the semiconductor surfaces are. After applying the mixture or mixtures in one or more Layers on the respective semiconductor surface - that can be done simultaneously on one number of semiconductor bodies determined only by the dimensions of the screen printing device - the semiconductor bodies are preferably placed on their base, e.g. in a continuous furnace is introduced and that for the formation of an alloying or sintering process subjected to necessary temperature treatment.

Die Vorteile des Verfahrens nach der Erfindung bestehen darin, daß die metallischen Überzüge in jeder gewünschten Flächenstruktur geometriegenau ohne aufwendige Maskierungsprozesse erzielbar sind, daß weniger Verfahrensschritte sowie weniger und kostengünstigere Verfahrenseinrichtungen erforderlich sind im Vergleich zu den bekannten Verfahren, daß für die Durchführung des Verfahrens keine Arbeitskräfte mit spezieller Ausbildung benötigt werden, daß Schichten in beliebiger Anzahl mit gewünschten Eigenschaften in gewünschter Dicke herstellbar sind, und daß jede gewünschte Fertigungskapazität in gleicher Qualität der vorgesehenen Überzüge erreichbar ist.The advantages of the method according to the invention are that the metallic coatings in any desired surface structure geometrically accurate without complex masking processes can be achieved that fewer process steps as well fewer and cheaper process facilities are required are compared to the known method that for carrying out the method no skilled workers are needed that shifts in Any number with the desired properties in the desired thickness can be produced and that any desired production capacity is of the same quality as that provided Coatings is achievable.

Claims (20)

PATENTANSPRÜCHE Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, bei dem durch Aufbringen je#w#eils wenigstens eines Kontaktmetalls auf Oberflächen eines Halbleiterkörpers und durch anschließende Wdrmebehandlung jeweils ein als Kontaktschicht des Halbleiterkörpers dienender und mit diesem fest verbundener metallischer Uberzug erzeugt wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c n e daß das oder die Kontaktmetalle in Pulverform mit einer Trägersubstanz hochviskos gemischt werden, daß wenigstens eine derartige Mischung in mindestens einer Schicht gemäß der jeweils vorgesehenen Kontaktschichtengeometrie auf die Halbleiteroberfldchen aufgebracht wird, und daß in der anschließenden Wärmebehandlung jeweils die Kontaktmetalle jeder Halbleiteroberfläche gegenseitig und mit dem Halbleitermaterial flächenhaft fest verbunden werden. PATENT CLAIMS Process for the production of semiconductor components, by applying at least one contact metal to surfaces of a semiconductor body and by subsequent heat treatment in each case as Contact layer of the semiconductor body serving and permanently connected to this metallic Coating is generated, that is, that the contact metal or metals be mixed highly viscous in powder form with a carrier substance that at least such a mixture in at least one layer according to the one provided in each case Contact layer geometry is applied to the semiconductor surface, and that in the subsequent heat treatment, the contact metals of each semiconductor surface are mutually and firmly connected to the semiconductor material over a large area. 2.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kontaktmetalle Aluminium, Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Palladium, Wolfram, Molybdän, Titan oder Chrom jeweils einzeln oder in Form einer Mischung oder Legierung aus ihnen oder mit ihnen verwendet werden. 2.) The method according to claim 1, characterized in that the contact metals Aluminum, silver, gold, copper, nickel, palladium, tungsten, molybdenum, titanium or Chromium each individually or in the form of a mixture or alloy of them or to be used with them. 3.) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetalle in Form von Metallpulver mit einer Korngröße bis 50 um verwendet: werden. 3.) Method according to claim 1 or 2, characterized in that the contact metals used in the form of metal powder with a grain size up to 50 µm: will. -1 4.) Verfahren nach einem der Anspruche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Trögersubstanz zum Mischen mit pulverförmigen Kontaktmetallen eine Lösung eines Carbonyls verwendet wird. -1 4.) Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that as a carrier substance for mixing with powdery contact metals a solution of a carbonyl is used. 5.) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Carbonyl verwendet wird, dessen Metallkomponente gleichzeitig als Kontaktmetall geeignet ist.5.) The method according to claim 4, characterized in that a carbonyl is used, the metal component of which is also suitable as a contact metal is. 6.) Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Carbonyl in einer organischen Flüssigkeit, beispielsweise in Äther, Benzol, Metanol oder Chloroform gelöst wird.6.) Method according to one of claims 4 or 5, characterized in that that the carbonyl in an organic liquid, for example in ether, benzene, Methanol or chloroform is dissolved. 7.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägersubstanz zum Mischen mit pulverförmigen Kontaktmetallen eine Lösung einer organischen Substanz aus der Gruppe der Kohlenhydrate verwendet wird.7.) Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that that as a carrier substance for mixing with powdered contact metals a solution an organic substance from the group of carbohydrates is used. 8.) Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kohlenhydrat verwendet wird, welches bei Temperaturen bis ca.8.) The method according to claim 7, characterized in that a carbohydrate is used, which is used at temperatures up to approx. 0 400 C rückstandsfrei verarbeitbar ist. 0 400 C can be processed without leaving any residue. 9.) Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Kohlenhydrat in Äthylacetat gelöst wird.9.) Method according to one of claims 7 to 8, characterized in that that the carbohydrate is dissolved in ethyl acetate. 10.) Verfahren nach einen der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Trdgersubstanz eine flüssige, mit dem Halbleitermaterial legierbare Phase von Metallen verwendet wird.10.) Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that that the carrier substance is a liquid phase that can be alloyed with the semiconductor material used by metals. 11.) Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Trdgersubstanz eine flüssige Phase mit Uberwiegendem Anteil an Gold, beispielsweise eine flüssige Phase aus Gold und Zinn mit 80 Gewichtsprozent Gold und 20 Gewichtsprozent Zinn verwendet wird.11.) The method according to claim 10, characterized in that the carrier substance a liquid phase with a predominant proportion of gold, for example a liquid one Phase of gold and tin with 80 percent by weight gold and 20 percent by weight tin is used. 12.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß eine für das Aufbringen mittels Siebdruck geeignete Mischung hergestellt wird.12.) The method according to any one of claims 1 to 11, characterized in that that a mixture suitable for application by means of screen printing is produced. 13.) Verfahren nach einem der Anspruche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß eine zum Aufstreichen oder Aufsprühen geeignete Mischung hergestellt wird.13.) Method according to one of claims 1 to 11, characterized in that that a mixture suitable for brushing or spraying is prepared. 14.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß Kontaktmetalle zur Erzeugung von weichlötbaren Ueberzugen verwendet werden.14.) Method according to one of claims 1 to 13, characterized in that that contact metals are used to produce soft-solderable coatings. 15.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß Kontaktmetalle zur Erzeugung von hartlötbaren Uberzügen verwendet werden.15.) Method according to one of claims 1 to 13, characterized in that that contact metals are used to produce brazable coatings. 16.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß Ueberzüge aus zwei oder mehr Teilschichten gleicher oder unterschiedlicher Zusammensetzung und/oder Dicke aufgebracht werden.16.) Method according to one of claims 1 to 15, characterized in that that coatings of two or more sub-layers of the same or different composition and / or thickness can be applied. 17.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß Ueberzüge oder Teilschichten derselben erzeugt werden, deren Eigenschaften denen angrenzender Bauteile angepaßt sind.17.) Method according to one of claims 1 to 16, characterized in that that coatings or partial layers of the same are produced, the properties of which adjacent components are adapted. 18.) Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß Uberzüge erzeugt werden, deren mechanische Eigenschaften, zumindest in der entsprechend angeordneten Teilschicht, denen des Halbleitermaterials angepaßt sind.18.) The method according to claim 17, characterized in that coatings are generated whose mechanical properties, at least in the correspondingly arranged Partial layer to which the semiconductor material is adapted. 19.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetalle und das Halbleitermaterial durch Legieren gegenseitig fest verbunden werden.19.) The method according to any one of claims 1 to 18, characterized in, that the contact metals and the semiconductor material are mutually fixed by alloying get connected. 20.) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetalle und das Halbleitermaterial durch Sintern gegenseitig fest verbunden werden.20.) Method according to one of claims 1 to 18, characterized in that that the contact metals and the semiconductor material are mutually fixed by sintering get connected.
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