DE2814049C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2814049C2
DE2814049C2 DE2814049A DE2814049A DE2814049C2 DE 2814049 C2 DE2814049 C2 DE 2814049C2 DE 2814049 A DE2814049 A DE 2814049A DE 2814049 A DE2814049 A DE 2814049A DE 2814049 C2 DE2814049 C2 DE 2814049C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron beam
primary electron
pulses
measuring
potential curve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2814049A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2814049A1 (de
Inventor
Hans-Peter Dipl.-Phys. Feuerbaum
Eckhard Dipl.-Ing. 8000 Muenchen De Wolfgang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19782814049 priority Critical patent/DE2814049A1/de
Priority to US06/022,480 priority patent/US4220853A/en
Priority to GB7911291A priority patent/GB2017941B/en
Priority to NL7902519A priority patent/NL7902519A/xx
Priority to JP3830079A priority patent/JPS54134569A/ja
Publication of DE2814049A1 publication Critical patent/DE2814049A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2814049C2 publication Critical patent/DE2814049C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R13/00Arrangements for displaying electric variables or waveforms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur berührungs­ losen Messung des zeitlichen Potentialverlaufs in einer Probe nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie auf eine An­ ordnung zur Durchführung des Verfahrens.
Der Potentialverlauf in Leiterbahnen eines integrierten Schalt­ kreises kann bekanntlich mit Hilfe einer auf die Meßstelle aufgesetzten mechanischen Spitze gemessen werden, deren Durch­ messer aus Festigkeitsgründen wenige µm nicht wesentlich unter­ schreiten kann. Hochintegrierte Schaltkreise enthalten aber Leiterbahnen, die nur wenige µm breit sind und an denen somit eine Messung mit der mechanischen Spitze schwierig ist. Außer­ dem ist die Kapazität der Meßspitze verhältnismäßig hoch, so daß Messungen an dynamischen Schaltungen verfälscht werden können.
Potentialkontrastmessungen an integrierten Schaltkreisen werden deshalb mit dem Rasterelektronenmikroskop durch­ geführt, bei dem die mechanische Meßspitze durch den Elek­ tronenstrahl ersetzt wird, der auf einen Durchmesser von etwa 1 µm fokussiert werden kann. Dieser Primärelektronen­ strahl löst an der Meßstelle aus der metallischen Leiter­ bahn Sekundärelektronen aus, die in einem elektrischen Feld beschleunigt werden und deren Energie mit einem Gegen­ feldspektrometer gemessen werden kann. Ein zylindrischer Ablenkkondensator führt die Sekundärelektronen durch ein Verzögerungsfeld dem Szintillator eines Elektronenkollek­ tors zu, dem ein Regelverstärker nachgeschaltet ist. Die Ausgangsspannung des Verstärkers steuert die Gitterspannung des Verzögerungsfeldes. Er hält seine Ausgangsspannung be­ züglich der Spannung an der Meßstelle mit Hilfe einer Rückkopplungsschleife konstant. Die Gitterspannung an der Gegenfeldelektrode des Spektrometers wird solange nachge­ regelt, bis die Spannung zwischen Gitter und Meßpunkt wie­ der ihren ursprünglichen konstanten Wert erreicht hat. Dann entspricht die Änderung der Gitterspannung direkt der Potentialänderung an der Meßstelle der Probe.
Eine direkte Messung des Potentialverlaufs hochfrequenter Signale ist nicht ohne weiteres möglich, weil der Ver­ stärker dem hochfrequenten Signal nicht folgen kann. Es wird deshalb die stroboskopische Messung nach Art eines Sampling-Oszillographen angewendet. Dabei wird der Primär­ elektronenstrahl mit der Frequenz des zu messenden Signals getastet und jeweils während einer sehr kurzen Zeitdauer eingeschaltet. Dieser Vorgang wird so oft wiederholt, bis man ein ausreichendes Signal-Rauschverhältnis erreicht hat. Dann wird nach dem sogenannten Sampling-Prinzip die Phasen­ lage des Elektronenimpulses in bezug auf die Meßspannung verschoben, und der Vorgang so oft wiederholt, bis wenig­ stens ein Zyklus der Meßspannung ermittelt ist.
Ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ist aus Microelectronics and Reliability Vol. 10, 1971, Seite 318 bis 322 bekannt. Bei Anwendung dieses Verfahrens kann man aller­ dings jeweils nur ein Signal während der Messung aufzeichnen und darstellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, mit dem verschiedene Signale an mehreren Stellen einer Probe derart gemessen und auf einem Bildschirm wiedergegeben werden können, daß für den Betrachter der Eindruck stehender Bilder mit definierter zeitlicher Zuord­ nung entsteht. Ferner soll eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens angegeben werden. Das Verfahren soll außerdem in rechnerge­ steuerten Testsystemen durchführbar sein. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Ausbildung des Verfahrens nach dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 sowie durch eine Anordnung nach Anspruch 6 gelöst.
Die mechanische Meßspitze wird durch den berührungslosen, leicht positionierbaren und feinfokussierbaren sowie kapazi­ tätsarmen Elektronenstrahl ersetzt. Der Elektronenstrahltast­ kopf wird auf die Probe aufgesetzt, die in einem Vakuumsystem angeordnet ist. Wie bei einem Vielkanal­ oszillographen werden auf einem Bildschirm zugleich die Signale der verschiedenen Meßstellen des Bauelementes dargestellt.
In einer Anordnung zur Durchführung des Verfahrens mit einem Rasterelektronenmikroskop, das mit einer Schalt­ einrichtung zum Tasten des Primärelektronenstrahls sowie mit einer Ablenkvorrichtung zur Positionierung des Elek­ tronenstrahls versehen ist, kann zur Phasenverschiebung der Primärelektronenimpulse in bezug auf den Potential­ verlauf an der betreffenden Meßstelle die Schaltein­ richtung vorzugsweise mit einem Steuergenerator ver­ sehen sein, dessen Stufenspannungen jeweils einer Phasen­ lage der Pulse des Elektronenstrahls in bezug auf den zu messenden Potentialverlauf zugeordnet sind. Die Ablenk­ vorrichtung für die Primärelektronenpulse wird so ge­ steuert, daß nach der Messung des Potentialverlaufs an der einen Meßstelle der Elektronenstrahl zur nächsten Meßstelle springt und dort der Verlauf des Meßsignals in gleicher Weise stroboskopisch nach dem Sampling-Prin­ zip ermittelt wird.
Der getastete Primärelektronenstrahl erzeugt an der Meßstelle Sekundärelektronen, die aus der Oberfläche des elektronischen Bauelementes aus einem oberflächennahen Bereich von etwa 5 nm Dicke in das Vakuum austreten kön­ nen und von Elektroden abgesaugt werden, die sich ober­ halb des Bauelementes befinden. Mit einer Spannung von beispielsweise 300 V zwischen dem Bauelement und der Ab­ saugelektrode werden die Sekundärelektronen beschleunigt. Ihre Energie wird in einem Gegenfeld gemessen und ent­ spricht dem Potential an der Meßstelle. Nach dem Mehr­ kanal-Prinzip wird der Potentialverlauf der verschiede­ nen Meßstellen auf dem Bildschirm dargestellt.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeich­ nung Bezug genommen, in deren
Fig. 1 eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung schematisch veranschaulicht ist. In den
Fig. 2 bis 5 sind die Ver­ fahrensschritte in verschiedenen Diagrammen erläutert. In
Fig. 6 ist die Ablenkung des Elektronenstrahls zu ver­ schiedenen Meßstellen eines als Probe dienenden integrier­ ten elektronischen Bauelementes dargestellt.
Fig. 7 zeigt die Ablenkung des Elektronenstrahls in Abhängigkeit von der Zeit und in
Fig. 8 sind die Potentiale an den verschiedenen Meßstellen in Abhängigkeit von der Zeit veranschaulicht.
In Fig. 1 ist ein Rasterelektronenmikroskop mit 2 be­ zeichnet, das eine Elektronenkanone 4, eine Tasteinrich­ tung 8, die auch als Chopper bezeichnet wird, sowie eine Strahlablenkung 10 enthält. Die Elektronenkanone 4 enthält im wesentlichen eine Kathode 5, eine Wehnelt-Elektrode 6 sowie eine Anode 7. Die Elektronenstrahlablenkung 10 soll beispielsweise ein Spulensystem mit Ablenkspulen 11 und 12 enthalten, deren magnetisches Feld zur Positionierung des Primärelektronenstrahls 13 auf einer Probe 14 dient, die vorzugsweise ein integrierter Schaltkreis sein kann, an deren Leiterbahnen der Potentialverlauf an verschiede­ nen Stellen gemessen werden soll. Der Primärelektronen­ strahl 13 löst Sekundärelektronen 15 aus, deren Energie als Maß für das Potential an der Meßstelle dient.
Oberhalb der Probe 14 ist ein Gegenfeldspektrometer 16 angeordnet, das eine Wehnelt-Elektrode 17 sowie eine Anode 18 enthält, die eine Beschleunigungslinse bilden. Ein zylinderförmiger Ablenkkondensator 20 ist zur Ablen­ kung der Sekundärelektronen 15 vorgesehen, die auf ihrem durch einen Pfeil angedeuteten Wege über das Verzögerungs­ feld zweier Elektroden 24 und 25 zu einem Elektronen­ kollektor 30 gelangen. Dieser besteht beispielsweise aus einem Kollektornetz 32 und einem Szintillator 34 mit einem nicht näher bezeichneten Lichtleiter und enthält im allge­ meinen eine Nachbeschleunigungsstrecke zwischen Kollektor­ netz 32 und Szintillator 34 mit einer Beschleunigungsspan­ nung von beispielsweise 10 kV. Dem Elektronenkollektor 30 ist ein Fotomultiplier 36, der im allgemeinen mit einem sehr empfindlichen Vorverstärker gekoppelt ist, sowie ein Regelverstärker 38 nachgeschaltet. Das Ausgangssignal die­ ses Regelverstärkers 38 steuert über eine Rückkopplungs­ schleife 48 mit Hilfe einer Steuervorrichtung 50 die Span­ nung V G der Gegenelektrode 25 so, daß die Potentialdiffe­ renz zwischen der Gegenelektrode 25 und dem Meßpunkt P 1 konstant bleibt. Dann ist die Änderung der Spannung V G gleich der Änderung der Meßspannung V S an der Probe 14. Das Ausgangssignal des Regelverstärkers 38 stellt ein direktes Abbild des Potentialverlaufs an der Meßstelle P 1 dar. Es wird einem Bildschirm 40 zugeführt und steuert die Abweichung in der Y-Richtung, d. h. die Amplituden der Signale V 1 bis V 4, die von den verschiedenen Meßstellen der Probe 14 auf dem Bildschirm 40 gleichzeitig dargestellt werden. Die Abweichung in der X-Richtung, d. h. die Zeit­ achse, wird von einer Sägezahnspannung U S eines Steuer­ generators 62 bestimmt.
Eine Steuerlogik 42 liefert zugleich die Versorgungsspan­ nungen, Taktimpulse und Testmuster für die Probe 14 und steuert einen Impulsformer 56 für einen Verzögerungsgenerator 54, der zusammen mit einem Pulsgenerator 52 die Steuereinrichtung für die Tast­ einrichtung 8 bildet.
Der Verzögerungsgenerator 54 erhält außerdem von dem Steuergenerator 62 eine Treppenspannung U T , deren Stufen­ spannungen über die Tasteinrichtung 8 die Phasenlage der Pulse des Primärelektronenstrahls 13 einstellen. Vom Steuergenerator 62 wird ferner mit einem Ausgangssignal U p über einen Rastergenerator 60 die Ablenkung 10 für den Meßpunktwechsel gesteuert.
Die Änderung der Phasenlage der Primärelektronenpulse E p ist dem Diagramm der Fig. 2 zu entnehmen, in dem der Primärelektronenstrom I in Abhängigkeit von der Zeit t auf­ getragen ist. Aus dem Diagramm der Fig. 3, in dem die Meßspannungen V 1 an der Meßstelle P 1 und die Meßspannung V 2 an einer weiteren Meßstelle P 2 in Abhängigkeit von der Zeit t aufgetragen sind, ist zu entnehmen, daß die Meß­ punkte des ersten Pulspaketes jeweils am Beginn der An­ stiegsflanke des Zyklusses der Meßspannung V 1 liegen. Die Frequenz der Meßspannung V s soll beispielsweise 1 MHz betragen. Die Phasenlage wird nach Fig. 4, in welcher die Treppenspannung U T des Treppengenerators 62 in Abhängig­ keit von der Zeit t aufgetragen ist, bestimmt durch die Höhe der ersten Stufenspannung U 0. Diese Stufenspannung U 0 wird während eines Phasenschrittes T Φ dem Verzögerungs­ generator 54 vorgegeben und während dieser Zeit ändert sich nach Fig. 2 bis zu beispielsweise n = 1000 Pulsen E p die Phasenlage nicht. Nach Ablauf dieser n Pulse E p ist der Meßwert bei dieser Phasenlage ermittelt.
Die Darstellung jeweils eines Zyklusses der Meßspannungen V 1 und V 2 aus den einzelnen Pulsfolgen mit verschiedener Phasenlage an den beiden Meßpunkten P 1 und P 2 ist in Fig. 5 veranschaulicht, in welcher die Meßspannung V s über die Zeit t aufgetragen ist. Der aus der ersten Pulsfolge ermittelte Meßwert ist in Fig. 5 mit 0 bezeichnet.
Durch die Stufenspannung U 1 wird die Phasenlage Φ 1 einer weiteren Pulsfolge von n bis 2n Pulsen E p verschoben und beispielsweise nach Fig. 3 in die Anstiegsflanke der Zyklusse der Meßspannung V 1 verlegt. In gleicher Weise erhält man durch die weiteren Stufenspannungen U 2 bis U 5 jeweils eine weitere Phasenverschiebung, von denen in Fig. 2 lediglich die Phasenlagen Φ 2 bis Φ 4 angedeutet sind. Mit dieser Phasenverschiebung über einen Zyklus der Meßspannung V s erhält man nach Fig. 5 jeweils das Potential in einem der Meßpunkte 0 bis 5. In der praktischen Ausfüh­ rungsform einer Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung wird die Zahl der Phasenlagen im allge­ meinen wesentlich größer gewählt und kann beispielsweise 100 betragen.
Nach 30 Millisekunden wird nach Fig. 4 nach Durchlauf der Treppenspannung U T vom Steuergenerator 62 ein Ausgangs­ signal U p auf den Rastergenerator 60 gegeben und der Pri­ märelektronenstrahl 13 zur Meßstelle P 2 umgeschaltet. Dort erfolgt in gleicher Weise durch Phasenverschiebung der Meßpunkte nach Fig. 3 mit Hilfe der Stufenspannungen nach Fig. 4 die Ermittlung eines Zyklusses der Meßspan­ nung V 2 an der Meßstelle P 2, die beispielsweise einen sinusförmigen Verlauf haben soll. Nach 60 msec ist die Er­ fassung der Meßwerte an der Meßstelle P 2 beendet und der Primärelektronenstrahl kann zu einer weiteren Meßstelle geschaltet werden.
In den Diagrammen der Fig. 2 bis 5 ist zur Vereinfachung eine Messung an zwei Meßstellen angenommen worden. Wird der Potentialverlauf beispielsweise in 4 Meßstellen zugleich dargestellt, so muß die Umschaltung des Primärelektronen­ strahls von einer Meßstelle zur nächsten bereits nach 15 msec erfolgen, damit nach 60 msec wieder am gleichen Meßpunkt gemessen wird und ein Flimmern des Bildes für das Auge des Betrachters vermieden wird.
Der Primärelektronenstrahl 13 verweilt auf der Meßstelle P 1 einer Leiterbahn 70 der Probe 14, wie es in Fig. 6 schematisch veranschaulicht ist. Während dieser Zeit werden die Verfahrensschritte zur Ermittlung des Potentials an dieser Meßstelle durchgeführt, wie sie in den Diagrammen der Fig. 2 bis 5 erläutert sind und dadurch ein Zyklus im Potentialverlauf V 1 in der Leiterbahn an der Meßstelle P 1 ermittelt. Anschließend springt der Primärelektronenstrahl 13 zu der zweiten Meßstelle P 2 einer Leiterbahn 72 und es wird der Poten­ tialverlauf an dieser Meßstelle P 2 ermittelt. In gleicher Weise erfolgt die Messung des Potentialverlaufs an den weiteren Meßstellen P 3 und P 4 der Leiterbahnen 74 bzw. 76. Die Zeit, die der Elektronenstrahl 13 benötigt, um von einer der Meßstellen P 1 bis P 4 zur folgenden zu ge­ langen, liegt in der Größenordnung von einigen µs und ist vernachlässigbar klein im Vergleich zur Verweilzeit T p von 10 ms auf jeder der Meßstellen P 1 bis P 4.
Nach jedem Phasendurchlauf T p gibt der Steuergenerator 62 sein Ausgangssignal U p an den Rastergenerator 60, der beispielsweise einen relaisgesteuerten Scangenerator enthalten kann und mit dem Ablenksystem 10 die Meßpunkte P 1 bis P 4 umschaltet. Die Umschaltung des Primärelektro­ nenstrahls 13 von einer Meßstelle zur anderen erfolgt nach dem Diagramm der Fig. 7, in dem die Verschiebung x über der Zeit t aufgetragen ist, jeweils nach 15 msec. Während der Verweilzeit T wird nach dem Diagramm der Fig. 8, in dem die Meßspannung V s an der betreffenden Meßstelle über der Zeit t aufgetragen ist, der Potential­ verlauf jeweils mit den Verfahrensschritten der Fig. 2 bis 5 ermittelt. An der Meßstelle P 1 soll beispielsweise die hochfrequente Meßspannung V 1 in Trapezform verlaufen. Nach 15 msec erfolgt die Ablenkung des Primärelektronen­ strahls 13 in der x-Richtung nach Fig. 7 durch entspre­ chende Steuerung des Stufengenerators zur Meßstelle P 2. An dieser Meßstelle P 2 soll die Meßspannung V 2 nach Fig. 8 beispielsweise in Sinusform verlaufen. In gleicher Weise erfolgt die Ablenkung des Primärelektronenstrahls 13 nach 30 bis 45 msec nach Fig. 7 zu den Meßstellen P 3 bzw. P 4. An der Meßstelle P 3 verläuft die Meßspannung V 3 beispielsweise als Sägezahn, und an der Meßstelle P 4 erscheint die Meßspannung V 4 jeweils als schmaler Impuls. Anschließend springt der Primärelektronenstrahl 13 wieder zur Meßstelle P 1 zurück, und es erfolgt eine weitere Mes­ sung.
Nach 60 msec sind alle Meßstellen P 1 bis P 4 durch den Primärelektronenstrahl 13 abgetastet, und dann erfolgt die Messung eines weiteren Zyklusses im Potentialverlauf wieder an der gleichen Meßstelle. Es können somit diese Potentiale an den verschiedenen Meßstellen auf dem Bild­ schirm 40 nach Fig. 1 derart getrennt dargestellt wer­ den, daß sich für das Auge des Betrachters stehende Bilder der Meßspannungen V 1 bis V 4 ergeben.
Im Ausführungsbeispiel wurde als Phasenbereich jeweils ein Zyklus t z der beiden Meßspannungen V 1 und V 2 ermittelt. Der Phasenbereich für die zeitliche Verschiebung der Pulse E p des Primärelektronenstrahls 13 kann aber auch innerhalb eines einzigen Zyklusses gewählt werden, beispielsweise wenn nur die Anstiegsflanke gemessen werden soll. Ferner kann sich der Phasenbereich über mehrere Zyklen erstrec­ ken, wobei der zeitliche Abstand der Pulse E p mehrere Zyklen beträgt.
Der Steuergenerator 62 kann auch durch einen elektroni­ schen Rechner ersetzt werden, der dann die Steuerung des Verzögerungsgenerators 54 und des Rastergenerators 60 so­ wie die x-Abweichung des Bildschirmes 40 übernimmt. In dieser Ausführungsform der Meßanordnung sind dann der Verzögerungsgenerator 54, der Rastergenerator 60 und der Bildschirm 40 digital steuerbar.
Das Verfahren nach der Erfindung zur berührungslosen Mes­ sung des Potentialverlaufs an verschiedenen Meßstellen eines integrierten elektronischen Bauelementes in der Art eines Vielkanal-Sampling-Oszillographen mit einem Elek­ tronenstrahl-Tastkopf kann beispielsweise in der Eingangs­ kontrolle integrierter Schaltkreise sowie auch zu deren Qualitätsprüfung eingesetzt werden. Wegen der leichten Positionierbarkeit des auf sehr geringen Durchmesser fokus­ sierten Elektronenstrahls und dessen niedriger Kapazität kann dieses Gerät auch für die Prüfung hoch integrierter Schaltungen mit entsprechend schmalen Leiterbahnen einge­ setzt werden.
Das Meßverfahren nach der Erfindung kann ferner bei der Messung des Potentialverlaufs in ferroelektrischen und piezoelektrischen Bauelementen angewendet werden. Außerdem ist die Messung des Potentialverlaufs an einer Sperrschicht­ kondensatorkeramik möglich.

Claims (7)

1. Verfahren zur berührungslosen Messung des zeitlichen Potentialverlaufs in einer Probe mit einem gepulsten Primär­ elektronenstrahl, bei dem der zu messende zeitliche Potential­ verlauf durch Verschiebung der Phasenlage der Pulse des Primär­ elektronenstrahles bezüglich dieses Potentialverlaufes inner­ halb eines Phasenbereiches ermittelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß nacheinander der zeitliche Potentialverlauf (V 1 bis V 4) an mindestens zwei Meßstellen (P 1 bis P 4) ermittelt wird, indem der gepulste Primärelektro­ nenstrahl (13) so lange auf eine erste Meßstelle (P 1) der Probe (14) gerichtet wird, bis der zeitliche Potentialverlauf (V 1) an dieser ersten Meßstelle (P 1) durch Verschiebung der Phasenlage (Φ 1 bis Φ 4) der Pulse (Ep) des Primärelektronenstrahles (13) bezüglich dieses zeitlichen Potentialverlaufes (V 1) zumindest für einen Teil eines Zyklus (t z ) ermittelt ist, daß der ge­ pulste Primärelektronenstrahl (13) anschließend zu mindestens einer zweiten Meßstelle (P 2) springt, an der ebenfalls der zeit­ liche Potentialverlauf (V 2) durch Verschiebung der Phasenlage (Φ 1 bis Φ 4) der Pulse (E p ) des Elektronenstrahles (13) bezüg­ lich dieses zeitlichen Potentialverlaufes (V 2) zumindest für einen Teil des Zyklus (t z ) ermitelt ist, daß dieser Meßvorgang an allen Meßstellen (P 1 bis P 4) periodisch wiederholt wird und daß die an den verschiedenen Meßstellen (P 1 bis P 4) ermittelten zeitlichen Potentialverläufe (V 1 bis V 4) gleichzeitig darge­ stellt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der zeitliche Potentialverlauf an einer Meßstelle (P 1) jeweils als zeitliches Be­ zugssignal für den zeitlichen Potentialverlauf an den weiteren Meßstellen (P 2 bis P 4) verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Phasenlage (Φ 1 bis Φ 4) der Pulse (E p ) des Primärelektronenstrahles (13) über einen innerhalb des Zyklus (t z ) liegenden Phasen­ bereich geschoben wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Phasenbereich, über den die Phasenlage (Φ 1 bis Φ 4) der Pulse (E p ) des Primärelektro­ nenstrahles (13) geschoben wird, sich über mehrere Zyk­ len (t z ) erstreckt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der zeitliche Abstand der Pulse (E p ) des Primärelektronenstrahls (13) mehreren Zyklen (t z ) des Potentialverlaufes (V 1 bis V 4) beträgt.
6. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach An­ spruch 1 mit einem Rasterelektronenmikroskop, das mit einer Tasteinrichtung und einer Ablenkung für den Primär­ elektronenstrahl versehen ist und dem ein Spektrometer zur Energiemessung der Sekundärelektronen zugeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Rastergenerator (60) für die Ablenkung (10) zur Einstel­ lung des Primärelektronenstrahls (13) auf verschiedene Meßstellen (P 1 bis P 4) und eine Steuereinrichtung für die Tasteinrichtung (8) zur Einstellung der Phasenlage (Φ) der Pulse (E p ) des Primärelektronenstrahls (13) in bezug auf den zeitlichen Potentialverlauf (V 1 bis V 4) mit einem gemeinsamen Steuergenerator (62) versehen sind, dessen Stufenspannungen (U 0 bis U 5) jeweils während eines Phasenschrittes (T Φ ) eine Phasenlage (Φ 1 bis Φ 4) der Pulse (E p ) des Primärelektronenstrahles (13) in bezug auf den zeitlichen Potentialverlauf (V 1 bis V 4) an den verschiedenen Meßstellen (P 1 bis P 4) bestimmen und der nach dem Durchlauf eines Phasenbereiches (T p ) ein Ausgangssignal (U p ) an den Rastergenerator (60) für die Ablenkung (10) zur Umschaltung auf eine andere Meßstelle (P 1 bis P 4) abgibt.
7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Verzögerungsgenerator (54), der Rastergenerator (60) und ein Bildschirm (40) digital steuerbar sind und als Steuergenerator (62) ein elektro­ nischer Rechner vorgesehen ist.
DE19782814049 1978-03-31 1978-03-31 Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens Granted DE2814049A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782814049 DE2814049A1 (de) 1978-03-31 1978-03-31 Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
US06/022,480 US4220853A (en) 1978-03-31 1979-03-21 Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and arrangement for implementing the method
GB7911291A GB2017941B (en) 1978-03-31 1979-03-30 Monitoring variable voltage with an electron beam
NL7902519A NL7902519A (nl) 1978-03-31 1979-03-30 Werkwijze voor het contactloos meten van het potenti- aalverloop in een electronische bouwsteen, en een in- richting voor het toepassen van een dergelijke werkwij- ze.
JP3830079A JPS54134569A (en) 1978-03-31 1979-03-30 Method of and device for measuring nonncontact potential elapse in electronic part

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782814049 DE2814049A1 (de) 1978-03-31 1978-03-31 Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2814049A1 DE2814049A1 (de) 1979-10-18
DE2814049C2 true DE2814049C2 (de) 1987-12-03

Family

ID=6035889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782814049 Granted DE2814049A1 (de) 1978-03-31 1978-03-31 Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4220853A (de)
JP (1) JPS54134569A (de)
DE (1) DE2814049A1 (de)
GB (1) GB2017941B (de)
NL (1) NL7902519A (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2903077C2 (de) * 1979-01-26 1986-07-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur berührungslosen Potentialmessung an einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE3036660A1 (de) * 1980-09-29 1982-05-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anordnung fuer stroboskopische potentialmessungen mit einem elektronenstrahl-messgeraet
DE3110140A1 (de) * 1981-03-16 1982-09-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung und verfahren fuer eine rasche interne logikpruefung an integrierten schaltungen
DE3110138A1 (de) * 1981-03-16 1982-09-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur darstellung logischer zustandsaenderungen mehrerer benachbarter schaltungsknoten in integrierten schaltungen in einem logikbild mittels einer gepulsten elektronensonde
DE3138929A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verbessertes sekundaerelektronen-spektrometer fuer die potentialmessung an einer probe mit einer elektronensonde
EP0087767B1 (de) * 1982-03-01 1988-01-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Stroboskopisches Rasterelektronenmikroskop
DE3407041A1 (de) * 1984-02-27 1985-09-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur automatischen einstellung des arbeitspunktes bei signalverlaufsmessungen mit korpuskularstrahl-messgeraeten
DE3407071A1 (de) * 1984-02-27 1985-08-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur automatischen einstellung der spannungsaufloesung in korpuskularstrahl-messgeraeten und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens
DE3519401A1 (de) * 1984-05-30 1985-12-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zur detektion und abbildung eines punktes einer probe, der ein signal wenigstens einer bestimmten frequenz fuehrt
DE3482769D1 (de) * 1984-05-30 1990-08-23 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zur detektion und abbildung eines messpunkts, der eine spannung wenigstens einer bestimmten frequenz fuehrt.
DE3428965A1 (de) * 1984-08-06 1986-02-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zur detektion und abbildung von messpunkten, die einen bestimmten signalverlauf aufweisen
US4733176A (en) * 1984-09-13 1988-03-22 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for locating defects in an electrical circuit with a light beam
EP0226913A3 (de) * 1985-12-17 1988-10-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Anordnung zur Lokalisierung und/oder Abbildung der ein bestimmtes zeitabhängiges Signal führenden Punkte einer Probe
US4843330A (en) * 1986-10-30 1989-06-27 International Business Machines Corporation Electron beam contactless testing system with grid bias switching
DE3866079D1 (de) * 1987-09-30 1991-12-12 Siemens Ag Automatische frequenznachfuehrung bei korpuskularstrahlmessverfahren unter anwendung eines modulierten primaerstrahls.
DE3738453A1 (de) * 1987-11-12 1989-08-03 Brust Hans Detlef Verfahren und anordnung zur messung des signalverlaufs an einem messpunkt einer probe
DE3829770A1 (de) * 1988-09-01 1990-04-19 Brust Hans Detlef Verfahren und anordnung zur asynchronen messung von signalverlaeufen
DE3917411A1 (de) * 1989-05-29 1990-12-06 Brust Hans Detlef Verfahren und anordnung zur schnellen spektralanalyse eines signals an einem oder mehreren messpunkten
DE3941889A1 (de) * 1989-12-19 1991-06-20 Integrated Circuit Testing Verfahren und vorrichtung zur potentialmessung auf leiterbahnen einer programmgesteuerten integrierten schaltung
US5258706A (en) * 1991-10-16 1993-11-02 Siemens Aktiengesellschaft Method for the recognition of testing errors in the test of microwirings
US6465965B2 (en) * 1998-07-23 2002-10-15 Lawrence Nelson Method and system for energy conversion using a screened-free-electron source
US6359451B1 (en) 2000-02-11 2002-03-19 Image Graphics Incorporated System for contactless testing of printed circuit boards
AU3354401A (en) 2000-02-14 2001-08-20 Eco 3 Max Inc. Process for removing volatile organic compounds from an air stream and apparatustherefor
JP4922962B2 (ja) * 2008-02-14 2012-04-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査方法及び検査装置
US20150028204A1 (en) * 2013-07-25 2015-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Inspection apparatus and inspection method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3531716A (en) * 1967-06-16 1970-09-29 Agency Ind Science Techn Method of testing an electronic device by use of an electron beam
US3549999A (en) * 1968-06-05 1970-12-22 Gen Electric Method and apparatus for testing circuits by measuring secondary emission electrons generated by electron beam bombardment of the pulsed circuit
JPS4823385A (de) * 1971-07-28 1973-03-26
US3956698A (en) * 1974-02-12 1976-05-11 Westinghouse Electric Corporation Contactless test method for integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
GB2017941B (en) 1982-10-06
JPS54134569A (en) 1979-10-19
US4220853A (en) 1980-09-02
NL7902519A (nl) 1979-10-02
DE2814049A1 (de) 1979-10-18
GB2017941A (en) 1979-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2814049C2 (de)
EP0014304B1 (de) Verfahren und Anordnung zur berührungslosen Potentialmessung an einem elektronischen Bauelement
DE2813947C2 (de) Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE2813948C2 (de)
DE2005682C3 (de) Vorrichtung zum Absaugen der Sekundärelektronen in einem Rasterelektronenmikroskop oder einem Elektronenstrahl-Mikroanalysator
DE1943140B2 (de) Verfahren zum analysieren des oberflaechenpotentials eines prueflings
EP0428663B1 (de) Verfahren und anordnung zur schnellen spektrumanalyse eines signals an einem oder mehreren messpunkten
DE69030835T2 (de) Photoelektronenmikroskop
DE2902495A1 (de) Einrichtung zur beruehrungslosen potentialmessung
DE2304159A1 (de) Ionen-mikroanalysator
DE3783766T2 (de) Atto-amperemessgeraet.
EP0226913A2 (de) Verfahren und Anordnung zur Lokalisierung und/oder Abbildung der ein bestimmtes zeitabhängiges Signal führenden Punkte einer Probe
DE2411841C3 (de) Auger-Elektronenspektrometer
EP0472938A2 (de) Anordnung zum Testen und Reparieren einer integrierten Schaltung
DE3829770A1 (de) Verfahren und anordnung zur asynchronen messung von signalverlaeufen
EP0310816B1 (de) Automatische Frequenznachführung bei Korpuskularstrahlmessverfahren unter Anwendung eines modulierten Primärstrahls
DE1946931A1 (de) Verfahren zum Pruefen von Schaltungen und Vorrichtung zur Ausfuehrung des Verfahrens
DE2440120A1 (de) Vorrichtung zur wiedergabe der energieverteilung eines aus geladenen teilchen bestehenden strahles
EP0232790A1 (de) Verfahren und Anordnung zur Messung zeitabhängiger Signale mit einer Korpuskularsonde
EP0395679B1 (de) Verfahren und anordnung zur messung des signalverlaufs an einem messpunkt einer probe
EP0570389B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur kontaktlosen messung elektrischer spannungen in einem messobjekt mit einer isolatoroberfläche
EP0200893A1 (de) Verfahren zur Hervorhebung eines Objektbereichs auf einer vom Primärstrahl eines Rastermikroskops abgetasteten Probenfläche und Anordnungen zur Durchführung desselben
EP0301254A2 (de) Spannungsmessung mit einer Elektronensonde durch Messungen im Frequenzbereich mittels eines modulierten Primärstrahls
DE2110220A1 (de) Einrichtung zum Nachweisen von Teilchen
DE2559209A1 (de) Verfahren zur automatischen feinjustierung eines elektronenstrahls in einer elektronenstrahlbearbeitungsanlage

Legal Events

Date Code Title Description
OAR Request for search filed
OC Search report available
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee