DE2807951A1 - Verfahren zum verwerten von elementares silicium enthaltendem reaktionsrueckstand - Google Patents

Verfahren zum verwerten von elementares silicium enthaltendem reaktionsrueckstand

Info

Publication number
DE2807951A1
DE2807951A1 DE19782807951 DE2807951A DE2807951A1 DE 2807951 A1 DE2807951 A1 DE 2807951A1 DE 19782807951 DE19782807951 DE 19782807951 DE 2807951 A DE2807951 A DE 2807951A DE 2807951 A1 DE2807951 A1 DE 2807951A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
reaction
reaction residue
halide
hydrocarbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19782807951
Other languages
English (en)
Other versions
DE2807951C2 (de
Inventor
Rudolf Dipl Chem Dr Riedle
Willi Streckel
Herbert Streussberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacker Chemie AG
Original Assignee
Wacker Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Chemie AG filed Critical Wacker Chemie AG
Priority to DE19782807951 priority Critical patent/DE2807951A1/de
Priority to US05/906,714 priority patent/US4224297A/en
Priority to GB7829122A priority patent/GB2002334B/en
Priority to FR7821156A priority patent/FR2398020A1/fr
Priority to BR7804578A priority patent/BR7804578A/pt
Priority to CA000307659A priority patent/CA1119380A/en
Priority to JP8825478A priority patent/JPS5424832A/ja
Publication of DE2807951A1 publication Critical patent/DE2807951A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2807951C2 publication Critical patent/DE2807951C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10763Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  • Verfähren zum Verwerten von
  • elementares Silicium enthaltendem Reaktionsrückstand Gegenstand von Patent 27 33 290 (Patentanmeldung P 27 33 290.7) ist ein Verfahren zum Verwerten von elementares Silicium enthaltendem Reaktionsrückstand, der in Form von Teilchen mit einem Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer von dem bei der Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium erhaltenen gasförmigen oder flüssigen Gut abgetrennt wurde, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Reaktionsrückstand mindestens 15 Stunden auf 100 bis 350 OC: an der Luft undZoder unter inertem Gas erhitzt und dann in die Umsetzung von Eohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium zuräckgeführt wird.
  • In weiterer Ausbildung dieses Gegenstandes wurde nun gefunden, daß der elementares Silicium enthaltende Reaktionsrückstand, der in Form von Teilchen mit einem Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer von dem bei der Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid erhaltenen gasförmigen oder flüssigen Gut abgetrennt und dann mindestens 15 stunden auf 100 bis 350 OG an der Luft und/oder unter inertem Gas erhitzt wurde, auch in die Umsetzung von HCl und gegebenenfalls Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium eingeführt werden kann und dabei ausgezeichnete Ausbeuten von z.B. Trichlorsilan erhalten werden.
  • Gegenstand der Erfindung ist daher eine Abänderung des Verfahrens zum Verwerten von elementares Silicium enthaltendem Reaktionsrückstand, der in Form von Teilchen mit einem Durch messer von höchstens 50 Mikrometer von dem bei der Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium erhaltenen gasförmigen oder flüssigen Gut abgetrennt wurde, wonach dieser Reaktionsrückstand mindestens 15 Stunden auf 100 bis 350 0 an der Luft und/oder unter inertem Gas erhitzt und dann in die Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium zurückgeführt wird nach Patent 27 33 290 (Patentanmeldung P 27 33 29Q.7), dadurch gekennzeichnet, daß anstelle einer Zuräckführung des Rückstandes in die Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium eine Einführung des Rückstandes in die Umsetzung von HCl oder eines Gemisches aus HCl und Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium erfolgt Die Halogenatome in den vorstehend erwähnten Eohlenwasserstoffhalogeniden können Fluor, Chlor, Brom oder Jod sein, Wegen der leichten Zugänglichkeit ist Chlor bevorzugt Die Kohlenwasserstoffreste in den vorstehend erwähnten Kohlen wasserstoffhalogeniden können Alkylreste, z 0B der Methyl oder Äthylrest, Cycloalkyl-, Alkenyl , Oycloalkenyl-, Alkinyl-Arylreste, z.Bo der Phenylrest, Aralkyl- oder Alkarylreste sein, Wieder wegen der leichten Zugänglichkeit ist der Methylrest bevorzugt.
  • Das bei der Umsetzung mit Kohlenwasserstoffhalogenid eingesetzte Silicium ist meist mit Eisen legiert und enthält legiert oder im Gemisch Metalle bzw. MetallverbindungenX welche die Umsetzung des Siliciums mit Kohlenwasserstoffhalogenid fördern und in eine erwünschte Richtung lenken. Beispiele für solche weiteren Metalle bzw. Metallverbindungen sind Kupfer, Zinkchlorid und Zirkoniumchloride. Deshalb enthält der Reaktionsrückstand, der erfindungsgemäß verwertet wird, außer elementarem Silicium und Kohlenstoff, der durch Zersetzung von Sohlenwasserstoffhalogenid bzw. von bei der Umsetzung von Eohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium gebildetem Produkt entsteht, z.B. Kupfer und Eisen, teilweise in. Form von flüchtigen Chloriden.
  • Die Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid, insbesondere Methylchlorid, mit Silicium wird, wie übrigens auch die Umsetzung von HCl oder eines Gemisches aus HCl und Eohlerlwasserstoffhalogenid mit Silicium, vorzugsweise als Wirbelschichtverfähren durchgeführt, z.B. um eine möglichst genaue Regelung der Temperatur zu ermöglichen, Das Abtrennen des Reaktionsrückstandes, der erfindungsgemäß verwertet wird, von dem bei der Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium erhaltenen gasSörmigen Gut kann z.Ba durch Fliehkraftabscheidung, also mittels eines sogenannten Zy klons erfolgen. Das Abtrennen des Reaktto»srückstanCes', der erfindungsgemäß verwertet wird, von dem bei der Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium nach Kondensieren erhaltenen flüssigen Gut kann z.B. durch Filtrieren erfolgen.
  • Vorzugsweise wird der Reaktionsrückstand nach dem Abtrennen von gasförmigem bzw. flüssigem Gut und seiner erfindungsgemäßen Weiterverwendung 20 bis. 80 Stunden erhitzt.
  • Die bei dem Erhitzen des Reaktionsrückstandes zwischen Abtrennen von gasförmigem bzw. flüssigem Gut und erfindungsgemäßer Weit'erverwendung angewandten Temperaturen betragen vorzugsweise 100 bis 200 °C.
  • Wegen der leichten Zugänglichkeit ist als inertes Gas, also als Gas, das mit dem Reaktionsrückstand, der erfindungsgemäß verwertet wird, bei den bei dem erfindungsgemäßen Verfahren angewandten Temperaturen nicht reagiert, Stickstoff bevorzugt.
  • Weil-dies den geringsten Aufwand erfordert, wird das erfin dungsgemäße Verfahren vorzugsweise beim Druck der umgebenden Atmosphäre, also bei 760 mm Hg (abs) oder etwa 760 mm Hg (abs durchgeführtO Falls erwünscht, können aber auch höhere oder niedrigere Drücke angewendet werden.
  • Falls erwünscht, kann der Reaktionsrückstand, der erfindungsgemäß verwertet wird, im Gemisch mit anderem elementares Silicium enthaltenden Abfall in Form von Teilchen mit einem Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer bei der Umsetzung von HCl oder eines Gemisches aus HOl und Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium eingesetzt werden Beispiele für solche anderen Abfälle sind solche aus der Aufarbeitung von anderem Reaktionsrückstand der Umsetzung von Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium, zB. der Aufarbeitung, bei der das Kupfer aus verbrauc ter Silicium und Kupfer enthaltender Kontaktmasse laedergewonnen wurde, wobei solche Abfälle noch Wasser enthalten können, und elementares Silicium enthaltende Teilchen mit einem Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer aus der pneumatischen För dereinrichtung oder die unerwünscht feinen Teilchen, welche einen Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer aufweisen und bei der Herstellung von körnigem Silicium durch zahlen für die Organohalogen- oder Trichlorsilansynthese nach dem Wirbelschichtverfahren als Nebenprodukt anfallen Beispiel 60 g Reaktionsrückstand, der in Form von Teilchen mit einem Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer mittels eines Zyklons von dem bei der Umsetzung von Methylchlorid mit Silicium erhaltenen gasförmigen Gut abgetrennt wurde und elementares Silicium enthält, werden 70 Stunden an der Luft auf 120 bis 140 0C erhitzt und dann zusammen mit 60 g der unerwünscht feinen Teilchen, die bei der Herstellung des körnigen Siliciums durch Mahlen für die Organohalogen- oder Trichlorsilansynthese nach dem Wirbelschichtverfahren als Nebenprodukt anfallen und einen Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer aufweisen, in ein senkrechtes Glasrohrsgegeben. Dort wird das Pulver unter Aufwirbeln mittels mechanischer Rührer auf 320 °C erhitzt, währendvon unten durch eine Filterplatte aus gesintertem Glas 460 g HC1 innerhalb von 4 Stunden durch das Pulver geleitet werden. Das aus dem Glasrohr oben austretende gasförmige Silangemisch wird kondensiert, gewogen und gaschromatographisch analysierte Es werden folgende Ergebnisse erhalten:
    Gesamtmenge an Chlorsilan SiCl4 SiHClw SiH2Cl2
    400 g 4,9 Gew.-% 95,0 Gew.-% 0,1 Gew.-%

Claims (1)

  1. Patentansprüche 1. Abänderung des Verfahrens zum Verwerten von elementares Silicium enthaltendem Reaktionsrückstand, der in Form von Teilchen mit einem Durchmesser von höchstens 50 Mio krometer von dem bei der Umsetzung von Kohlenwasserstoff halogenid mit Silicium erhaltenen gasförmigen oder flüssigen Gut abgetrennt wurden wonach dieser Reaktionsrückstand mindestens 15 Stunden auf 100 bis 350 0C an der Luft und/oder inertem Gas erhitzt und dann in die Umsetzung von KohlenwasserstofShalogenid mit Silicium zurück geführt wird nach Patent 27 33 290 (Patentanmeldung P 27 33 290.7), d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t 9 daß anstelle einer Zurückführung des Reaktionsrückstandes in die Umsetzung von Xohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium eine Einführung des Reaktionsrückstandes in die Umsetzung von HCl oder eines Gemisches aus RCl und Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium erfolgt.
    2a Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n ^ z e i c h n e t 9 daß der Reaktionsrückstand im Gemisch mit anderem elementares Silicium enthaltenden Abfall in Form von Teilchen mit einem Durchmesser von höchstens 50 Mikrometer bei der Umsetzung von HCl oder eines Gemisches aus RCl und Kohlenwasserstoffhalogenid mit Silicium eingesetzt wird.
DE19782807951 1977-07-22 1978-02-24 Verfahren zum verwerten von elementares silicium enthaltendem reaktionsrueckstand Granted DE2807951A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782807951 DE2807951A1 (de) 1978-02-24 1978-02-24 Verfahren zum verwerten von elementares silicium enthaltendem reaktionsrueckstand
US05/906,714 US4224297A (en) 1977-07-22 1978-05-17 Method for reactivating a residue containing elemental silicon
GB7829122A GB2002334B (en) 1977-07-22 1978-07-07 Treatment of reaction residue containing elemental silicon treated reaction residue and process for its reuse
FR7821156A FR2398020A1 (fr) 1977-07-22 1978-07-17 Procede pour valoriser des residus de reaction contenant du silicium elementaire
BR7804578A BR7804578A (pt) 1977-07-22 1978-07-17 Processo para o aproveitamento de residuo de reacao contendo silicio elementar
CA000307659A CA1119380A (en) 1977-07-22 1978-07-19 Method for utilizing a residue containing elemental silicon
JP8825478A JPS5424832A (en) 1977-07-22 1978-07-19 Reusing method of reaction residue containing elemental silicon

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782807951 DE2807951A1 (de) 1978-02-24 1978-02-24 Verfahren zum verwerten von elementares silicium enthaltendem reaktionsrueckstand

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2807951A1 true DE2807951A1 (de) 1979-08-30
DE2807951C2 DE2807951C2 (de) 1987-07-02

Family

ID=6032829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782807951 Granted DE2807951A1 (de) 1977-07-22 1978-02-24 Verfahren zum verwerten von elementares silicium enthaltendem reaktionsrueckstand

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2807951A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4390510A (en) 1982-02-16 1983-06-28 General Electric Company Process for treating spent silicon-containing reaction masses to produce halosilanes
WO2010127669A1 (de) * 2009-05-04 2010-11-11 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur aufbereitung von sägeabfällen zur rückgewinnung von silizium für die herstellung von solarsilizium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
In Betracht gezogenes älteres Patent: DE-PS 27 33 290 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4390510A (en) 1982-02-16 1983-06-28 General Electric Company Process for treating spent silicon-containing reaction masses to produce halosilanes
WO2010127669A1 (de) * 2009-05-04 2010-11-11 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur aufbereitung von sägeabfällen zur rückgewinnung von silizium für die herstellung von solarsilizium

Also Published As

Publication number Publication date
DE2807951C2 (de) 1987-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0600266B1 (de) Verfahren zur Herstellung von SiH-Gruppen aufweisenden Organopolysiloxanen
DD232278A5 (de) Verfahren zur herstellung von alkylhalogensilanen
DE102015210762A1 (de) Verfahren zur Aufarbeitung von mit Kohlenstoffverbindungen verunreinigten Chlorsilanen oder Chlorsilangemischen
EP0155626B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dimethyldichlorsilan
EP1179534B1 (de) Verfahren zum Aufarbeiten von Rückständen der Direktsynthese von Organochlorsilanen
EP0519181B1 (de) Verfahren zur Herstellung von 3-Chlorpropylsilanen
EP1505070B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen
DE60013971T2 (de) Umsetzung von hochsiedenden Rückständen der Direktsynthese in Monosilane
DE936445C (de) Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
EP1707569B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
DE2807951A1 (de) Verfahren zum verwerten von elementares silicium enthaltendem reaktionsrueckstand
EP0963991B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Organochlorsilanen
DE3425424C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
DE4205980C2 (de) Verfahren zur Aufarbeitung fester, metallhaltiger Rückstände der Direkten Synthese von Organochlor - und/oder Chlorsilanen
EP0416406A2 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
WO2011051133A1 (de) Verfahren zur herstellung von organosilanen
DE3436381C2 (de)
DE10126558C1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silanen
EP0759438A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dimethyldichlorsilan
DE19816149C1 (de) Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
DE4312494A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
DE2733290C2 (de) Verfahren zum Verwerten von elementares Silicium enthaltendem Reaktionsrückstand
DE1243193B (de) Verfahren zur Gewinnung von Dimethylchlorsilan
DE102004046181A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
DE19828258B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen mit einer reaktivierten Kontaktmasse, die aus der Herstellung von Alkylhalogensilanen stammt

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8176 Proceedings suspended because of application no:

Ref document number: 2733290

Country of ref document: DE

Format of ref document f/p: P

AF Is addition to no.

Ref country code: DE

Ref document number: 2733290

Format of ref document f/p: P

8178 Suspension cancelled
AF Is addition to no.

Ref country code: DE

Ref document number: 2733290

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8340 Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent