DE2757498A1 - Kontinuierlich arbeitende gasplasma- aetzvorrichtung - Google Patents

Kontinuierlich arbeitende gasplasma- aetzvorrichtung

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Description

Henkel, Kern, Feiler fr Hänzel Patentanwälte Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. D-8CWOMünchen80 Kawasaki-shi, Japan Tel · 089/982085-87
—————————————— Te|ex. 0529802 hnkld
Telegramme: ellipsoid
Kontinuierlich arbeitende Gasplasma-Ätzvorrichtung
Die Erfindung betrifft eine kontinuierlich arbeitende Gasplasma-Ätzvorrichtung.
Anstelle des bisher üblichen Ätzverfahrens unter Verwendung einer nassen bzw. wässrigen Lösung ist in jüngster Zeit ein Ätzverfahren mittels eines Gasplasmas, etwa CF^, zur Anwendung gelangt. Dieses Ätzverfahren eignet sich für das Ätzen von Filmen bzw. Schichten aus polykristallinem Silizium, Siliziumdioxid und Siliziumnitrid bei der Herstellung von Halbleitervorrichtunge, etwa integrierten Schaltkreisen (ICs), sowie für das Veraschen von Photowiderstandsmaterialien (photoresists). Dieses Gasplasma-Ätzverfahren gewährleistet gegenüber dem chemischen Naßätzen verschiedene Vorteile, nämlich leichtere Arbeitsweise, höhere Zuverlässigkeit und Vermeidung von Umweltbelastungen.
Vorrichtungen zur Durchführung dieses Gasplasma-Ätzens bestehen im allgemeinen aus einer zylindrischen Quarz-Reaktionskammer mit einer um deren Außenfläche herumgewickelten Hochfrequenzspule, wobei das Ätzen von Poly-Silizium (poly-Si) und dgl. im Inneren der Reaktionskammer mittels eines Gas-
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plasmas erfolgt, das dadurch erzeugt wird, daß ein in die (druck-)reduzierte Reaktionskammer eingeführtes Gas mit Hochfrequenzenergie beaufschlagt wird. Dies bedeutet, daß die Erzeugung des Gasplasmas und das Ätzen der Werkstücke bisher an ein und derselben stelle stattfanden. Bei diesen Vorrichtungen ist jedoch die Größe der Reaktionskammer beschränkt, so daß die Zahl der gleichzeitig zu behandelnden Werkstücke nicht vergrößert werden kann. Weiterhin erfolgen die Plasmaerzeugung und das Ätzen der Werkstücke am gleichen Ort, so daß die Werkstücke durch das Plasma ziemlich beschädigt werden können oder die Beobachtung des Innenraums der Reaktionskammer durch die in ihrem Inneren stattfindende Emission verhindert wird.
Diese Schwierigkeiten sind dadurch ausgeräumt worden, daß als Speisegas ein Mischgas aus praktisch äquivalenten Mengen von CF. und O2 verwendet, das Mischgas in eine Plasmaerzeugungskammer eingeleitet, mittels in der Kammer angeordneter Parallelplattenelektroden oder Hochfrequenzspulen eine Hochfrequenzenergie (an das Gas) angelegt und dadurch ein Ätzgas langer Lebensdauer erzeugt und sodann Poly-Silizium und dgl. in der praktisch von der Plasmaerzeugungskammer getrennten Reaktionskammer geätzt wird. Diese Gasplasma-Ätzvorrichtungen mit von der Reaktionskammer getrennter Plasmaerzeugungskammer sind jedoch chargenweise arbeitende und manuell bedienbare Vorrichtungen, und es ist bisher noch keine derartige Vorrichtung vorgeschlagen worden, die ein kontinuierliches und automatisches Ätzen ermöglichen würde.
Aufgabe der Erfindung ist damit die Schaffung einer Gasplasma-Ätzvorrichtung mit getrennt angeordneter Plasmaerzeugungskammer und Reaktionskammer, mit welcher Werkstücke kontinuierlich und automatisch geätzt werden können.
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Diese Aufgabe wird bei einer kontinuierlich arbeitenden Gasplasma-Ätzvorrichtung der genannten Art erfindungsgemäß gelöst durch eine Reaktionskammer mit einem Einlaß und einem Auslaß, durch einen in einem Abstand von der Reaktionskammer angeordneten Aktivierabschnitt, durch einen Verteiler zur gleichmäßigen Beschickung der Reaktionskammer mit einem im Aktivierabschnitt aktivierten Gas, durch eine Absaugeinrichtung zum Absaugen des Gases aus der Reaktionskammer über mehrere Gasauslässe, durch einen innerhalb der Reaktionskammer angeordneten Förderer zur Förderung von Werkstücken vom Einlaß zum Auslaß, durch eine an der Einlaßseite der Reaktbnskammer angeordnete Zuführkammer zur Aufnahme der Werkstücke, durch eine Werkstück-Vorschubeinrichtung zur Aufgabe der Werkstücke aus der Zuführkammer auf den Förderer durch den Einlaß hindurch, durch einen Verschluß zum Öffnen und Schließen des Einlasses, durch eine an der Auslaßseite der Reaktionskammer angeordnete Aufnahmekammer zur Aufnahme der in der Reaktionskammer mit dem aktivierten Gas behandelten Werkstück, durch eine Austrag« einrichtung zur Einführung der in der Reaktionskammer behandelten Werkstücke in die Aufnahmekammer über den Auslaß und durch einen zweiten Verschluß zum öffnen und Schließen des Auslasses.
Im folgenden ist eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer kontinuierlich arbeitenden Gasplasma-Ätzvorrichtung mit Merkmalen nach der Erfindung,
Fig. 2 eine in vergrößertem Maßstab gehaltene Schnittansicht des Hauptteils der Vorrichtung nach Fig. 1 und
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Fig. 3 eine perspektivische Darstellung des Förderers und des Düsenrohrs der Vorrichtung nach Fig. 1.
Fig. 1 zeigt in perspektivischer Darstellung eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Gasplasma-Ätzvorrichtung. Gemäß Fig. 1 wird ein CF^ und O2 enthaltendes Reaktionsgas von einer Reaktionsgas-Speisekammer 1 über eine Leitung 2 in ein Quarzrohr 4 an einem Aktivierabschnitt 3 eingeleitet. Eine Plasmaentladung wird mittels an den Aktivierabschnitt angelegter Mikrowellenenergie erreicht, wodurch das Reaktions· gas aktiviert wird. Die Reaktionsgas-Speisekammer 1 ist mit CF^-, O2- und N2-GaSflaschen verbunden, während die durch einen Mikrowellenoszillator 5 erzeugte Mikrowellenenergie mittels eines Wellenleiters 6 an den Aktivierabschnitt 3 angelegt wird.
Das im Aktivierabschnitt 3 aktivierte Gas wird über eine Aktivgas-Leitung 7 und eine Verteilerleitung 8, die einen Gasverteiler bildet, in eine Reaktionskammer 9 eingeleitet. Mittels des aktivierten Gases werden in der Reaktionskammer
9 Werkstücke, beispielsweise Halbleiterplätteheη bzw. -scheiben geätzt. Das Gas wird sodann aus der Reaktionskammer 9 mittels einer mechanischen Förderpumpe 10 und einer Kreiselpumpe 12 ausgetragen. Zwischen der mechanischen Förderpumpe
10 und der Kreiselpumpe 12 befindet sich eine ölfalle bzw. ein Ölabscheider 11.
Die zu behandelnden Werkstücke, d.h. Halbleiterplättcheη werden zunächst in eine Eingabe- oder Zuführkammer 13 eingebracht und dann in die Reaktionskammer 9 überführt. Das Einbringen der Halbleiterplättcheη in die Zuführkammer 13 kann durch Öffnen einer Träger-Ladeklappe 14 und anschließendes Einbringen eines mit einer Anzahl von Halbleiterplättchen beladenen Trägers in die Zuführkammer 13 erfolgen. Die in der
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Reaktionskammer 9 behandelten Halbleiterplättchen werden zu einem Träger in einer Aufnahmekammer 15 überführt, worauf der Träger über eine Aus tragklappe 16 entnommen wird.
Die genannten Arbeitsgänge werden durch eine Steuereinheit
17 automatisch gesteuert. Der Gaskontaktbereich am Aktivierabschnitt 3 besteht aus Quarz, so daß er die Mikrowellenenergie übertragen kann. Die mit dem aktivierten Gas in Berührung stehenden Teile, nämlich die Aktivgasleitung 7, das Verteilerrohr 8, ein DUsenrohr 27 und die Reaktionskammer 9, sollten vorzugsweise aus einem Fluorid, wie Teflon (Polytetrafluorethylen) bestehen oder damit beschichtet sein, um eine Korrosion durch das aktivierte Gas zu vermeiden.
Fig· 2 ist eine vergrößerte Schnittansicht des im folgenden zu beschreibenden Hauptteils der Vorrichtung nach Fig. 1.
Gemäß Fig. 2 ist die Reaktionskammer 9 mit einem eingebauten Förderer 18 versehen, der sich von der Nähe eines Plättcheneinlasses 32 bis in die Nähe eines Auslasses 33 erstreckt. Gemäß Fig. 3, welche den Aufbau dieses Förderers 18 näher veranschaulicht, ist ein endloses Förderband 22 um ein Kettenzahnrad 19 und Bandrollen 20 und 21 herumgelegt. Die Zähne 24 des Kettenzahnrads 19 greifen in Perforationen 25 des Förderbands 22 ein, wobei das Förderband 22 durch einen das Kettenzahnrad 19 antreibenden Motor 23 in Drehung versetzbar ist. Das Förderband 22 ist mit Poren bzw. Perforationen 26 zur Ermöglichung einer Umwälzung des aktivierten Gases versehen.
Innerhalb der Reaktionskammer 9 ist oberhalb des Förderbands
18 praktisch parallel zu diesem das DUsenrohr 27 angeordnet, das mit einer Vielzahl von Düsenöffnungen 28 versehen ist, welche den vom Förderband 18 getragenen Halbleiterplättchen
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29 zugewandt sind. Im Bodenbereich der Reaktionskammer 9 sind längs des unteren Trums des Förderbands 18 mehrere Gasauslässe 30 vorgesehen, die über einen Abgassammler 31 mit einer Gasabsaugeinrichtung verbunden sind. Der Abgassammler 31 ist außerdem mit der Zuführkammer 13 und der Aufnahmekammer 15 verbunden.
Die Reaktionskammer 9 ist mit der Zuführkammer 13 über den Plättcheneinlaß 32 und mit der Aufnahmekammer 15 über den Plättchenauslaß 33 verbunden. In der Zuführkammer 13 ist ein Träger 34, der eine Anzahl von Halbleiterplättchen trägt, auf einen Trägersockel 35 aufgesetzt, der mittels einer durch einen Motor 36 in Drehung versetzbaren Schraubspindel 37 aufwärts und abwärts bewegbar ist. Weiterhin ist die Zuführkammer 13 mit einem durch einen Druckluftzylinder 38 hin- und hergehend verschiebbaren Plättchenschieber 39 versehen, durch den die vom Träger 34 getragenen Halbleiterplättchen 29 in die Reaktionskammer 9 einschiebbar sind. Weiterhin ist die Zuführkammer 13 mit einem Verschluß 43 ausgestattet, der durch einen Druckluftzylinder hin- und hergehend verschiebbar ist. Der Verschluß 43 ist mit dem Druckluftzylinder 40 über eine von einem Balgen 41 umschlossene Stange verbunden. Der Verschluß 43 vermag dabei den Plättcheneinlaß 32 nicht vollständig zu verschließen, vielmehr läßt er einen Spalt in der Größenordnung von 1 mm frei. Die Innenfläche der Seitenwände des Trägers 34 ist in regelmäßigen Abständen mit Nuten versehen, in welche die Plä-ttchen 9 eingeschoben sind. In der Rückseite des Trägers 34 sind jeweils in Höhe der betreffenden Plättchen Bohrungen vorgesehen, durch welche hindurch der Plättchenschieber 39 in den Träger einführbar ist, um die einzelnen Halbleiterplättchen durch den Einlaß 32 hindurch auf den Förderer 18 in der Reaktionskammer 9 auszustoßen. Die Halbleiterplättchen werden hierbei durch lotrechte Verschiebung des Trägersockels
nacheinander auf den Förderer 18 aufgegeben. An der Vorderseite des Einlasses 32 befindet sich ein Photofühler 44 zur Überwachung der Halbleiterplättchenzufuhr.
Innerhalb der Aufnahmekammer 15 1st ein Träger 54 zur Aufnahme der in der Reaktionskammer 9 behandelten Halbleiterplättchen auf einem Trägersockel 45 montiert, der mit Hilfe einer durch einen Motor 46 angetriebenen Schraubspindel 47 auf dieselbe Weise aufwärts- und abwärtsbewegbar ist wie der Trägersockel 35 in der Zuführkammer 13. Der Trägersockel 45 ist jedoch schräg geneigt. Ebenso wie die Zuführkammer 13 ist auch die Aufnahmekammer 15 mit einem Verschluß 51 zum Öffnen und Verschließen des Auslasses 33 versehen. Dieser Verschluß 51 wird durch einen Druckluftzylinder 48 über eine von einem Balgen 49 umgebene Stange 50 betätigt. Ebenso wie der Verschluß 43 vermag der Verschluß 51 den Plättchenauslaß 33 nicht vollständig, sondern nur bis zu einem Schlitz von etwa 1 mm Breite zu verschließen. In der Nähe des Auslasses 33 ist eine schräge Führungsplatte 52 vorgesehen, um die in der Reaktionskammer 9 behandelten Halbleiterplättchen 55 in den Träger 54 einzuführen. Diese Führungsplatte 52 ist vorzugsweise unter einem Winkel von 30° gegenüber der Waagerechten geneigt. Die Führungsplatte 52 ist dabei z.B. mit einem Schlitz versehen. Zwei Elemente eines Photofühlers 53 zur Feststellung des Vorbeilaufs der Halbleiterplättchen 55 sind über diesen Schlitz aufeinander ausgerichtet.
Im folgenden ist die Arbeitsweise der kontinuierlich arbeitenden Gasplasma-Ätzvorrichtung mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau erläutert.
Zunächst werden ein Träger 34, der eine Anzahl von unbehandelten Halbleiterplättchen 29 trägt, nach dem öffnen der Ladeklappe 14 der Zuführkammer 13 auf den Trägersockel 35 aufgesetzt, ein leerer Träger 54 nach dem öffnen der Ladeklappe
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der Aufnahmekämmer 15 auf seinen Trägersockel 45 aufgesetzt und sodann die betreffenden Ladeklappen 14 und 16 geschlossen. Nach dem Drücken eines Startschalters der Steuereinheit 17 können sodann alle Arbeitsgänge für die Ätzbehandlung der Halbleiterplättchen automatisch wie folgt durchgeführt werden. Zunächst werden die Kreiselpumpe 12 und die mechanische Förderpumpe 10 betätigt, um die in der Reaktionskammer 9, in der Zuführkammer und in der Aufnahmekammer herrschenden Drücke
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auf etwa 10 bis 10 Torr einzustellen. Hierauf werden die Druckluftzylinder 40 und 48 zum öffnen der Verschlüsse 43 bzw. 51 automatisch betätigt. Die Verschlüsse 43 und 51 sollen dabei einen Eintritt des aktivierten Gases in die Zuführkammer 13 bzw. in die Aufnahmekammer 15 verhindern. Wenn die Verschlüsse 43 und 51 geöffnet werden, verschiebt der Motor 36 automatisch den Träger 34 durch Drehen der Schraubspindel 37, um dann anzuhalten, wenn der Träger 34 eine vorbestimmte Stellung erreicht hat. Anschließend schiebt der Plättchenschieber 39 eines der Halbleiterplättchen aus dem Träger 34 auf dem Förderer hinaus. Wenn der Photofühler 44 den Vorbeilauf des Halbleiterplättchens 29 feststellt und der Plättchenschieber 39 in seine Ausgangsstellung zurückgekehrt ist, wird das Förderband 22 des Förderers 18 über einen Vorschubschritt durch den Motor 23 weiterbewegt, um ein Halbleiterplättchen einzubringen und anschließend anzuhalten. Durch Wiederholung der Arbeitsgänge des Verschiebens des Trägers, des Einschiebens der Halbleiterplättchen 29 mittels des Plättchenschiebers 39 und des schrittweisen Vorschubs des Förderbands 22 kann somit eine vorgeschriebene Zahl von Halbleiterplättchen 29 in vorgegebener Folge auf den Förderer 18 aufgebracht werden. Hierauf werden die Verschlüsse 43 und 51 geschlossen, worauf das Reaktionsgas über die Leitung 2 aus der Reaktions-Speisekammer 1 zum Aktivierabschnitt 3 zu strömen beginnt. Der Mikrowellenoszillator 5 beginnt einige Sekunden nach dem Einsetzen des Reaktionsgasstroms zu
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arbeiten, um über den Wellenleiter 6 Mikrowellenenergie an den Aktivierabschnitt 3 anzulegen und dadurch das Reaktionsgas innerhalb des Aktivierabschnitts 3 zu aktivieren. Das aktivierte Gas wird dann über den Verteiler 8 und das Düsenrohr 29 in die Reaktionskammer 9 eingeleitet. Der Austrag des aktivierten Gases aus der Reaktionskammer 9 erfolgt nach dem Ätzen der auf dem Förderer 18 befindlichen Halbleiterplättchen 29 mittels der mechanischen Förderpumpe 10 und der Kreiselpumpe 12.
Die Zeitspanne vom Beginn bis zum Ende des Ätzvorgangs wird z.B. mittels eines Zeitgebers eingestellt. Die Zuführung des Reaktionsgases und die Anlegung der Mikrowellenenergie werden nach dieser eingestellten Zeitspanne beendet, worauf die Verschlüsse 43 und 51 geöffnet werden. Danach bewegt sich der Förderer 18 um einen Förderschritt, wobei das geätzte Halbleiterplättchen 55 aus dem Plättchenauslaß 33 über die Führungsplatte 52 in den Träger 54 hineinrutscht. Gleichzeitig werden Halbleiterplättchen 29 von der Zuführkammer 13 durch den Schieber 39 auf den Förderer 18 aufgegeben. Nach Durchführung einer vorbestimmten Zahl dieser Arbeitsgänge werden die behandelten Plättchen 55 in der Reaktionskammer 9 durch unbehandelte Halbleiterplättchen 29 ersetzt. Dies geschieht selbstverständlich durch Abwärtsverlagerung der Träger 34 und 54, den schrittweisen Vorschub des Förderers 18 und durch Bestimmung der einzelnen Halbleiterplättchen mittels der Photofühler 44 und 53 an Jedem weitergeförderten Plättchen.
Wenn die Halbleiterplättchen ausgewechselt und die Verschlüsse 43 und 51 geschlossen worden sind, wird wiederum aktiviertes Gas in die Reaktionskammer 9 eingeleitet, worauf sich dieselben Arbeitsgänge wiederholen. Wenn sodann sämtliche Halbleiterplättchen 29 vom Träger 34 geätzt und vom Träger 54 aufgenommen worden sind, wird mit N2-GaS das Rest-
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gas in der Vorrichtung verdrängt und danach die Absauganlage abgeschaltet, um in der Vorrichtung Atmosphärendruck herzustellen. Hierauf sind sämtliche Arbeitsgänge abgeschlossen.
Bei der vorstehend beschriebenen Gasplasma-Ätzvorrichtung gemäß der Erfindung kann die Bedienungsperson, mit Ausnahme des Auswechselns der Träger 34 und 54, das Halbleiterplättchen-Ätzverfahren vollautomatisch ablaufen lassen. Da das über den Verteiler 8 aufgeteilte aktivierte Gas aus der Düsenöffnung 28 des Düsenrohrs 27 in die Reaktionskammer eingeblasen und über eine Anzahl von Auslässen 30 durch die Perforationen 26 des Förderbands 22 hindurch ausgetragen wird, kann es unter Gewährleistung eines gleichmäßigen Ätzens aller Halbleiterplättchen gleichmäßig in der Reaktionskammer 9 verteilt werden.
Obgleich vorstehend nur eine spezielle Ausführungsform der Erfindung beschrieben ist, ist die Erfindung keineswegs hierauf beschränkt. Beispielsweise kann auf den Verteiler 8 verzichtet und das aktivierte Gas unmittelbar von der Aktivgas-Leitung her in das Düsenrohr 27 eingeleitet werden. Außerdem kann eine gleichmäßige Verteilung des aktivierten Gases dadurch erreicht werden, daß die DUsenöffnungen im Mittelbereich des Düsenrohrs 27 auf größere Abstände verteilt oder mit kleineren Durchmessern ausgelegt werden, während an den beiden Endabschnitten des Düsenrohrs 27 eine größere Zahl von Düsenöffnungen oder DUsenöffnungen mit größerem Durchmesser vorgesehen werden. Weiterhin kann anstelle des breiten Förderbands 22 mit einer Vielzahl von Perforationen 26 eine Anzahl von nebeneinander verlaufenden Förderbändern auf Band- bzw. Riemenscheiben angeordnet werden, wobei das Ätzgas vorteilhaft durch die Zwischenräume zwischen diesen Förderbändern hindurchzutreten vermag. Ge-
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nauer gesagt: das verwendete Förderband kann von beliebiger Art sein, vorausgesetzt, daß es das Ätzgas hindurchtreten läßt. Das Förderband sollte vorzugsweise aus mit Teflon beschichtetem rostfreiem Stahl bestehen.
Obgleich der Plättchenschieber 39 sowie die Verschlüsse 43 und 51 bei der beschriebenen AusfUhrungsform durch Druckluftzylinder 38, 40 bzw. 48 betätigt werden, können diese Elemente auch durch Elektromotoren aktiviert werden. Anstatt durch den Plättchenschieber 39, können die Halbleiterplättchen 29 aus der Zuführkammer 13 auch mit Hilfe eines in dieser Kammer 13 angeordneten, mit Ringen besetzten Förderbands in die Reaktionskammer 9 einge-führt werden. Ebenso kann in der Aufnahmekammer 15 anstelle der geneigten Führungsplatte 52 ein mit Ringen besetztes Förderband vorgesehen sein, durch welches die behandelten Halbleiterplättchen 55 dem Träger 54 in der Aufnahmekammer 15 zugeführt werden. Dieses letztere Ring-Förderband braucht dabei nicht geneigt zu sein. Weiterhin können die auf dem Förderer 18 befindlichen Halbleiterplättchen 29 mittels einer Zugeinrichtung anstelle der geneigten Führungsplatte 52 in den in der Aufnahmekammer 15 befindlichen Träger 54 hineingezogen werden.
Die vorstehend beschriebene Vorrichtung gemäß der Erfindung stellt somit ersichtlicherweise eine hervorragende Massenfertigungsvorrichtung dar, welche das erfolgreiche, gleichmäßige, kontinuierliche und automatische Ätzen einer Anzahl von Halbleiterplättchen ermöglicht.
I09826/09AS

Claims (14)

Henkel, Kern, Feiler &■ Hanzel Patentanwälte / 7 b 7 4 3 a _ , _, .. ___ , . _ _ . , Möhlstraße 37 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. D-8000München80 Kawasaki-shi, Japan Tel.: 089/982085-87 ___«_——_—_——_—__—_—- Telex: 0529802 hnkld Telegramme: ellipsoid 22. Oüz. !977 Patentansprüche
1.) Kontinuierliche Gasplasma-Ätzvorrichtung, gekennzeich- ^—' net durch eine Reaktionskammer (9) mit einem Einlaß (32) und einem Auslaß (33), durch einen in einem Abstand von der Reaktionskammer angeordneten Aktivierabschnitt (3)» durch einen Verteiler (8, 27) zur gleichmäßigen Beschickung der Reaktionskammer mit einem im Aktivierabschnitt aktivierten Gas, durch eine Absaugeinrichtung (30, 31) zum Absaugen des Gases aus der Reaktionskammer über mehrere Gasauslässe (30), durch einen innerhalb der Reaktionskammer angeordneten Förderer (18) zur Förderung von Werkstücken (29) vom Einlaß zum Auslaß, durch eine an der Einlaßseite der Reaktionskammer angeordnete Zuführkammer (13) zur Aufnahme der Werkstücke, durch eine Werkstück-Vorschubeinrichtung (39) zur Aufgabe der Werkstücke aus der Zuführkammer auf den Förderer durch den Einlaß hindurch, durch einen Verschluß (43) zum öffnen und Schließen des Einlasses, durch eine an der Auslaßseite der Reaktionskammer angeordnete Aufnahmekammer (15) zur Aufnahme der in der Reaktionskammer mit dem aktivierten Gas behandelten Werkstücke, durch eine Austrageinrichtung (52) zur Einführung der in der Reaktionskammer
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behandelten Werkstücke in die Aufnahmekammer über den Auslaß und durch einen zweiten Verschluß (51) zum Öffnen und Schließen des Auslasses.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verteiler aus einem über eine Aktivgasleitung mit dem Aktivierabschnitt verbundenen Verteilerrohr und einem in der Reaktionskammer angeordneten Düsenrohr besteht, das mit dem Verteilerrohr verbunden ist und eine Anzahl von dem Förderer zugewandten Düsenöffnungen aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsenöffnungen im Bereich des Mittelteils des Düsenrohrs in vergleichsweise großen Abständen bzw. im Bereich jedes Endabschnitts des Düsenrohrs in vergleichsweise dichter Verteilung angeordnet sind«
4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Düsenöffnungen im Mittelteil des Düsenrohrs vergleichsweise klein bzw. im Bereich jedes Endabschnitts des Düsenrohrs vergleichsweise groß ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Förderer ein endloses Förderband mit einer Vielzahl von auf gleiche Abstände verteilten Perforationen ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Förderer aus einer Anzahl von parallelen, geradlinig verlaufenden, endlosen Riemen oder Förderbändern besteht.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Werkstück-Vorschubeinrichtung einen durch einen Druckluftzylinder betätigbaren Schieber umfaßt, daß ein Träger mit (mindestens) einer Bohrung zur Ermöglichung eines
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Durchtritts des Schiebers und zur Aufnahme einer Anzahl von zu behandelnden Werkstücken auf einen lotrecht verschiebbaren Trägersockel in der Zuführkammer aufgesetzt ist, daß die Austrageinrichtung für die behandelten Werkstücke eine schräg geneigte Führungsplatte aufweist und daß ein Träger zur Aufnahme einer Anzahl von behandelten Werkstücken in schräger Lage auf einen lotrecht verschiebbaren Trägersockel in der Aufnahmekammer aufgesetzt ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in der Nähe des Einlasses in der Zuführkammer ein Photofühler zur Feststellung der Vorbeibewegung der zu behandelnden Werkstücke angeordnet ist und daß in der Nähe des Auslasses ein Photofühler zur Feststellung des Vorbeilaufs der behandelten Werkstücke vorgesehen ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Aktivierabschnitt mittels eines Wellenleiters mit einem Mikrowellenoszillator verbunden ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Verschlüsse jeweils durch Druckluftzylinder betätigbar sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Verschlüsse jeweils durch (Elektro-)Motoren betätigbar sind.
12. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Werkstück-Vorschubeinrichtung einen durch einen (Elektro-)Motor antreibbaren Schieber umfaßt.
13. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Werkstück-Vorschubeinrichtung und die Austrageinrich-
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tung für behandelte Werkstücke jeweils ein mit Ringen besetztes Förderband (O-ring belts) umfassen.
14. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Austrageinrichtung für behandelte Werkstücke eine Zugeinrichtung zur Einbringung der behandelten Werkstücke in die Aufnahmekammer ist.
80982R /0<U5
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