DE2748967C2 - Circuit arrangement for a monolithically integrated threshold switch - Google Patents
Circuit arrangement for a monolithically integrated threshold switchInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für einen monolithisch integrierten Schwellwertschalter, an dessen F'ngang eine Gleichspannung unterschiedlicher Größe aus einem Schalter, z. B. aus dem Ausgang einer logischen Schaltung zugeführt wird und an dessen Ausgang ein bestimmter Schaltstrom zur Steuerung einer sogenannten Pi-Schaitung abnehmbar ist, wobei der Schwellwertschalter aus Transistoren, Dioden und ohmschen Widerständen derart aufgebaut ist, daß er bei einer festen unteren Schwellwertspannung ab und bei einer oberen Schwellwertspannung durchschaltet.The invention relates to a circuit arrangement for a monolithically integrated threshold switch, at its start a DC voltage of different magnitudes from a switch, e.g. B. off is fed to the output of a logic circuit and at its output a certain switching current for controlling a so-called Pi circuit can be drawn off is, the threshold value switch constructed from transistors, diodes and ohmic resistors in this way is that it starts at a fixed lower threshold voltage and at an upper threshold voltage switches through.
Derartige Schwellwertschalter bzw. Schaltungsanordnung mit einem Schwellwertschalter in monolithisch integrierter Form sind bereits bekannt und werden als sogenannte Interface-Schaltungsanordnungen in derart monolithisch integrierten Schaltungen zwischengeschaltet, wenn es darum geht, aus einer Schaltungsanordnung, z. B. einer MOS-Schaltung, die an ihrem Ausgang ein G'iichspannungssignal von z. B. * + 5 V in der Stellung high und von «OV in der Stellung low liefert, ein Signal an den Eingang einer sogenannien /'/.-Schaltung zu liefern, dessen Eingang stark unterschiedlich aussehen kann und die in ihrem Eingang einen konstanten Strom erfordert. Es geht also darum, eine derartige ^L-Schaltung gezielt anzusteuern und /ti vermeiden, daß eine Ansteuerung auch bei Störsignalen erfolgt und daß unabhängig davon eine leichte Anpassung möglich ist und daß ferner immer zuverlässig geschaltet wird.Such threshold value switch or circuit arrangement with a threshold switch in monolithically integrated form are already known and are used as so-called interface circuit arrangements in such monolithically integrated circuits interposed when it comes to a circuit arrangement such. B. a MOS circuit connected to at its output a DC voltage signal of z. B. * + 5 V in the high position and «OV in the Position low supplies a signal to the input of a so-called /'/. Circuit, the input of which can look very different and which requires a constant current in its input. So it works about controlling such a ^ L circuit specifically and / ti avoid triggering also with Interfering signals takes place and that regardless of this, a slight adaptation is possible and that furthermore always is switched reliably.
ίο Die bisher bekannten monolithischen integrierten Schwellwertschalter weisen nämlich eine sogenannte feste Hysterese auf, die für die niedrigste auftretende Betriebsspannung von z. B. 4 V ausgelegt sein muß, da sonst das Einschalten bei Betriebsspannungsschwankungen unsicher wird, d. h. bei Auftreten eines bestimmten Signals, also einer Spannung am Ausgang z. B. einer MOS-Schaltung, schaltet der bekannte Schwellwertschalter z. B. bei Überschreiten einer Spannung von + 3 V durch und z. B. bei einer Spannungίο The previously known monolithic integrated Threshold switches have what is known as a fixed hysteresis, the one for the lowest that occurs Operating voltage of z. B. 4 V must be designed, otherwise switching on when the operating voltage fluctuates becomes insecure, d. H. when a certain signal occurs, i.e. a voltage at the output z. B. a MOS circuit, the known threshold switch z. B. when exceeding a Voltage of + 3 V through and z. B. at a voltage
»n von + 1 V wieder ab. Dies gilt sowohl für eine Betriebsspannung von +4V t. auch für eine Betriebsspannung von z.B. + 15 V u.id dem Spannungsschwankungsbereich zwischen diesen beiden Eckwerten, d. h„ es wird auch bei einer Betriehsspan-»N decreases from + 1 V again. This applies to an operating voltage of + 4V t. also for an operating voltage of e.g. + 15 V u.id the voltage fluctuation range between these two corner values, i.e. h "it is also used in a company
2» nung von + 15 V bei + 3 V durchgeschaltet und bei + 1 V .vieder abgeschaltet.2 »voltage of + 15 V switched through at + 3 V and at + 1 V. switched off again.
Dann ist dabei aber der Schaltbereich nur 2 V und Störsignale, die bereits in dieser Größenordnung l'egen. können veranlassen den Schwellwertschalter zumThen, however, the switching range is only 2 V and interference signals that are already of this order of magnitude. can cause the threshold switch to
jo unerwünschten Schalten, insbesondere dann, wenn die Betriebsspannung erheblich größer als der Schaltbereich ist.jo unwanted switching, especially if the Operating voltage is considerably larger than the switching range.
Die Aufgabe der Erfindung bestand also darin, diese sogenannte feste Hysterese, also den zu kleinenThe object of the invention was therefore to fix this so-called fixed hysteresis, that is to say the too small one
5> Schaltbereich, zu vermeiden und eine Schaltungsanordnung anzugeben, die in entsprechender Abhängigkeit von der Betriebsspannung immer einen möglichst großen Schaltbereich ergibt, was auch als gleitende Hysterese bezeichnet werden kann.5> switching range, avoid and a circuit arrangement specify which, depending on the operating voltage, always have a results in a large switching range, which can also be referred to as sliding hysteresis.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einer Schal'ungsanordnung der eingangs genannten Ar; nach der Erfindung der Schwellwertschalter derart aufgebaut, daß die obere Schwellwertspannung in einem konstanten Abstand Ubi: zur Battenespannung Ub li*?gt und beiTo solve this problem, the above-mentioned Ar; According to the invention, the threshold switch is constructed in such a way that the upper threshold voltage is at a constant distance Ubi: from the battery voltage Ub li *? gt and at
4> Änderung dieser den genannten Abstand konstant hält. Dazu kann der Schwellwertschalter einen Eingang E aufweisen, der mit den Emittern eines aus zwei Transistoren bestehenden ersten Stromspiegel verbunden ist. daß ein aus drei Transistoren bestehender zweiter Stromspiegel mit seinen Emittern mit der Battenespannung verbunden ist, daß ein Ausgang des ersten Stromspiegels über eine Konstantstromque'le mit Masse und über eine Diode mit einem Ausgang des zwei er. Stromspiegels verbunden ist. daß weiterhin4> Change this keeps the specified distance constant. For this purpose, the threshold value switch can have an input E which is connected to the emitters of a first current mirror consisting of two transistors. that a second current mirror consisting of three transistors is connected with its emitters to the battery voltage, that an output of the first current mirror is connected to ground via a constant current source and via a diode to an output of the two. Current mirror is connected. that continues
5) zwei hintereinander geschaltete Verstärkertransis'oren mit ihren Emitten· an Masse liegen, daß dij Basis aes ersten Verstärkertransistors über eine Diode mit dem ersten Kollektot des zweiten Verstärkertransistors und gleichzeitig mit einem Ausgang des /weiten Stromspie-5) two series-connected amplifier transistors with their emits to ground that dij base aes first amplifier transistor via a diode to the first collector of the second amplifier transistor and at the same time as an output of the / wide current mirror
bo gels und der verbleibende Ausgang dieses zweiten Stromspiegels mit dem Kollektor des ersten und der Basis des zweiten Verstärkertransistors verbunden ist. Nun können im einzelnen verschiedene Maßnahmen getroffen werden, um eine Anpassung der Schaltungs-bo gels and the remaining output of this second Current mirror is connected to the collector of the first and the base of the second amplifier transistor. Now various measures can be taken in detail to adapt the circuit
b5 anordnung an di" zahlreichen Möglichkeiten /u erhalten. Danach kann der zweite Verstärkertransistor einen zweiten mit dem Ausgang verbundenen Kollektor aufweisen, sein erster Kollektor weiterhin mit demb5 arrangement at di "numerous possibilities / u . After that, the second amplifier transistor can have a second collector connected to the output, and its first collector continues to have the
Tinkler eines Verstärkertransistors verbunden sein, dessen Kollektor an Masse und dessen Basis am Eingang liegt und die Basis des ersten Verstärkertransistors kann mit dem verbleibenden Ausgang des ersten Stromspiegels verbunden sein. Es kann weiterhin der zweite Verstärkertransistor einen zweiten mit dem Ausgang verbundenen Kollektor aufweisen, sein erster Kollektor weiterhin über eine Diode mit dem Eingang und mit dem verbleibenden Ausgang Ti des ersten Stromspiegels verbunden sein.Tinkler of an amplifier transistor whose collector is connected to ground and whose base is connected to the input and the base of the first amplifier transistor can be connected to the remaining output of the first current mirror. The second amplifier transistor can furthermore have a second collector connected to the output, and its first collector can furthermore be connected via a diode to the input and to the remaining output Ti of the first current mirror.
F.s kann noch weiterhin der zweite Verstärkertransistor einen zweiten mit dem Ausgang verbundenen Kollektor aufweisen, sein erster Kollektor weiterhin mit dem verbleibenden Ausgang des ersten Stromspiegels und mit dem Emitier eines Verstärkertransistors verbunden sein, dessen Basis am Eingang und dessen Kollektor an Masse liegen. Auch kann weiterhin der zweite Verstärkertransistor einen zweiten mit dem A^ictran" verbundenen Kollektor Hüfwei^en, sein erster von der Batteriespannung liegen. Solange diese Spannung diesen Wert beibehalt, bleibt der Schwellwertschalter durchgcschaltct, was im unteren Diagramm mit dem Rechteck und der Stromhöhe l.\ dargestellt ist. Sinkt oie Spannung wieder, so erreicht sie schließlich in Abhängigkeit von der Zeit den Wert Un, und dieser Wert liegt ebenfalls im Abstand Um von der Nullspannung. An diesem Punkt schaltet der Schalter wieder ab.Fs the second amplifier transistor can still have a second collector connected to the output, its first collector can still be connected to the remaining output of the first current mirror and to the emitter of an amplifier transistor whose base is connected to the input and whose collector is connected to ground. The second amplifier transistor can also have a second collector connected to the A ^ ictran, its first from the battery voltage. As long as this voltage maintains this value, the threshold switch remains through, which is shown in the lower diagram with the rectangle and the current level l .. oie falls voltage is shown \ again, it eventually reaches a function of the time the value Un, and this value is also within the distance to from the zero voltage. at this point the switch turns off again.
Wenn sich jetzt die Batteriespannung Un ändert, so wird der obere Wert Um mit Schwanken der Batteriespannung immer mitgezogen. Lr bleibt also immer im Abstand Unt von der ßattcricspnnnung Un erhalten und dadurch wird eine sogenannte mitlaufende Hysterese erreicht. Der untere Abstimmpunkt Un. im Abstand Uer von der Spannung Null bleibt dabei fest erhalten.If the battery voltage Un now changes, the upper value Um is always drawn along with fluctuations in the battery voltage. Lr therefore always remains at a distance Unt from the voltage Un and a so-called concurrent hysteresis is achieved as a result. The lower tuning point Un. at the distance Uer from the voltage zero remains fixed.
Die bisher bekannten monolithischen Schwellwcrtcohaiinnrtpn srbeiieri v.vie oben bereits üi^^eführ! '"itThe previously known monolithic Schwellwcrtcohaiinnrtpn srbeiieri v .vie above already üi ^^ eführ! '"it
Kollektor weiterhin über eine Diode mit dem Eingang und die Basis des ersten Verstärkertransistors weiterhin mit dem verbleibenden Ausgang des ersten Stromspiegels verbunden sein. Schließlich kann der Emitter des zweiten Verstärkertransistors statt mit Masse mit der Basis eines weiteren Verstärkertransistors verbunden sein, dessen Emitter an Masse und dessen Kollektor am Ausgang liegen. Weiterhin kann die Basis des ersten Verstärkertransistors mit dem verbleibenden Ausgang des ersten StromspiegeK verbunden werden, während ein weiterer Verstärkertransistor mit seiner Basis mit dem Eingang mit seinem Kollektor an Masse und mit seinem Emitter am Kollektor des zweiten Verstärkertransistors angeschlossen ist.Collector continues via a diode to the input and base of the first amplifier transistor be connected to the remaining output of the first current mirror. Finally, the emitter of the second amplifier transistor instead of being connected to ground to the base of a further amplifier transistor its emitter to ground and its collector to Exit lie. Furthermore, the base of the first amplifier transistor can be connected to the remaining output of the first current mirror K, while a further amplifier transistor is connected to its base the input with its collector to ground and with its emitter to the collector of the second amplifier transistor connected.
Außerdem kann der zweite Stromspiegel, bestehend aus den drei Transistoren mit einem weiteren Transistor verbunden sein, dessen Kollektor zu dem Kollektor eines Transistors eines dritten Stromspiegels führt, wobei der Kollektor des Transistors mit seiner Basis und der Basis eines zweiten zu diesem dritten Stromspiegel gehörenden Transistors verbunden ist, daß die Emitter dieses dritten Stromspiegels zusammengeschaltet und mit Masse verbunden sind, während der Kollektor des zweiten Transistors mit dem Eingang und der Basis des ersten Verstärkertransistors verbunden ist.In addition, the second current mirror, consisting of the three transistors, can be combined with a further transistor be connected whose collector leads to the collector of a transistor of a third current mirror, wherein the collector of the transistor with its base and the base of a second to this third current mirror belonging transistor is connected that the emitters of this third current mirror are interconnected and are connected to ground, while the collector of the second transistor to the input and the base of the first amplifier transistor is connected.
Diese zahlreichen verschiedenen Schaltungsmöglichkeiten lösen das eingangs gestellte Problem, nämlich eine gleitende Hysterese zu schaffen und damit praktisch eine Eingangsstörschutzschaltung für die nachfolgende /^-Schaltung, denn zahlreiche Störimpulse, die z. B. in Form einer Brummspannung um einen Gleichspannungjwert von + 4 V schwanken, lösen den Schwellwertschalter nicht mehr nacheinander aus, sondern werden wirksam unterdrücktThese numerous different circuit possibilities solve the problem posed at the beginning, namely to create a sliding hysteresis and thus practically an input interference protection circuit for the following / ^ - circuit, because numerous glitches, the z. B. fluctuate in the form of a ripple voltage around a DC voltage value of + 4 V, solve the Threshold switches are no longer switched off one after the other, but are effectively suppressed
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigtEmbodiments of the invention are shown in the drawings and are described below described in more detail. It shows
F i g. I eine graphische Darstellung zur Erklärung der Wirkungsweise des Schwellwertschalters,F i g. I a graphic illustration to explain the mode of operation of the threshold switch,
F i g. 2, 3. 4, 5, 6 und 7 verschiedene Ausführungen eines Schwellwertschalters in monolithisch integrierter Form nach der Erfindung.F i g. 2, 3. 4, 5, 6 and 7 different versions of a threshold switch in monolithic integrated Form according to the invention.
In F i g. 1 sind zwei Diagramme untereinander gezeichnet, und zwar zeigt das obere Diagramm die Ausgangsspannung, z. B. einer MOS-Schaltung, mit U bezeichneL Sie nähert sich in Abhängigkeit von der Zeit einem Wert U'eh. und dieser Wen entspricht der sogenannten High-Spannung am Ausgang einer MOS-Schaltung. Sie soll nach der Erfindung im Abstand Ueb In Fig. 1 two diagrams are drawn one below the other, namely the upper diagram shows the output voltage, e.g. B. a MOS circuit, denoted by U. It approaches a value U'eh as a function of time. and this value corresponds to the so-called high voltage at the output of a MOS circuit. You should according to the invention at a distance Ueb
fester Hysterese, d. h., der untere Schaltpunkt und der obere Schaltpunkt befinden sich auf fest eingestellten Potentialen. Die monolithisch integrierte Schwellwertschaltung nach den F i g. 2. 3, 4, 5 und 6 weisen eine für einen großen Betriebsspannungsbereich optimal mögliehe Hysterese auf. Zum Beispiel bei einer Eingangsspannung an dem Eingang Ckleiner Urileitet der Transistor 7"6 und sperrt die Diode D 2. Dadurch wird der Transi' ir 7~7 gesperrt und 7"8 wird leitend, wie z.B. aus F i g. 1 ersichtlich. Der Ausgang A kann einen Strom übernehmen. Die Ausführung d._s Transistors Γ8 als inverse NPN-Struktur ermöglich! einen Multikollektortransistor. Erhöht sich die Eingarigsspannung am Punkt E auf irgendeinen Wert Ur- Uri, wird der erste Stromspiegel, bestehend aus den Transistoren Tl und T2. aktiviert und liefert dem Transistor T7 den Basisstrom. Damit wird der Transistor 7~8 gesperrt und der Ausgang A kann keinen Strom übernehmen. Die Strombank bzw. der zweite Stromspiegel aus den Transistoren T3, TA und T5 liefert die Versorgungsströme für die Schaltungsanordnung. Die Größe der Ströme wird durch die Konstantstromquelle /o eingestellt, die z. B. in einfachster Form ein Wiederstand von mehreren hundert Ohm sein kann. Die Dioden D 1 und D 2 legen die obere und die untere Schaltschwelle fett, wie in nachfolgender Berechnung noch einmal gezeigt. Die erforderlichen Eingangsströme ergeben sich ebenfalls aus der nachfolgenden Berechnung.Fixed hysteresis, ie the lower switching point and the upper switching point are at fixed potentials. The monolithically integrated threshold value circuit according to FIGS. 2. 3, 4, 5 and 6 have a hysteresis that is optimally possible for a large operating voltage range. For example, with an input voltage at the input C small Uri , the transistor 7 "6 conducts and blocks the diode D 2. As a result, the transistor 7 ~ 7 is blocked and 7" 8 becomes conductive, for example from FIG. 1 can be seen. Output A can accept a current. The implementation of the transistor Γ8 as an inverse NPN structure is possible! a multi-collector transistor. If the single-gate voltage at point E increases to any value Ur-Uri, the first current mirror, consisting of transistors T1 and T2, becomes. activated and supplies the base current to transistor T7. This blocks transistor 7 ~ 8 and output A cannot accept any current. The current bank or the second current mirror from the transistors T3, TA and T5 supplies the supply currents for the circuit arrangement. The size of the currents is set by the constant current source / o, which z. B. in the simplest form can be a resistance of several hundred ohms. The diodes D 1 and D 2 put the upper and lower switching threshold in bold, as shown again in the following calculation. The required input currents also result from the following calculation.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 3 benötigt gegenüber der nach F i g. 2 beschriebenen Schaltungsanordnung höhere Eingangsströme, wie nachfolgende Rechnung zeigt. Die Schaltungsanordnung nach ig.4 ist eine Kombination aus den Schaltungsanordnungen nach F i g. 2 und 3. Sie weist die gleichen Hystereseeigenschaften auf, erfordert aber einen Eingangsstrom für die obere Schaltschwelle, wie in der Schaltungsanordnung nach Fig.3. und einen Eingangsstrom für die untere Schaltschwelle, wie nach der Schaltungsanordnung nach F i g. 2.The circuit arrangement according to FIG. 3 requires compared to that according to FIG. 2 described circuit arrangement higher input currents, as the following calculation shows. The circuit arrangement according to ig.4 is a combination of the circuit arrangements according to FIG. 2 and 3. It has the same hysteresis properties on, but requires an input current for the upper switching threshold, as in the circuit arrangement according to Fig. 3. and an input current for the lower switching threshold, as in the circuit arrangement according to FIG. 2.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 5 schließlich ist eine Kombination der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 und 3. Sie erfordert einen Eingangsstrom für die obere Schaltschwelle, wie nach F i g. 2 und einen Eingangsstrom für eine untere Schaltschwelle, wie nach Fig. 3.The circuit arrangement according to FIG. Finally, FIG. 5 is a combination of the circuit arrangement according to FIG F i g. 2 and 3. It requires an input current for the upper switching threshold, as shown in FIG. 2 and one Input current for a lower switching threshold, as shown in FIG. 3.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 6 schließlich hat dieselben Eingangsbedingungen wie die Schaltungsanordnung nach F i g. 2 und gestattet einen um den Faktor Ävgrößeren Ausgangsstrom.The circuit arrangement according to FIG. Finally, 6 has the same input conditions as the circuit arrangement according to FIG. 2 and allows an output current that is greater by a factor of Äv.
7 87 8
Aus F i g. 2 ergibt sich bei Vernachlässigung des , \ \From Fig. 2 results from neglecting the \ \
Early-Effektes eine obere Schaltschwclle En 2/ni I f „ J Early effect an upper switching threshold En 2 / n i I f " J
Ueh = Un — UBfTi - U.tKm + UBHT1 ■ '" ~ 2 Ueh = U n - U BfTi - U. tKm + UBHT 1 ■ '"~ 2
I + _ ■ I ür monolithisch integrierte Schaltungen gilt: · ( + I + _ ■ For monolithically integrated circuits, the following applies: (+
= URf = U Rf
Bt. Bt .
UFII = U„- l/u. U FII = U "- l / u .
'"' I*ür den an der unteren .Schaltschwelle erfordcrliehen Strom /,, ergibt sich:'"' I * for the current /" required at the lower switching threshold results:
— pi- pi
3 " Jp 3 " Jp
Für den an der oberen Schaltschwclle erforderlichen .... «,„».— «,For the required at the upper switching threshold .... "," ".—",
Strom /„,ercibt sich Tür Tl = 72 und T3=T4=T5: »> . ß> = Vorwartsstromverslarkung der NPN-Tran- | tM " sistoren.Current / ", door Tl = 72 and T3 = T4 = T5:">. ß > = Vorwartsstromverslarkung the NPN-Tran- | tM "sistors.
/£|| = /CT1 + /CT2 + ^IL + ^. Für den F;l11 Pp = 5 und ß.v = 70 erg'bt sich/ £ || = / CT1 + / CT2 + ^ IL + ^. For the F; l11 Pp = 5 and ß.v = 70 results
Für den Fall ' Jei, = 0,02 ■ I0 ■ For the case ' Jei, = 0.02 ■ I 0 ■
Ict\ = IcTi· r> Bpv ■— Vorwärtsstromverstärkung des Transistors Ict \ = IcTi · r> B p v ■ - forward current gain of the transistor
, -2/ Λ+-ίΛ r6-, -2 / Λ + -ίΛ r6 -
'cw - ''cn ^1 -r ßP//· Der Strom/f/. fließt nur während der Umschaltphase'cw -''cn ^ 1 -r ß P / / The stream / f /. flows only during the switchover phase
und geht anschließend gegen 0.and then goes towards 0.
ßp = Vorwärtsstromverstärkung der PNP-Tran- Für den Fall Bn = 5. ß\ = 70 und Bp\> = 30 ergibtßp = forward current gain of the PNP tran- For the case B n = 5. ß \ = 70 and B p \> = 30 results
40 sich40 themselves
hi. = 0.02 I0 ■ hi. = 0.02 I 0 ■
Aus F i g. 3 ergibt sich bei Vernachlässigung des Early-Effektes: Für den an der oberen Schaltschwelle 45 erforderlichen Strom ergibt sich: : FälleFrom Fig. 3 results from neglecting the early effect: For the one at the upper switching threshold 45 required electricity results in:: cases
Ict2 = -Tf"1 und 1CTi = Ibt- und /„„ = 2^- . Ict2 = -Tf " 1 and 1 CTi = Ibt- and /""= 2 ^ -.
ßp2 '
ßp
2/ e0 2 / e0
! = /01+ ZcT2+-^1,! = / 01 + ZcT 2 + - ^ 1 ,
'η — Ίιι'η - Ίιι
ι +ι +
B1.B 1 .
lern = Für den Fall /rj, = ir74 learn = For the case / rj , = i r74
I + j"I + j "
Für den Umschaltpunkt jilt: Zfn, = Z(-,„For the switchover point: Zf n , = Z ( -, "
Ό ~ Oi .Ό ~ Oi.
ß.ß.
I +I +
ß\ ' 'piß \ '' pi
ß„ß "
I +I +
ß„ß "
O ^ i)O ^ i)
I +I +
I +I +
= 2'o= 2'o
++
ß.v -ß.v -
1010
l'ür den Fall ßp = 5 und ßv = 70 ergibt sich:
/„, = 1.69 In. For the case ß p = 5 and ß v = 70 we get:
/ ", = 1.69 I n .
I-'ür den an der unteren Schallwelle erforderlichen Slrom ltl ergibt sich: I-'for the Slrom I tl required at the lower sound wave results:
I Kl. = '(74· I Kl. = '(74
l'ür den Fall /, I4 = /,·,-_, und /( r, = ',··,■_,l 'for the case /, I4 = /, ·, -_, and / (r , =', ··, ■ _,
I +I +
I +I +
Der Strom If.i. fließt nur während der Umschaltphase
r> und geht dann anschließend gegen 0.
Für den Fall Bp = 5 ergibt sichThe current If.i. flows only during the switching phase r> and then goes to 0.
For the case B p = 5 it results
If.i. = 0,625 /n · If.i. = 0.625 / n
Es sind nur Beispiele durchgerechnet worden für die Schaltungsanordnung nach Fig. 2 und 3. Ähnliche Berechnungen könnten auch für die Fig.4, 5 und 6 erfolgen. Sie sind in ähnlicher Weise wie für die F i g. 2Only examples have been calculated for the circuit arrangement according to FIGS. 2 and 3. Similar Calculations could also be made for Figures 4, 5 and 6 take place. They are in a similar way as for the F i g. 2
i> und 3 durchzuführen und haben die eingangs genannten Wirkungsweisen.i> and 3 and have the aforementioned Modes of action.
In der Schaltungsanordnung nach Fig. 7, in der eine mögliche Ausführung der Änderung des Einganges der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung gezeigt ist,In the circuit arrangement according to FIG. 7, in which a possible implementation of the change in the input of the circuit arrangement according to the invention is shown,
4i) wird durch ein Einfügen der Transistoren ΓΙΟ, 7Μ1. 712 eine definierte Ausgangslage (L-Potent;al) bei offenem, nicht beschattetem Eingang E erreicht, weil nämiich der Kollektorstrom lern ( = Ό) größer als der zum Ausschalten notwendige Strom Iel ist. Der zum4i) is created by inserting the transistors ΓΙΟ, 7Μ1. 712 reaches a defined starting position (L-Potent ; al) with an open, not shaded input E , because the collector current learn (= Ό) is greater than the current Iel required for switching off. The for
4-, Einschalten notwendige Strom Ieh vergrößert sich durch diese Maßnahmen um den Betrag /o.4-, switching on the necessary current Ieh is increased by these measures by the amount / o.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (7)
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Citations (1)
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| DE2520982B1 (en) * | 1975-05-12 | 1976-08-05 | Itt Ind Gmbh Deutsche | MONOLITHICALLY INTEGRATED THRESHOLD SWITCH |
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| FR2309084A1 (en) * | 1975-04-22 | 1976-11-19 | Radiotechnique Compelec | THRESHOLD DEVICE FOR INTEGRATED LOGIC CIRCUITS |
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1977
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- 1978-10-27 FR FR7830580A patent/FR2408244A1/en active Granted
- 1978-10-30 GB GB7842444A patent/GB2007452B/en not_active Expired
- 1978-11-01 JP JP53133840A patent/JPS589608B2/en not_active Expired
Patent Citations (1)
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| DE2520982B1 (en) * | 1975-05-12 | 1976-08-05 | Itt Ind Gmbh Deutsche | MONOLITHICALLY INTEGRATED THRESHOLD SWITCH |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Valvo Berichte, Band XVIII, Heft 1, 2, April 1974,Seiten 215 bis 226 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2748967B1 (en) | 1979-01-25 |
| FR2408244B1 (en) | 1983-10-07 |
| JPS589608B2 (en) | 1983-02-22 |
| GB2007452B (en) | 1982-04-15 |
| CA1128149A (en) | 1982-07-20 |
| JPS5472946A (en) | 1979-06-11 |
| GB2007452A (en) | 1979-05-16 |
| FR2408244A1 (en) | 1979-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |