DE2734072A1 - Verfahren zur herstellung von schottky-dioden mit gold-silicium- sperrschicht - Google Patents
Verfahren zur herstellung von schottky-dioden mit gold-silicium- sperrschichtInfo
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28537—Deposition of Schottky electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/14—Schottky barrier contacts
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Description
Patentanwälte Jl ^ LC\1 J
E. Prinz - Dr. G. Hauser - G. Leiser
8 München 60
27. Juli 1977
LIGNES TELEGRAPHIQUES ET TELEPHONIQUES
89» rue de la Faisanderie
75016 Paris / Frankreich
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schottky-Diöden mit Gold-Silicium-Sperrschicht mit
Schutzring vom Planartyp.
Eine solche Struktur ist dem Fachmann bekannt. Sie bildet den Gegenstand zahlreicher Untersuchungen und eine Beschreibung befindet sich in der US-Patentschrift 3 463
Der Vorteil dieser Strukturen besteht darin, daß die Sperrschicht aus dem gleichen Metall, das als Ausgangsmetall dient, erhalten wird und eine leichte Anbringung
des Ausgangsleiters der Diode gestattet. Jedoch führt die
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Dr.Ha/Ma
Dr.Ha/Ma
Verwendung einer Sperrschicht mit Gold häufig zu einer mangelnden Zuverlässigkeit im Laufe der Zeit,
was im wesentlichen auf Diffusionserscheinungen von Gold in das Silicium zurückzuführen ist, was insbesondere
bei Vorrichtungen in Erscheinung tritt, die bei hoher Temperatur betrieben werden. Die Zerstörung
der Sperrschicht ist auf verwickelte Vorgänge zurückzuführen. Sie wird durch die Anwesenheit von Verunreinigungen
an der Zwischenfläche zwischen dem Metall und dem Silicium begünstigt. Die vorliegende Erfindung
betrifft im wesentlichen eine Verbesserung des Herstellungsverfahrens von Dioden mit Gold-Silicium-Sperrschicht
mit einer guten Zeitstandfestigkeit sowie einer verbesserten Stabilität bei hoher Temperatur.
Sie betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden mit Schutzring und hoher Sperrspannung.
Die Erfindung kennzeichnet sich im wesentlichen dadurch, daß die Gold-Silicium-Sperrschicht durch Diffusion des
Goldes durch einen dünnen Metallfilm aus reduzierendem Metall, z.B. Chrom, erhalten wird, was die Wiederherstellung
der Siliciumoberflache, welche die Sperrschicht bilden soll, im Augenblick der Bildung der Sperrschicht
gewährleistet. Gemäß einem wesentlichen Merkmal der Erfindung wird die Diffusion des Goldes durch den Metallfilm
durch Wärmebehandlung bei einer Temperatur über 300° und unterhalb der Bildungstemperatur des Eutektikums
Gold-Silicium (377°C) bewirkt.
Die Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnung, welche beispielsweise AusfUhrungsformen zeigt, näher
erläutert. In der Zeichnung zeigen:
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Fig. 1 ein Flußdiagramm der Herstellung der erfindungsgemäßen Dioden,
Fig. 2 eine schematische Darstellung der Diode während verschiedener Herstellungsstufen, und
Fig. 3 eine Kennlinie einer erfindungsgemäßen Diode.
In Fig. 1 ist die Vorbereitung des Substrats, welches im gewählten Falle η-leitend und ziemlich stark dotiert
ist (etwa 5·10 Atome pro cm ), mit 1 bezeichnet. Bekanntlich bildet sich trotz sorgfältiger Reinigung auf
der Oberfläche des Siliciums spontan eine etwa 60 8 dicke verbleibende Oxidschicht. Auf dem Substrat wird dann
(Stufe Z) bei tiefer Temperatur eine epitaktische Schicht aus der Dampfphase mit einer Dicke von etwa 5 Mikrometer
und einem spezifischen Widerstand von 2 Ohm-cm abgeschieden.
Fig. 2A zeigt ein Substrat 20 und diese epitaktische Schicht 21, wobei natürlich die relativen Dicken nicht
im gleichen Maßstab dargestellt werden können. Das Plättchen mit seiner epitaktischen Schicht wird dann einer
Wärmeoxidation (Stufe 3) in einer Tiefe von etwa 0,5 Mikrometer auf beiden Seiten des Plättchens unterworfen,
wobei diese Oxidschichten als Maske während späterer Verfahrensstufen dienen sollen. Diese Schichten sind
in Fig. 2B mit 22 und 22' bezeichnet. Dann wird der Schutzring wie üblich durch Fotomaskierung und anschließende
Ätzung der Schicht 22 gebildet (Stufe A), wobei ein ringförmiges Fenster entsteht, in welches aus
der Dampfphase ein p-leitender Störstoff eindiffundiert
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wird; man erhält so das in Fig. 2C dargestellte Gebilde,
bestehend aus dem Substrat 20 und der epitaktischen Schicht 21, über welcher sich die Oxidschicht mit dem
Fenster 23 befindet, unterhalb welchem die den Schutzring der Diode darstellende eindiffundierte Ringzone 24
liegt. Die erneute Oxidation des Fensters 23» welche zur Bildung einer neuen zusammenhängenden Oxidschicht 25
führt, wie dies in Fig. 2D dargestellt ist, erfolgt während der Diffusion. Dann wird der Katodenkontakt
durch Ätzung der Oxidschicht 22' und Dotierung der Unterseite des Substrats 20, z.B. durch Ionenimplantation,
um das Silicium zur leichteren Anbringung des Katodenkontakts zu entarten, hergestellt, wie dies in Fig. 2E
dargestellt ist. Die Herstellung der Anode erfolgt nach bekannten Fotogravierungsverfahren (Stufe 6), wobei die
öffnung des Anodenfensters 25* durch den mittleren Kreisumfang des Schutzrings 24 begrenzt wird. Eine
Schicht aus reduzierendem Metall, beispielsweise Chrom, wird im Vakuum auf das vorher gereinigte und erhitzte
Substrat aufgedampft. In dem gleichen Behälter wird dann im Vakuum eine Goldschicht aufgedampft. Bei 2F ist
die so behandelte Diode mit den beiden Metallschichten 26 bzw. 27 dargestellt. Dieses Gebilde wird dann gemäß
einem wesentlichen Merkmal der Erfindung einer Wärmebehandlung (Stufe 8) bei einer Temperatur zwischen 350
und 3700C während 1 Stunde unterworfen; diese Wärmebehandlung
dient zur Eindiffusion des Goldes 27 durch die Chromschicht 26 bis zu einem Kontakt mit der epitaktischen
Siliciumschicht 21. Diese Wärmebehandlung kann unmittelbar in dem zur Bildung der Metallfilme
verwendeten Vakuumgehäuse oder in einem unabhängigen Ofen erfolgen. Sie findet in einer normalen Atmosphäre
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statt. Dabei erhält man das in Fig. 2G dargestellte Gebilde. Man bildet dann auf bekannte Weise die Katode
(Stufe 9)vorzugsweise auf die gleiche Weise wie die
Anode, jedoch ohne Maskierung, so daß der Katodenkontakt über die ganze Unterseite des Substrats 20 erfolgt. Die
vorhergehenden Verfahrensstufen des Aufdampfens und der Wärmebehandlung sind in Stufe 9 zusammengefaßt. Im Fall
der Katode wird vorzugsweise die Goldschicht als Oberfläche beibehalten, um die Anbringung des Katodenanschlusses zu erleichtern. In Fig. 2H ist die fertige
Diode schematisch dargestellt. Die Schichten 28 und 29 entsprechen dem den Katodenkontakt bildenden Chrombzw. Goldfilm.
Die vorstehend beschriebene Ausführungsform bildet natürlich nur ein Beispiel. Eine völlig gleichwertige
Methode kann von einem p-leitenden Substrat mit einem η-leitenden Schutzring ausgehen. Dioden wurden unter
Verwendung eines von einem Goldfilm 27 überlagerten, etwa 200 Ä dicken Titanfilms als reduzierender Film 26
hergestellt. Die die Stufe 8 bildende Wärmebehandlung ist dann die folgende: Einstündiges Erhitzen auf 3000C.
Die übrigen Verfahrensstufen sind identisch mit den vorstehend beschriebenen. Es besteht eine Relation
zwischen der Behandlungsdauer, der Temperatur und der Dicke der Schicht. Die beiden vorstehenden Beispiele
entsprechen der gleichen Behandlungsdauer aufgrund der Gegebenheiten der Zeitplanung für die Herstellung und
sind in keiner Weise beschränkend.
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Fig. 3 zeigt die Spannungs-Stromkennlinien (in Durchlaß-
und Sperrichtung) einer Testdiode (Kurven 30 und 31)$
bestehend aus einer Schottky-Diode mit Schutzring und Gold-Sperrschicht entsprechend dem Stand der Technik;
die gleichen Kennlinien 32 bzw. 33 für eine erfindungsgemäße Diode mit gleichen Abmessungen auf einem Substrat
mit sehr ähnlichen Kennlinien sind ebenfalls in Fig. 3 eingezeichnet. Die Spannungen sind in linearem Maßstab
angegeben; die Maßeinteilungen der Durchlaßkennlinie (Vp) und auch der Sperrkennlinie (VR) sind in Volt
angegeben. Die zwei Werte an einem Punkt der beiden Maßeinteilungen stehen im Verhältnis 50 zueinander.
Der Ordinatenmaßstab ist logarithmisch, und er gilt für den Durchlaßstrom (Ip) und für den Sperrstrom (in)» die
Maßeinheit ist das Ampere.
Wie zu erkennen ist, weisen die zwei Kennlinien in der
Nähe der Spannungswerte Null einen schwachen Knick auf, an den eich zwei geradlinige, weitgehend parallele Abschnitte anschließen, die sich bei Spannungswerten Über
10 V krümmen. Diese Nichtlinearität ist unter anderem auf die Wirkung des Schutzrings zurückzuführen. Bei einer
Verlängerung der geradlinigen Abschnitte der Kurven 30 und 32 zu kleinen Spannungen hin ergibt sich bei der
-12 wert, der für die erfindungsgemäße Diode 3·10 Α und
für die Diode nach dem Stand der Technik 1,5·10"' A
beträgt; diese Werte fallen mit denen der Spannungs-Strom-Sperrkennlinie zusammen. Bei einem Vergleich der
Stromwerte bei einer Spannung von 0,1 V ergibt sich für die Dioden nach der Erfindung etwa 1,2.10 A und für
die Dioden nach dem Stand der Technik 10 A. Auch die
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Sperrkennlinien verlaufen mit Ausnahme der unmittelbaren Nähe des Koordinatenursprungs weitgehend geradlinig.
Der Sperrstrom einer Diode nach der Erfindung
hat bei einer Spannung von -20 V einen Wert von etwa
-11
8.10 A, während er bei Dioden nach dem Stand der Technik bei etwa 8.10"9 A liegt.
8.10 A, während er bei Dioden nach dem Stand der Technik bei etwa 8.10"9 A liegt.
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•40-.
Leerseite
Claims (4)
1.] Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden mit Schutzring und einer Gold-Silicium-Sperrschicht,
dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Silicium vor Abscheidung des Goldfilms ein zwischen einigen
Tausend und 200 Ä dicker Film aus einem reduzierenden Metall abgeschieden wird, worauf das Gebilde
einer Wärmebehandlung unter Diffusion des Goldes durch den reduzierenden Film unterworfen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das reduzierende Metall Chrom ist und die Wärmebehandlung 1 Stunde bei einer Temperatur zwischen
350 und 377°C bis zur Erzielung einer Dicke der Chromabscheidung von einigen Tausend Ä durchgeführt
wird.
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Dr.Ha/Ma
Dr.Ha/Ma
ORIGINAL INSPECTED
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Elektroden der Diode mittels zweier
nacheinander aufgebrachter Metallfilme aus einem mit dem Silicium in Kontakt befindlichen reduzierenden
Metall und Gold über dem reduzierenden Metall gebildet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das reduzierende Metall Titan ist und die Wärmebehandlung
1 Stunde bei 3000C bis zu einer Dicke der Schicht von 200 Ä durchgeführt wird.
709886/0765
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7623649A FR2360993A1 (fr) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | Perfectionnement aux procedes de fabrication de diodes schottky a barriere or-silicium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2734072A1 true DE2734072A1 (de) | 1978-02-09 |
Family
ID=9176480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19772734072 Pending DE2734072A1 (de) | 1976-08-03 | 1977-07-28 | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden mit gold-silicium- sperrschicht |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4136348A (de) |
| DE (1) | DE2734072A1 (de) |
| FR (1) | FR2360993A1 (de) |
| GB (1) | GB1581605A (de) |
| IT (1) | IT1083374B (de) |
| NL (1) | NL7707139A (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0002703A1 (de) * | 1977-12-30 | 1979-07-11 | International Business Machines Corporation | Verfahren zum Herstellen von dünnen metallisch leitenden Streifen auf Halbleitersubstraten und damit hergestellte metallisch leitende Streifen |
| DE3025859A1 (de) * | 1980-07-08 | 1982-01-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum aufbringen einer metallschicht auf einen halbleiterkoerper |
| DE3202608A1 (de) * | 1981-01-30 | 1982-08-12 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zur herstellung einer schottky-sperrschichtdiode und danach hergestellte sperrschichtdiode |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4373166A (en) * | 1978-12-20 | 1983-02-08 | Ibm Corporation | Schottky Barrier diode with controlled characteristics |
| US4357178A (en) * | 1978-12-20 | 1982-11-02 | Ibm Corporation | Schottky barrier diode with controlled characteristics and fabrication method |
| FR2445627A1 (fr) * | 1978-12-28 | 1980-07-25 | Lignes Telegraph Telephon | Procede perfectionne de fabrication de diodes schottky et diodes de puissance ainsi realisees |
| US4831707A (en) * | 1980-11-14 | 1989-05-23 | Fiber Materials, Inc. | Method of preparing metal matrix composite materials using metallo-organic solutions for fiber pre-treatment |
| US4737644A (en) * | 1985-10-30 | 1988-04-12 | International Business Machines Corporation | Conductive coated semiconductor electrostatic deflection plates |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3463971A (en) * | 1967-04-17 | 1969-08-26 | Hewlett Packard Co | Hybrid semiconductor device including diffused-junction and schottky-barrier diodes |
| US3706128A (en) * | 1970-06-30 | 1972-12-19 | Varian Associates | Surface barrier diode having a hypersensitive n region forming a hypersensitive voltage variable capacitor |
| DE2057204C3 (de) * | 1970-11-20 | 1975-02-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von Metall-Halbleiterkontakten |
| US3785892A (en) * | 1972-05-19 | 1974-01-15 | Motorola Inc | Method of forming metallization backing for silicon wafer |
| US3971057A (en) * | 1973-08-21 | 1976-07-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Lateral photodetector of improved sensitivity |
| US4065588A (en) * | 1975-11-20 | 1977-12-27 | Rca Corporation | Method of making gold-cobalt contact for silicon devices |
-
1976
- 1976-08-03 FR FR7623649A patent/FR2360993A1/fr active Granted
-
1977
- 1977-06-28 NL NL7707139A patent/NL7707139A/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-07-13 GB GB29499/77A patent/GB1581605A/en not_active Expired
- 1977-07-14 US US05/815,512 patent/US4136348A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-07-20 IT IT68697/77A patent/IT1083374B/it active
- 1977-07-28 DE DE19772734072 patent/DE2734072A1/de active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0002703A1 (de) * | 1977-12-30 | 1979-07-11 | International Business Machines Corporation | Verfahren zum Herstellen von dünnen metallisch leitenden Streifen auf Halbleitersubstraten und damit hergestellte metallisch leitende Streifen |
| DE3025859A1 (de) * | 1980-07-08 | 1982-01-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum aufbringen einer metallschicht auf einen halbleiterkoerper |
| DE3202608A1 (de) * | 1981-01-30 | 1982-08-12 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zur herstellung einer schottky-sperrschichtdiode und danach hergestellte sperrschichtdiode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2360993B1 (de) | 1980-09-05 |
| IT1083374B (it) | 1985-05-21 |
| FR2360993A1 (fr) | 1978-03-03 |
| US4136348A (en) | 1979-01-23 |
| NL7707139A (nl) | 1978-02-07 |
| GB1581605A (en) | 1980-12-17 |
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