DE2714159A1 - Verfahren und einrichtung zum veraendern des einflusses der temperatur auf die ausbreitungszeit von elastischen oberflaechenwellen - Google Patents
Verfahren und einrichtung zum veraendern des einflusses der temperatur auf die ausbreitungszeit von elastischen oberflaechenwellenInfo
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Description
THOMSON-CSF
173 Bd.Haussmann
75008 Paris, Frankreich
173 Bd.Haussmann
75008 Paris, Frankreich
Verfahren und Einrichtung zum Verändern des Einflusses der Temperatur auf die Ausbreitungszeit von elastischen
Oberflächenwellen
Die Erfindung bezieht sich auf mit elastischen Oberflächenwellen arbeitende Einrichtungen, die im allgemeinen ein
piezoelektrisches kristallines Substrat aufweisen, an dessen Oberfläche elektromechanische Elemente für einen
Schwingungsenergieaustausch sorgen, wobei die angeregten Schwingungen zu dieser Oberfläche normal oder nichtnormal
sind tind mit zunehmender Entfernung von ihr schnell gedämpft
werden.
■ c-
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Die bewußten elektromechanischen Elemente bestehen beispielsweise,
ohne daß darunter eine Einschränkung verstanden werden soll, aus interdigital, angeordneten Wandlerkämmen
uv;d aus Fadengittern, die als Koppler oder Reflektor dienen. Die elastischen Oberflächenwellen können
Rayleigh-Vellen sein. Ein wichtiger Anwendungsfall der mit
elastischen Oberflächnnwellen arbeitenden Einrichtungen
liegt im Bereich der Herstellung und der Filterung von elektrischen
Signalen.
In diesem Bereich ist es wichtig, daß jede in bezug auf die mit elastischen Oberflächcnwcl1 en arbeitende Einrichtung
festgelegte Frequenz einen VJert hat, der so wenig wie
möglich von der Temperatur abhängig ist.
Zur Erreichung dieses Ziels ist es bekannt; ein kristallines Substrat nach einem besonderen Schnitt zuzuschneiden.
Bei passender Wahl der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen ergibt sich ein Betrieb mit stabiler Frequenz in
einem bestimmten Temperaturbereich. In der Praxis stellt man jedoch fest, daß dieser Temperaturbereich in bezug
auf die Umgebungstemperatur nicht günstig gelegen ist.
Um den Vorteil einer großen Frequenzstabilität zu haben, muß man nämlich die mit elastischen Oberflächenwellen arbeitende
Einrichtung in einem therniostatischen Behälter unterbringen. Weil dieser Behälter zwischen einer Wärmequelle
und einer Kältequelle arbeitet, stellt die Tatsache, daß der Betriebstemperaturbereich bei der Umgebungstempe-
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ratur liegt, einen Nachteil dar.
Es ist bekannt, daß eine Temperaturregelung nur dann
wirksam und leicht durchführbar ist, wenn die Regelung bei einer Temperatur erfolgt, die sich wesentlich von der Umgebungstemperatur
unterscheidet.
Zur Beseitigung des oben angegebenen Machteils sieht die Erfindung vor, gewisse Zonen der Oberfläche eines kristallinen
Substrats einem Iorienbeschuf} auszusetzen, der zu
einer Störung der regelmäßigen Anordnung der Atome und der davon abhängigen physikalischen Kenndaten führt. Die Erfahrung
zeigt, daß, wenn ein kristallines Substrat der Einwirkung eines Beschüsses von geladenen Teilchen ausgesetzt
wird, das Gesetz, das die Änderung der Ausbreitungszeit der elastischen Oberflächenwellen Ln Abhängigkeit von der
Temperatur ausdrückt, keineswegs gleich dem ist, das man beobachtet, wenn die regelmäßige Anordnung der Atome keine
Störung erfahren hat. Dadurch, daß eine von den elastischen
Oberf lächenv/el] en durchquerte Zone der Oberfläche des Substrats
einem Ionenbeschuß ausgesetzt wird, kann der Einfluß der Temperatur auf den Wert der Ausbreitungszeit wesent·
lieh verringert werden oder es kann erreicht werden, daß die geringsten Änderungen in einem Temperaturbereich auftreten,
der für eine sowohl einfache als auch genaue thermostatische Kontrolle günstiger ist.
Ein Verfahren zur Verringerung der Ausbreitungszeitabweichungen
der elastischen Oberflächenwelle.n, die auf die
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Temperaturandorangirn eines kristallinen Substrats zurückzuführen
sind, ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß das kristalline Substrat nach einem vorbestiminten
Schnitt zugeschnitten wird und daß wenigstens eine Oberflächenzone
des Substrats, die in der Bahn der Wellen liegt, einem Ionenbeschuß ausgesetzt wird, dessen Dosierung und
dessen Ausdehnung so eingestellt werden» daß in vorbestimmten Temperatur- und Frequenzbereichen die Ausbreitungszeitabweichungen,
die ohne den Ionenbeschuß beobachtet werden, wesentlich verringert v/erden.
Die Erfindung schafft außerdem eine mit elastischen Oberflächenwellen
arbeilnnäe Einrichtung, die sich durch das
vorgenannte Verfahren ergibt.
Mehrere Ausf iihrungsbe !.spiele ('er Erfindung werden im folgenden
unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schaltung, die das Beurteilen der
Verzögerungszeitabweichungen τ in Abhängigkeit von der Temperatur θ gestattet,
Fig. 2 eine mit elastischen überflächcnwelien
und als Oszillator arbeitende Einrichtung in einem thermostatischen Behälter,
Fig. 3 ein Erläuterung«! Las:ramm,
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Fig. 4 ein weiteres Erläutenmgsdiagranun, und
die Fig. 5 und 6 die Schnitte des Quarzes, die Ausführungsvarianten
bilden können.
Fig. 1 zeigt ein Substrat 1, das aus einem piezoelektrischen, kristallinen Material besteht. Dieses Substrat ist
beispielsweise aus Quarz gebildet und seine Oberfläche 2 ist nach einem bekannten Schnitt, etwa dem ST-Schnitt, zugeschnitten
worden. Das in Fig. 1 dargestellte XYZ-Achsen-System ist so gerichtet, daß die X-Achse der Ausbreitungsrichtung der elastischen Oberflächenwellen entspricht. Diese
Achse fällt in dem Fall des ST-Schnittes mit der elektrischen
Achse X17 des Quarzkristalles zusammen. Die Z-Achse
verläuft senkrecht zu der Oberfläche 2 des Substrats 1 und die Y-Achse liegt in dieser Oberfläche. Wenn es sich um
einen ST-Schnitt handelt, fallen die Y- und die Z-Achse nicht mit den elektrischen Achsen Y_ und Z17 des Quarzkri-Stalls
zusammen.
Der in Fig.l vorgesehene Schnitt ist somit nach dem üblichen
Sprachgebrauch ein (ST, X)-Schnitt.
Fig. 1 zeigt vier Wandler, die aus Elektroden in Form von interdigital angeordneten Kämmen 4,5, 6 und 7 bestehen. Die
Kämme 4 und 5 bilden eine erste Verzögerungseinrichtung und haben einen gegenseitigen Abstand Ct , wobei τ die Verzögerungszeit
und C die Phasengeschwindigkeit der elastischen Oberflächenwellen ist, die sich an der Oberfläche 2
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in der X-Richtung ausbreiten. Die Kämme 6 und 7 bilden
eine zweite Verzögerungseinrichtung, auf die das Verfahren nach der Erfindung angewandt worden ist. Es handelt sich
in vorliegendem Fall um einen Ionenbeschuß der Oberfläche 2 in einem Bereich 3, der in Fig. 1 schraffiert ist.
Zur Bildung des Bereiches 3 ist die Einrichtung von Fig. beispielsweise in eine lonenirnplantationsanlage eingebracht
worden. Die Heliumionen He sind darin mit einer Potentialdifferenz von 100 keV beschleunigt worden und die Dauer
des Beschüsses ist so eingestellt worden, daß die durch die
Oberfläche 2 empfangene Dosis gleich 1,5 10* He /cm' ist« ■>- dem betrachteten Beispiel erstreckt sich die implantierte
Zone über 20 mm und der Abstand von Mitte zu Mitte zwischen den Wandlern 6 und 7 liegt in der Größenordnung von
24, 34 min. Um einfache Vergleiche vornehmen zu können,wurden
die Wandler 4 und 5 in derselben Weise angeordnet wie die Wandler 6 und 7. Außer der Oberflächenwelleneinrichtung
zeigt Fig. 1 symbolisch ein System 10 zum Einstellen und Messen der Temperatur θ des Substrats 1, einen Generator
für ein sinusförmiges elektrisches Signal, der in der Frequenz f geeicht ist, und eine Verzögerungsmeßeinrichtung
9, die vorteilhafterweise aus einem Phasenmesser bestehen
kann.
Die Schaltung von Fig. 1 ist dafür bestimmt, die Verzögerung τ anschaulich zu machen, die durch die mit elastischen
Oberflächenwellen arbeitende Einrichtung erzeugt wird, sowie die Abweichung β τ , die die Verzögerung τ erfährt,
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- t ■
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wenn sich die Temperatur von θ auf θ + AO ändert. Da die
mit elastischen Oberflächenwellen arbeitende Einrichtung
in einer Schaltung arbeiten soll, die durch eine Schwingungs
oder Bezugsfrequenz f gekennzeichnet ist, werden die Zeitdauenneßwerte
vorteilhafterweise in Phasenverschiebungen ausgedrückt. Es kann leicht gezeigt werden, daß in einer
Oszillatorschaltung, in der f die Schwingungsfrequenz bei
der Temperatur θ und Af die bei der Temperatur θ +ΔΘ beobachtete
Frequenzabweichung ist, folgende Beziehung gilt:
τ f
Das Diagramm von Fig. 3 ist mit Hilfe der Schaltung von
Fig. 1 aufgezeichnet worden. Es bezieht sich auf Messungen,
die an einem (ST,X)-Sehnitt-Quarzsubstrat ausgeführt worden
sind. Zur Vereinfachung der Darstellung ist auf der Ordinate die relative. Frequenzabweichung Af /f aufgetragen
worden, aber die Skala hat als Ordinatenwert Null das Maximum der Kurve 17, das für den(ST,X)~Quarz bei der Temperatur
θ =20 C liegt. Die Kurve 17 ist für die Frequenz f = 235 MHz unter Verwendung der Schaltung von Fig. 1 aufgetragen
worden, wobei der Oszillator 8 an den Kamm 4 und den mit dem Kamm 5 verbundenen rechten Eingang des Phasenmessers
9 angeschlossen ist. Da der zwischen den Kämmen 4 und 5 liegende Dereich keinem Ionenbeschuß ausgesetzt worden
ist, ergibt sich die Frequenzdriftkennlinie 17. Der optimale
Anwendungsbereich ist durch den Rahmen 22 materialisiert,
in welchem dio. Empfindli.chkeit gegenüber dem Temperatureinfluß
am geringsten ist.
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- β
27U159 - ff.
Die übrigen Kurven 18, 19, 20 und 21 des Diagramms von
Fig. 2 sind bei verschiedenen Meßfrequenzen unter Verwendung
der Schaltung von Fig. 1 erhalten worden. Es handelt sich dabei weiterhin um den (ST,X)-0uarz, bei dein aber eine
Implantation von 1,5 10 He /cm unter einer Spannung von 100 keV vorgenommen worden ist. Die Kurve 18, die bei. der
Frequenz 78 MHz erhalten worden ist, zeigt, daß infolge der Ionenimplantation in der Zone 3 der optimale Anwendungsbereich
der Einrichtung in dem Rahmen 23 liegt, der einer Erhöhung der Betriebstemperatur entspricht. Mit einer Meßfrequenz
von 133 VhI?, ergibt sich die Kurve 19, deren eingerahmter Teil 24 noch weiter zu den hohen Betriebstemperaturen
hin verschoben ist. Der Vergleich der Kurven des Diagramms von Fig. 3 zeigt, daß die Belrmdlung der Oberfläche
eines kristallinen Substrats durch. Ionenimplantation den Verlauf der Driftkurve der Schwingungsfrequenz wesentlich
ändert. Diese Änderung ist um so deutlicher, je höher die Betriebsfrequenz ist. Das erklärt sich aus der Tatsache,
daß die Eindringtiefe der Schwingungsenergie mit zunehmender Frequenz abnimmt, so daß der Einfluß der oberflächlichen
Änderung der physikalischen Eigenschaften eines Substrats
durch Ionenimplantation bei den hohen Frequenzen vo. herrschend wird. Der Verlauf der Kurve 21, die sich bei 235 MHz
ergeben hat, zeigt, daß die ^'emperaturdrift der Frequenz
in der implantierten Zone positiv ist.
Die Untersuchung der Wärmedrift mit einem amorphen Quarzsubstrat
führt zur Beobachtung einer starken Drift mit positivem Vorzeichen in bezug auf das Verhältnis Af /f .
oo
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Es kann somit angenommen werden, daß der Ionenbeschuß eines
Substrats im kristallinen Zustand zur Erzeugung von Fehlern in dor regelmäßigen Anordnung der Atome führt, was die beschossene
Zone des kristallinen Materials zu dem amorphen Zustand tendieren läßt. Die durch den Ionenbeschuß erzielte
Zerstörungswirkung ist im allgemeinen partiell und es muß auch der interstitielle Einschluß von Fremdatomen berücksichtigt
werden. Das erklärt, warum die beschossene Zone einei* amorphen Zone gleichgesetzt werden kann.
Schließlich ist zu erkennen, daß die Erfindung ein Verfahren
schafft, das darin besteht, ein kristallines Material mit geeignetem Schnitt zu wählen und es in einer gewählten Zone,
die sich in der Bahn der Oberflächenwellen befindet, einem
Ionenbeschuß auszusetzen. Einer der Vorteile der Verwendung eines solchen Verfahrens wird anhand von Fig. 2 verständlich,
die eine mit elastischen Oberflächenwellen arbeitende
Einrichtung 2, 6 , 7 zeigt, welche mit einer implantierten Zone 3 versehen ist. Zur Erzeugung von Schwingungen
mit einer stabilen Frequenz f ist die mit elastischen Oberflächenwellen arbeitende Einrichtung einem Verstärker
10 zugeordnet und das Ganze ist in einem thermostatischen Behälter 11 untergebracht, der mit einem Temperaturfühler
13 und mit einem Element 16 versehen ist, welches in der Lage ist, zeitlich selektiv Wärmemengen zu liefern oder zu
entnehmen. Das Element 16 kann aus einem Heizwiderstand oder aus einem Peltier-Effekt-Übergang bestehen. Eine Quelle
15 für elektrische Energie und ein Thermostatschalter 14, der durch den Fühler 13 gesteuert wird, gestatten, in dem
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Behälter 11 die Temperatur im wesentlichen auf dem Wert θ konstantzuhälten. Damit die Temperaturregelung wirksam
und leicht durchführbar ist, muß sich der geregelte Wert θ wesentlich von dem Wert Θ. der Umgebungstemperatur unterscheiden.
Fig. 3 zeigt, daß bei NichtVorhandensein der
implantierten Zone 3 die Drift der Kurve 17 folgt und daß in der Mitte des Bereiches 22 die Temperatur 20 C beträgt.
Eine Regelung bei dieser Temperatur, die in bezug auf die Umgebungstemperatur weder niedrig noch hoch ist, kann nicht
zufriedenstellend sein. Durch Vorsehen einer implantierten Zone 3 und durch Wählen der Schwingungsfrequenz f = 133 MfIz
zeigt sich dagegen gemäß der Kurve 19 von Fig. 3, daß die geregelte Temperatur auf 75 C gebracht werden kann. Diese.
Wahl ist viel günstiger und ist durch Behandeln des Substrats durch Ionenimplantation ermöglicht worden.
Die Erfindung ist offenbar nicht auf den (ST,X)-Schnitt-Quarz beschränkt, der bis hierher betrachtet worden ist.
Die Verschiebung des Gipfels der Driftkennlinie zu den hohen Temperaturen hin kann nämlich auch in entgegengesetzter
Richtung erfolgen. Andere kristalline Materialien, wie beispielsweise Lithiumtantalat, und auch andere Schnitte
sind verwendbar.
Die Ionenimplantation stellt ganz allgemein eine Maßnahme
zur Kompensation der Frequenzdrift dar.
Fig. 4 zeigt ein weiteres Frequenzdriftdiagramm. Die strichpunktierte
Driftkurve 25 bezieht sich auf ein nichtimplan-
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• Al .
tiertes Quarzsubstrat, das nach einem Schnitt, wie er in den Fig. 5 oder 6 dargestellt ist,zugeschnitten ist. Diese
Driftkurve 25 unterscheidet sich von der von Fig. 3 durch die Tatsache, daß ihre Steigung negativ ist. Diese Steigung
hat gegenüber der Steigung der Driftkurve 26, die sich auf amorphen Quarz bezieht, das entgegengesetzte Vorzeichen.
Dank der Ionenimplantation ist es möglich, in einem großen Maße die Frequenzabweichungen zu kompensieren,
die sich aus der Temperaturänderung ergeben. Man erhält so eine Driftkurve, wie etwa die Kurve 27, mit einem ausgedehnten
optimalen Betriebsbereich, in welchem der Koeffizient erster Ordnung Null ist.
Die Schnitte, die zu der in Fig.4 dargestellten Kompensation
führen, sind in den Fig. 5 und 6 dargestellt. Fig. 5 zeigt ein Substrat, dessen obere Fläche 2 nach dem (X,Z
36 )-Schnitt zugeschnitten ist. Die elektrischen Achsen des Quarzes sind X_, Y-. und Z„ und die Ausbreitungsrich-
tit it»
Cj
tung der elastischen Oberflächenwellen ist mit 29 bezeichnet. In Fig. 6 ist der (Y,X 40 °)-Schnitt dargestellt.
In bezug auf die Positionierung der implantierten Schicht können zwei mögliche Anordnungen angegeben werden. Man
kann, wie Fig. 2 zeigt, die implantierte Zone 3 so Zwischenschalten, daß sie die elastischen Oberflächenwellen in der
gesamten Breite des Schwingungscnergiebiindels, das von dem Wandler 7 ausgesandt wird, auffängt. Man kann diese
Zone auch lediglich auf einem Teil der Breite des Substrats vorsehen. Dazu kann auf Fig. 1 Bezug genommen v/erden, die
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eine implantierte Zone zeigt, welche nur die Hälfte der Breite des Substrats einnimmt., wenn angenommen wird, daß
die Wandler 4 und 7 sowie 5 und 6 parallel arbeiten.
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Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE :IJ Verfahren zur Verringerung der Ausbreitungszeitabweichungen von elastischen Oberflächcnwellen, die auf die Temperaturänderungen eines kristallinen Substrats zurückzuführen sind, dadurch gekennzeichnet, daß das kristalline Substrat nach einem vorbestimmten Schnitt zugeschnitten wird und daß wenigstens eine Oberflächenzone des Substrats, die sich in der Bahn der Wellen befindet, einem Ionenbeschuß ausgesetzt wird, dessen Dosierung und Ausdehnung so eingestellt werden, daß in vorbestimmten Temperatur- und Frequenzbereichen die Ausbreitungszeitabweichungen, die bei NichtVorhandensein des Ionenbeschusses beobachtet v/erden, wesentlich verringert werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Betriebstemperatur vorhanden ist, beiderseits welcher die Abweichungen dasselbe Vorzeichen haben, wobei der Ionenbeschuß eine Verschiebung der Temperatur bewirkt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß7098A1/086AORIGINAL INSPECTEDι -der Ionenbeschuß in der Ausdehnung der Zone eine Utnke.hnrrig der Richtung der Wärmedrift bewirkt, die dem kristallinen Substrat eigen ist, das den Schnitt aufweist.
- 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als kristallines Substrat Quarz benutzt wird, daß der
Schnitt ein ST,X-Schnitt ist und daß die Verschiebung aus eiiier Erhöhung der Temperatur besteht. - 5. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als kristallines Substrat Quarz benutzt wird und daß
der Schnitt ein X,Z 36 °-Schnitt ist. - 6. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als kristallines Substrat Quarz benutzt wird und daß
der Schnitt einem Y,X,40 -Schnitt nahekommt. - 7. Mit elastischen Oberf lächeiiwellen arbeitende elektromagnetische Einrichtung mit einem kristallinen Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des kristallinen Substrats den Ionenbeschuß gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 erfahren hat.709841 /0864
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4491931A (en) * | 1981-04-08 | 1985-01-01 | Thomson-Csf | Elastic wave processing system invariant with the temperature |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1591624A (en) * | 1977-01-24 | 1981-06-24 | Secr Defence | Acoustic wave devices |
US4191934A (en) * | 1978-12-11 | 1980-03-04 | Sperry Corporation | High efficiency wide band surface acoustic wave coupler processors |
US4358745A (en) * | 1981-03-16 | 1982-11-09 | International Business Machines Corporation | Semiconductor surface acoustic wave device |
FR2612711A1 (fr) * | 1987-03-19 | 1988-09-23 | Thomson Csf | Procede de correction d'un dispositif a ondes de surface, notamment pour un filtre dispersif |
JPS63294009A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
US5418866A (en) * | 1993-10-08 | 1995-05-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Surface acoustic wave devices for controlling high frequency signals using modified crystalline materials |
FR2714200B1 (fr) * | 1993-11-25 | 1996-12-27 | Fujitsu Ltd | Dispositif à onde acoustique de surface et son procédé de fabrication. |
JP2888158B2 (ja) * | 1995-01-18 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
US6107910A (en) | 1996-11-29 | 2000-08-22 | X-Cyte, Inc. | Dual mode transmitter/receiver and decoder for RF transponder tags |
US6060815A (en) * | 1997-08-18 | 2000-05-09 | X-Cyte, Inc. | Frequency mixing passive transponder |
US6114971A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-05 | X-Cyte, Inc. | Frequency hopping spread spectrum passive acoustic wave identification device |
US5986382A (en) | 1997-08-18 | 1999-11-16 | X-Cyte, Inc. | Surface acoustic wave transponder configuration |
US6208062B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-03-27 | X-Cyte, Inc. | Surface acoustic wave transponder configuration |
US6049155A (en) * | 1997-10-27 | 2000-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Thermally tunable surface acoustic wave devices |
US9232315B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-01-05 | Phonon Corporation | Monolithically applied heating elements on saw substrate |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2967240A (en) * | 1957-03-09 | 1961-01-03 | Koch Hans Otto | Method of detecting and eliminating flaws in solid material of high molecular order |
US3886529A (en) * | 1973-12-26 | 1975-05-27 | Thomson Csf | Electro-acoustic memory device |
US3886503A (en) * | 1974-01-28 | 1975-05-27 | Thomson Csf | Device for storing high frequency signals |
US4016412A (en) * | 1975-03-05 | 1977-04-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface wave devices for processing signals |
-
1976
- 1976-03-30 FR FR7609210A patent/FR2346899A1/fr active Granted
-
1977
- 1977-03-25 US US05/781,451 patent/US4110653A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-03-29 GB GB13267/77A patent/GB1581185A/en not_active Expired
- 1977-03-29 JP JP3513477A patent/JPS52119849A/ja active Pending
- 1977-03-29 CA CA275,006A patent/CA1093677A/en not_active Expired
- 1977-03-30 DE DE19772714159 patent/DE2714159A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4491931A (en) * | 1981-04-08 | 1985-01-01 | Thomson-Csf | Elastic wave processing system invariant with the temperature |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2346899B1 (de) | 1979-05-11 |
JPS52119849A (en) | 1977-10-07 |
CA1093677A (en) | 1981-01-13 |
FR2346899A1 (fr) | 1977-10-28 |
GB1581185A (en) | 1980-12-10 |
US4110653A (en) | 1978-08-29 |
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