DE2654532B2 - Disc-shaped semiconductor cell - Google Patents

Disc-shaped semiconductor cell

Info

Publication number
DE2654532B2
DE2654532B2 DE2654532A DE2654532A DE2654532B2 DE 2654532 B2 DE2654532 B2 DE 2654532B2 DE 2654532 A DE2654532 A DE 2654532A DE 2654532 A DE2654532 A DE 2654532A DE 2654532 B2 DE2654532 B2 DE 2654532B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cylinder ring
ring
diameter
semiconductor cell
circumferential surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2654532A
Other languages
German (de)
Other versions
DE2654532A1 (en
DE2654532C3 (en
Inventor
Ing.(grad.) Otto 4788 Warstein Heising
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE2654532A priority Critical patent/DE2654532C3/en
Publication of DE2654532A1 publication Critical patent/DE2654532A1/en
Publication of DE2654532B2 publication Critical patent/DE2654532B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2654532C3 publication Critical patent/DE2654532C3/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine scheibenförmige Halbleiterzelle der im Oberbegriff des Patentanspruchs angegebenen Art. Eine derartige Halbleiterzelle ist aus der DE-OS 21 18 356 bekannt.The invention relates to a disk-shaped semiconductor cell in the preamble of the claim specified type. Such a semiconductor cell is known from DE-OS 21 18 356.

Es ist auch durch die DE-PS 20 21 158 eine Halbleiteranordnung mit einem scheibenförmigen Gehäuse und einem darin eingesetzten Halbleiterbauelement bekannt, bei welcher ein Zylinderring aus Keramik das Gehäuse bildet, in dessen oberer und unterer Stirnseite eine gegen das Ringinnere gerichtete Stufe eingelassen ist, in der an der oberen Stirnseite ein Blechstützring zur Abstützung eines die obere Gehäusestirnseite dicht abschließenden membranartigen, kreisförmigen Kontaktierungsbleches aus Kupfer mit einer Randwulst eingelötet ist. In der Stufe an der unteren Stirnseite des Zylinderringes ist ebenfalls ein solches Kontaktierungsblech mit einer Ringwulst, jedoch ohne Stützring eingelötet, welches die untere Gehäusestirnseite dicht abschließt. Das Halbleiterbauelement ist an einer seiner Hauptflächen mit einer durch das Kontaktierungsblech an der unteren Gehäusestirnseite kontaktierten Tragscheibe verbunden und ist an der anderen Hauptfläche mittels einer Kontaktierscheibe mit dem Kontaktierungsblech an der oberen Gehäusestirnseite in Kontakt. Bei dieser Anordnung befindet sich sonach das Halbleiterbauelement einerseits mit seiner Tragscheibe und andererseits mit einer Kontaktierscheibe zwischen den zwei die Halbleiterzelle dicht abschließenden membranartigen Kontaktierungsblechen und wird mit diesen bei Druckausübung auf die Halbleiterzelle kontaktiert. Außerdem ist das Halbleiterbauelement zentriert und umspannfähig in die Zelle eingesetzt.It is also from DE-PS 20 21 158 a semiconductor device with a disc-shaped housing and a semiconductor component used therein is known, in which a cylinder ring made of ceramic the housing forms, in its upper and lower end face, a step directed towards the inside of the ring is let in, in which a sheet metal support ring on the upper face to support the upper housing face tightly sealing membrane-like, circular contacting sheet made of copper with a Edge bead is soldered. There is also one in the step on the lower face of the cylinder ring Contacting sheet with an annular bead, but without a support ring, soldered into the lower end of the housing seals tightly. The semiconductor component is on one of its main surfaces with a through the Contacting plate connected to the lower housing face contacted support disk and is on the other main surface by means of a contacting disk with the contacting plate on the upper housing face in contact. In this arrangement, the semiconductor component is on the one hand with it its support disk and on the other hand with a contact disk between the two the semiconductor cell tightly final membrane-like contacting sheets and is with these when pressure is applied to the Contacted semiconductor cell. In addition, the semiconductor component is centered and capable of being reclamped into the Cell inserted.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halbleiterzelle mit den eingangs angegebenen Anordnungs- und Aufbaumerkmalen zu finden, die aus einfachen Bauteilen herstellbar ist, welche leicht zu einem dicht abschließenden Gehäuse zusammenzusetzen sind.The object of the invention is to provide a semiconductor cell with the features of arrangement and construction specified at the beginning to find, which can be produced from simple components, which easily to a tightly sealed Housing are to be assembled.

Eine solche Halbleiterzelle wird durch die Erfindung geschaffen und weist zusätzlich die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs angegebenen Merkmale auf.Such a semiconductor cell is created by the invention and additionally has the in the characterizing Part of the claim specified features.

In der Zeichnung sind drei Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt und nachstehend beschrieben. Es zeigenIn the drawing, three exemplary embodiments of the invention are shown and described below. It demonstrate

F i g. 1 und F i g. 2 einen Durchmesserquerschnitt durch eine scheibenförmige Halbleiterzelle für ein Thyristorbauelement,F i g. 1 and F i g. 2 shows a diameter cross section through a disk-shaped semiconductor cell for a Thyristor component,

Fig.3 einen Durchmesserquerschnitt durch eine scheibenförmige Halbleiterzelle für ein Diodenelement3 shows a diameter cross section through a disk-shaped semiconductor cell for a diode element

In diesen Figuren haben gleichartige Einzelteile die gleichen Bezugszeichen.In these figures, individual parts of the same type have the same reference symbols.

Bei den scheibenförmigen Halbleiterzellen nach Fig. I, 2 und 3 bildet ein Zylinderring 1 aus einem Isolator, beispielsweise aus Keramik oder aus einem starrfesten Kunststoff, die Gehäusewand (Gehäusemantel). An den zwei Stirnseiten sind die Halbleiterzellen durch zwei gleiche Kontaktierscheiben 2 und 2' abgeschlossen, deren Durchmesser dem Durchmesser der Innenmantelfläche des Zylinderringes 1 angepaßt ist und welche beide einen Außenflansch 21,21' aufweisen. Ein Halbleiterbauelement 3 ist nach F i g. 2 und 3 in der Zelle zwischen den Kontaktierscheiben mittels eines das Bauelement umschließenden Isolierringes 4 zentriert angeordnet. Zwischen zwei an der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes umlaufenden Anschlägen, die an dem Außenflansch 21 bzw. 2V anliegen, sind die zwei Kontaktierscheiben gegeneinander festgehalten. Mindestens ein elastischer Dichtungsring 5 aus temperaturbeständigem und ölfestem Material, wie z. B. Silikongummi, welcher das Halbleiterbauelement ebenfalls umschließt, befindet sich zwischen den Kontaktierscheiben 2 und 2'. Die Außenmantelfläche 13 des Zylinderringes 1 ist, wie z. B. die F i g. 1 es zeigt, mit vielen parallel umlaufenden Rillen versehen, damit der Spannungskriechweg der Zelle groß wird. Bei der Halbleiterzelle nach Fig. 1 dienen zwei Sesgeringe 6 und 6' als Anschläge für die zwei Kontaktierscheiben. Die Seegeringe sind in zwei in der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes in der Nähe von dessen Stirnflächen umlaufende Nuten 12 und 12' einsetzbar. Diese Seegeringe sind, wie bekannt, Sprengringe, die z. B. an ihren gegenüberstehenden Enden mit je einem Greifloch versehen sind. In der Mitte der Innenmantelfläche hat der Zylinderring 1 einen Rechteckprofil aufweisenden Vorsprung 14. Zwischen einer Kontaktierscheibe und einem Vorsprung andererseits befindet sich ein Dichtungsring 5 bzw. 5' mit den oben angegebenen Materialeigenschaften. Mittels dieser zwei Dichtungsringe schließen die zwischen den Sprengringen 6, 6' angeordneten Kontaktierscheiben die Halbleiterzelle genügend dicht ab. Die Dichtungsringe ermöglichen einen ausreichenden Bewegungsweg, damit die Zelle den zur Druckkontaktierung des Thyristorbauelementes erforderlichen Druck aufnehmen kann. Die Höhe des Vorsprungs 14 kann so bemessen werden, daß die lichte Weite des Zylinderringes beim Vorsprung dem Außendurchmesser der Tragscheibe 31 des Thyristors 3 angepaßt ist. Nach F i g. 1 befindet sich das Bauelement 3 des Thyristors zwischen den Kontaktierscheiben 2, 2' in einer zentrierenden Ausnehmung 22' der Kontaktierscheibe 2'. Einfacher wird ein Halbleiterbauelement mittels eines Isolierringes, wie in den Fig. 2 und 3 gezeigt, zentriert gehalten.In the disk-shaped semiconductor cells according to FIGS. 1, 2 and 3, a cylinder ring 1 made of an insulator, for example made of ceramic or a rigid plastic, forms the housing wall (housing jacket). At the two end faces, the semiconductor cells are closed off by two identical contact disks 2 and 2 ', the diameter of which is adapted to the diameter of the inner circumferential surface of the cylinder ring 1 and which both have an outer flange 21, 21'. A semiconductor component 3 is shown in FIG. 2 and 3 arranged centered in the cell between the contact disks by means of an insulating ring 4 surrounding the component. The two contact disks are held against one another between two encircling stops on the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring, which abut against the outer flange 21 or 2V. At least one elastic sealing ring 5 made of temperature-resistant and oil-resistant material, such as. B. silicone rubber, which also encloses the semiconductor component, is located between the contact disks 2 and 2 '. The outer circumferential surface 13 of the cylinder ring 1 is such. B. the F i g. 1 it shows, provided with many parallel circumferential grooves so that the voltage creepage distance of the cell becomes large. In the semiconductor cell according to FIG. 1, two Sesgerings 6 and 6 'serve as stops for the two contact disks. The circlips can be inserted in two circumferential grooves 12 and 12 'in the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring in the vicinity of its end faces. These circlips are, as is known, snap rings which, for. B. are each provided with a gripping hole at their opposite ends. In the middle of the inner circumferential surface, the cylinder ring 1 has a rectangular profile having a projection 14. Between a contact washer and a projection on the other hand there is a sealing ring 5 or 5 'with the material properties specified above. By means of these two sealing rings, the contact disks arranged between the snap rings 6, 6 'close off the semiconductor cell sufficiently tightly. The sealing rings allow a sufficient movement path so that the cell can absorb the pressure required to make pressure contact with the thyristor component. The height of the projection 14 can be dimensioned so that the clear width of the cylinder ring at the projection is adapted to the outer diameter of the support disk 31 of the thyristor 3. According to FIG. 1, the component 3 of the thyristor is located between the contacting disks 2, 2 'in a centering recess 22' of the contacting disk 2 '. A semiconductor component is more simply held centered by means of an insulating ring, as shown in FIGS. 2 and 3.

Bei der Halbleiterzelle nach F i g. 2 dienen ebenfallsIn the case of the semiconductor cell according to FIG. 2 also serve

zwei Seegeringe 6,6' in gleicher Weise wie nach F i g. 1 als Anschläge für die Kontaktierscheiben 2 und 2'. Im Unterschied zu der Zelle nach F i g. 1 sind zwei aufeinanderliegende Dichtungsringe S und S' zwischen der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes und einem ·"· wiederum ein Thyristorbauelement 3 umschließenden Isolierring 4 so eingepaßttwo circlips 6,6 'in the same way as in FIG. 1 as stops for the contact disks 2 and 2 '. In contrast to the cell according to FIG. 1 are two sealing rings S and S 'lying on top of one another between the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring and a · "· in turn, an insulating ring 4 enclosing a thyristor component 3 so fitted

Der Druckkontaktierung bieten die Dichtungsringe auch hier genügend Bewegungsweg. Nach F i g. 2 dient außerdem der Isolierring 4 zur Zentrierung des ι» Bauelementes 3. Er kann zu diesem Zweck in einer in der Kontaktierscheibe 2' befindlichen Kreisnut eingesetzt werden. Die Kontaktierscheiben 2 und 2' schließen die Halbleiterzelle mittels der Dichtungsringe 5 und 5' dicht ab. Ein Anschlußleiter T für die Steuerelektrode G ι "> des Thyristors ist in einer rohrartigen Hülle 7 durch den Zylinderring 1 hindurch in die Halbleiterzelle eingeführt und geht frei zwischen den dicht aufeinander liegenden Dichtungsringen hindurch.Here, too, the sealing rings offer sufficient movement path for pressure contact. According to FIG. 2, the insulating ring 4 also serves to center the component 3. For this purpose, it can be inserted in a circular groove located in the contact disk 2 '. The contact disks 2 and 2 'close the semiconductor cell tightly by means of the sealing rings 5 and 5'. A connection conductor T for the control electrode G ι "> of the thyristor is inserted in a tubular sheath 7 through the cylinder ring 1 into the semiconductor cell and passes freely between the sealing rings lying close together.

Anders als bei den scheibenförmigen Zellen nach F i g. 1 und 2 dienen bei einer Halbleiterzelle nach F i g. 3 ein in dem Zylinderring 1 ausgebildeter Innenflansch 15, welcher dem Außenflansch 21 einer Kontaktierscheibe 2 umfaßt, und wiederum ein Seegering 6' als Anschläge für die zwei Kontaktierscheiben 2 und 2'. Wie nach F i g. 2 sind zwei unmittelbar aufeinander liegende Dichtungsringe 5 und 5' zwischen der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes 1 und einem Isolierring 4 eingepaßt, welcher das Halbleiterbauelement 3, hier ein Diodenbauelement, zentrierend umschließt Mittels der Dichtungsringe schließen die Kontaktierscheiben die Halbleiterzelle dicht ab. Wiederum sind die Dichtungsringe 5, 5' zwischen Zylinderring 1 und Isolierring 4 so eingepaßt, daß ihre Ringhöhe größer als die Höhe des Isoüerringes 4 ist, wenn kein Druck auf die Halbleiterzelle ausgeübt wird, so daß die Dichtungsringe genügend Bewegungsweg für die Druckkontaktierung des Bauelementes 3 aufweisen.In contrast to the disc-shaped cells according to FIG. 1 and 2 are used in a semiconductor cell according to FIG. 3 an inner flange 15 formed in the cylinder ring 1, which is attached to the outer flange 21 of a contact disk 2 includes, and in turn a circlip 6 'as stops for the two contact disks 2 and 2'. How after F i g. 2 are two sealing rings 5 and 5 'lying directly on top of one another between the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring 1 and an insulating ring 4 fitted, which the semiconductor component 3, here a Diode component, centering encloses by means of the Sealing rings tightly seal the contact discs of the semiconductor cell. Again are the O-rings 5, 5 'between the cylinder ring 1 and insulating ring 4 fitted so that their ring height is greater than the height of the Isoüerringes 4 is when no pressure is exerted on the semiconductor cell, so that the sealing rings have sufficient movement path for the pressure contact of the component 3.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (1)

Patentanspruch:Claim: Scheibenförmige Halbleiterzelle mit einem als Gehäusewand dienenden einstückigen Zylinderring aus einem starrfesten Isolator für ein druckkontaktiertes Thyristor- oder Diodenbauelement, das zwischen zwei die Halbleiterzelle an deren zwei Stirnseiten dicht abschließenden Kontaktierscheiben, die je einen Außenflansch mit einem an den Durchmesser der Innenmantelfläche des Zylinderrings angepaßten Durchmesser aufweisen, zentriert eingesetzt und von mindestens einem elastischen, temperaturbeständigen und ölfesten Dichtungsring mit einem an den Durchmesser der Innenmantelfläche des Zylinderrings angepaßten Außendurchmesser umschlossen ist, wobei die Kontaktierscheiben zwischen zwei an ihren Außenflanschen anliegenden, an der Innenmantelfläche des Zylinderrings hervorstehenden umlaufenden Anschlägen gegeneinander festgehalten sind, dadurch gekennzeichnet, daß als Anschläge entweder zwei in zwei in der Innenmantelfläche (11) des Zylinderrings (1) geschlossen umlaufenden Nuten (12, 12') eingesetzte Sprengringe (6, 6') aus Federstahl oder wenigstens ein solcher Sprengring (6') und ein einen Außenflansch (21) einer Kontaktierscheibe (2) umfassender, an einer Stirnseite des Zylinderrings (1) ausgebildeter Innenflansch (15) dienen.Disc-shaped semiconductor cell with a one-piece cylinder ring serving as a housing wall from a rigid insulator for a pressure-contacted thyristor or diode component that between two contacting disks which tightly seal the semiconductor cell at its two end faces, each having an outer flange with one on the diameter of the inner circumferential surface of the cylinder ring have adapted diameter, inserted centered and of at least one elastic, temperature-resistant and oil-resistant sealing ring with a diameter of the inner jacket surface of the cylinder ring adapted outer diameter is enclosed, the contacting washers between two adjacent to their outer flanges on the inner circumferential surface of the cylinder ring protruding circumferential stops are held against each other, characterized in that that as stops either two in two in the inner circumferential surface (11) of the cylinder ring (1) closed circumferential grooves (12, 12 ') inserted snap rings (6, 6') made of spring steel or at least one such snap ring (6 ') and an outer flange (21) of a contact washer (2) serve more comprehensive, on one end face of the cylinder ring (1) formed inner flange (15).
DE2654532A 1976-12-02 1976-12-02 Disc-shaped semiconductor cell Expired DE2654532C3 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2654532A DE2654532C3 (en) 1976-12-02 1976-12-02 Disc-shaped semiconductor cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2654532A DE2654532C3 (en) 1976-12-02 1976-12-02 Disc-shaped semiconductor cell

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2654532A1 DE2654532A1 (en) 1978-06-08
DE2654532B2 true DE2654532B2 (en) 1981-07-09
DE2654532C3 DE2654532C3 (en) 1982-03-11

Family

ID=5994438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2654532A Expired DE2654532C3 (en) 1976-12-02 1976-12-02 Disc-shaped semiconductor cell

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2654532C3 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3143335A1 (en) * 1981-10-31 1983-05-11 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Semiconductor device
DE3221794A1 (en) * 1982-06-09 1983-12-15 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR CELL FOR PRESSURE-CONTACTABLE POWER SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2825682C2 (en) * 1978-06-12 1984-09-20 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Semiconductor component with insulating housing
DE3308720A1 (en) * 1983-03-11 1984-09-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DISC-SHAPED HOUSING
US4829364A (en) * 1985-11-29 1989-05-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
USRE34696E (en) * 1985-11-29 1994-08-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Semiconductor device housing with electrodes in press contact with the opposite sides of chip
DE102006014145C5 (en) * 2006-03-28 2015-12-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Pressure contacted arrangement with a power device, a metal moldings and a connecting device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3437887A (en) * 1966-06-03 1969-04-08 Westinghouse Electric Corp Flat package encapsulation of electrical devices
DE2118356A1 (en) * 1971-04-15 1972-10-26 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Disc-shaped semiconductor component
BE790502A (en) * 1971-10-26 1973-04-25 Westinghouse Electric Corp ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE USING AN ELASTOMER

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3143335A1 (en) * 1981-10-31 1983-05-11 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Semiconductor device
DE3221794A1 (en) * 1982-06-09 1983-12-15 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR CELL FOR PRESSURE-CONTACTABLE POWER SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Also Published As

Publication number Publication date
DE2654532A1 (en) 1978-06-08
DE2654532C3 (en) 1982-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3032133C2 (en) Explosion-proof semiconductor device.
DE69105779T2 (en) Lightning arrester arrangement for protecting electrical lines.
DE3835921C2 (en) Surge arrester with air gap
DE2654532C3 (en) Disc-shaped semiconductor cell
DE2848252A1 (en) FLAT PACK SEMI-CONDUCTOR DEVICE
DE2012440C3 (en) Semiconductor arrangement for gas-tight sealed disk-shaped semiconductor elements
DE3640801C2 (en)
DE3918891C2 (en)
DE3308661C2 (en)
DE2825682C2 (en) Semiconductor component with insulating housing
DE3221794C2 (en)
DE19505387A1 (en) Pressure contact housing for semiconductor components
EP0122431A1 (en) Semiconductor device with a disc-shaped housing
DE2719400C2 (en) Disc-shaped semiconductor cell
EP0689727B1 (en) Surge arrester with short-circuit device
DE3856061T2 (en) Semiconductor arrangement with pressure contacts
DE19928322A1 (en) Gas-filled surge arrester with electrode connections in the form of band-like clamps
DE2118356A1 (en) Disc-shaped semiconductor component
DE2520134C3 (en) Thyristor with a rectangular semiconductor element
DE1946413C3 (en) Spark gap for surge arresters
DE2302640C3 (en) spark plug
DE2022616A1 (en) Disc-shaped semiconductor component
DE2302640B2 (en) spark plug
DE2541971A1 (en) Electrical circuit component including semiconductor - which is in elastic insulating ring and has internal sealing surfaces resting on edge of semiconductor
DE1764801A1 (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee