DE2632154C2 - Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement - Google Patents

Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement

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Description

25
Die Erfindung bezieht sich auf eine kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 oder 2 vorausgesetzten Art
Es ist bei Halbleiteranordnungen mit einer geringen Strombelastbarkeit üblich, daß eine das Halbleiterbauelement tragende Metallplatte als Wärmeabstrahier verwendet wird. Das Halbleiterbauelement ist z. B. ein Diodenplättchen, ein Transistorplättchen oder ein Thyristorplättchen.
Allgemein wird das Halbleiterbauelement direkt mit einer solchen Metallwärmeabstrahlplatte verbunden und dann einem Abdichtungsprozeß unterworfen, oder es wird hermetisch in einem Gehäuse eingeschlossen, das fest mit der Metallwärmeabstrahlplatte verbunden wird.
Eine Halbleiteranordnung zur Aufnahme eines über einer gewissen Schwelle liegenden Stromes weist eine zwischen dem Halbleiterbauelement und einer Metallwärmeabstrahlplatte eingefügte Elektrodenplatte auf, die einen dem des Halbleiterbauelements nahezu gleichen Wärmeausdehnungskoeffizient aufweist, um einen Bruch des Halbleiterbauelements aufgrund unterschiedlicher Wärmedehnung zu verhindern. Das Halbleiter- bauelement wird mit der Elektrodenplatte verlötet, und die Elektrodenplatte wird ihrerseits mit der Metallwärmeabstrahlplatte verlötet.
Wenn ein Gehäuse verwendet wird, fügt man die Elektrodenplatte zwischen dem Halbleiterbauelement und dem Gehäuse ein.
Die Metallwärmeabstrahlplatte wird als eine der Elektroden des Halbleiterbauelements verwendet und muß eine gute elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Selbstverständlich wird die Wärmeabstrahlplatte notwendigerweise aus einem Material mit guter Wärmeleitfähigkeit zum wirksamen Abführen von Wärme hergestellt. Außerdem sollte das Material eine über einer gewissen Grenze liegende mechanische Festigkeit und eine gute Verformbarkeit haben.
Eine bekannte Metallwärmeabstrahlplatte (Kühlblech) in einem Kraftfahrzeug-Gleichrichtersatz wurde aus Eisen oder Aluminium hergestellt (DE-OS 24 33 805) und zur Verbesserung des Wärmeabführvermögens im Bereich der Halbleiterdioden mit Kühlrippen tragenden Verdickungen sowie vorzugsweise im Bereich der Rippenzwischenräume noch mit Durchlässen für die Kühlluft versehen. Dadurch vergrößert sich die Masse der Wärmeabstrahlplatte, was deren mechanische Festigkeit gegenüber Erschütterungen ungünstig beeinflußt
Andererseits sind — ohne besondere Berücksichtigung der mechanischen Festigkeit gegenüber Erschütterungen — noch folgende Halbleiterbauelement-Tragplatten, insbesondere zur Verbindung mit besonderen Wärmeabstrahlkörpern bekannt: Eine aus Eisen, Nickel und Kupfer oder Silber bestehende Sintertragplatte mit Kupfer- oder Silberüberzug zur Verbindung mit einer Kupferwärmeabstrahlplatte (DE-AS 16 39 436); ein mit Nickel und Gold plattiertes Molybdänsubstrat zur Verbindung mit einem Aluminium-Zink-Wärmeabstrahlkörper (»IBM Technical Disclosure Bulletin«, Band 12, Nr. 10, Mlrz 1970, Seite 1537); eine aus Graphit und Silber oder Kupfer bestehende Sintertragplatte mit Kupfer c-der Silberüberzug zur Verbindung mit einer Kupferwärmeabstrahlplatte (DE-AS 1242 757); und eine Kupfermatrixplatte mit eingebettetem Eisen-Nickel-Kobalt-Gitter oder -Teilchenmaterial, die mit dem Halbleiterbauelement durch einem Molybdänblock verbunden ist Die jeweils vorgesehenen Zusammensetzungsmerkmale der Tragplatten dienen dabei der Einstellung eines geeigneten Wärmeausdehnungskoeffizienten.
Eine Kupferwärmeabstrahlplatte hat eine gute Wärmeleitfähigkeit (eif nung zur Wärmeabgabe) und Verformbarkeit, doch weist sie den Nachteil geringerer mechanischer Festigkeit und sehr hoher Herstellungskosten auf.
Besonders im Fall einer Halbleiteranordnung mit einer ziemlich großen Strombelastbarkeit, die außerdem häufigen Wärmezyklen und mechanischen Schwingungen ausgesetzt ist, z. B. eines mit einem Wechselstromgenerator in einem Kraftfahrzeug verwendeten HaIbleiterdopfjelgleichrichters, verursacht der unvollkommen gestaltete Metallabstrahier beispielsweise eine thermische Ermüdung im Lötwerkstoff, was zur Zerstörung des Halbleiterbauelements führt.
Es wurde auch eine Wärmeabstrahlplatte höherer mechanischer Festigkeit bekannt (US-PS 37 80 795), die aus einer das Halbleiterbauelement aufnehmenden Kupferschicht und einer damit verbundenen Metallschicht mit höherem Wärmeausdehungskoeffizient, insbesondere aus Aluminium, besteht, wobei die unterschiedliche Wärmedehnung der beiden Schichten durch eine Vorwölbung der Schicht mit dem höheren Wärmeausdehnungskoeffizient in die Kupferschicht und eine entsprechende Vorwölbung der letzteren an der Tragoberfläche weitgehend kompensiert wird.
Die Herstellschritte sind jedoch für eine Massenproduktion relativ aufwendig.
Andererseits war es schon früher bekannt (US-PS 28 52 720), Bimetallausdehnungseffekte beim Aufbau einer Magnetronanode mit L-förmigen Molybdän- oder Wolframspeichen dadurch auszuschalten, daß diese Speichen auf den gesamten Außenflächen mit einem Metall wie Kupfer überzogen wurden, bevor man sie mit dem äußeren Ringkörper verlötete. Die Dicke des Kupferüberzugs lag in der Größenordnung von 5 μην
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine kombinierte Trag- und Wärmeabstrahiplatte der eingangs vorausgesetzten Art zu entwickeln, die eine ausgezeich-
nete Festigkeit, gute Verformbarkeit und gleichzeitig hohe Wärmeabstrahlwirksamkeit aufweist und bei der die Vermeidung von Bimetallausdehnungseffekten durch ein einfaches, für einen Massenartikel geeignetes Herstellungsverfahren erhältlich ist
Das Lösungsprinzip gemäß der Erfindung sieht vor, daß das Halbleiterbauelement direkt oder indirekt elektrisch und mechanisch mit einer zusammengesetzten Metallwärmcabstrahlplatte verbunden wird, die aus zwei Kupferschichten, die als thermisch und elektrisch leitendes Medium dienen, und einer zwischen diesen beiden Metallschichten angeordneten Metalbchicht zur Gewährleistung der erforderlichen mechanischen Festigkeit besteht.
Gegenstand der Erfindung, womit die genannte Auf- is gäbe gelöst wird, ist nach einer Alternative emc kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement, die aus einer Mehrschichtplatte mit der Schichtenfolge Kupfer-Aluminium besteht, mit dem Kennzeichen, daß die Mehrschichtplatte die Schichtenfolge Kupfer — Aluminium — Kupfer aufweist, und nach der anderen Alternative eine kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement, die aus einer Mehrschichtplatte mit der Schichtenfolge von Kupfer und einem Metall mit davon abweichendem Wärmeausdehungskoeffizient besteht, mit dem Kennzeichen, daß die Mehrschichtplatte die Schichtenfolge Kupfer — Eisen — Kupfer aufweist.
In Ausgestaltung der Erfindung sind die Kupferschichten mit Nickel oder Zinn plattiert; dadurch lassen sich Rost und sonstige Korrosionen verhindern.
Die Aluminium- oder Eisenschicht der erfindungsgemäßen Mehrschichtplatte gewährleistet die erforderliche mechanische Festigkeit, und die beiden Kupferschichten gewährleisten sowohl eine hohe Wärmeabstrahlung als auch die Vermeidung von Bimetallausdehnungseffekten, da sich die Verbiegungstendenzen an den beiden Grenzflächen zwischen den drei Schichten gegenseitig aufheben. Diese Wirkung läßt sich herstellungstechnisch sehr einfach erzielen, d. h, ohne Wölbungen oder ähnliche Verformungen zu benötigen.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigt
Fig. la eine Aufsicht einer Halbleiteranordnung mit einem Ausführungsbeisppiel der Erfindung in Anwendung als Doppelgleichrichter mit einem Dreiphasenwechselstromgenerator für ein Kraftfahrzeug;
F i g. 1 b einen Teilquerschnitt der in F i g. 1 a dargestellten Halbleiteranordnung;
Fig. Ic eine Ansicht der in Fig. la dargestellten Halbleiteranordnung;
Fig.2 einen Längsschnitt nach der Linie H-II in Fig. Ic zur Veranschaulichung eines Diodenplättchens und eines dieses aufnehmenden Teils;
Fi g. 3 eine graphische Darstellung des Wärmewiderstandes von Wärmeabstrahlplatten aus nur Kupfer, aus einem zusammengesetzten Cu-Fe-Cu-Laminat und aus nur Eisen;
F i g. 4 eine graphische Darstellung der Änderung des Wärmewiderstandes einer erfindungsgemäßen, zusammengesetzten Cu-Fe-Cu-Wärmeabstrahlplatte in Abhängigkeit von der Dicke jeder Kupferschicht;
F i g. 5 einen Längsschnitt einer eingekapselten Halb- b·; leiteranordnung mit einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung;
F i g. 6a eine Perspektivansichl eines mit Harz eingeformten Thyristors mit einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fjg.6b eine Aufsicht des in Fig.6a dargestellten Thyristors nach Entfernung des Einformharzes.
Die Fig. 1 a bis 1 czeigen als ein Ausführungsbeispiei der Erfindung eine Halbleiteranordnung, die zur Doppelweggleichrichtung eines Ausganges eines Dreiphasenwechselstromgenerators in einem Kraftfahrzeug verwendbar ist und bei der Wärmeabstrahlplatten 1 und 2 positiver und negativer Elektroden parallel angeordnet sind; die Wärmeabstrahlplatten haben Bereiche 3 und 4 zur Aufnahme von Halbleiterbauelementen; drei Dioden sind in den Aufnahmebereichen 3 der Platte 2 in einer Gleichrichtungsrichtung angeordnet und damit verbunden, während drei Dioden in den Aufnahmebereichen 4 der Platte 1 in der entgegengesetzten Gleichrichtungsrichtung angeordnet und damit verbunden sind; und die Dioden sind mit schützendem Werkstoff überzogen. Drei Zuführungsleiter 5, die an die drei mit der Wärmeabstrahlplatte 2 verbundenen Dioden angeschlossen sind, erstrecken sich durch Löcher in der Wärmeabstrahlplatte nach oben. Diese Zuführungsleiter 5 und drei Zuführungsleiter 6, die von den mit der Wärmeabstrahlelektrodenplalte 1 verbundenen Dioden ausgehen, sind an Klemmen 8a, Sb und 8c angelötet, die in einer Isolierplatte 7 eingebettet sind, womit die Dreiphasen-Doppelweggleichrichterbrückenverdrahtung vervollständigt wird.
Die Wärmeabstrahlplatten 1 und 2 sind mittels eines Bolzens 9 und einer Mutter 10 starr an einer dazwischen angeordneten Isolierplatte 12 befestigt. Ein Dreiphasenwechselstromeingang wird den Klemmen 8a, Sb und 8c zugeführt, und man erhält einen Gleichstromausgang zwischen dem Bolzen 9 und einer einstückig mit der Wärmeabstrahlplatte 1 geformten Ausgangsklemme 11.
F i g. 2 zeigt, wie die Dioden mit den Wärmeabstrahlplatten 1 und 2 verbunden sind, für den Fall der Platte 2.
Die Wärmeabstrahlplatte 2 hat die Form einer zusammengesetzten Platte, die aus einer Kupferschicht 20a, einer Eisenschicht 2Oi und einer Kupferschicht 20c besteht, und die Kupferschichten 20a und 20c sind zu beiden Seiten der Eisenschicht 206 angeordnet, um ein Verbiegen der Wärmeabstrahlplatte 2 infolge von Wärmeausdehnung zu verhindern.
Ein Diodenplättchen 21 ist an seiner bodenseitigen Hauptoberfläche mit einer Elektrodenplatte 22 aus Eisen-Nickel, Eisen-Nickel-Kobalt, Molybdän oder Wolfram versehen, und diese Elektrodenplatte 22 ist mit dem Boden des Aufnahmebereichs 3 der Wärmeabstrahlplatte 2 verlötet.
Die obere Hauptoberfläche des Diodenplättchens 21 ist mit einer Nickelplattierschicht 23 überzogen, mit der der Zuführungsleiter 5 verlötet ist.
Die Seite des Diodenplättchens 21 ist mit einem Oberflächenstabilisierungsmittei 24 abgedeckt, und schließlich ist der Aufnahmebereich 3 mit hermetischem Einformungsmaterial 25, wie z. B. Silikongummi, gefüllt.
Die Wärmeabstrahlelektrodenplatte 2 wird durch Zwischenfügen einer Eisenschicht zur Gewährleistung mechanischer Festigkeit zwischen Kupferschichten, die als \l'ärmeabgabemedium dienen, und durch Pressen der Schichten unter Erhitzung zu einem festen Körper hergestellt. Die Dicken der Eisen- und Kupferschichten werden in Abhängigkeit von den Eigenschaften der Halbleiteranordnung und ihrer Herstellungskosten bestimmt.
Der eine Tiefe von etwa 2 mm aufweisende Aufnahmebereich für das Halbleiterplättchen kann durch Pres-
sen geformt werden. Kupfer hat eine gute Formbarkeit und Duktilität, so daß beim Preßformen kein Bruch auftritt.
Die Kupferschichten 20a und 20c können in Ausgestaltung der Erfindung noch mit Nickel oder Zinn plattiert sein, um Rost und sonstige Korrosion zu verhindern.
Es ist nicht die Eisenschicht, sondern die Kupferschicht, die als jede der äußeren Schichten vorgesehen wird, da Kupfer eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist und daher eine gute Wärmeabstrahlung liefert.
Der größte Teil der durch das Diodenplättchen entwickelten Wärme wird über die Elektrode 22 auf die Wärmeabstrahlplatte 2 übertragen, und dort wird die Wärme durch die Kupferschicht 20a weitergeleitet, um abgestrahlt zu werden.
F i g. 3 zeigt die Unterschiede des Wärmewiderstandes zwischen einer herkömmlichen Wärmeabstrahlplatte aus nur Eisen und einer Wärmeabstrahlplatte aus nur Kupfer und einer zusammengesetzten CU-Fe-Cu-Wärmeabstrahlplatte. Jede dieser Wärmeabstrahlplatten hat eine Dicke von 1,2 mm, und die zusammengesetzte Wärmeabstrahlplatte weist Kupferschichten von je 0,2 mm Dicke und eine Eisenschicht von 0,8 mm Dicke auf. Man ersieht aus F i g. 3, daß die zusammengesetzte Wärmeabstrahlplatte einen Wärmewiderstand aufweist, der dem der Wärmeabstrahlplatte aus nur Kupfer nahezu gleich ist, so daß diese Platte noch eine ausgezeichnete Wärmeabstrahlwirksamkeit aufweist.
F i g. 4 zeigt die Änderung des Wärmewiderstands bei Änderung der Dicke jeder der Kupferschichten 20a und 20c, wenn die Gesamtdicke der zusammengesetzten Platte konstant auf 1,2 mm gehalten wird. Man sieht, daß der Anstieg der Dicke der Kupferschicht eine Senkung des Wännewiderstands und somit eine Steigerung der Wärmeabgabewirksamkeit hervorruft.
Als Ergebnis von Versuchen zur Ermittlung der Nutzlebensdauer der so hergestellten Halbleiteranordnung auf der Basis der Durchlaßspannungsabfälle der Diodenplättchen und der Änderung des Wärmewiderstands unter tatsächlichen Montagebedingungen, wo sich die Temperatur der Wärmeabstrahlplatte von 50 bis 1700C ändert, indem man den Ausgang des Dreiphasenwechselstromgenerators in einem Kraftfahrzeug für 2 Minuten anstellt und für die folgenden 2,5 Minuten abstellt, wurde bestätigt, daß die Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung fast die gleiche Nutzlebensdauer wie eine herkömmliche Anordnung mit einer Nutzlebensdauer wie eine herkömmliche Anordnung mit einer nur aus Kupfer bestehenden Wärmeabstrahlplatte und etwa die 1,5fache Nutzlebensdauer einer herkömmlichen Halbleiteranordnung mit einer nur aus Eisen bestehenden Wärmeabstrahlplatte aufweist
Die Kosten der zusammengesetzten Wärmeabstrahlplatte 2 sind zwar höher als die der Eisenwärmeabstrahlplatte, jedoch nur halb so hoch wie die der Kupferwärm eabstrahlplatte.
F i g. 5 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Man erkennt in der Figur eine Diodenanordnung 30 des Einkapselungstyps, und eine zusammengesetzte Hauptwärmeabstrahlplatte 31, die aus einer Kupferschicht 31a, einer Eisenschicht 316 und einer Kupferschicht 31c besteht, ist an der Bodenoberfläche der Diodenanordnung mittels eines Lots 33 befestigt, während eine zusammengesetzte Hilfswärmeabstrahlplatte 32, die aus einer Kupferschicht 32a, einer Eisenschicht 32b und einer Kupferschicht 32c besteht, an der Seitenoberfläche der Diodenanordnung ebenfalls mittels des Lots 33 befestigt ist.
Die Diodenanordnung 30 besteht aus einem Siliziumdiodenplättchen 34, einer Elektrodenplatte 35 mit fast dem gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie dem von Silizium, die mit dem Diodenplättchen 34 verlötet ist, einem Zuführungsleiter 36, der am Diodenplättchen 34 angebracht ist, einem Gehäuse 37, an dessen innerer Bodenwand die Elektrodenplatte 35 befestigt ist, und einer Abdichtung 38 zum hermetisch abgedichteten Herausführen des Zuführungsleiters 36 aus dem Gehäuse 37.
Bei diesem Aufbau wird die durch das Diodenplättchen 34 entwickelte Wärme mittels der Haupt- und Hilfswärmeabstrahlplatten 31 und 32 an die Atmosphäre abgestrahlt, und daher läßt sich die Strombeiastbarkeit in erheblichem Ausmaß verbessern.
Die F i g. 6a und 6b zeigen noch ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die dort dargestellte Halbleiteranordnung ist ein Thyristor 40 vom Harzeinformtyp. Wie man in den Figuren erkennt, besteht eine zusammengesetzte Cu-Fe-Cu-Wärmeabstrahlplatte 41 aus einem flachen Teil 41a mit einer Bohrung 42 zur Montage, auf dem ein Thyristorplättchen 43 angebracht ist, und nichtkontaktierenden Teilen 41 b zu beiden Seiten des flachen Teils 41a. Der freiliegende Teil des PN-Übergangs des Thyristorplättchens 43 ist durch Passivierungsglas stabilisiert. Die Anode des Thyristors 40 ist in Kontakt mit dem flachen Teil 41a der Wärmeabstrahlplatte 41 gebracht, und die Kathode ist auf der entgegengesetzten Seite des Thyristors 40, d. h. auf der — in der Figur gesehen — oberen Seite angeordnet. Die anodenseitige Hauptoberfläche ist mit Nickel plattiert. Das Thyristorplättchen 43 ist mit der Elektrodenplatte 41 direkt mittels eines Lötwerkstoffs, wie z. B. Zinn-Blei-Legierung oder Aluminium, verlötet. Ein Anodenzuführungsleiter 44 ist an die Wärmeabstrahlplatte 41 angelötet. Eine Kathodenelektrode 45 ist am Kathodenbereich des Thyristorplättchens 43 angebracht, und ein Kathodenzuführungsleiter 46 ist mit der Kathodenelektrode 45 verlötet. Ein Torzuführungsleiter 48 ist über einen Verbindungsdraht 47 mit dem Torbereich des Thyristorplättchens 43 verbunden. Die Einformung mittels des in guten Kontakt mit der Wärmeabstrahlplatte 41 verwendeten Epoxyharzes 49 ist auf der Seite der Platte 41 aufgebracht, an der das Thyristorplättchen 43 angeordnet ist, wobei der Teil der Platte 41 ausgenommen ist, wo die Montagebohrung 42 vorgesehen ist
Die nicht-kontaktierenden Teile 41 b der Wärmeabstrahlplatte 41 sind unter einem gewissen Winkel zum flachen Teil 41a geneigt und durch Preßformen leicht zu gestalten.
Bei den Wärmeabstrahlplatten, wie sie in Fig. 1, 2,5 und 6 gezeigt sind, kann die Eisenschicht zur Erzielung ausreichender mechanischer Festigkeit durch eine AIuminiumschicht ersetzt sein. In diesem Fall wird die Aluminiumschicht zwischen den Kupferschichten angeordnet, und die zusammengesetzte Platte wird durch Zusammenpressen der drei gestapelten Schichten unter Erhitzung geformt, oder die Kupferschichten können
eo auch an beiden Seiten der Aluminiumschicht durch Plattieren aufgebracht werden. Die Kupferschichten der zusammengesetzten Platte können, wie oben erwähnt, mit Nickel plattiert werden, um Rostbildung und sonstige Korrosion am Kupfer zu verhindern. Die Wärmeabstrahlplatte mit diesem Aufbau verteilt die durch das Halbleiterplättchen entwickelte Wärme mittels der Kupferschichten, und es ist eine große Wärmeabstrahlwirksamkeit zu erwarten.
Da der elektrische Widerstand und der Wärmewiderstand von Aluminium geringer als die von Eisen sind, ist eine zusammengesetzte Kupfer-Aluminium-Kupfer-Wärmeabstrahlplatte in ihrem Wärmeabstrahlwirkungsgrad und ihrer elektrischen Leitfähigkeit der zusammengesetzten Kupfer-Eisen-Kupfer-Wärmeabstrahlplatte überlegen.
Die Dicken der Aluminium- und Kupferschichten werden in Abhängigkeit von den Eigenschaften und Besonderheiten der herzustellenden Halbleiteranordnung und der Kosten geeignet bestimmt.
Die zusammengesetzte Cu-Al-Cu-Wärmeabstrahlplatte ist hinsichtlich der Wärmeabstrahlwirksamkeit und elektrischen Eigenschaft einer nur aus Kupfer bestehenden Abstrahlplatte der gleichen Form und Dicke praktisch gleichwertig, hat nur ein Gewicht von etwa einem Drittel derjenigen der nur aus Eisen bestehenden Abstrahlplatte mit der gleichen Form und Dicke und kostet nur ebensoviel wie die Eisenabstrahlplatte.
Bei dem Versuch zur Ermittlung der Nutzlebensdauer einer Halbleiteranordnung zur Doppelweggleichrichtung des Ausgangs eines Dreiphasenwechselstromgenerators in einem Kraftfahrzeug berücksichtigte man die tatsächlichen Montagebedingungen, d. h. der Dreiphasenausgangsstrom wurde 2 Minuten durch die Halbleiteranordnung geleitet, und dann wurde der Strom für die folgenden 2,5 Minuten unterbrochen, und die Temperatur der Wärmeabstrahlplatte änderte sich von 50 bis 170° C. Als Ergebnis dieses Versuches wurde bestätigt, daß die Nutzlebensdauer der Halbleiteranordnung mit einer zusammengesetzten Cu-Al-Cu-Wärmeabstrahlplatte gemäß der Erfindung fast die gleiche wie die einer herkömmlichen Halbleiteranordnung mit einer nur aus Kupfer bestehenden Wärmeabstrahlplatte und etwa die anderthalbfache derjenigen einer herkömmlichen Halbleiteranordnung mit einer nur aus Eisen bestehenden Wärmeabstrahlplatte ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
40
50
55
60
65

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement, die aus einer Mehrschichtplatte mii der Schichtenfolge Kupfer-Aluminium besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrschichtplatte (2; 31, 32; 41) die Schichtenfolge Kupfer (2Oe; 31a, 32a) — Aluminium (2Oi; 316, 326; - Kupfer (20c; 31c, 32ςί ίο aufweist
2. Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement, die aus einer Mehrschichtplatte mit der Schichtenfolge von Kupfer und einem Metall mit davon abweichendem Wärmeausdehnungskoeffizient besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrschichtplatte (2; 31, 32; 41) die Schichtenfolge Kupfer (20a; 31a, 32a; - Eisen (20b;31 b,32b) - Kupfer(20c;31 c,32c)aufweist.
3. Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschichten (z. B. 20a, 20c; mit Nickel oder Zinn plattiert sind.
DE2632154A 1975-07-18 1976-07-16 Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement Expired DE2632154C2 (de)

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