DE2621493A1 - MAGNETIC CORE MEMORY WITH PRINTED CIRCUIT BOARDS AND METHOD OF ITS MANUFACTURING - Google Patents

Description

Patentanwälte Dipl.-Ing. H. Wf.ickmann, Dipl.-Phys. Dr. K. FinckePatent attorneys Dipl.-Ing. H. Wf.ickmann, Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke

Dipl.-Ing. F.AT-eickmann, Dipl.-Chem. B. HuberDipl.-Ing. F.AT-eickmann, Dipl.-Chem. B. Huber

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8 MÜNCHEN 86, DEN 14. Mai 19768 MUNICH 86, 14 May 1976

POSTFACH 860820PO Box 860820

MÖHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 98 39 21/22MÖHLSTRASSE 22, CALL NUMBER 98 39 21/22

Anwaltsakte ID-24 98Attorney File ID-24 98

Ampex Corporation, 401 Broadway, Redwood City Californien, USAAmpex Corporation, 401 Broadway, Redwood City California, USA

Maqnetkernspeicher mit gedruckten Leiterplatten und Verfahren zu seiner Herstellung.Printed circuit board magnetic core memory and process for its manufacture.

Die Erfindung bezieht sich auf Magnetkernspeicher und speuiell auf derartige Speicher, deren Leiter in Form von gedruckten Schaltungen auf Planarsubstraten angebracht sind.The invention relates to magnetic core memories and, in particular, to such memories whose conductors are in the form of of printed circuits are mounted on planar substrates.

Kernspeicher sind allgemein bekannt und enthalten im allgemeinen eine Vielzahl von ringförmigen Magnetkernen, die einen geschlossenen magnetischen Fluß um eine Mittelöffnung bilden, wobei die Kerne matrixartig in Zeilen und Spalten angeordnet werden. Teilauswahlströme werden durch jeweils eine einzige Zeile und eine einzige Spalte geleitet, um einen vollen Auswahlstrom zum Schalten eines Ker..es an dem Kreuzungspunkt der Leitungen zu erzeugen. Lese/Ziffernleitungen laufenCore memories are well known and generally contain a large number of ring-shaped magnetic cores, which form a closed magnetic flux around a central opening, the cores in a matrix-like manner in Rows and columns are arranged. Sub-selection streams are each separated by a single line and a single column passed to a full selection stream for switching a Ker..es at the crossing point of the lines to generate. Read / digit lines are running

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durch eine Vielzahl der Kerne auf einer Mehrzahl von Zeilen und Spalten, um ein Umschaltsignal während des Lesens aufzunehmen und ein Signal umgekehrter Polarität während des Schreibens zu übertragen, um gezielt einen Teil des vollen Schreibstromes aufzuheben, welcher an einem ausgewählten Magnetkern auftritt, um dessen Umschaltung zu verhindern.by a plurality of the cores on a plurality of lines and splitting to receive a toggle signal during reading and a reverse polarity signal during of writing in order to selectively cancel a part of the full write current which is transmitted to a selected one Magnetic core occurs to prevent its switching.

Ein üblicherweise benutzendes Verdrahtungsmuster besteht aus drei Leitern und ist bekannt als drei D-Doppelfischgrätenmuster. Bei dieser Anordnung werden die Kerne in einer rechteckigen Anordnung festgelegt durch Kerne in benachbarten Spalten, welche in gleicher Richtung orientiert sind, und Kerne in abwechselnden Paaren von Kolonne sind umgekehrt orientiert. Die Y-Treiberleitungen laufen längs einzelner Spalten und Kerne und die X-Treiberleitungen laufen längs einzelner Zeilen der Kerne. Ein Paar von Lese/Ziffern-(Inhibit-)leitungen läuft durch die Anordnung parallel zu den Y-Leitungen, wobei jede Lese/ Ziffernleitung jeweils durch die Kerne einer Spalte von jedem Spaltenpaar verläuft. Die Lese/Ziffernleitung kreuz! zu der anderen Spalte eines Spaltenpaares etwa in der Mitte der Anordnung zur besseren Störunterdrückung.Andere Kernspeicheranordnungen enthalten je nach Aufbau und Organisation vier Leitungen 3D (bit-organisierter Speicher) , fünf Leitungen 3D, sechs Leitungen 3D, aber auch zwei Leitungen 2D(wortorganisierter Speicher), zwei Leitungen 2xD sowie Direktauswahl.A commonly used wiring pattern consists of three conductors and is known as a three D double herringbone pattern. In this arrangement, the cores are defined in a rectangular arrangement by cores in adjacent columns oriented in the same direction and cores in alternating pairs of columns are oriented the other way around. The Y driver lines run along individual columns and cores and the X driver lines run along individual lines of the nuclei. A pair of read / digit (inhibit) lines run through the array parallel to the Y lines, with each read / digit line each going through the cores of a column of each pair of columns. Cross the reading / digit line! to the other column of a pair of columns approximately in the middle of the arrangement for better interference suppression. Others Depending on the structure and organization, core memory arrangements contain four lines 3D (bit-organized memory) , five lines 3D, six lines 3D, but also two lines 2D (word-organized memory), two lines 2xD as well as direct selection.

Alle diese Anordnungen erfordern die Durchführung von diskreten Drähten für jede getrennte Zeile und Spalte für die X- und Y-Treiberleitungen und meistens die DurchführungAll of these arrangements require the passage of discrete wires for each separate row and column for the X and Y driver lines and mostly the feedthrough

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einzelnen L®e/Ziffernleitungen durch die Speicheranordnung abhängig von dem Muster, welches seinerseits abhängt von der speziellen Speicherorganisation. In einzelnen Speicheranordnungen werden getrennte Lese- und Sperrleitungen angewendet und auch für jede Polarität der X- und Y-Treiberströme können getrennte Leitungen angewendet werden. Die Leitungen werden allgemein durch die Kerne mit einer Nadel geführt und dann verlötet mit externen Steuerkreisen. Mit Rücksicht auf die geringe Größe der Kerne, welche im allgemeinen einen Außendurchmesser von 13,18 oder 22 mils haben (0,33, 0,46 und 0,56 mm), erfordert das Fädeln der Treiber- und Leseleitungen relativ viel Zeit und es besteht die Gefahr der Beschädigung der Magnetkerne durch die Nadeln und durch die durch die Kerne hindurchgeführten Leitungen.individual L®e / digit lines through the memory arrangement depending on the pattern, which in turn depends on the specific memory organization. In Separate read and blocking lines are used for individual memory arrays and also for each polarity Separate lines can be used for the X and Y drive currents. The lines become general passed through the cores with a needle and then soldered to external control circuits. With consideration for the low Size of the cores, which generally have an outside diameter of 13.18 or 22 mils (0.33, 0.46 and 0.56 mm), threading the driver and read lines requires a relatively long time and there is a risk of Damage to the magnetic cores from the needles and from the cables passed through the cores.

Ein Kernspeicher wird im allgemeinen durch Aufbringen der Kerne auf eine rüttelbare Platte mit entsprechenden öffnungen (Lochplatte) hergestellt, wobei ein Unterdruck (Vakuum) auf der anderen Seite der Platte angewendet wird. Die öffnungen in der Lochplatte sind in der gewünschten Kernfiguration angeordnet und beim Rütteln der Platte fallen die Kerne in die öffnungen, in welche sie der Unterdruck zieht und hält. Nachdem die Kerne in der Lochplatte vorgeordnet sind, wird eine Trägerfolie mit einer klebenden Oberfläche in Kontakt mit den Kernen gebracht und diese werden aus den öffnungen der Lochplatte dadurch gehoben, daß sie an der Klebeschicht in der vorbestimmten Anordnung haften bleiben. Die verschiedenen Treiber- und Leseleitungen werden dann durch die Kerne gefädelt, während diese durch die Klebeschicht in ihrer gegenseitigen Zu- · Ordnung gehalten werden. Die Trägerfolie kann mit gedruckter Schaltkreisen versehen sein, um die Treiber- und Leseleitungen mit externen Schaltkreisen zu verbinden und sie kannA core memory is generally made by applying the cores to a vibratable plate with appropriate Openings (perforated plate) made, whereby a negative pressure (vacuum) is applied on the other side of the plate. The openings in the perforated plate are arranged in the desired core configuration and when the plate is shaken the cores fall into the openings into which the negative pressure pulls and holds them. After the cores in the perforated plate are upstream, a carrier film with an adhesive surface is brought into contact with the cores and these are lifted out of the openings of the perforated plate in that they are attached to the adhesive layer in the predetermined Arrangement stick. The various driver and read lines are then threaded through the cores while these are held in their mutual association by the adhesive layer. The carrier film can be printed with Circuits can be provided to connect the driver and read lines to external circuitry and they can

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die Kernmatrix ebenso wie die zugehörigen Treiber- und Leseschaltkreise tragen.carry the core matrix as well as the associated driver and read circuits.

Der Magnetkernspeicher nach der Erfindung enthält ebenfalls eine Vielzahl von einzelnen magnetischen Speicherelementen, welche zwischen unterschiedlichen Magnetzuständen umschaltbar sind, wobei der Magnetfluß jeweils geschlossen um eine Mittelbohrung verläuft. Die Speicherelemente sind induktiv mit Leitern gekoppelt, die in einer vorbestimmten, festen, gegenseitigen Zuordnung angeordnet sind. Die Leiteranordnung enthält mindestens von ein im wesentlichen ebenes dünnes erstes Schaltkreisträgerelement mit einer Vielzahl von öffnungen zur Aufnahme je eines Kernelementes und mindestens ein zweites Schaltkreisträgerelement mit ebenfalls einer Vielzahl von öffnungen zur Aufnahme der Kernelemente und mit einer Vielzahl von überstehenden Zungen mit einem freien Ende, die einen Teil der Umrandungen jeder öffnung bilden, wobei das zweite Schaltkreisträgerelement unmittelbar flach auf dem erste Schaltkreiselement so angeordnet wird, daß die Zungen durch die zentralen öffnungen jedes Speicherelementes hindurchgreifen. Die Leiter selbst sind auf dem ersten und zweiten Schaltkreiselement zur Bildung von durchlaufenden X- und Y-Treiberleitungen ebenso wie einer Lese/Ziffernleitung vorgesehen zur Erzeugung einer Dreileiter, 3D-Doppelfischgrätenmuster-Kernspeicherfiguration. Die Zungen des zweiten Schaltkreiselementes führen die Leiter durch die Mittelbohrung der Speicherelemente. Im einzelnen ist das erste Schaltkreiselement ein dünnes, Planarelement mit einer Dicke von etwa 1 mil (0,025 mm) und die Leiter sind darauf angebracht. Zur Realisierung von Überkreuzungen können die Leiter an beiden Seiten des ersten Schaltkreiselementes geführt und definiert durch schmale Durchkontaktierungen im ersten Schaltkreiselement verbunden werden. Die Durchkontaktierungen ebenso wie dieThe magnetic core memory according to the invention also contains a large number of individual magnetic memory elements, which can be switched between different magnet states, the magnetic flux in each case runs closed around a central hole. The storage elements are inductively coupled with conductors that are in a predetermined, fixed, mutual association are arranged. The conductor arrangement contains at least of a substantially flat, thin first circuit carrier element with a multiplicity of openings for receiving it one core element each and at least one second circuit carrier element also with a plurality of openings for receiving the core elements and with a large number of protruding tongues with a free end, which form part of the borders of each opening, the second circuit carrier element being directly flat is arranged on the first circuit element so that the tongues through the central openings of each storage element reach through. The conductors themselves are on the first and second circuit elements for formation of continuous X and Y driver lines as well as a read / digit line provided for generating a Three-wire, 3D double herringbone core configuration. The tongues of the second circuit element guide the conductors through the central bore of the memory elements. In particular, the first circuit element is a thin, planar element about 1 mil (0.025 mm) thick and the ladder is attached to it. To create crossovers, the ladder can be on both sides of the first circuit element guided and defined by narrow vias in the first circuit element get connected. The vias as well as the

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öffnungen zur Aufnahme von Kernen in geeigneter Größe und Lage können in dem ersten Schaltkreiselement entweder durch Stanzen oder Ätzen hergestellt werden.openings for receiving cores of suitable size and sheet can be fabricated in the first circuit element by either stamping or etching.

Auch das zweite Schaltkreisträgerelement besteht aus einem dünnen Planarsubstrat (Träger) mit einer Dicke von ebenfalls etwa 1 mil (O₇025 mm) mit Leitern auf mindestens einer Seite. Die Leiter können ebenfalls auf beiden Seiten des zweiten Schaltkreisträgerelementes angeorndet sein und mittels Durchkontaktierungen definiert durchverbunden werden.The second circuit carrier element also consists of a thin planar substrate (carrier) with a thickness of also about 1 mil (O ₇ 025 mm) with conductors on at least one side. The conductors can also be arranged on both sides of the second circuit carrier element and be connected through in a defined manner by means of vias.

Bei einer Ausführungsform haben die die Kerne aufnehmenden öffnungen in dem zweiten Schaltkreisträgerelement die Form von einem asymmetrischen H. Der Steg des H dient dabei als Einsetzöffnung für die Kerne und eine lange und eine kurze Zunge bilden gegenüberliegende Begrenzungen dieser Einsetzöffnung. Das H-förmige Muster dieser öffnungen kann auch als ein Muster von zwei Rücken an Rücken liegenden U-förmigen öffnungen mit einem überlappenden unteren Quersteg betrachtet werden. Durch jeden Quersteg werden jeweils zwei Kerne eingesetzt, einer, indem die lange Zunge des zweiten Schaltkreiselementes durch die Mittelbohrung des ersten Kernes nach einer seitlichen Verschiebung zu dem ersten Schaltkreiselement unter Beibehaltung des Aufeinanderliegens geführt wird, und anschließend die kurze Zunge durch die Bohrung des zweiten Kernes. Bei einer anderen Anordnung des zweiten Schaltkreiselementes besitzen die öffnungen eine U-Form mit einem rechteckigen unteren Steg, der als Aufnahmeöffnung für einen Kern dient, und mit Schenkeln des ü-s zur Aufnahme des Ringquerschnittes,während das freie Ende der vorstehenden Zunge durch die Mittelbohrung des Kernes geführt wird. Das obere und untere Schaltkreiselement können gemeinsam mit einem weiteren Schaltkreiserement mit U-förmigen Aus-In one embodiment, they have the cores receiving Openings in the second circuit carrier element have the shape of an asymmetrical H. The web of the H is used as an insertion opening for the cores and a long and a short tongue form opposite boundaries of this insertion opening. The H-shaped pattern of this Openings can also be viewed as a pattern of two back-to-back U-shaped openings with one overlapping one lower crossbar are considered. Two cores are inserted through each crossbar, one by the long tongue of the second circuit element through the central hole of the first core for a lateral Displacement is guided to the first circuit element while maintaining the superimposition, and then the short tongue through the hole in the second core. In another arrangement of the second circuit element the openings have a U-shape with a rectangular lower web that serves as a receiving opening for a core is used, and with legs of the ü-s to accommodate the ring cross-section, while the free end of the protruding Tongue is guided through the central hole of the core. The upper and lower circuit elements can be used together with another circuit element with U-shaped

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nehmungen verwendet werden, welches zwischen die beiden ersten Schaltkreiselemente eingelegt wird, während nur ein einziges oberes Schaltkreiselement verwendet wird in Verbindung mit einem zweiten Schaltkreiselement bei einem H-förmigen Muster. In jedem Fall kann eine Vielzahl von Zungen des zweiten Schaltkreiselementes gleichzeitig durch eine Vielzahl von Kernöffnungen in einem einzigen Arbeitsschritt geführt werden. Damit fällt ein Fädeln diskreter Leitungen endgültig weg.are used, which is inserted between the first two circuit elements, while only a single upper circuit element is used in conjunction with a second circuit element an H-shaped pattern. In any case, a plurality of tongues of the second circuit element can be used simultaneously can be passed through a large number of core openings in a single work step. With that there is a threading discrete lines for good.

Ein Magnetkernspeicher kann gemäß der Erfindung dadurch gefertigt werden, daß ein erstes und zweites Schaltkreiselement unmittelbar mit ihren einander zugeordneten Oberseiten aufeinander gelegt werden mit ihren kernaufnehmenden öffnungen, fluchtend in gegenseitiger Zuordnung zur Aufnahme der Speicherelemente in diese öffnungen, durch Einsetzen der Kerne in diese öffnungen, und durch anschließendes Verschieben des zweiten Schaltkreiselementes relativ zu den Speicherelementen und dem ersten Schaltkreiselement, um eine Zunge, welche vorgeformte Leiter trägt durch die Gesamtzahl der öffnungen der eingesetzten Speicherelemente zu führen, und durch Verbindungen der Leiter von einer Seite des zweiten Schaltkreiselementes zur Herstellung fortlaufender Leitungen auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Schaltkreiselementes. Die leitende Verbindung kann entweder durch ein übliches Warmdruckverfahren oder durch Löten hergestellt werden.A magnetic core memory can be manufactured according to the invention in that a first and second circuit element are placed directly on top of each other with their associated upper sides with their core-receiving Openings, aligned in mutual association for receiving the storage elements in these openings, by inserting them of the cores in these openings, and by subsequent displacement of the second circuit element relative to the memory elements and the first circuit element to provide a tongue which carries preformed conductors through the Total number of openings to guide the storage elements used, and by connecting the conductors from one side of the second circuit element for making continuous lines on the opposite side of the first circuit element. The conductive connection can be made either by a conventional hot printing process or by Soldering can be made.

Somit bezieht sich die Erfindung auf einen Kernspeicher mit einem ersten und zweiten Schaltkreisträgerelement zur Aufnahme der magnetischen Speicherkerne und auf die Erzeugung des induktiven Flusses durch die Kerne,um eine rechteckige Anordnung der Kerne zuzulassen, wobei die Kerne einzeln durch ein elektrisches Signal auf den Lei-Thus, the invention relates to a core memory with a first and second circuit carrier element for Inclusion of the magnetic storage cores and on the generation of the inductive flux through the cores to a allow rectangular arrangement of the cores, the cores individually by an electrical signal on the line

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tungen geschaltet und abgefühlt werden. Ein Fädeln der einzelnen Leitungen durch die Kerne wird vollständig beseitigt. Der Speicher wird durch die Anordnung der Leiter in einem vorbestimmten Muster auf dem ersten und zweiten Schaltkreisträgerelement gefertigt, wobei beide Schaltkreiselemente Öffnungen zur Aufnahme der Speicherkerne besitzen und das zweite Schaltkreiselement Zungen aufweist, deren Rand einen Teil des Umfangs der Öffnung bildet. Das erste und zweite Schaltkreiselement werden aufeinanderliegend relativ zueinander verschiebbar derart angeordnet, daß ihre Öffnungen übereinander zu liegen kommen, wobei die Kerne in die Öffnungen eingesetzt werden. Das zweite Schaltkreiselement wird dann relativ zu den Kernen und zu dem ersten Schaltkreiselement verschoben um gleichzeitig die Vielzahl der einzelnen Zungen mit ihren mit den Kernen induktiv gekoppelten Leitern durch die Innenbohrung der Kerne zu führen. Die entsprechenden Punkte des ersten und zweiten Schaltkreiselementes könne dann entsprechend entweder durch Warmverpressung oder Verlötung verbunden werden, um eine vollständige Verdrahtung der Kerne in einer rechteckigen Anordnung für eine koinzidente Ansteuerung zu erreichen.services can be switched and sensed. Threading the individual lines through the cores becomes complete eliminated. The memory is created by arranging the conductors in a predetermined pattern on the first and second circuit carrier element manufactured, both circuit elements openings for receiving the Have memory cores and the second circuit element has tongues, the edge of which forms part of the circumference of the Forms opening. The first and second circuit elements can be displaced relative to one another while lying on top of one another arranged so that their openings come to lie one above the other, with the cores in the openings can be used. The second circuit element is then relative to the cores and to the first circuit element shifted at the same time by the multitude of the individual tongues with their conductors inductively coupled to the cores to lead through the inner bore of the cores. The corresponding points of the first and second circuit elements can then connected accordingly either by hot pressing or soldering to complete the wiring of cores in a rectangular arrangement for coincident control.

Diese Anmeldung steht in Verbindung mit der gleichzeitig eingereichten Patentanmeldung "Magnetkernspeichermatrix mit gedruckten Leiterplatten und Verfahren zu seiner Herstellung" (Anmeldung P , vom 14. Mai 197Ö desThis application is related to the simultaneously filed patent application "Magnetic Core Storage Matrix with printed circuit boards and processes for their manufacture "(application P, dated May 14, 197Ö des

gleichen Anmelders.same applicant.

Zum besseren Verständnis der Erfindung werden Einzelheiten in der folgenden detaillierten Beschreibung zusammen mit ■ den anliegenden Zeichnungen erläutert. In diesen Zeichnungen zeigenFor a better understanding of the invention, details are given in the following detailed description along with ■ explained in the accompanying drawings. Show in these drawings

Fig. 1 ein schematisches Verdrahtungsdiagramm eines Dreileitermagnetkernspeicher mit einer 3D-doppelten Fischgrätenmusteranordnung gemäß der Erfindung,1 is a schematic wiring diagram of a three-conductor magnetic core memory with a 3D double herringbone pattern arrangement according to the invention,

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Fig. 2 einen Teilausschnitt einer Mehrlagenstruktur (mulilayer) des Magnetkernspeichers gemäß der Erfindung,2 shows a partial section of a multilayer structure of the magnetic core memory according to the invention,

Fig. 3 eine auseinandergezogene perspektivische Teilansicht des Speichers nach Fig. 1 in einem Anfangszustand der Fertigung,Fig. 3 is an exploded perspective partial view of the memory of Fig. 1 in an initial state manufacturing,

Fig. 4 eine perspektivische Ausschnittdarstellung des ^ — Speichers nach Fig. 3 in der nachfolgenden Fertigungsstufe, Fig. 4 is a perspective detail view of the ^ - 3 in the subsequent production stage,

Fig. 5 eine perspektivische Ausschnittdarstellung des Speichers nach Fig. 4 in der nächstfolgenden Fertigungsstufe, FIG. 5 shows a perspective detail view of the memory according to FIG. 4 in the next production stage,

Fig. 6 eine perspektivische Ausschnittdarstellung des Magnetspeichers nach Fig. 5 in der nächsten Fertigungsstufe, Fig. 6 is a perspective detail view of the Magnetic memory according to Fig. 5 in the next production stage,

Fig. 7 eine -perspektivische Ausschnittdarstellung des Magnetspeichers nach Fig. 6 im endgültigen Zustand der fertigen Speichereinheit,FIG. 7 shows a perspective detail view of the magnetic memory according to FIG. 6 in the final state the finished storage unit,

Fig. 8 eine Draufsicht auf die Oberseite des oberen Schaltkreisträgers für den Magnetspeicher nach Fig.1,8 is a plan view of the top of the upper circuit carrier for the magnetic memory according to Fig. 1,

Fig. 9 eine Draufsicht auf die Unterseite des in Fig. 8 gezeigten oberen Schaltkreisträgers,FIG. 9 is a plan view of the underside of the upper circuit carrier shown in FIG. 8;

Fig. 10 eine Draufsicht auf die Oberseite des unteren Schaltkreisträgers für einen Magnetkernspeicher nach Fig.1r Fig. 10 is a plan view of the top of the lower circuit carrier for a magnetic core memory according to Fig.1 r

Fig. 11 eine Draufsicht auf die Unterseite des in Fig.10 gezeigten unteren Schaltkernträgers,FIG. 11 is a plan view of the underside of that shown in FIG lower switch core support,

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Fig, 12 einen Teilausschnitt eines Mehrlagenschaltkreises einer abgewandelten Ausführungsform des Magnetspeichers gemäß der Erfindung,12 shows a partial section of a multilayer circuit of a modified embodiment of the magnetic memory according to the invention,

Fig. 13 ejjxe ausXchnitt%eise-Draufsicht auf die Unterseite "^- des unteren Schaltkreisträgerelementes für die Speicheranordnung nach Fig. 12,Fig. 13 ejjxe auschnitt% ice plan view of the underside "^ - of the lower circuit carrier element for the memory arrangement according to FIG. 12,

Fig. 14 eine au^scBriittweise" Draufsicht auf die Oberseite des eine zentrale Zunge tragenden-Schalkreisträgerelementes für die Magnetspeicheranordnung nach Fig.14 is a partial plan view of the top of the scarf circle carrier element carrying a central tongue for the magnetic storage arrangement according to Fig.

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Fig, 15 eine'ausschnittweise Draufsicht auf die Unterseite des zentralen Zungen tragenden Schaltkreisträgerelementes nach Fig. 14,15 is a partial plan view of the underside of the circuit carrier element carrying the central tongues according to FIG. 14,

"Fig. 16 eine ausschnittweise Draufsicht der Oberseite des unteren Schaltkreisträgerelementes für die magnetische Speicheranordnung nach Fig. 12,"Fig. 16 is a fragmentary plan view of the top of the lower circuit carrier element for the magnetic memory arrangement according to FIG. 12,

Fig. 17 eine ausschnittweise Draufsicht auf die Unterseite des Schaltkreisträgerelementes nach Fig. 16,FIG. 17 shows a partial plan view of the underside of the circuit carrier element according to FIG. 16,

Fig, 18 eine Draufsicht auf eine Bearbeitungsvorrichtung, welche zum Aufbau von magnetischen Speichern gemäß der Erfindung Verwendung finden kann,FIG. 18 shows a plan view of a processing device which is used for the construction of magnetic memories according to FIG the invention can be used,

Fig. 19 eine Schnittdarstellung der Bearbeitungsvorrichtung nach Fig. 18 gemäß der Ebene 19-19,19 shows a sectional illustration of the processing device according to Fig. 18 according to the plane 19-19,

Fig. 20 eine ausschnittweise Draufsicht auf die Durchführungs öffnungen durch den Träger (Durchkontaktierungen) gemäß der Erfindung,Fig. 20 is a fragmentary plan view of the bushing openings through the carrier (vias) according to the invention,

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Fig. 21 eine Schnittdarstellung des Trägers nach Fig. 20 längs der Ebene 21-21,21 shows a sectional view of the carrier according to FIG. 20 along the plane 21-21,

Fig. 22 eine Schnittdarstellung des Trägers nach Fig. 21 in einer nachfolgenden Fertigungsstufe,22 shows a sectional view of the carrier according to FIG. 21 in a subsequent production stage,

Fig. 23 eine Schnittdarstellung des Trägers nach Fig.22 in einer weiteren Fertigungsstufe,23 shows a sectional view of the carrier according to FIG a further production stage,

Fig. 24 eine Schnittdarstellung des Schaltkreisträgerelementes gemäß der Erfindung dargestellt während seiner Herstellung,Fig. 24 is a sectional view of the circuit support element according to the invention shown during its manufacture,

Fig. 25 eine Schnittdarstellung des Trägers nach Fig. 24 in einer nachfolgenden Fertigungsstufe,25 shows a sectional view of the carrier according to FIG. 24 in a subsequent production stage,

Fig. 26 eine Schnittdarstellung des Trägers nach Fig. 25 in einer weiteren Fertigungsstufe,FIG. 26 shows a sectional view of the carrier according to FIG. 25 in a further production stage,

Fig. 27 im Aufriß eine Unterdruckaufspannvorrichtung zur Herstellung der magnetischen Speicher gemäß der Erfindung, Fig. 27 is an elevational view of a vacuum jig for Manufacture of the magnetic memory according to the invention,

Fig. 28 eine teilweise Schnittdarstellung der Aufspannvorrichtung nach Fig. 27 längs der Ebene 28-28,28 shows a partial sectional view of the clamping device according to FIG. 27 along the plane 28-28,

Fig. 29 eine ausschnittweise Draufsicht auf die Oberseite des magnetischen Speichers nach Fig. 1 im Endzustand nach der Fertigung undFIG. 29 shows a fragmentary plan view of the upper side of the magnetic memory according to FIG. 1 in the final state after manufacturing and

Fig. 30 einen teilweise geschnittenen Aufriß einer Verdrahtungsvorrichtung zur Verwendung bei der Herstellung eines magnetischen Speichers nach der Erfindung. Fig. 30 is an elevational view, partly in section, of a wiring device for use in the manufacture of a magnetic memory according to the invention.

Gemäß Fig. 1 enthält ein Magnetkernspeicher 10 nach der Erfindung eine Vielzahl von magnetischen Speicherelementen 609848/09061, a magnetic core memory 10 according to the invention contains a plurality of magnetic storage elements 609848/0906

in Form von Ferritkernen 12, welche einen geschlossenen magnetischen Fluß,um eine zentrale Bohrung bilden und die in einer rechteckigen Anordnung untergebracht sind. Unabhängig davon, daß auch andere Anordnungskonfigurationen ohne weiteres in Verbindung mit der. Erfindung verwendet werden können, besitzt die Anordnung 14 insgesamt 246 Magnetkerne 12, ' die in 16 Reihen und 16 Spalten angeordnet sind. Die Achsen, welche durch die Mittelöffnungen von jedem Kern verlaufen, liegen koaxial hintereinander für jede Spalte der Kerne 12. Die Kerne sind in üblichem Dreileiter, 3D-Doppelfischgrätenmuster verdrahtet mit einer Y-Treiberleitung, welche durch die Mittelöffnungen von jeder Spalte von Kernen verläuTftT Dis-_— Y-Treiberleitungen von zwei benachbarten Spalten sind in gleicher Richtung gepolt mit abwechselnden Paaren von Y-Treiberleitungen, welche entgegengesetzt gepolt sind. Z.B. liegt das Einspeisende der Y-Treiberleitungen YO und Y1 an der Oberseite der Anordnung und verläuft im wesentlichen senkrecht unten durch die Spalte zum Austritt sende YO und Y1 an der Unterseite der Anordnung. Das benachbarte Paar von Y-Treiberleitungen Y2 und Y3 ist umgekehrt gepolt mit einem Einspeisende Y2 und Y3 an der Unterseite der Anordnung und dem Austrittsende Ϋ2 und Ϋ3 an der Oberseite der Anordnung. Eine der 16 Y-Treiberleitungen, YO bis Y15, ist also induktiv mit allen 12 Kernen einer Spalte der Anordnung 14 gekoppelt, so daß alle Kerne 12 in der Anordnung 14 induktiv verbunden sind mit genau einer Y-Treiberleitung.in the form of ferrite cores 12 which form a closed magnetic flux around a central bore and which are housed in a rectangular arrangement. Regardless of the fact that other arrangement configurations are readily available in conjunction with the. Invention can be used, the arrangement 14 has a total of 246 magnetic cores 12, 'which are arranged in 16 rows and 16 columns. The axes passing through the central openings of each core are coaxial with each other for each column of cores 12. The cores are wired in a standard three-wire, 3D double herringbone pattern with a Y-driver line running through the central openings of each column of cores -_ - Y-driver lines of two adjacent columns are polarized in the same direction with alternating pairs of Y-driver lines which are polarized in opposite directions. For example, the feed end of the Y driver lines YO and Y1 is at the top of the arrangement and runs essentially vertically below through the column to the exit end YO and Y1 on the underside of the arrangement. The adjacent pair of Y driver lines Y2 and Y3 are polarized reversely with an input end Y2 and Y3 at the bottom of the arrangement and the exit end Ϋ2 and Ϋ3 at the top of the arrangement. One of the 16 Y driver lines, YO to Y15, is thus inductively coupled to all 12 cores of a column of the arrangement 14, so that all cores 12 in the arrangement 14 are inductively connected to exactly one Y driver line.

Die X-Treiberleitungen verlaufen längs der Zeilen der Kerne 12, wobei ebenfalls das Einspeis- und das Austrittsende mit X bzw. X bezeichnet sind. Die Lage der Einspeis- und Austrittsenden der X-Drähte wechseln von Reihe zu Reihe und nicht paarweise wie Y-Treiberleitungen. Z.B. hat die Leitung 20 ihr Einspeisende an der linken Seite der Anordnung 14 und das Austrittsende an der rech-The X driver lines run along the rows of the Cores 12, the feed end and the outlet end also being denoted by X and X, respectively. The location of the Incoming and outgoing ends of the X-wires change from Row to row and not in pairs like Y driver lines. For example, the line 20 has its feeding end on the left Side of the arrangement 14 and the exit end on the right

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ten Seite. Die X1-Treiberleitung ist umgekehrt orientiert mit dem Einspeisende an der rechten Seite und dem Austrittsende an der linken Seite. Entsprechend der Richtung von Einspeis- zum Austrittsende, wie vorstehend dargelegt, verlaufen die X-Treiberleitungen durch die Mittelöffnung von jedem Kern 12 in der gleichen Richtung wie die Y-Tr eiber leitungen, so daß Ströme gleicher Polarität in dem jeweils gemeinsamen Kern addiert werden. Z.B. verläuft die XO und YO-Treiberleitung durch einen Kern in der linken oberen Ecke der Anordnung 14 in einer Richtung von oben nach unten. In der oberen rechten Ecke der Anordnung 14, wo die Treiberleitung Y15 eine umgekehrte Polung hat, hat die XO-Treiberleitung ebenfalls eine umgekehrte Richtung und beide Leitungen verlaufen durch den Kern von unten nach oben.th side. The X1 driver line is oriented the other way round with the inlet end on the right side and the outlet end on the left side. According to the direction from the feed end to the output end, as above As stated, the X drive lines run through the central opening of each core 12 in the same direction like the Y-Tr eiber lines, so that currents of the same polarity are added in the respective common core. E.g. the XO and YO driver line runs through a core in the upper left corner of the assembly 14 in one direction top down. In the top right corner of array 14 where the drive line Y15 is an inverted one Has polarity, the XO driver line also has a reverse direction and both lines run through it the core from the bottom up.

Um gedruckte Schaltungen verwenden zu können, verlaufen die X-Treiberleitungen abwechselnd durch die Kerne von benachbarten Zeilenpaaren, damit sie längs aufeinanderfolgender Spalten in gleicher Richtung verlaufen können. Die Y-Treiberleitungen bilden somit elektrische Reihen einer elektrischen Anordnung 16, welche etwas verschieden sind von den Reihen der räumlichen Anordnung 14. Jedoch ist jede X-Treiberleitung trotzdem induktiv mit nur einem Kern von jeder Spalte der Kerne verbunden und jede Spalte von Kernen enthält 16 Kerne, welche induktiv mit je einer X-Treiberleitung verbunden ist.To use printed circuit boards, the X driver lines run alternately through the cores of adjacent pairs of rows so that they can run in the same direction along successive columns. The Y driver lines thus form electrical rows of an electrical arrangement 16 which are somewhat different are 14 rows of spatial arrangement. However each X driver line is still inductively connected to only one core of each column of cores and each column of cores contains 16 cores, which are each inductively connected to an X driver line.

Die räumlichen Plätze der Kerne in der Anordnung 14 werden im folgenden durch ihre räumlichen Zeilen und Spaltenlage bezeichnet; der Kern in der oberen linken Ecke also mit 0,0, der Kern in der linken unteren Ecke mit 15,0 und der Kern in der unteren rechten Ecke mit 15,15. Dies vorausgesetzt kann ohne weiteres aus Fig. 1 gesehen werden, daß die XO-Treiberleitung durch die Anordnung 14 zuerstThe spatial locations of the cores in the arrangement 14 are defined below by their spatial rows and columns designated; the core in the upper left corner with 0.0, the core in the lower left corner with 15.0 and the core in the lower right corner at 15.15. Assuming that this is the case It can be readily seen from FIG. 1 that the XO drive line passes through array 14 first

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durch den Kern O,O abwärts dann weiter abwärts durch den Kern 1,1, damm aufwärts durch den Kern 1,2 und aufwärts durch den Kern 0,3 und abwechselnd so weiter zwischen den Reihen 0 und 1 durch die folgenden Reihen 5 bis 15 verläuft. Jeder der X-Treiberleitungen folgt also einem. Weg durch nebeneinanderliegende Zeilen, wobei er jeweils von Spalte zu Spalte wechselt, während sich die Durchfädlungsrichtung umkehrt im räumlichen Sinn von oben nach unten nach jedem Wechsel eines Spaltenpaares. Ungeradzahlig bezifferte X-Leitungen von aufeinanderfolgenden Zeilen verlaufen durch die Kerne, welche nicht mit der nächstniedrigen Zeilenleitung induktiv gekoppelt sind. Somit sind also die Zeilenleitungen XO und X1 induktiv verbunden mit allen Kernen in den Zeilen 0 und 1, während die Zeilenleiter X2 und X3 mit allen Kernen der Reihen 2 und 3 induktiv verbunden sind usw. . Die Wechsel in der Durchfädlungsrichtung sind so koordiniert, daß sich kreuzende X- und Y-Treiberströme von gleicher Polarität immer addieren. Ein Paar von Lese/Ziffern-(Inhibit-)wicklungen SI und SI verläuft durch alle Kerne der Anordnungen 14, 16 im wesentlichen parallel zu den Y-Treiberleitungen. Z.B. beginnt die Lese/Ziffernwicklung SI an der linken unteren Ecke der Anordnung 14, verläuft nach oben durch die Kerne der Spalte 0 bis zur Zeile 8, kreuzt hier über zur Spalte 1 und verläuft weiterhin aufwärts bis zum oberen Ende der Anordnung 14. Die Wicklung SI kehrt dann um, um abwärts durch die Spalte 3 bis zur Zeile 7 zu laufen, wo sie überkreuzt in die Spalte 2 und verläßt die Anordnung nach unten längs der Spalte 2. Die Wicklung SI verläuft durch die gesamte Anordnung 14 in diesem Muster. Ähnlich verläuft die Lese/Ziffernwicklung SI durch die Anordnung parallel zu der Wicklung SI durch die Spalten eines Spaltenpaares, soweit dieser nicht mit der Wicklung SI verbunden sind. Die Lese/Ziffernwicklungen können mit externen (nicht gezeigten) Schaltkreisen verbunden sein, die in üb-through the core O, O downwards then further downwards through the Core 1.1, dam upwards through core 1.2 and upwards runs through the core 0.3 and alternately so on between rows 0 and 1 through the following rows 5 to 15. So each of the X driver lines follows one. path through adjacent rows, changing from column to column while the threading direction changes reverses in the spatial sense from top to bottom after every change of a pair of columns. Odd numbered X-lines of consecutive lines run through the cores, which do not go with the next lower Row lines are inductively coupled. The row lines XO and X1 are thus inductively connected with all cores in rows 0 and 1, while row conductors X2 and X3 with all cores in rows 2 and 3 are inductively connected, etc.. The changes in the threading direction are coordinated so that they intersect Always add X and Y driver currents of the same polarity. A pair of read / digit (inhibit) windings SI and SI runs through all cores of the arrangements 14, 16 substantially in parallel with the Y driver lines. For example, the read / digit winding SI begins at the lower left corner of the arrangement 14 and runs through it upwards the cores of column 0 to row 8, crosses here over to column 1 and continues upwards to the upper one End of assembly 14. The winding SI then reverses to to run downwards through column 3 to row 7, where it crosses into column 2 and leaves the arrangement down along column 2. The winding SI runs through the entire arrangement 14 in this pattern. Similar the reading / digit winding SI runs through the arrangement parallel to the winding SI through the columns of a column pair, as long as these are not connected to the winding SI. The read / digit windings can be connected to external (not shown) circuits connected in common

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licher Weise arbeiten, um über die Lese-Ziffernwicklungen die Lesesignale während einer Abtastoperation zu übertragen bzw. mit umgekehrter Polarität Sperrströme während einer Schreiboperation zu übertragen, um spezielle Schreibströme der X- und Y-Treiberleitungen zu kompensieren, um ein Schalten von ausgewählten Kernen in der Anordnung während des Schreibens zu verhindern.licher way to work over the reading digit windings to transmit the read signals during a scanning operation or with reverse polarity reverse currents during a write operation to compensate for specific write currents of the X and Y drive lines to prevent switching of selected cores in the array during writing.

Es ist zu ersehen, daß genau drei Leitungen durch jeden der Kerne 12 verlaufen. Diese sind gezeigt in dem elektrischen Schema der Fig. 1 mit der gleichen räumlichen Anordnung wie in der tatsächlichen räumlichen Gestaltung. Die Y-Treiber- oder Spaltenleitungen verlaufen durch die Kerne jeweils an der linken Seite, die Lese-Ziffernwicklungen verlaufen durch die Kerne an der rechten Seite und der mittlere Leiter der jeweils durch die Kerne verläuft, ist eine X- oder Zeilentreiberleitung. Der körperliche Aufbau des Speichers 10 ist besser in Verbindung mit den Fig. 2 bis 7 zu verstehen. Die X-Treiber-, Y-Treiber- und Lese-Ziffernleitungen werden an beiden Seiten eines jeweils etwa 1 mil (0,025 mm) dicken Kapton als unteren Schaltkreisträger 30 und auf einem oberen Schaltkreisträger 32 angeordnet. Fig.2 zeigt den Schichtaufbau dieser Planarträger für die Leiter der Kerne des Speichers 10 in einer erdachten vergrößerten Schnittdarstellung, welche die Lagen des Speichers zeigt ohne Rücksicht auf die einzelnen Leitermuster oder Zuordnung innerhalb des Speichers. Eine Lochplatte 34 wird aus drei 1 mil (0,025 mm) dicken Kupferfolien 36a,36b und 36c gebildet, welche miteinander durch zwei zwischengelegte Klebefolien 38a und 38b mit 0,019 mm Dicke zusammengehalten werden. Die Lochplatte 34 verschafft dem Speicher 10 die körperliche Festigkeit und Unterstützung und der Schichtaufbau hilft ein Verziehen während des Ätzens der öffnungen 40 zur Aufnahme der Kerne 12 zu verhindern.It can be seen that exactly three lines run through each of the cores 12. These are shown in the electrical Scheme of FIG. 1 with the same spatial arrangement as in the actual spatial configuration. The Y driver or column lines run through the cores on the left-hand side, the read digit windings run through the cores on the right side and the middle conductor that runs through each core is an X or row driver line. The physical structure of the memory 10 is better in connection with the Figs. 2 through 7 should be understood. The X-driver, Y-driver, and read digit lines become one on either side Kapton each approximately 1 mil (0.025 mm) thick as a lower circuit substrate 30 and on an upper circuit substrate 32 arranged. FIG. 2 shows the layer structure of these planar carriers for the conductors of the cores of the memory 10 in an imaginary enlarged sectional view, which shows the locations of the memory without regard to the individual conductor pattern or assignment within the store. A perforated plate 34 is made from three 1 mil (0.025 mm) thick copper foils 36a, 36b and 36c formed, which are connected to each other by two interposed adhesive films 38a and 38b are held together with a thickness of 0.019 mm. The perforated plate 34 provides the reservoir 10 with the physical strength and support, and the layer structure helps to prevent warping during the etching of the openings 40 for receiving the cores 12.

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Der untere Schaltkreisträger 30 und der obere Schaltkreisträger 32 sind dünne, ebene, planare, flexible Träger mit einer Dicke von etwa 1 mil (0,025 mm), welche aus Kapton oder anderem geeigneten Material gefertigt sind. Gedruckte Kupferleitermuster 42,44 sind an der Unter- und Oberseite des unteren Schaltkreisträgers vorgesehen, während Kupferleitermuster 46,48 an der der Unter- und Oberseite des oberen Schaltkreisträgers 32 aufgebracht sind. Die Leiter der Muster 42,44,46 und sind etwa 1,9 mils (0,05 mm) dick und werden durch ein fotolithographisches Verfahren aufgebracht. Sie werden speziell ausgebildet und verbunden, um die X-Treiberleitungen, die Y-Treiberleitungen und die Lese/Ziffernleitungen durch die Kerne 12 des Speichers 10 zu führen. Die Leiter 42 und 44 können durch dünne (nicht dargestellte) Durchkontaktierungen durch den Schaltkreisträger. 30 miteinander verbunden sein, während die Leitungen 46 und 48 in gleicher Weise durch schmale (nicht dargestellte) Durchkontaktierungen im oberen Schaltkreisträger 32 verbunden sein können. Ein Lötmittel 50 kann elektrolytisch auf die Leiter 44 aufgebracht werden, um definierte Verbindungen der Leiter 46 zu den Leitern zu ermöglichen. Die Leiter 44 und 46 können aber auch mit einer dinnen Schicht von Gold versehen werden und in einem üblichen Thermodruckverbindungsverfahren verbunden werden. Der untere Schaltkreisträger 30 ist mit der Lochplatte 34 über eine 0,75 mils (0,020 mm) dicke Klebschicht 52 verbunden, welche gleichzeitig als Isolierschicht dient, um ein Kurzschließen"der Leiter 42 durch die leitende Lochplatte 34 zu verhindern.The lower circuit substrate 30 and the upper circuit substrate 32 are thin, flat, planar, flexible Carriers about 1 mil (0.025 mm) thick made of Kapton or other suitable material are. Printed copper conductor patterns 42, 44 are on the bottom and top of the lower circuit substrate provided, while copper conductor patterns 46,48 on the bottom and top of the upper circuit carrier 32 are upset. The conductors of patterns 42,44,46 and are approximately 1.9 mils (0.05 mm) thick and are made by a applied photolithographic process. They are specially trained and connected to make the X driver lines, route the Y-driver lines and the read / digit lines through the cores 12 of the memory 10. The conductors 42 and 44 can through thin vias (not shown) through the circuit carrier. 30 be connected to each other, while the lines 46 and 48 in the same way by narrow (not illustrated) vias in the upper circuit carrier 32 can be connected. A solder 50 can Electrolytically applied to the conductors 44 to define connections of the conductors 46 to the conductors to enable. The conductors 44 and 46 can also be provided with a thin layer of gold and be joined in a conventional thermal pressure joining process. The lower circuit carrier 30 is with the perforated plate 34 connected via a 0.75 mils (0.020 mm) thick adhesive layer 52, which also serves as an insulating layer, to prevent the conductors 42 from shorting out through the perforated conductive plate 34.

Der räumliche Aufbau des Speichers nach der Erfindung ist noch besser zu verstehen, bei Betrachtung der Fig. bis 11. Die Schaltkreisträger 30,32 sind ausschnittsweise in den Fig. 3 bis 7 und in ihrer Gesamtheit in den Fig.The spatial structure of the memory according to the invention can be better understood when looking at Fig. to 11. The circuit carriers 30,32 are excerpts in FIGS. 3 to 7 and in their entirety in FIGS.

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bis 11 wiedergegeben. Die Fig. 8 zeigt den oberen Schaltkreisträger 32 von der Oberseite, auf welchen die Leiter 48 angeordnet sind, während die Fig. 9 die Unterseite dieses oberen Schaltkreisträgers 32 zeigt, auf welchem die Leiter 46 angeordnet sind. Hierbei ist die Darstellung nach Fig. 9 so gewählt, als würde die Unterseite von oben (durch den Träger hindurch) betrachtet. Dies bedeutet, daß die linke untere Ecke von Fig. 8 der linken unteren Ecke von Fig. 9 entspricht, so daß die einzelnen Elemente von Fig. 8 und 9 jeweils an der gleichen Stelle dargestellt sind.to 11 reproduced. Fig. 8 shows the upper circuit carrier 32 from the top, on which the Conductors 48 are arranged, while Fig. 9 shows the underside of this upper circuit carrier 32 on which the conductors 46 are arranged. Here, the representation according to FIG. 9 is selected as if the underside were viewed from above (through the carrier). This means that the lower left corner of Fig. 8 is the left 9 corresponds to the lower corner of FIG. 9, so that the individual elements of FIGS. 8 and 9 are each in the same place are shown.

Aus Fig. 3 ist zu ersehen, daß der obere Schaltkreisträger 32 eine Vielzahl von öffnungen 54 aufweist, die die Form eines asymmetrischen H haben. Ein Steg 56 von jeder H-förmigen öffnung bildet die Aufnahmeöffnung, welche nach Größe und Form zur Aufnahme eines Kernes 12 geeignet ist. Der Rand jeder Aufnahmeöffnung 56 ist an einer Seite durch das freie Ende einer relativ kurzen vorspringenden Zunge 58 und an der anderen Seite durch das freie Ende einer relativ langen ebenfalls vorspringenden Zunge 60 gebildet. Die Zungen 58,60 haben eine im Vergleich zum Innendurchmesser eines Kernes 12 etwas geringere Breite und ihre LängserStreckung, entsprechend den Schenkeln 62 und 64 der H-förmigen öffnungen ist ausreichend, um durch einen Kern 12 hindurch in einer Richtung parallel zu einer zentralen Achse 66 zu verlaufen.From Fig. 3 it can be seen that the upper circuit carrier 32 has a plurality of openings 54 which have the shape an asymmetrical H. A web 56 of each H-shaped opening forms the receiving opening, which according to size and shape for receiving a core 12 is suitable. The edge of each receiving opening 56 is on one side through the free end of a relatively short projecting tongue 58 and on the other side by the free end of a relatively long also protruding tongue 60 is formed. The tongues 58, 60 have a compared to the inside diameter of a core 12 is slightly smaller in width and its longitudinal extension, corresponding to the legs 62 and 64 the H-shaped opening is sufficient to pass through a core 12 in a direction parallel to a central one Axis 66 to run.

Der untere Schaltkreisträger 60 besitzt eine Anordnung von rechteckigen öffnungen 80 in einer Größe und Form, die geeignet ist zur Aufnahme der Kerne 12. Die Fig. 10 und 11 zeigen einen vollständigen unteren Schaltkreisträger 30, wobei die Fig. 10 die Oberseite, auf welcher die Leiter angeordnet sind, von der Oberseite wiedergibt und in Fig. 11 die Unterseite mit den Leitern 42 dargestellt ist, eben-The lower circuit carrier 60 has an arrangement of rectangular openings 80 in a size and shape that are suitable is for receiving the cores 12. FIGS. 10 and 11 show a complete lower circuit carrier 30, with FIG. 10 showing the upper side on which the conductors are arranged, reproduces from the top and in Fig. 11 the bottom is shown with the conductors 42, flat

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falls in der Zuordnung von oben. Die Fig. 8 bis 11 geben somit die Leitermuster in einer Anordnung wieder, in welcher sie tatsächlich umlaufen. Aus der Fig. 4 ist im einzelnen zu ersehen, daß der untere und der obere Schaltkreisträger 30,32 in einer ersten Lage zur Aufnahme der Kerne unmittelbar flach aufeinanderliegend angeordnet sind derart, daß die Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 in Berührung kommt mit der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32. Die Schaltkreisträger 30,32 liegen derart aufeinander, daß der Steg 56 des oberen Schaltkreisträgers 32 in passender Zuordnung zu den öffnungen 80 von versetzten, geradzahlig nummerierten Zeilen des unteren Schaltkreisträgers 30 zu liegen kommt. Wenn die Schaltkreisträger 30 und 32 in dieser gegenseitigen Lage sich befinden, werden die Kerne 12 in diesel geradzahlig nummerierten Zeilen in üblicher Weise unter Anwendung eines Unterdruckes auf die Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30 eingesetzt, während die Kerne auf die Oberseite des oberen Schaltkreisträgers 32 aufgelegt werden.if in the assignment from above. Figures 8 through 11 thus reproduce the conductor patterns in an arrangement in which they actually circulate. From Fig. 4 it can be seen in detail that the lower and the upper Circuit carrier 30,32 in a first position for receiving the cores directly lying flat on top of one another are arranged such that the top of the lower circuit carrier 30 comes into contact with the Underside of the upper circuit carrier 32. The circuit carrier 30,32 lie on top of one another that the Web 56 of the upper circuit carrier 32 in a matching assignment to the openings 80 of offset, even-numbered numbered lines of the lower circuit carrier 30 comes to rest. When the circuit carriers 30 and 32 are in this mutual position, the cores 12 are even numbered in diesel Lines in the usual way using a negative pressure on the underside of the lower circuit carrier 30 inserted while the cores are placed on top of the upper circuit carrier 32.

Nach dem Einsetzen der Kerne 12 in die geradzahlig nummerier ten Speicherzeilen wird der obere Schaltkreisträger relativ zum unteren Schaltkreisträger 30 und den Kernen 12 seitlich verschoben (nach links in der Darstellung nach den FIg. 3 bis 7), wie gezeigt in Fig. 5. Durch das Verschieben des oberen Schaltkreisträgers 42 werden die längeren Zungen 60 durch die Mittelbohrungen der Kerne geführt. Die Bewegung des oberen Schaltkreisträgers wird fortgesetzt bis dieser in eine zweite Kernaufnahmelage gelangt, wobei die langen Zungen 60 sich durch die Kerne 12 erstrecken, und der H-Steg 56 in passende Zuordnung zu den öffnungen 80 im unteren Schaltkreisträger 30 zur Aufnahme der ungeradzahlig bezifferten Zeilen zu liegen kommt. In dieser Lage gelangen die Ränder der KerneAfter inserting the cores 12 in the even numbered th memory lines becomes the upper circuit carrier relative to the lower circuit carrier 30 and the cores 12 shifted laterally (to the left in the illustration according to FIGS. 3 to 7), as shown in FIG Moving the upper circuit carrier 42, the longer tongues 60 are through the central bores of the cores guided. The movement of the upper circuit carrier is continued until it is in a second core receiving position arrives with the long tongues 60 extending through the cores 12 and the H-web 56 in matching association to the openings 80 in the lower circuit carrier 30 for receiving the odd numbered lines come to lie. The edges of the kernels are in this position

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12, welche vorher in die geradzahlig nummerierten Reihen eingesetzt wurden, in Eingriff mit den Schenkeln 62 und 64 der H-förmigen Öffnungen bis unmittelbar an das Begrenzungsende der relativ langen vorspringenden Zungen 60.12, which were previously in the even-numbered rows were used, in engagement with the legs 62 and 64 of the H-shaped openings up to the limit end of the relatively long projecting tongues 60.

Der untere und der obere Schaltkreisträger 30,32 werden in dieser zweiten Aufnahmestellung in ihrer gegenseitigen Lage gesichert, damit sie anschließend gerüttelt werden können, um die Kerne 12 von der Oberseite des oberen Schaltkreisträgers 32 in die ungeradzahlig nummerierten Zeilen der Öffnungen 80 zu bringen, während ein Unterdruck auf der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30 angewendet wird. Der Speicher ist in diesem Zustand in Fig. 6 gezeigt, wobei alle Kerne in die ungeradzahlig und in die geradzahlig nummerierten Reihen eingesetzt sind. Der obere Schaltkreisträger 30 wird dann wieder seitlich verschoben relativ zu dem unteren Schaltkreisträger 30 und den Kernen 12 (nach rechts in der Darstellung nach den Fig. 3 bis 7) in eine endgültige gegenseitige Lage, in welcher die relativ langen Zungen 60 sich noch durch die Kerne in den geradzahlig nummerierten Zeilen und die kurzen Zungen 58 sich durch die Kerne in den ungeradzahlig nummerierten Zeilen erstrecken. Die kurzen und langen Zungen 58,60 überbrücken dabei die Öffnungen 80, indem sie durch Mittelbohrungen in den Kernen 12 verlaufen, und ermöglichen mit den an der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32 angeordneten Leitern einen elektrischen Weg durch die Mitte der Kerne 12 und eine Verbindung zwischen den gegenüberliegenden Seiten der Öffnungen 80 im unteren Schaltkreisträger 30. Nach dem endgültigen Ausrichten, wie es in Fig. 7 zu ersehen ist, können die Leiter 46 an der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32 mit den Leitern 44 an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 entweder durch Lötung oder ein Warmdrückverfahren verbunden werden.The lower and the upper circuit carrier 30,32 are in this second receiving position in their mutual Location secured so that they can subsequently be jogged to the cores 12 from the top of the top Circuit carrier 32 to bring into the odd numbered lines of the openings 80, while a vacuum on the underside of the lower circuit substrate 30 is applied. The memory is in this state shown in Fig. 6 with all of the cores inserted in the odd and even numbered rows are. The upper circuit carrier 30 is then shifted laterally again relative to the lower circuit carrier 30 and the cores 12 (to the right in the illustration 3 to 7) in a final mutual position in which the relatively long tongues 60 are still through the cores in the even-numbered lines and the short tongues 58 through the cores in the odd-numbered extend numbered lines. The short and long tongues 58, 60 bridge the openings 80 by running through central bores in the cores 12, and allow with the arranged on the underside of the upper circuit carrier 32 conductors one electrical path through the center of cores 12 and a connection between opposite sides of the openings 80 in the lower circuit carrier 30. After the final alignment, as can be seen in FIG. 7, the Conductor 46 on the underside of the upper circuit carrier 32 with the conductors 44 on the upper side of the lower circuit carrier 30 can be connected either by soldering or a hot spinning process.

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Eine vollständige Speicheranordnung kann auf diese Weise durch eine einfache Bewegung des oberen Schaltkreisträgers 32 mit verschiedenen Leitern, die gleichzeitig durch eine große Anzahl von Kernöffnungen geführt werden, hergestellt werden, wodurch eine vollständig verdrahtete Speichereinheit erhalten wird. Sofern gewünscht, können die Leiterverbindungen in einem elektrolythischen Niederschlagsverfahren zur Erhöhung der Festigkeit und Zuverlässigkeit überplatiert werden. Jedoch wurde gefunden, daß feste und zuverlässige Verbindungen auch ohne solch ein ÜbeipLatieren gefertigt werden können.A complete memory array can be created in this way by a simple movement of the upper circuit board 32 with different ladders running through a large number of core openings at the same time can be manufactured, thereby obtaining a fully wired memory unit. If desired, can the conductor connections in an electrolytic deposition process to increase the strength and Reliability are overplated. However, it has been found that firm and reliable connections can be made even without such an overlay can be made.

Der untere und obere Schaltkreisträger 30,32 kann im allgemeinen mit einem herkömmlichen fotolythographisehen Ätz- oder Niederschlagsverfahren gefertigt werden. Der Planarträger für die Schaltkreiselemente 30,32 kann aus einem etwa 1 mil (0,025 mm) dicken Kapton bestehen, welches von der Firma du Pont im Handel ist. Dieses Material ist besonders für die Zwecke der vorliegenden Erfindung geeignet, weil es eine dünne, gut zusammenhängende und kontinuierliche Trägerfolie abgibt, welche einerseits genügend flexibel ist, um bei der Bearbeitung nicht zu brechen, und andererseits ausreichend formbeständig ist, und eine glatte Oberflächenbeschaffenheit aufweist, die Planarform aufrechterhalten wird, während der obere Schalterträger 32 relativ zu dem unteren Schaltkreisträger 30 und die freien Enden der Zungen erstrecken sich durch die Mittelbohrung der Kerne.The lower and upper circuit carriers 30, 32 can generally be viewed with conventional photolithography Etching or precipitation processes are manufactured. The planar support for the circuit elements 30,32 can be made from about 1 mil (0.025 mm) thick Kapton commercially available from the du Pont Company. This material is particularly suitable for the purposes of the present invention because it is thin, well cohesive and continuous carrier film releases, which on the one hand is sufficiently flexible not to be too during processing break, and on the other hand is sufficiently dimensionally stable, and has a smooth surface finish that Planar shape is maintained while the upper switch support 32 relative to the lower circuit carrier 30 and the free ends of the tongues extend through the central bore of the cores.

Wie in den Fig. 8 bis 11 gezeigt, sind Richtmarken 90,92 an der linken und an der rechten Seite der Leitermuster und Öffnungsanordnungen vorgesehen, um eine präzise Fluchtung der nacheinander anzuwendenden fotolythographischen Maskenmuster zu garantieren. Die Marken 90 und 92 werden eventuell geätzt entlang der Umgrenzung mit einem großenAs shown in Figures 8-11, alignment marks 90, 92 are on the left and right sides of the conductor patterns and aperture arrangements provided to allow precise alignment of the sequentially applied photolithographic Guarantee mask pattern. Marks 90 and 92 may be etched with a large along the perimeter

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Durchmesserkreis, wie dargestellt um durch diese öffnungen im unteren Schaltkreisträger 30 Führungsgriffe aufnehmen zu können, die eine präzise Zuordnung dieses unteren Schaltkreisträgers 30 mit der Lochplatte 34 während der Fertigung ermöglichen.Diameter circle as shown around through these openings Take up 30 guide handles in the lower circuit carrier to be able to have a precise assignment of this lower circuit carrier 30 with the perforated plate 34 during the Enable manufacturing.

Die Y-Treiberwicklungen folgen, wie aus Fig. 1 zu ersehen, einem relativ geradlinigen Weg durch die Kernanordnung Obgleich jeder Y-Leiter längs einer Spalte läuft, wechselt er doch zwischen der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 und dem passenden Anschluß auf der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32. Z.B. beginnt der Spaltenleiter YO links oben aufder Unterseite des Schaltkreisträgers 30, vgl. Fig. 10. An dieser Stelle bildet der Leiter YO ein Einspeiseanschlußende 100 zur Verbindung mit einem externen Treiberschaltkreis. Der Leiter verläuft abwärts längs der linken Seite der ersten Spalte der Kerne zu der oberen Begrenzung der öffnung 102 für die Kernlage 0,0 im Punkt 104. Der Punkt 104 ist verbunden mit einanPunkt 106 von einem Leiter 108 auf der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32, vgl. Fig. 9, wobei sich dieser Leiter senkrecht nach unten erstreckt durch die Mittelbohrungen des Kernes in der Position 0,0 und 1,0 zu einem Punkt 110. Der Punkt 110 ist verbunden mit einem Punkt 112 auf der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30, vgl. Fig. 10, welche sich unmittelbar an der Unterseite einer öffnung 114 befindet. Auf diese Weise erstreckt sich jeder der Y-Treiberleitungen einer Spalte der Anordnung über den am weitesten links gelegenen Leiter der drei Leiter, welche durch einen Kern geführt sind, jeweils als Y-Treiberleiter.The Y driver windings follow, as can be seen from Fig. 1, a relatively straight path through the core assembly, although each Y-conductor runs along a column, alternates he is between the top of the lower circuit carrier 30 and the matching connection on the bottom of the upper circuit carrier 32. For example, the column conductor YO begins at the top left on the underside of the circuit carrier 30, see Fig. 10. At this point, the Conductor YO has a feed terminal end 100 for connection to an external driver circuit. The ladder runs down along the left side of the first column of the cores to the upper limit of the opening 102 for the core layer 0,0 at point 104. Point 104 is connected to a point 106 of a conductor 108 on the Underside of the upper circuit carrier 32, see FIG. 9, this conductor extending vertically downwards through the center bores of the core at the 0.0 and 1.0 position to a point 110. The point 110 is connected with a point 112 on the top of the lower circuit carrier 30, see FIG. 10, which is located directly on the underside of an opening 114. To this Thus, each of the Y driver lines of a column of the array extends over the leftmost one Head of the three conductors, which are led through a core, each as a Y driver conductor.

Das Leitermuster für die Lese/Ziffernleiter S1 und S1 sind ähnlich aufgebaut zu den Mustern für die Y-Leiter mit Ausnahme, daß diese Leiter zusätzlich überkreuzt wer-The conductor pattern for the read / digit conductors S1 and S1 are structured similarly to the patterns for the Y-conductors with the exception that these conductors are also crossed

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den zwischen den Zeilen 7 und 8 und deshalb zwischen der Ober- und Unterseite der Matrix 14 wechseln. Der Leiter S1 hat seinen Einspeispunkt 120 am linken unteren Ende der Matrix, wo er in geeigneter Weise mit üblichen Lese/Ziffersteuerkreisen verbunden werden kann. Der Leiter SI erstreckt sich senkrecht nach oben von Punkt 120 zu einem Punkt 122 an dem unteren Rand einer öffnung 124 an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 der Kernposition 15,0, vgl. Fig. 10. Der Punkt 122 ist mit einem Punkt 124 an der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32 verbunden, vgl. Fig. 9. Vom Punkt 124 verläuft der Leiter SI senkrecht nach oben längs einem Leiter 126 zu einem Punkt 128. Der Punkt 128 ist seinerseits mit einem Punkt 130 an der Oberseite einer Aufnahmeöffnung 132 der Kernlage 14,0 an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 verbunden, vgl. Fig. 10. Auf diese Weise folgt der Lese-Sperrleiter SI einem Muster identsich zu dem der Y-Treiberleitermuster zu einem Punkt 136 auf der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 zwischen den Zeilen 7 und 8. Vom Punkt 136 führt eine Durchkontaktierung durch den unteren Schaltkreisträger 30 zur Verbindung des Punktes 136 mit einem Punkt 138 auf der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30, vgl. Fig. 11. Ein Leiter 140 erstreckt sich seitlich nach rechts vom Punkt 138 zu einem Punkt 142. Eine Durchkontaktierung erstreckt sich vom Punkt 142 durch den unteren Schaltkreisträger 30 auf die'oberseite dieses Trägers zum Punkt 144, vgl. Fig. 10. Vom Punkt 144 verläuft der Leiter SI senkrecht direkt nach oben wechselnd zwischen der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 und der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32.which alternate between rows 7 and 8 and therefore between the top and bottom of the matrix 14. Of the Conductor S1 has its feed point 120 at the lower left end of the matrix, where it is conveniently connected to the usual Read / digit control circuits can be connected. The conductor SI extends vertically upwards from point 120 to a point 122 on the lower edge of an opening 124 on the upper side of the lower circuit carrier 30 of the core position 15.0, see Fig. 10. Point 122 is marked with a Point 124 is connected to the underside of the upper circuit carrier 32, see FIG. 9. From point 124, the Head SI vertically upwards along a conductor 126 a point 128. The point 128 is in turn connected to a point 130 at the top of a receiving opening 132 the core layer 14.0 connected to the top of the lower circuit carrier 30, see Fig. 10. In this way the read inhibit conductor SI follows a pattern identical to that of the Y driver conductor pattern to a point 136 on FIG Upper side of the lower circuit carrier 30 between lines 7 and 8. A through-hole leads from point 136 through the lower circuit carrier 30 to connect the point 136 to a point 138 on the underside of the lower circuit carrier 30, see FIG. 11. A conductor 140 extends laterally to the right from point 138 to point 142. A via extends from point 142 through the lower circuit substrate 30 on the top of this carrier to point 144, cf. Fig. 10. From point 144, the conductor SI runs vertically directly up alternating between the top of the lower circuit carrier 30 and the bottom of the upper circuit carrier 32.

Der Leiter SI tritt aus der Anordnung im Punkt 146 Fig. 10 an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 aus, wo eine Durchkontaktierung eine Verbindung zur Unter-The conductor SI emerges from the arrangement at point 146 Fig. 10 on the top of the lower circuit carrier 30, where a through-hole connects to the lower

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seite dieses Trägers 30 zu einem Punkt 148 (Fig. 11) auf die Unterseite führt. Vom Punkt 148 verläuft ein Leiter 150 seitlich nach rechts zu einem Punkt 152. Eine Durchkontaktxerung durch den unteren Schaltkreisträger 30 verbindet den Punkt 152 mit einem Punkt 154 (Fig. 10) an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30. Vom Punkt 154 verläuft der Leiter SI senkrecht nach unten längs der Spalte 3 und dann längs der Spalte 2, um das vorbestimmte Leitermuster durch die Anordnung fortzusetzen.side of this carrier 30 to a point 148 (Fig. 11) the bottom leads. From point 148 a conductor 150 runs laterally to the right to a point 152. A via through the lower circuit carrier 30 connects the point 152 with a point 154 (Fig. 10) on the top of the lower circuit carrier 30. From point 154, the conductor SI runs vertically down along column 3 and then along column 2, around the predetermined conductor pattern through the array to continue.

In gleicher Weise ist der Lese/Ziffernleiter SI verbunden mit einem externen Schaltkreis im Punkt 160 links der Anordnung unmittelbar unterhalb der Spalte 1 auf der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30, vgl. Fig. 10. Vom Punkt 160 bewegt sich der Leiter SI senkrecht nach oben wechselnd zwischen der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 und der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32 zu einem Punkt 162 (Fig. 10) an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 in geringem Abstand oberhalb der Kernöffnung 7,1. Vom Punkt 162 verläuft der Leiter SI über eine Durchkontaktxerung zu der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 3 0 zu einem Punkt 164 (Fig. 11). Vom Punkt 164 verläuft ein Leiter an der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 3 0 nach links zu einem Punkt in einem geringen Abstand oberhalb der Kernöffnung 8,0. über eine Durchkontaktxerung wird der Punkt 168 durch den unteren Schaltkreisträger 3 0 mit einem Punkt 170 (Fig. 10) an der Oberseite dieses Schaltkreisträgers 30 verbunden. Vom Punkt 170 verläuft der Leiter SI aufwärts längs der Spalte 0 durch die Anordnung 14 abwechselnd zwischen der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 3 0 und der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32 in direktem Weg zu einem Punkt 172 (Fig.10) an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 im geringen Abstand oberhalb der Kernöffnung 0,0. Eine Durchkon-The read / digit line SI is connected in the same way with an external circuit at point 160 to the left of the arrangement immediately below column 1 on the Upper side of the lower circuit carrier 30, see Fig. 10. From point 160, the conductor SI moves vertically alternating upward between the top of the lower circuit carrier 30 and the bottom of the upper circuit carrier 32 to a point 162 (FIG. 10) on the upper side of the lower circuit carrier 30 at a short distance above the core opening 7.1. From point 162, the conductor SI runs through a plated through hole to the Underside of the lower circuit carrier 3 0 to a point 164 (Fig. 11). A ladder runs from point 164 on the underside of the lower circuit carrier 3 0 to the left to a point at a small distance above the core opening 8.0. The point 168 is connected to the lower circuit carrier 3 0 via a through-hole contact a point 170 (FIG. 10) on the upper side of this circuit carrier 30. From point 170 runs the Conductor SI up along column 0 through assembly 14 alternating between the top of the lower circuit substrate 3 0 and the underside of the upper circuit carrier 32 in a direct way to a point 172 (Fig. 10) on the top of the lower circuit carrier 30 at a small distance above the core opening 0.0. A through-

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taktierung verbindet den Punkt 172 mit einem Leitersegment 174 (Fig. 11) an der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30, welche den Leiter SI seitwärts nach rechts zu einem Punkt 176 in einem geringen Abstand oberhalb der Kernöffnung 0,3 führt. Eine Durchkontaktierung verbindet diesen Punkt 176 wiederum mit einem Punkt 178 (Fig. 10) auf der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30, von welchen· der Leiter SI senkrecht nach unten längs der Spalte 2 durch die Anordnung 14 zum Kreuzungspunkt zwischen den Reihen 7 oder 8 verläuft. Der Leiter SI und SI verlaufen somit durch die Anordnung 14 als paralleles einander zugeordnetes Paar mit jeweils einem Kreuzungspunkt, welcher sich zwischen den Zeilen 7 und 8 befindet, wie aus den Fig. 1 und 7 bis 11 zu ersehen.clocking connects point 172 with a conductor segment 174 (Fig. 11) on the underside of the lower circuit carrier 30, which the conductor SI sideways to the right leads to a point 176 at a short distance above the core opening 0.3. A via connects this point 176 in turn with a point 178 (FIG. 10) the top of the lower circuit carrier 30, of which the conductor SI vertically downwards along the column 2 through the arrangement 14 to the point of intersection between the Rows 7 or 8 runs. The conductors SI and SI thus run through the arrangement 14 as parallel to one another Pair each with a crossing point, which is located between lines 7 and 8, as shown in the 1 and 7 to 11 can be seen.

Der Lauf der X-Treiberleitungen ist am kompliziertesten, da hierzu alle vier Leiteroberflächen 42,44,46 und 48 benötigt v/erden, um diese Leiter durch die Anordnung 14 zuführen. Die Wege der X-Treiberleitungen X2 und X3 werden im folgenden speziell beschrieben anhand der Zeichnungen. Wie aus Fig. 11 zu ersehen, ist das Einspeisende des Leiters X2 mit einem Punkt 180 an der linken Seite der Anordnung 14 auf der Unterseite des unteren Schaltkreis trägers 30 verbunden. Vom Punkt 180 führt ein Leitersegment 182 die Treiberleitung X2 seitlich nach rechts zu einem Punkt 184, welcher in der Mitte in einem geringen Abstand oberhalb der Kernaufnahmeöffnung 2,0 endet. Eine Durchkontaktierung verbindet den Punkt 184 mit einem Punkt 186 (Fig. 10) an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30. Vom Punkt 186 erstreckt sich ein Leitersegment 188 senkrecht nach unten zu dem oberen Rand der Kernaufnahmeöffnung 2,0 und ist verbunden mit einem Leitersegment 190 (Fig. 9) auf der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32. Das Leitersegment 190 führt die X2-Treiberleitung durch die Mittelöffnung eines dort befindlichen Kernes zu einem Punkt 192, welcher sich in einem geringen Abstand unterhalbThe run of the X driver lines is the most complicated, since this requires all four conductor surfaces 42, 44, 46 and 48 to be grounded in order to pass these conductors through the arrangement 14 respectively. The paths of the X driver lines X2 and X3 are specifically described below with reference to the drawings. As can be seen from Fig. 11, the feeding end of the conductor X2 is with a point 180 on the left side of assembly 14 on the underside of the lower circuit carrier 30 connected. From point 180, a conductor segment 182 leads the driver line X2 laterally to the right to one Point 184, which ends in the middle at a short distance above the core receiving opening 2.0. A via connects point 184 to point 186 (FIG. 10) on the top of lower circuit substrate 30. A conductor segment 188 extends perpendicularly from point 186 down to the upper edge of the core receiving opening 2.0 and is connected to a conductor segment 190 (Fig. 9) on the underside of the upper circuit carrier 32. The conductor segment 190 leads through the X2 driver line the central opening of a core located there to a point 192, which is a small distance below

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der Kernlage 2,0 befindet. Eine Durchkontaktierung verbindet diesen Punkt 192 mit einem Punkt 194 (Fig. 8) auf der Oberseite des oberen Schaltkreisträgers 32. Vom Punkt 194 führt ein Leitersegment 196 den X2-Treiberleiter seitliche nach rechts zu einem Punkt 198, welcher sich in der Mitte in einem geringen Abstand oberhalb der Kernposition 3,3befindet.the core layer is 2.0. A via connects this point 192 to a point 194 (FIG. 8) the top of the upper circuit carrier 32. From point 194, a conductor segment 196 leads the X2 driver conductor laterally to the right to a point 198, which is in the middle at a slight distance above the core position 3.3 located.

Vom Punkt 198 verläuft eine Durchkontaktierung durch den oberen Schaltkreisträger 32 zu einem Punkt 200 (Fig. 9) auf der Unterseite dieses Trägers, wo ein Leitersegment 202 den X2-Treiberleiter durch die Kernposition 3,2 zu einem Punkt 204 führt, welche im geringen Abstand unterhalb der Kernposition 3,2 angeordnet ist. Der Punkt 204 ist verbunden mit einem Leitersegment 206 (Fig. 10) auf der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30. Das Leitersegment 206 führt zu einem Punkt 208, welche in einem geringen Abstand unterhalb der Kernposition 302 endet, an welchem über"eine Durchkontaktierung der Punkt 208 mit einem Punkt 210 (Fig. 11) an der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30 verbunden wird. Vom Punkt 210 unmittelbar unterhalb des Punktes 208 führt ein Leitersegement 212 den Treiberleiter seitlich nach rechts zu einem Punkt 214, welcher sich in einem geringen Abstand unterhalb der Kernposition 3,2 befindet. Eine Durchkontaktierung verbindet den Punkt 214 mit einem Punkt 216 (Fig. 10) auf einem Leitersegment 218 an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30. Das Leitersegment 218 ist verbunden mit dem Leitersegment 220 (Fig. 9) auf der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32. Das Leitersegment 220 führt die Treiberleitung X2 aufwärts durch die Ringkernöffnung der Lage 3,2 zu einem Punkt 222, welche in einem kurzen Abstand oberhalb dieser Kernlage endet. Eine Durchkontaktierung verbindet diesen Punkt 222 mit einem Punkt 224 (Fig. 8) auf der Oberseite des oberen SchaltkreisträgersA via runs from point 198 through the upper circuit carrier 32 to a point 200 (Fig. 9) on the underside of that carrier where a conductor segment 202 leads the X2 driver conductor through core position 3.2 to a point 204, which is a small distance below the core position 3.2 is arranged. Point 204 is connected to a conductor segment 206 (Fig. 10) on the Top of the lower circuit carrier 30. The conductor segment 206 leads to a point 208, which in a small The distance below the core position 302 ends at which point 208 is connected to a via via a Point 210 (Fig. 11) on the underside of the lower circuit carrier 30 is connected. A conductor segment 212 leads from point 210 directly below point 208 the driver ladder sideways to the right to a point 214, which is a short distance below the core position 3.2. A via connects the point 214 with a point 216 (Fig. 10) on one Conductor segment 218 on the top of the lower circuit carrier 30. The conductor segment 218 is connected to the conductor segment 220 (Fig. 9) on the underside of the upper one Circuit carrier 32. The conductor segment 220 leads the driver line X2 upwards through the toroidal core opening of the Position 3.2 to a point 222 which ends a short distance above this core position. A via connects this point 222 to a point 224 (Fig. 8) on the top of the upper circuit carrier

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32. Der Punkt 224 bildet das linke Ende von einem Leitersegment 226, welches der Treiberleiter X2 seitlich nach rechts zu einem Punkt 228 führt, welcher im geringen Abstand unterhalb der Kernposition 2,3 endet. Eine Durchkontaktierung verbindet diesen Punkt 228 mit einem Punkt 230 eines Leitersegmentes 232 (Fig. 9) an der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32. Das Leitersegment 232 führt die X2-Treiberleitung dann abwärts durch die Mittelöffnung der Kernposition 2,3 zu einem Punkt 234, welcher sich im geringen Abstand oberhalb der Kernlage 2,3 befindet, Nahe dem Punkt ist das Leitersegment 232 verbunden mit einem Leitersegment 236 (Fig. 10) an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30. Eine Durchkontaktierung verbindet den Punkt 238 an einem oberen Ende des Leitersegmentes 236 mit einem Punkt 240 an dem linken Ende eines Leitersegmentes 242 (Fig. 11) an der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30. Das Leitersegment 242 verläuft seitlich nach rechts zu einem Punkt 224, welcher in einem geringen Abstand oberhalb der Kernposition 2,4 endet.32. The point 224 forms the left end of a conductor segment 226, which the driver conductor X2 laterally follows on the right leads to a point 228 which ends a short distance below the core position 2,3. A via connects this point 228 to a point 230 of a conductor segment 232 (FIG. 9) on the underside of upper circuit substrate 32. Conductor segment 232 then routes the X2 driver line down through the central opening the core position 2,3 to a point 234, which is a small distance above the core layer 2,3, Near the point, the conductor segment 232 is connected to a conductor segment 236 (Fig. 10) on the top of the lower circuit substrate 30. A via connects point 238 at an upper end of conductor segment 236 to point 240 at the left end of one Conductor segment 242 (FIG. 11) on the underside of the lower circuit carrier 30. The conductor segment 242 runs laterally to the right to a point 224, which ends a short distance above the core position 2, 4.

Der Punkt 244 entspricht dem Punkt 184 und vom Punkt wird der X-Treiberleiter zwischen den Punkten 184 und fortlaufend wiederholt geführt, bis der Leiter X2 rechts an der Anordnung austritt im Punkt 246, an welche das Austrittsende der Treiberleiter X2 kann mit einem externen Schaltkreis verbunden werden.Point 244 corresponds to point 184 and from point becomes the X driver conductor between points 184 and continuously repeated until the conductor X2 exits to the right of the arrangement at point 246 to which the The exit end of the driver wire X2 can be connected to an external circuit.

Obwohl der Leiter X3 tatsächlich durch die Anordnung 14 von rechts nach links verläuft, so wird dessen Verlauf doch von links nach rechts beschrieben, um leichter einen Vergleich mit dem entsprechenden Weg des Treiberleiters X2 zu ermöglichen, welcher spiegelsymmetrisch mit einer 180°-Drehung um eine parallel zu den Zeilen verlaufende Achse hat. Hinsichtlich des Leiters X3 bedeutet dies eine Spiegelung um eine Mittelebene zwischen Paaren von benachbarten Zeilen. Fig. 11 zeigt, daß das Austrittsende desAlthough the conductor X3 actually passes through the arrangement 14 runs from right to left, its course is described from left to right in order to make it easier to understand To enable comparison with the corresponding path of the driver conductor X2, which is mirror-symmetrical with a 180 ° rotation about an axis running parallel to the lines. With regard to conductor X3, this means one Reflection about a median plane between pairs of adjacent rows. Fig. 11 shows that the exit end of the

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Treiberleiters X3 mit einem externen Schaltkreis im Punkt 250 an der linken Seite der Anordnung 14 gegenüber der Zeile 3 verbunden werden kann. Vom Punkt 250 führt ein Leitersegment 252 die Treiberleiter X3 nach rechts zu einem Punkt 254, welcher in einem geringen Abstand unterhalb der Kernöffnung 3,0 endet. Eine Durchkontaktierung verbindet den Punkt 254 mit einem Punkt 256 auf einem Leitersegment 258, welches sich nach oben erstreckt zu dem unteren Rand der Kernöffnung 3,0 an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30, wie aus Fig. 10 zu ersehen. Das Leitersegment 258 ist mit einem Punkt 260 (Fig. 9) auf einem Leitersegment 262 leitend verbunden, welches sich nach oben durch die Ringöffnung des Kernes der Lage 3,0 zu einem Punkt 264 erstreckt, welcher sich bis in einen geringen Abstand oberhalb der Kernposition 3,0 erstreckt. Eine Durchkontaktxerung verbindet den Punkt 264 mit einem Punkt 266 (Fig. 8) am linken Ende des Leitersegmentes 268 an der Oberseite des oberen Spaltkreisträgers 32. Das Leitersegment 268 führt die Treiberleitung X3 seitlich nach rechts zu einem Punkt 270, welcher über eine Durchkontaktierung mit einem Punkt 272 (Fig. 9) an der Unter seite des oberen Schaltkreisträgers 32 verbunden ist. Vom Punkt 272 verläuft ein Leitersegment 274 senkrecht nach oben bis die zentrale öffnung des Kernes der Lage 2,1 zu einem Punkt 276, welches sich in geringem Abstand oberhalb der Kernlage 2/1 befindet. Am Punkt 276 ist das Leitersegment 274 mit dem Leitersegment 278 (Fig. 10) auf der Oberseite des unteren Schaltkreiselements 30 verbunden. Im Punkt 280 ist der Leiter 278 über eine Durchkontaktierung mit einem Punkt 282 (Fig. 11) eines Leiterabschnittes an der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30 verbunden. Das Leitersegment 284 verläuft seitlich nach rechts zu einem Punkt 280 wo mittels einer Durchkontaktierung eine elektrische Verbindung zum Punkt 290 (Fig.10) eines Leiter-Driver conductor X3 with an external circuit at point 250 on the left side of the assembly 14 opposite the Line 3 can be connected. From point 250, a conductor segment 252 leads the driver conductors X3 to the right a point 254 which ends a short distance below the core opening 3.0. A via connects point 254 to point 256 on conductor segment 258 which extends upwardly to the lower edge of the core opening 3.0 on the upper side of the lower circuit carrier 30, as can be seen from FIG. The conductor segment 258 is conductively connected to a point 260 (Fig. 9) on a conductor segment 262, which extends up through the annular opening of the core of layer 3.0 to point 264 which extends extends to a small distance above the core position 3.0. A plated through hole connects the point 264 with a point 266 (FIG. 8) at the left end of the conductor segment 268 at the top of the upper gap circle carrier 32. The conductor segment 268 leads the driver line X3 laterally to the right to a point 270, which via a Plating with a point 272 (Fig. 9) on the underside of the upper circuit carrier 32 is connected. From the At point 272, a conductor segment 274 runs vertically upwards to the central opening of the core of layer 2, 1 to a point 276, which is a short distance above the core layer 2/1. At point 276 that is Conductor segment 274 connected to conductor segment 278 (FIG. 10) on top of lower circuit element 30. At point 280, the conductor 278 is via a via with a point 282 (FIG. 11) of a conductor section connected to the underside of the lower circuit carrier 30. The conductor segment 284 runs laterally to the right to a point 280 where an electrical connection to point 290 (Fig. 10) of a conductor

609848/0906 _₂₇.609848/0906 _ ₂₇ .

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Segmentes 292 an der Oberseite des unteren Schaltkreisträgers 30 gegeben ist. Der Leiter 292 ist leitend mit dem Leitersegment 294 (Fig. 9) an der Unterseite des oberen Schaltkreisträger 32 verbunden. Das Leitersegment 294 verläuft senkrecht nach unten durch die Kernlage 2,2 zu einem Punkt 296, wo mittels einer Durchkontaktierung eine elektrische Verbindung zum Punkt 298 (Fig. 8) an der Oberseite des oberen Schaltkreisträgers 32 gegeben ist. Vom Punkt 298 bildet ein Leitersegment 300 eine elektrische Verbindung zu einem Punkt 302, welche in einem geringen Abstand oberhalb der Kernlage 2,3 endet.Segment 292 on the top of the lower circuit carrier 30 is given. The conductor 292 is conductive to the Conductor segment 294 (FIG. 9) connected to the underside of the upper circuit carrier 32. The conductor segment 294 runs vertically downwards through the core layer 2, 2 to a point 296, where by means of a via an electrical connection to point 298 (Fig. 8) on the top of the upper circuit carrier 32 is given. From point 298, a conductor segment 300 forms an electrical connection to a point 302, which in a small Distance above the core layer 2.3 ends.

Eine Durchkontaktierung verbindet den Punkt 302 mit dem Punkt 304 (Fig. 9) an dem oberen Ende eines Leitersegmentes 306 an der Unterseite des oberen Schaltkreisträgers 32, welche senkrecht abwärts verläuft durch die Mittelbohrung der Kerne in der Kernlage 3,3 zu einem Punkt 308. Der Punkt 308 ist leitend verbunden mit dem Leitersegment 310 (Fig. 10) an der Oberseite des oberen Schaltkreisträgers 32, wie aus Fig. 10 zu sehen. Eine Durchkontaktierung verbindet das untere Ende 312 des Leitersegementes 310 mit einem Punkt 312 eines Leitersegmentes 316 (Fig. 11) an der Unterseite des unteren Schaltkreisträgers 30. Vom Punkt 314 verläuft das Leitersegment seitlich nach rechts zu einem Punkt 318, welcher in einem geringen Abstand unterhalb der Kernaufnahmeöffnung 3,4 endet.A via connects point 302 to point 304 (FIG. 9) at the top of a conductor segment 306 on the underside of the upper circuit carrier 32, which runs vertically downwards through the central bore the cores in the core layer 3, 3 to a point 308. The point 308 is conductively connected to the conductor segment 310 (Fig. 10) on the top of the upper circuit carrier 32, as can be seen from FIG. A via connects the lower end 312 of the conductor segment 310 with a point 312 of a conductor segment 316 (FIG. 11) on the underside of the lower circuit carrier 30. From point 314 the conductor segment runs laterally to the right to a point 318, which in a ends a small distance below the core receiving opening 3.4.

Der Punkt 318 entspricht den Punkt 254 und vom Punkt wird das Leitermuster zwischen den Punkten 254 und 318 sukzessive weitergeführt bis die Treiberleitung X3 an der rechten Seite die Anordnung 14 verläßt zur Verbindung mit einem externen Treiberkreis am Punkt 320.Point 318 corresponds to point 254 and from point becomes the conductor pattern between points 254 and 318 continued successively until the driver line X3 on the right-hand side leaves the arrangement 14 for connection with an external driver circuit at point 320.

6 0' 9 848/09066 0 '9 848/0906

-28--28-

. ₂₈_ 2B2H93. ₂₈ _ 2B2H93

Obwohl nicht alle Stromkreise durch die Anordnung 14 im einzelnen beschrieben und durchgezeichnet wurden, so ist doch zu erkennen, daß weitere X-, Y- und Lese- sowie Ziffern-(Inhibit-)leitermuster einfach wiederholt werden, wie für diejenigen, welche im Detail beschrieben wurden und daß alle Leitermuster abgeleitet werden können durch Extrapolation von den vollständigen Leiterzyklen, welche beschrieben wurde. Es ist weiter zu ersehen, daß Durchkontaktierungen vorgesehen werden müssen durch den oberen und unteren Schaltkreisträger 30,32 an all den entsprechenden Punkten, die vorstehend beschrieben wurden. Mit Rücksicht auf die geringe Größe und das Überlappen der Durchkontaktierungen mit Leitersegmenten können diese nicht im einzelnen in den Zeichnungen gezeigt werden, jedoch sind sie jeweils angeordnet an den Endpunkten der Leitersegmente, zu welchen sie die Verbindung herstellen sollen.Although not all of the circuits through assembly 14 have been described and traced in detail, it will be recognized that additional X, Y, and read and digit (inhibit) conductor patterns are simply repeated, as for those detailed and that all conductor patterns can be derived by extrapolation from the complete conductor cycles which has been described. It will also be seen that vias must be provided through the upper and lower circuit carriers 30, 32 at all of the appropriate points described above. In view of the small size and the overlapping of the vias with conductor segments, these cannot be shown in detail in the drawings, but they are each arranged at the end points of the conductor segments to which they are to establish the connection.

Eine gedruckte Leiterplatte für Kernspeicher gemäß der Erfindung kann auf verschiedene Weise gefertigt werden. Bei einer in den Fig. 12 bis 17 gezeigten möglichen Ausführungsforni wird das Leitermuster auf drei Kaptonträgern 352,354 und 356 untergebracht,, welche ihrerseits auf einer geschichteten Lochplatte 358 montiert sind, die im wesentlichen ähnlich zur Lochplatte 34 (Fig. 2) ist mit der Ausnahme, daß der Abstand der öffnungen für die Kerne in der vertikalen oder Spaltenrichtung etwas größer ist. Ein Leitermuster 360 xfird auf der Unterseite des Kapton-Trägers 352 vorgesehen und von der Oberseite der Lochplatte 358 durch eine adhäsive Trägerschicht 362 getrennt, welche das Lochmuster 360 von der leitenden Lochplatte 358 isoliert. Ein Leitermuster 364 ist auf der Oberseite des Trägers 352 gebildet, um den Aufbau der unteren gelochten Schaltkreisträgerplatte 3S6 zu vervollständigen. Das Leitermuster 364 ist über Lötverbindungen 370 stellenweise mit. einem"A printed circuit board for core memory according to the invention can be manufactured in various ways. at one possible embodiment shown in FIGS the conductor pattern is placed on three Kapton carriers 352, 354 and 356, which in turn are layered on one Perforated plate 358 are mounted, which is essentially similar to the perforated plate 34 (Fig. 2) with the Exception that the distance between the openings for the cores in the vertical or column direction is somewhat larger. A Conductor pattern 360 xfird on the underside of the Kapton support 352 is provided and separated from the top of the perforated plate 358 by an adhesive carrier layer 362, which isolates hole pattern 360 from perforated conductive plate 358. A conductor pattern 364 is on top of the carrier 352 formed to build the lower perforated circuit carrier plate 3S6 to be completed. The conductor pattern 364 is connected in places via soldered connections 370. a "

609843/0906609843/0906

-29--29-

2B2H932B2H93

Leitermuster 372 verbunden, welches auf der Unterseite des Kapton-Trägers 354 angeordnet ist. Ein Leitermuster 374 ist auf der Oberseite der Trägerplatte 354 vorgesehen, um den Aufbau des zentralen, zungentragenden Schaltkreisträgerelementes 37 6 zu vervollständigen. Dieses zentrale, zungentragende Schaltkreisträgerelement 376 hat ein Muster aus U-förmigen öffnungen. Der untere Verbindungssteg der U-s bildet, eine Aufnahmeöffnung zur Aufnahme der Kernspeicherelemente und die zwei Schenkeln des U sind geeignet, den Ring eines Kernes aufzunehmen, wenn das zentrale, zungentragende Schaltkreiselement parallel verschoben wird, und die vorstehende Zunge, die sich zwischen den Schenkeln erstreckt, durch die Mittelöffnung des Kernes geführt wird.Conductor pattern 372 connected, which is arranged on the underside of the Kapton carrier 354. A ladder pattern 374 is provided on top of the support plate 354 to support the structure of the central, tongue-bearing Circuit carrier element 37 6 to complete. This central, tongue-carrying circuit carrier element 376 has a pattern of U-shaped openings. The lower connecting web of the U-s forms a receiving opening for Receiving the core storage elements and the two legs of the U are suitable for receiving the ring of a core, when the central tongue-bearing circuit element is displaced in parallel, and the protruding tongue, the extends between the legs, is passed through the central opening of the core.

Nach der Montage des unteren mit Aufnahmeöffnungen versehenen Schaltkreiselementes 360 auf der Lochplatte 358 wird das zentrale Schaltkreiselement 376 unmittelbar auf das untere mit Aufnahmeöffnungen versehene Schaltkreisträgerelement 366 gelegt mit dem unteren Querschenkel zur Aufnahme von Kernen in einer fluchtenden Verbindung mit den die Kerne aufnehmenden Ausnehmungen in dem unteren Schaltkreiselement 366. Zusammen mit dem unteren und dem zentralen Schaltkreiselement 366 und 376, die gegenseitig gesichert sind, wird die Einheit gerüttelt, während die Kerne auf die Oberseite des zentralen Schaltkreiselementes 376 gelegt werden und ein Unterdruck wird ausgeübt auf dieAfter the assembly of the lower one, it is provided with mounting holes Circuit element 360 on the perforated plate 358 is the central circuit element 376 directly the lower circuit support element provided with receiving openings 366 placed with the lower transverse leg to accommodate cores in an aligned connection with the core receiving recesses in the lower circuit element 366. Together with the lower and the central circuit elements 366 and 376, which are mutually secured, the unit is shaken while the Cores are placed on top of the central circuit element 376 and a negative pressure is applied to the

Kerne Unterseite der Lochplatte 358. Dadurch werden alle'in einem einzigen Arbeitsgang eingesetzt und dann wird das zentrale Schaltkreisträgerelement 376 relativ zu den Kernen und dem unteren Schaltkreisträgerelement 366 verschoben, um die vorstehenden Zungen durch die Mittelbohrung der Kerne zu schieben. Daraufhin wird Wärme zum Verlöten der Verbindungen 370 angewandt, um eine gute Verbindung zwischen denCores underside of the perforated plate 358. This means that they are all in one used in a single operation and then the central circuit support element 376 is relative to the cores and the lower circuit support member 366 displaced to close the protruding tabs through the central bore of the cores push. Heat is then applied to solder connections 370 to make a good connection between the

609848/0906609848/0906

vorgesehenen Verbindungspunkten der Leitermuster 364 und 372 zu erhalten. Es ist aber auch möglich die Verbindungspunkte durch die Woppelverbindung anstelle einer Lötverbindung herzustellen.provided connection points of the conductor patterns 364 and 372. But it is also possible to use the connection points through the coupling connection instead of a solder connection to manufacture.

Zur Vervollständigung der Leiter zwischen den Schaltkreismustern 364 und 372, wird ein mit Öffnung versehenes oberes Schaltkreisträgerelement 380 auf einem Kaptonträger 356 und mit gedruckten Leitern 382, welche auf der Unterseite desselben gebildet werden, in unmittelbarer Berührungsverbindung zu der Oberseite des zentralen Schaltkreiselementes 376 mit Öffnungen zur Aufnahme der oberen Teile der Kerne vorgesehen. Lötpolster, die definiert an der Oberseite des Leitermusters 374 vorgesehen sind, können dann erhitzt werden, um eine Schmelz-Lötverbindung des Leitermusters 374 mit dem Leitermuster 378 an vorbestimmten Stellen zu erhalten. Auch eine Thermokompressionsbindung oder andere Verbindungstechniken können angewendet werden. Die 5 Leitermuster 360,364,372,374 und 382 ergeben gemeinsam die gewünschten Leiterverbindungen für die Verdrahtung einer Anordnung in einer Dreileiter, 3D-Doppelfischgrätenmuster-Konfiguration. To complete the conductors between circuit patterns 364 and 372, an apertured Upper circuit carrier element 380 on a Kapton carrier 356 and with printed conductors 382 formed on the underside thereof in direct contact with the top of the central circuit element 376 provided with openings to receive the upper parts of the cores. Solder pads that are defined on the top of the conductor pattern 374 may then be heated to melt-solder the conductor pattern 374 with the conductor pattern 378 at predetermined locations. Also a thermocompression binding or other connection techniques can be used. The 5 conductor patterns 360,364,372,374 and 382 together result in the desired conductor connections for wiring an assembly in a three-wire, 3D double herringbone configuration.

Die Fig. 13 bis 17 zeigen einen Ausschnitt von einigen ausgewählten Kernen in der Mitte der Anordnung 350 zwischen den Reihen 7 und 8, um die Art darzustellen, in welcher die X,Y und Lese/Ziffernleiter von den Leitermustern gebildet werden, welche aufgedruckt sind auf die drei Kaptonträger 352,354 und 356.13 to 17 show a section of some selected ones Cores in the center of array 350 between rows 7 and 8 to illustrate the manner in which the X, Y and read / digit conductors formed from the conductor patterns which are printed on the three Kapton carriers 352, 354 and 356.

Die X-Treiberleitungen laufen durch die Anordnung 350 in einer im wesentlichen geraden Richtung wechselnd zwischen den Leitermuster 382 auf der Unterseite des oberen Trägerelementes 380 (Fig. 13) und dem Leitermuster 374 auf derThe X driver lines run through array 350 in FIG a substantially straight direction alternating between the conductor patterns 382 on the underside of the upper support element 380 (Fig. 13) and the conductor pattern 374 on the

609848/090S _₃₁_609848 / 090S _ ₃₁ _

_ 31 - 262H93_ 31 - 262H93

Oberseite der zentralen, zungentragenden Schaltkreiselementes 376.Top of the central, tongue-bearing circuit element 376.

Die X-Leiter verlassen die Anordnung zur Verbindung mit
externen Schaltkreisen an der Oberseite des oberen
öffnungen aufweisenden Schaltkreiselementes 380, wie aus Fig. 13 zu ersehen. Beginnend an dem rechten Eck der
Teildarstellung der Anordnung, läuft ein Leiter 400
seitlich nach links und geht dann abwärts längs der
Spalte 7 zu einem Punkt 402, welche an dem oberen Rand
der Kernaufnahmeöffnung der Lage 7,7 angeordnet ist. Der Punkt 402 ist mit einem Punkt 404 an dem oberen Ende des Leiters 406 auf der Oberseite des zentralen Schaltkreiselementes 376 verbunden, wie in Fig. 14 dargestellt. Der Leiter 406 führt die Treiberleitung X7 durch die Mittelbohrung des Kernes an dieser Stelle 7,9 zum Punkt 408,
welche.in der Mitte gegenüber angeordnet ist auf der Unterseite der Kernlage 7,9. Am Punkt 408 ist das Leitersegment 406 verbunden mit einem Punkt 410 eines Leitersegmentes
412 an der Unterseite der oberen mit öffnungen versehenen Schaltkreisplatte 380, Fig. 13. Das Leitersegment 412
führt die Treiberleitung X7 seitlich nach links und dann senkrecht nach oben zwischen die Kernanordnungen 7_r8 und 7,9 und dann zu einem Punkt 414, welcher mittig angeordnet ist, längs dem oberen Rand der Kernlage 7,8. Der Punkt entspricht dem Punkt 402 und dieses Muster eines einfachen Leitungsweges, zwischen der Unterseite der oberen Lochplatte 380 und der Oberseite des zentralen, eine Zunge tragenden Schaltkreiselementes 376. Wechselweise wird längs jeder Zeile von Kernen für jede X-Treiberleitung die Anordnung 350 wiederholt. Es sei darauf hingewiesen, daß
entsprechend zu dem doppelten Fischgrätenspeichermuster
die Richtung, in welcher die X-Leiter durch die Kerne geführt sind, jeweils für Paare von Spalten in der Richtung wechselt.The X-conductors leave the arrangement for connection with
external circuitry at the top of the top
Circuit element 380 having openings, as can be seen from FIG. 13. Starting at the right corner of the
Partial representation of the arrangement, a ladder 400 is running
sideways to the left and then goes downwards along the
Column 7 to a point 402 which is on the top edge
the core receiving opening of the layer 7.7 is arranged. Point 402 is connected to point 404 at the top of conductor 406 on top of central circuit element 376, as shown in FIG. The conductor 406 leads the driver line X7 through the central hole of the core at this point 7.9 to point 408,
which is arranged opposite in the middle on the underside of the core layer 7.9. At point 408, conductor segment 406 is connected to a point 410 of a conductor segment
412 on the underside of the upper circuit board 380 provided with openings, FIG. 13. The conductor segment 412
the drive line X7 leads laterally to the left and then vertically upward between the core assemblies 7 _R 8 and 7.9 and which is arranged centrally to a point 414 along the upper edge of the core layer 7.8. The point corresponds to point 402 and this pattern of a simple conduction path, between the bottom of the upper perforated plate 380 and the top of the central, tongue-bearing circuit element 376. The arrangement 350 is repeated alternately along each row of cores for each X-driver line. It should be noted that
corresponding to the double herringbone storage pattern
the direction in which the X-conductors are led through the cores changes in direction for each pair of columns.

809848/0906809848/0906

-32--32-

262H93262H93

Mit Ausnahme der Überkreuzungen der Lese/Ziffernleitungen zwischen den Reihen 7 und 8_f die Y-Treiberleitungen und die Lese/Ziffernleitungen laufen durch die Anordnung 350 in direkter Richtung zusammen in einem parallelen gegenseitigen Abstand. Die Y- und Lese/Ziffernleitungen verlaufen dabei senkrecht durch die Anordnung 350 und sind mit einem externen Stromkreis oben und unten von der Anordnung auf der Oberseite des unteren, Aufnahmeöffmangen enthaltenden Schaltkreiseiementes 366 angeordnet, Fig. 16. Diese Leiter verlaufen zwischen benachbarten Kernlagen über Leitersegmente, welche auf der Oberseite der unteren Lochplatte 366 angeordnet sind. Für die Führung durch die Mittelbohrung der Kerne sind die Leiter auf der Oberseite der Platte 366 mit Stromkreisen auf der Unterseite des zentralen, zungenaufweisenden Schaltkreiselementes 376 verbunden, über die sie durch die Kerne längs der Unterseite von diesen Zungen verlaufen, welche die Y-Treiberleitungen links und die Lese/Ziffefleitungen in der rechten Hälfte der Zungen tragen. Nach Führung durch die Kerne werden die von den Zungen getragenen Leitungen an der Unterseite des zentralen, zungentragenden Schaltkreiselementes 376 wieder mit den Leitern an der Oberseite des unteren Schaltkreiselementes 366 für die Weiterführung zwischen den einzelnen Kernlagen verbunden, Überkreuzungen sind dabei zwischen den Reihen 7 und 8 vorgesehen und ein Überwechseln von der Oberseit zur Unterseite der Anordnung 35C für die Lese/Ziffernleitungen mittels Durchkontaktierunge durch den Träger 352.With the exception of the crossovers of the read / digit lines between rows 7 and 8 _f, the Y-driver lines and the read / digit lines run through the arrangement 350 in a direct direction together at a parallel, mutual spacing. The Y and read / digit lines run vertically through the arrangement 350 and are arranged with an external circuit at the top and bottom of the arrangement on the upper side of the lower, receiving opening containing circuit element 366, FIG. 16. These conductors run between adjacent core layers via conductor segments , which are arranged on the top of the lower perforated plate 366. For routing through the central bore of the cores, the conductors on the top of the plate 366 are connected to circuits on the underside of the central, tongue-bearing circuit element 376, through which they pass through the cores along the underside of these tongues, which are the Y-driver lines on the left and carry the read / digit lines in the right half of the tongues. After being guided through the cores, the lines carried by the tongues on the underside of the central, tongue-bearing circuit element 376 are again connected to the conductors on the upper side of the lower circuit element 366 for the continuation between the individual core layers; there are crossovers between rows 7 and 8 and a changeover from the upper side to the lower side of the arrangement 35C for the read / digit lines by means of vias through the carrier 352.

Im einzelnen führt ein Lsitersegment 420 den Leiter SI senkrecht nach oben zu einem Punkt 422 gegenüber dem unteren Rand einer Öffnung 424 für die Kernposition 8₇8 an der Oberseite des unteren, Aufnahmeöffnungen tragenden Schaltkreisslementes 366. Fig= 16= Der Punkt 422 ist mit einem Leitersegment 426 im Punkt 428 an der Unterseite des zentralen;, sungentragendsn Schaltkreiselemsntes 376 verbunden„In detail, a lsiter segment 420 leads the conductor SI vertically upwards to a point 422 opposite the lower edge of an opening 424 for the core position 8 ₇ 8 on the upper side of the lower circuit element 366 carrying the receiving openings Conductor segment 426 at point 428 on the underside of the central, sungentragendsn Schaltkreiselemsntes 376 connected "

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26 2 H 3326 2 H 33

Fig. 15. Das Leitersegment 426 führt den Leiter SI senkrecht nach oben durch die Mittelöffnung in den Kern in der Lage 8,8 zum Punkt 430 in einem geringen Abstand oberhalb der Kernlage 8,8. Am Punkt 430 ist der Leiter 426 mit dem Leiter 432 am Punkt 434 an der Oberseite des unteren, Aufnahmeöffnungen aufweisenden Schaltkreiselementes 36 6 verbunden, Fig. 16. Der Leiter 432 endet im Punkt 436 genau unterhalb der unteren rechten Ecke der Kernaufnahmeöffnung 438 der Kernlage 7,8. Eine Durchkontaktierung 440 verbindet den Punkt 436 mit einem Leitersegment 442 an der Unterseite des unteren Lochplattenschaltkreiselementes 366, Fig. 17. Das Leitersegment 442 erstreckt sich seitlich nach rechts zu einem Punkt 444, wo es über eine Durchkontaktierunc 446 mit einem Leitersegment 448 an der Oberseite des unteren Schaltkreiselementes 366 verbunden ist, Fig. 16. Das Leitersegment 448 ist mit einem unteren Ende 450 von einem Leitersegment 452 an der Unterseite des zentralen, zungentragenden Schaltkreiselementes 376 verbunden, wie dargestellt in Fig. 15. Das Leitersegment 452 erstreckt sich durch die Mittelöffnung des Kernes in der Lage 7,9 zu einem Punkt 454 in einem gewissen Abstand oberhalb der Kernposition 7,9. Von diesem Punkt verläuft der Leiter SI zusammen mit den Y-Treiberleiter Yp in einem parallelen Abstand, wechselnd zwischen der Oberseite des unteren Lochplattenschaltelementes 366 und der Unterseite des zentralen, zungentrage* ^n Schaltkreiselementes 376.15. The conductor segment 426 leads the conductor SI vertically upwards through the central opening in the core the layer 8.8 to the point 430 at a small distance above the core layer 8.8. At point 430 is conductor 426 with conductor 432 at point 434 on the top of the lower, apertured circuit element 36 6 connected, Fig. 16. The conductor 432 ends at point 436 exactly below the lower right corner of the core receiving opening 438 of the core location 7.8. A via 440 connects point 436 to a conductor segment 442 on the Underside of the lower perforated board circuit element 366, FIG. 17. The conductor segment 442 extends laterally to the side right to a point 444 where there is a via 446 with a conductor segment 448 at the top of the lower Circuit element 366 is connected, Fig. 16. The conductor segment 448 has a lower end 450 of a Conductor segment 452 connected to the underside of the central, tongue-bearing circuit element 376 as shown in FIG. 15. The conductor segment 452 extends through the central opening of the core at layer 7,9 to a point 454 at a certain distance above the core position 7.9. From this point the conductor SI runs together with the Y driver conductor Yp at a parallel distance, alternating between the top of the lower perforated plate switching element 366 and the bottom of the central, tongue support * ^ n Circuit element 376.

Während die Schaltkreiselemente durch ein geeignetes Verfahren zur gleichzeitigen Aufbringung vieler Leiterabschnittmuster und vieler Öffnungsmuster gefertigt werden können, wurde doch ein spezielles Verfahren entwickelt, welches ausgezeichnete Ergebnisse garantiert. Dieses Verfahren wird im folgenden beschrieben, obwohl darauf hingewiesen wird,daß viele zusätzliche Verfahren geeignet sein können zur Realisierung der beanspruchten Erfindung.While the circuit elements by a suitable method for the simultaneous application of many conductor section patterns and many opening patterns can be produced, a special process has been developed which excellent results guaranteed. This method is described below, although it should be noted that many additional methods may be suitable for practicing the claimed invention.

609848/0906609848/0906

-34--34-

Die Lochplatte 34 hergestellt durch Lichtdruckätzung des Kernaufnahmemusters, wobei eine kreisförmige Passöffnung an jeder Seite der Löcheranordnung in etwa in der Mitte zwischen der Ober- und der Unterseite in jedem der drei 1 mil (0,025 mm) dicken Kupferplatte aufgebracht wird. Nach der Fotoätzung wird, nachdem alle Entwicklungsrückstände beseitigt sind und eine 50 micri inch (0,00125 mm) starke Schicht von Gold oder vorzugsweise Nickel elektrolythisch auf alle Oberflächen der Kupferplatten aufgebracht ist, eine Oxidisolierung angebracht. Zwei Lagen aus wärmehärtbarem adhäsiven Material werden dann zwischen die drei Kupferplatten geschichtet zur Verbindung der Kupferplatten zu einer monolythischen Lochplatte. Die Lochplatte 34 kann schließlich in eine Haltevorrichte 470 eingesetzt werden, welche in den Fig. 18 und 19 gezeigt ist. Diese Haltevorrichtung 470 enthält eine flache ebene Basisplatte 472, welche sich nach oben erstreckende Führungsstifte 474 und 476 und Haltebolzen 478 und 480 trägt. Eine flache ebene Kopfplatte 482 kann senkrecht relativ zur Basisplatte 472 durch Gleiten der Führungshülsen 484 und 486 auf den Haltebolzen 478 und 48 bewegt werden. Die Kopfplatte 482 weist auch eine senkrecht erstreckende Bohrung 488 und 490 auf, zur Aufnahem der Führungsstifte 474 bzw. 476.The perforated plate 34 is made by light pressure etching the core receiving pattern, with a circular fitting opening on each side of the array of holes about midway between the top and bottom of each of the three 1 mil (0.025 mm) thick copper plate is applied. After photo etching, after all development residues are eliminated and a 50 micri inch (0.00125 mm) thick layer of gold or preferably nickel electrolytically is applied to all surfaces of the copper plates, an oxide insulation is attached. Two layers Thermosetting adhesive material are then sandwiched between the three copper plates to connect the copper plates to form a monolithic perforated plate. The perforated plate Finally, 34 can be inserted into a holding device 470, which is shown in FIGS. 18 and 19. These Retainer 470 includes a flat planar base plate 472 which has upwardly extending guide pins 474 and 476 and retaining bolts 478 and 480 carries. A flat planar top plate 482 can be perpendicular relative to the base plate 472 can be moved by sliding the guide sleeves 484 and 486 on the retaining bolts 478 and 48. The headstock 482 also has a vertically extending bore 488 and 490 for receiving guide pins 474 and 476, respectively.

Nachdem abwechselnd Lagen von Kupferplatten 36 und 0,75 mil (0,02 mm) dicke adhäsive Platten 38 in die Vorrichtung über die Haltestifte 474 und 476 zur Sicherung der gegenseitigen Lage eingesetzt sind, wird die Kopfplatte 482 senkrecht nach unten in Kontakt mit der obersten Kupferplatte 36c gebracht, um einen Verbindungsdruck aufzubringen. Es sei darauf hingewiesen, daß die adhäsiven Schichten 38 mit ausreichendem Abstand längs des Umfanges der Lochplatte 34 und der öffnung, welche die Führungsstifte 474 und 476 aufnehmen, vorgesehen sind, um einen gewissen Abstand an den Kanten der Lochplatte zu erreichen und zu sichern, daß der Klebstoff nich die Kanten erreicht für den 609848/0906Place alternating layers of copper plates 36 and 0.75 mil (0.02 mm) thick adhesive plates 38 in the device are inserted via the retaining pins 474 and 476 to secure the mutual position, the top plate 482 brought vertically downward in contact with the uppermost copper plate 36c to apply a connection pressure. It should be noted that the adhesive layers 38 are spaced sufficiently along the circumference the perforated plate 34 and the opening, which receive the guide pins 474 and 476, are provided to a certain extent To achieve distance at the edges of the perforated plate and to ensure that the adhesive does not reach the edges for the 609848/0906

Fall, daß er während des Verbindens fließt.Case that it flows while connecting.

Nachdem die Lochplatte 34 in die Haltevorrichtung 47 0 eingesetzb ist und mehrer Lochplatten können gleichzeitig eingesetzt werden, wird die Haltevorrichtung in eine temperaturgesteuerte hydraulische Presse eingesetzt. Die Lochplatte wird bei Raumtemperatur einem Druck von ange-After the perforated plate 34 is inserted into the holding device 47 0 and several perforated plates can be used simultaneously are used, the holding device is inserted into a temperature-controlled hydraulic press. the Perforated plate is subjected to a pressure of

2
nähert 1.000 psi (ca 70 kg/cm ) für 15 Minuten ausgesetzt und dann plötzlich auf rd. 200⁰C in weniger als 23 Minuten erhitzt. Dieses rasche Erhitzen erlaubt ein Aushärten des Klebstoffes und rasches Fließen und garantiert schon eine gute Verbindung, ehe es voll ausgehärtet ist. Temperatur und der Druck werden angenähert eine Stunde aufrechterhalten und dann wird die Lochplatte 34 aus der Haltevorrichtung 470 herausgenommen, sobald die hydraulische Presse abgekühlt ist.2
approaching 1,000 psi (approx. 70 kg / cm) for 15 minutes and then suddenly ^{heated to around 200 °} C. in less than 23 minutes. This rapid heating allows the adhesive to harden and flow quickly and guarantees a good connection before it is fully hardened. The temperature and pressure are maintained for approximately one hour and then the die plate 34 is removed from the fixture 470 once the hydraulic press has cooled.

Nach der Herausnahme aus der Haltevorrichtung 470 werden die Aufnahmeöffnungen in das Klebematerial unter Verwendung der vorgeätzten Aufnahmeöffnungen in den Kupferplatten als Maskr geätzt. Nach dem Ätzen werden die Klebschicht und die Kupferplatten überzogen mit einer 50 microinc (O₁ 00125 mm) dicken Schicht von einem leitenden Material wie beispielsweise Kupfer in einem stromlosen Verfahren. Diese Kupferschicht wird dann verwendet für ein elektrolythisches Verfahren zum Aufbringen einer 100 microinch (0,0025 mm) dicken Schicht eines harten Materials, welches die Lochplatte 34 zusätzlich schützt. Geeignetes Material hierfür enthält Nickel, Zinn, Nickelphosphor und Rhodium. Dies vervollständigt die Fertigung der Lochplatten.After removal from the holding device 470, the receiving openings are etched into the adhesive material using the pre-etched receiving openings in the copper plates as a mask. After etching, the adhesive layer and the copper plates are coated with a 50 microinc (O ₁ 00125 mm) thick layer of a conductive material such as copper in an electroless plating method. This copper layer is then used for an electrolytic process for applying a 100 microinch (0.0025 mm) thick layer of a hard material which additionally protects the perforated plate 34. Suitable material for this includes nickel, tin, nickel phosphorus and rhodium. This completes the production of the perforated plates.

Der nächste Abschnitt des zu beschreibenden Verfahrens bezieht sich auf das Anbringen der Schaltkreiselemente. Während die Muster und die Zahl der Schaltkreiselemente geändert werden, kann mit Rücksicht auf die Speicherorgani-The next section of the procedure to be described involves attaching the circuit elements. While the patterns and the number of circuit elements are changed, with consideration of the memory organization

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sation, welche gewählt ist, können die Verfahren für die meisten Teile identisch bleiben. In der folgenden Beschreibung ist vorausgesetzt, daß die Schaltkreiselemente gefertigt werden für die H-Muster-Speicherorganisation, wie sie in den Fig. 1 bis 11 gezeigt wurde. Da die Fertigungsverfahren für das untere Schaltkreiselement 30 und das obere Schaltkreiselement 32 im wesentlichen identisch sind, wird angenommen, daß beide Elemente durch dasselbe Verfahren gefertigt werden, wobei erforderliche Unterschied in dem Verfahren erwähnt werden, wo diese notwendig ist. Natürlich ist es notwendig, die Masekenfiguration abhängig von der Art des Schaltkreiselementes auszuwählen.sation, whichever is chosen, the procedures can remain identical for most parts. In the following description is assumed that the circuit elements are manufactured for the H-pattern memory organization, such as it was shown in FIGS. 1-11. Since the manufacturing processes for the lower circuit element 30 and the upper circuit element 32 are substantially identical, it is assumed that both elements are made by the same procedure are made, mentioning the required difference in the process where this is necessary. Of course, it is necessary to select the mask configuration depending on the kind of the circuit element.

Es ist vorausgesetztm daß ein 1 mil (0,025 mm) starker Kaptonträger vorhanden ist auf einer kontinuierlichen Rolle und dan geschnitten und geordnet wird, für eine kommerzielle Fertigung. Das Verfahren wird jedoch als Stapelfabrikationsverfahren beschrieben, um die Beschreibung zu erleichtern.It is assumed that it is 1 mil (0.025 mm) thick Kapton carrier is available on a continuous roll and then is cut and arranged for commercial use Production. However, the method is described as a batch manufacturing method in order to facilitate the description.

Der Kaptonträger wird zuerst gereinigt und getrocknet und dann wird eine 100 Angström dicke Schicht von Permalloy darauf durch Zerstäubung angebracht. Das Permalloy garantiert eine adhäsive Verbindung zu dem Kapton oder anderen Materialien, wie Chrom oder Titan, kann dafür verwendet werden. Eine 200 bis 500 Angström dicke Verbindungsschicht von Titan kann dann aufgebracht werden durch Vakuumzerstäubung auf beide Seiten des mit Permalloy überzogenen Trägers. Nach dem Aufbringen der Titanschicht wird eine 3000 Angström dicke Kupferschicht auf beiden Seiten des Trägers angebracht um eine gute Leitfähigkeit für ein nachfolgendes galvanisches Platierungsverfahren zu garantieren. Der Träger wird dann vollständig überzogen mit -einer 50 Angström dicken Oxydabdeckung wie beispielsweise Nickel. Diese aufeinanderfolgenden Schichten von Permalloy, Titan, Kupfer und Nickel werden aufeinanderfolgend aufgebracht als Ober-The Kapton carrier is first cleaned and dried and then a 100 Angstrom thick layer of Permalloy is applied attached thereon by atomization. The Permalloy guarantees an adhesive connection to the Kapton or other materials, like chrome or titanium, can be used for this. A compound layer of 200 to 500 Angstroms thick Titanium can then be applied by sputtering onto both sides of the permalloy-coated substrate. After the titanium layer has been applied, there is a 3000 Angstrom thick layer of copper on both sides of the carrier attached to guarantee good conductivity for a subsequent electroplating process. The carrier is then completely covered with a thickness of 50 angstroms Oxide cover such as nickel. These successive layers of permalloy, titanium, and copper Nickel are applied consecutively as a top

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flächenschicht. Das Aufbringen einer Oberflächenschicht auf den Kaptonträger wird aufeinanderfolgend wiederholt.surface layer. The application of a surface layer on the Kapton carrier is repeated successively.

Daraufhin werden die Durchkontaktierungen durch den Kaptonträger für geeignete elektrische Verbindungen der Schaltkreise auf einer Seite mit den Schaltkreisen auf der anderen Seite markiert. Eine lichtempfindliche Deckmasse wird auf beide Oberflächen der aktivierten Überzugsschicht der Träger angebracht, welche einem gerichteten Ultraviolettlicht ausgesetzt wird, und dann stellenweise beseitigt wird, um den Metallüberzug des Trägers freizumachenThen the vias are made through the Kapton carrier for suitable electrical connections of the circuits marked on one side with the circuits on the other side. A light-sensitive cover mass the carrier is applied to both surfaces of the activated coating layer, which is exposed to a directed ultraviolet light is exposed, and then removed in places to expose the metal coating of the carrier

für 1 quadrat-mil (0,0006 mm ) große öffnung wo Durchführungsöffnungen vorgesehen werden sollen. Der endgültige Schichtaufbau ist in auszugsweisen Schnittdarstellungen in Fig. 20 und 21 dargestellt. Die lichtempfindliche Schicht wird dann als Maske verwendet, um die Vielzahl der metallischen Schichten auf dem Kaptonträger zu ätzen. Da verschiedene Metalle verwendet sind, müssen verschiedene Ätzschritte mit unterschiedlichen Ätzmitteln angewendet werden, um alle die verschiedenen Materialien zu beseitigen. Nachdem die Oberfläche des Kapton freigelegt ist im Bereich der Durchführungsöffnungen, wird der verbleibende Fotolack beseitigt und die Schutzschicht wird als Maske verwendet, mit welcher der Kaptonträger gleichzeitig von beiden Seiten mit Hydrazinn geätzt wird, wie in Fig. 22 dargestellt. Wegen des Unterschneidens unter der Metallschicht wird ein keilförmiges Muster 500 in dem Kaptonträger gebildet, mit einem engsten Durchführungsberexch entsprechend dem Keilrand 502 angenähert in der Mitte zwischen den gegenüberliegenden Seiten des Trägers. Das Ätzen des Kapton wird fortgesetzt bis der Keilrand 502 angenähert eine Durchgangsäffnung von 1 mil (0,0025 mm) entsprechend der mehrschichtige Metallabdeckung freigibt. Da die Unterschneidung ein schlechtes Anhaften der Abdeckungsschicht auf den Kapton und anderen Schichten zur Folge,haben kann, wird die Abdeckungsschicht vollständig entfernt und dann neu aufgebrachtfor 1 square-mil (0.0006 mm) large opening where feed-through holes should be provided. The final layer structure is in excerpts sectional views shown in Figs. The photosensitive layer is then used as a mask to protect the multitude to etch the metallic layers on the Kapton carrier. Since different metals are used, different ones must be used Etching steps applied with different etchants to eliminate all of the different materials. After the surface of the kapton is exposed in the area the feed-through openings, the remaining photoresist is removed and the protective layer is used as a mask, with which the Kapton carrier is etched with hydrazine from both sides at the same time, as shown in FIG. Because With the undercutting under the metal layer, a wedge-shaped pattern 500 is formed in the Kapton carrier a narrowest lead-through area corresponding to the wedge edge 502 approximately in the middle between the opposite ones Sides of the carrier. Etching of the Kapton continues until the wedge edge 502 approximates a through opening of 1 mil (0.0025 mm) corresponding to the multilayer metal cover. Because the undercut one poor adhesion of the cover layer to the Kapton and other layers will result in the cover layer completely removed and then reapplied

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Beim zweiten Aufbringen der Äbdeckungsschicht folgt diese der Form des Keiles 500 in der Durchführungsöffnung durch den Kapton. Dann wird zusätzlich eine relative dicke Schicht von 0,1 mil (0,00025 mm) Kupfer elektrolytisch auf die mehrlagige Metallabdeckung aufgebracht, um eine gute elektrische metallische Leitung zu erreichen durch die Durchführungsöffnungen, wie dargestellt in Fig, 23. Diese 0,1 mil (0,00025 mm) Kupferabdeckung füllt nicht vollständig die Durchführungsöffnung aus. Als nächstes werden die großen öffnungen, wie die Paßöffnungen und die Halteöffnunger in die Lochplatten sowie die Η-Muster oder U-Muster in die Zungen tragende Schaltkreiselemente als Muster in die Abdeckungsschicht und die 0,1 mil-Kupferabdeckung geätzt, aber nicht in den Kaptonträger selbst. Die Muster der großen öffnungen müssen sehr präzise angeordnet werden hinsichtlich der Passöffnungen. Ausrichtschablonen, wie sie allgemein in der HalbleiterIndustrie verwendet werden, können für diesen Zweck verwendet werden.The second time the covering layer is applied, this follows the shape of the wedge 500 in the passage opening through the Kapton. Then there is also a relatively thick layer of 0.1 mil (0.00025 mm) copper electrolytically to the multi-layer metal cover applied to achieve good electrical metal conduction through the feed-through openings, as shown in Figure 23. This 0.1 mil (0.00025 mm) copper cover does not completely fill the feed-through opening. Next are the large openings, such as the fitting openings and the retaining openings in the perforated plates as well as the Η-pattern or U-pattern in the tongues carrying circuit elements as a pattern in the cover layer and the 0.1 mil copper cover etched, but not into the Kapton carrier itself. The patterns of the large openings must be arranged very precisely with regard to the fitting openings. Alignment templates, such as they are commonly used in the semiconductor industry, can be used for this purpose.

Als nächstes wird der Kapton überzogen mit einem lichtempfindlichen Riston-überzug und ein gewünschtes Leitermuster wird auf beiden Seiten aufgebracht. Der lichtempfindliche Überzug wird beseitigt in einem Maskenverfahren, wo Leiter erscheinen sollen, und verbleibt im Bereich zwischen benachbarten Leitern. Für eine gute elektrische Isolation sollte in Abstand von mindestens 1,5 mils (0,038 mm) zwischen unmittelbar benachbarten Leitern vorgesehen werden. Wie in Fig. 24 dargestellt, wird bei Verwendung einer lichtunempfindlichen Deckmaske als Maske Kupfer aufgalvanisiert auf beiden Seiten des Trägers bis zu einer Dicke von angenähert 1,7 mils (0,04 mm) in einen Abgleichbad (leveling bath). Dabei wurde als wünschenswert gefunden, zuerst eine Anschlagverkupferung anzuwenden, umNext, the Kapton is covered with a light-sensitive Riston coating and a desired conductor pattern is applied to both sides. The photosensitive one Coating is removed in a mask process where conductors are to appear and left in the area between adjacent conductors. For good electrical insulation, a distance of at least 1.5 mils (0.038 mm) between immediately adjacent conductors. As shown in Fig. 24, when using a light-insensitive cover mask as a mask copper electroplated on both sides of the carrier up to a thickness of approximately 1.7 mils (0.04 mm) in a leveling bath. It was considered desirable found to first apply a stop copper plating to

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eine Schicht von 1000 bis 3000 Angström zu erzeugen und dann die Platierung in einem Nivilierungsbad zu beenden. Der Platierungsprozeß dient dazu, die Durchführungen zu füllen und Leiter mit geringer seitlicher Schrägung 510 zu erzeugen, wie in Fig. 24 dargestellt. Wenn eine Warmverpressungsverbindung angewendet wird, werden die Leiter als nächstes mit einer 100 microinch (0,0025 mm) dicken Schicht aus Gold platiert. Wenn eine Lötverbindung angewendet werden soll, werden die Leiter an Leitern gegenüberliegenden Seiten, an welchen eine Lötung vorgenommen werden soll, nur an der Unterseite des oberen Schaltkreiselementes 32 mit Gold platiert mit einer Dicke von ungefähr 50 microinch.create a layer of 1000 to 3000 angstroms and then to finish plating in a leveling bath. The plating process serves to fill the feedthroughs and to produce conductors with a slight lateral inclination 510, as shown in FIG. When a hot-press joint is used, the conductors are called next plated with a 100 microinch (0.0025 mm) thick layer of gold. When a solder joint is applied is to be, the conductors on opposite sides of conductors on which soldering is to be made, only Gold plated on the underside of the upper circuit element 32 to a thickness of approximately 50 microinches.

Nach der Bildung der Leitermuster auf beiden Seiten des Trägers wird die lichtunempfindliche Deckmasse beseitigt und die großen Bereiche des Lochmusters werden geätzt durch den Kaptonträger selbst, wobei das vorher auf die Abdeckungsschicht aufgebrachte Lochmuster als Maske dient. Als nächster Schritt wird das Leitermuster elektrisch isoliert, wie aus Fig. 25 zu ersehen. Es sei daran erinnert, daß die Abdeckungsschicht sich noch zwischen benachbarten Leiterpfaden ausdehnt und eine elektrolythische Verbindung zwischen diesen hervorruft. Die lichtunempfindliche Deckmasse wird verwendet längs des Leitermusters mit einem Maskenverfahren, welches die lichtunempfindliche Schicht veranlaßt sich auszudehnen angenähert 1/4 mil über die Basis der Leiter auf jeder Seite von ihnen. Die lichtunempfindliche Abdeckschicht wird stellenweise beseitigt zwischen den Leitern. Bei einem Mindestabstand von 1,5 mils zwischen den Basen der Leiter selbst ist ein Minimumabstand von 1 mil in der lichtunempfindlichen Schicht zwischen benachbarten Leitern gegeben. Die lichtunempfindliche Schicht wird dann als Maske verwendet, um die Abdeckschicht zwischen den Leitern zu beseitigen und dann wird die lichtunempfindliche Schicht vollständig von dem Träger beseitigt.After the formation of the conductor patterns on both sides of the support, the light-insensitive covering material is removed and the large areas of the hole pattern are etched through the Kapton carrier itself, this being done beforehand the cover layer applied hole pattern serves as a mask. The next step is to make the conductor pattern electrical isolated, as can be seen from FIG. It should be remembered that the cover layer is still between adjacent ones Expands conductor paths and creates an electrolytic connection between them. The light-insensitive one Covering compound is used along the conductor pattern with a masking process, which is the light-insensitive Layer causes it to expand approximately 1/4 mil above the base of the ladder on each side of them. The light-insensitive cover layer is removed in places between the ladders. With a minimum spacing of 1.5 mils between the bases of the conductor itself is a minimum spacing of 1 mil in the non-photosensitive layer between adjacent ones Ladders given. The light-insensitive layer is then used as a mask to sandwich the cover layer to remove the conductors and then the non-photosensitive layer is completely removed from the support.

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Die Fertigung der Kaptonträger ist nunmehr vollendet, sofern eine Warmdruckverbindung angewendet werden soll. Wenn jedoch eine Lötverbindung der Träger vorgesehen werden soll, müssen noch zusätzliche Fertigungsschritte für die Lötmasse vorgesehen werden. Wie aus Fig. 26 zu ersehen, wird eine lichtunempfindliche Schicht auf den Träger aufgebracht und dann ein fctolythographisches Verfahren angewendet, um die lichtunempfindliche Schicht längs der der Ober- oder Unterseite der Leiter zu beseitigen, wo später eine Lötverbindung angebracht werden soll. Die lichtuneinpf indliche Schicht sollte entfernt werden längs eines Bereiches, weicher schmäler ist als die Oberseite der Leiter, damit die verbleibende lichtunabhängige Schicht die äußeren oberen Ecken der Leiter um ungefähr 1/4 mil überlapptf wie angezeigt ist mit den Bereich 512 und 514 als Eeispiel in Fig. 26. Die iichtunempfindliche Schicht wird als Maske verwendet und die Lötmasse wird durch Elektroplatierung oder Impulsplatierung auf die Leiter aufgebracht mit einer Dicke von angenähert 0_f9 mils (0,0025 mm). vv-sgen der geringen Ausdehnung erweist es sich als vorteilhaft, an der Lötverbindungsstelie ein Lötflußmittel zu verwenden. Jedoch ist zu bemerken,, daß nur die Teile der Leiter, welche verbunden werden sollen mit anderen Leitern einen derartigen Überzug benötigen. Es ist vorteilhaft, die Lötmasse durch kurzes Eintauchen des Schaltkreiselementes nacheinander in ein heißes Ölbad mit einer Temperatur um räo 10 - 15⁰C unterhalb der Sntektik-Temperatur und kurz in. ein nachfolgenäss kühleres ölbad zu verschmelzen. Für dis Η-Milsterdarsteilung -der Fig_o 1 bis 11 wird Lötmasse auf den Leitern 44 an der Oberseite des unteren Schaltkreiselsrasrries 30 benötigt= Für das ü-förmige Muster nach Fig. 12 bis 17 hingegen w:>iß Lötmasse auf den Leitern 364 an der Oberseite des unteren die öffnung tragenden Solialtkreiselementes 366 und ebenso auf den Leitern 374 auf der Oberseite des zentralen,, zungentragenden Elementes 376 vor ge- 6098 4 0/0908The manufacture of the Kapton carriers is now complete, provided that a hot pressure connection is to be used. However, if a soldered connection of the carrier is to be provided, additional manufacturing steps must be provided for the soldering compound. As can be seen from Figure 26, a non-photosensitive layer is applied to the substrate and then a photolythographic process is used to remove the non-photosensitive layer along the top or bottom of the conductors where a solder joint is to be made later. The light insensitive layer should be removed along an area that is narrower than the top of the conductors so that the remaining light insensitive layer overlaps the outer top corners of the conductors by approximately 1/4 mil as indicated with areas 512 and 514 as an example in FIG Fig. 26. the iichtunempfindliche layer is used as a mask and the solder is applied by electroplating or Impulsplatierung to the conductor with a thickness of approximately 0 _f 9 mils (0.0025 mm). As a result of the small expansion, it is found to be advantageous to use a soldering flux at the solder joint. It should be noted, however, that only those parts of the conductors which are to be connected to other conductors require such a coating. It is advantageous to the solder by briefly immersing the circuit element successively in a hot oil bath with a temperature around räo 10 - to fuse 15 ⁰ C below the Sntektik-temperature and short in a nachfolgenäss cooler oil bath.. -The for dis Η-Milsterdarsteilung FIG _o 1 to 11 is solder on conductors 44 on the top of the lower Schaltkreiselsrasrries 30 = required for the UE-shaped pattern shown in Figure 12 to 17, however, w:.> ISS solder on conductors 364 to the upper side of the lower solial circle element 366 carrying the opening and also on the conductors 374 on the upper side of the central tongue-carrying element 376 in front of 6098 4 0/0908

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sehen werden. Nach der Elektroplatierung der Lötmasse durch die lichtunabhängige Maske wird die lichtunabhängige Schicht beseitigt und die Kupferleiter, auf welche die Lötmasse aufgebracht wurde, werden bei Raumtemperatur eine Chromierung ausgesetzt, um einen Umkehrungsüberzug an den Leiterseitenwänden zu bilden, und damit die Lötmasse von diesen Seitenwänden wegzuhalten. Damit ist die Herstellung der Lochplatte 34 und der Schaltkreiselemente 30 und 32 abgeschlossen, welche nunmehr zu einem Speicher zusammengesetzt werden können.will see. After the solder mass is electroplated through the light-independent mask, the light-independent mask becomes Layer removed and the copper conductors to which the solder was applied are removed Exposed to room temperature chrome plating to form an inversion coating on the conductor sidewalls, and thus to keep the solder away from these side walls. The production of the perforated plate 34 is thus complete and the circuit elements 30 and 32, which are now combined to form a memory can.

Für eine vollständige Einheit werden die Lochplatte 34 und das untere Schaltkreiselement 30 in die Haltevorrichtung 470 eingesetzt, wie aus Fig. 18 und 19 zu ersehen mit einer dazwischengefügten Schicht von wärmeaushärtbaren Klebstoff 52. Die Haltedorne 474 und 476 geben eine präzise Zuordnung der Lochplatte 34 und des unteren Schaltkreiselementes 30. Eine 40 bis 60 mil (1 bis 1,5 mm) dicke Silxkongummischicht wird zwischen die Oberseite der unteren Platte 30 und der oberen Platte 482 der Halteeinrichtung 470 gebracht, um die Leiter 44 an der Oberseite zu schützen und die Einheit wird dann unter Druck erhitzt, um die Lochplatte 34 und dem unteren Schaltkreiselement 3 0 in einer Weise zu verbinden, welche im wesentlich identisch zu dem Verbindungsverfahren der drei einzelnen Platten 36a,36b und 36c der Lochplatte 34 ist, Die aus dem unteren Schaltkreiselement 30 und der Lochplatte 34 gebildete Einheit wird dann aus der Haltevorrichtung 470 entfernt und in eine Vakuumvorrichtung 550 eingesetzt, die in Fig. 27 und 28 gezeigt ist. Die Vorrichtung 550 besteht aus einer stabilen Grundplatte 552 mit sich senkrecht nach oben ausdehnenden Seitenträgerelementen 554 und "56,For a complete unit, the perforated plate 34 and the lower circuit element 30 are in the holding device 470, as seen in Figures 18 and 19, with a layer of thermosetting interposed therebetween Adhesive 52. The retaining mandrels 474 and 476 provide a precise association of the perforated plate 34 and the lower circuit element 30. A 40 to 60 mil (1 to 1.5 mm) thick silicone rubber layer is placed between the top of the lower plate 30 and the upper plate 482 of the holding device 470 are brought to the conductors 44 at the Upper side to protect and the unit is then heated under pressure to the perforated plate 34 and the lower circuit element 3 0 to be connected in a manner which is essentially identical to the method of connecting the three individual ones Plates 36a, 36b and 36c of the perforated plate 34 is made up of the lower circuit element 30 and the perforated plate The unit formed 34 is then removed from the holding device 470 and inserted into a vacuum device 550, shown in Figs. The device 550 consists of a stable base plate 552 with itself perpendicular upwardly expanding side support elements 554 and "56,

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welche an der Oberseite längs flacher, glatter Luftlagerflächen 558 bzw. 560 endigen. Eine Mittenöffnung 562 verläuft senkrecht durch die Mitte der Grundplatte und steht in Verbindung mit einer Vakuumpumpe an der Unterseite der Einrichtung. Ein Rüttler 564 ist mechanisch mit der Einrichtung verbunden, um Rüttelfrequenzen auf die Vakuumeinrichtung 550 zu übertragen. Die sich senkrecht erstreckenden Führungsstifte 568 und 570 sind an gegenüberliegenden Seiten der zentralen Öffnung angebracht, um die Ausrichtöffnungen der mit dem unteren Schaltkreiselement 3 0 verbundenen Lochplatte 34 aufzunehmen, welche im folgenden als festes Trägerteil 572 bezeichnet wird. Federbelastete Luftlagerflächen 576 und 578 sind gegenüber der Luftlagerflächen 558 und 560 angeordnet und in Richtung auf diese federnd vorgespannt. Eine Saugaufspannvorrichtung 580 mit einer U-förmigen Ausbildung hängt von einer dünnen metallischen Gleitplatte 580 nach unten zwischen die sich senkrecht nach oben erstreckenden Seitenträgerelemente 554 und 556, wobei sich die Gleitplatte 582 seitlich über diese hinaus erstreckt und zwischen den Luftlageroberflächen 558,576 bzw. 560,578 geführt wird. Die Aufspannvorrichtung 58 trägt ein unteres Schaltkreiselement 32 an ihrer Unterseite und die Gleitplatte 582 hat eine Mittenöffnung, die im wesentlichen der Form der Aufspannvorrichtung 580 entspricht, um einen Zugang zu der Oberseite des oberen Schaltkreiselementes 32 zu erlauben. Bei Aktivierung der Luftlager der Vakuumvorrichtung 550 wird das obere Schaltkreiselement 32 gegenüber der Oberseite des unteren Schaltkreiselementes 30 mit sehr leicher Berührung dieser Teile getragen. Mit der Luftlager geführten Aufspannvorrichtung 580 kann das obere Schaltkreiselement 32 leicht und präzise in eine genaue Lage zu dem unteren Schaltkreiselement 30 bewegt werden. Bei Abschaltung der Luftlager halten die Luftlageroberflächenwhich at the top along flat, smooth air bearing surfaces 558 and 560 end. A central opening 562 runs perpendicularly through the center of the base plate and is in communication with a vacuum pump at the bottom of the device. A vibrator 564 is mechanical connected to the device to transmit vibration frequencies to the vacuum device 550. Which perpendicularly extending guide pins 568 and 570 are on opposite sides of the central opening mounted to receive the alignment holes of the perforated plate 34 connected to the lower circuit element 3 0, which is referred to as the fixed support part 572 in the following. Spring loaded air bearing surfaces 576 and 578 are arranged opposite the air bearing surfaces 558 and 560 and are resiliently biased towards them. A suction jig 580 having a U-shaped Training depends on a thin metallic sliding plate 580 down between which is perpendicular to upper extending side support members 554 and 556, wherein the slide plate 582 extends laterally beyond this and between the air bearing surfaces 558,576 or 560,578 is performed. The jig 58 carries a lower circuit element 32 on its underside and the slide plate 582 has a central opening, which is essentially the shape of the jig 580 to allow access to the top of the upper circuit element 32. When activated the air bearing of the vacuum device 550 becomes the top circuit element 32 opposite the top of the lower circuit element 30 with very light contact with these parts. Guided with the air bearing Jig 580 can easily and precisely position the upper circuit element 32 into an accurate position to the lower circuit element 30. When the air bearings are switched off, the air bearing surfaces hold

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558,576 und 560,568 die Gleitplatte 582 unverrückbar fest und damit die Vakuumaufspannvorrichtung 580 in einer festen Relation zur Vakuumvorrichtung 550. In dieser Lage ist das obere Schaltkreiselement 32 in fester Zuordnung zu der Einheit 572 gehalten.558,576 and 560,568 the sliding plate 582 cannot be moved fixed and thus the vacuum clamping device 580 in a fixed relation to the vacuum device 550. In this position the upper circuit element 32 is held in fixed association with the unit 572.

Zum Aufbringen der Kerne werden die Luftlager aktiviert, während die die Kerne aufnehmenden öffnungen auf dem oberen Schaltkreiselement (Querstege der H-förmigen öffnungen) präzise mit den geradzahlig bezeichneten Zeilen der kernaufnehmenden Ausnehmungen des unteren Schaltkreiselementes 30 fluchten. Nach dem Verschieben in diese Lage werden die Luftlager entlüftet, um das obere Schaltkreiselement 3 2 in dieser Lage festzuhalten und die Vakuumeinrichtung 550 wird gerüttelt, während die Kerne auf die Oberseite des oberen Schaltkreiselementes 32 eingelegt werden und ein Vakuum wird an der Unterseite der Lochplatte angewendet. Das gleichzeitige Anwenden von Rüttelschwingungen und Vakuum, veranlaßt die Kerne in die Ausnehmungen zu fallen in üblicher Weise. Die Luftlager werden dann erneut aktiviert und das obere Schaltkreiselement 32 wird relativ zu den Kernen und dem unteren Schaltkreiselement 30 verschoben,bis die langen Zungen, welche die größere Seite der asymmetrischen Η-Form des oberen Schaltkreiselementes 32 begrenzen, sich durch die Bohrungen der eingesetzten Kerne erstrecken, solange bis die die Kerne aufnehmenden öffnungen im Quersteg der H-förmigen Öffnungsmuster im oberen Schaltkreiselement 32 über die Kerneaufnahmeöffnungen der ungeradzahligen bezifferten Zeilen "des unteren Schaltkreiselementes 30 fluchten. Die Luftlager werden dann erneut entlüftet und die verbleibenden Kerne werden in die die Kerne aufnehmenden öffnungen der ungeradzahlig bezifferten Zeilen gelangen, während die Vorrichtung 550 gerüttelt und Vakuum an der Unterseite der Lochplatte 34 angewendet ist. DieTo apply the cores, the air bearings are activated, while the openings receiving the cores on the upper one Circuit element (transverse webs of the H-shaped openings) precisely with the even-numbered lines of the Core-receiving recesses of the lower circuit element 30 are aligned. After moving into this Position the air bearings are vented to hold the upper circuit element 3 2 in this position and the vacuum device 550 is jarred while the cores are placed on top of the upper circuit element 32 and a vacuum is applied to the underside of the perforated plate. The simultaneous application of shaking vibrations and vacuum, causes the cores to fall into the recesses in the usual manner. The air bearings are then activated again and the upper circuit element 32 becomes relative to the cores and the lower Circuit element 30 shifted until the long tongues, which limit the larger side of the asymmetrical Η-shape of the upper circuit element 32, through the Bores of the cores used extend until the openings receiving the cores in the crosspiece of the H-shaped opening pattern in the upper circuit element 32 over the core receiving openings of the odd-numbered numbered lines "of the lower circuit element 30 are aligned. The air bearings are then again deflated and the remaining cores will get into the cores receiving openings of the odd numbered lines, while device 550 is shaken and vacuum is applied to the underside of orifice plate 34. the

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!luftlager werden dann erneut aktiviert und das obere Schaltkreiselement 32 wird in der entgegengesetzten Richtung surück verschoben, um die kurzen Ausiegersungen, weiche den anderen Teil der H-förmigen öffnungen begrenzen, durch die Kerne der ungeradzahlig bezifferten Seiler, treten zu lassen. Sofern eine U-förmige Anordnung nach den Fig. 12 bis 17 angewendet wird, können alle Kerne in einem einzigen Fsrtigungsgang eingesetzt werden.! air bearings are then activated again and the upper Circuit element 32 is shifted back in the opposite direction in order to remove the short disengagements, soft delimit the other part of the H-shaped openings, through the cores of the odd-numbered ones Seiler, let it kick. Unless a U-shaped arrangement is applied according to FIGS. 12 to 17, all cores can can be used in a single production run.

Die endgültige Konfiguration ist in einem Ausschnitt in Fig, 29 gezeigt? wobei sich die langen Zungen 5SO durch dis Lerne 592 in csn geradzahlig bezeichneten Zeilen 594 erstrecken und die kurzen Zungen 596 erstrecken sich c::~z~- :1ia Kerne 598 in den ungeradzahlig bezifferten Zsil-3-V- Z¹Jb. Die Leiter an den freien Enden 502,604 der langen 590 bzw. kurzen Sungen 596 müssen mit den Leitern ε.::, c.s.:: Oberseite des unteren Schaltkreiselement.es 30 v-srbv.r.Gei.1 werden, Dies kann durch eine Warrudruckverbindung si";;.: an _r absnso ?:ie mit einem Woppel-Verbindungsver- \ΐ~ "~1'3^:~. - "\~3bei f c.Iir-211 - ~;JC:2'S1. isösr Sö/cZ VOH LS-Ltsrn. Si!The final configuration is shown in a section in Fig. 29? where the long tongues 5SO extend through the Lerne 592 in lines 594 labeled even csn and the short tongues 596 extend c :: ~ z ~ - : 1ia cores 598 in the odd-numbered Zsil-3-V- Z ¹ Jb Conductors at the free ends 502, 604 of the long 590 or short sung 596 must be connected to the conductors ε. ::, cs :: top of the lower circuit element.es 30 v-srbv.r.Gei.1, This can be done by a Warru pressure connection si ";;.: an _r absnso?: ie with a Woppel connection- \ ΐ ~ " ~ 1'3 ^: ~. - "\ ~ 3 bei f c.Iir-211 - ~; JC: 2'S1. Isösr Sö / cZ VOH LS-Ltsrn. Si!

&-.'. .-;U'ige:iender: SOl₁,604 einzeln verbunäsn wira mit einem Ss-z 7O™. Leitern darunter Gbarj, v/obei alle Verbindungs™ pun-cus glsiclizsi'iic* 2isrc;3£tsllt vjsrdsrio Für sins Warm= dL^sv.c.^:-r/-5rbind'jng sciitsn eis Sungansnden S02,S04 abgeätzt "-."-irdsn, uis si.risn il::st£nd von 1 bis 2 mils (0,G25 bis 0_:2: ~ο:.', ο während des Hersteliens des Trägers 32^ um su erüicglichen, daß die drei Leiter, weiche an der Unterseite ds= rbereu Schaltkreiselementes 32 angeordnet sind, sich e.V.;: ;:." =r_ Abstand von "\ bis 2 mils hinter dlis Zungenenden ^:5I^:2 und iu4 als Ausleger ^u erstrecken^ um einen direkten Kontakt zwischen den Leitern und einem Thermcdruckverbindsr su erlauben. Das ätzen der Stangenenden kann =- muß s±3r riabt - ar.-g~^T-7endet ?;eräen_. wo sine Lötverbindung VSi'■..£:"..;":£."'- wird f"ü_- Is:.. -.v.i.b·?.;" = & -. '. .-; U'ige: iender: SOl ₁ , 604 individually connected to a Ss-z 7O ™. Ladders including Gbarj, v / obei all connection ™ pun-cus glsiclizsi'iic * 2isrc; 3 £ tsllt vjsrdsrio For sins Warm = dL ^s vc ^: -r / -5rbind'jng sciitsn eis Sungansnden S02, S04 etched off "-." - irdsn, uis si.risn il :: st £ nd from 1 to 2 mils (0, G25 to 0 _: 2: ~ ο :. ', ο during the manufacture of the carrier 32 ^ in order to ensure that the three conductors, soft on the underside of the circuit element 32 are arranged, extending eV ;:;:. "= r_ distance of " \ to 2 mils behind the tongue ends ^: 5I ^: 2 and iu4 as cantilevers ^ u extend ^ around a direct contact between the conductors The etching of the rod ends can = - must s ± 3r riabt - ar.-g ~ ^T -7endet? '- becomes f "ü_- Is: .. -.vib ·?.;" =

?5 -rs? 5 -rs

Zum Lötverbinden oder gleichzeitigem Thermodruckverbinden von allen Punkten wird ein Verbindungswerkzeug 610 eingesetzt längs der Zeilen der H-Querstege mit einer Ausdehnung, die ausreicht, um die Zungenenden 602,604 um ein oder 2 mils zu überlappen. Wenn der Kaptonträger vorher geätzt wurde an den Zungenenden, müßte das Verbindungswerkzeug 610, die um 1 oder 2 mm überstehenden Leiterenden überlappen und geringfügig schmäler sein, als die Kaptonträgerzungenenden, um zu erlauben, daß das Verbindungswerkzeug 610 in tatsächlichem Kontakt der überstehenden Leiter an der Unterseite des oberen Schaltkreiselementes 32 kommt. In Fig. 29 sind die Zungenenden in einem ungeätzten Zustand widergegen.A connection tool 610 is used for soldering connection or simultaneous thermal pressure connection of all points along the lines of the H-crossbars with an extension sufficient to encompass the tongue ends 602.604 µm one or 2 mils to overlap. If the Kapton carrier was previously etched at the tongue ends, the connecting tool would have to 610, which overlap conductor ends protruding by 1 or 2 mm and are slightly narrower, than the Kapton carrier tongue ends to allow the connecting tool 610 to be in actual contact with the protruding conductor on the underside of the upper circuit element 32 comes. In Fig. 29 are the tongue ends in an unetched state.

Nach Ausrichtung der Verbindungswerkzeuge 610 längs der Zeilen der Queröffnungen des Η-Musters wird das Verbindungswerkzeug 610 erhitzt beispielsweise durch eine Widerstandsheizung, während der Anwendung eines mäßigen Druckes auf die Zungenenden 602 und 604 _r um ein Fließen des Lotes zu erreichen, und damit eine sichere Verbindung der Leiter an der Unterseite des oberen Schaltkreiselementes 32 rait den Leitern an der Oberseite des unteren Schaltkreiselementes 30 z'i bekommen. Bei Anwendung von U-förmigen öffnimgsmustern nach den Fig„ 12 bis 17, muß eine Verbindung zwischen swei Paaren von Oberflächenschichten erfolgen» Es ist deshalb notwendig, die Leiter an der Unterseite des mittleren, die Zungen tragenden Schaltkreiselemente 376 mit den Leitern an der Oberseite der unteren Lochplatte 366 zu verbinden, und dann die obere Lochplatte 380 auf die Oberseite des zentralen, die Zunge tragenden Schaltkreiselementes 376 aufzusetzen mit den öffnungen des oberen Schaltkreiselementes 380 ausgerichtet zur Aufnahme der vorher eingesetzten Kerne» Die Leiter an der Unterseite des oberen Elementes 380 v/erden dann ver-After alignment of the connecting tools 610 along the lines of the transverse openings of the Η-pattern is the bonding tool 610 is heated, for example by resistance heating, _r is a flow to reach the solder during the application of moderate pressure on the tongue ends 602 and 604, and thus a secure connection the conductor on the underside of the upper circuit element 32 corresponds to the conductors on the upper side of the lower circuit element 30 z'i. When using U-shaped opening patterns according to FIGS. 12 to 17, a connection must be made between two pairs of surface layers to connect the lower perforated plate 366 , and then to place the upper perforated plate 380 on the top of the central circuit element 376 carrying the tongue with the openings of the upper circuit element 380 aligned to accommodate the previously inserted cores »The conductors on the underside of the upper element 380 v / then earth

6098 4 8/09086098 4 8/0908

_ ₄₆ _ 262H93_ ₄₆ _ 262H93

bunden mit den Leitern an der Oberseite des mittleren, zungentragenden Elementes 376.tied with the ladders at the top of the middle, tongue-bearing element 376.

Eine Vorrichtung zur Aufnahem einer großen Zahl von Verbindungswerkzeugen 610, um gleichzeitig alle Verbindungen einer Kernspeichereinrichtung in einem Lötverfahren herzusteilen, ist in der Fig. 3 0 gezeigt. Die Vorrichtung 650 enthält ein stabiles Rahmenelement 652, welches sich nach oben erstreckende' Führungsstifte 654 und 656 aufweist, sowie seitliche Führungen 658 und 660. Die Vorrichtung 650 ist ähnlich der Vorrichtung 470, wie sie in den Fig. 18 und 19 gezeigt ist, aufgebaut, mit Ausnahme der Deckplatte 662, welche die Abdeckplatte 482 der Vorrichtung 470 ersetzt. Die vorher zusammengesetzte Kernspeichereinheit wird in die Vorrichtung 650 eingesetzt, und zwar in die Führungsstifte 654 und 656, welche die Führungsöffnungen der Einheit 572 aufnehmen, die aus der Lochplatte 34 und deiri unteren Schaltkreiselement 30 besteht, um diese Einheit 572 definiert unterhalb des vorspringenen Verbindungsv/erkzeug 610 der Verbindungsplatte 662 zu bringen. Das obere Schaltkreiselement 32 wird oberhalb der Einheit mit der. eingesetzten Kernen eingesetzt und das obere Schaltkreiselement 32 ist dadurch ausgerichtet für die endgültige Verbindung <-A device for accommodating a large number of connecting tools 610, in order to simultaneously produce all connections of a core storage device in one soldering process, is shown in FIG. 30. The device 650 includes a stable frame member 652, which upwardly extending 'guide pins 654 and 656, and side guides 658 and 660. The device 650 is similar to device 470 as shown in FIGS. 18 and 19, with the exception of the cover plate 662, which replaces the cover plate 482 of the device 470. The previously assembled core storage unit is inserted into the device 650, namely into the guide pins 654 and 656, which the guide openings the unit 572, which consists of the perforated plate 34 and the lower circuit element 30, to this unit 572 is defined to bring the connecting plate 662 below the protruding connecting tool 610. That Upper circuit element 32 is above the unit with the. inserted cores inserted and the upper circuit element 32 is thereby aligned for the final connection <-

Dis Verbindungsplatte 662 kann aus zwei getrennten Platten 664 und 666 aufgebaut sein mit einer Heizspule 668 zwischen den beiden Platten. Die Verbindungswerkzeuge 610 können an der Unterseite der unteren Platte 666 durch ein geeignetes Verfahren, wie beispielsweise durch Fräsen, hergestelltThe connecting plate 662 can consist of two separate plates 664 and 666 be constructed with a heating coil 668 between the two plates. The connection tools 610 can on the underside of the lower plate 666 by a suitable method such as milling

as Verlöten erfolgt durch Erhitzen der Verbindungsplatte S2 und einer Bewegung senkrecht abwärts mit definiertem ruck; um die Verbindungswerkzeuge 610 in. kraftschlüssigenThe soldering is done by heating the connecting plate S2 and moving it vertically downwards with a defined shock; around the connection tools 610 in

609848/0906609848/0906

-47--47-

Kontakt mit den Zungenenden 602 und 604 zu bringen, um eine Beschädigung der su verbindenden Leiter zu verhüten ist ein einstellbarer Anschlag vorgesehen in Form der Haltestifte 670, welche die Bewegung der Verbindungsplatte 662 nach hinten in einer Höhe von angenähert 0,55 mil oberhalb der Oberseite der Leiter an der Oberseite des unteren Schaltkreiselementes 30 und der Unterseite oder der vorstehenden Oberseiten der Leiter an der Unterseite des oberen Schaltkreiselementes 32 begrenzen. Das Lötmittel füllt den Hohlraum dazwischen aus. Sobald der Verbindungsprozeß abgeschlossen ist, kann der Speicher 10 aus der Vorrichtung 650 entnommen werden und ist fertig zur Verbindung der Treiber- und Leseleitungen mit üblichen externen Schaltkreisen (nicht dargestellt) zur ausgextfählten Schaltung der Speicherelemente mit koinzidenten Strömen und abfühlen oder sperren des Schaltens von ausgewählten Speicherelementen»Bring contact with the tongue ends 602 and 604 to To prevent damage to the conductor connecting su an adjustable stop is provided in the form of the retaining pins 670 which limit the rearward movement of the connecting plate 662 at a height of approximately 0.55 mil above the top of the conductors on the top of the lower circuit element 30 and the bottom or limit the protruding tops of the conductors on the underside of the upper circuit element 32. That Solder fills the space in between. Once the connection process is complete, the memory 10 can be removed from the device 650 and is ready to connect the driver and read lines with usual external circuits (not shown) to the selected Switching the memory elements with coincident currents and sensing or blocking the switching of selected ones Storage elements »

Wenn auch vorstehend spezielle Ausführungen einer magnetischen Speichersinhei'c mit Leitern auf einem dünnen Träger in fester vorbestiinmter Position dargestellt und beschrieben wurde rait dem Ziel,-, einen Fachmann in die Lage zu versetzen, die Erfindung anzuwenden, so ist so ersichtlich^ daß die Erfindung nicht auf diese üusführungsform beschränkt istο Vielmehr sind verschiedene Abwandlungen bzw, eguivalente Anordnungen innerhalb des Scops der nachfolgenden Ansprüche möglich, die alle unter den Erfindungsgedanken fallen.Even if above special designs of a magnetic storage unit with conductors on a thin Carrier shown in a fixed predetermined position and was described rait the goal - to be a professional in the To enable them to apply the invention, so is it evident ^ that the invention does not apply to this embodiment ο Rather, there are various modifications or equivalent arrangements within the scope of the following claims are possible, all of which are subject to Invention ideas fall.

=?atentansprüche-=? patent claims-

S0SS48/0908S0SS48 / 0908

-48--48-

Claims (1)

262H93262H93 PatentansprücheClaims .; 1 .ι Magnetkernspeicher rait einer Vielzahl von vorzugsweise ringförmigen Magnetkernen als direkte Speicherelemente/ die zwischen unterschiedlichen Magnetisierungszuständen 'umschaltbar und mit einer Mehrzahl von durch die Innenbohrung der Speicherelemente geführten Leitungen zur selektiven Ansteuerung und Abfühlung eines Umschaltvcrganges verkettet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuer- und Abfühlleitungen (X- und Y-Treibersowie Lese/Zifferleitungen) einzelne Segmente aufweisen, die einzeln auf ainem sich durch die Öffnungen der Speicherelemente (12) erstreckende Träger (32) in einer festen Zuordnung zueinander und zu LeiterSegmenten auf einem zweiten Träger (30) aufgebracht sind..; 1 .ι magnetic core memory rait a plurality of preferably ring-shaped magnetic cores as direct storage elements / which can be switched between different magnetization states and are linked with a plurality of lines guided through the inner bore of the storage elements for selective control and sensing of a switching process, characterized in that the control and sense lines (X- and Y-driver as well as read / digit lines) have individual segments which are individually arranged on a carrier (32) extending through the openings of the memory elements (12) in a fixed association with one another and with conductor segments on a second carrier (30) are upset. 2. Magnetkernspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Träger (30„32) für die Leitersegmente Auf- :"i£.hip.eöffnungen (56,,8O) zur Aufnahme der ringförmigen Speicherelementen (12) aufweisen.2. Magnetic core memory according to claim 1, characterized in that that the carriers (30 "32) for the conductor segments : "i £ .hip.eöffnungen (56,, 8O) for receiving the annular Have storage elements (12). 3> I-:agiistkernspeicli3r nach Anspruch 2, dadurch gekennssicl'.net, deß ois Aufnahmeöffnungen (56,80) in den Trägern (30_Γ32_; hinsichtlich der endgültigen Lage dieser träger zueinander versetzt sind, so daß ein Einsetzen der Speicherelemente nur nach relativem Verschieben der beiden Träger möglich ist.3> I-: agiistkernspeicli3r according to claim 2, characterized gekennssicl'.net, that ois receiving openings (56,80) in the carriers (30 _Γ 32 _; with regard to the final position of these carriers are offset from one another, so that an insertion of the memory elements only after relative displacement of the two carriers is possible. i- , I-Iagnetkernspsieher nach Anspruch 3 _? dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmeöffnungen (56} in mindestens einer der Träger (32) in mindestens einer Richtung in i'vei, eine Zunge einschließende Aufnahmekanäie über-Cr=^Sn₁, in welche sin in die Öffnung gesetzter Kern ver-.-lO.ohsn wire- se -5.B.3 dis iung= sich ehiroh die BohrungI-, I-Magnetkernspsieher according to claim 3 _? characterized in that the receiving openings (56} in at least one of the supports (32) in at least one direction in i'vei, a tongue enclosing receiving channels via -Cr = ^ Sn ₁ , in which the core placed in the opening ver -.- lO.ohsn wire- se -5.B.3 dis iung = anyway the hole Q S -3 4 3 / 0 3 QQ S -3 4 3/0 3 Q 28214932821493 5. Magnetkernspeicher nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in mindestens einem der Träger (32) H-förmige Lochungen vorgesehen sind, wobei der Steg des H so breit gehalten ist, daß die Speicherelemente eingesetzt werden können.5. Magnetic core memory according to claim 1 to 4, characterized in that that in at least one of the carriers (32) H-shaped holes are provided, the web of the H is kept so wide that the memory elements can be used. 6. Magnetkernspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine unsymmetrische Η-Form mit einem langen und einem kurzen Schenkel gewählt ist.6. magnetic core memory according to claim 5, characterized in that that an asymmetrical Η-shape with a long and a short leg is chosen. 7. Magnetkernspeicher nach Abspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in mindestens einem der Träger U-förmige Lochungen vorgesehen sind mit einem Basissteg des U, in welchen Speicherelemente an dieser Stelle eingesetzt werden können.7. Magnetic core memory according to claim 1 to 4, characterized in that that in at least one of the carriers U-shaped holes are provided with a base web des U, in which storage elements can be used at this point. 8. Magnetkernspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die planaren Träger aus Kapton bestehen, auf welche die Leitersegmente in der Technik der gedruckten Schaltungen aufgebracht sind.8. magnetic core memory according to one of claims 1 to 7, characterized in that the planar carriers are made of Kapton, on which the conductor segments in the technology of printed circuits are applied. 9. Magnetkernspeicher nach Anspruch 1 bis 8,. dadurch gekennzeichnet, daß außer den beiden Trägern (30,32) für die Leitersegmente eine ebenfalls mit Aufnahmeöffnungen (40) versehene Trägerplatte (34) vorgesehen ist, auf welche eine der Träger (30) unverschiebbar befestigt, vorzugsweise aufgeklebt ist.9. magnetic core memory according to claim 1 to 8 ,. through this characterized in that, in addition to the two carriers (30,32) for the conductor segments, one likewise with receiving openings (40) provided carrier plate (34) is provided on which one of the carriers (30) is immovable attached, preferably glued on. 10. Magnetkernspeicher nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte aus 3, vorzugsweise miteinander verklebten Kupferfolien, aufgebaut ist.10. Magnetic core memory according to claim 9, characterized in that that the carrier plate is constructed from 3 copper foils, preferably glued together. 11. Magnetkernspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den Trägern11. Magnetic core memory according to one of the preceding claims, characterized in that the on the carriers 098 4 8/0908098 4 8/0908 =50-= 50- (30,32) angeordneten einander zugewandten Leitersegmente elektrisch gut leitend miteinander verbunden sind.(30,32) arranged facing conductor segments are connected to each other with good electrical conductivity. 12. Magnetkernspeicher nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitersegmente beider Träger miteinander verlötet sind.12. Magnetic core memory according to claim 11, characterized in that that the conductor segments of both carriers are soldered together. 13. Magnetkernspeicher nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitersegmente beider Träger zumindest stellenweise einen Überzug aus Gold aufweisen und miteinander durch Warmverpressen verbunden sind.13. Magnetic core memory according to claim 11, characterized in that the conductor segments of both carriers at least in places have a coating of gold and are connected to one another by hot pressing. 14. Magnetkernspeicher nach Anspruch 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Träger auf beiden Seiten Leitersegmente tragen.14. Magnetic core memory according to claim 1 to 13, characterized in that the carrier on both sides conductor segments wear. 15. Magnetkernspeicher nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die auf beiden Seiten eines Trägers angeordneten Leitersegmente an definierten Stellen mittels Durchkontaktierung miteinander verbunden sind.15. Magnetic core memory according to claim 14, characterized in that that the conductor segments arranged on both sides of a carrier at defined points by means of Vias are connected to each other. 16. Magnetkernspeicher nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchkontaktierung mittels Ätzen und anschließendes metallisches Überziehen des Trägers realisiert ist.16. Magnetic core memory according to claim 15, characterized in that that the through-hole plating by means of etching and subsequent metallic coating of the carrier is realized. 17. Magnetkernspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitersegmente auf beiden Trägern zu einer 3-Leiter, SD-Doppelfischgrätenverdrahtung zusammengeschaltet sind«.17. Magnetic core memory according to one of the preceding claims, characterized in that the conductor segments on both carriers form a 3-conductor, SD double herringbone wiring are interconnected «. 18. Verfahren zur Herstellung eines Magnetkernspeichers nach Anspruch 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet^ daß zunächst die Träger mit dem vorbestimmten Muster von Leiterseg-18. Process for the production of a magnetic core memory according to Claim 1 to 17, characterized ^ that initially the carrier with the predetermined pattern of conductor segments 0 9848/09060 9848/0906 -51--51- 262H93262H93 menten sowie mit öffnungen zur Aufnahme von Speicherelementen versehen werden, daß die Träger in eine erste relative Lage zueinander zum Einsetzen der Speicherelemente gebracht, anschließend gegebenenfalls relativ zueinander zur Aufnahme weiterer Speicherelemente verschoben und weitere Kerne eingesetzt werden, und anschließend in die endgültige gegenseitige Lage gebracht und die einander zugekehrten Leitersegmente miteinander elekzrisch gut leitend verbunden werdenelements as well as with openings to accommodate storage elements be provided that the carrier in a first relative position to each other for insertion of the Brought storage elements, then optionally relative to each other for receiving further Storage elements are moved and further cores are inserted, and then in the final mutual Positioned and the conductor segments facing each other connected to each other with good electrical conductivity will 09848/030609848/0306 LeerseiteBlank page