DE2546664C3 - Mit Ladungsverschiebung arbeitende Bildaufnahmeanordnung - Google Patents
Mit Ladungsverschiebung arbeitende BildaufnahmeanordnungInfo
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims description 27
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000003334 potential Effects 0.000 claims description 6
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims description 2
- 230000000977 initiatory Effects 0.000 claims description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 230000036633 rest Effects 0.000 claims 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 108050007228 CLNS1A Proteins 0.000 description 1
- 210000000614 Ribs Anatomy 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 235000013601 eggs Nutrition 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised Effects 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft eine mit Ladungsverschiebung arbeitende Bildaufnahmeanordnung mit einer Matrix
aus /77Spalten mit jweils »ladungsgekoppelten Zellen,
wobei jede Spalte ein lineares Schieberegister mit optischem Eingang bildet und Einrichtungen zum
Ingangsetzen der Verschiebung längs des Registers enthält.
Die Technik der Ladungsverschiebeanordnungen, die in der angelsächsischen Terminologie als Charge-Coupled-Devices
oder CCD bezeichnet werden, ist btreits bekannt und ihre Grundprinzipien sind beispielsweise in
einem Aufsatz von W. S. Boy Ic und G. E. Smith.
»Charge coupled semiconductor devices«, in der Zeitschrift »The Bell System Technical Journal«, April
1970, S. 587-593. und in einem Aufsatz von M. F.
Tompset'. //Charge transfer devices« in der Zeitschrift »journal of Vacuum und Science Technology«,
luli/August 1972. Band 9, Nummer 4, S. 1166-1181.
beschrieben.
Diese Anordnungen werden in bereits klassischer Weise verwendet, um lineare Register mit 77 Zellen
herzustellen in denen man «digitale oder analoge Informationen speichern und nach Belieben daraus
jn kann, oder um Bildaufnahmeanordnungen
lerzustellen, mittels welchen ein zweidimensionales
optisches Bild in eine elektrisches Signal umgewandelt
werden kann, welches sequentiell für die Lichtintensität
in den verschiedenen Elementarzonen des optischen Bildes kennzeichnende Informationen liefert. Es handelt
sich dabei um Matrizen, welche nxm ladungsgekoppelte
Zellen enthalten, die in Zeilen und in Spalten angeordnet sind und das abzutastende optische Bild in
/ixffl Elementarzonen zerlegen, welche durch jede der
nxm Zellen der Matrix verarbeitet werden. Derartige Matrizen, die einzig und allein Festkörperbauelemente
enthalten, sind geeignet, in vorteilhafter Weise die klassischen Bildaufnahmeanordnungen zu ersetzen, bei
welchen als Abtasteinrichtung ein Elektronenstrahl verwendet wird.
In den linearen Registern bestehen die in einer Linie
angeordneter) η Zellen aus zwei oder drei — je nach
dem, ob das Register zwei- oder dreiphasig arbeitet — MlS (Melall-Isolator-Halbleiter)- oder MOS (Metall-Oxid-Halbleiter)-Kapazitäten,
die nebeneinander angeordnet sind. Jede Zelle speichert die Informationen,
die sie empfängt, in Form von Minoritätsladungsträgern des dotierten Halbleiters, der als Substrat für das
System der MlS-Kapazitäten des Registers dient. Die elektrischen Ladungen, die diese Minoritätsladungsträger
darstellen, werden in einer an der Grenzfläche zwischen Isolator und Halbleiter der MlS-Kapazitäten
erzeugten Inversionsschicht gespeichert, indem an ihre metallische Elektrode eine passende Spannung angelegt
wird, deren Absolutwert größer ist als ein als Schwellspannung Vr bezeichneter Wert. Eine derartige
Spannung erzeugt in dem Halbleiter unter der betreffenden Elektrode eine Potentialmulde, die tatsächlich
aus einer mit Majoritätsladungsträgern unterbesetzten Raumladungszonc besieht, und hält, wenn sie
in ihrem Absolutwert den Schwellenwert erreicht und überschreitet, in der Inversionsschicht Minoritätsladungsträger
fest. Diese Minoritätsladungslrägcr, deren Menge für die Information kennzeichnend ist, werden in
dem Halbleiter entweder durch einen solche Ladungsti.iger
liefernden elektrischen Eingang, wobei die zu speichernde Information eine Torschaltung derart
beeinflußt, daß diese mehr oder weniger durchläßt, oder durch die Erzeugung von Elektronen-Löcher-Paaren
durch Absorption von Photonen gebildet, wobei die Menge des an jeder Stelle und somit auf jede Zelle
auftreffenden Lichtes die Menge von in jeder Zelle gespeicherten Minoritätsladungsträgern festlegt.
Die auf diese Weise in einer Zelle gespeicherten Informationen sind geeignet, von Zelle zu Zelle
verschoben zu werden, indem passende Spannungen an die Elektroden ihrer MlS-Kapazitäten angelegt werden.
Diese Spannungen erzeugen unter diesen Elektroden Potentialmulden, in denen die Ladungen angezogen
werden. Durch Verschieben dieser Potentialmulden längs des REgisters werden die Informationen verschoben,
die man auf diese Weise zu einem elektrischen Ausgang bringt, welcher ein Signal liefert, das
sequentiell die Informationen wiedergibt, die entweder seriell in den elektrischen Eingang des Registers oder,
wenn es sich um einen optischen Eingang handelt, parallel in die η Zellen eingegeben worden sind.
Zum Bilden einer Bildaufnahmematrix ordnet man mehrere lineare Register, beispielsweise ;u Register, mit
optischem Eingang nebeneinander an, wobei jede Spalte der Matrix aus einem Register besteht, während
iprlr» /pile aus den m MlS-Kapazitäten desselben
Ranges jedes Registers besteht. Jede der π Zellen jedes Registers integriert und speichert in Form von in den
Potentialmulden gespeicherten Ladungen die Information,
die für die Lichtintensität des optischen Bildes auf der der Zelle entsprechenden ElementaiTläche kennzeichnend
ist. Das auf diese Weise in nx m Elementarflachen
unterteilte optische Bild wird auf der Matrix in ein elektrisches Bild umgewandelt, welches aus nxm
Ladungsmengen besteht, welche die π χ m Lichtintensitäten auf den nxm Elementarflächen darstellen.
Das Hauptproblem dieser Matrizen besteht in der Entnahme der auf diese Weise in jeder Zelle der Matrix
gespeicherten Informationen.
Während nämlich die Verschiebung Zeile für Zeile parallel längs des Systems von m Registern zu einem
linearen Ausgangsregister ausgeführt wird, an welchem dann die Informationen seriell entnommen werden, wird
das optische Bild weiterhin auf der Matrix integriert, wodurch eine Löschung des Bildes hervorgerufen wird.
Die Verschiebungszeit, die für das Entnehmen eines vollständigen Bildes erforderlich ist, ist nämlich lang, da
/l-mal ein m Informationen enthaltendes Ausgangsregister
geleert werden muß.
Um diese Löschung des Bildes zu vermeiden, die diese
Matrizen unbenutzbar machen würde, ist bereits eine Anordnung vorgeschlagen worden, bei welcher die
Zeilenzahl der Matrix verdoppelt ist, so daß zwei Zonen vorhanden sind, die zwei unterschiedliche Funktionen
haben, welche sich gegenseitig nicht stören. In einer ersten Zone, auf die das abzutastende optische Bild
projiziert wird, erfolgt die Integration der optischen Informationen und ihre Transformation in elektrische
Ladungen, die in den Zellen mit MlS-Kapazitäten gespeichert werden. In einer zweiten Zone, die das
optische Bild nicht empfängt, erfolgt die zeilenweise Entnahme der Informationen. Eine schnelle zeilenweise
Verschiebung gestattet, die in der ersten Zone gespeicherten Informationen in die zweite Zone zu
übertragen.
Die Schnelligkeit dieser Parallelverschiebung verhindert eine Löschung des Bildes. Die serielle Entnahme
jeder Zeile kann in der zweiten Zone, die das Bild nicht empfängt, langsam vonstatten gehen.
Ein offensichtlicher Nachteil einer solchen Anordnung besteht darin, daß sie die Verwendung einer
platzraubenden und teueren Matrix erfordert, da diese anstelle von nxm Zellen 2 χ nxm Zellen und eine
doppelte Fläche haben muß.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Festkörper-Bildaufnahmeanordnung
zu schaffen, bei welcher die zum Abtasten von nxm Elementarflächen eines optischen
Bildes geeignete Matrix nur nxm ladungsgekoppelte
Zellen enthält und dabei die Erzielung eines deutlichen Bildes unter Bewahrung eines hohen Auflösungsvermögens
gestattet.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine mit Ladungsverschiebung arbeitende Bildaufnahmeanordnung der
eingangs genannten Art gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß, da die Vcrschiebungsingangsctzeinrichtungen
den in Registern gemeinsam sind, die //) Register jeweils Einrichtungen zur Sperrung der
Verschicbungsingangsctzeinrichtungen enthalten, wobei die Sperreinrichtungen von m-l Registern so
gesteuert werden, daß die Verschiebung längs der m- 1 Register gesperrt wird, und wobei die Sperreinrichtungen
des m-ten Registers so gesteuert werden, daß die Verschiebung längs des m-ten Registers ausgeführt
werden kann; und daß Einrichtungen vorgesehen sind
zum sequentiellen Entnehmen der in den η Zellen jedes
der m Register enthaltenen η Informationen im gleichen Maße wie die m Verschiebungen, die unabhängig
voneinander längs, der m Register ausgeführt werden.
Da somit bei der Bildaufnahmeanordnung nach der Erfindung die in den π χ m Matrixzellen als elektrische
Ladungen gespeicherten Informationen Spalte für Spalte entnommen werden, indem Steuereinrichtungen
die Verschiebung individuell längs jedes Registers ingang setzen und gleichzeitig die Verschiebung längs
der m— 1 anderen Register blockieren, ist die Verschiebungszeit eines Registers ausreichend kurz, so daß die
längs dieses Registers gespeicherten Informationen nicht gelöscht werden. Die anderen Register werden
während dieser Zeit nicht gestört, da darin keine Verschiebung stattfindet und da sie fortfahren, das
optische Bild, welches sie empfangen, normal /u integrieren.
Weiterbildungen, Vorteile und Ergebnisse der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielcn. In den Zeichnungen zeigt
l7ig. I eine schematischc Ansicht einer Bildaufnahmeanordnung
nach der Erfindung,
E i g. 2 und 3 zwei zueinander rechtwinklige schcmalisehc
Schnittansichten eines Teils der Matrix von Ei g. I,
I"ig.4 und 5 Kurven, welche die Arbeitsweise einer
Bildaufnahmeanordnung nach der Erfindung nach der Erfindung in zwei Varianten veranschaulichen,
Fig.6 eine schematische Schnittansicht eines Teils
einer abgewandelten Ausführiingsform der Matrix nach
der Erfindung und
Fig. 7 Kurven, welche die Arbeitsweise einer Bildaufnahmeanordnung veranschaulichen, bei welcher
eine Matrix gemäß F i g. 6 verwendet wird.
In der folgenden Beschreibung und in den Zeichnungen
sind die verwendeten Ladungsverschicbeanordnimgen
J-Phasen-Ladungsvcrsehiebeanordnungcn. Selbstverständlich
ist die Erfindung ebensogut bei an sich bekannten 2-Phasen-l.adungsversehiebeanordnungcn
anwendbar.
Wie oben bereits kurz erwähnt, enthüll eine erfindungsgemaße Festkörperanordnung für die Bild
aufnahme eine Matrix mit nxm ladungsgekoppelien
/eilen, die in m Spalten von jeweils η Zellen ungeordnet
sind. Da es sich hier um JPhasen-Ladungsvoi'schieheiinordnungen
handelt, enthält jede Zelle drei benachbarte MIS Kapazitäten, die durch drei leitende Elektroden
lcsigclogt sind.
Iu Fig. I ist jede Spalte der Matrix tatsächlich ein
lincurcs Register Ki, Rj... /?«„ welches uus η Zellen <
Ί. O... Cn mit jeweils drei M IS-Kiipiizitiltcn besteht.
Die m Register sind in einer für diese Art von
Matrizen im sich herkömmlichen Anordnung auf ein und
demselben Halbleitersubstrat I hergestellt, wie es die
I' i g. 1,2 und 3 /.eigen, in welchen gleiche Bezugs/eichen
gleiche Elemente bezeichnen,
Diis Substrut I besteht beispielsweise «us N-Ieitendem
Silicium, das mit einer dielektrischen Schicht 2 überzogen ist, die beispielsweise uus Siliciumdioxid
bestehen kann. Leitende Elektroden, drei pro Zelle — nltmlich die Elektroden /in, £12. /i'u für die erste Zelle
des Registers Ki; die Elektroden £21, £22, Zi1Ji für die
/weile Zelle; usw. - sind iitif die Schicht 2 uufgcbrueht,
um die MOS-Kiipn/illUen der ladungsgekoppelt
Zelk-n /u bilden.
Wie in den IMg. 1 und 2 diirgestclll, sind die
Elektroden /Ή. /Ί.,.. ,dem System der Register Ki, ..K11,
t Mn die Vormischung der in einer Zolle
eines Registers gespeicherten Ladungen mit den in den benachbarten Zellen der benachbarten Register gespeicherten
Ladungen zu vermeiden, oder, anders ausgedrückt, um /J/ MOS-Kapazitäten längs ein und derselben
Elektrode Eu ... E„j effektiv festzulegen und um m
getrennte Register /?i... K,„ zu erhalten, zerlegt man die
Matrix in Spalten, indem beispielsweise auf dem Substrat 1 unter der Oxidschicht 2 Diffusionen des
/V* -Leilungstyps ausgeführt werden, welche äquidistante
parallele Streifen 3 bilden. Diese Streifen 3 von /V4-Diffusionen haben eine Schwellspannung, die
größer ist als die des N-Substrats. Indem für die an die
Elektroden angelegten Steuerspannungen sowohl für die Integration als auch für die Verschiebung Werte
gewählt werden, die zwischen der Schwellspannung der MOS-Kapazitäten und der der /V*-Diffusionen liegen,
werden die unter den verschiedenen Register R\ ... R11,
erzeugten Potcntialmulden wirksam voneinander isoliert. Andere bekannte Isolierungsverfahren sind hier
ebenfalls anwendbar.
Von den Elektroden /Tu, f-\2... sind jeweils alle dritten
miteinander verbunden, da es sich hier um eine Anordnung mit drei Phasen Φι, Φ2 und
</>j handelt, an die die Taktspannungen für das Einschreiben und für die
Verschiebung angelegt werden, wie weiter unten gezeigt werden wird.
F-ün lineares Ausgabcregister Kv das aus in Zellen mit
beispielsweise drei Illektroden besteht, wenn es sich hier
ebenfalls um ein Register mit drei Phasen t; 1. </:. ι/1
handelt, ist auf demselben Substrat 1 wie die Matrix selbst angeordnet. Das Register R, ist in der Lage, zu
einer Ausgangsdiode IK welche ein elektrisches Signal <■
abgibt, die Ladungen zu übertragen, die für die eingetragenen Informationen kennzeichnend sind, welehe
es von der Matrix aus fix mZellen empfängt.
(iemäßder Erfindung sind Einrichtungen vorgesehen,
die die Verschiebung der in den Zellen der Matrix gespeii horten Ladungen von Register zu Register in
(lang setzen. Während eines der in Register Wi ... Rn, m
das Ausgiiberegisler K* entleert wird, verschiebt dieses
die Informationen im gleichen Maße zu tier Ausgangs
diode IK wobei an seine drei Phasen </1, </■.>.
</ ( passende I iikispiinnungcn synchron mit den Taklspaniuinycn der
Phasen Ψι.'/'j,
</'ider Matrix angelegt werden. Während
derselben Zeit sperren die gemäß dor l-rfindunj:
vorgesehenen Einrichtungen die Verschiebung längs der »1- I anderen Register, in denen das Bild weiterhin
integriert und gespeichert wird.
Die zum Leeren eines Registers erforderliche /oil ist
ausreichend kurz, um zu vermeiden, dull der in diesem
Register gespeicherte Bildteil gestört wird. Die anderer
Register werden selbstverständlich nicht gestört, da ir
ihnen keine Verschiebung stattfindet.
Die Erfindung wird nunmehr ins einzelne gehend in Rahmen einer Art der Ausführung der Einrichtungei
zur Steuerung der registerweisen Verschiebung be schrieben.
Eine weitere Betrachtung der IMg. I. 2 und 3 zeig
eine Leiterbahn G,, Ci1 .,. Cl111, die jedes Register Wi..
fto W11, bedeckt und von seinen Elektroden durch ein«
Isolierschicht 4 isoliert ist. Diese Leitcrbuhneu sin« beispielsweise Aluminiumstrelfcn, wenn dtis ub/.utustcn
de Bild iitif die freie Seite des Substrats 1 projiziert wird
wenn es durch diese Streifen himliirehprojizieri wird. s<
ist klnr, dull sie, ebenso wie die linderen Schichten, di
zwischen dem Bild und dem Substrat liegen, uns einen triimpurenlen oder hulbtrunspiirentcn Loitermulerin
hergestellt werden müssen. Die Schicht 4 ist beispieh
\o
weise ein Oxid, welches auf der Gesamtheit der Matrix thermisch hergestellt wird; in diesem Fall bestehen die
Elektroden Ew ... Eni aus einem hochwarmfcsten Metall,
beispielsweise aus polykristallinem Silicium.
Wie Fig. 3 zeigt, wird eine an die Leiterbahn G\ des
auf diese Weise auf der Matrix durch die Gesamiheit der Bahnen Ci bis C, gebildeten Gitters das Potential V, der
Grenzfläche S in den Zwischenräumen zwischen den Elektroden steuern. Man kann durch Verändern dieses
Potentials die Verschiebung längs des Registers blockieren oder in Gang setzen, was anhand von F i g. 4
erläutert wird.
In Fig.4 sind schematisch bei (a)die Elektroden Ew.
En. Eu ... in einer Schnittansicht längs eines Registers
(wie in Fig.3) dargestellt, wobei zur übersichtlicheren
Darstellung in der Figur der Halbleiter, die verschiedenen Oxidschichten und die Leiterbahn G\ weggelassen
sind.
Bei (b), (c), (d). (c) und (f) sind Kurven der Änderung
des Potentials V1 an der Grenzfläche .S' zwischen ϊο
Siliciumdioxid und Silicium in Abhängigkeit von der Strecke .v längs des Registers dargestellt. Diese Kurven
entsprechen: bei (b) und (c) dem Niehtvorhandenscin
einer Verschiebung und bei (d) bis (I) verschiedenen /.eilpunkten einer Verschiebung.
Zur Erzielung der Polcntialkonriguration der Kurve (b) legt man die Leiterbahn 6Ί an eine derartige
Sperrspannung Van. dall die Grenzflächenpoteniiale
V.sr; in den Zwischenräumen /wischen den Elektroden Huf dem Refcrcnzpoiential und beispielsweise auf 0 Volt jo
sind. Die Grenzflächenpotentiale unter den verschiedenen Elektroden sind durch die an die Phasen Φι, Ψ2 und
'/'ι angelegten Spannungen festgelegt. Die Wahl dieser Spannungen erfolgt im Prinzip gemäß den bereits
klassischen Regeln der l.adungsveischiebeanordnungen. Tatsächlich ist sie hier ein wenig verschieden.
Die Kurven ^und ^entsprechen dem Nichtvorhandensein
einer Verschiebung längs des Registers Wi. da die Leiterbahn (1\ /wischen den Elektroden Potentialwalle
erzeugt, die von den Ladungen, die in den unter
den Elektroden vorhandenen Poieniialmulden gespeichert
sind, nicht überwunden werden können. Sie entsprechen somit einer Integrationspenode des Hildes
durch das Register Wi. Während aber diese Integration stattfindet, ist eines von den m- I anderen Registern in
einer Verschiebeperiode. Die an seine Elektroden über die Phasen Ψ,, «/>.· und '/»1 angelegten Spannungen
schallen somit zwischen zwei Werten um, von denen der eine negativer ist als der andere, damit in dem
betreffenden Register die Verschiebung ermöglicht J° wird. Das Register Wi wird somit Ludungen in den drei
MOS-Kapuzitulen jeder seiner Zellen Mimmeln und
speiehern, wllhrend üblicherweise «Hein eine dieser drei Zellen zur Speicherung dient. Mun muli somit die
negiiiiven Spannungen Vi und V» wühlen, zwischen
denen die Phasen umgeschaltet werden, um gleichzeitig die Verschiebung lungs des betreffenden Registers und
die Integration der Ladungen in den anderen Registern zu ermöglichen, Man wllhll vorteilluifterweise
wobei Vf die oben definierte Schwellspannung ist,
15Ie Tatstiche, daß die Spannung | Vi| kleiner ist uls die
Spannung |V?| erlaubt, dull die Verschiebung von Ladungen in dein betreffende Register In zweckmäßiger
Welse von den durch die Spannungen Vi gesteuerten KupuzlilUcn zu den durch die Spannung V1 gesteuerten
benachbarten Kapazitäten erfolgt. Die durch die
60 Spannungen V, und V2 gesteuerten Grenzflächen S
liegen auf dem Potential V91 bzw. Vy2.
Die Tatsache, daß die Spannungen | V;| und | V2| beide
größer als die Spannung | V^ sind, erlaubt, daß die Integration und die Speicherung in zweckmäßiger
Weise in den m-\ Registern ausgeführt werden, in welchen keine Verschiebung stattfindet, und zwar trotz
des Vorhandenseins einer Verschiebung in dem m-ten Register.
In den Registern, die sich in einer Iritcgrationsperiode
befinden, werden nämlich die drei MOS-Kapazitäten jeder Zelle nacheinander ihre Elektrode auf einem
Potential V) haben, da eines von den m Registern immer
in einem Vcrsehicbungszustand ist. Es ist somit erforderlich, daß die MOS-Kapazitäten, an die das
Potential Vi angelegt ist, die positiven Ladungen
bewahren können, die darin gespeichert worden sind. Aus diesem Grund ist es erforderlich, daß | V||
> | V;| ist. Deshalb werden die positiven Ladungen, die während einer Integration von den Kapazitäten angezogen
worden sind, welche die tiefsten Potentialmuldcn darstellen, d. h. von denjenigen, die durch die Spannungen
V2 gesteuert werden, darin bleiben, wenn an diese
Kapazitäten die Spannungen Vi angelegt werden. Die drei Kapazitäten jeder Zelle werden somit Ladungen
integrieren und speichern. Das wird durch die positiven Ladungen dargestellt, die an den Kurven (b) und (c) in
die Potentialmuldcn eingezeichnet sind, welche unter den drei Elektroden jeder Zelle vorhanden sind.
Wenn es sich darum handelt, die Verschiebung längs eines Registers, beispielsweise längs des Registers Wi, in
Gang zu setzen, damit die Informationen, die es enthält, das Ausgaberegisier Rs füllen, schaltet man die an die
Leiterbahn ΟΊ angelegte Spannung auf einen negativen Wert um, der als Verschicbespannung Va bezeichnet
wird. Der Wert dieser Verschiebespannung \'\,i hängt
von der betreffenden Ausführungsform ab. In allen !"allen soll er so groß sein, daß für das Potential Vs<;\ der
(iren/fläche S in den Zwischenräumen zwischen den
Elektroden gilr.
In dem in l'ig. 4 dargestellten EaII, in welchem die
klassischen Probleme der Oberflächen/usiiiiule nicht
berücksichtigt sind, weil sie em weder durch zusätzliche
Maßnahmen gelösi sind oder weil beispielsweise die
Verschiebung gemäß an sich bekannten Verfahren im Volumen stattfindet, ist V<,j derart gewählt, daß gilt
Vv(Ji = V'si. wie es die Kurve (d) ζι.'ΐμΐ, die dem Anfang
der Verschiebung entspricht. Wahrend di«s« Spaiuuint
Vf;; an die Leiterbahn Gi ungelegt ist, liegt an dct
Leiterbahnen Gj ·<· Gn, der anderen Register dit
Sperrspannung Vs/jun.
In einer ersten Zelt der Verschiebung, welches die be
fdJdurgeMcllic ist. werden die in den drei MOS-Kapuzi
tllten jeder Zelle gespeicherten Ladungen in ein un< derselben Kapazität zusummengcfaUt, und zwar ii
derjenigen Kupu/itUt, deren Poteniiulmulde am tlefsiei
ist - hier unter den Elektroden Um, /.».... /:'„j.
In einer zweiten Zelt, wenn die Spannungen Vi und V
umschulten, wobei die Phase Φ? von Vj auf Vi geh
wlthrend die Phase «/»1 von Vi auf V3 geht und die l'has
Φι auf Vi bleibt, erfolgt die Übertragung normal Ιΐΐημ
des Registers Wi, wobei die Ladungen von den an di
Phase Φι angeschlossenen Elektroden unter diejenige
gehen, die an die Phase Φι angeschlossen sind, Kurve
(c) und ((). Danach wird die Phase Φι von Vi auf I
umgeschüttet, wahrend die Phase Φ, von V; auf \
umgeschaltet wird, wobei die Ladungen dann unter die mit der Phase Φ\ verbundenen Elektroden gehen usw.
Eine Steuereinrichtung 5. beispielsweise ein Schieberegister
mit mStufen, legt an alle Leiterbahnen Ci ...
Gm mit Ausnahme einer Leiterbahn die Spannung Vcβ
an, welche die Blockierung der Verschiebungen längs der entsprechenden Register bewirkt. |ede der m Stufen
des Registers 5 legt der Reihe nach an die Leiterbahn, die sie steuert, die Verschiebespannung Vr,/ an. Die
Umschaltung der Verschiebespannung von einer Leiterbahn zur nächsten des Gitters Ci... Gn, erfolgt mit einer
Taktfrequenz, die von der Dauer T der Elementarverschiebung
eines linearen Registers abhängt, d. h. von der Dauer der Verschiebung von einer MOS-Kapazität zur
nächsten, und von der Anzahl der Zellen des Registers. Zu diesem Zweck arbeitet der Eingang 6 des
Schieberegisters 5, der diese Umschaltung steuert, mit dem Taktgeber synchron, der die Umschaltung der
Phasen Φι, '/>>
und '/»ι steuert.
Die Maßnahmen, die oben beschrieben worden sind und die darin bestehen, die Verschiebungen längs der
Register mit Hilfe eines leitenden Gitters zu blockieren oder in Gang /u setzen, das mil unterschiedlichen
Spannungen vorgespannt ist. weisen eine gewisse Anzahl zusätzlicher Vorteile auf, welche die Bildaufnahmeanordnungen
nach der Erfindung besonders interessant machen.
Wahrend der Verschiebung sind nämlich die Zwischenräume
/wischen den Elektroden durch dieses Gitter passend vorgespannt und ein klassisches Problem
der ladungsgekoppelten Anordnungen, nämlich das des Potentialwalls aufgrund dieser Zwischenräume stellt
sich nicht mehr. Die Elektroden können also mit ausreichendem Abstand voneinander und insbesondere
mit einem Abstand von mehr als Jjini angeordnet
weiden, wobei es sich um eine Abmessung handelt, die in derartigen Anordnungen gewöhnlich kritisch ist.
Daraus resultiert eine Vereinfachung bei der Herstellung der Matrix, du die Photogravüreioleranzen viel
größer sein können.
lim \\euerer Vorieil betnl'lt d,is Problem der
»()herflachen/usr.iiule«, d. h. der l-'angsidlen, die .111 der
(iien/lläche .S'/wischen Siliciumdioxid und Silicium sehr
schnell einen Teil der Ladungen der Information wiihrend der Verschiebungen einlangen können und sie
sehr liingsiiin wieder freigeben, während die Verschiebungen
fortgesetzt werden, wodurch tier Verschie-Iningswii
kungrigniil gesenkt wird.
Es ist bislmg bekannt, diese Oberllächcn/tisiände
unlei dun Elektroden Mündig /.u siiuigen. indem ein so
»Üodensutz« von Ladungen mit Hilfe eines elektrischen
Eingunges in die Register eingegeben wird. Indem die
Elektroden der Register immer derart vorgespannt werden, daß unter diesen Elektroden eine Riuimludung
aufrechterhalten wird, sättigen dort die Ladungen des s$ Ludungsbodensotzcs ständig die Oberflttehenzuslünde.
Dagegen werden in dun Zwischenräumen oder »gaps«
/wischen den Elektroden die ObcrflUchen/ustundc nicht
gesättigt, du es dort keinen ständigen Ludungsbodensttt/. gibt. to
In den Matrizen mich der Erfindung weisen auch die
Zwischenräume /wischen den Elektroden der Register wahrend der Verschiebungen Rnumludiings/onen auf.
und zwar dunk der Leiterbuhnen Cn.,. Cn, die durch die
Versehlebespunnung Vornegutiworgespunnt sind, Sie 6j
können sogar, wenn clic Spannung VnHm Absolutwert
größer Ist uls die Schwellsptinnung Vn Inversionsschieh·
ten aufweisen, die in der Luge sind, positive Ludungen festzuhalten. Es ist auf diese Weise möglich, die
Oberflächenzustände nicht nur unter den Elektroden sondern auch zwischen ihnen zu sättigen, was anhanc
von F i g. 5 deutlich werden wird.
Zu diesem Zweck erlaubt ein an sich herkömmlichei elektrischer Eingang, der in Fig.3 schematisch durch
die Diode IO und die Torschaltung 11 dargestellt ist, ir
jedes Register Grundladungen Qa einzugeben. Bevor die
Abtastung eines Bildes ausgeführt wird, bringt man alle Leiterbahnen C, ... Gn, auf das Verschiebepotentia
V(;r, welches hier im Absolutwert größer als die
Schwellspannung V7- ist, und durch Aufsteuern det
Torschaltung 11 läßt man die Grundladungen Q passieren. Die Verschiebung längs aller Register wire
derart gesteuert, daß sie mit diesen Grundladunger gefüllt werden. Man steuert außerdem die Torschaltung
11, die ein Register mit Grundladungen Q0 speist
jedesmal dann auf, wenn man eine Verschiebung läng; dieses Registers veranlaßt.
Nachdem die vorangehende Operation des Füllen; der Register mit Grundladungen ausgeführt worden ist
geht man zu der Abtastung des Bildes über, wie ober beschrieben. Wenn die Gilterstreifen C, ... Cn, an dei
Sperrspannung VCfl liegen, Kurve (c) von F i g. 5, gehen
die zuvor in der Inversionsschicht der Zwischenräume zwischen den Elektroden gespeicherten Ladungen clci
Grundladungen in die Raumladungszonen unter der Elektroden. Die MOS-Kapazitäten speichern so nichl
nur die Ladungen Q„ die dem abgetasteten Bild
entsprechen, sondern auch die Grundladungen Q0.
Wenn die Verschiebung längs eines Registers in Gang gesetzt ist, Kurve (J) von I- i g. 5, werden die dem Bile
entsprechenden Ladungen ζλ unter den Elektroden
zusammengefaßt, welche die tiefsten Potentialmulden aufweisen, während Ladungen Qn in die Potentialmulden
gehen, die unter den Zwischenräumen /wischenden
Elektroden durch das (iitterpotential l',,/ er/cugl
worden sind.
Wenn danach die Verschiebung fortgesetzt wird Kurven (c) und (I), wobei die Oberfliichen/iisiilnde
überall einschließlich zwischen den Elektroden durch Ladungen Q0 gesättigt sind, werden die die Informationen
kennzeichnenden Ladungen vollständig verschoben.
I·" 1 g. b zeigt schematise!! in einer Schnitiiinsicht längs
eines Registers, beispielsweise längs des Registers R\
eine Abwandlung der Matrix nach der Erfindung, clic sich von der von Fig. i durch die Geometrie ihrer
Oxidschicht 4 unterscheidet. I- i g. 7 dient zur Erläuterung
ihrer Betriebsweise.
Es handelt sich hier, wie in dem Pull von F-"ig.4. um
Lndungsversehieberegisier, in welchem mnn Oberfl«·
chen/usMnde nicht berücksichtigt, beispielsweise wenn
es sieh ubermuls um Register mit Ludungsverschicbung
im Volumen hundclt. die mnnchmul mich uls Regster
»mit vergrabenem Kunul« bezeichnet werden, bei
weichen diese Obcrnitehe11zustttr.de keinen Einfluß uul
die Verschiebung hüben.
Es ist in diesem Full nützlich, unter den Zwischenräumen
/wischen den Elektroden Inversionsschichten uurreehiZuerhulten, und mnn kunn Verschiebungen
vornehmen, indem on die Leitorbahn des betreffenden Regster«,, beispielsweise un die Leiierbnhn Oi des
Registers «,, die an die !»hasten Φι, Φί uno Φι ungelegte
Spunnung umgeschaltet wird, wie in den FI g. 6 und 1
dargestellt.
In einer ersten Zeil, die mit den beiden vorungehen·
den Fallen Identisch lsi, Ist dus Potential der Leiterbahn
Ci das Sperrpotential Van, Kurve (b).
Während einer Zeit, die der Zusammenfassung der Ladungen unter den mittleren Elektroden der Zellen,
d. h. unter denjenigen Zellen, die mit der Phase «/»> verbunden sind, Kurve (c), und der Verschiebung der
Ladungen dieser Elektroden zu den mit der Phase Φι
verbundenen Elektroden entspricht, Kurven (d) und (c),
wird das Potential der Leiterbahn G\ in jedem Zeitpunkt das Potential der Phase Ψ; sein. Da keine Ladung
zurückbleibt, wie es in 1: i g. 5 der Fall war, wird auf diese
Weise die Dynamik der Anordnung vergrößert, welche Informationen mit größerer Amplitude abtasten kann.
Außerdem, und im Gegensat/, zu dem, was sich in der
Anordnung von F i g. 4 ergeben würde, ist die Verschiebung gleichmäßiger als in F i g. 4, da das
Potential der Grenzfläche .S' des Zwischenraumes
zwischen den Elektroden /wischen zwei Kapazitäten, zwischen denen die Verschiebung erfolgt, immer
zwischen den Potentialen der Grenzflächen S dieser beiden Kapazitäten liegt.
Wenn es sich darum handelt, die Ladungen der mit der Phase
</'i verbundenen Elektroden /u den mit der
Phase </'i vei'.mndenen Elektroden zu verschieben,
Kurven (f)iuvi (g), wird das Potential der Leiterbahn G\
auf die Phase </»i umgeschaltet, so daß gilt V(;, = W»i
usw.
Zur Erzielung einer solchen Arbeitsweise ist die Matrix in der in E i g. b dargestellten Weise aufgebaut
Die die Gitiersircil'en G\ ... Gn, bildende Aluminiumschicht
ist in den Zwischenräumen zwischen der
Elektroden von dem Halbleiter I durch dieselbe Oxidschicht 2 wie die Elektroden des Registers getrennt
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
- Palentansprüche:I. Mit Ladungsverschiebung arbeitende Bildaufnahmeanordnung mit einer Matrix aus m Spalten S mit jeweils η ladungsgekoppelten Zellen, wobei jede Spalte ein lineares Schieberegister mit optischem Eingang bildet und Einrichtungen zum Ingangsetzen der Verschiebung längs des Registers enthält, dadurch gekennzeichnet, daß, da die Verschiebungsingangsetzeinrichtungen den /77 Registern (R\ ... Rn,) gemeinsam sind, die m Register jeweils Einrichtungen zur Sperrung der Verschiebungsingangsetzeinrichtungen enthalten, wobei die Sperreinrichtungen von /77—1 Registern so gesteuert werden, daß die Verschiebung längs der /77-!Register gesperrt wird, und wobei die Sperreinrichtungen des /77-ten Registers so gesteuert werden, daß die Verschiebung längs des /7j-ten Registers ausgeführt werden kann; und daß Einrichtungen vorgesehen sind zum sequentiellen Entnehmen der in den /1 Zellen jedes der /77 Register enthaltenen η Informationen im gleichen Maße wie die /7? Verschiebungen, die unabhängig voneinander längs der /7? Register ausgeführt werden.
- 2. Anordnung nach Anspruch 1, bei der die Zellen der Register aus MIS-Kapazitäten bestehen, die durch die leitenden Elektroden (Eu, E12, ...) festgelegt sind, welche auf einer Isolierschicht (2) gebildet sind, die ihrerseits auf einem Halbleitersubstrat (1) ruht, wobei die Elektroden Teil der Verschiebungsingangsetzeinrichtungen sind und gestatten, längs der Register die elektrischen Ladungen zu verschieben, welche durch die Lichtinformationen erzeugt worden sind, die sie empfangen; bei der die /77 Register (R\ ... Rn,) auf demselben Halbleitersubstrat (1) angeordnet sind; und bei der Einrichtungen (3) vorgesehen sind zum Isolieren der in einem Register erzeugten Ladungen von den in den benachbarten Registern erzeugten Ladungen, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Sperren der Einrichtungen zum Ingangsetzen der Verschiebung längs jedes Registers aus Einrichtungen bestehen zum Steuern des Potentials (Vsa) der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator in den Zwischenräumen zwischen den Elektroden der verschiedenen Register, wobei diese Einrichtungen das Potential auf einen Wert bringen, der die Verschiebung, die normalerweise durch die gemeinsamen Elektroden in Gang gesetzt wird, in /77— I Registern sperrt, und das Potential auf einen Wert bringen, der die Ausführung der Verschiebung in dem /77-ten Register gestattet.
- 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Steuern des Grenzflächenpotentials der Zwischenräume zwischen den Elektroden der /77 Register ein leitendes Gitter enthalten, welches aus m Leiterbahnen (G\... Cn,^ besteht, die jeweils auf jedem der /77 Register (R\ ... Rn,) gebildet sind, weiche zuvor mit einer Schicht. (2) aus einem Isoliermaterial überzogen worden sind, wobei die Leiterbahnen des Gitters in der Lage sind, die von ihnen gesteuerten Grenzflächen der Zwischenräume zwischen den Elektroden der Register auf vorbestimmte Potentiale zu bringen. wenn an sie Taktspannungen angelegt sind.
- 4. Anordnung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Einrichtungen zur Steuerung des Gitters, die an tv- I seiner Leiterbahnen eine Sperrspannung (Vcb) anlegen, welche die Potentiale der Grenzfläche der Zwischenräume zwischen den Elektroden der entsprechenden m-\ Register auf den Wert bringt der die Verschiebungen sperrt, und die an die /77-te Leiterbahn eine Verschiebespannung (VCT) anlegen, welche die Grenzflächenpotentiale der Zwischenräume zwischen den Elektroden des entsprechenden Registers auf den Wert bringt, der die Verschiebung gestattet, wobei die Einrichtungen zum Steuern des Gitters die Verschiebespannung (Vct) nacheinander an jede der m Leiterbahnen des Gitters während einer Zeit anlegen, die von der Anzahl /7 der Zollen der Register und von der Verschiebungszeit in einer Zelle abhängig ist.
- 5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Steuern des Gitters ein Schieberegisters (5) mit m Stufen und /77 Ausgängen enthalten, die jeweils mit einer der m Leiterbahnen des Gitters verbunden sind.
- 6. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der /71 Register einen elektrischen Eingang (10, U) hat, der ihm während jeder Verschiebung elektrische Grundlagen (Qo) liefert, die zum Sättigen der Oberflächcnzustijnde der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und dem Isolator des Registers dienen.
- 7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis b. dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum sequentiellen Entnehmen der in den /7 Zellen jedes Registers enthaltenen Informationen im gleichen Maß wie die Verschiebung des Registers ein lineares Ausgabeschieberegister (Rs) enthalten, welches auf demselben Substrat wie die /77 Register der Matrix angeordnet ist und m Zellen enthält, welche die jedes der n? Register der Matrix verlassenden Ladungen aufnehmen und sie zu einer Ausgangseinrichtung (gleiten.
- 8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die linearen Schieberegister 3-Phasen-Register sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7435146A FR2288373A1 (fr) | 1974-10-18 | 1974-10-18 | Dispositif image a transfert de charges |
FR7435146 | 1974-10-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2546664A1 DE2546664A1 (de) | 1976-04-22 |
DE2546664B2 DE2546664B2 (de) | 1977-01-13 |
DE2546664C3 true DE2546664C3 (de) | 1977-08-25 |
Family
ID=
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