DE2523982B2 - Process and device for maskless vapor deposition, as well as use of the process IBM Deutschland GmbH, 7000 Stuttgart - Google Patents

Description

Materialbeschichtung in der Art feinststrukturierter Geometrien im Bereich von etwa 1 bis 25 μίτι wird heute durch Maskierungetechniken bewerkstelligt Beispielsweise in der Halbleiterfertigung werden derartige Maskierungstechniken α a. bei der Chrommasken-Herstellung und bei der Herstellung von Diffusionsfenstern auf einer Halbleiterscheibe benützt In jedem dieser Fälle wird in einem Parallelprozeß die gesamte Maske bzw. die gesamte Halbleiterscheibe bearbeitet Daneben treten jedoch auch Fälle auf (z. B. die Reparatur von Chrommasken oder von flächenhaften Leiterzügen auf Halbleiterscheiben oder Schaltungskarten), bei denen man aus Gründen einer möglichst hohen Ausbeute an Gutteilen eine Materialbeschichtung streng lokalisiert aufbringen muß, ohne daß dabei das restliche fertige Produkt in seinem Zustand verändert wird.Material coating in the manner of finely structured Geometries in the range from about 1 to 25 μίτι is used today achieved by masking techniques. For example, in semiconductor manufacture, such Masking Techniques α a. in the manufacture of chrome masks and in the manufacture of diffusion windows used on a semiconductor wafer In each of these cases, the entire mask is used in a parallel process or the entire semiconductor wafer processed. However, there are also cases (e.g. the repair of Chrome masks or flat conductor tracks on semiconductor wafers or circuit cards) where a material coating is strictly localized for reasons of the highest possible yield of good parts must apply without the rest of the finished product being changed in its condition.

Es ist bekannt daß mit hochenergetischen Strahlen, z. B. mit Laserstrahlen, Materialien verdampft werden können. Dies kann u. a. dazu benutzt werden, um z. B. Fehlstellen auf Chrommasken infolge überschüssiger Chromflecken durch Abdampfung zu reparieren. Es ist jedoch bisher kein Verfahren bekannt, mit dem es gelingt, auf ähnliche Weise genau lokalisiert fehlendes Material zuverlässig aufzubringen.It is known that with high energy rays, e.g. B. with laser beams, materials are vaporized can. This can include be used to z. B. Defects on chrome masks as a result of excess Repair chrome stains by evaporation. However, so far no method is known by which it succeeds in reliably applying missing material precisely localized in a similar manner.

In der US-Patentschrift 35 60 258 ist ein Verfahren zur Ausbildung eines Verbindungsmusters auf einem Substrat angegeben, bei dem eine mit einem verdampfungsfähigen Material beschichtete Glasplatte über dem Substrat angeordnet und von der unbeschichteten Rückseite einem intensiven Energiestrahl ausgesetzt wird. Dabei soll sich das Muster (oder Teile davon) von der Glasplatte auf das zu beschichtende Substrat übertragen. Mit einer derartigen Verfahrensanordnung durchgeführte Untersuchungen haben jedoch ergeben, daß eine solche Vorgehensweise nicht zum gewünschten Erfolg führt. Wie später im Zusammenhang mit der Beschreibung von F i g. 1 noch näher erläutert werden wird, versagt dieses Verfahren, da der nach der Materialabdampfung von der Trägerplatte auf den zu beschichtenden Substratbereich treffende intensive Energiestrahl dort sogleich eine Sekundärverdampfung bewirkt. Um einen guten Wirkungsgrad bei einer solchen Materialübertragung zu erzielen bzw. um eine mit Maskenprozessen vergleichbare Genauigkeit der resultierenden Strukturen zu erreichen, kann der Abstand zwischen dem Materialträger, von dem das Material abgedampft werden soll, und dem zu beschichtenden Substrat nicht ohne weiteres größer gewählt werden. Vielmehr ist dazu gerade ein extrem geringer Abstand erforderlich.In US Pat. No. 3,560,258 there is a method of forming a connection pattern on a Specified substrate in which a coated with a vaporizable material coated glass plate over the Substrate arranged and exposed to an intense beam of energy from the uncoated back will. The pattern (or parts of it) should move from the glass plate onto the substrate to be coated transfer. Investigations carried out with such a procedural arrangement have shown, however, that such an approach does not lead to the desired success. As later in connection with the Description of F i g. 1 will be explained in more detail, this method fails because the after Material vaporization from the carrier plate on the substrate area to be coated is intense The energy beam immediately causes secondary evaporation there. In order to achieve good efficiency with a to achieve such a material transfer or to achieve an accuracy comparable to mask processes To achieve the resulting structures, the distance between the material carrier from which the Material is to be evaporated, and the substrate to be coated is not easily larger to get voted. Rather, an extremely small distance is required for this.

Die GB-Patentschrift 11 34 965 betrifft ebenfalls das Gebiet der Materialbeschichtung durch Verdampfen eines Materials mittels einer Laserbestrahlung, welchesGB patent specification 11 34 965 also relates to this Area of material coating by evaporation of a material by means of laser irradiation, which

Material sich dann infolge Kondensation auf einem benachbart angeordneten Substrat niederschlägt. Eine Sekundärverdampfung scheint dort dadurch vermieden zu werden, daß die zu beschichtende Unterlage außerhalb des direkten Strahlenganges angeordnet ist. Eine solche Anordnung versagt jedoch bei sehr kleinen Strukturen, bei denen der Abstand zwischen der das Beschichtungsmaterial tragenden und der zu beschichtenden Fläche sehr klein gehalten werden muß.Material is then due to condensation on a Adjacent substrate is deposited. Secondary evaporation seems to be avoided there to become that the substrate to be coated is arranged outside of the direct beam path. However, such an arrangement fails with very small structures where the distance between the das Coating material carrying and the area to be coated must be kept very small.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine lokale maskenlose Materialbeschichtung anzugeben, bei der die seitlichen Abmessungen im Größenordnungsbereich von wenigen μπι liegen. Dabei sollen die zu beschichtenden Teile (Unterlagen) nicht mit Fremdmaterialien, z. B. Photolack, Lösungs-, Ätzmitteln usw., in Berührung kommen müssen. Es soll sich ferner ein guter Wirkungsgrad bei der Materialübertragung ergeben, d. h. sie soll mit intensiver Bestrahlung und trotzdem bzw. zudem geringen Abstand zwischen Materialträger und zu beschichtendem Substrat durchgeführt wurden können. Insbesondere soll eine wirksame Lösung der mit dem Phänomen der Sekundärverdampfung zusammenhängenden Probleme erzielt werden.The object of the invention is to provide a local maskless material coating in which the lateral Dimensions are in the order of magnitude of a few μπι. The parts to be coated should (Documents) not with foreign materials, e.g. B. photoresist, solvents, etchants, etc., come into contact have to. There should also be good material transfer efficiency; H. she should go with intensive irradiation and nevertheless or also small distance between the material carrier and to coating substrate can be carried out. In particular, an effective solution with the Secondary evaporation-related problems can be achieved.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.This object is achieved by a method with the features of claim 1.

Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile lassen schließlich wie folgt zusammenfassen: Eine Sekundärverdampfung wird verhindert; es ist eine streng lokalisierte Materialübertragung im Mikrometerbereich möglich; die Aufdampfwerte können durch den Strahldurchmesser und die Materialdicke eingestellt werden; das Reparaturteil bzw. das Substrat kommt nicht mit zusätzlichen Materialien in Berührung, da keine Maskierungsschritte erforderlich sind. Ferner kann eine Nachinspektion der Teile entfallen, da über Mikroskop die reparierte bzw. behandelte Stelle sofort begutachtet werden kann.The advantages that can be achieved with the invention can finally be summarized as follows: A secondary evaporation will be prevented; it is a strictly localized material transfer in the micrometer range possible; the evaporation values can be set by means of the beam diameter and the material thickness will; the repair part or the substrate does not come into contact with additional materials because no masking steps are required. Furthermore, a re-inspection of the parts can be omitted, since over Microscope, the repaired or treated area can be examined immediately.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen bezeichnet.Advantageous further developments of the invention are indicated in the subclaims.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Zuhilfenahme der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigtThe invention is illustrated below with the aid of exemplary embodiments with the aid of the drawings explained in more detail. It shows

F i g. 1 eine dem Stand der Technik zu entnehmende Anordnung, an der die mit der Erfindung bezweckten Verbesserungen erläutert werden sollen;F i g. 1 shows an arrangement based on the prior art, on which the aim of the invention Improvements should be explained;

F i g. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung undF i g. 2 shows a first embodiment of the invention and

F i g. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung.F i g. 3 shows a second embodiment of the invention.

Vor der Beschreibung der in den Figuren dargestellten Anordnungen sei bemerkt, daß der optische Strahlengang in den jeweiligen Medien ohne Berücksichtigung der Brechungsauswirkungen dargestellt ist, soweit dem im Rahmen der Erfindung keine Bedeutung zukommt. Es werden ferner für in den verschiedenen Darstellungen vorkommende gleiche Teile dieselben Bezugsziffern verwendet.Before describing the arrangements shown in the figures, it should be noted that the optical Beam path is shown in the respective media without taking into account the effects of refraction, insofar as this is irrelevant in the context of the invention. It will also be used for in the various Identical parts appearing in representations are given the same reference numerals.

In F i g. 1 ist eine Anordnung dargestellt, die dem eingangs genannten Stand der Technik (US-PS 35 60 258) zu entnehmen ist. Dabei wird ein Laserstrahl, der erforderlichenfalls an einem Spiegel 1 umgelenkt und mittels einer Linse 2 fokussiert ist, auf die Rückseite einer Glasplatte 3 gerichtet, die auf ihrer dem einfallenden Strahl gegenüberliegenden Oberfläche 4 mit dem aufzubringenden, d. h. zunächst abzudampfenden Material in Form der Schicht 5 belegt ist. Der Laserstrahl ist dabei auf diese Materialschicht 5 fokussiert. Gemäß der Zielsetzung einer solchen Anordnung soll die Intensität des Laserstrahls ausreichen, die Materialschicbt 5 örtlich so weit zu erhitzen, daß das Material im Brennpunktsbereich verdampft und sich auf dem in einem kleinen Abstand d gegenüberliegend angeordneten Substrat 6 genau an der dem Verdampfungspunkt gegenüberliegenden Stelle 7 durch Kondensation niederschlägt. Dies ist in F i g. 1 schemalisch durch die ausgezogenen Pfeile angedeutet.In Fig. 1 shows an arrangement which can be found in the prior art mentioned at the beginning (US Pat. No. 3,560,258). A laser beam, which if necessary is deflected by a mirror 1 and focused by means of a lens 2, is directed onto the rear side of a glass plate 3, which is on its surface 4 opposite the incident beam with the material to be applied, i.e. initially to be evaporated, in the form of layer 5 is occupied. The laser beam is focused on this material layer 5. According to the objective of such an arrangement, the intensity of the laser beam should be sufficient to locally heat the material layer 5 to such an extent that the material evaporates in the focal area and penetrates the substrate 6, which is arranged opposite at a small distance d, precisely at the point 7 opposite the evaporation point Condensation precipitates. This is in FIG. 1 schematically indicated by the solid arrows.

Nimmt man nun beispielsweise an, daß auf diese Weise eine Unterbrechung eines flächenhaften Leiterzuges 8—8' oder eine Fehlstelle in einer Chrommaske repariert werden soll, oder daß ein in der Materialschicht 5 ausgebildetes Muster auf diese Weise auf das Substrat 6 übertragen werden soll, ergibt sich jedoch, daß das von der Glasplatte 3 abgedampfte Material sich nicht auf dem Substrat 6 niederschlagen kann. Die intensive Laserstrahlung gelangt nämlich nach dem Abdampfvorgang im Bereich der Schicht 5 an die Stelle 7 des eigentlich zu beschichtenden Substrats 6 und bewirkt dort sogleich eine Sekundärverdampfung. Dies ist in F i g. 1 schematisch durch die unterbrochenen Pfeile angedeutet. Der Abstand d zwischen dem Substrat, z. B. einem Reparaturteil, und dem Materialträger 3 kann aber nicht vergrößert werden, wenn man einen zufriedenstellenden Wirkungsgrad der Materialübertragung erreichen will.If one now assumes, for example, that an interruption of a flat conductor line 8-8 'or a defect in a chrome mask is to be repaired in this way, or that a pattern formed in the material layer 5 is to be transferred to the substrate 6 in this way however, that the material evaporated from the glass plate 3 cannot be deposited on the substrate 6. After the evaporation process, the intense laser radiation reaches the point 7 of the actually to be coated substrate 6 in the area of the layer 5 and immediately causes secondary evaporation there. This is in FIG. 1 indicated schematically by the broken arrows. The distance d between the substrate, e.g. B. a repair part, and the material carrier 3 can not be enlarged if you want to achieve a satisfactory efficiency of the material transfer.

Einen Ausweg aus dieser Situation zeigt erfindungsgemäß die Anordnung nach Fig.2. Hierbei wird verhindert, daß der intensive Laserstrahl L-L auf das zu reparierende bzw. allg. auf das zu beschichtende Substrat 6 gelangt. Erfindungsgemäß dient als Materialträger die Basisfläche 10 eines Prismas 11, das in seinem Hauptschnitt dargestellt ist. Das zu beschichtende Substrat 6 ist in einem geringen Abstand c/(Größenordnung wenige μπι) von dieser Basisfläche justiert angeordnet, vorzugsweise über ein (nicht näher dargestelltes) Mikroskop wird die Laserstrahlung derart auf die Materialschicht 5 gerichtet, daß nach dessen lokaler (selektiver) Abdampfung im Bereich 12 praktisch alle Strahlung an der Glas-Grenzfläche, d. h. derAccording to the invention, the arrangement according to FIG. 2 shows a way out of this situation. This prevents the intense laser beam LL from reaching the substrate 6 to be repaired or generally the substrate 6 to be coated. According to the invention, the base surface 10 of a prism 11, which is shown in its main section, serves as the material carrier. The substrate 6 to be coated is arranged adjusted at a small distance c / (order of magnitude a few μm) from this base surface, preferably via a microscope (not shown in detail), the laser radiation is directed onto the material layer 5 in such a way that after its local (selective) evaporation in area 12 practically all radiation at the glass interface, ie the

ίο Basisfläche 10 des Prismas, total reflektiert wird. Für diesen Fall der Totalreflexion sind in unterbrochenen Linien die das Prisma an der zur Einfallsrichtung gegenüberliegenden Kathete austretenden Strahlen U-L' schematisch angedeutet. Auf das Reparaturteil bzw. allg. auf das Substrat 6 kann lediglich Beugungslicht (erzeugt durch Beugung am Lochbereich 12 in der Materialschicht) gelangen, das jedoch wegen seiner geringen Intensität keine Sekundärabdampfung vom Bereich 7 auf dem Substrat 6 zuläßt.ίο base surface 10 of the prism, is totally reflected. For this case of total reflection, the rays UL ' exiting the prism at the cathetus opposite to the direction of incidence are indicated schematically in broken lines. Only diffraction light (generated by diffraction at the hole area 12 in the material layer) can reach the repair part or in general the substrate 6, but this does not allow secondary vaporization from the area 7 on the substrate 6 due to its low intensity.

Trotzdem kann dabei in außerordentlich vorteilhafter Weise ein geringer Abstand d zugelassen werden, was einen hohen Aufdampfwirkungsgrad bei großer Strukturgenauigkeit ermöglicht. Bei einer Anordnung der in F i g. 1 gezeigten Art ist eine Einstrahlung mit resultierenden Totalreflexionsverhältnissen wie nach der Erfindung nicht möglich.In spite of this, a small distance d can be permitted in an extremely advantageous manner, which enables a high vapor deposition efficiency with great structural accuracy. In an arrangement of the in F i g. 1, irradiation with resulting total reflection ratios as according to the invention is not possible.

Zur Erhöhung der Haftung des so aufgebrachten Materials kann in entsprechender Weiterbildung der Erfindung die Materialübertragung vorteilhaft imTo increase the adhesion of the material applied in this way, the Invention, the material transfer advantageous in

to Vakuum oder einer anderen geeigneten Atmosphäre auf ein erwärmtes Substrat vorgenommen werden.to vacuum or some other suitable atmosphere be made on a heated substrate.

In F i g. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt Als Träger für die aufzubringende Materialschicht 5 dient hier eine gesonderte und damit leicht auswechselbare Trägerplatte 20, die vorzugsweise aus demselben Material wie das Prisma 11 besteht, z. B. aus einem planparallelen Glas. Eine solche Anordnung läßt sich bezüglich des Strahlenganges völlig gleich zuIn Fig. 3 shows a further exemplary embodiment of the invention as a carrier for the to be applied Material layer 5 is used here by a separate and thus easily exchangeable carrier plate 20, which is preferably consists of the same material as the prism 11, e.g. B. from a plane-parallel glass. Such an arrangement can be carried out in exactly the same way with regard to the beam path

der Anordnung nach F i g. 2 ausbilden, wenn man das Prisma 11 und die separate Trägerplatte 20 zu einem sogenannten Immersionssystem ausbildet. Ziel ist dabei eine Anordnung, bei der die gesonderte Trägerplatte 20 optisch gleichwirkend zu der Prismenbasisfläche 10 in F i g. 2 ist. Dazu wird der Zwischenraum zwischen der Basisfläche des Prismas 11 und der (unbeschichteten) Deckfläche der Trägerplatte 20 mit einer Immersionsflüssigkeit ausgefüllt, die in der lediglich schematischen Darstellung nach F i g. 3 mit 21 bezeichnet ist. Derartige Immersionssysteme sind an sich bekannt, um beispielsweise in der Mikroskopie den Einfluß der auf einen Objektträger gelegten Deckgläser auf die resultierende Apertur zu beeinflussen. Insbesondere mit Öl-Immersionssystemen lassen sich ohne weiteres Strahlengänge der in den F i g. 2 und 3 angedeuteten Art realisieren. Beispielsweise weist Zedernholzöl einen in sehr guter Näherung mit einem üblichen Glas vergleichbaren Brechungsindex (n = 1,51) auf. Bezüglich der konstruktiven Ausgestaltung derartiger Immersionssysteme sowie der Brechungsquotienten verschiedener Gläser, Flüssigkeiten und Gase kann auf die optische Fachliteratur verwiesen werden. Dasselbe gilt für die den Zustand der Totalreflexion festlegenden Randbedingungen, nämlich die Brechungsquotienten der beteiligten Medien sowie die jeweiligen Grenzwinkelwerte.the arrangement according to FIG. Form 2 if the prism 11 and the separate carrier plate 20 are formed into a so-called immersion system. The aim is an arrangement in which the separate carrier plate 20 has an optically equivalent effect to the prism base surface 10 in FIG. 2 is. For this purpose, the space between the base surface of the prism 11 and the (uncoated) top surface of the carrier plate 20 is filled with an immersion liquid, which in the merely schematic representation according to FIG. 3 is designated by 21. Such immersion systems are known per se in order to influence, for example in microscopy, the influence of the cover glasses placed on a slide on the resulting aperture. In particular with oil immersion systems, beam paths of the in FIGS. Realize 2 and 3 indicated type. For example, cedar wood oil has a refractive index (n = 1.51) that is very close to that of conventional glass. With regard to the structural design of such immersion systems and the refraction quotients of various glasses, liquids and gases, reference can be made to the specialist optical literature. The same applies to the boundary conditions that determine the state of total reflection, namely the refraction quotients of the media involved and the respective limit angle values.

Die Erfindung läßt sich ganz allgemein zu Beschichtungszwecken bei feinststrukturierten Geometrien anwenden. Darunter fallen beispielsweise die Reparatur von Metall-Masken, vorzugsweise Chrom-Masken, wie sie bei der Halbleiterfertigung benützt werden. Es lassen sich damit nunmehr zusätzlich zum Abdampfen von Fehlern, die aus einem Überschuß an Material resultieren, solche Fehlerstellen beseitigen, die durch fehlendes Material verursacht sind. Weiterhin kann das erfindungsgemäße Verfahren zur Reparatur von Unterbrechungen in flächenhaften Leiterzügen auf den verschiedenen Integrationsebenen, wie z. B. auf einer Halbleiterscheibe oder einer gedruckten Schaltungskarte, dienen. Es ist jedoch festzustellen, daß die Erfindung keineswegs auf die Vornahme von Reparaturen beschränkt ist, sondern es lassen sich in der genannten Weise auch Parallelübertragungen von Gesamtstrukturen, z. B. von Verbindungsmustern, ganzen Masken usw., vornehmen.The invention can be used quite generally for coating purposes in the case of extremely fine-structured geometries use. This includes, for example, the repair of metal masks, preferably chrome masks, such as they are used in the manufacture of semiconductors. It can now be used in addition to the evaporation of Defects that result from an excess of material, eliminate those defects that are caused by missing material. Furthermore, the method according to the invention can be used to repair interruptions in extensive conductor tracks on the various integration levels, such as B. on one Semiconductor wafer or a printed circuit card. It should be noted, however, that the invention is by no means limited to making repairs, but can be found in the said Way also parallel transfers of forests, e.g. B. of connection patterns, entire masks, etc., make.

Soweit in den Figuren eine bestimmte Prismenform dargestellt ist, ist die Erfindung grundsätzlich jedoch nicht darauf beschränkt. Vielmehr ist unter einem Prisma allgemein ein von zwei ebenen, polierten, gegeneinander geneigten Flächen begrenzter Körper aus Glas oder einem anderen optisch durchsichtigen Material zu verstehen. Bezüglich der für das Verfahren verwendbaren Laser kann auf eine Vielzahl von im Handel z. B. für die Chrom-Abtragung bei Masken, Leiterzugauftrennung, Widerstandstrimmung usw. angebotenen Lasertypen, z. B. gepulste YAG-, Rubin- oder Argon-Laser zurückgegriffen werden. Insbesondere letztere weisen gute optische Strahlungs- und Betriebseigenschaften, wie Intensitätsverteilung, Wellenlängenbereich, Fokussierbarkeit, und Steuerbarkeit der Strahlparameter auf. Als praktischer Anhaltspunkt kann beispielsweise davon ausgegangen werden, daß ein 1-W-Argon-Laserstrahl auf eine 800 Ä dicke Chromschicht gerichtet diese verdampft, ohne den Glasträger zu beeinträchtigen. Wenn auch bevorzugt Laser als Strahlungsquellen gewählt werden, ist die Erfindung jedoch nicht auf diese spezielle Energiestrahlung beschränkt.Insofar as a certain prism shape is shown in the figures, however, the invention is fundamental not limited to that. Rather, a prism is generally one of two flat, polished, mutually inclined surfaces of limited bodies made of glass or another optically transparent Understand material. Regarding the lasers that can be used for the method, a variety of im Trade z. B. for the removal of chrome in masks, conductor separation, resistance trimming, etc. offered Laser types, e.g. B. pulsed YAG, ruby or argon lasers can be used. In particular the latter have good optical radiation and operating properties, such as intensity distribution, wavelength range, Focusability and controllability of the beam parameters. As a practical guide, can For example, assume that a 1 W argon laser beam is applied to an 800 Å thick layer of chromium directed this evaporates without affecting the glass slide. Albeit preferred laser than Radiation sources are selected, the invention is not limited to this specific energy radiation limited.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (13)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zur maskenlosen Bedampfung eines Substrats zur Herstellung feiner Strukturen, bei welchem ein optisch durchlässiger Materialträger von seiner unbeschichteten Rückseite einem Energiestrahl ausgesetzt wird, wobei das darauf befindliche Material zumindest örtlich verdampft wird und anschließend auf dem zur Vorderseite benachbart angeordneten, zu beschichtenden Substrat kondensiert, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialträger für das aufzubringende Material die Basisfläche eines Prismas vorgesehen wird und die Energiestrahlung unter einem solchen Winkel auf die zu verdampfenden Stellen des Materials gerichtet wird, daß nach dessen Abdampfung die Strahlung total reflektiert wird.1. Method for maskless vapor deposition of a substrate for the production of fine structures, at which an optically transparent material carrier emits an energy beam from its uncoated rear side is exposed, wherein the material located thereon is at least locally evaporated and then condensed on the substrate to be coated, which is arranged adjacent to the front side, characterized in that as a material carrier for the material to be applied Base surface of a prism is provided and the energy radiation at such an angle the points to be evaporated of the material is directed that after its evaporation the Radiation is totally reflected. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialübertragung im Vakuum vorgenommen wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the material transfer in a vacuum is made. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialübertragung auf ein erwärmtes Substrat vorgenommen wird.3. The method according to claims 1 or 2, characterized in that the material is transferred to a heated substrate will. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiestrahlung über ein Mikroskop auf das zu verdampfende Material gerichtet wird.4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the energy radiation pointed through a microscope at the material to be vaporized. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Laserstrahlung als Energiestrahlung.5. The method according to any one of the preceding claims, characterized by laser radiation as energy radiation. 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Relativbewegung zwischen Strahl und/oder Materialträger und/oder Substrat durchgeführt wird.6. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that a Relative movement between the beam and / or material carrier and / or substrate is carried out. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Verwendung eines Prismas, dessen Hauptschnitt ein rechtwinkliges Dreieck darstellt und bei dem die Einstrahlung etwa senkrecht zu einer Kathete erfolgt.7. The method according to any one of the preceding claims, characterized by use a prism, the main section of which is a right-angled triangle and in which the radiation takes place approximately perpendicular to a cathetus. 8. Verwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Reparatur von Fehlerstellen, die durch fehlendes Material innerhalb einer flächigen Struktur bedingt sind.8. Use of the method according to any one of the preceding claims for the repair of Defects caused by a lack of material within a flat structure. 9. Verwendung des Verfahrens nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7 zur Parallelübertragung von Gesamtstrukturen von einem Materialträger auf ein benachbart dazu angeordnetes Substrat.9. Use of the method according to at least one of claims 1 to 7 for parallel transmission of overall structures from a material carrier to a substrate arranged next to it. 10. Einrichtung zur maskenlosen Bedampfung eines Substrats zur Herstellung feiner Strukturen, bei welchem ein optisch durchlässiger Materialträger von seiner unbeschichteten Rückseite einem Energiestrahl ausgesetzt wird, wobei das darauf befindliche Material zumindest örtlich verdampft wird und anschließend auf dem zur Vorderseite benachbart angeordneten, zu beschichtenden Substrat kondensiert, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialträger für das aufzubringende Material (5) die Basisfläche eines Prismas (11) vorgesehen ist und die Energiestrahlung unter einem solchen Winkel auf die zu verdampfenden Stellen (12) des Materials (5) gerichtet ist, daß nach dessen Abdampfung die Strahlung total reflektiert wird.10. Device for maskless vapor deposition of a substrate for the production of fine structures, in which an optically transparent material carrier from its uncoated rear side one Energy beam is exposed, wherein the material located on it evaporates at least locally and then on the substrate to be coated, which is arranged adjacent to the front side condensed, characterized in that as a material carrier for the material to be applied (5) the base surface of a prism (11) is provided and the energy radiation at such an angle on the points to be evaporated (12) of the material (5) is directed that after its evaporation, the radiation is totally reflected. 11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialträger für das zu verdampfende Material (5) eine auswechselbare, vorzugsweise planparallele Trägerplatte (20) in enger optischer Verbindung zur Basisfläche des11. Device according to claim 10, characterized in that that as a material carrier for the material to be evaporated (5) a replaceable, preferably plane-parallel support plate (20) in close optical connection to the base surface of the Prismas (11) angeordnet istPrism (11) is arranged 12. Einrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die auswechselbare Trägerplatte (20) zumindest mit der Basisfläche des Prismas (11) zu einem weitgehend brechungsfreien optischen System, vorzugsweise Immersionssystem, verbunden ist12. Device according to claim 11, characterized in that the exchangeable carrier plate (20) at least with the base surface of the prism (11) to a largely non-refractive optical System, preferably immersion system, is connected 13. Einrichtung nach den Ansprüchen 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Prismenbasisfläche mit der auswechselbaren Trägerplatte (20) in einem Öl-lmmersionssystem verbunden ist13. Device according to claims 11 or 12, characterized in that the prism base surface with the exchangeable carrier plate (20) in one Oil immersion system is connected