DE2440576C2 - kryotron - Google Patents
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- H10N60/35—Cryotrons
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Description
Die Erfindung betrifft ein Kryotron, wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegeben ist.
Kryotrons sind Schaltelemente mit Leitungszügen aus supraleitendem Material, wobei der Effekt ausgenutzt
wird, daß Supraleiter normalleitend werden, wenn auf sie eine magnetische Flußdichte einwirkt, die größer
als eine kritische Flußdichte ist. Man kennt bereits ein Kryotron, welches einen Leitungszug aus einem
Supraleiter, der bei einer geringen magnetischen Flußdichte normalleitend wird, und einen weiteren
Leitungszug besitzt, der aus einem Supraleiter besteht, der bei einer höheren magnetischen Flußdichte
normalleitend wird. Diese Leitungszüge sind zumindest teilweise benachbart. In dem einen Leitungszug fließt
ein Strom, dessen Magnetfeld eine kritische Feldstärke, bei der die kritische magnetische Flußdichte erzeugt
wird, noch nicht erreicht. Wird jetzt durch den anderen Leitungszug ebenfalls ein Strom geleitet, so kann in
Bereichen, wo die Leitungszüge benachbart sind, die kritische magnetische Feldstärke des einen Leitungszuges
überschritten werden, d. h., dieser Leitungszug wird
normalleitend (US-PS 30 48 707).
Bei supraleitenden Anordnungen, insbesondere bei supraleitenden Kabeln, ist zu berücksichtigen, daß der
Strom, der den Supraleiter durchfließt, ein von de Stromstärke abhängiges Magnetfeld erzeugt. So kam
jeder Supraleiter nur von einem Strom begrenzte Stromstärke durchflossen werden, ohne die Supraleitfä
higkeit zu verlieren. Wächst die Stromstärke so weit ar daß die kritische magnetische Feldstärke erzeugt wire
geht der Supraleiter bereichsweise in den normalleiten den Zustand über, d. h, steilenweise ist der Leiter nocl
supraleitend und stellenweise bereits normalleitenc Dabei können die normalleitenden Bereiche des Leiter
unzulässig erhitzt und sogar zerstört werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Kryotron anzuge ben, mit dem die Stromstärke in einer supraleitendei
Anordnung, insbesondere in supraleitenden Kabeln unterhalb dieses kritischen Wertes gehalten werdei
kann, wobei dieses Kryotron zuverlässig arbeiten mul
und nicht zerstört werden darf, wenn es den Laststrom d. h. den Strom, der das Kabel durchfließt, unterbricht
Diese Aufgabe wird durch ein Kryotron der eingang genannten Art getost, das erfindungsgemäß entspre
chend dem Kennzeichen des Patentanspruches 1 ausge bildet ist
Das erfindungsgemäße Kryotron hat also die
folgende Wirkungsweise: Die zweiten Leitungszüge bestehen aus einem Material, welches bei Einwirkunj
eines Magnetfeldes einer vorgegebenen Feldstärke einen magnetischen Phasenübergang von einem Zu
stand mit geringer Magnetisierung in einen Zustanc hoher Magnetisierung aufweist. Sobakl der Strom, de
das Kiyotron durchfließt, in seiner Stärke einei
Schwellwert überschreitet, wirkt auf diese zweite! Leitungszüge ein Magnetfeld dieser vorgegebenei
Feldstärke, welches in den zweiten Leitungszügen dei Phasenübergang in den Zustand hoher Magnetisierunj
bewirkt. Auf Grund dieser hohen Magnetisierung wire in den ersten Leitungszügen, die aus einem supraleiten
den Material bestehen, ein Magnetfeld mit einei größeren als der kritischen magnetischen Flußdichu
erzeugt, so daß das supraleitende Material seine Supraleitfähigkeit verliert und in einen normalleitender
Zustand übergeht.
Ein Vorteil der Erfindung ist es, daß die kritische Flußdichte allein durch den Laststrom aufgebracht wird
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Kryo trons ist es, daß die ersten Leitungszüge längs dei
gesamten Strecke entlang den zweiten Leitungszüger gleichzeitig von supraleitenden in den normalleitender
Zustand überwechseln, sobald die zweiten Leitungszüge den Zustand hoher Magnetisierung annehmen. Dadurcr
ist ausgeschlossen, daß einzelne, sehr kurze Strecker der ersten Leitungszüge vorzeitig in den normalleitenden
Zustand überwechseln.
Die Leitungszüge des Kryotrons sollten eine solche Länge haben, daß der Widerstand des Kryotrons im
normalleitenden Zustand der ersten Leitungszüge so groß ist. daß der Strom, der das Kryotron durchfließt
stark geschwächt wird, so daß eine konventionelle Trennung des Stromkreises möglich ist, vgl. CH-PS
4 43 509.
Im folgenden werden die Erfindung und Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Figuren erläutert:
F i g. 1 zeigt ein Kryotron in Draufsicht;
F i g. 2 zeigt einen Ausschnitt aus der F ig. 1;
Fig.3 bis 7 zeigen Schnittbilder unterschiedlicher
Ausführungsformen der Erfindung.
Gemäß Fig. 1 kann ein erfindungsgemäßes Kryo tron beispielsweise zwei erste Leitungszüge 10, 11
besitzen. Zwischen diesen ersten Leitungszügen liegt
der zweite Leitungszug 20, der die ersten Leitungszüge an deren Rändern etwas überdeckt Die ersten
Leitungszüge besitzen an ihren Enden Kontaktbleche 30
bis 33, die aus dem gleichen Material bestehen können, wie die ersten Leitungszüge. Vorzugsweise ist das
Kryotron auf einem Substrat aufgebracht, das aus Gründen der zeichnerischen Einfachheit in dieser Figur
nicht dargestellt ist. Zur Aufrechtv-rhaltung einer
hinreichend niederen Arbeitstemperatur, bei der das Materia! der ersten Leitungszüge s^h im supraleitenden
Zustand befindet, ist das Kryotron in einer Kühlanlage (nicht dargestellt) angeordnet
In Fig.2 sind die Leitungszüge des Kryotrons
vergrößet dargestellt Man erkennt, daß die ersten
Leitungszüge 10, 11 teilweise von dem zweiten Leitungszug 20 abgedeckt sind. Die in der Zeichnung
angegebenen Maße haben sich als vorteilhaft herausgestellt Die ersten Leitungszüge haben jeweils eine Breite
von 2, der Zwischenraum zwischen diesen Leitungszügen besitzt ebenfalls eine Breite von a, der zweite
Leitungszug besitzt eine Breite von 2a.
Die F i g. 3 bis 7 zeigen Schnittbild<*.r von Ausführungsbeispielen
für das erfindungsgemäße Kryotron. Auf einem Substrat 1, das beispielsweise aus Kunststoff
besteht und folienförmig sein kann, sind die supraleitenden ersten Leitungszüge 100 bis 112 und die zweiten
Leitungszüge 200 bis 213 aus magnetischem Material angeordnet. Dabei können die zweiten Leitungszüge
beispielsweise durch Aufdampfen hergestellt sein, die ersten Leitungszüge beispielsweise durch Aufdampfen,
Sputtern, galvanische Abscheidung oder durch Ätztechnik.
In Fig 3 liegen auf dem Substrat die ersten
Leitungszüge 100 und 101. Diese werden teilweise von dem zweiten Leitungszug 200 abgedeckt Zur Erhöhung
der Wirksamkeit des zweiten Leitungszuges ist auf der anderen Seite des Substrates ein weiterer zweiter
Leitungszug 201 aufgebracht
In Fig.4 ist ein zweiter Leitungszug 202 in das
Substrat eingebettet. Über diesem zweiten Leitungszug liegen die ersten Leitungszüge 102,103, die den zweiten
Leitungszug teilweise abdecken. Darüber liegt ein weiterer zweiter Leitungszug 203. Diese Anordnung
war neben der in F i g. 5 dargestellten und weiter unten beschriebenen Ausführungsform die vorteilhafteste. Es
ist möglich, beidseitig auf dem Substrat eine der F i g. 4 entsprechende Anordnung vorzusehen. Auf diese Weise
ist es möglich, auf einem Substrat mehrere Kryotrons anzuordnen.
F i g. 5 zeig-, eine ähnlich vorteilhafte Ausführungsform
wie die F i g. 4. Hier sind beispielsweise beidseitig auf dem Substrat Kryotrons angeordnet Zuerst wurden
auf dem Substrat die zweiten Leitungszüge 205, 207 aufgedampft. Darüber wurden die ersten Leitungszüge
104 bis 107 aufgedampft Dann wurden die weiteren zweiten Leitungszüge 204,206 aufgedampft
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der F i g. 6 wurden erst die ersten Leitungszüge 108 bis 111
galvanisch abgeschieden. Über diesen Leitungszügen wurden die zweiten Leitungszüge 208,209 aufgedampft.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der F i g. 7 wurden die zweiten Leitungszüge 210, 211 in das
Substrat eingebettet. Darüber wurde der erste Leitungszug 112 aufgedampft. Darauf wurden weitere zweite
Leitungszüge 212, 213 aufgedampft, wobei diese weiteren zweiten Leitungszüge annähernd deckungsgleich
zu den zweiten Leitungszügen 210, 211 angeordnet sind.
Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel hatten die ersten Leitungszüge eine Breite von etwa 1 mm und
eine Dicke von etwa 5 μπι. Die Schichtdicke der zweiten
Leitungszüge betrug etwa das lOfache der Dicke der ersten Leitungszüge. Bei den Ausführungsbeispielen
gemäß den F i g. 3 und 6 soll die Dicke des Substrates vorzugsweise in der Größenordnung der Dicke der
Leitungszüge liegea Dadurch ist sicher gewährleistet, daß bei dem magnetischen Phasenübergang der zweiten
Leitungszüge in den Zustand hoher Magnetisierung in den ersten Leitungszügen ein Magnetfeld mit einer
größeren als der kritischen magnetischen Flußdichte induziert wird.
Bei den übrigen in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen darf die Dicke des Substrates
beliebig sein. Hier sind die zweiten Leitungszüge unmittelbar neben den ersten Leitungszügen, auf beiden
Seiten der ersten Leitungszüge, angeordnet.
In der Draufsicht betrachtet sind die Leitungszüge des Kryotrons vorzugsweise mäanderförmig, wie
bereits in der F i g. 1 dargestellt ist Auf diese Weise lassen sich auf einem Substrat von etwa 0,5 m2
Kryotrons mit einer Länge der Leiiungszüge von etwa
250 m herstellen. Auf Grund der großen Länge der Leitungszüge hat das Kryotron einen hohen Gesamtwiderstand,
sobald die Leitungszüge im normalleitenden Zustand sind. Damit nimmt die Stromstärke des
Stromes, der das Kryotron durchfließt, so weit ab, daß eine konventionelle Auftrennung des Stromkreises
möglich ist Läßt man eine Erwärmung des Kryotrons beim Übergang in den normalleitenden Zustand auf
etwa !00° K zu, so erhält man, wenn für die ersten Leitungszüge Blei verwendet wird, einen Widerstand
von etwa 10Ω pro Im Leitungslänge. Jedoch wird
bereits bei 4,2° K im normalleitenden Zustand ein Widerstand von etwa 0,5 Ω pro 1 m Leitungslänge
erreicht. Bereits dieser Wert reicht für eine konventionelle Trennung des Stromkreises aus, wenn die
Leitungszüge des Kryotrons hinreichend lang sind.
Für die ersten Leitungszüge ist beispielsweise als Material Blei oder Niob vorgesehen.
Für die zweiten Leitungszüge sind beispielsweise metamagnetische Materialien geeignet, die einen
magnetischen Phasenübergang von einem antiferromagnetischen zu einem ferromagnetischen Zustand
aufweisen. Beim Übergang in den ferromagnetischen Zustand tritt eine starke Erhöhung der magnetischen
Induktion am ersten Leitungszug auf. Dadurch wird dieser erste Leitungszug normalleitend. Die Feldstärke
des magnetischen Feldes, bei der das metamagnetische Material in seinen ferromagnetischen Zustand übergeht,
muß geringer sein als die kritische Feldstärke, bei der das supraleitende Material der ersten Leitungszüge vom
supraleitenden in den normalleitenden Zustand übergeht.
Als Material für die zweiten Leitungszüge kann beispielsweise der metamagnetische Halbleiter EuSe
verwandt werden, der bei einer Feldstärke Ha = 1,6 · 104 A/m bei einer Temperatur von 4,2° K in
einen Zustand hoher Magnetisierung übergeht; bei einer Feldstärke Hn = 105 A/m, bei gleicher Temperatur,
geht dieses Material in einen Zustand noch höherer Magnetisierung über.
Ein anderes mögliches Material ist HgCnS-t, das bei
der gleichen Temperatur bei einer magnetischen Feldstärke von 1,6 · 105 A/m in einen Zustand hoher
Magnetisierung übergeht
Das zuerst genannte Material eignet sich insbesonde-
U O / O
re für ein Kryotron, dessen erste Leitungszüge aus Blei
bestehen. Das zweite Material eignet sich für ein Kryotron, dessen erste Leitungszüge aus Niob bestehen,
da Niob eine höhere kritische Feldstärke besitzt. Der erstgenannte Halbleiter EuSe kann mit Gd oder mit
anderen Elementen der seltenen Erden dotiert werden. Dadurch ändert sich der elektrische Widerstand dieses
Materials unter dem Einfluß eines Magnetfeldes besonders stark. Dieser Effekt kann wie folgt ausgenutzt
werden: Geht das Kryotron in den normalleitenden Zustand über, so tritt eine Erwärmung der Leitungsbahnen
auf Werden dabei nun die aus EuSe bestehenden zweiten Leitungszüge bis in die Nähe der Curie-Temperatür
von EuSe erwärmt, so ist der Effekt der magnetischen Widerstandsänderung dieses Materials
besonders groß. Dieser Effekt kann nun als Stellgröße für eine konventionelle Auftrennung des Stromkreises
ausgenutzt werden. Sobald also der Widerstand der zweiten Leitungszüge einen Schwellwert überschreitet,
wird der Stromkreis, in dem das Kryotron liegt,
aufgetrennt. Damit ist mit Sicherheit'gewährleistet, daß diese Auftrennung erst dann geschieht, wenn das
Kryotron im normalleitenden Zustand ist.
Die Vektor-Größen magnetische Feldstärke H, magnetische Flußdichte B und Magnetisierung M
hängen wie folgt zusammen:
B = μο (H+W),
wobei μο = 4.T · ΙΟ"7 — ist, wenn B in -^ und H
und Λ/ in — gemessen werden.
m -
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Kryotron mit einem ersten Leitungszug aus supraleitendem Material, das bei Einwirkung einer
kritischen magnetischen Flußdichte normalleitend wird, dadurch gekennzeichnet, daß zu den
ersten Leitungszügen (10, 11, 100 bis 112) zweite Leitungszüge (20, 200 bis 211) eng benachbart
angeordnet sind und daß die zweiten Leitungszüge. aus einem Material bestehen, welches bei einem in
diesem Material wirksamen Magnetfeld einer vorgegebenen Feldstärke einen magnetischen Phasenübergang
von einem Zustand mit geringer Magnetisierung in einen Zustand hoher Magnetisierung
aufweist, und daß diese vorgegebene Feldstärke geringer ist als eine kritische magnetische
Feldstärke, bei der die kritische magnetische Flußdichte erzeugt wird, und daß die zweiten
Leittingsrjge im Zustand der hohen Magnetisierung
im supraleitenden Material der ersten Leitungszüge eine magnetische Flußdichte mit höherer als der
kritischen Flußdichte induzieren.
2. Kryotron nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungszüge des Kryotrons
mäanderförmig sind.
3. Kryotron nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungszüge in Dünnschicht-Technik
hergestellt sind und auf einem Substrat (1) liegen.
4. Kryotron nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Leitungszüge durch
Aufdampfen, Sputtern, galvanische Abscheidung oder durch Ätztechnik hergestellt sind, und daß die
zweiten Leitungszüge durch Aufdampfen hergestellt sind.
5. Kryotron nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Leitungszüge
aus Blei oder Niob und die zweiten Leiiungszüge aus EuSe oder HgCr2S4 bestehen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742440576 DE2440576C2 (de) | 1974-08-23 | 1974-08-23 | kryotron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742440576 DE2440576C2 (de) | 1974-08-23 | 1974-08-23 | kryotron |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2440576B1 DE2440576B1 (de) | 1976-01-02 |
DE2440576C2 true DE2440576C2 (de) | 1976-08-19 |
Family
ID=5923967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742440576 Expired DE2440576C2 (de) | 1974-08-23 | 1974-08-23 | kryotron |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2440576C2 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019160573A2 (en) | 2017-05-16 | 2019-08-22 | PsiQuantum Corp. | Superconducting signal amplifier |
WO2019160572A2 (en) | 2017-05-16 | 2019-08-22 | PsiQuantum Corp. | Gated superconducting photon detector |
US10586910B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-03-10 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-based transistor |
US10361703B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-07-23 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic circuits |
US10461445B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-10-29 | PsiQuantum Corp. | Methods and devices for impedance multiplication |
WO2019157077A1 (en) | 2018-02-06 | 2019-08-15 | PsiQuantum Corp. | Superconducting photon detector |
US10879905B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-12-29 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
WO2019213147A1 (en) | 2018-05-01 | 2019-11-07 | PsiQuantum Corp. | Photon number resolving superconducting detector |
US10984857B2 (en) | 2018-08-16 | 2021-04-20 | PsiQuantum Corp. | Superconductive memory cells and devices |
US10573800B1 (en) | 2018-08-21 | 2020-02-25 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-to-insulator devices |
US11101215B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-08-24 | PsiQuantum Corp. | Tapered connectors for superconductor circuits |
US11719653B1 (en) | 2018-09-21 | 2023-08-08 | PsiQuantum Corp. | Methods and systems for manufacturing superconductor devices |
US10944403B2 (en) | 2018-10-27 | 2021-03-09 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US11289590B1 (en) | 2019-01-30 | 2022-03-29 | PsiQuantum Corp. | Thermal diode switch |
US11569816B1 (en) | 2019-04-10 | 2023-01-31 | PsiQuantum Corp. | Superconducting switch |
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US11380731B1 (en) | 2019-09-26 | 2022-07-05 | PsiQuantum Corp. | Superconducting device with asymmetric impedance |
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US11994426B1 (en) | 2019-11-13 | 2024-05-28 | PsiQuantum Corp. | Scalable photon number resolving photon detector |
-
1974
- 1974-08-23 DE DE19742440576 patent/DE2440576C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2440576B1 (de) | 1976-01-02 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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