DE2437811A1 - Verfahren zum verarmen einer zone eines glaskoerpers an metallionen - Google Patents
Verfahren zum verarmen einer zone eines glaskoerpers an metallionenInfo
- Publication number
- DE2437811A1 DE2437811A1 DE2437811A DE2437811A DE2437811A1 DE 2437811 A1 DE2437811 A1 DE 2437811A1 DE 2437811 A DE2437811 A DE 2437811A DE 2437811 A DE2437811 A DE 2437811A DE 2437811 A1 DE2437811 A1 DE 2437811A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- glass
- anode
- electrode
- cathode
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 54
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 210000004127 vitreous body Anatomy 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 17
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 11
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000008207 working material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
Dipl.-Ing. H. Sauerland · Dr.-Ing. R. König ■ Dipl.-Ing. K. Bergen
Patentanwälte · 4dqd Düsseldorf 30 ■ Cecilienallee 7S · Telefon 435732
5. August 1974 29 508 B
RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N0Y. 10020 (V.St0A0)
"Verfahren zum Verarmen einer Zone eines Glaskörpers an
Es wurde festgestellt, daß Körper aus "billigen Glasarten
mit einem relativ hohen (mehr als wenigen Prozent) Alkaligehalt, bei denen wenigstens eine Oberflächenzone an
Alkalimetallionen verarmt ist, einige brauchbare Eigenschaften, z.E0 erhöhte Widerstandsfähigkeit gegenüber
gewissen Chemikalien, bessere Kompatibilität für die Anbringung elektrisch leitender, transparenter Halbleiteroxidschichten
und gute Eignung für die Bildung reflexionsmindernder Oberflächen besitzen«, In einigen Fällen können
diese billigen Glasarten zum gleichen Zweck und als Ersatz für die kostspieligeren und höher schmelzenden Glassorten
mit niedrigem Älkaligehalt dienen.
Es wurden verschiedene Methoden zum Verarmen bzw. Befreien der Oberflächenzonen hochalkalihaltigen Glases
von beweglichen Alkali-Metall-Ionen vorgeschlagen. Eine
grundsätzliche Maßnahme dieser Methoden besteht darin, daß die Alkali-Metall-Ionen von einer Oberfläche eines
Glaskörpers in Richtung der entgegengesetzten Körperoberfläche durch Anlegen eines elektrischen Feldes zum
Abwandern gebracht werden. Wenn ein ausreichend starkes Feld an eine Glasplatte angelegt wird, so werden positiv
geladene Ionen von der Anodenseite in Richtung der
fu
5098 0 9/1050
Kathode bewegt«, Da die beweglichen positiven Ionen aus
einer Oberflächenzone abwandern, steigt der elektrische Widerstand dieser Zone, und es wird schließlich ein
Punkt erreicht, bei dem ein weiteres Abwandern nicht mehr möglich ist, da die benötigten Feldstärken so hoch
werden, daß ein elektrischer Durchschlag auftreten würde. Einige Glasarten können jedoch beträchtlich an
beweglichen Alkali-Metall-Ionen bis zu einer Tiefe von
etwa 500 000 Ä verarmt werden.
Gemäß bekannten Methoden wurde ein elektrisches Feld an den Glaskörper angelegt, um eine Oberflächenzone
an beweglichen Ionen zu verarmen, wobei unterschiedliche Elektrodenarten Verwendung fanden,, Eine dieser Elektrodenarten
ist ein Metallblech, z„B. aus Platin. Wenn ein Alkali-enthaltender Glaskörper auf eine erhöhte Temperatur
unterhalb der Verformungstemperatur des Glases gebracht wird und eine elektrische Spannung an den Glaskörper
unter Verwendung von massiven Metallelektroden angelegt wird, so wandern Alkali-Metall-Ionen in Richtung
der Kathode und nichtüberbrückende Sauerstoffionen der Glasstruktur wandern in Richtung der Anode. Bei Verwendung
von Vollmetallelektroden hat sich jedoch gezeigt, daß einige Alkali-Metall-Ionen sich entlang der
Kathoden-Kontaktoberfläche des Glaskörpers zu sammeln suchen und dort Flecken bilden,und daß andere Ionen
Verbindungen eingehen können, welche den Glaskörper an dieser Oberfläche angreifen. Außerdem ruft der an
der Anoden-Kontaktoberfläche des Glases austretende Sauerstoff Bläschen hervor, wodurch sich möglicherweise
eine Beschädigung und Unregelmäßigkeit in der Oberfläche ergibtο
5 09809/1050
Ein weiterer Nachteil in der Verwendung massiver Metallelektroden beim Ionen-Verarmungsvorgang "besteht
darin, daß dieser Elektrodehtyp gewöhnlich dann unzweckmäßig
ist, wenn der Glaskörper eine von einer flachen Glasplatte abweichende Form hat, da die Elektrode
so ausgebildet sein muß, daß sie den Konturen der Glasoberfläche eng anliegend und genau folgt.
Bei Verwendung jeglicher Elektrodenart für den Ionen-Verarmungsvorgang
muß darauf geachtet werden, daß Ionen in das Glas injizierende Anodenelektrodenmaterialien
vermieden werden. Wenn das Anodenelektrodenmaterial Ionen in das Glas injiziert, tritt ein Ionenaustausch
anstelle der angestrebten Ionenverarmung eine
Bäder aus geschmolzenem Salz wurden früher als Elektroden bei Ionen-Wanderungs-Behandlungenfür Glas ausprobiert;
diese Bäder injizieren jedoch gewöhnlich Ionen in das Glas und können daher für Ionen-Verarmungsprozesse
nicht verwendet werden.
Die meisten Nachteile der massiven Elektrode bei Ionen-Wanderungsprozessen
allgemein und bei Ionen-Verarmungsprozessen im besonderen können durch Verwendung einer
Elektrode vermieden werden, welche aus einer porösen, leitenden Schicht aus kolloidalen Teilchen besteht»
Die leitende Schicht aus kolloidalen Teilchen läßt sich an beliebige Formen der Glasoberfläche anpassen, wobei
infolge ihrer porösen Konsistenz an der Anodenseite austretender Sauerstoff ohne Bläschenbildung entweichen
kann. Beispiele für geeignetes Material aus kolloidalen Teilchen sind Platin, Rhodium, Palladium, Silizium,
Molybdän, Disilicid und Graphit. Von diesen Materialien ist Graphit vorzuziehen, da er billig und leicht zu verarbeiten
isto
5 09809/1050
Um den Graphit aufzubringen, wird eine Suspension der Teilchen in Ammoniak-haltigem Wasser auf die Glasoberfläche
aufgebracht und trocknen gelassen, um eine Schicht von etwa 0,13 mm Dicke aufzubauen. Danach wird die Suspensionsflüssigkeit
unter Färmeeinwirkung ausgetrieben.
Obwohl die Graphitelektrode in verschiedener Hinsicht zufriedenstellend ist, stehen ihrer kommerziellen Anwendung
mindestens drei Nachteile entgegen. Einer dieser Nachteile besteht darin, daß eine nicht-oxydierende Atmosphäre
während des Ionen-Wanderungsprozesses verwendet
werden muß, da bei den im Prozeß verwendeten erhöhten Temperaturen Graphit oxydiert,, Ein zweiter Nachteil besteht
darin, daß kolloidaler Graphit ein "schmutziges" Arbeitsmaterial ist„ Es kann sich auf der umgebenden Einrichtung
sowie auf den Händen von Bedienungspersonen absetzen. Ein dritter Nachteil ist der, daß der Graphitüberzug
nach der Beendigung der Behandlung von der Glasoberfläche abgekratzt werden muß.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß ein£ Koronaentladung
als eine Elektrode zum Anlegen des elektrischen Feldes beim Verarmen einer Oberflächenzone eines Glaskörpers
an beweglichen Ionen verwendet werden kann, und daß diese Behandlungsart die meisten Nachteile bekannter
Methoden umgeht. Wenn die Koronaentladung bei niedrigem Vakuum angewendet wird, können viele Gasarten zum Aufbau
der Koronakontakte verwendet werden, und hohe Stromdichten (d.ho wenige MA/cm ) könneri^bei Anlegen von Spannungen in
der Größenordnung von einigen Hundert Volt ohne Schwierigkeiten erreicht werden. Koronakontakte können auch
bei normalem Atmosphärendruck aufgebaut werden, wobei vorzugsweise eine feine Drahtanordnung oder eine Mehrpunktanordnung
als Anode und eine Einzelpunktelektrode
509809/1050
-D-
als Kathode Verwendung finden,, Bei großen Oberflächen
kann eine Anordnung von Punktkathoden verwendet werden«.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine teilweise geschnittene schematische Ansicht
eines Geräts zum Ausführen eines Verfahrensbeispiels nach der Erfindung;
Figo 2 eine Querschnittansicht auf einen Glaskörper, in
welchem schematisch eine an Ionen verarmte Oberflächenzone dargestellt ist; und
Fig, 3 eine schematische Schnittansicht auf eine andere Ausführungsform des Geräts zur Ausführung eines
anderen Verfahrensbeispiels nach der Erfindung.
Gläser, die nach der erfindungsgemäßen Methode wirksam behandelt werden, sind solche mit relativ hohem Alkaligehalt
(d„h. mehr als etwa 3%). Eine Platte 2 aus einem Natronkalk-Silikat-Glas, deren Oberflächenzone 3 von
Alkali-Metall-Ionen befreit werden soll, wird in einer
auf einem Sockel 6 angeordneten Vakuumkammer 4 angebracht (Fig. 1)o Die Platte 2 weist auf der der Oberflächenzone
3 gegenüberliegenden Seite die Oberfläche 5 auf.
Die Anode und Kathode bildenden Elektroden 8 und 10 sind auf entgegengesetzten Seiten der Glasplatte 2 im Abstand
von 1 bis 30 mm von deren Oberfläche angebracht. Die Anodenelektrode 8, die der Oberflächenzone 3 benachbart
ist, und die Kathodenelektrode 10, die neben der Oberfläche 5 angeordnet ist, können beide aus perforiertem
Metallblech bestehen. Die Oberflächenzone jeder der Elektroden 8 und 10 sollte kleiner als diejenige der
5 09809/1050
Glasplatte 2 sein, um Streuströme um die Glaskanten herum zu verhindern. Um jedoch einen Leck- oder Streustrom
zu verhindern und die Verarmungsbehandlung zu lokalisieren,kann eine Maske 32 entsprechend Fig. 3
verwendet werdeno
Fahrend der Verarmungsprozeß ausgeführt wird, muß die Glasplatte 2 auf einer Temperatur unterhalb der Verformungstemperatur
des Glases erhitzt werden. Im Falle von Natronkalk-Silikat-Glas sollte die Temperatur etwa 2000C
übersteigen. Obwohl die Wärme durch außerhalb der Elektroden 8 und 10 angeordnete Heizelemente zugeführt werden
könnte, erfolgt die Wärmezufuhr vorzugsweise durch Anlegen eines genügend hohen Wechselstroms an die Anodenelektrode
8, derart, daß sich eine Infrarotstrahlung von der Elektrode in Richtung der Oberfläche 3 der Glasplatte
ergibt. Die gegenüberliegenden Kanten der Elektroden 8 können beispielsweise an einen Transformator 12 angeschlossen
werden, der seinerseits mit einer Wechselstromquelle 14 verbunden ist.
Die Anode 8 und die Kathode 10 sind außerdem mit den positiven bzw. negativen Anschlüssen einer Gleichstromquelle
16 verbunden, welche die Energie für eine Koronaentladung liefert. Ein Vorwiderstand 9 ist zur Stabilisierung
der Entladung in den Gleichstromkreis eingeschaltet.
Während des Prozesses wird die Vakuumkammer über einen Auslaßstutzen 18 auf ein niedriges Vakuum von etwa 2 mm
Hg evakuiert. Ein bevorzugter Druckbereich ist etwa 10 bis 10 mm Hg. Ein Rohr 20 mit einem Mikrometer-Ausströmventil
22 kann dazu verwendet werden, der Kammer 4 geringe Gasmengen zuzuführen, um den Druck innerhalb
der Vakuumkammer genau einstellen zu können.
509809/1050
Die zur Aufrechterhaltung einer Koronaentladung erforderliche Gleichspannung hängt von dem Abstand zwischen der
Elektrode und dem Glas, der Temperatur der Glasplatte 2 und dem Druck innerhalb der Vakuumkammer 4 ab. Bei
einem Abstand von etwa 5 mm zwischen jeder der Elektroden 8 und 10 und der Glasplatte 2, einem Druck von etwa
2 mm Quecksilber innerhalb der Vakuumkammer 4 und einem
Vorwiderstand von 1Cr Ohm sollte die angelegte Gleichspannung
im Bereich von etwa 0,7 bis 5 kV liegen«. Die Spannungen im Spalt betragen einige Hundert (z.B. jeweils
300) Volt«, Unter diesen Bedingungen beträgt die Verarmungsgeschwindigkeit
beweglicher Alkali-Metall-Ionen
nahe der Oberfläche 3 der Glasplatte 2 etwa 1000 Ä/min
während der ersten Minuten. Die Verarmungsgeschwindigkeit nimmt mit Zunahme des Widerstandes über das Glas
ab.
Unter den angegebenen Bedingungen kann Corning Code 0800 Glas auf Tiefen von etwa 2 Mikrometer in etwa 30 Minuten
verarmt werden,,
Als Ergebnis des Behandlungsprozesses kann eine Schicht aus NaOH auf der Glasoberfläche 5 nahe der Kathodenelektrode
10 nach Luftzutritt gebildet werden, jedoch kann diese Schicht mit Wasser abgewaschen werden.
Wenn das verwendete Gas in der Koronaentladung eine Ionisationsenergie von weniger als etwa 13,5 eV hat (z.B.
Wasserstoff und Xenon), werden einige Gasionen in die Glasoberfläche 3 nahe der Anodenelektrode 8 injiziert.
Selbst in diesem Fall wird die Glasoberfläche 3 dealkalisiert
und ist immer noch für viele Anwendungsfälle geeignet.
5 09809/1050
Obwohl die Koronaentladungsmethode "bei niedrigem Vakuum
Vorteile, wie hohe Stromdichten und dementsprechend kurze Behandlungszeiten, hat, bedarf sie einer Vakuumkammer.
Es wurde Jedoch gefunden, daß die Entladungsbehandlung auch bei gewöhnlichem atmosphärischen Druck
erfolgen kann, wenn gewisse spezielle Bedingungen eingestellt werden. Eine dieser Bedingungen ist die Verwendung
eines Elektronen bindenden Gases, z.B„ Luft oder Sauerstoff, in der Behandlungsatmosphäreo Diese Bedingung
ist notwendig, um in der Kathode eine stabile Koronaentladung zu schaffen. Das verwendete Gas muß so gewählt
sein, daß es das Glas nicht chemisch angreift«,
Eine geeignete Vorrichtung zur Ausführung dieses zweiten Verfahrensbeispiels ist in Fig. 3 schematisch dargestellt.
Die Vorrichtung kann einen Ofen 24 mit einer zentralen Heizkammer 26 aufweisen. Im Innern der Kammer 26 ist
eine Anodenelektrode 28 angeordnet, welche ein Muster von feinen Drähten aufweisen kann. Bei diesem Ausführungsbeispiel besteht das Anodenmuster 28 aus fünf Wolframdrähten
von 0,0381 mm Durchmesser mit einer effektiven Oberfläche von etwa 3»6 cm . Die Drähte haben einen Abstand
von etwa 2 mm von der Oberfläche der Zone 3a der zu behandelnden Glasplatte 2a,
Ferner ist in der Kammer.26 eine Kathodenelektrode 30
angeordnet. Diese wird von der Spitze eines Platindrahtes von 0,25 mm Durchmesser gebildet, die einen
Abstand von 7mm von der Plattenoberfläche 5a hat. Obwohl dies nicht unbedingt notwendig ist, kann eine
Mika-Maske 32 auf der der Anodenelektrode 28 zugewandten Seite der Glasplatte 2 angebracht sein, um Koronastreuströme
um das Glas herum zu verhindern. Da die Anodendrahtanordnung 28 flächenmäßig etwas größer als die
509809/1050
Öffnungszone in der Maske 32 sein kann, kann die wirksame Fläche der Drähte in der Anordnung bzw. dem Muster etwas
kleiner als die nach Zahl, Länge und Abstand der Drähte bestimmte Fläche sein.
Eine Gleichstromquelle 34 ist an die Anode 28 und die
Kathode 30 angeschlossen und liefert die Energie für die Koronaentladung. Ein Vorwiderstand 36 wird zur Verhinderung
der Gefahr einer Lichtbogenbildung verwendet.
Bei einer Ofentemperatur von 4000C kann ein Natronkalk-Silikat-Glas
über etwa eine Stunde unter Verwendung einer Gleichspannung von 4800 V zur Erzeugung einer Koronaentladung
bei einem Strom von etwa 26 mA (Stromdichte von 7,2 mA/cm ) behandelt werden. Unter diesen Umständen
wird eine Oberflächenzone auf eine Tiefe von etwa 3000 S von Alkali-Metall-Ionen im wesentlichen befreit. Die
Tiefe der Verarmungszone kann durch Erhöhung der angelegten Spannung in geeigneter Weise vergrößert werden»
Bei diesem Beispiel betrug die Fläche der verarmten
ρ
Oberflächenzone 3 etwa 2 cm . Wenn größere Oberflächen-. zonen behandelt werden, sollte die Größe des Drahtmusters 28 sowie die Anzahl der Kathodenpunkte 30 entsprechend vergrößert werden. Bei einem Abstand von 1 cm zwischen dem Kathodenpunkt 30 und der Glasoberfläche 5 sollten die Kathodendrähte vorzugsweise einen Abstand von 1 cm haben. Der Spitzenradius der Kathodenelektrode 30 sollte beträchtlich kleiner als der Abstand zwischen der Kathode und dem Glas sein, damit keine Lichtbogenbildung auftritt. Das Anodenmuster 28 sollte aus Drähten oder Punkten bestehen, die enger zusammenliegen als der Abstand zwischen dem Glas und dem Muster beträgt. Je größer der Spalt zwischen dem Anodenmuster 28 und dem
Oberflächenzone 3 etwa 2 cm . Wenn größere Oberflächen-. zonen behandelt werden, sollte die Größe des Drahtmusters 28 sowie die Anzahl der Kathodenpunkte 30 entsprechend vergrößert werden. Bei einem Abstand von 1 cm zwischen dem Kathodenpunkt 30 und der Glasoberfläche 5 sollten die Kathodendrähte vorzugsweise einen Abstand von 1 cm haben. Der Spitzenradius der Kathodenelektrode 30 sollte beträchtlich kleiner als der Abstand zwischen der Kathode und dem Glas sein, damit keine Lichtbogenbildung auftritt. Das Anodenmuster 28 sollte aus Drähten oder Punkten bestehen, die enger zusammenliegen als der Abstand zwischen dem Glas und dem Muster beträgt. Je größer der Spalt zwischen dem Anodenmuster 28 und dem
509809/1050
Glas ist, um so größer muß die Spannung am Spalt für
eine vorgegebene Stromdichte sein. Je kleiner der Radius der Anodendrähte 28 oder der Spitzen ist, umso größer
ist der Strom bei einer vorgegebenen Spannung und einem bestimmten Abstand.
Bei diesem Beispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine Spannung von vorzugsweise etwa 2 bis 7 kV angelegt. Die
gewählte Spannung hängt zum Teil von der verwendeten Elektroden-Glas-Geometrie ab.
Als Ergebnis des Verfahrens kann sich eine Schicht aus Na0CO, und NaOH auf der Glasoberfläche 5 nahe der Kathodenelektrode
30 bilden, jedoch läßt sich diese mit Wasser abwaschen.
Bei beiden, zuvor beschriebenen Beispielen wurde angenommen, daß das Verfahren in trockner Atmosphäre durchgeführt
wird. In feuchter Atmosphäre tritt bis zu einem gewissen Grad Feld-unterstützter Protonenaustausch ,.einv
Dadurch werden Hydroxylgruppen in die der Anodenelektrode zugewandte Oberflächenzone 3 eingeführt,, Bei einigen Ahwendungsfallen,
so z.B„ im Zusammenhang mit dem Niederschlagen
einer transparenten Schicht aus einem oder mehreren Halbleiteroxiden (d„h. SnOg) beeinträchtigt das
Vorhandensein von Hydroxylionen die elektrischen Eigenschaften der Schicht nicht» Es gibt jedoch andere Anwendungsfälle,
bei denen das Vorhandensein von Hydroxylionen nachteilig ist.
509809/1050
Claims (1)
- RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York. N.Y0 10020 (VeSt.Ao)Patentansprüche;Ί. Verfahren zum Verarmen einer Zone eines Glaskörpers an Metall-Ionen, dadurch ge ken η ze ichnet , daß Anoden- und Kathodenelektroden an entgegengesetzten Oberflächen des Körpers angeordnet werden und eine Koronaentladung zwischen wenigstens einer der Elektroden aufgebaut wird, wobei der Körper auf eine Temperatur unterhalb der Verformungstemperatür des Glases über eine solche Zeitspanne gebracht wird, daß auf der der Anode benachbarten Seite des Körpers befindliche Metall-Ionen um eine gewünschte Strecke in Richtung der Kathode abwandern.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Behandlung in einem niedrigen Vakuum in der Größenordnung von etwa 10 bis 10 mm Hg durchgeführt wird.3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zu behandelnde Glas ein Natronkalk-Silikat-Glas ist,und daß die Behandlungstemperatur höher als etwa 2000C liegt.Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Elektroden in einem Abstand von etwa 1 bis 30 mm von den Glasoberflächen angeordnet werden.509809/1 0 5 05« Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Behandlung unter normalem Atmosphärendruck in einer Atmosphäre eines elektronenbindenden Gases stattfindet.6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet , daß das elektronenbindende Gas Luft ist.7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Anodenelektrode entweder aus einem feinen Drahtmuster oder einem Mehrpunktmuster besteht, und daß die Kathodenelektrode eine Punktelektrode ist.509809/ 1 050
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US388436A US3879183A (en) | 1973-08-15 | 1973-08-15 | Corona discharge method of depleting mobile ions from a glass region |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2437811A1 true DE2437811A1 (de) | 1975-02-27 |
Family
ID=23534113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2437811A Pending DE2437811A1 (de) | 1973-08-15 | 1974-08-06 | Verfahren zum verarmen einer zone eines glaskoerpers an metallionen |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3879183A (de) |
JP (1) | JPS5238853B2 (de) |
BE (1) | BE818857A (de) |
BR (1) | BR7406288D0 (de) |
CA (1) | CA1018100A (de) |
DE (1) | DE2437811A1 (de) |
FR (1) | FR2240895A1 (de) |
GB (1) | GB1446500A (de) |
IT (1) | IT1021098B (de) |
NL (1) | NL7410895A (de) |
SE (1) | SE390018B (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3818739A1 (de) * | 1987-06-02 | 1988-12-22 | Saint Gobain Emballage | Verfahren und vorrichtung zur entionisierung des muendungsrands von glasbehaeltern |
US4983255A (en) * | 1985-05-21 | 1991-01-08 | Heinrich Gruenwald | Process for removing metallic ions from items made of glass or ceramic materials |
DE4221864A1 (de) * | 1992-07-03 | 1994-01-13 | Ver Glaswerke Gmbh | Mit einer teilreflektierenden Hartstoffschicht beschichteter Gegenstand aus Silikatglas und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE4226946A1 (de) * | 1992-08-14 | 1994-02-17 | Schott Glaswerke | Verfahren zur Herstellung von dekorierten Glaskeramikartikeln und nach diesem Verfahren hergestellte Glaskeramikartikel |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3991228A (en) * | 1975-01-27 | 1976-11-09 | Rca Corporation | Deposition of tin oxide films on glass |
US3991227A (en) * | 1975-01-27 | 1976-11-09 | Rca Corporation | Method for forming electrode patterns in transparent conductive coatings on glass substrates |
US4014772A (en) * | 1975-04-24 | 1977-03-29 | Rca Corporation | Method of radiation hardening semiconductor devices |
USRE31220E (en) * | 1977-11-30 | 1983-04-26 | Ppg Industries, Inc. | Electromigration method for making stained glass photomasks |
US4155735A (en) * | 1977-11-30 | 1979-05-22 | Ppg Industries, Inc. | Electromigration method for making stained glass photomasks |
US4309495A (en) * | 1978-08-02 | 1982-01-05 | Ppg Industries, Inc. | Method for making stained glass photomasks from photographic emulsion |
US4551353A (en) * | 1981-12-30 | 1985-11-05 | Unitrode Corporation | Method for reducing leakage currents in semiconductor devices |
FR2595685B1 (fr) * | 1986-03-11 | 1992-02-14 | Saint Gobain Vitrage | Desionisation du verre par decharge couronne |
US5076902A (en) * | 1989-01-12 | 1991-12-31 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrolysis apparatus |
FI82989C (fi) * | 1989-04-13 | 1991-05-10 | Nokia Oy Ab | Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare. |
FR2696443B1 (fr) * | 1992-10-02 | 1994-12-16 | Saint Gobain Vitrage Int | Substrat en verre, obtenu par désalcalinisation, utilisé dans le domaine électronique. |
FR2696441B1 (fr) * | 1992-10-02 | 1994-12-16 | Saint Gobain Vitrage Int | Désalcalinisation de feuilles de verre à faible teneur en alcalins. |
US6409564B1 (en) * | 1998-05-14 | 2002-06-25 | Micron Technology Inc. | Method for cleaning phosphor screens for use with field emission displays |
DE69904081T2 (de) * | 1998-12-22 | 2003-04-03 | Illinois Tool Works | Gasgespülte ionisatoren und zugehörige statische neutralisierungsverfahren |
US6281468B1 (en) * | 2000-03-13 | 2001-08-28 | Essilor International, Compagnie Generale D'optique | Method and apparatus for producing a marking on an ophthalmic lens having a low surface energy |
DE102007025687B3 (de) * | 2007-06-01 | 2009-01-08 | Schott Ag | Verwendung einer Glasscheibe aus Borosilikatglas in einer Flachanzeigevorrichtung und Flachanzeigevorrichtung mit dieser Glasscheibe |
US9604877B2 (en) * | 2011-09-02 | 2017-03-28 | Guardian Industries Corp. | Method of strengthening glass using plasma torches and/or arc jets, and articles made according to the same |
US9988304B2 (en) * | 2011-09-02 | 2018-06-05 | Guardian Glass, LLC | Method of strengthening glass by plasma induced ion exchanges in connection with tin baths, and articles made according to the same |
US9359251B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-06-07 | Corning Incorporated | Ion exchanged glasses via non-error function compressive stress profiles |
WO2013191164A1 (ja) | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 旭硝子株式会社 | ガラス基体の表面処理方法、およびガラス基体 |
US11079309B2 (en) | 2013-07-26 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles having improved survivability |
WO2015093284A1 (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス基板の製造方法 |
JP6244884B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2017-12-13 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス板の製造方法 |
US10118858B2 (en) | 2014-02-24 | 2018-11-06 | Corning Incorporated | Strengthened glass with deep depth of compression |
TWI773291B (zh) | 2014-06-19 | 2022-08-01 | 美商康寧公司 | 無易碎應力分布曲線的玻璃 |
KR20190090090A (ko) | 2014-10-08 | 2019-07-31 | 코닝 인코포레이티드 | 금속 산화물 농도 구배를 포함한 유리 및 유리 세라믹 |
US10150698B2 (en) | 2014-10-31 | 2018-12-11 | Corning Incorporated | Strengthened glass with ultra deep depth of compression |
EP3215471B1 (de) | 2014-11-04 | 2021-12-15 | Corning Incorporated | Tiefe unzerbrechliche belastungsprofile und verfahren zur herstellung |
US10472271B2 (en) | 2015-05-19 | 2019-11-12 | Corning Incorporated | Glass with modified surface layer |
US9701569B2 (en) | 2015-07-21 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Glass articles exhibiting improved fracture performance |
US11613103B2 (en) | 2015-07-21 | 2023-03-28 | Corning Incorporated | Glass articles exhibiting improved fracture performance |
JP6839192B2 (ja) | 2015-12-11 | 2021-03-03 | コーニング インコーポレイテッド | 金属酸化物濃度勾配を含むフュージョン成形可能なガラス系物品 |
KR20210068158A (ko) | 2016-04-08 | 2021-06-08 | 코닝 인코포레이티드 | 금속 산화물 농도 구배를 포함하는 유리-계 제품 |
KR20240019381A (ko) | 2016-04-08 | 2024-02-14 | 코닝 인코포레이티드 | 두 영역을 포함하는 응력 프로파일을 포함하는 유리-계 물품, 및 제조 방법 |
WO2021154698A1 (en) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | Corning Incorporated | High throughput electro-thermal poling |
CN112341006B (zh) * | 2020-10-13 | 2022-12-23 | 江苏太平洋石英股份有限公司 | 石英管/棒的高纯度化方法、装置、石英管/棒及用途 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL108819C (de) * | 1956-01-30 | |||
US3061458A (en) * | 1960-12-20 | 1962-10-30 | Air Reduction | Insolubilization of coatings |
US3174919A (en) * | 1962-10-31 | 1965-03-23 | Corning Glass Works | Methods for electrolyzing glass |
US3397132A (en) * | 1964-10-16 | 1968-08-13 | Du Pont | Treatment of metal surfaces |
US3475307A (en) * | 1965-02-04 | 1969-10-28 | Continental Can Co | Condensation of monomer vapors to increase polymerization rates in a glow discharge |
DE1790220C3 (de) * | 1968-09-30 | 1978-12-07 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren und Vorrichtung zum elektrostatischen Beschichten von Oberflächen mit elektrisch leitendem, halb- oder nichtleitendem Material |
US3632386A (en) * | 1968-10-31 | 1972-01-04 | Arbco Inc | Treated silicone surface |
US3654108A (en) * | 1969-09-23 | 1972-04-04 | Air Reduction | Method for glow cleaning |
-
1973
- 1973-08-15 US US388436A patent/US3879183A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-07-31 GB GB3369274A patent/GB1446500A/en not_active Expired
- 1974-07-31 CA CA206,033A patent/CA1018100A/en not_active Expired
- 1974-07-31 BR BR6288/74A patent/BR7406288D0/pt unknown
- 1974-08-05 IT IT25994/74A patent/IT1021098B/it active
- 1974-08-06 DE DE2437811A patent/DE2437811A1/de active Pending
- 1974-08-12 JP JP49092711A patent/JPS5238853B2/ja not_active Expired
- 1974-08-12 FR FR7427874A patent/FR2240895A1/fr not_active Withdrawn
- 1974-08-14 NL NL7410895A patent/NL7410895A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-08-14 BE BE147612A patent/BE818857A/xx unknown
- 1974-08-14 SE SE7410369A patent/SE390018B/xx unknown
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4983255A (en) * | 1985-05-21 | 1991-01-08 | Heinrich Gruenwald | Process for removing metallic ions from items made of glass or ceramic materials |
DE3818739A1 (de) * | 1987-06-02 | 1988-12-22 | Saint Gobain Emballage | Verfahren und vorrichtung zur entionisierung des muendungsrands von glasbehaeltern |
DE4221864A1 (de) * | 1992-07-03 | 1994-01-13 | Ver Glaswerke Gmbh | Mit einer teilreflektierenden Hartstoffschicht beschichteter Gegenstand aus Silikatglas und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE4226946A1 (de) * | 1992-08-14 | 1994-02-17 | Schott Glaswerke | Verfahren zur Herstellung von dekorierten Glaskeramikartikeln und nach diesem Verfahren hergestellte Glaskeramikartikel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1018100A (en) | 1977-09-27 |
BE818857A (fr) | 1974-12-02 |
GB1446500A (en) | 1976-08-18 |
AU7216674A (en) | 1976-02-12 |
SE390018B (sv) | 1976-11-29 |
NL7410895A (nl) | 1975-02-18 |
SE7410369L (de) | 1975-02-17 |
JPS5238853B2 (de) | 1977-10-01 |
JPS5050418A (de) | 1975-05-06 |
BR7406288D0 (pt) | 1975-05-27 |
US3879183A (en) | 1975-04-22 |
IT1021098B (it) | 1978-01-30 |
FR2240895A1 (de) | 1975-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2437811A1 (de) | Verfahren zum verarmen einer zone eines glaskoerpers an metallionen | |
DE2349839A1 (de) | Verfahren zur schaffung einer ionenverarmungszone im glaskoerper | |
DE1621599C2 (de) | Einrichtung zum Abtragen von Verunrei nigungen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten metallischen Schicht im Be reich von kleinen Offnungen einer Isolier schicht durch Kathodenzerstäubung | |
EP0018500B1 (de) | Galvanisierverfahren mit selektiver Steigerung der Niederschlagsrate | |
DE1564963C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Halbleiterbauelements | |
DE3221180A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
DE2425382A1 (de) | Verfahren zur herstellung von isolierschicht-feldeffekttransistoren | |
DE2730566B2 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem pn-Übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2229458C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristalleinrichtung | |
DE2023936A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2425185B2 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleitervorrichtungen, insbesondere von feldeffekttransistoren | |
DE3545400C2 (de) | Elektrochrome Vorrichtung | |
DE2628381B2 (de) | Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines n-leitenden Halbleiterkörpers | |
DE2428205A1 (de) | Glaskoerper mit transparenter halbleiter-oxidschicht | |
DE1901645A1 (de) | Halbleiterbauelement mit Aluminiumueberzuegen | |
DE1596752B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflaechenbehandlung von Glasgegenstaenden durch Ionendiffusion im elektrischen Feld | |
DE2618550C2 (de) | ||
DE1961230C3 (de) | Verfahren zum Passivieren eines PN-Übergänge aufweisenden Halbleiterkörpers und Anwendung des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE2310284B2 (de) | Verfahren zu elektrischem Aufbringen von Glasteilchen auf einen Körper aus Halbleitermaterial | |
EP0784338B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von nebeneinanderliegenden Gräben oder Löchern | |
EP1131848A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines leistungshalbleiters mit einer stoppzone | |
DE1596752C (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Ober flachenbehandlung von Glasgegenstanden durch Ionendiffusion im elektrischen Feld | |
DE1120019B (de) | Elektrolumineszente Flaechenlampe | |
DE2633038A1 (de) | Elektrolumineszierende vorrichtung | |
EP0018556A1 (de) | Anordnung und Verfahren zum selektiven, elektrochemischen Ätzen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHN | Withdrawal |