DE2420001C3

DE2420001C3 - Ladungsspeicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number: DE2420001C3
Application number: DE2420001A
Authority: DE
Inventors: Kenneth Richard Hillsboro Oreg. Stinger
Original assignee: Tektronix Inc
Current assignee: Tektronix Inc
Priority date: 1973-04-30
Filing date: 1974-04-25
Publication date: 1984-08-09
Also published as: JPS5028747A; CA994408A; DE2420001B2; NL167544C; CH571768A5; JPS5520328B2; AU6829674A; US3956662A; SE392990B; NL7405079A; DE2420001A1; IN140556B; GB1455387A; NL167544B

Description

15 wodurch die dielektrische Speicherschicht (56) entsteht, und daß dann durch Erhitzen die organischen Bindemittel entfernt werden.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Entfernen der organischen Bindemittel durch Erhitzen die Erhebungen (54) leitender Partikel der Behandlung mit einem Schrumpfmittel ausgesetzt werden, um die leitenden Partikel stärker zu verdichten.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Speicherschicht (56) vor Entfernen der organischen Bindemittel durch Erhitzen der Behandlung mit einem Schrumpfmittel ausgesetzt wird, um die Schicht unter Freilegung einer größeren Fläche der Erhebungen (54) von den Erhebungen (54) wegschrumpfen zu lassen.

20 Die Erfindung betrifft eine Ladungsspeicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre, mit einem isolierenden Stützkörper, dessen in das Innere der Kathodenstrahlröhre weisende Fläche mit einer leitenden, transparenten Beschichtung versehen ist, auf der eine dielektrische Speicherschicht angeordnet ist, und auf der außerdem leitende Erhebungen angebracht sind, die mit der leitenden Beschichtung elektrisch leitend verbunden sind, sich durch die dielektrische Speicherschicht

hindurcherstrecken und mit ihren freien Enden über die Außenfläche der dielektrischen Speicherschicht hinausragen.

Eine derartige Ladungsspeicherplatte ist bereits aus der DE-OS 2129 909 bekannt geworden. Bei der bekannten Speicherplatte sind die Erhebungen konisch und durch entsprechendes Ätzen einer Glasplatte gebildet, siehe dazu auch die US-PS 35 31 675, die eine ganz ähnliche Konstruktion zeigt. Anschließend wird diese geätzte Glasfläche metallisiert und dann die

dielektrische Speicherschicln derau aufgebracht, daß die Spitzen der metallisierten, durch Ätzung entstandenen Projektionen aus dieser dielektrischen Schicht noch herausragen. Die bekannte Ladungsspeicherplatte weist jedoch noch Nachteile auf. Zum einen ist die

Herstellung der geätzten Glasplatte verhältnismäßig aufwendig, zum anderen erfolgt das Ätzen aber auch nicht gleichmäßig genug, so daß nach Aufbringen der dielektrischen Schicht diese infolge von Schwankungen der Ätztiefe auch unterschiedliche Dicke an den verschiedenen Stellen der Ladungsspeicherplatte aufweist. Durch diese unterschiedliche Dicke ragen die konischen Erhebungen unterschiedlich weit aus der dielektrischen Speicherschicht heraus, so daß die ohnehin verhältnismäßig kleine freiliegende Fläche der

Erhebungen an manchen Stellen sogar noch weiter zurückgeht und dadurch die Auffangeffektivität nicht nur verhältnismäßig klein ist, sondern auch noch an ve/schiedenen Stellen der Ladungsspeicherplatte unterschiedlich ist. Dies beeinträchtigt die Qualität gespeicherter Ladungsbilder.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Ladungsspeicherplatte der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß sie wesentlich billiger hergestellt werden kann und größere Gleichmäßigkeit hinsichtlich Anordnung und Form der Speicherelemente zeigt.

Gelöst wird diese Aufgabe dadurch, daß die auf der leitenden, transparenten Beschichtung angeordneten Erhebungen vollständig aus elektrisch leitenden Parti-

kein bestehen.

Eine derartig aufgebaute Ladungsspeicherplatte ist wesentlich einfacher herstellbar und zeigt gleichzeitig eine erheblich größere Gleichförmigkeit der einzelnen Erhebungen, so daß auch die Qualität gespeicherter Bilder wesentlich verbessert wird. Zudem ist die so aufgebaute Ladungsspeicherplatte in einfacher Weise regenerierbar, indem die Erhebungen entfernt werden und der isolierende Stützkörper mit der darauf befindlichen leitenden Schicht erneut zum Aufbau einer Ladungsspeicherplatte verwendet wird.

Sieht man gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung zwischen den Erhebungen und der dielektrischen Speicherschicht einen in Richtung der Außenfläche der Speicherschicht sich vergrößernden Abstand vor, erhält man eine vergrößerte Auffangfläche bei jeder einzelnen Erhebung. Eine derartig vergrößerte Auffangfläche ermöglicht es, Informationen auf die Ladungsspeicherplatte rüscher mittels des Elektronenstrahls aufzuschreiben und gleichzeitig noch größere Helligkeit zu erhalten. Auch die Lebensdauer einer derartigen Ladungsspeicherplatte ist höher, weil bei niedrigeren und dadurch die Platte weniger verschleißenden Potentialen gearbeitet werden kann.

Die Erhebungen können konisch geformt sein, sie können aber auch aus streifenförmigen Abschnitten mit keilförmigem Querschnitt bestehen, die entweder kontinuierlich über die ganze Ladungsspeicherplatte sich erstrecken oder einen aus mehreren streifenförmigen Abschnitten bestehenden, über die Ladungs-Speicherplatte verlaufenden diskontinuierlichen Streifen bilden, je nachdem, weiche Art von Bildern mit welcher Auflösung gespeichert werden sollen.

Die Fläche des Stützkörpers kann eben oder auch gewölbt sein, je nachdem, welche optischen Verhältnisse vorliegen.

Eine derartig aufgebaute Ladungsspeicherplatte läßt sich durch ein Verfahren herstellen, bei dem eine Schicht photopolymerisierbaren Materials, in der elektrisch leitende Partikel gleichmäßig verteilt sind, auf eine leitende Be-chichtung eines dielektrischen Stützkörpers aufgebracht, danach Licht durch öffnungen in einer Photomaske auf das photopolymerisierbare Material zur Polymerisierung desselben in den von Licht getroffenen Bereichen geleitet, und dann das nicht polymerisierte Material ausgewaschen wird, wodurch die Erhebungen leitender Partikel 'entstehen, anschließend eine weitere Schicht photopolymerisierbaren Materials mit darin dispergieren Leuchtstoffpartikeln auf die leitende Beschichtung und die Erhebungen leitender Partikel aufgebracht, danach durch Licht das photopolymerisierbare Material der weiteren Schicht außer in d<:n Bereichen, i.i denen sich die Erhebungen befinden, polymerisiert wird, das nicht polymerisierte Material ausgewaschen wird, wodurch die dielektrische Speicherschicht entsteht, und dann die organischen Bindemittel durch Erhitzen entfernt werden.

Zur stärkeren Verdichtung der leitenden Partikel ist es gemäß einer anderen Ausführungsform des Verfahrens günstig, wenn vor dem Entfernen des organischen ta Bindemittels durch Erhitzen die Erhebungen leitender Partikel der Behandlung mit einem Schrumpfmittel ausgesetzt werden.

Um zur vergrößerten Auffangfläche für die Erhebungen zu kommen, ist es günstig, wenn gemäß einer noch anderen Weiterbildung dieses Verfahrens die dielektrische Speicherschicht ebenfalls der Behandlung mit einem Schrumpfmittel umgesetzt wird, um die Schicht unter Freilegung einer größeren Fläche der Erhebungen von den Erhebungen wegschrumpfen zu lassen.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert, die in den Zeichnungen dargestellt sind Es zeigt

F i g. 1 in schematischer, teilweise geschnittener Seitenansicht eine Kathodenstrahlröhre mit einer Ladungsspeicherplatte;

F i g. 2 eine schematische Querschnittsdarstellung zur Erläuterung eines Teils des Herstellungsverfahrens für die Ladungsspeicherplatte, nämlich das Aufbringen der leitenden Erhebungen auf die leitende Schicht des Stützkörpers;

F i g. 3 eine Querschnittsansicht durch den Stützkörper mit aufgebrachten Erhebungen;

F i g. 4 eine Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Schrittes des Herstellungsverfahrens, gemäß dem die dielektrische Beschichtung aufgebracht wird;

F i g. 5 eine teilweise weggebrochene perspektivische Ansicht der Ladungsspeicherplatte nach Aufbringung der dielektrischen Speicherschicht;

F i g. 6 eine vergrößerte Schrni'idarstellung durch einen Teil der in F i g. 5 dargestellten Ladungsspeicherplatte (Vergrößerungsfaktor 400);

F i g. 7a und 7b perspektivische und teilweise weggebrochene Darstellungen verschiedener Ausführungsiurmen für die Ladungsspeicherplatte;

F i g. 8 eine perspektivische Ansicht eines Eckbereiches einer gewölbten Oszillographenfrontplatte großer Fläche.

F i g. 1 zeigt eine Kathodenstrahlspeicherröhre 10 mit einem Kolben 12 aus Isoliermaterial, in dessen Innerem eine Elektronenstrahlerzeugungseinrichtung mit einer Heizwendel 14, einer an hohes negatives Potential anschließbaren Kathode 16, einem Steuergitter 18 sowie einer Fokussier- und Beschleunigungsanordnung 20 vorgesehen ist. Ein durch die Elektronenstrahlerzeugungseinrichtung erzeugter Elektronenstrahl 22 aus Elektronen hoher Geschwindigkeit wird in horizontaler Richtung mittels horizontaler Ablenkplatten 24 und in vertikaler Richtung mittels vertikaler Ablenkplatten 26 gemäß entsprechenden Eingangssignalen abgelenkt, die einer Eingangsklemme 28 zugeführt und über eine Ablenkschaltung 30 an die Ablenkplatten weitergeleitet werden, so daß der Elektronenstrahl gemäß diesen Eingangssignalen längs der Ladungsspeicherplatte 32 am vorderen, der Elektronenstrahlerzeugungseinrichtung gegenüberliegenden Ende des Kolbens 12 bewegt wird.

In der Speicherröhre sind außerdem noch eine oder mehrere Flutelektronen-Erzeugungseinrichtungen 34 mit jeweils einer Kathode 36, einem Steuergitter 38 und einer Anode 40 vorgesehen. Die Flutelektronen-Erzougungseinrichtungen 34 befinden sich an der Innenseite Jes Kolbens 12 neben den ausgangsseitigen Enden der vertikalen Ablenkplatten 26. Die Kathoden 36 werden in herkömmlicher Weise mit niedrigem Spannungspegel, typischerweise Massepotential, betrieben, während die Steuergitter 38 üblicherweise an ein geringes negatives Poter'.ial angeschiossen sind. Von den Flutelektrnnen-Erzeugungseinrichtungen 34 ausgehende Elektronen niedriger Geschwindigkeit divergieren zu einem konischen Strahl und werden gleichförmig auf der Ladungsspeicherplatte 32 verteilt.

An der Innenfläche des Kolbens 12 befinden sich zwischen den FlutcL^.ktronen-Erzeugungseinrichtungen 34 und der Ladungsspeicherplatte 32 mehrere Elektroden, die vorzugsweise aus im Abstand zueinander

angeordneten Schichten aus leitendem Material bestehen, wobei die erste Beschichtung 42, die an ein geeignetes positives Potential angeschlossen ist, in erster Linie als Fokussier-Elektrode für die Flutelektronen dient. Eine zweite als Elektrode arbeitende Wandbeschichtung 44, gleichfalls an ein positives Potential angeschlossen, arbeitet als Fokussier- und Kollimierungselektrode. Eine dritte, wiederum im Abstand zur vorhergehenden Beschichtung 44 angeordnete weitere Beschichtung 46 wirkt nach Anschluß an ein positives Potential ebenfalls als Fokussier- und Kollimierungselektrode. Infolge der Kollimierungswirkung dieser an den Wänden des Kolbens angebrachten leitenden Beschichtungen werden die Flutelektronen gleichförmig über die Fläche der Ladungsspeicherplatte 32 verteilt.

Zwischen der dritten Beschichtung 46 und der Ladungsspeicherplatte 32 liegt eine vierte, als Elektrode arbeitende Beschichtung 48 im Abstand von der dritten Beschichtung 46, die gleichfalls an ein positives Potential angeschlossen ist und ebenfalls als Fokussier- und Kollimierungselektrode für die Flutelektronen arbeitet, außerdem aber auch noch als Hilfskollektor-Elektrode, um einen Teil der von der Ladungsspeicherplatte 32 emittierten Sekundärelektronen aufzufangen.

Die Beschichtungen 42,44,46 und 48 sind an positive Potentiale abnehmender Größe angeschlossen, wobei im Hinblick auf die optimale Arbeitsweise das höchste positive Potential an der Elektrode 42 liegt.

Die Ladungsspeicherplatte 32 besteht aus einem isolierenden Stützkörper 50 mit eine.- transparenten leitfähigen Beschichtung 52, auf der z. B in Form eines Punktrasters mehrere leitende Erhebungen 54 sowie eine dielektrische Schicht 56 aufgebracht sind. Der isolierende Stützkörper 50 bestellt aus transparentem Material wie etwa Glas. Die darauf aufgebrachte leitende Beschichtung 52 kann, beispielsweise aus Zinnoxid bestehen und an den Verbindungspunkt eines aus den Widerständen 58 und 60 bestehenden Spannungsteilers, der zwischen einem positiven Potential und Masse geschaltet ist, angeschlossen sein. Der Widerstand 58 kann veränderlich gemacht werden, um so die leitende Beschichtung auf das gewünschte Arbeitspotential zu bringen. Statt dessen kann diese leitende Beschichtung 52 aber auch an den Eingang eines Verstärkers angeschlossen v/erden, um z. B. die auf der Ladungsspeicherplatte gespeicherte Information elektrisch auszulesen.

Die Erhebungen 54 bestehen aus leitenden Partikeln, vorzugsweise aus Kobalt, und besitzen eine im wesentlichen konische Gestalt, wobei die Grundflächen an der leitenden Schicht 52 angeschlossen sind, während die Scheitel der Erhebungen oder die Konusspitzen über die Außenfläche der dielektrischen Schicht 56 herausragen. Die Erhebungen 54 bilden Kollektorelektroden, wie es nachfolgend noch näher erläutert wird. Statt konusförmig können die Erhebungen 54 auch pyramidenförmig, dreieckig etc. ausgestaltet sein. Die dielektrische Schicht 56 stellt einen Leuchtstoff dar, vorzugsweise P-1-Leuchtstoff.

Die Ladungsspeicherplatte 32 wird mittels des Elektronenstrahls 22 mit Informationen beschrieben, beispielsweise mit einer Signalkurve, die dadurch entsteht, daß an die vertikalen Ablenkplatten das darzustellende Signa! und ar. die horizontalen Ablenkplatten ein Ablenksignal angelegt wird. Die auf die Ladungsspeicherplatte aufgeschriebene Information kann sowohl elektrisch abgelesen wie auch durch den transparenten Stützkörper 50 hindurch infolge Leuchtstoffanregung direkt gesehen werden. Beim Betneb werden die verschiedenen Potentiale, die an der Kathodenstrahlröhre angelegt sind, so eingestellt, daß

beim Schreibvorgang der Elektronenstrahl 22 aus verhältnismäßig schnellen Elektronen besteht, so daß er bei seinem Auftreffen auf die dielektrische Schicht 56 Sekundärelektronen herausschlägt. Dadurch wird das von dem Elektronenstrahl 22 getroffene Gebiet auf das

Potential der Erhebungen bzw. Kollektorelektroden 54 angehoben, während die leitende Schicht 52 über das Massepotential angehoben wird, wodurch das dielektrische Material an dieser Stelle leuchtet. Die Sekundärelektronen werden durch die Erhebungen 54 aufgefan-

gen und dadurch die von dem Elektronenstrahl 22 getroffenen Gebiete des Speicherplattendielektrikums positiv aufgeladen, so daß die von den Flutelektronen-Erzeugungseinrichtungen 34 ausgehenden Flutclcktro-"icn zu diesen "ositiv geladenen Gebieten gezogen

werden. Es werden Sekundärelektronen im Verhältnis von 1 :1 erzeugt, die von den Erhebungen 54 — Kollektorelektroden - aufgefangen werden, die den positiv geladenen, d.h. beschriebenen Bereichen der dielektrischen Schicht 56 benachbart sind, so daß die

aufgeschriebene Information ständig sichtbar bleibt und z. B. fotografiert werden kann. Die auf der Ladungsspeicherplatte gespeicherte Information kann jedoch auch in '{bücher Weise wieder dadurch gelöscht werden, daß die Ladungsspeicherplatte mit einem Spannun_b'sim-

puls beaufschlagt wird, der das Dielektrikum der Speicherplatte auf das Potential der Kollektorelektroden - Erhebungen 54 - anhebt und dann auf Masseniveau absinken läßt, auf welchem Niveau die Flutelektronen das Dielektrikum dann halten, bis

3S wiederum ein Schreibstrahl 22 die Informationen auf die Ladungsspeicherplatte aufbringt. Es sei auf die US-PS 35 31675 verwiesen, wo der Betrieb von bistabilen Ladungsspeicherplatten dieser Art näher beschrieben wird.

to Es sei nun anhand der F i g. 2 bis 6 die Herstellung der Ladungsspeicherplatte 32 näher erläutert. Wie in F ι g. 2 gezeigt ist, wird zunächst auf einem transparenten Körper 62 eine Photomaske 64 mit einer darin angeordneten Lochmatrix gelegt und dann der lsohe-

rende Stützkörper mit der aufgebrachten transparenten leitenden Beschichtung 52 auf die Photomaske aufgebracht. Um den Umfang des Stützkörpers herum wird ein Rahmen 66 angeordnet und dann ein photopolymerisierbares, breiartiges Material 68, das aus

Polyvinylalkohol, Wasser, Ammoniumdichromat, Kobaltpulver mit einer Teilchengröße von (2 — 5) χ 10-⁶m sowie Isopropylalkohol besteht, auf die leitende Beschichtung 52 des Stützkörpers gegossen.

Statt Kobaltpartikel mit der angegebenen Teilchengröße können auch andere leitende Teilchen oder auch Teilchen, die leitend gemacht wurden, verwendet werden, jedoch sind wegen des besseren Hintergrundkontrastes Partikel aus dunklem Material und geringem

Reflexionsvermögen günstiger. Kobalt ist wegen seiner schwarzen Farbe ein optimales Material. Die Teilchen können auch aus dem gleichen Material bestehen, wie die leitende Beschichtung 52.

Eine kollimierte Lichtquelle 70 erzeugt Lichtstrahlen

72, die durch den transparenten Körper 62, die Löcher in der Photomaske 64, den Stützkörper 50 und die leitende Beschichtung 52 in das polymerisierbare Material eindringen und dieses durch Polymerisation des

Polyvinylalkohole aktivieren.

Anschließend wird dann der Rahmen 66 entfernt und die Anordnung mit Wasser gewaschen, so daß nicht polymerisiertes Material entfernt und ein Raster von Kobaltpartikelerhebungen zurückbleibt. Diese Erhebungen werden dann vorzugsweise mit einem Schrumpfmittel wie Aceton, wäßriges Ammoniumsulfat, Alkohol oder anderer hydrophiler Stoffe behandelt, so daß $A die Kobaltpartikel enthaltenden Erhebungen durch rasche Extraktion von Wasser schrumpfen und Erhebungen 54 größerer Dichte entstehen, die auf der leitenden Schicht 52 ein bestimmtes Punktmuster bilden, wie es in den Fig.3 und 5 gezeigt ist. Die soweit fertiggestellte Ladungsspeicherplatte wird dann getrocknet.

Dann wird ein weiteres photopolymerisierbares breiartiges Material 74 aus Polyvinylalkohol, Wasser, Dimethylsulfoxid, Ammoniumdichromat und Leuchtstoff auf die leitende Schicht 52 mit den Erhebungen 54 gehrarht, siehe F i g 4 Wiprjppjm wirri milteU ριπργ Lichtquelle 70 durch den Stützkörper 50 und die leitende Beschichtung 52 hindurch das photopolymerisierbare Materials 74 belichtet und dadurch das breiartige Material 74 in den Bereichen aktiviert und polymerisiert, wo keine Erhebungen 54 vorhanden sind. Für diesen Vorgang wird somit keine Photomaske benötigt, weil die Erhebungen 54 selbst eine derartige Photomaske bilden und so eine Polymerisation des Polyvinylalkohol in ihrem Bereich verhindern.

Die Ladungsspeicherplatte wird wiederum mit Wasser ausgewaschen, so daß nur die polymerisierten Bere' 'he als dielektrische Schicht zurückbleiben. Die Platte wird dann mit dem gleichen Schrumpfmittel getränkt, das auch zur Schrumpfung der leitenden Teilchen der Erhebungen benutzt wurde, wobei diesmal der Schrumpfvorgang ein Schrumpfen der dielektrischen Schicht zu einem dichteren Gefüge führt, wobei das die einzelnen Erhebungen 54 umgebende dielektrische Material von diesem wegschrumpft und damit einen größeren Bereich der einzelnen Erhebungen freilegt, siehe F i g. 5.

Statt zur Bildung der Anordnung von leitenden Erhebungen und der dielektrischen Schicht ein breiartiges, photopolymerisierbares Material zu benutzen, könnte statt dessen auch ein photopolymerisierbarer trockener Film benutzt werden.

Wie aus den F i g. 5 und 6 zu erkennen ist, steigt der Abstand zwischen den Erhebungen 54 und der dielektrischen Speicherschicht 56, die die Erhebungen umgibt, in Richtung der Oberfläche der Speicherschicht an, so daß um die gemäß Fig.5 konusförmigen Erhebungen 54 das dielektrische Material 56 eine trichterförmige öffnung 76 bildet. Dadurch ergibt sich eine vergrößerte Kollektorfläche für die Erhebung 54, wodurch Sekundärelektronen wirksamer aufgefangen werden können. Die Erhebungen 54 erstrecken sich auch um etwa ¹A ihrer Höhe über die Außenfläche der dielektrischen Speicherschicht 56 hinaus.

Nach dem Schrumpfvorgang wird die Ladungsspeicherplatte bei einer geeigneten Temperatur in einem Ofen gebacken, um organische Bindemittel zu entfernen und eine dielektrische Speicherschicht 56 zurückzulassen, die im wesentlichen nur noch Leuchtstoffmaterial enthält Die Ladungsspeicherplatte wird dann in üblicher Weise durch eine Frittendichtung im Kolben 12 angebracht, wobei der Stützkörper 50 die Frontseite des Kolbens bildet Das Punktraster der Erhebungen 54, die die Kollektorelektrode bilden, ist vorzugsweise so ausgebildet, daß der Mittenabstand zwischen benachbarten Erhebungen geringer als der Durchmesser des Elektronenstrahls 22 ist, um dadurch einen optimalen Sekundärelektronenauffang, optimale Bildauflösung der Ladungsspeicherplatte, Beseitigung von Bildspurabschattung und verbesserte Sichtdarstel· lung und Auslesegenauigkeit der auf der bistabilen Ladungsspeicherplatte gespeicherten Information zu erhalten. Die Auffangeffektivität für Sekundärelektronen durch die Kollektorerhebungen 54 wird durch die größere Auffangfläche dieser Erhebungen sowie durch die genauere Steuerung des Leuchtstoffgebietes um die Erhebungen herum verbessert. Dies ergibt höhere Schreibgeschwindigkeit und verbesserte Luminanz der Ladungsspeicherplatte. Außerdem wird die Lebensdauer der Ladungsspeicherplatte erhöht, weil diese bei niedrigeren Betriebspotentialen arbeiten kann und dadurch die Abnutzung langsamer erfolgt.

F i g. 7a zeigt eine Ausführungsform einer Ladungs-Speicherplatte, hei der Hie Knllektnrerhehiingen 54a aus im Querschnitt keilförmigen Streifen bestehen, deren Grundfläche mit der leitenden Beschichtung 52 in Verbindung stehen, während ihre Scheitel über die Außenfläche der dielektrischen Schicht 56a hinausragen. Somit bilden alternierende Reihen von dielektrischer Schicht und leitender Kollektorerhebung die in Fig.7a dargestellte Ladungsspeicherplattenstruktur. Die streifenförmigen Erhebungen können auch aus einzelnen Abschnitten 546 aufgebaut sein, wie es in Fig. 7b gezeigt ist, so daß dann die dielektrische Schicht 566 an den Stellen, wo die Streifen Unterbrechungen aufweisen, Verbindungsbrücken aufweist.

Die angrenzend zu den Kollektorerhebungen 54a bzw. 546 liegenden Gebiete der dielektrischen Schicht 56a bzw. 566 sind geneigt, um auch hier wieder eine größere Kollektorfläche zu erhalten, wie es bereits bezüglich der ein Punktmuster bildenden Erhebungen gemäß F i g. 2 bis 6 gezeigt wurde.

Die Ladungsspeicherplattenstrukturen gemäß der F i g. 7a und 7b werden in der gleichen Weise hergestellt, wie die Struktur gemäß der F i g. 2 bis 6, wobei die Kollektorabschnitte aus leitenden Partikeln jede für den gewünschten Zweck erforderliche Gestalt annehmen können.

Die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind für einen ebenen Stützkörper gedacht, auf dem sich eine dünne Schicht leitenden Materials befindet, die die punktförmigen Erhebungen 54 oder die streifenförmigen Kollektorerhebungen 54a, 546 elektrisch miteinander verbindet und von der dielektrischen Speichermaterialschicht derart abgedeckt ist, daß diese Schicht im Bereich der Erhebungen abgeschrägte Kanten aufweist und die Erhebungen mit ihren Spitzen über die obere Fläche der dielektrischen Schicht hinausragen und dadurch eine Ladungsspeicherplatte von planarem Aufbau ergeben.

Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig.8 besitzt die Frontpiatte 78 aus Glas jedoch eine gewölbte Innen- und eine gewölbte Außenfläche, wobei die Innenfläche mit einer leitenden Beschichtung 52c, den leitenden ein Punktmuster bildenden Erhebungen 54c und einer dielektrischen Schicht 56c versehen ist, ähnlich wie bereits für die planare Frontpiatte beschrieben. Die Frontplatte 78 erhält eine integrale Wandung 80, an der der Röhrenkolben einer großen Kathodenstrahlröhre befestigt werden kann. Die in Fig.8 dargestellte Ausführungsform bezieht sich somit auf eine Ladungsspeicherplatte für eine Speicherkathodenstrahlröhre

mit großem Sichtschirm.

Die erfindungsgemäße Ladungsspeicherplatte ist nicht nur leichter herstellbar und dadurch billiger, der Stützkörper mit der darauf befindlichen leitenden Schicht läßt sich auch regenerieren, da die Matrix aus Erhebungen und dielektrischer Schicht entfernt werden kann, so daß der Stützkörper mit der darauf

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befindlichen leitenden Schicht erneut zur Herstellung einer neuen Ladungsspeicherplatte sich einsetzen läßt. Vorteilhaft ist auch, daß sich die Herstellung der neuartigen Ladui'.gsspeicherplatte genauer überwachen läßt, so daß nicht nur der Ausschuß geringer ist, sondern auch die Gleichförmigkeit der Bildwiedergabe der fertigen Ladungsspeicherplatte verbessert ist.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Ladungsspeicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre, mit einem isolierenden Stützkörper, dessen in das Innere der Kathodenstrahlröhre weisende Fläche mit einer leitenden, transparenten Beschichtung versehen ist, auf der eine dielektrische Speicherschicht angeordnet ist, und auf der außerdem leitende Erhebungen angebracht sind, die mit der leitenden Beschichtung elektrisch leitend verbunden sind, sich durch die dielektrische Speicherschicht hindurch erstrecken und mit ihren freien Enden über die Außenfläche der dielektrischen Speicherschicht hinrausragen, dadurch gekennzeichnet, daß die auf der leitenden, transparenten Beschichtung (52) angebrachten Erhebungen (54, 54a, 54i>; vollständig aus elektrisch leitenden Partikeln bestehen.

2. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Erhebungen (54, 54a, SAb) und der dielektrischen Speicherschicht (56) ein in Richtung der Außenfläche der Speicherschicht sich vergrößernder Abstand vorgesehen ist.

3. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhebungen (54) konisch geformt sind.

4. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhebungen (54a, 54tyaus streifenförmigen Abschnitten mit keilförmigem Querschnitt bestehen (F i g. 7).

5. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet daß cie streifenförmigen Abschnitte sich jeweils kontinuierlich über die ganze Ladungsspeicherplatte erstrecke. (Fig. 7a).

6. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere streifenförmige Abschnitte einen über die Ladungsspeicherplatte verlaufenden diskontinuierlichen Streifen bilden (F ig. 7b).

7. Ladungsspeicherplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche des Stützkörpers (50) eben ist.

8. Ladungsspeicherplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche des Stützkörpers (50) gewölbt ist.

i. Verfahren zur Herstellung einer Ladungsspeicherplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß e:ne Schicht (68) photopolymerisierbaren Materials in der elektrisch leitende Partikel gleichmäßig verteilt sind, auf eine leitende Beschichtung (52) eines dielektrischen Stützkörpers (50) aufgebracht, danach Licht (72) durch Öffnungen in einer Photomaske (64) auf das photopolymerisierbare Material zur Polymerisierung desselben in den von Licht getroffenen Bereichen geleitet, und dann das nicht polymerisierte Material ausgewaschen wird, wodurch die Erhebungen (54) leitender Partikel entstehen, daß anschließend eine weitere Schicht (74) photopolymerisierbaren Materials mit darin dispergierten Leuchtstoffpartikeln auf die leitende Beschichtung (52) und die Erhebungen (54) lotender Partikel aufgebracht, danach durch Licht (72) das photopolymerisierbare Material der weiteren Schicht (74) außer in den Bereichen, in denen sich die Erhebungen (54) befinden, polymerisiert wird, das nicht polymerisierte Material ausgewaschen wird,

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