DE2405500C3 - Bistable multivibrator - Google Patents
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Description
3. Bistabiler Multivibrator, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Treiber-Transistor (17) in Reihenschaltung zwischen die ersten Elektrode (Emitter) der die Stromsteuertorschaltung (3 bildenden Transistoren (13, 14) und Masse eingefüg ist und daß die Steuerelektrode des zweitei Treiber-Transistors (17) über ein Dämpfungsgliei (20, 21) mit der Impulsquelle (12) für die Eingangsim pulse verbunden ist, derart, daß der zweit« Treiber-Transistor (17) infolge der endlichen Steil heit der Vorderflanken der Eingangsimpulse zi ίο einem späteren Zeitpunkt in seinen leitender Zustand gelangt als der erste Treiber-Transistor (16)3. Bistable multivibrator, characterized in that that the second driver transistor (17) is connected in series between the first electrode (Emitter) of the current control gate circuit (3 forming transistors (13, 14) and ground inserted and that the control electrode of the second driver transistor (17) has a damping element (20, 21) is connected to the pulse source (12) for the input pulse, so that the second « Driver transistor (17) as a result of the finite steepness of the leading edges of the input pulses zi ίο becomes conductive at a later point in time than the first driver transistor (16)
4. Bistabiler Multivibrator nach Anspruch 2 dadurch gekennzeichnet, daß das Haupt-Flip-Flop und die Stromsteuertorschaltung den ersten und den zweiten Transistor (33 und 34) jeweils gemeinsam haben und mit einem einzigen gemeinsamen Anschluß (9) versehen sind, der mit den ersten Treiber-Transistor (26) verbunden ist (F i g. 7).4. Bistable multivibrator according to claim 2, characterized in that the main flip-flop and the current control gate circuit shares the first and second transistors (33 and 34), respectively have and are provided with a single common connection (9) with the first Driver transistor (26) is connected (Fig. 7).
5. Bistabiler Multivibrator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (13, 14) der Stromsteuertorschaltung (3) mit ihren ersten Elektroden (Emitter) miteinander und mit einem der Stromsteuertorschaltung (3) individuell zugeordneter, gemeinsamen Anschluß (24) verbunden sind, daß dieser gemeinsame Anschluß (24) mit der zweiten Elektrode (Kollektor) eines weiteren Treiber-Transistors (27) der von den Eingangsimpulsen gesteuerten Stromquelle verbunden ist, wobei die Steuerelektrode und die erste Elektrode dieses weiteren Treiber-Transistors (27) mit den gleichnamigen Elektroden des ersten Treiber-Transistors (26) verbunden sind, daß die zweiten Elektroden des ersten und zweiten Transistors (13, 14) der Stromsteuertorschaltung (3) mit den zweiten Elektroden des dritten bzw. vierten Transistors (7, 8) des Neben-Flip-Flops verbunden sind und daß die Steuerelektroden des ersten und zweiten Transistors (13, 14) der Stromsteuertorschaltung (3) mit den zweiten Elektroden des ersten und zweiten Transistors (5, 6) des Haupt-Flip-Flops (1) verbunden sind.5. Bistable multivibrator according to claim 2, characterized in that the first and the second transistor (13, 14) of the current control gate circuit (3) with its first electrodes (emitter) with each other and with one of the current control gate circuit (3) individually assigned, common Terminal (24) are connected that this common terminal (24) with the second electrode (Collector) of a further driver transistor (27) of the current source controlled by the input pulses is connected, the control electrode and the first electrode of this further driver transistor (27) are connected to the electrodes of the same name of the first driver transistor (26) that the second electrodes of the first and second transistor (13, 14) of the current control gate circuit (3) connected to the second electrodes of the third and fourth transistor (7, 8) of the secondary flip-flop and that the control electrodes of the first and second transistors (13, 14) of the current control gate circuit (3) to the second electrodes of the first and second transistor (5, 6) of the main flip-flop (1) are connected.
Die Erfindung betrifft einen bistabilen Multivibrator der im Gattungsbegriff des Patentanspruches 1 beschriebenen Art.The invention relates to a bistable multivibrator as defined in the preamble of claim 1 described type.
Ein solcher bistabiler Multivibrator ist beispielsweise durch die FR-PS 20 93 494 bekannt. Er zeichnet sich dadurch aus, daß in die Verbindung zwischen den beiden Flip-Flops keine Widerstände eingefügt sind, so daß es sich besonders einfach als monolitisch integrierte Schaltung herstellen läßt. Ein weiterer Vorteil dieses bekannten bistabilen Multivibrators besteht darin, daß durch die Verwendung der Stromsteuertorschaltung eine Rückkopplung zwischen den beiden Flip-Flops vermieden ist, so daß das Auftreten von Eigenschwingungen weitgehend unterdrückt ist.Such a bistable multivibrator is known from FR-PS 20 93 494, for example. He stands out characterized in that no resistors are inserted into the connection between the two flip-flops, so that it can be produced particularly easily as a monolithically integrated circuit. Another benefit of this known bistable multivibrator is that through the use of the current control gate circuit a feedback between the two flip-flops is avoided, so that the occurrence of natural oscillations is largely suppressed.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen bistabilen Multivibrator zu schaffen, bei dem die Entkopplung zwischen Haupt-Flip-Flop und Neben-Flip-Flop derart verbessert ist, daß die von den Eingangsimpulsen gesteuerten Schaltzustandsänderungen mit noch größerer Zuverlässigkeit erfolgen. Ferner soll der bistabile Multivibrator gemäß der Erfindung gegenüber Änderungen der Umgebungstemperatur und der Speisespannung weitgehend unempfindlich sein.The invention has for its object to provide a bistable multivibrator in which the Decoupling between the main flip-flop and the secondary flip-flop is improved so that the Input pulse controlled switching status changes are made with even greater reliability. Further should the bistable multivibrator according to the invention against changes in the ambient temperature and be largely insensitive to the supply voltage.
Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden feil des Patentanspruches i genannten Merkmale 'döst.This object is achieved by the features mentioned in the characterizing part of claim i 'dozes.
Durch die Verwendung getrennter Sfotnpfade zur Ansteuerung von Haupt- und Neben-FHp-Flop oder des Haupt-Flip-Flops und der Stromsteuertorschaltung und dadurch, daß diese Ansteuerstromkreise außerdem zeitlich gegeneinander entkoppelt sind, wird vermeden, daß sich Stromschleifen bilden, über welche der die Transistoren der Stromsteuertorschahung durchfließende Sperrstrom die Funktion der von den Eingangsimpulsen gesteuerten Stromquelle zur Ansteuerung der Flip-Flops beeinti ächtigen könnten.By using separate Sfotnpfade to control the main and secondary FHp flop or the Main flip-flops and the Stromsteuertorschalt and the fact that these control circuits also are temporally decoupled from each other, it is mediated that current loops form over which the Transistors of the Stromsteuerertorschahung reverse current flowing through the function of the current source controlled by the input pulses to control the Flip-flops
Durch eine Weiterbildung der Erfindung gemäß dem. Patentanspruch 2 wird der bistabile Multivibrator so abgewandelt, daß er auch für den Betrieb mit höheren Eingangsfrequenzen geeignet ist.By a development of the invention according to the. Claim 2 is the bistable multivibrator so modified so that it is also suitable for operation with higher input frequencies.
Hierdurch wird erreicht, daß die Stre'ikapazität der Diodenübergänge der Transistoren der Stromsteuertorschaltung beim Übergang vom Diodenbetrieb in den Transistorbetrieb besonders schnell aufgeladen werden, so daß dieser Übergang ebenfalls entsprechend schnell erfolgt. Dies wiederum ermöglicht den Betrieb bei höheren Eingangsfrequenzen.This ensures that the strike capacity of the Diode transitions of the transistors of the current control gate circuit during the transition from diode operation to Transistor operation are charged particularly quickly, so that this transition is also correspondingly fast he follows. This in turn enables operation at higher input frequencies.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den übrigen Unteransprüchen beschrieben.Further advantageous embodiments of the invention are described in the remaining subclaims.
Im folgenden sei die Erfindung anhand der Zeichnung erläutert:The invention is explained below with reference to the drawing:
Fig. 1 zeigt die Schaltung eines bistabilen Multivibrators nach dem Stand der Technik,Fig. 1 shows the circuit of a bistable multivibrator According to the state of the art,
F i g. 2 zeigt eine Tabelle mit den Schaltzuständen der Transistoren der Schaltung nach F i g. 1,F i g. 2 shows a table with the switching states of the transistors in the circuit according to FIG. 1,
Fig. 3 zeigt tabellarisch die Abhängigkeit der Ausgangsspannungen der Schaltung nach F i g. 1 in Abhängigkeit von den Eingangsimpulsen,FIG. 3 shows in a table the dependence of the output voltages of the circuit according to FIG. 1 in Depending on the input pulses,
Fig.4A bis 4D zeigen Zeitdiagramme zur Erläuterung der Schaltung nach Fig. 1 sowie des Multivibrators gemäß der Erfindung,Figs. 4A to 4D show timing charts for explanation the circuit according to FIG. 1 and the multivibrator according to the invention,
Fig.5 bis 7 zeigen Ausführungsbeispiele der Erfindung. FIGS. 5 to 7 show exemplary embodiments of the invention.
Der in Fig. 1 dargestellte bistabile Multivibrator ist vom sog. T-Typ. Er dient als Frequenzteile und besteht aus einem Haupt-Flip-Flop 1 und einem Neben-Flip-Flop 2 sowie einer Stromsteuertorschaltung 3. Alle Transistoren ^ind vom ntn-Typ, ihre Kollektoren sind mit dem Anschluß 4 für den positiven Pol der Speisespannung V1x verbunden.Indem Haupt-Flip-Flop 1 ist der Kollektor jedes der Transistoren 5 und 6 mit der Basis des jeweils anderen Transistors 6 bzw. 5 verbunden. Ihre Emitter stehen miteinander und mit dem gemeinsamen Anschluß 9 des Haupt-Flip-Flops 1 in Verbindung.The bistable multivibrator shown in FIG. 1 is of the so-called T-type. It serves as frequency components and consists of a main flip-flop 1 and a secondary flip-flop 2 as well as a current control gate circuit 3. All transistors ^ ind of the ntn type, their collectors are connected to the connection 4 for the positive pole of the supply voltage V. 1x connected. In the main flip-flop 1, the collector of each of the transistors 5 and 6 is connected to the base of the respective other transistor 6 and 5, respectively. Their emitters are connected to one another and to the common connection 9 of the main flip-flop 1.
In ähnlicher Weise sind die Kollektoren der Transistoren 7 und 8 des Neben-Fli^-Flops 2 mit der Basis des jeweils anderen Transistors 8 bzw. 7 verbunden, ihre Emitter stehen unmittelbar mit dem Bezugspotential Masse in Verbindung. Der gemeinsame Anschluß 9 des Haupt-Flip-Flops ist über eine geschaltete Stromquelle mit dem Bezugspotential verbunden. Diese Stromquelle besteht aus einem Transistor 11, der durch ein Zeitgebersignal 12 gesteuert wird und einen konstanten, d. h. von der Belastung unabhängigen, Strom liefert.In a similar way, the collectors of the transistors 7 and 8 of the secondary Fli ^ -Flop 2 with the Base of the respective other transistor 8 and 7 connected, their emitters are directly connected to the Reference potential ground in connection. The common connection 9 of the main flip-flop is via a switched power source connected to the reference potential. This power source consists of a Transistor 11 controlled by a timer signal 12 becomes and a constant, i.e. H. independent of the load, supplies electricity.
Die Stromsteuertorschaltung 3 besteht aus zwei Transistoren 13 und 14, deren Emitter miteinander und mit dem gemeinsamen Anschluß 9 der geschalteten Stromquelle verbunden sind. Basiselektroden der Transistoren 13 und 14 sind mit den Kollektoren der Transistoren 5 bzw. 6 verbunden. Ihre Kollektor-Elektroden stehen mit den Kollektor-Elekiroden der Transistoren 7 bzw. 8 in Verbindung.The current control gate circuit 3 consists of two transistors 13 and 14, the emitters of which are connected to each other and are connected to the common terminal 9 of the switched power source. Base electrodes of the Transistors 13 and 14 are connected to the collectors of transistors 5 and 6, respectively. Your collector electrodes are connected to the collector electrodes of the transistors 7 and 8, respectively.
Im folgenden sei die Wirkungsweise der in F i g. 1 dargestellten Schaltung unter Bezug auf Fig. 2 bis 4 erläutert:The following is the mode of operation of the in FIG. 1 with reference to FIGS. 2 to 4 explained:
In Fig. 2 bedeuten die Ausdrücke »CW« und »OFF« den leitenden bzw. nichtleitenden Zustand der betreffenden Transistoren. Das Diodensymbol bedeutet, daß die betreffenden Transistoren 13 bzw. 14 derart vorgespannt sind, daß ihre Basis-Kollektor-Strecken als Dioden wirken.In FIG. 2, the terms "CW" and "OFF" mean the conductive and non-conductive states of the transistors concerned. The diode symbol means that the transistors 13 and 14 concerned are biased in such a way that their base-collector paths act as diodes.
Ihr Ausgangszustand ist dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor 7 des Neben-Flip-Flops 2 leitend und der Transistor 8 nichtleitend ist. Die Zeitgeberimpulse am gemeinsamen Anschluß 9 sind in Fig.4A dargestellt. Wenn einer dieser Zeitgeberimpulse zu Beginn des Intervalls Ti seinen oberen Pegelwert erreicht, sind die Transistoren 5, 6. 13 und 14 nichtleitend. Es sei vorausgesetzt, daß hierbei die Basis-Kollektor-Strecken der Transistoren 13 und 14 in Flußrichtung, die Transistoren also invers, d. h. als Dioden betrieben werden. Bei dem in der ersten Zeile der Tabelle nach F i g. 2 dargestellten Schaltzustand fließt der Strom von dem Batterieanschluß 4 über die Basis-KoUektor-Strekke des Transistors 14 und die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 8 nach Masse. Da der Transistor 8 zunächst leitend ist, liegen die Kollektoren der Transistoren 8 und 14 praktisch auf Null-Potential. Dementsprechend hat das Basispotential des Transistors 14 in bezug auf das Bezugspotential (auf Masse) den Wert V^ der dem Spannungsabfall über der Basis-Kollektor-Strecke des Transistors 14 entspricht (F ig. 4C).Its initial state is characterized in that transistor 7 of secondary flip-flop 2 is conductive and transistor 8 is non-conductive. The timing pulses on common terminal 9 are shown in Figure 4A. If one of these timer pulses reaches its upper level value at the beginning of the interval Ti, the transistors 5, 6, 13 and 14 are non-conductive. It is assumed that the base-collector paths of the transistors 13 and 14 are in the forward direction, that is, the transistors are operated inversely, ie as diodes. In the case of the one in the first line of the table according to FIG. 2, the current flows from the battery terminal 4 via the base-KoUektor-Strekke of the transistor 14 and the collector-emitter path of the transistor 8 to ground. Since the transistor 8 is initially conductive, the collectors of the transistors 8 and 14 are practically at zero potential. Accordingly, the base potential of the transistor 14 with respect to the reference potential (to ground) has the value V ^ which corresponds to the voltage drop across the base-collector path of the transistor 14 (FIG. 4C).
Das Basispotential des Transistors 13 hat den Wert 2 Vbe (Fig. 4B), das den Spannungsabfall an der Basis-Kollektor-Strecke des Transistors 14 zuzüglich dem Spannungsabfall an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 8 entspricht. Fig. 4D und 4E zeigen die Kollektorpotentiale der Transistoren 7 und 8.The base potential of the transistor 13 has the value 2 Vbe (Fig. 4B), the voltage drop across the Base-collector path of transistor 14 plus the voltage drop across the base-emitter path of the Transistor 8 corresponds. FIGS. 4D and 4E show the collector potentials of the transistors 7 and 8.
Die in F i g. 3 dargestellte Tabelle zeigt die Spannungen an den Kollektoren, d. h. an den Schaltungspunkten T P, Q und Q in Abhängigkeit von den Zeitgeberimpulsen am gemeinsamen Anschluß 9. Wenn dieser seinen oberen Pegelwert hat, arbeiten die beiden Transistoren 13 und 14 als Dioden.The in F i g. The table shown in 3 shows the voltages at the collectors, ie at the nodes T P, Q and Q as a function of the timer pulses at the common terminal 9. When this has its upper level, the two transistors 13 and 14 work as diodes.
Wenn die Signalspannung am gemeinsamen Anschluß 9 während der Zeitspanne T2 auf ihren niedrigen Wert absinkt, wird der Transistor 6 leitend. Der Transistor 5 bleibt infolge der unterschiedlichen Basisvorspannung der Transistoren 13 und 14 nichtleitend. Auf diese Weise wird der Schaltzustand des Neben-Flip-Flops 2, dessen Transistor 7 nichtleitend und dessen Transistor 8 leitend ist, auf das Haupt-Flip-Flop 1 übertragen. Dadurch nehmen die Basispotentiale der Transistoren 13 und 14 die Pegelwerte V^ebzw. Null an, wie dies in F i g. 4B und 4C dargestellt ist.When the signal voltage at the common terminal 9 drops to its low value during the period T 2 , the transistor 6 becomes conductive. The transistor 5 remains non-conductive due to the different base bias of the transistors 13 and 14. In this way, the switching state of the secondary flip-flop 2, the transistor 7 of which is non-conductive and the transistor 8 of which is conductive, is transferred to the main flip-flop 1. As a result, the base potentials of the transistors 13 and 14 take the level values V ^ ebzw. As shown in FIG. 4B and 4C is shown.
Gleichzeitig werden die Transistoren 13 und 14 derart umgesteuert, daß sie im Transistorbetrieb arbeiten. In diesem Zustand ist der Transistor 13 leitend, während der Transistor 14 nichtleitend ist. Der Zustand des Neben-Flip-Flops 2 wird invertiert. Aus den in Fig. 2 und 3 dargestellten Tabellen sowie aus den Zeitdiagrammen nach Fig. 4D und 4E ist erkennbar, daß der Transistor 7 während der Zeitspanne T2 leitend und der Transistor 8 nichtleitend ist.At the same time, the transistors 13 and 14 are reversed in such a way that they operate in transistor mode. In this state, the transistor 13 is conductive, while the transistor 14 is non-conductive. The state of the sub-flip-flop 2 is inverted. From the tables shown in FIGS. 2 and 3 and from the timing diagrams according to FIGS. 4D and 4E it can be seen that transistor 7 is conductive and transistor 8 is non-conductive during time period T 2.
Zu Beginn der Zeitspanne T3 steigt die Spannung am gemeinsamen Anschluß 9 von neuem an. Die Tiansisto-At the beginning of the time period T 3 , the voltage at the common terminal 9 rises again. The Tiansisto-
ren 13 und 14 sind wieder so vorgespannt, daß sie als Dioden arbeiten. Deshalb nimmt das Basispotential des Transistors 13 den Wert Vde an, der dem Spannungsabfall über der Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 13 entspricht. Das Brasispotential des Transistors 14 nimmt den Wert 2 Vde an, der dem Spannungsabfall über der Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 14 zuzüglich dem Spannungsabfall über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 7 entspricht (F i g. 3 und 4). Während der Zeitspanne Ta, fällt die Spannung am gemeinsamen Anschluß 9 von neuem ab, so daß der Transistor 5 leitend und der Transistor 6 nichtleitend wird. Damit wird der Schaltzustand des Neben-Flip-Flops 2, in welchem der Transistor 7 leitend und der Transistor 8 nichtleitend ist, auf das Haupt-Flip-Flop 1 übertragen. Das Basispotential des Transistors 13 wird Null und das Basispotential des Transistors 14 nimmt den Wert Vde an. Dies ist aus der unteren Zeile der Tabelle nach F i g. 3 und aus den Zeitdiagrammen nach F i g. 4D und 4E für die Zeitspanne T4 erkennbar. Der Transistor 7 wird dementsprechend nichtleitend und der Transistor 8 wird leitend.ren 13 and 14 are again biased to work as diodes. The base potential of the transistor 13 therefore assumes the value Vde , which corresponds to the voltage drop across the collector-base path of the transistor 13. The Brazilian potential of transistor 14 assumes the value 2 Vde , which corresponds to the voltage drop across the collector-base path of transistor 14 plus the voltage drop across the base-emitter path of transistor 7 (FIGS. 3 and 4). During the time period Ta, the voltage at the common terminal 9 drops again, so that the transistor 5 becomes conductive and the transistor 6 becomes non-conductive. The switching state of the secondary flip-flop 2, in which the transistor 7 is conductive and the transistor 8 is non-conductive, is thus transferred to the main flip-flop 1. The base potential of the transistor 13 becomes zero and the base potential of the transistor 14 assumes the value Vde . This is from the bottom line of the table according to FIG. 3 and from the timing diagrams according to FIG. 4D and 4E for the time period T 4 can be seen . The transistor 7 becomes accordingly non-conductive and the transistor 8 becomes conductive.
Aus der vorangehenden Beschreibung geht hervor, daß das Neben-Flip-Flop 2 nacheinander zwei stabile Schaltzustände einnimmt und daß an den Kollektoren eine Frequenzteilung der Eingangsimpulse auftritt. Wie aus Fig. 4D und 4E erkennbar ist, haben die Ausgangsimpulse, d. h. die Impulse an den Kollektoren der Transistoren 7 und 8, die halbe Frequenz der Eingangsimpulse. Die Polarität der Ausgangsimpulse wechselt jeweils mit der Rückflanke des Eingangssignals am gemeinsamen Schaltungspunkt 9. From the foregoing description it can be seen that the sub-flip-flop 2 successively two stable Assumes switching states and that a frequency division of the input pulses occurs at the collectors. As 4D and 4E, the output pulses, i. H. the impulses to the collectors of transistors 7 and 8, half the frequency of the input pulses. The polarity of the output pulses alternates with the trailing edge of the input signal at the common circuit point 9.
Wenn die Transistoren 13 und 14 invers, d. h. als Dioden, arbeiten, fließt ein endlicher Leckstrom von den Emittern der Transistoren 5 und 6 über die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 13 zum Transistor 7 und über diesen nach Masse. Dies entspricht dem Schaltzustand während der Zeitspanne T3. Während dieser Zeitspanne kann das Potential am gemeinsamen Anschluß 9 und damit am Kollektor des Transistors 11 zu Null werden, so daß das Eingangssignal den Transistor 12 nicht korrekt in seinen leitenden Zustand steuert.When the transistors 13 and 14 work inversely, ie as diodes, a finite leakage current flows from the emitters of the transistors 5 and 6 via the emitter-collector path of the transistor 13 to the transistor 7 and via this to ground. This corresponds to the switching state during the time period T 3 . During this period of time, the potential at the common terminal 9 and thus at the collector of the transistor 11 can become zero, so that the input signal does not correctly control the transistor 12 into its conductive state.
F i g. 5 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung, das diesen Nachteil vermeidet. Bei der Schaltung nach F i g. 5 werden die zum Umschalten der Transistoren bestimmten Signale dem Haupt-FlipFlop 1 und der Stromsteuertorschaltung 3 getrennt zugeführt. Die von den Eingamgsimpulsen der Impulsquelle 12 gesteuerte Stromquelle besteht aus zwei Transistoren 16 und 17. Während die Basis des Transistors 16 unmittelbar mit der Irnpulsquclle 12 verbunden ist, ist in die Verbindung zwischen der Basis des Transistors 17 und der Impulsquelle 12 ein als Spannungsteile ausgebildetes Dämpfungsglied eingefügt. Durch die Widerstände 20 und 21 dieses Spannungstciles sowie durch die Widerstände 18 und 19 im Basiskreis des Transistors 16 bzw. im Kollcktorkrcis des Transistors 17 sind die Transistoren 16 und 17 derart vorgespannt, daß der Transistor 16 infolge der endlichen Steilheit der Vordcrflankc der Eingangsimpulse um eine endliche Zeitspanne früher in seinen leitenden Zustand gelangt als der Transistor 17. Der hohe Wert des Emitterpotcntials des Haupt-Flip-Flops 1 sinkt dann auf das Bezugspolential ab, während der Schaltzustand des Ncbcn-Flip-Flops 2 beibehalten wird. Die Transistoren 13 und 14, welche zunächst invers betrieben werden, also als Dioden arbeiten, werden durch die Zustandsänderung des Haupt-Flip-Flops so umgesteuert, daß sie im Transistorbetrieb arbeiten.F i g. 5 shows a first embodiment of the invention which avoids this disadvantage. In the Circuit according to FIG. 5, the signals intended for switching the transistors are sent to the main flip-flop 1 and supplied to the power control gate circuit 3 separately. The from the input pulses of the pulse source 12 controlled current source consists of two transistors 16 and 17. While the base of transistor 16 is directly connected to the pulse source 12, is in the connection between the base of the transistor 17 and an attenuator designed as a voltage component is inserted into the pulse source 12. Through the Resistors 20 and 21 of this voltage and through the resistors 18 and 19 in the base circle of the In transistor 16 or in the Kollcktorkrcis of the transistor 17, the transistors 16 and 17 are biased such that the transistor 16 due to the finite steepness of the leading edge of the input pulses by a finite Reaches its conductive state earlier than the transistor 17. The high value of the emitter potential of the main flip-flop 1 then drops to the reference potential, while the switching state of the Ncbcn flip-flops 2 is retained. The transistors 13 and 14, which are initially operated inversely, i.e. work as diodes, are activated by the change in state of the main flip-flop reversed so that they work in transistor mode.
In dem Zeitpunkt, in welchem sich der Betriebszustand der Transistoren 13 und 14 in der vorgenannten Weise ändert, wird eine von ihnen für den Kollektorstrom eines der Transistoren 7 oder 8 des Neben-Flip-Flops durchlässig. Das Neben-Flip-Flop ändert dadurch seinen Schaltzustand, während die Transistoren 16 und 17 der gesteuerten Stromquelle leitend sind.At the point in time at which the operating state of transistors 13 and 14 is in the aforementioned Way changes, one of them becomes one of the transistors 7 or 8 of the sub-flip-flop for the collector current permeable. The secondary flip-flop changes its switching state, while the transistors 16 and 17 of the controlled current source are conductive.
ίο Wenn die Spannung des von der Impulsquelle 12 gelieferten Eingangssignals abfällt, wird der Transistor 17 eine endliche Zeitspanne früher in seinen nichtleitenden Zustand gesteuert als der Transistor 16. Die Betriebsart der Transistoren 13 und 14 wird umgekehrt,ίο If the voltage of the pulse source 12 supplied input signal falls, the transistor 17 is a finite period of time earlier in its non-conductive State controlled as transistor 16. The mode of operation of transistors 13 and 14 is reversed,
IS so daß diese invers, d. h. als Dioden arbeiten. Sobald der Transistor 16 vollständig nichtleitend ist, fließt ein Strom von der Speisespannungsquelle über den leitenden Transistor des Haupt-Flip-Flops 1 zu der Basis des Transistors 13 bzw. 14. Dementsprechend wird dasIS so that this is inverse, i.e. H. work as diodes. Once the Transistor 16 is completely non-conductive, a current flows from the supply voltage source via the conductive transistor of the main flip-flop 1 to the base of the transistor 13 or 14. Accordingly, the
ίο Kollektorpotential der Transistoren 5 und 6 auf die Werte 2 Vde bzw. Vre fixiert, wie dies oben anhand von F i g. 1 beschrieben wurde.ίο the collector potential of the transistors 5 and 6 fixed to the values 2 Vde and V re , as shown above with reference to FIG. 1 was described.
Die bei der Beschreibung der Schaltung nach F i g. 1 erwähnte Stromschleife, welche das ordnungsgemäße Umschalten des Transistors 11 der gesteuerten Stromquelle beeinträchtigt, ist bei der Schaltung nach Fig.5 nicht vorhanden, da die Emitter der Transistoren des Haupt-Flip-Flops 1 und der Stromsteuertorschaltung 3 voneinander getrennt sind. Da dem mit dem gemeinsamen Anschluß 24 verbundenen Kollektor des Transistors 17 über den Widerstand 18 außerdem ein endlicher Strom zur Vorspannungserzeugung zugeführt wird, kann sein Kollektorpotential niemals auf den Wert Null fallen. Daher kann das von der Impulsquelle 12 gelieferte Eingangssignal den Transistor 17 ohne jede Beeinträchtigung in seinen leitenden Zustand steuern.In the description of the circuit according to FIG. 1 mentioned current loop, which the proper Switching of the transistor 11 of the controlled current source is impaired in the circuit according to FIG not present because the emitters of the transistors of the main flip-flop 1 and the current control gate circuit 3 are separated from each other. Since the collector of the transistor connected to the common terminal 24 17 a finite current is also supplied via the resistor 18 to generate the bias voltage, its collector potential can never drop to zero. Therefore, this can be done by the pulse source 12 The input signal supplied control the transistor 17 without any impairment in its conductive state.
F i g. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das mit Eingangssignalen sehr hoher Frequenz betrieben werden kann. Die Frequenz kann etwa 80 Mhz betragen. Die von den Eingangsimpulsen gesteuerte Stromquelle ist bei der Schaltung nach F i g. 6 als Differentialschaltung ausgebildet. Sie besteht aus den Transistoren 26, 27 und 28. Die Emitter dieser Transistoren sind miteinander und über eine aus einem Transistor 29, dessen Basis durch eine Spannungsquelle 31 vorgespannt ist, bestehende Stromquelle mit dem Bezugspotential verbunden. Die Basis des Transistors 28, welcher Bestandteil der erwähnten Differentialschal· tung ist, ist durch eine Spannungsquelle 30 vorgespannt so daß die Steuersignale der Transistoren 26 und 2Ί einerseits und des Transistors 28 andererseits gegen phasig sind. Da die Spannung an den Emittern dci Transistoren 13 und 14 einerseits und die Spannung an Kollektor der Transistoren 7 und 8 unterschiedlich« Phase besitzen, werden die Transistoren 13 und 14 dann wenn sie invers, d. h. als Dioden betrieben werden schnell in den Betriebszustand umgeschaltet, in welchen sie als normale Transistoren arbeiten. Dies bedeute! daß die Kapazität der Diodenübergänge der Transisto rcn 13 und 14 schnell aufgeladen werden. Infolge de hohen Kollektorspannung der Transistoren 7 und ι werden die Transistoren 13 und 14 anschließend rase' auf normalen Transistorbetrieb geschaltet.F i g. 6 shows a further exemplary embodiment of the invention which can be operated with very high frequency input signals. The frequency can be around 80 MHz. The current source controlled by the input pulses is in the circuit according to FIG. 6 designed as a differential circuit. It consists of the transistors 26, 27 and 28. The emitters of these transistors are connected to one another and via a current source consisting of a transistor 29, the base of which is biased by a voltage source 31, to the reference potential. The base of the transistor 28, which is part of the mentioned differential circuit, is biased by a voltage source 30 so that the control signals of the transistors 26 and 20 on the one hand and of the transistor 28 on the other hand are in phase opposition. Since the voltage at the emitters dci transistors 13 and 14 on the one hand and the voltage at the collector of the transistors 7 and 8 have different phases, the transistors 13 and 14 are then quickly switched to the operating state when they are operated inversely, ie as diodes which they work as normal transistors. This means! that the capacitance of the diode junctions of the transistors rcn 13 and 14 are charged quickly. As a result of the high collector voltage of the transistors 7 and ι, the transistors 13 and 14 are then switched to normal transistor operation.
F i g. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel de Erfindung. Bei diesem sind das Haupt-Flip-Flop und di Stromsteuertorschaltung zu einer einzigen Schaltung; stufe 32 zusammengefaßt. Der gemeinsame Anschlu des Haupt-Flip-Flops und der des Nebcn-Flip-Flor.F i g. 7 shows a further embodiment of the invention. In this case, the main flip-flop and di Current control gate circuit to a single circuit; level 32 summarized. The common connection of the main flip-flop and that of the secondary flip-flop.
sind wieder mit gegeneinander entkoppelten Ausgängen der von den Eingangsimpulsen 12 gesteuerten Stromquelle verbunden, welche wie bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig.5 als Differentialschaltung ausgebildet ist. Der erste Transistor 26 wird durch das Eingangssignal 12 wieder direkt angesteuert, während der zweite Transistor 28, dessen Basispotential dui die Spannungsquelle 30 festgelegt ist, als Phasenu kehrschaltung betrieben wird, so daß die an c Kollektoren 26 und 28 auftretenden Steuersign entgegengesetzte Phasenlage besitzen.are again with outputs that are decoupled from one another and are controlled by the input pulses 12 Current source connected, which as in the embodiment of Figure 5 as a differential circuit is trained. The first transistor 26 is again driven directly by the input signal 12 while the second transistor 28, the base potential of which is fixed by the voltage source 30, as phase u reversing circuit is operated, so that the control signals occurring at c collectors 26 and 28 have opposite phase position.
Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings
709 641/3:709 641/3:
Claims (2)
Applications Claiming Priority (3)
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