DE2359096C3 - Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung - Google Patents
Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer DurchbiegungInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung von einem
Halbleiterstab mit Hilfe einer Diamantsäge, insbesondere einer sogenannten Diamant-Innenlochsäge, bei der
entlang des Randes eines kreisförmigen Lochs in einer Metallscheibe Diamantkörner angebracht sind.
Das Schiieidverfahren mit einer Diamant-Innenlochsäge
ist beispielsweise in der DE-OS 20 52 896 beschrieben. Sollen Halbleiterscheiben — z. B. Siliciumscheiben
— auf Diamant-Innenlochsägen zugeschnitten werden, um ohne weitere Bearbeitung wie z. B. Läppen
weiter verarbeitet werden zu können, so muß neben anderen Werten auch die Durchbiegung der geschnittenen
Scheiben innerhalb vorgegebener Toleranzen liegen. Meßergebnisse haben gezeigt, daß nach einer
Serie von Schnitten die Durchbiegung zunächst gering ist, jedoch dann innerhalb weniger Schnitte unzulässig
groß wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, bei dem diese
Durchbiegung innerhalb vorgegebener Toleranzen bleibt
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren
ίο der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgeschlagen,
daß bei Überschreiten einer Durchbiegungstoleranz mit der Säge kurzzeitig in ein hartes Material
gesägt wird, das exponiert liegende Diamantkörner herausschlägt
Mit Hilfe eines solchen erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem Diamantkörner, die unter einem
schlechten Winkel zur Vorschubrichtung und/oder an der falschen Stelle schneiden, entfernt werden, erhält
man nach dem Sägen in das harte Material wieder Halbleiterscheiben mit ausreichend geringer Durchbiegung.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß ein geschlossener
Regelkreis gebildet wird, bei dem an den abgesägten Scheiben laufend Durchbiegungsmessungen vorgenommen
werden, bei Überschreiten der Toleranz der Sägeprozeß an dem Halbleiterstab kurzzeitig unterbrochen
wird und während der Unterbrechung das Sägen in das harte Material erfolgt.
so Die Auswertung der Durchbiegungsmessungen erfolgt dabei vorteilhaft elektronisch, gegebenenfalls über
einen Prozeßrechner. Das zwischenzeitliche Sägen in das harte Material erfolgt dabei so kurzzeitig, daß eine
Verschlechterung der die Qualität eines Sägeschnitts bestimmenden Parameter wie z. B. die Rauhtiefe, die
Welligkeit und die Planparallelität vermieden wird. Falls ein einmaliges zwischenzeitiges Sägen den gewünschten
Erfolg nicht bringt, so erfolgt eine Wiederholung dieses Vorgangs.
Claims (2)
1. Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung von einem Halbleiterstab
mit Hilfe einer Diamantsäge, insbesondere einer sogenannten Diamant-Innenlochsäge, bei der entlang
des Randes eines kreisförmigen Lochs in einer Metallscheibe Diamantkörner angebracht sind, d a durch
gekennzeichnet, daß bei Oberschreiten einer Durchbiegungstoleranz mit der Säge
kurzzeitig in ein hartes Material gesägt wird, das exponiert liegende Diamantkörner herausschlägt
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß ein geschlossener Regelkreis gebildet
wird, bei dem an den abgesägten Scheiben laufend Durchbiegungsmessungen vorgenommen werden,
bei Überschreiten der Toleranz der Sägeprozeß an dem Halbleiterstab kurzzeitig unterbrochen wird
und während der Unterbrechung das Sägen in das harte Material erfolgt.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732359096 DE2359096C3 (de) | 1973-11-27 | 1973-11-27 | Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung |
CH879674A CH582954A5 (de) | 1973-11-27 | 1974-06-26 | |
GB2979674A GB1465717A (en) | 1973-11-27 | 1974-07-04 | Sawing of semiconductor wafers from a rod |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732359096 DE2359096C3 (de) | 1973-11-27 | 1973-11-27 | Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2359096A1 DE2359096A1 (de) | 1975-06-05 |
DE2359096B2 DE2359096B2 (de) | 1981-05-27 |
DE2359096C3 true DE2359096C3 (de) | 1982-01-28 |
Family
ID=5899222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732359096 Expired DE2359096C3 (de) | 1973-11-27 | 1973-11-27 | Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH582954A5 (de) |
DE (1) | DE2359096C3 (de) |
GB (1) | GB1465717A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4667650A (en) * | 1985-11-21 | 1987-05-26 | Pq Corporation | Mounting beam for preparing wafers |
DE3613132A1 (de) * | 1986-04-18 | 1987-10-22 | Mueller Georg Nuernberg | Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen |
DE3640645A1 (de) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum zersaegen von kristallstaeben oder -bloecken vermittels innenlochsaege in duenne scheiben |
DE3718947A1 (de) * | 1987-06-05 | 1988-12-15 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum schaerfen von trennwerkzeugen fuer das abtrennen von scheiben von stab- oder blockfoermigen werkstuecken und trennverfahren |
DE19818484A1 (de) * | 1998-04-24 | 1999-10-28 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Abtrennen einer Halbleiterscheibe |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1319768A (en) * | 1969-10-29 | 1973-06-06 | Caplin Eng Co Ltd | Machine tool for cutting a workpiece |
-
1973
- 1973-11-27 DE DE19732359096 patent/DE2359096C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-06-26 CH CH879674A patent/CH582954A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-07-04 GB GB2979674A patent/GB1465717A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2359096B2 (de) | 1981-05-27 |
GB1465717A (en) | 1977-03-02 |
DE2359096A1 (de) | 1975-06-05 |
CH582954A5 (de) | 1976-12-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |