DE2241778C3 - Light meter - Google Patents

Description

ge geliefert wird (bei Unterbelichtung brenne z. B. die eine Lampe, bei Überbelichtung die andere, bei richtiger Belichtung beide und bei zu niedriger Speisespannung keine).ge is delivered (in the event of underexposure, for example, the one lamp, the other if overexposed, both if the lighting is correct and if the supply voltage is too low none).

Im folgenden wird die Erfindung an Hand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. In der Zeichnung zeigtIn the following the invention is based on in the Drawing illustrated embodiments explained in more detail. In the drawing shows

F i g. 1 ein Schaltbild der Belichtungs-Anzeigeseha!- tung und der Versorgungsspannungs-Prüfschaltung gemäß einem Au*führungsbeispiel der Erfindung, _Ιύ F i g. 1 is a circuit diagram of the exposure display unit and the supply voltage test circuit according to an _{exemplary embodiment of the invention, Ιύ}

F i g. 2 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung.F i g. 2 is a circuit diagram of a second exemplary embodiment of the invention.

In F i g. 1 stellt RpH eine Photozelle, ζ. Β. eine CdS-ZeIIe dar. Rv bezeichnet einen Funktionswiderstand, dessen Charakteristik von der die Photozelle Rph treffenden Beleuchtungsstärke bzw. dem Widertandswert der Photozelle und von einem mechanischen Koppelungssystem mit einer Vorrichtung zur Einstellung der Filmempfindlichkeit, der Verschlußzeit, der F-Zahl usw. abhängig ist. Die Belichtung einstellende bzw. korrigierenden Faktoren, wie Filmempfindlichkeit, Verschlußzeit, F-Zahl müssen in den Funktionswiderstand Rv eingeführt werden. Die Widerstände R 1 und R 2 wirken mit der Photozelle Rph und dem Funktionswiderstand Rv zusammen und bilden mit diesem eine Brückenschaltung.In Fig. 1, RpH represents a photocell, ζ. Β. a CdS cell. Rv denotes a functional resistance, the characteristics of which are dependent on the illuminance or the resistance value of the photocell striking the photocell Rph and on a mechanical coupling system with a device for setting the film speed, the shutter speed, the F-number, etc. . The exposure adjusting or correcting factors such as film speed, shutter speed, F number must be introduced into the functional resistance Rv . The resistors R 1 and R 2 interact with the photocell Rph and the functional resistor Rv and form a bridge circuit with this.

Das Photoelement Rph und der Funktionswiderstand Rv sind in Reihe geschaltet. Ein Rnde der Photozelle Rph ist mit dem positiven Pol bzw. Anschluß einer elektrischen Spannungswelle E und ein Ende des Widerstandes Rv mit dem negativen Pol oder Anschluß der elektrischen Spannungsquelle £ verbunden. Der Verbindup.gspunkt zwischen Rph und Rv liegt an den Basiselektroden von npn- und pnp-Transistoren 7 1 bzw. 72, welche den Brückenabgleich bestimmen. Der ^s Widerstand R V ein einstellbarer Widerstand RX ein Widerstand λ * und der Widerstand R 2 sind in Reihe geschaltet. Ein Ende des Widerstandes R 1 ist mit dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle E und ein Ende des Widerstandes R 2 mit dem negativen Pol der Spannungsquelle E verbunden.The photo element Rph and the functional resistor Rv are connected in series. One end of the photocell Rph is connected to the positive pole or connection of an electrical voltage wave E and one end of the resistor Rv is connected to the negative pole or connection of the electrical voltage source E. The connection point between Rph and Rv is at the base electrodes of npn and pnp transistors 7 1 and 72, which determine the bridge balance. The resistor R V an adjustable resistor RX a resistor λ * and the resistor R 2 are connected in series. One end of the resistor R 1 is connected to the positive pole of the electrical voltage source E and one end of the resistor R 2 is connected to the negative pole of the voltage source E.

Ferner ist ein Vorspannungs-npn-Transistor 73 vorgesehen, dessen Kollektor mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R 1 und dem einstellbaren Widerstand RX dessen Basis mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R 3 und R 4 und dessen Emitter mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R 4 und R 2 verbunden sind. Der Emitter des Transistors 7"I ist über einen Widerstand R 5 an den Verbindungspunkt zwischen dc.i Widerständen R4 und R 2 angeschaltet. Der Emitter des Transistors 7"2 liegt über einen Widerstand R 6 an dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R 1 und dem einstellbaren Widerstand R 3. Furthermore, a bias npn transistor 73 is provided, whose collector with the connection point between the resistor R 1 and the adjustable resistor RX, its base with the connection point between the resistors R 3 and R 4 and its emitter with the connection point between the resistors R 4 and R 2 are connected. The emitter of the transistor 7 "I is connected via a resistor R 5 to the connection point between the dc.i resistors R4 and R 2. The emitter of the transistor 7" 2 is connected to the connection point between the resistor R 1 and the via a resistor R 6 adjustable resistance R 3.

Die Widerstände R 5 und R 6 haben gleichen Wider- ss stand:;wert. Zwischen dem Emitter des Transistors 71 und dem Emitter des Transistors T2 liegt ein Thermistor Rth, der im Zusammenwirken mit den Widerständen R 5 und R 6 die Temperatur in der unempfindlichen Zone (d. h. in dem Toleranzbereich für die Anzeige der richtigen Belichtung) von den Transistoren Ti und 72 kompensiert. Der einstellbare Widerstand RZ ist so voreingestellt, daß die Vorspannung zwischen den Emittern der Transistoren Ti und 72 gleich der Spannung über dei optimalen unempfindlichen Zone sein kann. Der Kollektor des Transistors T2 ist mit der Basis eines npn-Transistors 7"4 verbunden, dessen Emitter am negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E liegt und dessen Kollektor mit der Basis eines pnp-Transistors 75 über einen Widerstand R 7 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 75 ist mit dem positiven Pol der Spannungsquelle Fund sein Kollektor mit der Basis eines pnp-Transistors 76 verbunden. Die Transistoren 75 und 76 bilden zusammen eine Phasen-Umkehrschaltung. The resistors R 5 and R 6 have the same resistance:; worth. Between the emitter of the transistor 71 and the emitter of the transistor T2 there is a thermistor Rth, which in cooperation with the resistors R 5 and R 6 the temperature in the insensitive zone (ie in the tolerance range for the display of the correct exposure) of the transistors Ti and 72 compensated. The adjustable resistor RZ is preset so that the bias voltage between the emitters of the transistors Ti and 72 can be equal to the voltage across the optimal insensitive zone. The collector of the transistor T2 is connected to the base of an npn transistor 7 "4, the emitter of which is connected to the negative pole of the electrical voltage source E and the collector of which is connected to the base of a pnp transistor 75 via a resistor R 7. The emitter of the The transistor 75 is connected to the positive pole of the voltage source and its collector is connected to the base of a pnp transistor 76. The transistors 75 and 76 together form a phase inversion circuit.

Der Emitter des Transistors 76 ist mit dem positiven Pol der Spannungsquelle Eund der Kollektor des Transistors 76 mit der Anode einer Glimmdiode D 3 verbunden. Die Kathode der Diode D 3 liegt über einen Widerstand R 10 am negativen Pol der elektrischen Sparmungsquelle E Die Anode bzw. die Kathode einer Diode D 1 sind mit dem positiven Pol der Spannungsquelle Ebzw. einem einstellbaren Widerstand R% verbunden. Ein Ende des Widerstandes R 8 ist mit einem Widerstand R 9 verbunden, dessen anderes Ende am negativen Pol der Spannungsquelle fliegt Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand /?9 und dem einstellbaren Widerstand RS ist mit der Basis des Transistors 76 verbunden, um den Transistor in Durchlaßrichtung vorzuspannen. Die von dem -Widerstand R 9, dem einstellbaren Widerstand R& und der Diode Di gegenüber der Spannung der Quelle E heruntergeteilte Spannung wird so eingestellt, daß sie geringfügig über der Schwellenspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 76 liegt, wenn die Quelle E die für die Messung geeignete Minimalspannung liefert. Wenn die Spannung der Quelle £ daher unter den minimalen Spannungspegel abfällt, wird der Transistors 76 unabhängig vom Leitungszustand des Transistors 75 gesperrt, so daß die Glimm- bzw. Lumineszenzdiode D 3 dauernd gelöscht ist.The emitter of transistor 76 is connected to the positive pole of voltage source E and the collector of transistor 76 is connected to the anode of a glow diode D 3. The cathode of the diode D 3 is connected to the negative pole of the electrical energy source E via a resistor R 10. The anode or the cathode of a diode D 1 are connected to the positive pole of the voltage source Ebzw. connected to an adjustable resistor R% . One end of the resistor R8 is connected to a resistor R 9 whose other end to the negative pole of the voltage source is flying The connection point between the resistor /? 9 and the adjustable resistance RS is connected to the base of transistor 76 to the transistor in the forward direction to pretension. The voltage divided by the resistor R 9, the adjustable resistor R & and the diode Di with respect to the voltage of the source E is set so that it is slightly above the threshold voltage between the base and the emitter of the transistor 76 when the source E is the supplies a suitable minimum voltage for the measurement. If the voltage of the source £ therefore falls below the minimum voltage level, the transistor 76 is blocked regardless of the conduction state of the transistor 75, so that the glow or luminescent diode D 3 is permanently extinguished.

Die Diode D i ist eine Germaniumdiode, die zur Temperaturkompensation verwendet wird; sie kompensiert eine Änderung des Prüfpunkts der Spannungsquelle, die sich daraus ergibt, daß die Schwellenspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 76 mit der Temperatur veränderlich ist. In ähnlicher Weise ist der Kollektor des Transistors 71 mit der Basis eines pnp-Transistors 77 verbunden, dessen Emitter an dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle £anliegt und dessen Kollektor mit der Basis eines npn-Transistors 78 über einen Widerstand R 11 verbunden ist. Der Emitter bzw. der Kollektor des Transistors 78 sind mit dem negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E bzw. der' Basis eines npn-Transistors 79 verbunden. Die Transistoren 78 und 79 bilden zusammen eine Phaser.-Umkehrschaltung. Der Emitter bzw. der Kollektor des Transistors 79 sind mit dem negativen Pol der Spannungsquelle E bzw. der Kathode einer Glimm- bzw. Lumineszenzdiode D 4 verbunden. Die Anode der Glimmdiode D 4 ist über einen Widerstand R 14 mit dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle £ verbunden. Die Kathode einer der Temperaturkompensation dienenden Germaniumdiode D 2 ist mit dem negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E und ihre Anode mit einem Hnstellbaren Widerstand R 12 verbunden. Ein Ende des Widerstandes R 12 ist an einem Widerstand R 13 angeschaltet, dessen anderes Ende mit dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle £ verbunden ist. Der Verbindungspunkt /wischen dem Widerstand Ä13 und dem einstellbaren Widerstand R 12 liegt an der Basis des Transistors 79 und spannt diesen in Durchlaßrichtung vor. Der Widerstand R 13, der einstellbare Widerstand R 12, die Diode D 2 und der Transistor 79 erfüllen gemeinsam die Vcrsorgungsspannungs-Prüffunk-The diode D i is a germanium diode which is used for temperature compensation; it compensates for a change in the test point of the voltage source resulting from the fact that the threshold voltage between the base and emitter of transistor 76 varies with temperature. Similarly, the collector of transistor 71 is connected to the base of a pnp transistor 77, the emitter of which is connected to the positive pole of the electrical voltage source £ and whose collector is connected to the base of an npn transistor 78 via a resistor R 11. The emitter and the collector of the transistor 78 are connected to the negative pole of the electrical voltage source E or the base of an npn transistor 79. The transistors 78 and 79 together form a phaser inverting circuit. The emitter and the collector of the transistor 79 are connected to the negative pole of the voltage source E or the cathode of a glow or luminescence diode D 4. The anode of the glow diode D 4 is connected to the positive pole of the electrical voltage source E via a resistor R 14. The cathode of a germanium diode D 2 serving for temperature compensation is connected to the negative pole of the electrical voltage source E and its anode is connected to an adjustable resistor R 12. One end of the resistor R 12 is connected to a resistor R 13, the other end of which is connected to the positive pole of the electrical voltage source £. The connection point between the resistor A13 and the adjustable resistor R 12 is at the base of the transistor 79 and biases it in the forward direction. The resistor R 13, the adjustable resistor R 12, the diode D 2 and the transistor 79 jointly fulfill the supply voltage test func-

tion, und zwar in derselben Weise, wie dies zuvor in bezug auf den Widerstand R 9, den einstellbaren Widerstand R 8, die Diode Di und den Transistor 76 erläutert wurde.tion, in the same way as previously explained with respect to resistor R 9, adjustable resistor R 8, diode Di and transistor 76.

Im folgenden wird die Funktionsweise des in F i g. 1 schaltungsmäßig dargestellten Belichtungsmessers bei Unterbelichtung, Überbelichtung und bei richtiger Belichtung erläutert, wobei vorausgesetzt wird, daß die elektrische Spannungsquelle E die Normalspannung liefert.In the following, the functioning of the in F i g. 1 circuit-wise illustrated exposure meter in the case of underexposure, overexposure and correct exposure, it being assumed that the electrical voltage source E supplies the normal voltage.

Im Falle einer Unterbelichtung (d.h. wenn die dem Widerstandswert des Funktionswiderstandes Rv entsprechende Lichtmenge auf der Photozelle Rph größer als die tatsächlich vom Objekt her einfallende Lichtmenge ist), so ist der Widerstandswert der Photozelle Rph größer als während des Abgleichs der Brücke, so daß die Basisspannungen der Transistoren 72 und 71 kleiner werden. Wenn diese Basisspannungen auf einen vorgegebenen Wert unter die von der an den Emitter des Transistors 72 angelegten Vorspannung bestimmte Bezugsspannung absinken (der vorgegebene Wert entspricht der für den leitenden Zustand des Transistors 72 erforderlichen Basis-Emitterspannung), so wird der Transistor 72 leitend. Der Kollektorstrom des Transistors TI wird vom Transistor 74 verstärkt und zum Transistor 75 durchgelassen, der dadurch leitend wird. Auf Grund des leitenden Zustandes des Transistors 75 wird die Basisspannung des Transistors 76 gleich dessen Emitterspannung, so daß der Transistor 7"6 gesperrt wird. Andererseits ist der Transistor Ti entgegengesetzt vorgespannt und demgemäß gesperrt. Der Transistor 79 wird dabei von dem Widerstand R 13 in den leitenden Zustand überführt. Es fließt daher kein Strom durch die Diode D 3; die Diode D 4 wird dagegen durch einen Strom erregt. Das Einschalten der Diode D 4 allein zeigt an, daß die Kombination aus den Belichtungs-Einstell- bzw. Korrekturfaktoren, z. B. Blendenöffnung, Verschlußzeit usw. einer Unterbelichtung entspricht. Die Einstellung der richtigen Belichtung kann durch Änderung der Kombination von Belichtungs-Einstellfaktoren in der Richtung einer Überbelichtung, oder mit anderen Worten in Richtung zunehmender Wert von Rv erreicht werden.In the event of underexposure (i.e. if the amount of light on the photocell Rph corresponding to the resistance value of the functional resistor Rv is greater than the amount of light actually incident from the object), the resistance value of the photocell Rph is greater than during the adjustment of the bridge, so that the base voltages of transistors 72 and 71 become smaller. When these base voltages drop to a predetermined value below the reference voltage determined by the bias voltage applied to the emitter of transistor 72 (the predetermined value corresponds to the base-emitter voltage required for the conductive state of transistor 72), then transistor 72 becomes conductive. The collector current of the transistor TI is amplified by the transistor 74 and passed to the transistor 75, which thereby becomes conductive. On the basis of the conductive state of the transistor 75, the transistor 79 becomes equal to the emitter voltage, so that the transistor 7 "6 is closed, the base voltage of transistor 76. On the other hand, the transistor Ti is reversely biased, and thus blocked. Assisted both by the resistor R 13 in Therefore, no current flows through the diode D 3; the diode D 4 , however, is excited by a current. Switching on the diode D 4 alone indicates that the combination of the exposure setting or correction factors, z etc. corresponds to an underexposure. B. aperture, shutter speed. the setting of the proper exposure, by changing the combination of exposure adjustment factors in the direction of overexposure, or in other words be achieved in the direction of increasing value of Rv.

Im Falle einer Überbelichtung (d. h. wenn die dem Widerstandswert des Funktionswiderstandes Rv entsprechende, auf die Photozelle Rph einfallende Lichtmenge kleiner als der Istwert der die Photozelle treffenden Lichtmenge ist) ist der Widerstandswert des Photoclemcnts Rph kleiner als während des Abgleichs der Brücke, so daß die Basisspannungen der Transistoren TI und Ti erhöht sind. Wenn diese Basisspannungen einen vorgegebenen Wert über der von der Vorspannung am Emitter des.Transistors Ti bestimmten Bezugsspannung ansteigen, (der vorgegebene Wert entspricht der für den leitenden Zustand des Transistors Tl erforderlichen Basis-Emitterspannung), so wird der Transistor 7"1 leitend. Der Kollektorstrom des Transistors Ti wird vom Transistor Tl verstärkt und zum Transistor 78 durchgelassen, der dadurch in den leitenden Zustand überwechselt. Im leitenden Zustand des Transistors TS wird die Basisspannung des Transistors 79 gleich dessen Emitterspannung, wodurch der Transistors 79 gesperrt wird. Andererseits wird der entgegengesetzt vorgespannte Transistor T2 gesperrt, so daß die Transistoren TA und T5 ebenfalls gesperrt werden. Der Transistor 76 wird über den Widerstand R 9 in den leitenden Zustand vorgespannt. Daher fließt kein Strom durch die Diode D 4; andererseits ist die stromdurchflossene Diode D 3 erregt. Das Einschalten der Diode D 3 allein zeigt an, daß die Kombination der Belichtungs-Einstell- bzw. Korrekturfaktoren, wie die Blendenöffnung, die Vcrschluß/.cit usw. einer Übcrbelichtung entspricht. Daher kann die Einstellung der richtigen Belichtung dadurch erreicht werden, daß die Kombination aus Belichtungs- Einstellfaktoren in Richtung auf eine Unierbelichtung, oder mit anderen Worten in Richtung auf eine Verringerung des Wider-ίο Standswerts von Rv geändert wird.In the event of overexposure (i.e. if the amount of light falling on the photocell Rph, corresponding to the resistance value of the functional resistor Rv , is less than the actual value of the amount of light striking the photocell), the resistance of the photoclimnts Rph is lower than during the adjustment of the bridge, so that the base voltages of the transistors TI and Ti are increased. If these base voltages rise a predetermined value above the reference voltage determined by the bias voltage at the emitter des.Transistor Ti (the predetermined value corresponds to the base-emitter voltage required for the conductive state of the transistor Tl), the transistor 7 "1 becomes conductive. The The collector current of the transistor Ti is amplified by the transistor Tl and passed to the transistor 78, which thereby changes to the conductive state. In the conductive state of the transistor TS , the base voltage of the transistor 79 is equal to its emitter voltage, whereby the transistor 79 is blocked biased transistor T2 is blocked, so that the transistors TA and T5 are also blocked. The transistor 76 is biased into the conductive state via the resistor R 9. Therefore, no current flows through the diode D 4; on the other hand, the current-carrying diode D 3 is excited. Turning on the diode D 3 alone indicates that the Com Bination of the exposure setting or correction factors, such as the aperture, the closure / .cit, etc. corresponds to an overexposure. Therefore, the setting of the correct exposure can be achieved by changing the combination of exposure setting factors in the direction of a blank exposure, or in other words in the direction of a decrease in the consistency value of Rv .

Im Falle einer richtigen Belichtung (d. h. wenn die dem Widerstandswert des Funktionswiderstandes Rv entsprechende Lichtmenge gleich dem Istwert der auf die Pholozelle Rph fallenden Lichtmenge ist) fließt keinIn the case of a correct exposure (that is to say when the amount of light corresponding to the resistance value of the functional resistor Rv is equal to the actual value of the amount of light falling on the Pholo cell Rph ), there is no flow

is Basisstrom zu den Transistoren 7"! und 72, und diese Transistoren bleiben beide gesperrt, wo daß auch die Transistoren T"4, 7"5, T7 und 78 gesperrt sind. Demgemäß sind die Transistoren 76 und 79 leitend und schalten sowohl die Diode D 3 als auch die Diode D 4is base current to transistors 7 "! and 72, and these transistors both remain blocked, where transistors T" 4, 7 "5, T7 and 78 are also blocked. Accordingly, transistors 76 and 79 are conductive and both switch the diode D 3 as well as the diode D 4

ίο ein, wodurch angezeigt wird, daß die Kombination der Bclichtungs-Einstellfaktoren einer richtigen Belichtung entspricht. ίο, indicating that the combination of exposure adjustment factors corresponds to a correct exposure.

Wenn die elektrische Spannungsquelle E entsprechend der vorstehenden Beschreibung die Normalspan-If the electrical voltage source E corresponds to the above description, the normal voltage

2s nung abgibt, können die Glimm- bzw. Lumineszenzdioden D3 oder D4 über die Transistoren 76 und 79 entsprechend dem Zustand der Transistoren 75 und 78 ein- oder ausgeschaltet werden, so daß entweder eine oder beide Glimmdioden D3 und D4 stets einge-2s voltage, the glow or luminescence diodes D 3 or D4 can be switched on or off via the transistors 76 and 79 according to the state of the transistors 75 and 78, so that either one or both glow diodes D3 and D4 are always on.

schaltet sind, und zwar unabhängig davin, ob eine Unterbelichtung, eine Überbelichtung oder eine richtige Belichtung vorhanden ist. Wenn dagegen die vorhandene elektrische Spannungsquelle E die gelieferte Spannung unter den brauchbaren Minimalspannungspegelare switched on, regardless of whether there is underexposure, overexposure or correct exposure. If, on the other hand, the existing electrical voltage source E, the supplied voltage is below the usable minimum voltage level

abfällt, wird die von den Widerständen /?9, R 13, den einstellbaren Widerständen RS, /?12 und den Dioden Di. D2 bestimmte Teilerspannung niedriger als die Schwellenspannung zwischen Basis und Emitter der Transistoren 76 und 79, so daß diese Transistoren unabhängig vom Zustand der Transistoren 75 und 78 stets gesperrt sind, wobei beide Dioden D3 und D4 ausgeschaltet sind. Mit anderen Worten, sobald die Quellen- bzw. Batteriespannung unter den brauchbaren Minimalspannungspegel abgesunken ist, verhindert der neue Belichtungsmesser eine fehlerhafte Anzeige einer richtigen Belichtung, die sich anderenfalls auf Grund des Batteriespannungsabfalls ergeben würde, und zwar unabhängig von der Einstellung des veränderlichen Widerstandes Rv. Dabei kann außerdem der Batterie- Spannungsabfall unter den minimalen Spannungspegel sofort beobachtet werden. drops, the divider voltage determined by the resistors /? 9, R 13, the adjustable resistors RS, /? 12 and the diodes Di. D2 is lower than the threshold voltage between the base and emitter of the transistors 76 and 79, so that these transistors are independent of the State of the transistors 75 and 78 are always blocked, with both diodes D 3 and D 4 being switched off. In other words, as soon as the source or battery voltage has dropped below the usable minimum voltage level, the new light meter prevents incorrect display of a correct exposure, which would otherwise result from the battery voltage drop, regardless of the setting of the variable resistor Rv. The battery voltage drop below the minimum voltage level can also be observed immediately.

F i g. 2 zeigt eine andere Ausführungsform, welche eine ähnliche Funktionsweise wie die Ausführungsform nach F i g. 1 hat Diese beiden Ausführungsformen un-F i g. Fig. 2 shows another embodiment which operates similarly to the embodiment according to FIG. 1 has these two embodiments un-

terscheiden sich bezüglich der folgenden Punkte: In F ΐ g. t sind die Transistoren 76, 75 und 79, 78 parallel geschaltet und bilden eine Phasen-Umkehrstufe und eine Schalt-Steuereinrichtung für die Dioden D3 und D 4, wobei die Transistoren 76 und 79 außerdemdiffer with regard to the following points: In F ΐ g. The transistors 76, 75 and 79, 78 are connected in parallel and form a phase reversing stage and a switching control device for the diodes D3 and D 4, the transistors 76 and 79 also einen Teil der Versorgungsspannungs-Prüfschaltung bilden, in F i g. 2 sind dagegen die Transistoren 75, 76 und 78, 79 in Reihe geschaltet, wobei die Phasenumkehr zwischen den Transistoren 74 und 75 und zwischen den transistoren 77 und 78 erfolgen kann. Dieform part of the supply voltage test circuit, in FIG. 2, on the other hand, are the transistors 75, 76 and 78, 79 connected in series, the phase reversal between transistors 74 and 75 and between transistors 77 and 78 can take place. the

65Transistoren 75 und 78 bilden außerdem eine Steuerschaltung für die Lumineszenzdioden D3 und D 4, und die Transistoren 76 und 79 bilden eine Versorungsspannungs-Prüfschaltung allein. Die Schaltung der Lu-65Transistors 75 and 78 also form a control circuit for the light emitting diodes D3 and D 4, and the transistors 76 and 79 form a supply voltage test circuit alone. The circuit of the Lu-

mineszenzdioden D3 und D4 als Belichtungsmeßanzeige (bei von der elektrischen Spannungsquelle E gelieferter Normalspannung) ist ähnlich der Schaltung gemäß F i g. 1. Das heißt, D 4 wird zur Anzeige einer Unterbelichtung eingeschaltet, D3 wird zur Anzeige einer
Überbelichtung eingeschaltet, und sowohl D 3 als auch
DA werden zur Anzeige einer richtigen Belichtung eingeschaltet. Wenn die Spannung der Spannungsquelle
unter den minimalen Spannungspegel absinkt, so gehen
beide Dioden D 3 und D 4 aus und zeigen dadurch den
zu geringen Wert der Batteriespannung an.Minescence diodes D 3 and D4 as a light meter display (with normal voltage supplied by the electrical voltage source E ) is similar to the circuit according to FIG. 1. That is, D 4 is turned on to indicate underexposure, D 3 is turned on to indicate an
Overexposure turned on, and both D 3 and
DA are turned on to indicate proper exposure. When the voltage of the voltage source
drops below the minimum voltage level, so go
both diodes D 3 and D 4 off and thereby show the
too low a value of the battery voltage.

Bei den bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen werden Glimm- bzw. Lumineszenzdioden als Signallampen verwendet; diese können zu demselben Funktionszweck durch Glühlampen od. dgl. ersetzt werden. Obwohl diese Ausführungsform in bezug auf einen Belichtungsmesser mit zwei Signalgabevorrichtungen (wie Lumineszenzdioden, Glühlampen od. dgl.) beschrieben wurden, liegt es auf der Hand, daß die Zahl der Signalgabevorrichtungen bzw. -Lampen nicht auf zwei beschränkt ist.In the exemplary embodiments described so far, glow or luminescence diodes are used as signal lamps used; these can be replaced by incandescent lamps or the like for the same functional purpose. Although this embodiment relates to a light meter with two signaling devices (such as Luminous diodes, incandescent lamps or the like.) Have been described, it is obvious that the number of signaling devices or lamps is not limited to two.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (1)

Patentanspruch:Claim: Belichtungsmesser, mit einem Fotostromkreis, in dem ein objekthelligkeitsöeaufschlagter Fotowiderstand, ein Korrekturwiderstand zur Eingabe von Belichtungsfaktoren und die Speisespannungsquelle liegen, ferner mit einem vom Fotostromkreis gesteuerten Signalgeber zur Abgabe eine? die gegebenenfalls korrigierte Objekihelligkeit repräsentierenden Signals an eine Steuerschaltung, die ihrerseits einen im gleichfalls von der Speisespannungsquelle betriebenen Stromkreis einer wenigstens zwei Leuchtelemente aufweisenden Leuchtanzeige gelegenen Schalter bei richtigen Belichtungsvc-rhältnissen schließt, so daß dann beide Leuchtelemente aufleuchten, sowie mit einer Speisespannungsüberwachungseinrichtung zur Erzeugung eines Signals bei über noch brauchbarer Mindestspannung liegender Speisespannung, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Speisespannungsquelle wenigstens zwei Spannungsteiler {RS, R9; R 12, R 13) vorgesehen sind, deren abgegriffene Teilspannungen auf die Schalteelemente (Γ6, T9) derart einwirken, daß diese ihren Stromkreis nur schließen und damit die Leuchtanzeige (D3 oder D4bzw. D3und D4)zum A.ufleuchten bringen, wenn die Speisespannung oberhalb eines bestimmten Mindestwertes gelegen ist, so daß bei unzureichender Speisespannung kein Aufleuchten der Leuchtanzeige (D 3, D 4) stattfindet. Exposure meter, with a photocircuit, in which there are a photoresistor that is subject to brightness, a correction resistor for inputting exposure factors and the supply voltage source, furthermore with a signal transmitter controlled by the photocircuit for outputting a? the possibly corrected object brightness representing signal to a control circuit, which in turn closes a switch located in the circuit, also operated by the supply voltage source, of an illuminated display having at least two lighting elements, so that both lighting elements then light up, and with a supply voltage monitoring device to generate a signal when the supply voltage is above still usable minimum voltage, characterized in that at least two voltage dividers {RS, R 9; R 12, R 13) are provided, the tapped partial voltages of which act on the switching elements (Γ6, T9) in such a way that they only close their circuit and thus bring the indicator light (D3 or D4 or D3 and D4) to light up when the supply voltage is located above a certain minimum value, so that if the supply voltage is insufficient, the indicator light (D 3, D 4) does not light up. 3535 Die Erfindung betrifft einen Belichtungsmesser mit einem Fotostromkreis, in dem ein objekthelligkeilsbeaufschlagter Fotowiderstand, ein Korrekturwiderstand zur Eingabe von Belichtungsfaktoren und die Speiscspannungsquelle liegen, ferner mit einem vom Foto-Stromkreis gesteuerten Signalgeber zur Abgabe eines die gegebenenfalls korrigierte Objekthelligkeit repräsentierenden Signals an eine Steuerschaltung, die ihrerseits einen im gleichfalls von der Speisespannungsquelle betriebenen Stromkreis einer wenigstens zwei Leuchtelemente aufweisenden Leuchtanzeige gelegenen Schalter bei richtigen Belichtungsverhältnissen schließt, so daß dann beide Leuchtelemente aufleuchten, sowie mit einer Spcisespannungsüberwachungseinrichtung zur Erzeugung eines Signals bei über noch brauchbarer Mindestspannung liegender Speisespannung. The invention relates to a light meter with a photo circuit in which an object bright wedge is acted upon Photo resistor, a correction resistor for entering exposure factors and the supply voltage source lie, furthermore with a signal transmitter controlled by the photo circuit for the delivery of a the possibly corrected object brightness representing signal to a control circuit, which in turn one in the circuit, which is also operated by the supply voltage source, of at least two Luminous elements exhibiting a switch located in the right lighting conditions closes so that both light elements then light up, as well as with a voltage monitoring device for generating a signal when the supply voltage is above a usable minimum voltage. Ein solcher Belichtungsmesser ist aus der DT-OS 14 97 971 bekannt. Dieser bekannte Belichtungsmesser weist zwei Anzeigelampen auf, von denen eine die Gefahr einer Überbelichtung, die andere die Gefahr einer Unterbelichtung signalisiert. Eine dieser beiden Lampen kann außerdem dazu verwendet werden, durch Aufleuchten anzuzeigen, daß die Speisespannung noch über einem Mindestwert liegt. Um die Prüfung des Speisespannungszustandes durchzuführen, müssen zwei Schalter betätigt werden. Bei diesem bekannten Belichtungsmesser ist es zwar möglich, über üblicherweise im Kamerasucher angeordnete Leuchtanzeigen den Speisespannungszustand zu kontrollieren, ohne das Auge vom Sucher nehmen und auf ein gesondert angeordnetes Anzeigeelement richten zu müssen. Der Speise· SDannunEszustand kann jedoch nur dann erkannt werden wenn die beiden Schalter betätigt werden. Wenn die "Speisespannung unter den erforderlichen Mindestwert abgesunken ist, die fotografierende Person dies aber nicht erkennt, weil sie versäumt, durch Betätigen der beiden Schalter den Speisespannungszustand zu kontrollieren, kommt es zu einer Fehlbehchtung des Aufnahmematerials.Such a light meter is known from DT-OS 14 97 971. This well-known light meter has two indicator lights, one poses a risk of overexposure and the other poses a risk of one Underexposure signals. One of these two lamps can also be used to through Lights up to indicate that the supply voltage is still above a minimum value. To check the To carry out the supply voltage state, two switches must be operated. With this known light meter it is possible to check the supply voltage status via the light displays that are usually arranged in the camera viewfinder to control without taking your eye from the viewfinder and on a separately arranged To have to direct display element. However, the food · SDannunEs state can only be recognized then when the two switches are operated. If the "supply voltage is below the required minimum value has sunk, but the person taking the photo does not recognize this because they have failed to activate the of the two switches to control the supply voltage status, the Recording material. Demgegenüber ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Belichtunsgmesserschaltung verfügbar zu machen die dem Fotografierenden selbsttätig, d. h. unabhängig von dessen Aufmerksamkeit oder Vergeßlichkeit, anzeigt daß sowohl Speisespannung als auch Belichtungsverhältnisse in Ordnung sind.In contrast, it is the object of the present invention to provide an exposure meter circuit do this to the photographer automatically, d. H. regardless of his attention or forgetfulness, indicates that both the supply voltage and the lighting conditions are OK. Nach einem älteren Vorschlag (DT-PS 20 13 432) sind ein Grenzwerigeber für die Spannungsprüfung und ein Grenzwertgeber für die Belichtungszeit nach Art einer UND-Schaltung verknüpft, die ausgangsseitig eine Anzeigelampe ansteuert. Die Schaltung ist dann so getroffen, daß das Vorhandensein beider Grenzwertgeber-Signale durch Aufleuchten der Anzeigelampe anzeigt daß die Batterie in Ordnung ist aber die Belichtungszeit zu lange (oder zu kurz) gewählt worden ist. während bei simulierter Dunkelheit (was gleichfalls eine zu lange Belichtungszeit erfordern würde) und unzureich-nder Batteriespannung das Fehlen des entsprechenden Grenzwertgcbersignals durch Nichtaufleuchten der Anzeigelampe anzeigt, daß die Batterie entladen ist Da bei dem älteren Vorschlag das Nichtaufleuchten der Anzeigelampen zwei Ursachen haben kann (entweder unzureichende Speisespannung oder richtige Belichtungszeiteinstellung), ist stets eine zusätzliche Bedienungsmaßnahme (nämlich Abdunkeln des Fotowiderstandes) erforderlich, um zwischen diesen beiden Fällen unterscheiden zu können. Der ältere Vorschlag vermag daher die obige, der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe nicht zu lösen.According to an older proposal (DT-PS 20 13 432) are a limit indicator for voltage testing and a limit value transmitter for the exposure time linked in the manner of an AND circuit, the output side controls an indicator lamp. The circuit is then made in such a way that the presence of both limit indicator signals by lighting up the indicator lamp shows that the battery is OK but the exposure time has been selected for too long (or too short). while in simulated darkness (which also would require too long an exposure time) and insufficient Battery voltage the lack of the corresponding limit value signal due to non-lighting the indicator lamp indicates that the battery is discharged. Since the older proposal did not light up of the indicator lamps can have two causes (either insufficient supply voltage or correct exposure time setting), is always an additional operational measure (namely darkening of the photo resistor) is required in order to be able to distinguish between these two cases. The older The proposal is therefore unable to solve the above problem on which the invention is based. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst mn Einern Belichtungsmesser der eingangs genannten Art, der dadurch gekennzeichnet ist, daß parallel zur Speisespannungsquelle wenigstens zwei Spannungsteiler vorgesehen sind, deren abgegriffene Teilspannungen auf die Schaltelemente derart einwirken, daß diese ihren Stromkreis nur schließen und damit die Leuchtanzeige zum Aufleuchten bringen, wenn die Speisespannung oberhalb eines bestimmten Mindestwertes gelegen ist, so daß bei unzureichender Speisespannung kein Aufleuchten der Leuchtanzeige stattfindet.This object is achieved according to the invention with a light meter of the type mentioned at the beginning, which is characterized in that at least two voltage dividers parallel to the supply voltage source are provided, the tapped partial voltages act on the switching elements in such a way that these their Only close the circuit and thus light up the indicator light when the supply voltage is applied is located above a certain minimum value, so that if the supply voltage is insufficient, no Illumination of the indicator light takes place. Der Vorteil dieser Belichtungsmesscrschaliung besteht darin, daß der Fotografierende auch dann, wenn er an sich vergessen würde, den Zustand der Speisespannungsquelle zu überprüfen, es unbedingt erkennt, wenn die Spannung der Speisespannungsquelle unter einen erforderlichen Mindestwerrt abgefallen ist. Denn da bei drohender Unterbelichtung ein Lcuchtelement, bei drohender Überbelichtung das andere Leuchtelement und bei richtiger Belichtung beide Leuchtelemente aufleuchten, der Fotografierende also bei der Belichuingseinsiellung immer mindestens ein Leuchtelement aufleuchten sieht, kann es ihm nicht entgehen, wenn kein Leuchtclement aufleuchtet und ihm damit angezeigt wird, daß die Speisespannungsquelle nicht mehr den erforderlichen Mindcstspannungswert aufweist. Mit der erfindungsgemäßen Belichtungsmesserschaltung ist also mit Sicherheit verhindert, daß der Fotografierende nicht merkt, daß die Speisespannung zu weit abgesunken ist und dadurch Fehlbelichtungen bedingt sind, weil mit der erfindungsgemäßen Schaltung für alle in Frage kommenden Fälle eine positive Anzei-The advantage of this light metering system is there in the fact that the photographer even if he would forget to check the condition of the supply voltage source, it would necessarily recognize it, when the voltage of the supply voltage source has dropped below a required minimum value. Then because if there is a threat of underexposure one light element, if there is a risk of overexposure the other light element and when the exposure is correct, both luminous elements light up, i.e. the person taking the photo during the exposure always sees at least one light-emitting element light up, it cannot escape it, if no Leuchtclement lights up and it is indicated to him that the supply voltage source is no longer has the required minimum voltage value. With the exposure meter circuit according to the invention is thus prevented with certainty that the photographer does not notice that the supply voltage is too has dropped far and thus incorrect exposures are caused, because with the circuit according to the invention a positive indicator for all possible cases