DE2229090B2 - Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines einer Lichtmenge proportionalen Stromes - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines einer Lichtmenge proportionalen Stromes

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines einer Lichtmenge proportionalen Stromes unter Verwendung einer im Kurzschlußbereich betriebenen photoempfindlichen Halbleiterdiode, welcher Strom als Differenz zwischen dem Ein- und Ausgangsstrom eines Stromspiegelverstärkers wirksam gemacht ist, der aus einem ersten Transistor und einer seiner Basis-Emitter-Strecke parallelgeschalteten Halbleiterdiode besteht, wobei die der Diode und dem Kollektor des ersten Transistors zugeführten Ströme von einer TransisiorschaJtung geliefert werden, die einen zum ersten Transistor komplementären zweiten Transistor enthält, dessen Basis in Abhängigkeit von der am Kollektor des ersten Transistors erzeugten Spannung gesteuert wird.
Eine derartige Schaltungsanordnung, wie sie z. B. aus der NL-OS 67 08 603 bekannt ist, läßt sich z. B. in photographischen Kameras zur automatischen Einstellung der Belichtungszeit verwenden. Der erhaltene Ausgangsstrom wird dann einem Integrationsnetzwerk zugeführt, wobei beim Erreichen einer vorgeschriebenen, noch durch die Filmempfindlichkeit und die Blende bestimmten Spannung der Kameraverschluß geschlossen wird. Eine ähnliche Anwendung ist bei automatischen Abziehvorrichtungen zum Abziehen von Filmnegativen möglich.
Als Meßelement zur Umwandlung des auffallenden Lichtes in einen elektrischen Strom wird immer häufiger eine photoempfindliche Halbleiterdiode verwendet. Eine derartige Dio_'e läßt sich einfach an eine integrierte Schaltung anschließen oder in eine solche Schaltung aufnehmen, wobei Kleinheit und geringe
jo Empfindlichkeit für Temperatur- und Speisespannungsänderungen wichtig sind. Die Erfindung gründet sich auf die Erkenntnis, daß bei Messung des Kurzschlußstromes (also bei einer äußeren Spannung = 0 gemessen) der Meßvorgang viel genauer als bei Messung der Leer-
s") laufspannung (also bei einem äußeren Strom = 0 gemessen) der Photodiode sein kann. Bei dem letzteren Meßvorgang begrenzt ein von der Spannung über der Diode abhängiger Leckstrom in der Größenordnung von lOOpA/V die höchsterreichbar· Empfindlichkeit.
In einer aus der Zeitschrift »IEEE Transactions on Instruments and Measurements«, Juni 1969, Seite 125, bekannten Schaltungsanordnung der oben erwähnten Art, die ebenfalls zur Wiedererzeugung des Kurzschlußstromes einer Stromquelle entworfen ist, werden zwei j Stromspiegelanordnungen verwendet, von denen die eine mit einem pnp-Transistor und die andere mit npn-Transistoren bestückt ist. Diese Schaltungsanordnung ist für einen Strombereich von 20 μΑ bis 20 mA bestimmt. Die Erfindung bezweckt, eine Schaltungsan-
>o Ordnung der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß sie für Eingangsströme in einem Bereich von weniger als 10 pico-A bis mehr als 10 μΑ, d. h. über wenigstens 6 Dekaden, geeignet ist. Dies geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß der erste Transistor als ein
r> vertikaler Transistor ausgeführt ist, der vorzugsweise vom npn-Typ ist, daß der zweite Transistor als ein Transistor mit mehreren Kollektoren ausgeführt ist, der vorzugsweise vom pnp-Typ ist, dessen erster Kollektor den Strom zur Diode und ein zweiter Kollektor den
bo Strom zum Kollektor des ersten Transistors liefert, daß zur Erzeugung des Basisstromes des zweiten Transistors eine Stromverstärker-Transistorschaltung vorgesehen ist, die mindestens einen dritten, vertikalen Transistor enthält, und daß der Ausgangsstrom einem
t>5 dritten Kollektor des lateralen, zweiten Transistors oder dem Kollektor eines weiteren vertikalen Transistors entnommen wird, dessen Basis mit der des ersten Transistors verbunden ist.
In der Schaltung nach der Erfindung bilden die Diode und der erste Transistor gleichfalls eine Stromspiegelanordnung, aber die den zweiten Transistor enthaltende Transistorschaltung ist absichtlich nicht als Stromspiegelanordnung ausgeführt Bei Anwendung lateraler Transistoren mit mehreren Kollektoren kann nämlich zwar gesichert werden, daß die von diesen Kollektoren gelieferten Ströme innerhalb genauer Grenzen einander gleich find oder in einem festen Verhältnis zueinander stehen, das durch das gegenseitige ι ο Verhältnis der sammelnden Oberflächen bestimmt wird, aber -bei einem Betriebsstrom in der Größenordnung von einigen pA ist der benötigte Basisstrom derart groß, daß er zu einer neuen Fehlerquelle in dem erzeugten Ausgangsstrom Anlaß gibt; durch Verwandung der Maßnahmen nach der Erfindung wird diese Fehlerquelle unterdrückt
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig.! ein vereinfachtes Ausfühnrngsbeispie! der Erfindung,
F i g. 2 ein weiter ausgearbeitetes Schaltbild,
F i g. 3 den zugehörigen Halbleiter-wLayout« und
F i g. 4 eine Abart der F i g. 1.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 1 enthält einen ersten Transistor Ti, dessen Basis-Emitter-Strecke von der Reihenschaltung einer Diode D\ und einer Stromquelle in Form einer Photodiode P überbrückt ist Die Ströme zu dem Kollektor des Transistors Ti bzw. zu der jo Diode D\ werden von Kollektoren C\ bzw. ei eines zweiten Transistors Ti vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp geliefert Der Kollektor des Transistors Ti ist ferner mit der Basis eines Transistors Tj vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Transistor T, verbunden, wobei der Kollektor des Transistors Tj zu der Basis des Transistors Ti führt. Der Ausgangsstrom wird einem weiteren Kollektor Ci des Transistors Tj entnommen.
Die Schaltungsanordnung ist als eine integrierte Schaltung ausgeführt, mit der Maßgabe, daß im allgemeinen vorzugsweise die Photodiode P nioht mitintegriert wird, damit eine größere Wahlfreiheit in bezug auf Licht- und/oder Farbempfindlichkeit einer solchen Diode beibehalten wird. -n
Die Transistoren Ti und Tj sind vertikale (transversale) Transistoren, d. h., daß, auf das Halbleiterbauelement der integrierten Schaltung gesehen, die verschiedenen wirksamen Transistorzonen untereinander liegen. Für den Transistor Ti ist ein lateraler ><> Transistor gewählt, d. h., daß sich die wirksamen Transistorzonen, von der Oberseite her gesehen, nebeneinander befinden. Die Diode D\ ist gleichfalls als ein vertikaler Transistor ausgeführt, dessen Basis und Kollektor elektrisch miteinander verbunden sind. Vor- v> zugsweise werden für Ti und Tj vertikale npn-Transistoren und wird für Ti ein lateraler pnp-Trarisistor gewählt.
Es ist eine bekannte Eigenschaft, daß die zu den verschiedenen Kollektoren C\, Ci und Cj fließenden Ströme M) innerhalb enger Toleranzen lediglich durch die Größe der sammelnden Oberflächen dieser Kollektoren bestimmt werden. Bei den sehr niedrigen Stromeinstellungen, von denen in der Einleitung die Rede ist, soll dabei die auf eine symmetrische Anordnung der μ Kollektoren in bezug auf den Emitter verwendete Sorgfalt etwas größer sr :n, aber diese Anforderung läßt sich ohne Schwierigkeiten erfüllen. Auch ist es bekannt, daß die gegenseitigen Verhältnisse der Emitterströme vertikaler Transistoren mit parallgeschaltcten Emitter-Basis-Strecken praktisch lediglich durch die Größe der emittierenden Oberflächen bestimmt werden. Diese bekannten Eigenschaften werden in der vorliegenden Schaltungsanordnung benutzt
Wenn angenommen wird, daß die Oberflächen der Kollektoren C\ und ei gleich groß sind, werden diese Kollektoren gleich große Ströme liefern. Wenn die Basisströme der Transistoren Ti bzw. Tj in bezug auf ihre Kollektorströme vernachlässigt werden, weiche Vernachlässigung bei vertikalen Transistoren zulässig ist, fließen durch die Diode D\ und durch die Emitter-Basis-Grenzschicht von Ti gleich große Ströme. Wenn die Emitteroberflächen von D\ und T\ gleich groß sind, werden auch die Spannungen über D\ bzw. über der Emitter-Basis-Grenzschicht von Ti gteich groß sein, und es ist mit anderen Worten die Spannung über P gleich null.
Die Photodiode P wird daher bei ihrem Kurzschlußstrom / betrieben, wodurch Fehler infolge Diodenleckage vermieden werden. Die von C\ und ei gelieferten Ströme werden sich nun automatisch derart einstellen, daß sie gleich / werden. Wenn nämlich der von ei gelieferte Strom einen Betrag ΔI kleiner als der von P aufgeprägte Strom /wäre, würde dieser Unterschuß Al in Ti und T3 verstärkt werden und in einer derartigen Phase die Basis von T2 erreichen, daß AI stark unterdrückt wird.
Durch die beschriebene Kombination von Maßnahmen ist eine Schaltungsanordnung erhalten, die für viel niedrigere Ströme als die bekannte Schaltung geeignet ist. In der bekannten Schaltung ist statt des Transistors Ti eine Stromspiegelanordnung verwendet, und es wird der Ausgangsstrom von einem weiteren Transistor in Reihe mit der Diode dieser Stromspiegelanordnung geliefert, wobei der Leitfähigkeitstyp dieses weiteren Transistors dem der Transistoren dieser Stromspiegelanordnung entspricht. Die Transistoren sind als ideal vorausgesetzt; die Transistoren vom einen und vom anderen Leitfähigkeitstyp sind denn auch in zwei gesonderte integrierte Schaltungen aufgenommen. Wenn jedoch nach dem Konzept der Erfindung sämtliche Transistoren in einer gemeinsamen integrierten Schaltung untergebracht werden, werden die verwendeten lateralen Transistoren eine derart große Abweichung von dem Ideal herbeiführen, daß der erzeugte Ausgangsstrom beträchtlich von dem angebotenen Eingangsstrom abweicht.
Die bisher beschriebene Schaltung kann bei verhältnismäßig großer SVromeinstellung die Neigung haben, unstabil zu werden. Ein Unterschuß Alan angebotenem Strom wird nämlich in jedem der Transistoren Ti und T3 um einen Faktor ß„ verstärkt und dann im Transistor Ti mit einem Faktor ßp vervielfacht, wobei β den Kollektor-Basisstromverstärkungsfaktor darstellt. Bei sehr niedriger Stromeinstellung, z.B. /=20pico-A, beträgt ß„ z.B. 20 und ist (?p=0,5, so daß bei einer (negativen) Schle:fenverstärkung j9„2j9p = 2OO angenommen werden muß. Bei einer einige Dekaden höheren Stromeinstellung, z.B. /=20μΑ, wird ß„ auf z. B. 100 ßp auf z. B. 20 ansteigen können, so daß die Schleifenverstärkung 200 000 betragen wird. Durch die Anbringung von Kondensatoren an geeigneten Stellen läßt sich die Schalung zwar stabil halten, aber sie spricht dadurch träger auf schnelle Änderungen des von /'angebotenen Stroms /an.
In der Schaltung nach Fig.2 wird diesem Nachteil
dadurch begegnet, daß einerseits die Stromverstärkung von Ti künstlich auf 1 herabgesetzt und andererseits die von T2 derart geregelt wird, daß sie nicht oder kaum einen festen Wert überschreiten kann. Die Schleifenverstärkung wird dann nur noch durch ß„ von Ti bestimmt, so daß die Gefahr vor Unstabilitäten wesentlich unterdrückt ist. Dieser ß„ kann noch durch eine kleine Manipulation leicht auf einem von der Streuung in dem reellen β unabhängigen Wert stabilisiert werden. In der F i g. 2 ist eine Diode Di hinzugefügt und weist der Kollektor C2 eine größere sammelnde Oberfläche als der Kollektor C\ auf. Die Diode D2 ist in der Praxis wieder als ein vertikaler Transistor mit Kurzschluß zwischen Kollektor und Basis ausgeführt. Wenn die Emitteroberfläche von D2 wieder gleich der von Ti ist. wird die Oberfläche von c? zweimal größer als die von c\ gewählt, wie symbolisch mit der doppelten Linie von C2
wird, liefert C2 einen Strom 2Ι-2ΔΙ. Durch D\ kann nur ein Strom /fließen. Der verbleibende Strom /— 2^/wird daher der Diode D2 und der Basis von Ti zugeführt, die sich wie eine Stromspiegelanordnung verhalten. Auf diese Weise führt der Kollektor von T\ einen Strom I-IAh
C] bietet einen Strom = I-ΔΙ an, so daß der Differenzstrom /l/dem weiteren, den Transistor T3 enthaltenden Stromverstärker zugeführt wird.
Dieser Stromverstärker enthält ferner die vertikalen Transistoren Tt und Ts vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie Ti. Der Kollektor von T1 ist mit der Basis von Ti und mit dem Kollektor von T·, verbunden. Der Emitter von T4 ist mit den Basis-Elektroden von T5 und T3 verbunden; sein Kollektor liegt an der Speiseklemme + oder kann erwünschtenfalls mit dem Kollektor von Ti verbunden sein. In dem Emitter von T-, wird eine kleine Vorspannung Vz. B. in der Größenordnung von 100 mV in der Sperrichtung wirksam gemacht. Durch diese Schaltungsweise wird der den Transistoren T4- T5— T3 zugeführte Strom Al um einen festen durch die Spannung V bestimmten Betrag N verstärkt, so daß daher in dem Kollektor von T3 ein Strom NAI fließt.
Der Transistor T2 weist einen zusätzlichen lateralen Kollektor α auf, der mit der Basis von T2 verbunden ist. Die sammelnde Oberfläche von C4 ist z. B. gleich der von Ci gewählt, so daß daher durch C4 wieder ein Strom ι ,Λ/η;εη» Wer.r. die Oberfläche ve" c eb-T.fsHs "!eich der von C1 ist, beträgt der Basisstrom von C2:
so daß also
Anschlußfläche 1 zugeführt, die mit einer Elektrode der Diode D\ in Verbindung steht, deren andere Elektrode über eine Leiterbahn 2 zu der entsprechenden Elektrode der Diode D1, zu dem Basiskontakt b\ des Transistors T, und zu den Kollektoren C2 des Transistors Tj führt. Die andere Elektrode von Di und die Emitterkontakte ei und Ci von Ti und T3 sind über eine Leiterbahn 3 miteinander und mit einer Anschlußfläche 4 verbunden, die an Erdpotential gelegt werden soll. Ti, Tj, Ta und Ts sind als vertikale Transistoren, vorzugsweise vom npn-Typ, ausgeführt. Daher erstreckt sich die p-leitende Basiszone bis unterhalb der η-leitenden F.mitterzone mit Kontakt e, während sich die η-leitende Kollektorzone wieder unterhalb dieser Basiszone erstreckt. An der Stelle, an der diese drei Zonen direkt untereinander liegen, wird eine Transistorwirkung mit verhältnismäßig hoher Stromverstärkung ßn erhalten.
(Der Faktor 5 entspricht der Anzahl verwendeter Kollektoren; ßp ist nämlich als das Verhältnis des insgesamt zu Ci—ö fließenden Stromes zu dem Basistrom von Ti definiert). Wenn nun ßp kleiner als 1 ist (niedrige Stromeinstellung), spielt der erste Term des zweiten Gliedes eine wesentliche Rolle; wenn ßp aber auf mehr als 10 anwächst (höhere Stromeinstellung), kann dieser Term in bezug auf den /weiten Term immer stärker vernachlässigt werden was bedeutet, daß die effektive Stromverstärkung von Ti begrenzt wird.
F i g. 3 zeigt den Layout der Schaltung nach F i g. 2. Der von der Photodiode P angebotene Strom wird einer
£■ vor1. T ist über
ne Leiierbshn 5 mit
den Kollektoren c\ von Ti und k<, von T5 und mit der Basis bi von T4 verbunden. Die Kollektorzone von T3 bildet einen Teil einer großen η-leitenden Insel, die auch die Basiszone von Ti umfaßt. In dieser Insel sind p-leitende Zonen nebeneinander angeordnet, die eine laterale Transistorwirkung sichern. Der Emitter von T2 besteht aus drei kreisförmigen p-leitenden Zonen e2. die übet die Leiterbahn 6 miteinander und mit der AnschlrUfläche 7 verbunden sind, die an die (positive) Speiseklemme gelegt werden soll. Diese Bahn 6 führt außerdem zu dem Kollektor JIc4 von T4. Symmetrisch rings um die Emitterzonen sind die p-leitenden Kollektorzonen c angeordnet. Wie ai'.s der Figur ersichtlich ist, ist die sammelnde Oberfläche von C2 zweimal größer als die von c\, die von pi fünfmal größer, die von C4 viermal größer. Mit Rücksicht auf die Auseinandersetzung an Hand der F i g. 2 werden diese Kollektoren Ci-C4 daher die Ströme /, 2 /, 5 / und 4 / liefern.
Die über eine Leiterbahn miteinander verbundenen Zonen C4 sind bei 8 mit der η-leitenden Insel verbunden, die die Basiszone von T2 und die Kollektorzone von T3 umfaßt. Die über eine Leiterbahn miteinander verbundenen Kollektoren C3 stehen weiter mit einer Ausgangskontaktfläche 9 in Verbindung, die den wiedererzeugten Strom (in diesem Falle 5 I) liefert. Schließlich verbindet die Leiterbahn 10 die Basis bi von T3 mit der Basis 65 von Tj und mit dem Emitter C4 von T4 und liegt der Emitter ss vor. Tj zn der Ar.Ech'.'jßfÜche 1!, an die die Spannung V gelegt werden soll.
Die beschriebene Anordnung kann unter Verwendung in der Halbleitertechnik allgemein üblicher photolithographischer Ätzverfahren, in Verbin·.'jng mit epitaktischen Anwachstechniken und Dotierungsverfahren, wie z. B. Diffusion (gegebenenfalls aus dotiertem Oxyd), oder Ionenimplantation, hergestellt werden. Es ist einleuchtend, daß auch andere Anordnungen der Kollektoren c des Transistors Ti rings um dessen Emitter möglich sind; z. B. können zu beiden Seiten einer einzigen streifenförmigen Emitterzone symmetrisch voneinander getrennte Kollektorzonen angebracht werden.
In der Abart nach F i g. 4 ist die Photodiode P in die Emitterleitung von Ti aufgenommen, wobei die Basis dieses Transistors über die Diode D\ mit Erde ver bunden ist Der laterale Transistor Ti liefert wieder über seine Kollektoren η bzw. es dem Kollektor von Ti bzw. der Diode gleiche Ströme, wobei angenommen wird, daß die emittierenden Oberflächen von Ti und A gleich groß gewählt sind. P wird dann wieder bei einer Spännung 0, & h. bei ihrem Kurzschlußstrom, betrieben.
Der Kollektorspannung von 71 wird nun einem lateralen Transistor Tt, vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie Ti zugeführt, wonach Stromverstärkung im vertikalen Transistor T3 stattfindet. Für die Schleifenverstärkung wird nun gefunden: ß„ ■ ßp 2. Auch in diesem Falle können wieder die bereits an Hand der F i g. 2 bescL'.ebenen Verfeinerungen, wie die Anbringung der Diode D2, die Begrenzung der Stromverstärkung von T2 mit Hilfe des Kollektors C4, eine ähnliche Begrenzung der Stromverstärkung ßn von Tb, verwendet werden.
Selbstverständlich sind noch viele auf der Hand liegende Abwandlungen möglich. Wenn z. B. die wirksame Oberfläche der Diode D] gleich dem /j|-fachen der Emitteroberfläche von 71 ist, muß in F i g. I auch die sammelnde Oberfläche von C2 gleich dem fji-fachen der sammelnden Oberfläche von C\ gewählt werden. Wenn die effektive Verstärkung von T\ auf
soll, kann die wirksame Oberfläche von D2 in F i g. 2 z. B. /?2-mal kleiner als die emittierende Oberfläche von 71 gewählt werden, wobei dann n2 kleiner als ß„ bleiben soll und die Oberfläche von C2
mal die Oberfläche von C\ werden soll. Zwischen C2 und D\ kann noch die Kollektor-Emitter-Strecke eines
in vertikalen Transistors angeordnet werden, dessen Basis mit Ci verbunden ist, so daß die Stromspiegelwirkung verbessert wird. Der Ausgangsstrom kann statt dem Kollektor c\ auch dem Kollektor eines weiteren vertikalen Transistors Ti entnommen werden (siehe
η Fig. 1), dessen Basis mit der von 71 verbunden ist. Wenn ja die Emitteroberflächen von 71 und Ti einander gleich sind, führen diese Transistoren wieder gleich
Hier/u 2 Bhitt Zcicliininiien

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines einer Lichtmenge proportionalen Stromes unter Verwendung einer im Kurzschlußbereich betriebenen photoempfindlichen Halbleiterdiode, welcher Strom als Differenz zwischen dem Ein- und Ausgangsstrom eines Stromspiegelverstärkers wirksam gemacht ist, der aus einem ersten Transistor und einer seiner Basis-Emitter-Strecke parallelgeschalteten Halbleiterdiode besteht, wobei die der Diode und dem Kollektor des ersten Transistors zugeführten Ströme von einer Transistorschaltung geliefert werden, die einen zum ersten Transistor komplementären zweiten Transistor enthält, dessen Basis in Abhängigkeit von der am Kollektor des ersten Transistors erzeugten Spannung gesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (T]) als ein vertikaler Transistor ausgeführt ist, der vorzugsweise vom npn-Typ ist, daß der zweite Transistor (T2) als ein Transistor mit mehreren Kollektoren ausgeführt ist, der vorzugsweise vom pnp-Typ ist, dessen erster Kollektor (C2) den Strom zur Diode (D\) und ein zweiter Kollektor den Strom zum Kollektor des ersten Transistors (71) liefert, daß zur Erzeugung des Basisstromes des zweiten Transistors (T2) eine Stromverstärker-Transistorschaltung vorgesehen ist, die mindestens einen dritten, vertikalen Transistor (Tj) enthält, und daß der Aus[;?ngsstrom einem dritten Kollektor (Cj) des lateralen, zweiten Transistors (T2) oder eiern Kollektor eines weiteren, vertikalen Transistors (Ti) entnommen wird, dessen Basis mit der des ersten Transistors (Tj) verbunden ist (i i g. 1).
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein vierter Kollektor (Ct) des lateralen Transistors (T2) mit dessen Basis verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersten Transistors (T\) mit einer zweiten Diode ('Di) verbunden ist und daß die Oberfläche des zweiten Kollektors (Ci) des lateralen Transistors (T2) zur Lieferung des Stromes für diese zweite Diode (D2) entsprechend größer gewählt ist (F i g. 2).
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des ersten Transistors (T\) mit der Basis des vierten (T*) und mit dem Kollektor eines fünften (T5) vertikalen Transistors verbunden ist, dessen Emitter eine niedrige in der Sperrichtung wirksame Vorspannung (V) zugeführt wird und dessen Basis mit der des dritten (T]) und mit dem Emitter des vierten JfTt) Transistors verbunden ist (F i g. 2).
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des ersten Transistors (T\) mit der Basis eines sechsten lateralen Transistors (Tt) verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des dritten Transistors i[Tj) verbunden ist (F i g. 4).
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