DE2227322C3 - Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper - Google Patents

Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper

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DE2227322C3 DE19722227322 DE2227322A DE2227322C3 DE 2227322 C3 DE2227322 C3 DE 2227322C3 DE 19722227322 DE19722227322 DE 19722227322 DE 2227322 A DE2227322 A DE 2227322A DE 2227322 C3 DE2227322 C3 DE 2227322C3
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Description

Die Erfindung betrifft eine diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper, der in ein Gehäuse aus einem lichtdurchlässigen Kunststoff eingebettet ist.
Neuerdings erlangen Lumineszenz-Dioden zunehmende Bedeutung, da sie sich sehr gut zur Anzeige eignen. Die die Dioden enthaltenden Halbleiterkörper werden in einen lichtdurchlässigen Kunststoff eingegossen. Es ist nun erwünscht, daß die Leuchtdioden aus einem möglichst großen Blickwinkel abgelesen werden können. Beispielsweise bei Gallium-Arsenid-Phosphid-Leuchtdioden erscheint die Leuchtfläche aber als kleiner leuchtendei Punkt, der nur dann gut erkannt wird, wenn die Blickrichtung ienkre. 1H zum Halbleiterkörper verläuft. Es wurde nun bereits versucht,
Kunstsiofflinsen für das Gehäuse ausfindig zu machen, durch das das Licht diffus und damit stärker gestreut wird (Firmenprospekt Hewlett Packard 5082—4880 Series vom lan. 1972),
Der vorliegenden Erfindung lieg! die Aufgabe zugrunde, ein neues Gehäusevergußmaterial für lichtemittierende Halbleiterbauelemente anzugeben, durch das das Licht besonders breit gestreut und gleichräßig verteilt wird. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß dem Kunststoff Glaspulver beigemischt wird.
Durch diese Maßnahme erhält man ein Kunststoffgehäuse, das beim Betrieb di-r Lumineszenzdiode gleichmäßig leuchtet und damit sehr gut und aus einem großen Blickwinkel erkannt wird.
Vorzugsweise wird die Korngröße des Glaspulvers kleiner als 100 μτη gewählt. Der Anteil des Glaspulvers an der Gehäusemasse liegt zwischen 0,5 und 4%.
In der Figur ist eine diffusstrahlende LumineszenzHalbleiterdiode dargestellt. Der Halbleiterkörper 4, beispielsweise aus GaAsP, ist auf einer Metallzuleitung 2 mit seiner einen Halbleiterzone befestigL Die andere Halbleiterzone wird über einen dünnen Zuleitungsdraht 5 mit einer zweiten Metallzuleitung 3 elektrisch leitend verbunden. Der Halbleiterkörper und die Enden der Zuleitungen werden d^jin in einen Kunststoff, für den sich beispielsweise Polycarbonate oder Acrylharze eignen, so eingebettet, daß ein Gehäuse 1 entsteht, das aus einem Sockel 5 und einer aufgesetzten Linse 7 besteht. Durch die Linse 7 wird eine größere Lichtausbeute erzielt. Die Zuleitungen werden beispielsweise so abgewinkelt, daß sie parallel zueinander verlaufen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche-,
1. Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper, der in ein Gehäuse aus einem lichtdurchlässigen Kunststoff eingebettet ist, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kunststoff Glaspulver beigemischt ist.
2. Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngröße des Glaspulvers kleiner als 100 μιτι ist
3. Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kunststoff 0,5 bis 4 Gewichts-% Glaspulver beigemischt ist.
DE19722227322 1972-06-05 1972-06-05 Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper Expired DE2227322C3 (de)

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Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2227322A1 DE2227322A1 (de) 1973-12-13
DE2227322B2 DE2227322B2 (de) 1980-04-03
DE2227322C3 true DE2227322C3 (de) 1980-12-18

Family

ID=5846870

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DE19722227322 Expired DE2227322C3 (de) 1972-06-05 1972-06-05 Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper

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US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element

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DE2227322A1 (de) 1973-12-13
DE2227322B2 (de) 1980-04-03

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