DE2219622A1

DE2219622A1 - Verfahren und Anordnung zum Bestimmen der Dicke einer Schicht dielektrischen Materials während ihres Anwuchses

Info

Publication number: DE2219622A1
Application number: DE19722219622
Authority: DE
Inventors: Jean Evreux Eure; Vacon Yannick Ie Rueil; Pompei (Frankreich)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1971-05-11
Filing date: 1972-04-21
Publication date: 1972-11-16
Also published as: US3775277A; DE2219622B2; JPS5435101B1; FR2136999A1; DE2219622C3; JPS4744200A; FR2136999B1; GB1386306A

Description

Dr. Herbert Schol« FPHN.

Pa(entanw«It BOSS/RV

Anmelder: H. V. Philips' Gloeilampenfabrieken

Akte No. PHH- 5829
Anmeldung vom: 20. April 1972

Verfahren und Anordnung zum Bestimmen der Dicke einer Schicht dielektrischen Materials während ihres Anwuchses.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials während des Anbringens dieser Schicht durch Kathodenzerstäubung auf Substraten, die sich auf einer irägerelektrode befinden, in einem Raum, in dem eine Gasentladung aufrechterhalten wird, so dass der Raum wenigstens teilweise mit einem Plasma gefüllt ist.

Es sind verschiedene Verfahren zum Messen der Dicke einer dünnen Schicht während der Bildung dieser Schicht bekannt, wenn diese durch ein anderes Verfahren als Kathodenzerstäubung* beispielsweise durch Aufdampfen in Vakuum, gebildet wirdο

Die komplizierte physikalisch© und chemische Beschaffenheit des zwischen den Elektroden einer Kathodenzerstlufoungsanordnung. gebilde-

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ten Plasma$,insbesondere in der Mhe der. Trägerelektrode, wo die dünne Schicht gebildet wird, und die mit der Entladung einhergehenden Lichterscheinungen erschweren es in hohem Masse, den Anwuchs der Schicht zu beobachten. Diese Beobachtung ist besonders schwierig, wenn die zu bildende Schicht aus dielektrischem Material besteht.

Entsprechend einem bekannten Verfahren wird die Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials während ihres Anwucb ;ü mit einer von den Umständen abhängigen, mehr oder weniger grossen Genauigkeit durch Techniken bestimmt, die auf Lichtinterferenz beruhen: Ein Lichtbündel mit bekannter Zusammensetzung wird unter einem bestimmten Einfallswinkel auf das Substrat gerichtet, auf dem die Schicht gebildet wird. Das reflektierte Licht gelangt auf einen geeichten Detektor, der das Licht registriert und der die Maxima und Minima in der Intensität des reflektierten Lichtes anzeigt, die dann entstehen, wenn sich die durch das Substrat und durch die Oberfläche der gebildeten Schicht reflektierten Lichtbündel vereinigen.

Der Nachteil eines derartigen Verfahrens, wenn es bei Kathodenzerstäubung angewendet wird, besteht darin, dass es beinahe unvermeidlich ist, dass der Detektor das fortwährend durch die Gasentladung ausgesandte Licht auffängt und aufzeichnet.

Ausserdem ändert sich die Intensität dieses Lichts stark mit den Eigenschaften der Gasentladung, während sich die spektrale Zusammensetzung des Lichts auch je nach der Art der im Zerstäubungsraum vorhandenen Gase ändert.

Man hat versucht, diese Nachteile zu beseitigen, indem man dem Detektor Filteranordnungen zuordnete, die das Licht der Messquelle von dem durch die Entladung gebildeten Licht trennen sollen; trotz ihres komplizierten Aufbaue sind diese Filteranordnungen jedoch nicht in der

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Lage, die Nachteile vollständig zu beseitigen.

Diese Nachteile verursachen selbstverständlich Messfehler hinsichtlich der Schichtdicke, und diese Messfehler sind um so grosser, je komplizierter die Zusammensetzung des Entladungsgases ist.

Andererseits kann das: Messverfahren durch Reflexion nur für Schichten mit geringer Dicke angewendet werden, durch welche Schichten hindurch das einfallende Licht bis zur Oberfläche des darunter liegenden Substrats durchdringen kann.

Die Erfindung bezweckt, ein Verfahren zu schaffen, um mit Hilfe einer einfachen Anordnung die Dicke einer durch Kathodenzerstäubung gebildeten dünnen Schicht dielektrischen Materials unabhängig von den zur Bildung dieser Schicht erforderlichen Arbeitsunständen fortwährend leicht und genau bestimmen zu können.

Die Erfindung beruht auf der Einsicht, dass zwischen der Unterseite einer dünnen dielektrischen Schicht einerseits, welche Unterseite mit einer TrUgerelektrode einer Kathodenzerstäubungsanordnung in elektrischem Kontakt steht, und der dem bei der Entladung entstandenen Plasma zugekehrten Oberseite der erwähnten Schicht andererseits ein Potentialunterschied besteht, der bei übrigens gleichbleibenden Umständen von der Dicke der Schicht abhängt.

Das erfindungsgemässe Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass in der Nähe der Trägerelektrode und in einer ungefähr parallel dazu verlaufenden Ebene ein Aufnehmer im Plasma angeordnet ist, der aus einer Isolierplatte besteht, die zwei leitende Gebiete aufweist, von denen das erste der Kathodenzerstäubung ausgesetzt wird, während das zweite davon abgeschirmt wird, und dass Potentialunterschiede zwischen den beiden erwähnten Gebieten untereinander und zwischen dem ersten Gebiet und einem

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Bezugspotential gemessen werden.

Vorzugsweise bestehen die Isolierplatte und die Substrate aus demselben Material.

Durch die Anordnung des Aufnehmers, wobei eines der beiden leitenden Gebiete der Kathodenzerstäubung ausgesetzt wird, wird dieses Gebiet mit einer dünnen Schicht dielektrischen Materials bedeckt, die der sich auf den Substraten niederschlagenden Schicht entspricht, während das durch den Schirm abgeschirmte zweite Gebiet unbedeckt bleibt.

Das elektrische Potential des mit der Schicht bedeckten Gebiets ändert sich als Punktion der Schichtdicke, während sich das Potential des unbedeckten Gebiets auf einen bestimmten Wert einstellt, der "Schwebepotential" genannt wird.

Die Dicke der dünnen Schicht wird dadurch bestimmt, dass gleichzeitig der Potentialunterschied zwischen den beiden leitenden Gebieten und der Potentialunterschied zwischen dem mit der Schicht bedeckten Gebiet und einem Sezugspotential gemessen wird, welches Bezugspotential beispielsweise das Potential der Trägerelektrode ist, die sich in der Nähe des Aufnehmers befindet. Die Dicke kann dann mit einer einfachen Formel errechnet werden, wie später anhand der Figuren beschrieben wird.

Das erfindungsgemässe Messverfahren ist mithin einfach, und darin besteht der erste Vorteil der Erfindung.

Der zweite Vorteil besteht darin, dass mit diesem Verfahren ohne Rücksicht auf die Umstände, in denen die Gasentladung stattfindet, und ohne Rücksicht auf die Art des Gases oder des Gasgemisches im Zerstäubungsraum genaue Messungen ausgeführt werden können. Ausserdem ist die Messung unabhängig von der Intensität und der spektralen Zusam-

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mensetzung des Lichts bei der Gasentladung, womit ein deutlicher Fortschritt in bezug auf die bisher üblichen Verfahren erzielt ist.

Ein dritter Vorteil des erfindungsgemässen Verfahrens besteht darin, dass eine sehr einfache Anordnung ausreicht, die leicht herstellbar und preisgünstig ist.

Entsprechend einer ersten Ausführungsform eines zur Ausführung des erfindungsgemässen Verfahrens erforderlichen Aufnehmers befinden sich die beiden leitenden Gebiete auf derselben Seite der Isolierplatte. Die andere Seite dieser Platte kann direkt auf der Träger- '· elektrode angeordnet werden.

Entsprechend einer zweiten Ausführungsform der Messanordnung befindet sich eines der beiden leitenden Gebiete auf einer Seite.der Isolierplatte und das zweite auf der anderen Seite. Wenn die Platte in der Nähe der Trägerelektrode und etwa parallel dazu angeordnet wird, ist das der trägerelektrode zugekehrte leitende Gebiet gegen den durch die Kathodenzerstäubung verursachten Niederschlag abgeschirmt. Bei einer auf diese Art und Weise ausgeführten Anordnung ist es mithin nicht erforderlich, einen gesonderten Schirm anzuwenden, da die Isolierplatte selbst als Schirm dient. Demgegenüber ist es nicht mehr möglich, die Platte auf der Trägerelektrode anzuordnen. Es ist eine gesonderte Befestigungsanordnung für die Platte erforderlich.

Die Erfindung wird anhand einiger in den Zeichnungen dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigern

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform eines Aufnehmers zum Ausführen des erfindungsgemässen Verfahrens,

Fig. 2 einen auf schematische Art und Weise dargestellten Längsschnitt durch den in Fig. 1 dargestellten Aufnehmer mit einem ober-

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halb desselben angeordneten Schirm,

Fig. 5 eine Darstellung des Aufnehmers entsprechend Fig. 2, wobei die wesentlichen elektrischen Kapazitäten dargestellt sind, die· bei der Anwendung der Messanordnung .berücksichtigt werden müssen,

Fig. 4 eine schematische Barstellung des in Fig. 3 wiedergegebenen elektrischen Netzwerks,

Fig. 5 eine Draufsicht auf eine zweite Ausführungsfer. . ines Aufnehmers zum Ausführen des erfindungsgemässen Verfahrens,

Fig. 6 einen Längsschnitt durch den in Fig. 5 dargestellten Aufnehmer,

Fig. 7 die wesentlichen elektrischen Kapazitäten, die bei der Anwendung der Messanordnung berücksichtigt werden müssen, welche mit dem in Fig. 6 dargestellten Aufnehmer in der Nähe einer Trägerelektrode verstehen ist, und

Fig. 8 eine schematische Darstellung des in Fig. 7 wiedergegebenen elektrischen Netzwerks.

Der in Eig. 1 und 2 dargestellte Aufnehmer besteht aus einer Isolierplatte 10, deren Seite 10a mit zwei Gebieten 11 und 12 versehen ist, die aus einer beispielsweise aufgedampften Schicht aus leitendem Material bestehen und in bezug aufeinander isoliert sind. Über gleichfalls aus leitendem Material bestehende Spuren 13 und 14 kann ein elektrischer Kontakt zu den Gebieten 11 und 12 hergestellt werden.

Das Material, aus dem die Platte 10 besteht, ist beispielsweise poliertes Glas, wie ei üblicherweise in der Technik der dünnen Schichten angewendet wird. Vorzugsweise besteht die Platte 10 jedoch aus demselben Material wie die Substrate, auf denen durch Kathodenzerstäubung eine Schicht vorgesehen wird. Hierdurch werden Messfehler verhindert, die

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u.a. infolge der für verschiedene Materialien Verschiedenen Sekundäremi ssions-Koeffizienten auftreten können.

Die Art des leitenden Materials, das die Gebiete 11 und 12 und die Spuren 13 und I4 bildet, hängt von der Zusammensetzung der zu betrachtenden dünnen Schicht einerseits und von den in dein bei der Entladung gebildeten Plasma vorhandenen Gasen andererseits ab. Vorzugsweise verwendet man Nickel, das in einer reaktiven Umgebung leicht passiviert wird. ,

Vorzugsweise" wird die Unterseite 10b des Aufnehmers auf einer Metallplatte 15 angeordnet, die auf einem konstanten Potential gehalten wird in bezug auf die Masse des elektrischen Generators, der die Entladung der Zerstäubungsanordnung aufrechterhält. Diese Platte ist beispielsweise die Trägerelektrode, auf der zugleich die Substrate angebracht werden.

Die Spuren I3 und 14 sind mit den Anschlussdrähten 1b und 17 verbunden, die bis ausserhalb des Raumes verlaufen, in dem die Gasentladung stattfindet. Diese Drähte 16 und 17 sind-von einer isolierenden Bekleidung 18 umgeben, die beispielsweise aus Emaille oder Aluminiumoxyd besteht, deren Eigenschaften sich unter Einfluss der Entladung nicht ändern. Der Draht 16 muss über seine Gesamtlänge im Gasentladungsraum isoliert sein, um zu verhindern, dass bestimmte Teile der Drahtoberfläche^ die mit einer dünnen Schicht des zerstäubten Materials unregelmässig bedeckt werden könnten, mit dem Plasma in Berührung bleiben. Hierzu schirmt man die Kontaktstelle zwischen der Spur 13 und dem Draht 16 sowie den blanken Teil des Drahtes 16 beispielsweise mittels einer dünnen Aluminiumoxydschicht ab.

An der Aussenseite des Entladungsraums sind die Drähte 16.

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und 17 mit einem ersten Voltmeter 19 verbunden. Der Draht 16 ist ferner über ein. zweites¹ Voltmeter 20 mit einem Punkt verbunden, der sich auf einem festen Bezugspotential befindet. In diesem Ausführungsbeispiel wird dieser Punkt durch die Trägerelektrode 15 gebildet. Da die Trägerelektrode in Kathodenzerstäubungsanordnungen im allgemeinen unmittelbar· mit der Masse der Anordnung verbunden ist, ergibt die Verbindung zwischen dem Voltmeter 20 und der Trägerelektrode kein einziges praktisches Problem.

Die Voltmeter 19 und 20 sind Gleichspannungsinstrumente.

Sie müssen mit einem geeigneten Filter versehen werden, wenn die Gasent- j

ladung nicht ausschliesslich durch ein elektrisches Gleichstromfeld aufrechterhalten wird.

In dem Raum, in dem die Kathodenzerstäubung stattfindet, wird das leitende Gebiet 11 der Kathodenzerstäubung ausgesetzt, was zur Folge hat, dass es mit einer Schicht 21 bedeckt wird, während das leiten-

i de Gebiet 12 durch einen (in Fig. 1 gestrichelt dargestellten) Schirm 22

gegen die Kathodenzerstäubung geschützt wird.

Vorzugsweise ist der Schirm 22 elektrisch isoliert, so dass er keinen nennenswerten Einfluss auf die Potentialverteilung in der Nähe des Aufnehmers hat. Wenn der Schirm nicht aus magnetischem Material hergestellt ist, hat er nahezu keinen Einfluss auf die Gasentladung. Ura das Isolationsproblem zu vereinfachen, wählt man vorzugsweise einen Schirm aus Glas oder einem keramischen Material.

Bei Versuchen mit. der beschriebenen Anordnung hat sich gezeigt, dass die Abmessungen der Elemente dieser Anordnung, namentlich die Abmessungen der leitenden Gebiete 11 und 12, nicht kritisch sind. Auch die Form der Gebiete 11 und 12 ist unwichtig, und die Oberflächen

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der Gebiete dürfen unterschiedlich sein. Die Schichtdicke der Gebiete liegt vorzugsweise zwischen 100 nm. und 500 nm.

Der Abstand zwischen dem Gebiet 12 und dem Schirm 22 liegt beispielsweise zwischen 5 mm'und 15 mm, während der Schirm parallel zur Ebene des Aufnehmers angeordnet ist (wie/der Fall ist in Fig. 1). Der Potentialunterschied zwischen einer Auftreffplatten-Elektrode und "der Trägerelektrode der Kathodenzerstäubungsanordnung liegt zwischen I5OO und 4OOO V bei einem Abstand zwischen diesen Elektroden von 35 bis 60 mm.

Das Verfahren zum Messen der Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials mit Hilfe der vorstehend beschriebenen Messanordnung wird im folgenden auf einfache Weise anhand der Fig. 3 und 4 erläutert.

Aus Flg. 3 geht hervor, dass das durch das leitende Gebiet 11, die dielektrische Schicht 21 (deren Dicke χ und dielektrische Konstante? beträgt) und das unbedeckte leitende Gebiet 12 gebildete System einen ersten Kondensator C bildet, wobei die Schicht 21 nit dem Gebiet 12 über das umgebende, elektrisch leitende Plasma elektrisch verbunden ist.

Der Kondensator C bildet zusammen mit verschiedenen

anderen Kondensatoren ein Netzwerk. Die wichtigsten dieser anderen Kondensatoren sind der Kondensator C₁,' der mit dem Kondensator C parallel geschaltet ist und dessen Dielektrikum durch das Material der Platte 10 gebildet ist, der Kondensator C_ (dessen Elektroden durch das Gebiet.11 und den Draht 16 einerseits und die Platte I5 andererseits gebildet werden) und der Kondensator C, (dessen Elektroden durch das Gebiet 12 und den Draht 17 einerseits und die Platte 15 andererseits gebildet werden).

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Das durch die erwähnten Kondensatoren gebildete netzwerk ist in Pig. 4 schematisch dargestellt. Das Problem beim Bestimmen der Dicke χ der dünnen Schicht 21 kann auf das Bestimmen der Dicke des Dielektrikums des flachen Kondensators C zurückgeführt werden. Betrachtet werden nun die beiden Kondensatoren C und C₀. (Der Kondensator C₁ kann vernachlässigt werden wegen seiner in bezug auf den Kondensator C j verhältnismässig kleinen Kapazität). Am Kondensator C steht ein Pote¹· tialunterschied

₀ , wobei V_e das Potential des mit der Schicht ο I ο

bedeckten leitenden Gebiets 11 und V„ das "Schwebepotential" des leitenden Gebiets 12 ist, das mit dem Plasma in Berührung ist. (Es ist bekannt, dass jede isolierte Oberfläche, die sich in dem bei einer Gasentladung gebildeten Plasma befindet, ein bestimmtes elektrisches Potential annimmt, das "Schwebepotential" genannt.wird. Sowohl die an das Plasma grenzende Oberfläche der Schicht 21 als auch das leitende Gebiet 12 haben dieses Schwebepotential). D&s Voltmeter 19 misst den Wert I V„ - V_ j . Vg - \^r _c j , wobei V_ das feste Bezugspotential ist, in diesem Fall das Potential der Trägerelektrode 15. Das Voltmeter 20 misst den Wert

^vs-^vo

Da die Kondensatoren C und C in Reihe geschattet sind,

ist: j

. ί

|^VF - ^VS - ^C2 · !

V _ V

^vs ^vol

V - V woraus hervorgeht, dass C = C₉ . IS Ol ist.

^x 1V - V I

I^-El O j

1 1

Wenn man den Kondensator C einem flachen Kondensator

A.

gleichstellt, dessen Elektrodenoberfläche gleich S ist, so gilt ausserdec

dass ₁ £ |V - V_o|

" " ist,

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woraus hervorgeht, dass:

ε , k-^vol .

-r: = k. -rr ^r- ist, wobei k = C_ . ^~ ist.

X I V_p - V_g ^b

In Wirklichkeit ist die Formel für die Konstante k komplizierter, als sich bei der Betrachtung der obenstehenden Formel zeigt. Der Vert von k hängt von den Werten der verschiedenen vorhandenen Kapazitäten ab, und diese Werte hängen ihrerseits u.a. von der Geometrie, von den Positionen und den physikalischen Eigenschaften der die Kessanordnung bildenden Elemente untereinander ab. Es ist übrigens möglich, einige der erwähnten Faktoren zu beeinflussen, um die Empfindlichkeit der Anordnung zu ändern.

unmittpl·»

Um aus den Messergebnissen V_n, - V₀J und IV₀ - V_

I £ b \ I b U

bar den Wert χ errechnen zu können, wird der Aufnehmer vorher geeicht. Hierzu bildet man eine dünne Schicht dielektrischen Materials im Gebiet 11 des Aufnehmers, wobei dieser in seiner Arbeitsstellung im Kathodenzerstäubungsraum angeordnet ist± und misst man die Werte IV_n, - V_c

I * ^bi

's, - ^vo

in dem Moment, in dem die Entladung ausgeschaltet wird. Danach misst man die Dicke x. des gebildeten dünnen Schicht-Materials, indem man ein bekanntes Messverfahren anwendet. Dieser eine Versuch reicht für die Eichung aus. Während der späteren Bildung der dünnen Schicht, deren Dicke gemessen werden soll, misst man jeweils die beiden zueinander

gehörigen Werte IV-, - V₀ und Werten

und

- v,

, die durch Vergleich mit den

eine Bestimmung der Schichtdicke er

möglichen. Indem nämlich die vorstehend hergeleitete Formel für — angewendet wird, erhält man:

_ ν I ⁰

(1) ^- - k -^ rr—γ (Eichung)

^V1 ^VF ~" V

11 ⁱ

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(2) — " k Τγ (Messung)

Wenn die Formel (1) durch die Formel (2) geteilt wird, erhält man: · ' , .

-Vl * IV

^vo| |^VF

woraus hervorgeht:

Man kann auf diese Weise die Werte von x,, χ., ....,X"" aus den aufeinanderfolgenden Messungen der Werte |v„ - V_c| und |v_c -

I r öl I^

herleiten.

Wert und Polarität jedes der Potentiale V„, V_q und V hängen von der Polarität der Elektroden ab, die ihrerseits von der Art und Weise abhängt, in der die Gasentladung gespeist wird. (Beispielsweise mit _r Wechselspannung, modulierter Spannung usw.). Dies ist der Grund, weshalb

für |V_ - V-, und \V~ - VJ absolute Werte genommen werden müssen. I Ü b| I b U|

Es sei bemerkt, dass der Potentialunterschied an Kondensator C.. konstant gleich Vp - V bleibt. In der vorstehend ausgeführten Berechnung braucht der Kondensator C, mithin nicht berücksichtigt zu werden.

Entsprechend der zweiten Ausführungsform eines Aufnehmers zum Ausführen des erfindungsgemässen Verfahrens besteht dieser Aufnehmer gleichfalls aus einer Isolierplatte 10, auf der zwei leitende Gebiete und 12 vorgesehen sind. In diesem Fall befindet sich das Gebiet 11 jedoch auf der einen Seite, und das Gebiet 12 auf der anderen Seite der Platte 10. (Siehe Fig. 5 und 6). In dieeen Figuren ist das Gebiet 12 schmaler als das Gebiet 11} dieser Unterschied ist jedoch keine Notwendigkeit.

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Vorzugsweise befindet sich der Aufnehmer in der Nähe der

Trägerelektrode 15» die die zu bedeckenden Substrate trägt, und in einer

■■i Ebene, die zu dieser Elektrode etwa parallel ist. Auf diese Weise ist das Gebiet 11 zum Entladungsfaum der Kathodenzerstäubungsanordnung gerichtet, so dass dieses Gebiet allmählich mit einer dünnen Schicht bedeckt wird, deren Dicke gleich derjenigen der die benachbarten Substrate bedeckenden Schicht ist, während das Gebiet 12, das durch die nun als Schirm dienende Platte 10 geschützt wird, nun unbedeckt bleibt.

Abgesehen vom Aufnehmer, der eine andere Gestalt hat, entsprechen alle Elemente der Messanordnung denjenigen der anhand von Fig. und 2 beschriebenen Anordnung. Deutlichkeitshalber sind dieselben Bezugsziffern verwendet.

Ein Aufnehmer entsprechend den Pig. 5 und 6 darf nicht auf der Trägerelektrode 15 angeordnet werden,, da das leitende Gebiet 12 dann mit dieser Elektrode in Berührung wäre. Deshalb wird der Aufnehmer beispielsweise auf einem starren (nicht dargestellten) Träger angeordnet, der selbst auf der Trägerelektrode befestigt ist.

Es ist erwünscht, dass sich der Aufnehmer möglichst nahe der Trägerelektrode befindet, zumindest in der unmittelbaren Nähe der Substrate, auf denen die dünne Schicht gebildet wird. Der Abstand zwischen dem Aufnehmer und der Trägerelektrode liegt vorzugsweise zwischen 5 mm und 10 mm.

In Pig. 7 sind, völlig entsprechend Fig. 3» die Kapazitäten C , C₁, Op und C, dargestellt. Auch das elektrische Schema nach Fig. 8, das aus Fig. 7 hervorgeht, ist mit dem elektrischen Schema nach Fig.« identisch, das selbst von dem Aufnehmer nach Fig. 3 hergeleitet ist.

Die für den Aufnehmer des ersten Typs angestellte Berechnung

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kann mithin auf dieselbe Art und Weise für den Aufnehmer des zweiten Typs ausgeführt werden. In beiden Fällen findet man dieselben Formeln zum Bestimmen der Dicke x.

Der Wert der Konstanten k kann auch bei einem Aufnehmer des zweiten Typs beeinflusst werden, was die Anpassung der Empfindlichkeit der Messanordnung ermöglicht.

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Claims

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PATENA N SPl Ü CHE :

1· J Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials während des Anbringens dieser Schicht durch Kathodenzerstäubung auf Substraten, die sich auf einer Trägerelektrode "befinden, in einem Raum, in dem eine Gasentladung aufrechterhalten wird, so dass der Baum wenigstens teilweise mit einem Plasma gefüllt ist, da4 durch gekennzeichnet, dass in der Nähe der Trägerelektrode und in' einer ungefähr parallel dazu verlaufenden Ebene ein Aufnehmer in Plasma angeordnet iet, der aus einer Isolierplatte besteht, die zwei leitende Gebiete aufweißt, von denen das erste der Kathodenzerstäubung ausgesetzt wird, während das zweite davon abgeschirmt wird, und dass Potentialunterschiede zwischen den beiden erwähnten Gebieten untereinander und zwischen dem ersten Gebiet und einem Bezugspotential gemessen werden«
2. . Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bezugspotential das Potential der Trägerelektrode ist.
3. Anordnung zum Ausführen des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung einen im Gasentladungsraum anzuordnenden Aufnehmer enthält, der aus einer Isolierplatte besteht, deren Vorderseite zwei unabhängige, leitende Gebiete aufweist, wobei sich vor einem dieser Gebiete ein Schirm befindet.
4. Anordnung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass der Schirm elektrisch isoliert ist.

5· Anordnung zum Ausführen des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung einen im Gasentladungsraum anzuordnenden Aufnehmer enthält, der aus einer Isolierplatte besteht, deren beide Seiten je ein leitendes Gebiet aufweisen.

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