DE2203040B2

DE2203040B2 - Electronic, contactless switching device

Info

Publication number: DE2203040B2
Application number: DE2203040A
Authority: DE
Inventors: Robert 8990 Lindau Buck
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1972-01-22
Filing date: 1972-01-22
Publication date: 1974-01-17
Also published as: DE2203040A1

Description

mit einer Anzapfung verwenden zu müssen, bereits aufwendig. Hinzu kommt aber, daß in zunehmendem Maße, elektronische Schaltungen integriert werden und daß bei integrierten Schaltungen die aus der inteerierten Schaltung herauszuführenden Anschlüsse aufwendig sind. Würde man also die den »«kannten elektronischen Schaltgeräten zugrunde hegenden Schaltungen integrieren, so wurden fur d.e Spule v,er Having to use it with a tap is already time-consuming. In addition, however, electronic circuits are increasingly being integrated and, in the case of integrated circuits, the connections to be led out of the integrated circuit are expensive. If one were to integrate the circuits on which the "" known electronic switching devices are based, then v, er

oder zumindest drei Anschlüsse benötigt.or at least three connections are required.

Im übrigen sind Oszillatoren bekannt (vgl. die Literaturstelle »Handbook of Semiconductor Electronics« von Llyod P. H u η t e r, Ito6, Mec Graw Hill Book Com., Kapitel 14-8, F i g. U.5 a), bei denen der Kollektor des Verstärkertransistors transformatoren, d.h. über eine Rückkopplungsschaltung ohne Phasendrehung, auf den Emitter des Verstärkertransistors rückgekoppelt ist. Auch bei diesem Oszillator «ird also eine Spule mit zwei Wicklungen benötigt.In addition, oscillators are known (cf. the literature reference "Handbook of Semiconductor Electronics" by Llyod P. H u η t e r, Ito6, Mec Graw Hill Book Com., Chapters 14-8, F i g. U.5 a), where the Collector of the amplifier transistor transformers, i.e. via a feedback circuit without phase rotation, is fed back to the emitter of the amplifier transistor. With this oscillator too so a coil with two windings is required.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, daß bekannte, im einzelnen erläuterte elektronische, berührungslos arbeitende Schaltgerat hinsichüich des Oszillators so auszugestalten und weiterzubilden, daß es mit weniger Aufwand hergestellt und insbesondere besser integriert werden kann.The invention is based on the object that known, explained in detail electronic, non-contact switching devices Design and develop the oscillator in such a way that it is produced with less effort, and in particular can be better integrated.

Das erfindungsgemäße elektronische, beruhrungslos arbeitende Schaltgerät, bei dem diese Aufgabe uelöst ist, ist dadurch gekennzeichnet daß, wie an rieh bekannt, der Kollektor des Verstarkertransistors ab StandesThe inventive electronic, contactless switching device, in which this task uelöst is characterized in that, as on Well known, the collector of the amplifier transistor from stand

dingt^ j
Schaltabstandes
des aui ^
geglichen werden
maßen Sch^al f ^
bekannte η
geht - diethings ^ j
Switching distance
des aui ^
be matched
Sch extent ^al f ^
known η
goes - the

i₅ daß i ₅ that

ao g
Erfindung ao g
invention

tannt ^ _{Rückkopplungs}_tannt ^ _feedback _

den der Sollwert des Schw, _der p_{raxis tret}en jedoch _{1 verwendeten} Bauteile bedem Istwert desthe setpoint of _the _threshold , the practical but ₁ components used depend on the actual value of the

^v' ^ _SchaUabst ^ v ' ^ _SchaUabst

_α ^^ _Schaltgerät ab- _α ^^ _shaving off ltgerät

J _ß . _d erfindungsge-J _ß . _d inventive

muß be ^ ^ _dem must be ^ ^ _dem

_{η dem die} Erfindung aus- ^ _ch ._{q bekkn} _{η which the} invention is made of- ^ _ch . _{q bekkn}

mJ^* _den |_chaltabstand zu mJ ^ * _den | _{switching distance} to

^^u™_rkl'_{einern und zw}ar dadurch,^ ^u ™ _rkl ' _{one and, indeed} ,

^ oder dem anderen Span_{iderstand paral} ^ or the other chip _{resistance parallel}

wrd dies°er Abgleichwiderstand so kann über den einstellbaren _b'_etriebsn«ßig der Schaltabstand _beka„„teneletoo»clien, Schaltgerät, von dem die _Abgleichwiderstand par_D ⁸ _{a dem} Emitterwider-WRD this he ° balancing resistance so can the adjustable _b _'peration sn "SSIG the switching distance _beka" "teneletoo" clien, switching device from which the ichwiderstand _Abgle par _D ⁸ _{a the} Emitterwider-

gJg^J^^ _{Da de} gJg ^ J ^^ _{Da de}

!I_nH in der Reeel auch eine Temperaturkompensastand in de: Kegel au ^c-Widerstand und! I _n H in the Reeel also a temperature compensation stand in de: cone au ^ c resistance and

^M geschaltet ist des Schaltabstandes auch d. h., eine Verände- ^ M switched, the switching distance is also, i.e., a change

3030th

'stör aufweist, daß der Emitter des RückkopplungS-transistors über einen Spannungsteiler mit dem M₁-„uspol der Hilfsspannung verbunden und der Emitter des Verstärkertransistors über einen Emittenviderstand an den Abgriff des Spannungsteilers angeschlossen ist und daß die Basis des Verstarkertransistors auf einem festen, also zeitlich unveränderlichen Potential liegt. Der durch d^e Erfindung erreichte Vorteil ist zunächst dann zu sehen daß der Oszillator des erfindungsgemäßen Schaltgerates nur eine Schwingkreisinduküvität aufweist, eine Ruckkopplunpinduktivität also nicht benotigt wird. Im Ergebnis ist also das elektronische berührungslos arbeitende Schaltgerät, von dem d.e Erfindung ausgeht, hinsichtlich des Oszillators so ausgestaltet und weitergebildet worden, daß es mit weniger Aufwand hergestellt und insbesondere besser integnert werden kann. Da erfindungsgemäß die Basis des Verstärkertransistors auf einem festen, also zeitlich unveranderliehen Potential liegt, liegt auch der Emitter de Ver-Stärkertransistors auf einem zeitlich unveränderlichen Potential; der Verstärkertransistor ist also stromgesteuert, und zwar vom AbgrÄ de. Sjinnungstelers über den Emitterwiderstand Am Abgriff d^ Span-„ungsteilers liegt nämlich die hochfrequente Wechselspannung, die vom Kollektor des Verstarkertrans,-stors über den als Emitterfolger geschatteten Ruck-'disturbs that the emitter of the feedback transistor is connected via a voltage divider to the M ₁ - "uspol of the auxiliary voltage and the emitter of the amplifier transistor is connected to the tap of the voltage divider via an emitter resistor and that the base of the amplifier transistor on a fixed, so temporally unchangeable potential lies. The advantage achieved by the invention can first be seen that the oscillator of the switching device according to the invention only has a resonant circuit inductance, so a feedback inductance is not required. As a result, the electronic contactless switching device from which the invention is based has been designed and developed with regard to the oscillator in such a way that it can be manufactured with less effort and, in particular, better integrated. Since, according to the invention, the base of the amplifier transistor is at a fixed potential that does not change over time, the emitter of the amplifier transistor is also at a potential that does not change over time; the amplifier transistor is thus current-controlled, from the AbgrÄ de. Sjinnungstelers via the emitter resistance The high-frequency alternating voltage is located at the tap of the voltage divider,

diethe

zuto

erl.dungsgemäßen Schalt-according to the switching

eine weitere Lehre der Erfindung ^ Verstärkertransistors über zu- ^^™*^ _{an den} Pluspol der ™jdest^e.ne Vo«^chJ _{es $ich empfiehlt},Another teaching of the invention ^ amplifier transistor via to- ^^ ™ * ^ _{to the} positive pole of ™ jdest ^ e.ne Vo « ^c hJ _{it $ I recommends}

™^fs^™^^g _d ^anZU _v ^C _orschaltdiode über einen BeIa-K^d ^ _{dem Emitter des} Verstärker" der Hilfsspannung mm_S^ ist die Basis des™ ^fs ^ ™ ^ ^g _d ^anZU _v ^C _orschaltd iode via a BeIa-K ^ d ^ _{the emitter of the} amplifier "the auxiliary voltage mm _S ^ is the basis of the

_über ^B _zwei in Reihe geschaltete ^ _H._lfespannung _two _{^ H} connected in series _via ^B. _{running voltage}

r im Kollektorkreis des Verstar-Parallelschwingkreis anr in the collector circuit of the amplifier parallel resonant circuit at

^r beiden Vorschaltdioden ange-J dung ^^ ^^. _vorzugs_^ r both ballast diodes applied ^^ ^^. _preferred _

schlossen -^Af ^_Uer._{Strecke eines} Transistors vorweise die Baas^m1 ^^ _{ßasis yerbun}.closed - ^A f ^ _uer . _{Route of a} transistor before the Baas ^ m1 ^^ _{ßasis yerbun} .

gesehen, dessen noiiseen whose noii

to|sL beschriebenen Maßnahmen wirdto | sL

^^^fd^pUtude der vom Oszillator^^^ fd ^ pUtude of the oscillator

eme Vergroberung _μ ^ insbesondereeme coarsening _μ ^ in particular

^^gt;ⁿ _en^^^nS _der ^P _angegebenen Weise zwei Vordann^ wenn in.an f* _{Durch den zweck}-^ ^gt ; ⁿ _en ^^ ^nS _the ^P _angeg flat way two before ^ if in .an f * _{by the purpose} -

A gesehenen B.lastungswiderstandA seen B. load resistance

JJ⁸^ vorgegebener Strom durch die Vorschaltwird e.r^ vorgegeo Vorschaltdioden emJJ ⁸ ^ specified current through the ballast, he ^ vorgegeo ballast diodes em

Sai S^Sp?nnungsabfall entsteht, der KollektorSai S ^S voltage waste arises, the collector

_οϊ"ι ansistors also auf einem höheren _ο ϊ "ι ansistors so on a higher one

tenden Schaltgerät, von dem die angewandten Spannungssteuerung der Verstärkertransistor e.ne „e_g, tend switching device, of which the applied voltage control of the amplifier transistor e.ne "e _g ,

gwandten Spannguerung^^ V der Verstärkertransistor e.ne wesentlich höhere Grenzfrequenz hat.gwandten Spannguerung ^^ V the amplifier transistor e.ne has a much higher cutoff frequency.

Bei dem erfindungsgemäßen elektronischen, beruh-In the inventive electronic, based

ung ausgeht dessen basis. Vorteil daß a₅ its basis runs out. Advantage that a ₅

Erfindung an Hand einer „„ρρ darstellenden Ze.ch-.^^ _{er]ämert Es zeigt} _d Blockschaltbild eines erfindungsgema-Invention on the basis of a "" ρρ representing Ze.ch -. ^^ _{er] ämert It shows} _the block diagram of an inventive

ßen elektronischen, berührungslos arbeitenden Schaltgerätes undßen electronic, contactless switching device and

F i g. 2 den Oszillator des elektronischen Schaltgerätes nach Fig. 1.F i g. 2 the oscillator of the electronic switching device according to FIG. 1.

Das in der F i g. 1 dargestellte elektronische Schaltgerät 1 arbeitet berührungslos, d. h., es spricht auf ein sich annäherndes, in der F i g. 1 nicht dargestelltes Metallteil an, und ist über einen Außenleiter 2 mit einem Pol 3 einer Spannungsquelle 4 und nur über einen weiteren Außenleiter 5 mit einem Anschluß 6 einer Verbrauchers 7 verbindbar, wobei der andere Anschluß 8 des Verbrauchers 7 an den anderen Pol 9 der Spannungsquelle 4 angeschlossen ist.The in the F i g. 1 illustrated electronic switching device 1 works without contact, d. i.e., it speaks to a approaching, in FIG. 1 metal part, not shown, and is via an outer conductor 2 with a pole 3 of a voltage source 4 and only via a further outer conductor 5 with a connection 6 a consumer 7 can be connected, the other terminal 8 of the consumer 7 being connected to the other pole 9 the voltage source 4 is connected.

In seinem grundsätzlichen Aufbau besteht das in der F i g. 1 dargestellte elektronische, d. h. kontaktlose Schaltgerät 1 aus einem von außen, nämlich durch das Metallteil, beeinflußbaren, d. h. bedämpfbaren Oszillator 10, einem von dem Oszillator 10 über eine Kippstufe 11 steuerbaren Thyristor 12 (oder einem anderen elektronischen Schalter) und einer Speiseschaltung 13 zur Erzeugung der Hilfsspannung für den Oszillator 10 und die Kippstufe 11.In its basic structure, this consists in FIG. 1 illustrated electronic, d. H. contactless Switching device 1 from an externally, namely by the metal part, influenceable, d. H. attenuable Oscillator 10, a thyristor 12 (or another electronic switch) and a feed circuit 13 for generating the auxiliary voltage for the oscillator 10 and the trigger stage 11.

Wie die F i g. 2 zeigt, weist der Oszillator 10 zunächst einen Verstärkertransistor 14 und einen im Kollektorkreis des Verstärkertransistors 14 liegenden Parallelschwingkreis 15 auf. Der Parallelschwingkreis 15 besteht aus einer Schwingkreisinduktivität 16, einer Schwingkreiskapazität 17 und einem Verlustwiderstand 18. In der praktischen Ausführung wird der Parallelschwingkreis 15 durch eine einzige Spule dargestellt. Diese Spule stellt also sowohl die Schwingkreisinduktivität 16 als auch die Schwingkreiskapazität 17 und schließlich den Verlustwiderstand 18 dar.As the F i g. 2 shows, the oscillator 10 initially has an amplifier transistor 14 and an im Collector circuit of the amplifier transistor 14 lying parallel resonant circuit 15. The parallel resonant circuit 15 consists of a resonant circuit inductance 16, a resonant circuit capacitance 17 and a loss resistance 18. In the practical embodiment, the parallel resonant circuit 15 is made up of a single coil shown. This coil therefore provides both the resonant circuit inductance 16 and the resonant circuit capacitance 17 and finally the loss resistance 18.

Der Kollektor 19 des Verstärkertransistors 14 ist über eine Rückkopplungsschaltung 20 ohne Phasendrehung auf den Emitter 21 des Verstärkertransistors 14 rückgekoppelt, während die Basis 22 des Verstärkertransistors 14 auf einem festen, also zeitlich unveränderlichen Potential liegt. Bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Schaltgerät 1 wird der Verstärkertransistor 14 also emittergesteuert betrieben. Dadurch, daß zwischen dem Emitter 21 des Verstärkertransistors 14 und dessen Kollektor 19 keine Phasendrehung auftritt, braucht auch mit der Rückkopplungsschaltung 20 keine Phasendrehung erreicht werden, eine Rückkopplungsinduktivität (oder Rückkopplungskapazität) wird also nicht benötigt. Die Rückkopplungsschaltung 20 weist einen als Emitterfolger geschalteten Rückkopplungstransistor 23 auf. Der Emitter 24 des Rückkopplungstransistors 23 ist über einen aus zwei Spannungsteilerwiderständen 25, 26 bestehenden Spannungsteiler 27 mit dem Minuspol 28 der Hilfsspannung verbunden. Der Emitter 21 des Verstärkertransistors 14 ist über einen Emitterwiderstand 29 an den Abgriff 30 des Spannungsteilers 27 angeschlossen.The collector 19 of the amplifier transistor 14 is via a feedback circuit 20 without phase rotation fed back to the emitter 21 of the amplifier transistor 14, while the base 22 of the amplifier transistor 14 is on a fixed, i.e. unchangeable potential. In the inventive electronic switching device 1, the amplifier transistor 14 is operated emitter-controlled. Because there is no phase rotation between the emitter 21 of the amplifier transistor 14 and its collector 19 occurs, no phase rotation needs to be achieved even with the feedback circuit 20, a feedback inductance (or feedback capacitance) is therefore not required. the Feedback circuit 20 has a feedback transistor 23 connected as an emitter follower. The emitter 24 of the feedback transistor 23 is one of two voltage divider resistors 25, 26 existing voltage divider 27 is connected to the negative pole 28 of the auxiliary voltage. Of the The emitter 21 of the amplifier transistor 14 is connected to the tap 30 of the via an emitter resistor 29 Voltage divider 27 connected.

Da die Basis 22 des Verstärkertransistors 14 erfindungsgemäß auf einem festen, also zeitlich unveränderlichen Potential liegt, liegt auch der Emitter 21 des Verstärkertransistors 14 auf einem zeitlich unveränderlichen Potential; der Verstärkertransistor 14 ist also stromgesteuert, und zwar vom Abgriff 30 des Spannungsteilers 27 über den Emitterwiderstand 29. Am Abgriff 30 des Spannungsteilers 27 liegt nämlich die hochfrequente Wechselspannung (etwa 250 bis 500 kHz), die vom Kollektor 19 des Verstärkertransistors 14 über den als Emitterfolger geschalteten Rückkopplungstransistors 23 und den Spannungsteiler 27 an den Abgriff 30 des Spannungsteilers 27 gelangt.
Durch den Emitterwiderstand 29 und die beidenSince, according to the invention, the base 22 of the amplifier transistor 14 is at a fixed, that is to say time-immutable, potential, the emitter 21 of the amplifier transistor 14 is also at a potential that is not variable over time; the amplifier transistor 14 is thus current-controlled, namely from the tap 30 of the voltage divider 27 via the emitter resistor 29. At the tap 30 of the voltage divider 27 is namely the high-frequency AC voltage (about 250 to 500 kHz), which is from the collector 19 of the amplifier transistor 14 via the emitter follower switched feedback transistor 23 and the voltage divider 27 reaches the tap 30 of the voltage divider 27.
Through the emitter resistor 29 and the two

ίο Spannungsteilerwiderstände 25, 26 des Spannungsteilers 27 wird ein Rückkopplungsfaktor festgelegt, der dem Sollwert des Schaltabstandes entsprechen soll. In der Praxis treten jedoch durch die Toleranzen der Bauteile bedingte Abweichungen des Istwertes des Schaltabstandes von dessen Sollwert auf, so daß ein Abgleich erforderlich ist. Bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Schaltgerät besteht die Möglichkeit, diesen Abgleich in beiden Richtungen vorzunehmen, also den Schaltabstand zu verkleinern, und zwar dadurch, daß entweder dem einen oder dem anderen Spannungsteilerwiderstand 25 bzw. 26 ein Abgleichwiderstand 31 parallel geschaltet wird. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Abgleichwiderstand 31 dem Spannungsteilerwiderstand 26 parallel geschaltet. Der Schaltäbstand kann im übrigen auch durch Parallelschaltung des Abgleichwiderstandes 31 zum Emitterwiderstand 29 verkleinert werden.ίο Voltage divider resistors 25, 26 of the voltage divider 27, a feedback factor is specified which should correspond to the setpoint of the switching distance. In practice, however, there are deviations in the actual value of the due to the tolerances of the components Switching distance from its setpoint, so that an adjustment is necessary. In the inventive electronic switching device it is possible to carry out this adjustment in both directions, So to reduce the switching distance, namely by the fact that either one or the other Voltage divider resistor 25 or 26, a balancing resistor 31 is connected in parallel. In the illustrated In the exemplary embodiment, the trimming resistor 31 is connected in parallel to the voltage divider resistor 26. The switching distance can also be varied by connecting the balancing resistor 31 in parallel to the emitter resistor 29 are reduced.

Wie die F i g. 2 zeigt, ist dem Emitterwiderstand 29 eine Temperaturkompensationsschaltung 32 aus einem NTC-Widerstand 33 und einem Anpassungswiderstand 34 parallel geschaltet. Die Temperaturkompensationsschaltung 32 dient vor allem der Kompensation der Temperaturabhängigkeit des Verlustwiderstandes 18 des Parallelschwingkreises 15.As the F i g. 2 shows, the emitter resistor 29 is a temperature compensation circuit 32 of a NTC resistor 33 and a matching resistor 34 connected in parallel. The temperature compensation circuit 32 is mainly used to compensate for the temperature dependency of the loss resistance 18 of the parallel resonant circuit 15.

Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Basis 22 des Verstärkertransistors 14 über zwei Vorschaltdioden 35, 36 mit dem Pluspol 37 der Hilfsspannung verbunden und ist der im Kollektorkreis des Verstärkertransistors 14 angeordnete Parallelschwingkreis 15 an die Verbindung der beiden Vorschaltdioden 35,36 angeschlossen. Die Kathode 38 der Vorschaltdiode 35 ist über einen Belastungswiderstand 39 mit dem Emitter 21 des Verstärkertransistors 14 verbunden. Im übrigen ist als Vorschaltdiode 35 bzw. 36 jeweils die Basis-Emitter-Strecke 40 bzw. 41 eines Transistors 42 bzw. 43 vorgesehen, dessen Kollektor 44 bzw. 45 mit dessen Basis 46 bzw. 47 verbunden ist. Durch die zuletzt beschriebenen Maßnahmen wird eine Vergrößerung der Amplitude der von dem Oszillator 10 erzeugten Wechselspannung erreicht. Durch den Belastungswiderstand 39 wird ein vorgegebener Strom durch die Vorschaltdioden 35, 36 gezogen, so daß an den Vorschaltdioden 35, 36 ein definierter Spannungsabfall entsteht, der Kollektor 48 des Rückkopplungstransistors 23 also auf einem höheren Potential liegt als der Kollektor 19 des Verstärkertransistors 14, während der Kollektor 19 des Verstärkertransistors 14 wiederum auf einem höheren Potential liegt als dessen Basis 22.In the illustrated embodiment, the base 22 of the amplifier transistor 14 is via two ballast diodes 35, 36 is connected to the positive pole 37 of the auxiliary voltage and is that in the collector circuit of the amplifier transistor 14 arranged parallel resonant circuit 15 to the connection of the two ballast diodes 35,36 connected. The cathode 38 of the ballast diode 35 is via a load resistor 39 with the Emitter 21 of the amplifier transistor 14 connected. Otherwise, 35 and 36 are each used as a ballast diode the base-emitter path 40 or 41 of a transistor 42 or 43 is provided, the collector 44 or 45 is connected to its base 46 or 47, respectively. The measures described last will an increase in the amplitude of the oscillator 10 generated alternating voltage is reached. The load resistance 39 is a predetermined one Current drawn through the ballast diodes 35, 36, so that at the ballast diodes 35, 36 a defined Voltage drop occurs, the collector 48 of the feedback transistor 23 is therefore at a higher potential than the collector 19 of the amplifier transistor 14, while the collector 19 of the amplifier transistor 14 is again at a higher potential its base is 22.

Schließlich ist bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Schaltgerät 1 eingangsseitig noch eine Gleichrichterbrücke 49 vorgesehen, da die Spannungsquelle 4 Wechselspannung führt.Finally, in the electronic switching device 1 according to the invention, there is also a rectifier bridge on the input side 49 is provided, since the voltage source 4 carries alternating voltage.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

1 2 Die Erfindung betrifft ein elektronisches, berüh- Patentansprüche: rungslos arbeitendes Schaltgerät, das über einen Außenleiter mit einem Pol einer Spannungsquelle und1 2 The invention relates to an electronic, non-contact patent claims: smoothly working switching device that has an outer conductor with a pole of a voltage source and

1. Elektronisches, berührungslos arbeitendes nur über einen weiteren Außenleiter mit einem An-Schaltgerät, das über einen Außenleiter mit einem 5 Schluß eines Verbrauchers (dessen anderer Anschluß Pol einer Spannungsquelle und nur über einen an den anderen Pol der Spannungsquelle angeschlosweiteren Außenleiter mit einem Anschluß eines sen ist) verbindbar ist, bestehend aus einem von außen Verbrauchers (dessen anderer Anschluß an den beeinflußbaren, einen Verstärkenransistor und einen anderen Pol der Spannungsquelle angeschlossen im Kollektorkreis des Verstärkertransistors liegenden ist) verbindbar ist, bestehend aus einem von io Parallelschwingkreis aufweisenden Oszillator, einem außen beeinflußbaren, einen Verstärkertransistor von dem Oszillator, gegebenenfalls über eine Kipp- und einen im Kollektorkreis des Verstärkertran- stufe, steuerbaren Thyristor (oder einem anderen sistors liegenden Parallelschwingkreis aufweisen- elektronischen Schalter) und einer Speiseschaltung den Oszillator, einem von dem Oszillator, gegebe- zur Erzeugung der Hilfsspannung für den Oszillator nenfalls über eine Kippstufe, steuerbaren Thyri- 15 und gegebenenfalls für die Kippstufe.1. Electronic, contactless working only via an additional outer conductor with an on-switch device, that via an outer conductor with a 5 connection of a consumer (whose other connection Pole of a voltage source and only connected to the other pole of the voltage source via one Outer conductor with a terminal of a sen) is connectable, consisting of one from the outside Consumer (whose other connection to the influenceable, an amplifying transistor and a other pole of the voltage source connected in the collector circuit of the amplifier transistor is) is connectable, consisting of one of io parallel resonant circuit having oscillator, a externally influenceable, an amplifier transistor from the oscillator, possibly via a toggle and a controllable thyristor (or another one in the collector circuit of the amplifier stage) sistor lying parallel resonant circuit have electronic switch) and a feed circuit the oscillator, one of the oscillator, given to generate the auxiliary voltage for the oscillator possibly via a flip-flop, controllable thyria 15 and possibly for the flip-flop.

stör (oder einem anderen elektronischen Schalter) Elektronische Schaltgeräte der eingangs beschrie- und einer Speiseschaltung für Erzeugung der benen Art, die also kontaktlos ausgeführt sind, wer-Hilfsspannung für den Oszillator und gegebenen- den in zunehmendem Maße an Stelle von elektrischen, falls für die Kippstufe, dadurch gekenn- mechanisch betätigten Schaltgeräten, die kontaktbezeichnet, daß, wie an sich bekannt, der KoI- 20 haftet ausgeführt sind, in elektrischen Meß-, Steuerlektor (19) des Verstärkertransistors (14) über und Regelkreisen verwendet. Solange bei diesen eine Rückkopplungsschaltung (20) ohne Phasen- elektronischen Schaltgeräten ein Metallteil einen vordrehung auf den Emitter (21) des Verstärkertran- gegebenen Abstand noch nicht erreicht hat, gilt für sistors (14) rückgekoppelt ist, daß die Rückkopp- den Oszillator K ■ V = 1 mit K = Rückkopplungsfaklungsschaltung (20) einen als Emitterfolger ge- 25 tor und V — Verstärkungsfaktor des Oszillators, schalteten Rückkopplungstransistor (23) aufweist, d. h., der Oszillator schwingt. Erreicht das entspredaß der Emitter (24) des Rückkopplungstransi- chende Metallteil den vorgegebenen Abstand, so führt stors (23) über einem Spannungsteiler (27) mit die zunehmende Bedämpfung des Oszillators zu einer dem Minuspol (28) der Hilfsspannung verbunden Verringerung des Verstärkungsfaktors V, wobei und der Emitter (21) des Verstärkertransistors 30 KV <1 wird, d.h., der Oszillator schwingt nichtdisturbance (or another electronic switch) Electronic switching devices of the initially described and a supply circuit for generating the type benen, which are thus made contactless, who-auxiliary voltage for the oscillator and given increasingly in place of electrical, if for the Flip-flop, characterized mechanically operated switching devices, which contact designates that, as is known per se, the KoI-20 adheres, used in electrical measuring and control elements (19) of the amplifier transistor (14) and control loops. As long as in these a feedback circuit (20) without phase electronic switching devices a metal part has not yet reached a pre-rotation on the emitter (21) of the amplifier transfer, it applies to sistor (14) that the feedback oscillator K ■ V = 1 with K = feedback factor circuit (20) having a feedback transistor (23) connected as emitter follower and V gain factor of the oscillator, ie the oscillator oscillates. If the emitter (24) of the feedback-transient metal part reaches the specified distance, then stors (23) leads via a voltage divider (27) with the increasing damping of the oscillator to a reduction in the gain factor V connected to the negative pole (28) of the auxiliary voltage, wherein and the emitter (21) of the amplifier transistor 30 KV <1, that is, the oscillator does not oscillate

(14) über einen Emitterwiderstand (29) an den mehr. Abhängig von den unterschiedlichen Zustän-Abgriff (30) des Spannungsteilers (27) angeschlos- den des Oszillators wird, zumeist über eine Kippstufe, sen ist und daß die Basis (22) des Verstärker- der Thyristor oder ein anderer elektronischer Schalter transistors (14) auf einem festen, also zeitlich gesteuert.(14) via an emitter resistor (29) to the more. Depending on the different status tapping (30) of the voltage divider (27) is connected to the oscillator, mostly via a flip-flop, sen is and that the base (22) of the amplifier- the thyristor or another electronic switch transistor (14) on a fixed, so time-controlled.

unveränderlichen Potential liegt. 35 Bei einem bekannten elektronischen Schaltgerätimmutable potential. 35 In a known electronic switching device

2. Elektronisches Schaltgerät nach Anspruch 1, der eingangs beschriebenen Art (vgl. die deutsche dadurch gekennzeichnet, daß dem Emitterwider- Offenlegungsschrift 1 951137) liegt im Kollektorkreis stand (29) eine Temperaturkompensationsschal- des Verstärkertransistors ein Parallelschwingkreis aus tung (32), z. B. aus einem NTC-Widerstand (33) einer Schwingkreisinduktivität und einer Schwing- und einem Anpassungswiderstand (34), parallel io kreiskapazität, im Emitterkreis ein Emitterwiderstand geschaltet ist. und im Basiskreis eine Rückkopplungsinduktivität,2. Electronic switching device according to claim 1, of the type described above (see. The German characterized in that the Emitterwider- Offenlegungsschrift 1 951137) lies in the collector circuit stood (29) a temperature compensation switch of the amplifier transistor a parallel resonant circuit device (32), e.g. B. from an NTC resistor (33) a resonant circuit inductance and a resonant and a matching resistor (34), parallel io circuit capacitance, an emitter resistor in the emitter circuit is switched. and a feedback inductance in the base circuit,

3. Elektronisches Schaltgerät nach Anspruch 1 die einerseits an die Basis des Verstärkertransistors, oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis andererseits an den Abgriff eines aus zwei Span-(22) des Verstärkertransistors (14) über zumin- nungsteilerwiderständen bestehenden, zwischen dem dest eine Vorschaltdiode (35, 36) an den Pluspol 45 Pluspol und dem Minuspol der Hilfsspannung liegen-(37) der Hilfsspannung angeschlossen ist. den Spanungsteilers angeschlossen ist. Durch eine3. Electronic switching device according to claim 1 on the one hand to the base of the amplifier transistor, or 2, characterized in that the base on the other hand to the tap of one of two chip (22) of the amplifier transistor (14) via at least some divider resistances, between the At least one ballast diode (35, 36) is connected to the plus pole 45 plus pole and the minus pole of the auxiliary voltage - (37) the auxiliary voltage is connected. the voltage divider is connected. By a

4. Elektronisches Schaltgerät nach Anspruch 3, entsprechende Schaltung der Schwingkreisinduktivität dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode (38) und der Rückkopplungsinduktivität wird zwischen der Vorschaltdiode (35) über einen Belastungs- dem Kollektor des Verstärkertransistors und dessen widerstand (39) an den Emitter (21) des Verstär- 50 Basis eine Phasendrehung von 180° erzeugt, so daß kertransistors (14) oder an den Minuspol (28) der zusammen mit der zwischen der Basis des Verstärker-Hilfsspannung angeschlossen ist. transistors und dessen Kollektor wirksamen Phasen-4. Electronic switching device according to claim 3, corresponding circuit of the resonant circuit inductance characterized in that the cathode (38) and the feedback inductance is between the ballast diode (35) via a load to the collector of the amplifier transistor and its resistance (39) to the emitter (21) of the amplifier 50 base produces a phase rotation of 180 °, so that kertransistors (14) or to the negative pole (28) together with the between the base of the amplifier auxiliary voltage connected. transistor and its collector effective phase

5. Elektronisches Schaltgerät nach Anspruch 3 drehung von 180° die für einen Oszillator erforder- oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis liehe Phasendrehung von 360° erreicht wird.5. Electronic switching device according to claim 3 rotation of 180 ° required for an oscillator or 4, characterized in that the base borrowed phase rotation of 360 ° is achieved.

(22) des Verstärkertransistors (14) über zwei in 55 Das bekannte elektronische, berührungslos arbei-(22) of the amplifier transistor (14) via two in 55 The well-known electronic, contactless working

Reihe geschaltete Vorschaltdioden (35, 36) mit tende Schaltgerät, von dem die Erfindung ausgeht,Series-connected ballast diodes (35, 36) with tend switching device, from which the invention is based,

dem Pluspol (37) der Hilfsspannung verbunden hat sich an sich in der Praxis außerordentlich gut be-connected to the positive pole (37) of the auxiliary voltage has worked extremely well in practice

ist und daß der im Kollektorkreis des Verstärker- währt, es ist jedoch insbesondere aus folgendemis and that it lasts in the collector circuit of the amplifier, but it is in particular from the following

transistors (14) angeordnete Parallelschwingkreis Grund noch verbesserungsbedürftig:transistor (14) arranged parallel resonant circuit Reason for improvement:

(15) an die Verbindung der beiden Vorschalt- 60 Die Tatsache, daß das bekannte elektronische, bedioden (35, 36) angeschlossen ist. rührungslos arbeitende Schaltgerät, von dem die Er-(15) to the connection of the two ballasts 60 The fact that the well-known electronic, diodes (35, 36) is connected. contactless switching device from which the

6. Elektronisches Schaltgerät nach einem der findung ausgeht, einerseits eine Schwingkreisinduk-Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß tivität, andererseits eine Rückkopplungsinduktivität, als Vorschaltdiode (35, 36) die Basis-Emitter- also eine. Spule mit zwei Wicklungen, benötigt, ist Strecke (40 bzw. 41) eines Transistors (42 bzw. 6g nachteilig; bei anderen Ausführungsformen wird eine 43) vorgesehen ist, dessen Kollektor (44 bzw. 45) Spule mit einer Anzapfung benötigt. Zunächst ist aus mit dessen Basis (46 bis 47) verbunden ist. der Sicht der Herstellung der Spulen die Notwendig-6. Electronic switching device according to one of the invention, on the one hand a Schwingkreisinduk claims 3 to 5, characterized in that activity, on the other hand a feedback inductance, as a ballast diode (35, 36) the base-emitter so one. Coil with two turns is required Path (40 or 41) of a transistor (42 or 6g disadvantageous; in other embodiments a 43) is provided whose collector (44 or 45) requires a coil with a tap. First is off is connected to the base (46 to 47). the point of view of the manufacture of the bobbins the necessary

keit, eine Spule mit zwei Wicklungen oder eine Spulespeed, a coil with two turns or a coil