DE2164206A1 - Electric resistor - with hard metal layer on substrate for rotating potentiometers and slide resistors - Google Patents

Abstract

Electric resistor has a layer of a material (I) based on hard metal ona substrate. This resistor hs high mechanical stability, high resistance to corrosion and abrasion and high adhesive strength, making a protective coating unnecessary. The temp. coefft. of resistance is very low and the electrical characteristics can be controlled by incorporating amorphous C. Specif., (I) consists of a carbide (II) and a metallic binder (III), (II) being V, Cr, W or Ta carbide and (III) Ni or Co. (I) can be produced by cathodic sputtering, evapn. from a crucible using an electron beam or thermal decompsn. of the corresp. metal acetylacetonates.

Description

Elektrischer Widerstand Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrischen Widerstand.Electrical resistance The invention relates to an electrical one Resistance.

Als Widerstandsmaterialien für hochohmige Widerstände werden dünne Kohle bzw. Netall-Glas-Schichten verwendet.Resistance materials for high-ohmic resistors are thin Coal or metal-glass layers are used.

Diese Materialien haben jedoch den Nachteil, da sie sich wegen der geringen Abriebfestigkqit des Kohlenstoffs bzw.However, these materials have the disadvantage that they are because of the low abrasion resistance of the carbon or

der Glasphase bei Drehpotentiometern schnell abnützen. Eohleschichtwiderstände haben einen weiteren Nachteil, der darin besteht, daß zur Erzielung hochohmiger Widerstandswerte die Schichtdicke unter 10 nm liegen muß. Dies hat zur Folge, daB die Schichten teilweise Inselstruktur aufweisen. Diese Schichten besitzen daher eine geringe Konstanz und einen hohen Rauschfaktor. Außerdem ist der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes bei Kohle schichten stark negativ. Er liegt bei etwa -1000 ppm/Grad. Man ist bestrebt einen Widerstand zu haben, der einen niedrigen Widerstands-Ternperaturkoeffizienteii besitzt, d.h. der je Grad Temperaturänderung seinen Widerstandswert nur wenig ändert.the glass phase with rotary potentiometers wear out quickly. Hollow sheet resistors have a further disadvantage, which is that to achieve high resistance Resistance values the layer thickness must be less than 10 nm. This has the consequence that some of the layers have an island structure. These layers therefore have a low constancy and a high noise factor. Also is the temperature coefficient the electrical resistance of carbon layers is strongly negative. It is around -1000 ppm / degree. One strives to have a resistance that is low Resistance temperature coefficient ii, i.e. that per degree of temperature change changes its resistance value only slightly.

Bei der Herstellung von Widerständen aus Earbid-Kohlenstoff-Schichten entstehen Schwierigkeiten beim Kontaktieren.When making resistors from Earbid carbon layers difficulties arise in contacting.

Verfahren zur Herstellung solcher Karbid-Eohlenstoff-}tiderstände sind in der DOS 1 802 900 angegeben.Process for making such carbide-carbon resistors are specified in DOS 1 802 900.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Material zur Herstellung von Widerständen anzugeben, bei dem die oben genannten Nachteile vermieden sind.An object of the invention is to provide a material for the manufacture of Specify resistors in which the above-mentioned disadvantages are avoided.

Diese Aufgabe wird durch einen elektrischen Widerstand gelöst, der erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß auf einem Substrat eine Schicht -aus einem Material auf Hartstoffbasis aufgebracht ist.This object is achieved by an electrical resistor that according to the invention is characterized in that a layer on a substrate - Is applied from a material based on hard material.

Vorteilhafterweise besteht dieses Material auf Hartstoffbasis aus Vanadiumkarbid, Chromkarbid, Wolframkarbid oder Tantalkarbid und Nickel oder Kobalt.This material is advantageously made on a hard material basis Vanadium carbide, chromium carbide, tungsten carbide or tantalum carbide and nickel or cobalt.

Unter einem Material auf Hartstoffbasis wird ein Material verstanden, bei dem ein Metallkarbid oder eine M schung von Metallkarbiden in einer als Bindemittel bezeichneten Matrix aus'Metall eingebaut ist.A material based on hard material is understood to mean a material in which a metal carbide or a mixture of metal carbides in one as a binder designated matrix made of metal is incorporated.

Die durch die Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen insbesondere darin, daß die erfindungsgemäßen Widerstände aus einem Material hoher mechanischer Stabilität, großer Korrosionsbeständigkeit und großer Haft- und Abriebsfestigkeit bestehen. Aus diesem Grund ist es unnötig die Schicht des erfindungsgemäßen Widerstandes mit eir.er-Schutzsc'hicht zu versehen.The advantages that can be achieved by the invention are in particular in that the resistors according to the invention are made of a material of high mechanical Stability, great corrosion resistance and great adhesion and abrasion resistance exist. For this reason, the layer of the resistor according to the invention is unnecessary to be provided with a protective layer.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß der Temperaturkoeffizient erfindungsgemäßer elektrischer Widerstände mit Widerstandsschichten aus einem Material auf Hartsioffbasis sehr klein ist. Die.elektrischen Eigenschaften der Widerstände können durch den zusätzlichen Einbau von amorphen Kohlenstoff in das Material auf Hartstó-ffbasis beeinflußt werden.Another advantage of the invention is that the temperature coefficient electrical resistors according to the invention with resistance layers made of one material based on Hartsioff is very small. The electrical properties of the resistors can be increased by the additional incorporation of amorphous carbon into the material Hard material basis can be influenced.

Vorteilhafterweise lassen sich die erfindungsgemäßen Widerstandsschichten aus Materialien auf Hartstoffbasis, im Gegensatz zu den oben erwähnten Karbid-Eohlenstoff-Schichten-, leicht kontaktieren.The resistance layers according to the invention can advantageously be used made of materials based on hard material, in contrast to the carbide-carbon layers mentioned above, contact easily.

Weitere Einzelheiten er Erfind;ung gehen aus der Beschreibung und den Figuren bevorzugter Ausführungsteispiele der Erfindung und ihrer Weiterbildungen hervor.Further details of the invention can be found in the description and the figures of preferred exemplary embodiments of the invention and their developments emerged.

Figur 1 zeigt in schematischer Darstellung einen erfindungsgemäßen elektrischen Widerstand.Figure 1 shows a schematic representation of an inventive electrical resistance.

Figur 2 zeigt in schematischer Darstellung eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung.FIG. 2 shows a schematic representation of a cathode sputtering device.

Figur 3 zeigt in schematischer Darstellung eine Vorrichtung zur Elektronenstrahlverdamp fung.FIG. 3 shows a schematic representation of a device for electron beam evaporation fung.

Die Figuren 4 und 5 zeigen in schematischer Darstellung den Temperaturko-effizienten des elektrischen Widerstandes und den spezifischen Widerstand einer erfindungsgemäßen Widerstandsschicht in Abhängigkeit von der Zersetzungstemperatur, wobei die-Widerstandsschicht durch thermische Zersetzung von Nickel- und Vanadiumacetyl lacetonal bzw. von Nickel-und Chromacetylacetonal hergestellt ist.Figures 4 and 5 show the temperature coefficient in a schematic representation the electrical resistance and the specific resistance of an inventive Resistive layer depending on the decomposition temperature, the resistive layer by thermal decomposition of nickel and vanadium acetyl lacetonal or of nickel and Chromium acetylacetonal is made.

Figur 1 zeigt einenerfindungsgemäßen-elektrischen Widerstand aus einer Schicht 1 aus einem Material auf Hartstoffbasis, das auf einem Substrat 2 aufgebracht ist. Erfindungsgemäß besteht dieses Material aus einem Karbid und einem metallischen Bindemittel. Als Karbid wird erfindungsgemäß Vanadiumkarbid, Chromkarbid, Wolframkarbid oder Tantalkarbid, als metallisches Bindemittel Nickel oder Kobalt angegeben. v Vorzugsweise wird der erfindungsgemäße'Widerstand als verstellbarer Widerstand mit gleitendem Abgriff 3 ausgestaltet.Figure 1 shows an inventive electrical resistor from a Layer 1 made of a material based on hard material, which is applied to a substrate 2 is. According to the invention, this material consists of a carbide and a metallic one Binder. According to the invention, the carbide used is vanadium carbide, chromium carbide, tungsten carbide or tantalum carbide, given as metallic binder nickel or cobalt. v The resistor according to the invention is preferably used as an adjustable resistor sliding tap 3 designed.

Im folgenden werden bevorzugte Verfahren - zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Widerstandes beschrieben.The following are preferred methods - for making one according to the invention Resistance described.

Bei einem ersten Verfahren werden die Ausgangsstoffe, das Karbid und das metallische Bindemittel, aus denen das Material auf Hartstoffbasis besteht, durch Eathodenzerstäubung zerstäubt und auf das Substrat 5 aufgebracht (Fig. 2). Als Plasmagas wird zur Kathodenzerstäubung vorzugsweise Argon verwendet.In a first process, the starting materials, the carbide and the metallic binder that makes up the hard material based material, atomized by atomization and applied to the substrate 5 (FIG. 2). Argon is preferably used as the plasma gas for cathode sputtering.

Der Druck in der Zerstäubungskammer 6 während der Kathodenzerstäubung beträgt vorzugsweise etwa 10 2Torr. Zwischen dem Target 4 und dem Substrat 5, auf das das Targetmaterial (Karbid und metallisches Bindemittel) aufgebracht werden soll, liegt eine Gleichspannung von etwa 5 kV.The pressure in the sputtering chamber 6 during cathode sputtering is preferably about 10 2 torr. Between the target 4 and the substrate 5 that the target material (carbide and metallic binder) are applied should, there is a DC voltage of about 5 kV.

Die Kathodenzerstäubung kann auch mit fremderregten Plasmen erfolgen. Hierbei wird das Plasma beispielsweise durch eine Spule erzeugt, die an einer Wechselspannung liegt. Im Fall des fremd erregten Plasmas liegt zwischen dem Target und dem Substrat eine Gleichspannung von etwa 500 V. Der Druck in der Zerstäubungskammer beträgt vorzugsweise etwa 7.10 4 Torr, als Plasmagas dient vorzugsweise Argon.Cathode sputtering can also be carried out with externally excited plasmas. Here, the plasma is generated, for example, by a coil connected to an alternating voltage lies. In the case of the externally excited plasma lies between the target and the substrate a DC voltage of about 500 V. The pressure in the atomization chamber is preferably about 7.10 4 Torr, the plasma gas is preferably argon.

Die Ausgangsmaterialien Nickel oder Kobalt und Vanadiumiarbid, Chromkarbid, Wolframkarbid oder Tantalkarbid können auch von einer Kathode aus, auf der sie sich gemeinsam als Target befinden durch Kathodenzerstäubung zerstäubt werden.The starting materials nickel or cobalt and vanadium arbide, chromium carbide, Tungsten carbide or tantalum carbide can also be made from a cathode on which they are located together as a target are sputtered by cathode sputtering.

Das Material auf Hartstoffbasis kann auch durch ein Kathodenzerstäubungsverfahren hergestellt werden, bei dem als Ausgangsstoffe Nickel oer Kobalt als metallisches Bindemittel und Vanadium, Chrom, Wolfram oder Tantal dienen. Vorzugsweise wird das metallische Bindemittel Nickel oder Kobalt auf einer Kathode und Vanadium, Tantal, Wolfram oder Chrom auf einer weiteren Kathode angeordnet. Der Druck während der Kathodenzerstäubung beträgt vorzugsweise 10 4 bis 10 2 Torr. Als Plasamgas dient vorzugsweise Argon. Die Kathodenzerstäubung erfolgt in Anwesenheit eines Gases, vorzugsweise in Anwesenheit eines Kohlenwasserstoffs.The hard material-based material can also be produced by a cathodic sputtering process are produced using nickel or cobalt as the metallic raw material Binders and vanadium, chromium, tungsten or tantalum are used. Preferably that will metallic binders nickel or cobalt on a cathode and vanadium, tantalum, Tungsten or chromium arranged on a further cathode. The pressure during the Cathodic sputtering is preferably 10 4 to 10 2 Torr. Serves as plasma gas preferably argon. The cathode sputtering takes place in the presence of a gas, preferably in the presence of a hydrocarbon.

Als Gas kann jedoch auch Kohlenmonoxid verwendet werden. Bei der Zerstäubung reagiert das Vanadium, Chrom, Wolfram oder Tantal mit dem Gas. Dabei entstehen Vanadiumkarbid ? Chromkarbid, lSolframkarbid oder Tanatalkarbid. Auf den Substrat entsteht eine Schicht, die aus dem metallischen Bindemittel und einem Karbid besteht.However, carbon monoxide can also be used as the gas. When atomizing the vanadium, chromium, tungsten or tantalum reacts with the gas. Vanadium carbide is formed in the process ? Chromium carbide, solfram carbide or tanatal carbide. A is created on the substrate Layer consisting of the metallic binder and a carbide.

Bei einem weiteren Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Widerstandes werden die Ausgangsstoffe im Vakuum durch * Elektronenstrahlverdampfung verdampft und auf dem Substrat 5 niedergeschlagen. Vorzugsweise wird Vanadiumkarbid, Chromkarbid, Wolframkarbid oder Tantalkarbid in einem Verdampfertiegel 7 und das Bindemittel in einem weiteren Verdampfertiegel 8 angeordnet. Durch ein magnetisches Feld wird der Elektronenstrahl 9 während des Aufdampfvorgangs von einem Verdampfertiegel zum anderen gelenkt, so daß das Karbid und das Bindemittel abwechselnd aufeinander folgend verdampft werden. Die jeweiligen Verdampfungsraten des Bindemittels und des Karbids ergeben sich aus der Verweilzeit des Elektronenstrahls auf der Oberfläche des in dem jeweiligen Verdampertiegels befindlichen Materials.In a further method for producing one according to the invention Resistance are the starting materials in a vacuum by * electron beam evaporation evaporated and deposited on the substrate 5. Vanadium carbide is preferred, Chromium carbide, tungsten carbide or tantalum carbide in an evaporator crucible 7 and that Binder arranged in a further evaporator crucible 8. By a magnetic The electron beam 9 becomes field during the vapor deposition process from an evaporator crucible steered to the other, so that the carbide and the binder alternate on each other subsequently be evaporated. The respective evaporation rates of the binder and of the carbide result from the dwell time of the electron beam on the surface of the material in the respective evaporator crucible.

Die Ausgangsst-offe, das Karbid und das Bindemittel können auch von einem Verdampfertiegel aus verdampft werden. Dabei empfiehlt es sich, daß sich in dem Verdampfertiegel eine Mischung der granulatförmigen Ausgangsstoffe befindet. Die Aufdampfratv wird in diesem Fall durch das Mischungsverhältnis des Karbid und des Bindemlttels bestimmt.The starting materials, the carbide and the binding agent can also be from be evaporated from an evaporator crucible. It is recommended that in the evaporator crucible is a mixture of the granular starting materials. The vapor deposition rate is determined in this case by the mixing ratio of the carbide and of the binding agent.

Ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines erf-indungsgemäßen Widerstandes mit einer Widerstandsschicht aus einem Material auf Martstoffbasis besteht in der thermischen Zersetzung vonAcetylacetonaten in einer Wasserstoffatmosphäre, einer Asmoniakatmosphäre oder einer Atmosphäre aus Wasserstoff und Argon. Als Ausgangsstoff, aus dem während *(Fig. -- 3) der thermischen Zersetzung das Bindemittel entsteht, wird'' Nickel, Eisen, Kobalt-oder Kupfer-Acetylacetonat angegeben.Another method for producing a resistor according to the invention with a resistive layer made of a material based on Martstoff thermal decomposition of acetylacetonates in a hydrogen atmosphere, a Asmonia atmosphere or an atmosphere of hydrogen and argon. As a starting material, from the during * (Fig. - 3) thermal decomposition, the binder arises, is given '' nickel, iron, cobalt or copper acetylacetonate.

Als Ausgangsstoff, aus dem während der thermischen Zersetzung das Karbid entsteht, wird Chrom-Acetylacetonat oder Vanadium-Acetylacetonat verwendet. Aus Vanadium-Acetylacetonat können während der thermischen Sersetzung die Karbide der Form VC oder V2C entstehen, aus Chrom-Acetylacetonat die Carbide Cr7C3, Cr2C oder Cr23C6. Bei der gleichzeitigen thermischen Zersetzung von Nickel-, Eisen-, Eobalt- oder Eupfer-Acetylacetonat und Chrom oder Vanadium-Acetylacetonat entsteht bei einer Substrattemperatur von etwa 5000C bis 8000C auf der Oberfläche des vorgesehenen Substrates die aus den metallischen Bindemittel und dem Karbid bestehende Schicht auf Hartstoffbasis. Bei der thermischen Zersetzung befinden sich-die Ausgangsstoffe, das Nickel-, Eisen-, Kobalt- oder Kupfer-Acetylacetonat in einem und das Chrom- oder Vanadium-Acetylacetonat in einem weiteren Vorratsgefäß, beispielsweise in einem Keramikschiffchen. Das Schiffchen wird vorzugsweise indirekt auf eine Temperatur von 1500C bis 2000C beheizt.As the starting material from which the If carbide is formed, chromium acetylacetonate or vanadium acetylacetonate is used. Carbides can be produced from vanadium acetylacetonate during thermal decomposition of the form VC or V2C arise, from chromium acetylacetonate the carbides Cr7C3, Cr2C or Cr23C6. With the simultaneous thermal decomposition of nickel, iron, Eobalt or Eupfer acetylacetonate and chromium or vanadium acetylacetonate are produced at a substrate temperature of about 5000C to 8000C on the surface of the intended Substrates the layer consisting of the metallic binder and the carbide based on hard material. During thermal decomposition there are - the starting materials, the nickel, iron, cobalt or copper acetylacetonate in one and the chromium or vanadium acetylacetonate in another storage vessel, for example in one Ceramic boat. The boat is preferably indirectly heated to a temperature heated from 1500C to 2000C.

In den Figuren 4 bzw 5 sind die Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes und die spezifischen Widerstände in Abhängigkeit von der Zersetzungstemperatur dargestellt.In Figures 4 and 5, the temperature coefficients of the electrical Resistance and the specific resistances as a function of the decomposition temperature shown.

Die Widerstandsschichten sind durch thermische Zersetzung von Acetylacetonaten hergestellt. Das Mischungsverhältnis von Nickel- und Vanadiumacetylacetonat (Fig. 1) bzw. von Nickel-und Chromacetylacetonat betrug 1:1. Wie aus den Figuren ersichtlich ist, läßt sich in Abhängigkeit von der Zersetzurgstemperatur ein vorgegebener Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes und ein vorgegebener spezifischer Widerstand erreichen.The resistive layers are due to thermal decomposition of acetylacetonates manufactured. The mixing ratio of nickel and vanadium acetylacetonate (Fig. 1) or of nickel and chromium acetylacetonate was 1: 1. As can be seen from the figures is, a given temperature coefficient can be determined as a function of the decomposition temperature of the electrical resistance and a given specific resistance.

Durch Variation des Mischungsverhältnisses kann die Steigung der Geraden und somit die AbhängigRei-t des Temperäturkoeifl"ienten des elektrischen Widerstande$ und-des spezifIschen Widerstandes von der Zersetsungstemperatur beeinflußt werden.By varying the mixing ratio, the slope of the straight line and thus the dependence of the temperature coefficient of the electrical resistance $ and the specific resistance are influenced by the decomposition temperature.

Ein Vorteil der oben genannten Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Widerstandes mit einer Schicht aus einem Ihlaterial auf Hartstoffbasis besteht darin, daß sich nach ihnen sehr dünne Schichten, beispielsweise mit einer Dicke kleiner als.l0-nm, herstellen lassen. Es ist somit möglich, extrem dünne Schichten herzustellen, die auf Grund der geringen Kristallitgröße des abgeschiedenen Materials auf Hartstoffbasis des erfindungsgemäßen Widerstandes dicht und zusammenhängend sind.An advantage of the above methods for making one according to the invention Resistance with a layer of a hard material based Ihlmaterial consists in that after them there are very thin layers, for example with a thickness smaller als.l0-nm, can be produced. It is thus possible to produce extremely thin layers, due to the small crystallite size of the deposited material based on hard materials of the resistor according to the invention are dense and coherent.

Da die Schicht des erfindungsgemäßen Widerstandes auch bei einer Dicke von 5 nm zusammenhängend ist, ist der Rauschfaktor kleiner und die Konstanz größer als bei Kohleschichtwiderständen entsprechender Dicke, da diese Kohleschichten bereits Inselstruktur aufweisen.Since the layer of the resistor according to the invention also with a thickness of 5 nm is contiguous, the noise factor is smaller and the constancy is greater than with carbon film resistors of a corresponding thickness, since these carbon layers are already Have island structure.

Durch die Änderung des Mengenverhältnisses von metallischem Bindemittel zu Karbid können die elektrischen Eigenschaften, der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes und der spezifische Widerstand der Schicht eines erfindungsgemäßen Widerstandes beeinflußt werden. So wird beispielsweise der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes bei einem größeren Anteil von Karbid negativer. Dies beruht auf den besonderen gefügemäßigen Eigenschaften des Karbid (Kristallitgröße 5 nm).By changing the proportion of the metallic binder to carbide can have the electrical properties, the temperature coefficient of the electrical Resistance and the specific resistance of the layer of an inventive Resistance can be influenced. For example, the temperature coefficient the electrical resistance with a larger proportion of carbide is more negative. this is based on the special structural properties of the carbide (crystallite size 5 nm).

Zur Einstellung eines vorgegebenen hohen spezifischen Widerstandswertes bzw. eines sehr kleinen positiven oder negativen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes (+50ppm/Grad) kann den Materialien auf Hartstoffbasis auch Kohlenstoff oder ein Metall-Oxid in definierter Menge beigegeben werden.For setting a specified high specific resistance value or a very small positive or negative temperature coefficient of the electrical Resistance (+ 50ppm / degree) the hard material based materials can also be carbon or a metal oxide can be added in a defined amount.

12 Patentansprüche 5 Figuren12 claims 5 figures

Claims (12)

P a t e n t a n s p r ü c h e ) Elektrischer Widerstand, dadurch g e k e n n z e i c h n e t daß auf einem Substrat (2? eine Schicht (1) aus einem Material auf Hartstoffbasis aufgebracht ist. P a t e n t a n s p r ü c h e) Electrical resistance, thereby it is not indicated that on a substrate (2? a layer (1) of a Material based on hard material is applied. 2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i G hn e t , daß das Material aus einem Karbid und einem metallischem Bindemittel besteht. 2. Resistor according to claim 1, characterized in that it g e k e n n z e i G hn e t that the material consists of a carbide and a metallic binder. 3. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch g e k e n n z e 1 c h -n e t , daß als metallisches Bindemittel Nickel oder Kobalt vorgesehen ist.3. Resistor according to claim 2, characterized in that g e k e n n z e 1 c h -n e t that nickel or cobalt is provided as the metallic binder. 4. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß als Karbid Vanadiumkarbid, Chromkarbid, Wolframkarbid oder Tantalkarbid vorgesehen ist. 4. Resistor according to claim 2, characterized in that g e k e n n z e i c h -n e t that the carbide is vanadium carbide, chromium carbide, tungsten carbide or tantalum carbide is provided. 5. Verfahren zur Herstellung eines Widerstandes nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch g e k e n n z e i c h ne t daß das Karbid und das Bindemittel von wenigstens einer Kathode (4) aus durch Kathodenzerstäubung zerstäubt werden und auf das Substrat aufgebracht werden (Fig. 2). 5. A method for producing a resistor according to any one of the claims 1 to 4, noting that the carbide and the binding agent of at least one cathode (4) is sputtered out by cathode sputtering and be applied to the substrate (Fig. 2). 6. Verfahren zur erstellung eines Widerstandes nach einem der Anspürche 1 bis 4, dadurch g e k e n n z e i c h n e t daß das Bindemittel und Vanadium, Chrom, Wolfram oder Tantal von wenigstens einer Kathode aus in Anwesenheit eines Gases durch Eathodenzerstäubung-zerstäubt werden, wobei Vanadium, Chrom, Wolfram oder Tantal reaktiv zerstäubt werden und wobei dabei aus Vanadium, Chrom, Wolfram oder Tantal die entsprechenden Carbide entstehen, und daß cias Bindemittel und das Karbid auf das Substrat aufgebracht werden. 6. Procedure for creating a resistance according to one of the claims 1 to 4, noting that the binder and vanadium, chromium, Tungsten or tantalum from at least one cathode in the presence of a gas Eathode-atomized, being vanadium, chromium, or tungsten Tantalum can be atomized reactively and being made of vanadium, chromium, or tungsten Tantalum creates the corresponding carbides, and that cias binders and the carbide be applied to the substrate. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t daß als Gas ein Kohlenwasserstoff verwendet wird. 7. The method according to claim 6, characterized in that g e k e n n z e i c h n e t that a hydrocarbon is used as the gas. 8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, daß als Gas Ttohlenmonoxid verwendet wird. 8. The method according to claim 6, characterized in that g e k e n n z e i c h n e t, that carbon monoxide is used as the gas. 9. Verfahren zur Herstellung eine Widerstandes nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch g e k e n n z e i c h n e t daß das Karbid und das Bindemittel von wenigstens einem Verdampfertiegel (7, 8) aus durch Elektronenstrahlverdampfung verdampft und auf das Substrat (5) niedergeschlagen werden. 9. A method for producing a resistor according to any one of the claims 1 to 4, noting that the carbide and the binding agent from at least one evaporator crucible (7, 8) by electron beam evaporation evaporated and deposited on the substrate (5). 10. Verfahren zur Herstellung eins Widerstandes nach einem der Anspruche 1 bis 4, dadurch g e k e n n Z e i c h n e t daß das Acetylacetonat eines der Elemente Nickel, Eisen, Kobalt-oder Kupfer und das Acetylacetonat eines der Elemente Chrom oder~Vanadius in einer Ammoniakatmosphäre, einer Wasselstoffatmosphäre oder einer Atmosphäre aus Wasserstoff und Argon thermisch zersetzt und auf der Oberfläche des vorgesehenen Substrates bei einer Oberflächentemperatur von etwa 4000 bis 8000C aufgebracht werden.10. A method for producing a resistor according to one of the claims 1 to 4, in that the acetylacetonate is one of the elements Nickel, iron, cobalt or copper and the acetylacetonate one of the elements chromium or ~ Vanadius in an ammonia atmosphere, a water atmosphere, or a The atmosphere of hydrogen and argon is thermally decomposed and on the surface of the provided substrate at a surface temperature of about 4000 to 8000C be applied. 11. Verfahren nach Anspruch 10,'dadurch g e k e n n z e i c h n e t, daß die Kristallitgröße des Bindemittels und des Karbid in Abhängigkeit von der Zersetzungstemperatur zwischen etwa 2 nm und 10 nm variiert wird.11. The method according to claim 10, 'thereby g e k e n n z e i c h n e t that the crystallite size of the binder and the carbide depending on the Decomposition temperature is varied between about 2 nm and 10 nm. 12. Anwendung eines elektrischen Widerstandes nach einem der Ansprüche 1 bis 4, als Drehpotentiometer oder Schiebewiderstand.12. Use of an electrical resistor according to one of the claims 1 to 4, as a rotary potentiometer or slide resistor.