DE2146198A1 - Photoresistverfahren - Google Patents

Photoresistverfahren

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DE2146198A1
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Christian Bent Lundsager
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WR Grace and Co
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Description

  • Photoresistverfahren Als Photoresiste werden lichtempfIndliche Stoffe bezeichnet, die dazu dienen können, Bilder auf festen Substraten, beispielsweise aus Metall, Holz, keramischen Materialien, Glas, Kunststoff, Kunstharzen, Textilien, Leder oder synthetischem bzw natürlichem Kautschuk selektIv zu reproduzieren.
  • Derartige Photoresiste werden aus normalerweise weichen oder flüssigen Zusammensetzungen hergestellt, lassen 52 eh jedoch durch Belichtung mit einer geeigneten Strahlung, z.B. mit ultraviolettem Licht, zu einem Feststoff härten oder polymerisieren.
  • Eine derartige Zusammensetzung wird als "photohärtbar" bc-zeichnet. Im allgemeinen wird eine sehr dünne Schicht der Photoresistzusammensetzung auf den Träger aufgebracht und entweder direkt unter Verwendung einer "punktförmigen" Strahlungsquelle oder durch eine Matrize oder ein photographisches Negativ oder Positiv mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. ultraviolettem Licht, bildmäßig belichtet. Nach der bildmäßigen Belichtung wird der nichtgehärtete bzw. nichtpolymerisierte Photoresist in den bildfreien Bereichen entfernt, wodurch in diesen Bereichen das feste Substrat freigelegt wird Anschließend läßt sich das Substrat unter Verwendung von Lösungsmitteln für das Substrat, welche den photogehärteten oder photopolyrnerisierten Photoresist nicht lösen, anätzen. Für Substrate mit Metalloberflächen sind wässrige Säuren oder Basen meist geeignete ätzmittel.
  • Gegenstand der Erfindung ist demgemäß einmal ein Photoreslstverfahren zur Erzeugung eines Bildes in einem Metall, welches da durch gekennzeichnet ist, daß man A) einen Sandwich bildet bestehend aus einem Substrat mit einer Metalloberfläche, auf die eine Schicht aus einer photoh#rtbaren Masse in im wesentlichen gleichmäßiger Schichtsturke aufgebracht und durch eine direkt anliegende Folie bedeckt ist, welche an der Masse im gehärteten Zustand haftet und welche für die im nachfolgenden Schritt C) Anwendung finden, freie Radikale erzeugende Strahlung durchlässIg ist, wobei die photohärtbare Masse 1) ein Polyen mit mindestens zwei reaktionsfähigen ungesättigten Kohlenstoff/Kohlenstoffbindungen je Molekül und 2) ein Polythiol mit mindestens zwei Thiolresten je Molekül enthält, wobei die Gesamtfunktionalität a) der reaktionsfähigen ungesättigen Kohlenstoff/Kohlenstoffbindungen je Molekül Im Polyen und b) der Thiolreste je Molekül im Polythiol größer als 4 ist, B) die photohärtbare Masse bildmäßig durch die transparente FolIe hindurch mit einer freie Radikale erzeugenden Strahlung belichtet und dadurch die belichteten Bereiche der Masse selektiv härtet, C) die transparente Folie zusammen mit im wesentlichen der gesamten ausgehärteten Masse abzieht und dadurch das unter der gehärteten Masse liegende Metall freilegt, D) die auf dem Metall zurückbleibende Masse durch direkte Belichtung mit einer freie Radikale erzeugenden Strahlung härtet, und E) die freigelegten Bereiche des Metalls bis zu der gewünschten Tiefe ätzt.
  • Die bildmäßige Belichtung, welche geeigneterweise durch ein bildtragendes Diapositiv oder eine Maske erfolgt, führt zu einer selektiven Härtung bestimmter Bereiche der Polyen/Polythiolmasse. Die Polyen/Polythiolmasse wird photogehärtet; dieses Produkt kann als "unlöslich gemacht" beschrieben werden, da es Lösungsmittel gibt, in denen es unlöslich ist und In denen sich die nichtbelichtete Masse löst. Im allgemeinen handelt es sich bei dem photogehärteten Produkt um einen harten Feststoff, von dem angenommen wird, daß er ein vernetzter Polythioäther ist.
  • Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist der in Schritt A) des Verfahrens gebildete Sandwich als Element zur Durchführung des erfindungsgemäßen Photoresistverfahrens.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren macht von dem neuen Gedanken Gebrauch, eine Polyen/Polythiolmasse als Photoresistmaterial zu verwenden und die belichteten (photogehärteten) Bereiche der Masse durch Abschälen zu entfernen. Für das Entfernen der Masse durch Abschälen dient eine transparente Folie, d.h. eine Folie, welche für die spezielle verwendete freie Radikale erzeugende Strahlung durchlässig ist und welchetin inniger Berührung mit der photohärtbaren Polyen/Polythiolmasse auf dieser Schicht liegt.
  • Die Folie besteht aus einem Material, an dem die gehärtete Masse haftet, z.B. aus Polyäthylenterephthalat mit einer Vinylharzbeschichtung, so daß sich die transparente Folie nach der Belichtung zusammen mit im wesentlichen der gesamten gehärteten Masse von der restlichen Struktur abziehen läßt.
  • Die Schichtstärke der nichtgehärteten Masse in den unbelichteten Bereichen kann während dieses Schrittes, beispielsweise um etwa die Hälfte, zurückgehen, wenn auch nichtgehärtete Masse an der transparenten Folie kleben bleibt und mit ihr entfernt wird. Ein von nichtgehärteter Masse gebildetes Bild bleibt auf dem Metall zurück. Dieses wird anschließend gehärtet, so daß das Metall an den freigelegten Bereichen geätzt werden kann, während es in den durch die Masse bedeckten Bereichen unverändert bleibt.
  • Es wurde gefunden, daß die oben näher definierte Polyen/Polythiolzusammensetzung hervorragende Eigenschaften besitzt, welche sie für die Verwendung als Photoresistmasse besonders geeignet macht: 1. Sie haftet bei Photohärtung oder Photopolymerisation oder beiden fest und leicht an dem Substrat, 2. sie wird von dem Ätzmittel für das Substrat nicht angegriffen und 3. sie läßt sich mit einem Lösungsmittel leicht entfernen, welches oI-. #cschtltzten Bereiche nicht angreift.
  • Eine Möglichkeit für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens soll im folgenden zur Erläuterung anhand der beiliegenden Zeichnungen näher beschrieben werden; es zeigen: Fig. 1 - eine perspektivische Ansicht einer laminierten, mit Metall bedeckten Platte zur Herstellung einer gedruckten Schaltung, Fig. 2 bis 7 - verschiedene Schnitte durch die Platte der Fig. 1.
  • Gemäß Fig. 1 ist eine Platte 10 vorgesehen, welche aus einer Deckschicht 11 aus Kupferfolie von 35,6/um Stärke auf einem 1,52 mm starken Substrat aus Kunststoff oder einem anderen elektrisch isolierenden Material besteht, wie es allgemein für die Erzeugung von gedruckten Schaltungen Verwendung findet.
  • Das Substrat 10 wird gewöhnlich vor der Verwendung als Photoresist mit einem schleifmittelhaltigen Reinigungsmittel geschrubbt und getrocknet.
  • Fig. 2 zeigt in einem Schnitt den in Schritt A) des erfindungsgemäßen Verfahrens gebildeten Sandwich mit der photohärtba.ren Resistmasse 13 und der transparenten Folie 14. Bei einer Möglichkeit zur Herstellung des Sandwich wird die photohärtbare Masse auf die Kupferfläche 11 aufgegossen, um die Schicht 13 zu erhalten. Überschüssige photohärtbare Masse kann man ablaufen lassen, indem man die Platte senkrecht hält oder indem man eine Rakel über die Platte zieht, um eine gleichmäßig starke Beschichtung zu erhalten. Anschließend findet elne für UV-Licht durchlässige dünne Folie 14 Verwendung, um die härtet bare Resistmasse 13 abzudecken, worauf die Masse für die Belichtung mit Uv-Strahlung fertig ist. Andererseits kann die Masse auch auf die UV-durchlässige Folie aufgebracht werden, welche anschließend auf die Metallfläche der Platte laminiert wird.
  • Fig. 3 zeigt den Sandwich, auf dessen Folie 14 unfttelbar eine Maske oder ein bildtragendes Diapositiv 15 aufliegt, welches ein photographisches Positiv oder eine elektrische Schaltung sein kann. Es ist nicht erforderlich, daß die bildtragende Maske oder das Diapositiv auf dem Sandwich auflIegt. Es ist beispielsweise auch möglich, ein Bild auf die Folie zu projizieren, durch welche die härtbare Resistmasse mit der freie Radikale erzeugenden Strahlung von einer geeigneten Quelle belichtet werden kann.
  • Die härtbare Resistmasse wird anschließend eine bestimmte Zeit lang, meist 2 Sekunden bis 5 Minuten lang oder noch länger, mit einer freie Radikale erzeugenden Strahlung, z.B. einer elektromagnetischen Strahlung, wie UV-Licht, entsprechend den Pfeilen 16 belichtet. Strahlung mit einer Wellenlänge von 2 000 bis 7 000 reicht normalerweise aus, um die belichtete Photoresistmasse zu härten und zu verfestigen. Nach der Belichtung wird das bildtragende Diapositiv entfernt und die für Uv-Licht durchlässige Folie abgezogen, wobei sie die gesamte belichtete gehärtete Photoresistmasse 17 und ungefähr die halbe Schicht der nicht gehärteten Masse 13 mitnimmt, welche an der Folie haftet. Die Haftung der gehärteten Masse an der Metallfläche ist schwächer als die Kohäsionskräfte in der ausgehärteten Masse und schwächer als die Haftung der gehärteten Masse an der UV-durchlässlgen Folie. Aus diesem Grund haftet die gehärtete Masse leicht und vollständig an der abgezogenen transparenten Folie.
  • Fig. 5 zeigt, wie die auf der Metallschicht des Substrats zurückbleibende härtbare Masse direkt mit einer freie Radikale erzeugenden Strahlung, z.B. mit Uv-Licht wiederum entsprechend den Pfeilen 16 belichtet wird, um eine gehärtete feste Photoresistmasse an den zuvor nicht belichteten Bereichen der Kupferfolie 11 zu erzeugen. Belichtungszeiten und Strahlung von ungefähr der gleichen Wellenlänge wie für den Verfahrensschritt der Fig. 3 finden in diesem Stadium Anwendung. Die Platte ist nunmehr für die ätzung fertig; auf der Kupferoberfläche befindet sich das Bild der elektrischen Schaltung, welches aus einen überzug von trockener photogehärteter Masse 17 besteht. Die übrige, von dem Resistbild nichtbedeckte Fläche ist blankes Kupfer.
  • Nach der Belichtung wird das mit dem Photoresist bedeckte Substrat in ein Kupferätzmittel gelegt, um, wie in Fig. 6 gezeigt, die freiliegenden Bereiche des Metalls wegzuätzen. Derartige Ätzmittel sind allgemein bekannt, beispielsweise läßt sich Kupfer durch ein geeignetes saures iltzmittel, z.B. eine Eisen(III)-chloridlösung entfernen. Das Substrat kann in eine Sprühätzvorrichtung gebracht werden, wie sie allgemein üblich ist und in welcher eine Eisen(III)-chloridlösung auf die Oberfläche aufgesprüht wird. Die Konzentration der Eisen(III)-chloridlösung, welche üblicherweise in spezifischer Dichte angegeben wird, kann bei 380 Baumé liegen. Innerhalb einiger Minuten ist das blanke ungeschützte Kupfer des Substrats vollständig weggeätzt. Das Substrat wird anschließend entfernt und gründlIch gespült, um alle Spuren Eisen(III)-chloridlösung zu entfernen, sowie schließlich getrocknet.
  • Die Fig. 7 zeigt das Substrat nach Behandlung mit eine. Lösungsmittel wie Chloroform oder Toluol zur Entfernung der photogehärteten Masse, wodurch die blanke Kupferfläche der Schaltung freigelegt wird. Die fertige Platte mit der Kupferschaltung kann nochmals mit heißem Wasser gespült und dann getrocknet werden.
  • Das Entfernen der photogehärteten Masse ist nIcht erforderlich, da es unter Umständen auch als Schutzschicht für die elektrische Schaltung dienen kann.
  • Das Polyen enthält mindestens zwei ungesättigte, nichtaromatische Kohlenstoff/Kohlenstoffbindungen, d.h. ÄthylFn- oder Acetylenbindungen. Die Anzahl dieser BIndungen je Molekül wird im folgenden als FunktionalItät des Polyens bezeichnet.
  • Das Polythiol enthält mindestens zwei Reste je Molekül, wobei die Anzahl dieser Reste je Molekül als die Funktionalität des Polythiols bezeichnet wird. Bnisplelsweise hat ein Trien eine Funktionalität von 3. Wenn Polyen und Polythiol beide eine Funktionalität von 2 haben, so beträgt die Summe der Funktionalitäten 4, und durch die Härtungsreaktion wird ein im wesentlichen linearer Polythioäther erzeugt. Wenn Jedoch die Summe der Funktionalitäten größer als 4 ist, so erfolgt während der Härtung eine Vernetzung, wobei ein dreidimensionales Netzwerk von Querverbindungen im Folythloäthermolekül erzeugt wird. Der vernetzte Polythloäther hat im allgemeinen eine größere Lösungsmittelbeständigkeit, Wärmebeständigkeit und Festigkeit gegenüber Deformation. unter Belastung als der lineare Polythioäther. Demzufolge soll die Summe der Funktionalitäten größer als 4 sein.
  • Im allgemeinen haben die Polyene ein Molekulargewicht von 50 bis 20 000 und eine Viskosität von 0 bis 20 Millionen cP bei 700C; sie haben die allgemeine Formel lAJ fx)mv wobei X ein Rest R-C=C- oder ist und m mindestens den Wert von 2 hat, die Reste R jeweils unabhängig voneInander ein Wasserstoff- oder ein Halogenatom, ein Aryl-, ein substituierter Aryl-, ein Cycloalkyl-, ein substituierter Cycloalkyl-, ein Aralkyl-, ein substituierter Aralkyl-, ein Alkyl-oder ein substitulerter Alkylrest mit 1 bis 16 Kohlenstoffatomen sind und A ein mehrwertiger organischer Rest Ist. A kann cyclische Reste oder kleinere Mengen Heteroatome, wie N, S, P oder 0 enthalten, enthält jedoch gewöhnlich in erster Linie Kohlenstoff/Kohlenstoff-, Kohlenstoff/Sauerstoff- oder Silicium/Sauerstoff-Bindungen ohne ungesättigte Kohlenstoff/ Kohlenstoff-Bindungen. Mit ungesättigten reaktiven Kohlenstoff/ Kohlenstoff-Bindungen werden Bindungen bezeichnet, die mit den -SH-Resten des Polythiols reagieren können. Praktisch betrifft dies nichtaromatische, d.h. äthylenische oder acetylenische Doppelbindungen, die an einer radikalischen Polymerisation teilnehmen können.
  • Die nichtaromatischen ungesättigten Kohlenstoff/Kohlenstoff-Bindungen können im endständigen Bereich einer verzweigten Kette auftreten; sie können endständig sein oder nahe des endständigen Bereiches liegen, d.h. nicht mehr als 16 Kohlenstoffatome entfernt von dem-Ende der Hauptkette im Molekül, und es können zwei oder mehrere derartige ungesättigte Bindungen je Molekül vorhanden sein. Beispielsweise ist ein Dien eine Polyenverbindung, die zwei nichtaromatische Kohlenstoff/Kohlenstoff-Doppelblndungen je Molekül besitzt. Polyene mit Kombinationen nichtaromatischer Doppelbindungen und Dreifachbindungen innerhalb des gleichen Moleküls sind ebenfalls möglich, wie beispielsweise Monovinylacetylen. Der Kürze halber werden alle diese Verbindungen im folgenden als Polyene bezeichnet.
  • Eine Gruppe der für die vorliegende Erfindung geeigneten Polyene ist in der deutschen Patentanmeldung P 17 20 856.9 beschrieben. Bei diesen Verbindungen hat der Rest A (1) eine reaktive ungesättigte Kohlenstoff/Kohlenstoff-Bindung und (2) keine ungesättigten Reste in Konjugation mit den reaktiven ungesättigten Kohlenstoff/Kohlenstoff-Bindungen im Rest X.
  • Allyl-endständige Verbindungen, die mindestens zwei -CO-NH-Bindungen enthalten, werden als Polyene bevorzugt. Polyene dieser Art sind ebenfalls in der deutschen Patentschrift P 18 02 559.7 beschrieben.
  • Die zweite Gruppe der bei der vorliegenden Erfindung verwendbaren Polyene sind ungesättigte Polymere, bei denen die Doppelbindung oder Dreifachbindung in erster Linie in der Hauptkette des Moleküls auftritt. Beispiele sind unter anderem konventionelle Elastomere, die sich in erster Linie von den üblichen Dienmonomeren ableiten, wie Polylsopren, Polybutadien, Styrol/Butadien-Kautschuk, Isobutylen/Isopren-Kautschuk, Polychloropren, Styrol/Butadien/Acrylnitrilkautschuk und dergleichen, sowie ungesättigte Polyester, Polyamide und Polyurethane, die sich von Monomeren ableiten, die eine reaktive ungesättigte Doppelbindung enthalten, wie beispielsweise AdipInsäure/B#tendiol, 1,6-HexandiaminiFumarsäure und 2,4-Tolylendiisocyanat/Butendiol-Kondensationspolymerisate.
  • Eine dritte Gruppe von Polyenen für die vorliegende Erfindung sind Verbindungen, bei denen die reaktionsfähige ungesättigte Kohlenstoff/Kohlenstoff-Bindung in Konjugation mit benachbarten ungesättigten Resten vorliegt, wie sie beispielsweise in der deutschen Patentschrift P 19 51 485.3 beschrieben sind.
  • Eine weitere Gruppe von Polyenen, die für die vorliegende Erfindung geeignet sind, sind Verbindungen, die (a) das Reaktionsprodukt von (1) einem organischen Epoxid mit mindestens zwei Resten mit (2) Hydrazin, einem prImären oder sekundären Amin oder einem Salz eines tertiären Amins, einem organischen Alkohol oder Thioalkohol oder einer organischen Säure sind, wobei der Reaktionsteilnehmer (2) mindestens eine nichtaromatische ungesättigte Gruppe enthält, oder (b) das Reaktionsprodukt aus (3) einem organischen Epoxid mit mindestens einem nichtaromatischen ungesättigten Rest mit (4) Hydrazin oder einer organischen Verbindung sind, wobei letztere mindestens zwei Reste enthält, die ein Wasserstoffatom haben, das mit einem Epoxyrest des Reaktionsteilnehmers (3) zu reagieren vermag und die folgende Formel haben: Polyene dieser Art sind in der deutschen Patentanmeldung P 20 09 620.2 beschrieben. Ein besonders bevorzugtes derartiges Polyen ist das Reaktionsprodukt des Dlglycidyläthers des Bisphenol A mit Allylamin oder Diallylamin in einem Molverhältnis von 1:2.
  • Die gemäß Erfindung verwendeten Polyene haben im allgemeinen eine Viskosität von 0 bis 20 Millionen cP bei 700C. Hierzu gehören auch Polyene, die mit einem inerten Lösungsmittel, als wässrige Dispersion oder mit einem Weichmacher derartige Viskositäten zeigen. Die Molekulargewichte der Polyene liegen gewöhnlich in einem Bereich von 50 bis 20 000 und vorzugswelse zwischen 500 und 10 000.
  • Die Polythiole sind einfache oder komplexe organische Verbindungen mit durchschnittlich zwei oder mehr verzweigten oder endständigen -SH-Hesten je Molekül. Sie haben gewöhnlich eine Viskosität von 0 bis 20 Millionen cP bei 700C, gemessen mit einem Brookfield-Viskosimeter; hierzu gehören auch Verbindungen, die mit einem inerten Lösungsmittel, als wässrige Dispersion oder mit einem Weichmacher innerhalb dieses Bereiches liegen. Gewöhnlich liegt das Molekulargewicht zwischen 50 und 20 000 und vorzugsweise zwischen 100 und 10 000. Geeignete Polythiole sind in der Patentanmeldung P 17 20 856.9 beschrieben. Beispiele der insbesondere wegen des geringen Geruchs bevorzugten Polythiole sind Ester der Thioglykolsäure (HS-CHSCOOH), O--Mercaptopropionsäure (HS-CH(CH3)-COQH) und ß-Mercaptopropionsäure (HS-CH2CH2COOH) mit Polyoxyverbindungen, wie Glykolen, Triolen, Tetraolen, Pentaolen oder Hexolen. Typische Beispiele bevorzugter Polythiole sind A"thylenglykol-bis(thioglykolat), #thylenglykol-bis(ß-mercaptopropIonat), Trimethylolpropantris(thioglykolat), Trimethylolpropan-tris(ß-mercaptopropionat), Pentaerythritoltetrakis-(thioglykolat), Pentaerythrltoltetrakis-(ß-mercaptoproplonat), Polypropylenglykol-bis(ß-mercaptopropionat>-und Tris-(hydroxyäthyl)-Isocyanurat-tris(ß-mercaptopropionat).
  • Polymere Polythiole enthalten thiol-endständige Athylcyclohexyldimercaptanpolymere, jedoch sind diese weniger bevorzugt.
  • Mit Funktionalität wird die durchschnittliche Anzahl der nicht aromatischen, ungesättigten Reste und der Thiolreste je Molekül im Polyen bzw. Polythiol bezeichnet. Die Funktionalität des Polyens bzw. Polythiols wird gewöhnlich in ganzen Zahlen ausgedrückt, wenngleich praktisch die tatsächliche Funktionaiiw tät ein Bruchteil sein kann. Beispielsweise kann ein Polyen mit einer nominalen Funktionalität von 2 tatsächlich eine effektive Funktionalität von etwas weniger als 2 besitzen. Bei einer angenommenen Synthese eines Diens aus einem Glykol, bei der die Reaktion 100 %ig abläuft, ist die Funktionalität bei 100 %ig reinen Ausgangsprodukten theoretisch 2,0. Wenn die Reaktion jedoch nur zu 90 % abläuft, haben etwa 10 % der vorhandenen Moleküle nur eine Doppelbindung, und es können weiterhin noch Spuren von Verbindungen ohne funktionelle Reste vorhanden sein.
  • Da etwa 90 % der Moleküle die gewilnschte Dienstrukur haben, hat das Produkt als Ganzes dann eine tatsächliche Funktionalität von 1,9. Ein derartiges Produkt ist ebenfalls für das erfindungsgemäße Verfahren geeignet und wird im folgenden als ein solches mit einer Funktionalität von 2 bezeichnet.
  • Die erwähnten Polyene und Polythiole können gegebenenfalls auch in situ gebildet und dennoch bei dem erfindungsgeäßen Verfahren schnell gehärtet werden.
  • Die Polyen/Polythiolmischungen können gegebenenfalls noch weitere Zusätze enthalten, wie Antloxydantien, Beschleuniger, Farbstoffe, Inhibitoren, Aktivatoren, Füllstoffe, Pigmente, antistatische Zusätze, flammverhindernde Zusätze, Verdickungsmittel, thixotrope Zusätze, oberflächenaktive Stoffe, Viskositätsrnodifikatoren, Strecköle, Weichmacher und Mittel zur Erhöhung der Klebrigkeit. Die Zusätze sollen gegenüber freie Radikale erzeugender Strahlung im wesentlichen nicht undurchlässig sein. Derartige Zusätze werden gewöhnlich vor oder während der Vermischung des Polyens mit dem Polythiol diesen Verbindungen vorher zugesetzt. Geeignete Füllstoffe sind in der deutschen Patentanmeldung P 17 20 856.9 beschrieben. Es werden gewöhnlich bis zu 500 Gewichtsteile an Zusätzen je 100 Gewichtsteile der Polyen/Polythiolmischung verwendet, und zwar vorzugsweise 0,005 bis 300 Gewichtsteile.
  • Die Mischung enthält gewöhnlich mindestens 2 Ges.% eines Polyens und mindestens 2 Ges.% eines Polythiols. Das Gewichtsverhältnis dieser beiden Komponenten kann zwischen 49:1 und 1:49 schwanken. Die Mischungen sind bei den entsprechenden Tempert turen gewöhnlich flüssIg oder fließfähig. Viele Produkte sind bei Raumtemperatur fließfähig. Das Verarbeiten und Herstellen der Komponenten der photohärtbaren Mischungen kann, wie in den oben erwähnten älteren Anmeldungen beschrieben, erfolgen.
  • Die bevorzugte Strahlung zur Durchführung der Härtung ist wegen der Einfachheit, Wirtschaftlichkeit und bequemen Handhabung eine elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von etwa 2 000 bis 4000 i. Bei Verwendung von sichtbarem oder ultraviolettem Licht ist es gewöhnlich erforderlich, eine photohärtbare Mischung zu verwenden, die einen Härtungsbeschleuniger enthält, wie beispielsweise einen Photoanreger, im allgemeinen in einer Menge von 0,0005 bis 50 Gew.%, bezogen auf die Gesamtmenge an Polyen und Polythiol. Geeignete Beschleuniger sind in der Patentanmeldung P 21 00 031.7 sowie in den anderen oben erwähnten .nmeldungen beschrieben.
  • Zur Auslösung der Härtungsreaktion kann auch eine andere Strahlung als sichtbares Licht oder Uv-Licht angewendet werden, wobei Beschleuniger in diesem Falle gewöhnlich nicht erforderlich sind. Es bestehen jedoch keine Bedenken, einen entsprechenden Beschleuniger vorzusehen, der bei der betreffenden Strahlung eine Härtungsreaktion auslöst. Andere geeignete Strahlungsarten sind bildmäßig ausgerichtete Bündel onisierender Strahlung, vorzugsweise energlereiche Teilchenstrahlung, Gammastrahlen oder Röntgenstrahlen. Beispiele fkir Teilchenstrahlung sind positive Ionenstrahlen, wie be-spielsweise Protonen, Alpha-Teilchen und Deuteronen, sowie Elektronen und Neutronen. Die geladenen Teilchen können eine entsprechende Beschleunigung erhalten, wie beispielsweise mit einem Van de Graaff-Generator, einem Cyclotron, einem Cockroft Walton-Beschleuniger, einem Resonanzkavitätsbeschleuniger, einem Betatron, einem G.E.-Resonanztransformator oder einem Synchrotron. Darüber hinaus kann auch eine Teilchenstrahlung von Kathcdenröhren, von radioaktiven Isotopen oder von einem Atommeiler verwendet werden. Gammastrahlen oder Röntgenstrahlen können von Radioisotopen, beispielsweise von Kobalt 60 oder durch Teilt chenbombardierung aus einer geeigneten Quelle erhalten werden.
  • Die Dosierung für die Bestrahlung liegt normalerweise zwischen 0,0001 und 25 Megarad/sec. Die Dosierung kann bei der ionisierenden Bestrahlung in erheblichem Rahmen schwanken, und zwar von 1 Megarad oder weniger bis zu 10 Megarad oder mehr bei Elektronen, vorzugsweIse 0,02 bis 5 Megarad. Bei Gammastrahlen oder Röntgenstrahlen kann man mit 0,0001 bis 5,0 Megarad arbeiten. Die Bestrahlung erfolgt gewöhnlicherweise unter Raumtemperatur, kann aber auch bei Temperaturen unterhalb Zimmertemperatur bis zu solchen Temperaturen erfolgen, bei denen die Unterlage sich zu zersetzen beginnt.
  • Bei Verwendung einer ionisierenden Strahlung hängt die Penetrationstiefe von der Dichte des zu durchdrIngenden Materials ab. Wenn ionisierende Strahlung in Form von Elektronen verwendet wird, werden gewöhnlich 20 bis 500 KeV mit einem Filter oder einer Maske mit einer Dicke entsprechend 500 /um bis 2,5 mm eines Materials von Einheitsdichte angewendet. Das Filter oder die Maske kann aus Aluminium von 175 bis 875 /um Stärke oder aus Kupfer oder rostfreiem Stahl von 50 bis 375 /um oder einer großeren Dicke oder auch einem anderen metallischen, nichtmetallischen oder organischen bahnförmlgen Material bestehen, welches sich leicht herstellen läßt. Röntgenstrahlen sind für diese Anwendung nicht so geeignet, doch können Röntgenstrahlen niedriger Energie im Bereich von 500 bis 20 000 Elektronenvolt ebenfalls Anwendung finden.
  • Herstellung der Polyene Beispiel 1 1 Mol Diglycidyläther des Bisphenols A mit einem Molekulargewicht im Bereich von 370 bis 384 (~Epon 828 der Shell) und 2 Mol Diallylamin wurden bei 25 0C in ein Becherglas gegeben. Die exotherme Reaktion wurde 18 Stunden lang unter Rühren durchgeführt, wobei die Reaktionstemperatur unter 800C gehalten wurde. Das so gebildete allyl-endständige flüssige Präpolymere wird im folgenden als Präpolymerisat A bezeichnet.
  • Beispiel 2 1 Mol flüssiges polymeres Diisocyanat ("Adiprene L 100 von Du Pont) wurde in einen Harzkocher gegeben, der mit einem Rückflußkühler, einem Rührer, einem Thermometer und einer Gaseinleitung bzw. -ableitung versehen war. Ferner wurden 4 g Dibutylzinndilaurat als Katalysator zugegeben. 2 Mol Allylalkohol wurden langsam zugesetzt, wobei wegen der exothermen Reaktion die Temperatur unter 800C gehalten wurde. Nach Zugabe des Allylalkohols wurde die Reaktion noch 15 Stunden lang bei 700C unter Stickstoff weitergeführt. Das so gebildete allyl-endständige flüssige Präpolyrnere wird im folgenden als Präpolymerisat B bezeichnet.
  • Beispiel 3 1 Mol handelsübliches Tolylendiisocyanat wurde in einen Kessel gemäß Beispiel 2 gegeben; anschließend wurden 2 Mol Diallyläther des Trimethylpropans langsam zugesetzt. Nach beendeter Zugabe wurden ätzt g Dibutylzinndilaurat als Katalysator zugegeben und die Reaktion wurde 30 Minuten lang bei 700C unter Stickstoff fortgeführt. Das so gebildete allyl-endständige flüssige Präpolymere wird im folgenden als Präpolymerisat C bezeichnet.
  • Beispiel 4 1 Mol handelsübliches Polyäthylenglykol mit einem Molekulargewicht von 1450 und einer spezifischen Dichte von 1,21 g/Cì§3 wurde unter Stickstoff in ein Gefäß gemäß Beispiel 2 gegeben.
  • Es wurden 2,9 g Dibutylzinndilaurat als Yatalysator zusammen mit 2 Mol Tolylen-2,4-diisocyanat und 2 Mol Allylalkohol in den Kessel gegeben. Die Reaktion wurde unter Rühren 2 Stunden lang bei 600C durchgeführt. Anschließend wurde 2 Stunden lang unter einem Vakuum von 1 mm/Hg bei 600C der überschüssige Alkohol entfernt. Dieses CH2=Cii-endständige Präpolymere hatte ein Molekulargewicht von etwa 1950 und wird im folgenden als Präpolymerisat D bezeichnet.
  • Beispiel 5 2,0 Mol Trimethylolpropandiallyläther und 0,2 g Dibutylzlnndilaurat als Katalysator wurden in einen Harzkocher gegeben, welcher unter einer Stickstoffatmosphäre stand und mit einem Rührer, einem Thermometer einem Tropftrichter sowie einer Gaseinleitung und -ableitung versehen war. 1,0 Mol Tolylendiisocyanat wurden langsam unter Rühren zugegeben, wobei die Reaktionstemperatur mit Hilfe eines Wasserbades für den Kolben auf 700C gehalten wurde. Nach der Zugabe des Tolylendilsocanats wurde die Umsetzung noch 1 Stunde lang bei 700C fortgesetzt, bis der NCO-Gehalt praktisch bei Null lag. Das auf diese Weise erhaltene allyl-endständige flüssige Präpolymere wird im folgenden als Präpolymerisat E bezeichnet.
  • Beispiel 6 In einen auf i erhitzten 1-Liter-Vierhalskolben wurden 808 g eines Polyesterdiols mit einem Molekulargewicht von 3232 ("RC Polyester S 101-35 der R.C. Division der Hooker Chemical Cord.) und 0,1 ml Dibutylzinndilaurat gegeben. Der Kolben wurde 1 Stunde lang bei dieser Temperatur unter Vakuum belassen. Anschließend wurde er auf etwa 500C abgekühlt, worauf unter Durchleiten von Stickstoff eine Mischung von 10 g Allylalkohol und 60 g Tolylen-2,4-diisocyanat mit mäßiger Geschwindigkeit durch einen Tropftrichter zugegeben wurde. Man ließ die Reaktion 15 Minuten fortschreiten. Wegen der exothermen Reaktion wurde eine Höchsttemperatur von 900C erreicht. Das erhaltene polymere Produkt war bei Zimmertemperatur fest, jedoch bei 700C flüssig; es hatte ein durchschnittliches Molekulargewicht von etwa 10 500, eine Viskosität von 270 000 cP bei 700C und wird im folgenden als Präpolymerisat F bezeichnet.
  • Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen Beispiel 7 1 Mol Präpolymerisat E gemäß Beispiel 5 wurde mit 1 Mol Penta erythritoltetrakis-(ß-mercaptopropionat) ("Q 43" der Carlisle Chemical Company) und 1,8 g Benzophenon zu einer photohärtbaren Masse vermischt. Das Gemisch wurde in gleichmäßiger Schichtdicke von 25 /um auf die Kupferfläche einer Schaltungsplatte aufgebracht, welche aus einer 50 /um dicken Kupferschicht auf einer 50'um dicken Polyäthylenterephthalatfolie (~1Mylar" der Firma E.I. Du Pont) bestand. Die photohärtbare Masse wurde mit einer ebenfalls handelsüblichen 100 um starken vinylbeschiéhteten Polyäthylenterephthalatfolie bedeckt. Ein bildtragendes Diapositiv mit einer gedruckten Schaltung wurde über der Deckfolie angebracht und die photohärtbare Masse wurde durch das Diapositiv und die Deckfolie mit einer 275 Watt RS Tageslichtlampe 30 Sekunden lang belichtet, wobei die Belichtungsintensität an der Oberfläche 4 000 Mikrowatt/cm2 betrug. Die wesentlichen Spektrallinien der verwendeten Lampe lagen alle oberhalb 3 000 i. Eine derartige Belichtung führte zu einer Härtung und Verfestigung der photohärtbaren Masse in den belichteten Bereichen und zu einer Haftung der gehärteten Masse an der Deckfolie. Anschließend wurde das bildtragende Diapositiv entfernt. Die Deckfolie wurde von dem Substrat abgezogen und verworfen, wobei nur etwa die halbe Schichtdicke an den nichtbelichteten Bereichen der photohärtbaren Masse auf der Kupferfläche zurückblieb, jedoch die gehärtete photohärtbare Masse vollständig entfernt wurde, so daß an den belichteten Stellen die Kupferfläche freigelegt wurde. Die zurückbleibende nichtgehärtete, unbelichtete photohärtbare Masse auf der Kupferfläche wurde nunmehr direkt mit der 275 Watt RS Tageslichtlampe 30 Sekunden lang mit einer Strahlungsdichte von 4 000 Mikrowatt/cm2 belichtet, um die photohärtbare Masse zu einem Photoresist zu härten und zu verfestigen. Das so erhaltene mit einem Photoresist bedeckte Substrat wurde anschließend mit einer Eisen(III)-chloridlösung (380 Baume) in einer Sprühätzvorrichtung besprüht, bis die freiliegenden, nicht geschützten Kupferbereiche vom Substrat weggeätzt waren. Das Substrat wurde nunmehr in Chloroform eingelegt, um die gehärtete Resistmasse aufquellen zu lassen, worauf sie sich durch Reiben mit einem Tuch leicht entfernen ließ, so daß die gewünschte gedruckte Schaltung aus Kupfer auf der Mylar-Folle zurückblieb.
  • Beispiel 8 Beispiel 7 wurde wiederholt, wobei jedoch 1 Mol des Präpolymerisats D und 0,5 Mol "Q-43" mit Benzophenon vermischt wurden, um die photohärtbare Masse zu erhalten. Die Ergebnisse waren praktisch die gleichen.
  • Beispiel 9 Beispiel 7 wurde unter Verwendung von 1 Mol Präpolymerisat A und 1,0 Mol 1'Q#i#3#1 sowie Benzophenon wiederholt. Die Ergebnisse waren im wesentlichen die gleichen.
  • Beispiel 10 Beispiel 7 wurde wiederholt, wobei jedoch 1 Mol Präpolymerlsat F und 0,5 Mol "Q-43' mit Benzophenon zu einer photohärtbaren idasse umgesetzt wurden. Auch hier waren die Ergebnisse im wesentlichen die gleichen.
  • Beispiel 11 Beispiel 7 wurde wiederholt unter Verwendung von 1,5 Mol Präpolymerisat C und 2,0 Mol Tris-(hydroxyäthyl)isocyanurat-tris-(ß-mercaptopropionat) der folgenden Strukturformel sowie Benzophenon als photohärtbare Masse. Die erhaltenen Ergebnisse waren im wesentlichen die gleichen.
  • Beispiel 12 Beispiel 7 wurde wiederholt, wobei für die photohärtbare Masse 1,5 Mol Präpolymerisat A, 2 Mol Trimethylolpropano tris-(ß-mercaptopropionat) und 1,5 g Dibenzosuberon Verwendung fanden. Die Ergebnisse waren im wesentlichen die gleichen.
  • Beispiel 13 Beispiel 7 wurde wiederholt, wobei 1 Mol Präpolymerisat 3 und 0,5 Mol flQ#43fl mit Benzophenon zu der photohärtbaren Zusammensetzung zusammengegeben wurden. Die Ergebnisse waren im wesentlichen dle gleichen.
  • Beispiel 14 Beispiel 7 wurde wiederholt, wobei 1 Mol Präpolymerisat C und 1 Mol ~Q-43" mit Benzophenon die photohärtbare Zusammensetzung ergaben. Die Ergebnisse waren im wesentlichen die gleichen.
  • Chemisches Durchätzen Beispiel 15 Eine 25 um dicke Schicht der photohärtbaren Masse des Beispiels 7 wurde in gleichmäßiger Schichtdicke auf eine 0,15 mm starke Aluminiumfolie aufgetragen. Eine 100 /um dIcke durchsichtige vinylbeschichtete Polyäthylenterephthalatfolie wurde auf die photohärtbare Schicht aufgebracht, so daß ein Laminat entstand.
  • Die Deckfolie des Sandwich wurde mit einem photographischen Linienbild in Form eines Diapositivs bedeckt und die photohärtbare Masse wurde durch das Diapositiv und die Deckfolie mit einer 275 Watt RS Tageslichtlampe mit einer Strahlungsdichte im Bereich der Masse von 4 000 Mikrowatt/cm2 1 Minute lang belichtet. Alle wesentlichen Spektrallinien der verwendeten Lampe lagen über 3 000 i. Nach Entfernen des Diapositivs wurde die Deckfolie mit der gesamten belichteten durchgehärteten photohärtbaren Masse und ungefähr der Hälfte der Schichtdicke der nichtgehärteten unbelichteten photohärtbaren Masse abgezogen und verworfen. Die zurückbleibende nichtgehärtete unbelichtete photohärtbare Masse auf der Aluminiumfolie wurde direkt 30 Sekunden lang mit der 275 Watt RS Tageslichtlampe mit einer Dichte von 4 000 Mikrowatt/cm2 an der Oberfläche der photohärtbaren Masse belichtet, um diese zu härten und zu verfestigen, so daß sie an der Aluminiumfolie als Photoresist haftete. Anschließend wurde die Aluminiumfolie von der den Photoresist tragenden Seite her mit einer 1:1-Mischung aus konzentrierter Salzsäure und Wasser bei Zimmertemperatur behandelt. Nach 2 Minuten war die gesamte freiliegende 41uminlumfolie chemisch durchgeätzt.
  • Beispiel 16 Beispiel 15 wurde wiederholt, wobei jedoch die Beschichtung, Belichtung und Entwicklung in der beschriebenen Weise auf beiden Seiten der Aluminiumfolie durchgeführt wurden, so daß zwei identische Bilder an beiden Seiten übereinanderlagen.
  • In diesem Fall wurde die chemische Durchätzung durch Eintauchen der Metallfolie in ein Bad der Ätzmittellösung erreicht. Das freiliegende Aluminium wurde in 1 Stunde durchgeätzt.
  • Das folgende Beispiel beschreibt die Verwendung des photohärtbaren Photoresiste für den Lichtdruck.
  • Beispiel 17 Eine übliche 1,6 mm dicke Zinkplatte wurde mit einem Tuch abgewischt, welches vorher in eine Benzollösung eines photohärtbaren Photoresisten eingetaucht worden war, welcher im wesentlichen aus 1 Mol des Präpolymerisats A gemäß Beispiel 1, 1 Mol Pentaerythritoltetrakis-(ß-mercaptoproplonat) und 1,8 g Dibenzosuberon bestand. Das Benzol verdampfte und die zurückbleibende Masse wurde mit einer handelsüblichen 100 /um dicken vinylbeschichteten Polyäthylenterephthalatfolie als Deckfolie beschichtet. Ein bildtragendes Diapositiv wurde auf dle Deckfolie aufgelegt und die photohärtbare Masse wurde durch das Diapositiv und die Deckfolie hindurch mit einer 275 Watt RS Tageslichtlampe 1 Minute lang mit einer Oberflächendichte von 4 000 Mikrowatt/cm2 belichtet. Die wesentlichen Spektrallinien dieser Lampe lagen alle oberhalb 3 000 R. Nach Abnehmen des Diapositivs wurde die Deckfolie mit der gesamten belichteten gehärteten photohärtbaren Masse und ungefähr der Hälfte der Schichtdicke der ungehärteten nichtbelichteten photohärtbaren Masse abgezogen. Die zurückbleibende nichtgehärtete unbelichtete photohärtbare Masse auf der Zinkplatte wurde nunmehr direkt 30 Sekunden lang mit der 275 Watt RS Tageslichtlampe mit einer Oberflächendichte von 4 000 Mikrowatt/cm2 an der Oberfläche der photohärtbaren Masse belichtet, um die Masse zu härten und zu verfestigen, welche an der Zinkplatte als Photoresist haftete. Die Platte wurde in eine übliche pulverfreie Atzvorrichtung gebracht, in der die ätzung mit einem salpeter säurehaltigen ätzmittel durchgeführt wurde, bis die Relieftiefe 0,8 mm betrug. Die Lichtdruckplatte ergab bei Verwendung in einer üblichen Letterndruckmaschine Abdrucke von guter Qualität.
  • Beispiel 18 Beispiel 7 wurde wiederholt, wobei jedoch eine 400 /um starke Maske aus rostfreiem Stahl als Bild diente und für die beizen Härtungsschritte anstelle der Belichtung mit einer Uv-Tageslichtlampe die Masse mit einer Geschwindigkeit von 46,7 cm/ Minute unter dem Strahl eines 300 KeV Kerntransforniators (High Voltage Engineering) hindurchgeführt. Der Transformator wurde so eingestellt, daß ein Strahlstrom von 95 Mikroampere erhalten wurde, während die Masse unter dem 30,5 cm Austrittsfenster in einer Entfernung von 5,1 cm vorbeigeführt wurde.
  • Eine elektrische Kupferschaltung auf einer Mylar-Grundlage wurde mit Hilfe dieses Verfahrens erhalten.
  • Beim chemischen Fräsen bzw. Ätzen können Metallstärken im Bereich von etwa 12,5 bis 500 /um leicht innerhalb von Toleranzen von - 5 bis 125 /um erreicht werden, abhängig von der Art und der Stärke des Metalls. Selbst noch größere Metalldicken lassen sich wegätzen, wobei jedoch ein entsprechender Anstieg der Toleranzen (meist 0,25 bis 0,5 der gesamten Metallstärke) in Kauf genommen werden muß. Es gibt viele verschiedene Metalle, welche sich mit Hilfe des erfindungsgeinäßen Verfahrens ätzen lassen, insbesondere Aluminium, Aluminiumlegierungen, Messing, Kupfer, Kohlenstoff-Stahl, verschiedene rostfreie Stahlsorten, Werkzeugstahl, Magnesium, Nickel und Silber.
  • Die Stärke der photohärtbaren Photoresistschicht hängt von der angestrebten photographischen Auflösung ab, d.h. für Bilder, welche eine hohe Auflösung nötig machen, beispielsweise zur Auflösung von Linien und Zwischenräumen bis zu 5 /um Abstand, sollten Photoresistschichten von etwa 0,4 um Stärke Anwendung finden. Für eine geringere Auflösung lassen sich auch dickere Photoresistschichten anwenden. Eine Schichtdicke für den photohärtbaren Photoresisten im Bereich von 0,4 bis 125 1um ist im allgemeinen besonders geeignet.

Claims (9)

  1. Patentansprüche
    W Photoresistverfahren zur Erzeugung eines Bildes in einem Metall, dadurch gekennzeichnet, daß man A) einen Sandwich bildet bestehend aus einen Substrat mit einer Metalloberfläche, auf die eine Schicht aus eIner photohärtbaren Masse in in wesentlichen gleichmäßiger Schicht stärke aufgebracht und durch eine direkt anliegende Folie bedeckt ist, welche an der Masse im gehärteten Zustand haftet und für die Im nachfolgenden Schritt C) Anwendung findende, freie Radikale erzeugende Strahlung durchlässig ist, wobei die photohärtbare Masse 1) ein Polyen mit mindestens zwei reaktionsfähigen~ ungesättigten Kohlenstoff/Kohlenstoffbindungen je Molekül und 2) ein Polythiol mit mindestens zwei Thiolresten je Molekül enthält, wobei die Gesamt funkt ionalität a) der reaktionsfähigen ungesättigten Kohlenstoff/Kohlenstoffbindungen je Molekül im Polyen und b) der Thiolreste je Molekül in Polythiol größer als 4 ist, B) die photohärtbare Masse bildmäßig durch die transparente Folie hindurch mit einer freie Radikale erzeugenden Strahlung belichtet und dadurch die belichteten Bereiche der Masse selektiv härtet, C) die transparente Folie zusammen mit im wesentlichen der gesamten ausgehärteten Masse abzieht und dadurch das unter der gehärteten Masse liegende Metall freilegt, D) die auf dem Metall zurückbleibende Masse durch direkte Belichtung mit einer freie Radikale erzeugenden Strahlung härtet, und E) die freigelegten Bereiche des Metalls bis zu der gewünschten Tiefe ätzt.
  2. 2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man weiterhin im Anschluß an Schritt E)- die auf dem Metall zurtickgebliebene gehärtete Masse entfernt.
  3. 3. Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 oder 2 dadurch gekennzelchnet, daß das Metall aus einer Metallschicht besteht, welche sich zur Verwendung als gedruckte Schaltung auf einem elektrisch isolierenden Material eignet, wobei die bildrnäßlge Belichtung durch ein Layout für eine elektrische Schaltung erfolgt.
  4. 4. Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man als freie Radikale erzeugende Strahlung in Schritt B) eine elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von etwa 2 000 bis 7 000 2 verwendet.
  5. 5. Verfahren gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man die bildmäßige Belichtung in Schritt B) durch ein bildtragendes Diapositiv hindurch bewirkt.
  6. 6. Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeIchnet, daß man als freie Radikale erzeugende Strahlung in Schritt B) eine ionisierende Strahlung hoher Energie verwendet.
  7. 7. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man die Belichtung in Schritt B) durch eine bildtragende Maske bewirkt.
  8. 8. Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Masse verwendet, welche eInen Beschleun#ger für die Photohärtung enthält.
  9. 9. Sandwichelement zur Verwendung in einem Photoreslstverfahren, gekennzeichnet durch A) ein Substrat mit einer Metalloberfläche, auf die eine Schicht aus einer photohärtbaren Masse In im wesentlichen gleichmäßiger Schichtstärke aufgebracht ist, welche 1) ein Polyen mit mindestens zwei reaktionsfähigen ungesättigten Kohlenstoff/Kohlenstoffbindungen je Molekül und 2) ein Polythiol mit mindestens zwei Thiolresten je Molekül enthält, wobei die Gesamtfunktionalltät a) der reaktionsfähigen ungesättigten Kohlenstoff/Kohlenstoffbindungen je Molekül im Polyen und b) der Thiolreste je Molekül im clytriol größer als 4 ist und B) eine für freie Radikale erzeugende Strahlung durchlässige Folie, welche die Schicht aus photohärtbarer Masse in Berührung mit derselben bedeckt und welche an der Masse haftet, wenn letztere gehärtet ist.
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