DE2143031C3 - Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Kurzschlußfestigkeit von Schaltkreisen vom Typ der langsamen störsicheren Logik - Google Patents

Description

Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art erfin-

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung dungsgemäß vorgeschlagen, daß der ohmsche Widerzur Verbesserung der Kurzschlußfestigkeit von stand zwischen dem Verstärkerausgang und dem Schaltkreisen vom Typ der langsamen störsicheren 50 Emitter des zweiten Transistors einen Wert von min-Logik (LSL), deren Ausgangsichaltverstärker aus destens 250 0hm besitzt, so daß an ihm bei einem zwei Transistoren besteht, die je nach Ansteuerung Kurzschluß am Ausgang und bei leitendem zweiten des Ausgangsschialtverstärkers leitend oder gesperrt, Transistor ein solcher Spannungsabfall entsteht, daß aber verschieden voneinander betrieben werden und die Diode entgegen ihrer normalen Leitungsrichtung die den Verstärkerausgang je nach dem Schaltzu- 55 leitend wird und daß dadurch ihre Durchbruchsspanstiand niederohmig entweder mit dem Bezugspoten- nung den Strom durch den zweiten Transistor betial und damit mit dem einen Pol der Betriebsspan- grenzt.

rtungsquelle oder mit dem anderen Pol der Betriebs- Die Erfindung soll an Hand eines in der Zeichnung spannungsqueile verbinden, zu welchem Zweck der dargestellten Ausführungsbeispiels einer erfindungsge-Verstärkerausgang über eine Diode mit dem Kollek- 60 mäßen Schaltungsanordnung näher erläutert werden, tor eines ersten Transistors und über einen ohmschen Der Emitter eines Transistors 1 vom npn-Typ liegt Widerstand mit dem Emitter eines zweiten Transi- auf Bezugspotential. Die Basis ist über einen ohmstors vom gleichen Typ verbunden ist, der Kollektor sehen Widerstand 2 mit dem Bezugspotential Verbundes zweiten Transistors über einen ohmschen Wider- den. Der Kollektor liegt über einen ohmschen Widerstand, die Basis des zweiten Transistors und der KoI- 65 stand 3 am positiven Pol 4 einer Betriebsspannungslektor des ersten Transistors über einen gemeinsa- quelle. Außerdem ist die Basis mit der Klemme 11 men ohmschen Widerstand am anderen Pol der Be- eines Eingangs und der Kollektor über die Reihentriebsspannungsquelle liegen und der Emitter des er- schaltung einer Diode 5 und eines ohmschen Wider-

Standes 6 mit dem Emitter eines Transistors 7 vom npn-Typ verbunden. Der Verbindungspunkt der Diode 5 mit dem ohmschen Widerstand 6 liegt an der Klemme 8 des Eingangs und am Ausgang 9. Die Basis des Transistors 7 ist über den ohmschen Widerstands und der Kollektor über einen ohmschen Widerstand 10 mit dem Pol 4 der Beaiebsspannungsquelle verbunden. Die Diode 5 ist so gepolt, daß über sie mit den Emitter-Kollektor-Strecken der Transistoren 1 und 7 im leitenden Zustand ein durchgehender Leitungszug bestehen würde. Der ohmsche Widerstand 6 hat einen Wert von mindestens 2500hm.

Wenn durch Ansteuerung an den Klemmen 11 und 8 des Eingangs der Transistor 1 gesperrt und der Transistor? leitend ist, fließt der Ausgangsstrom über die ohmschen Widerstände 6 und 10 über die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 7. Falls nun am Ausgang 9 ein Kurzschluß auftritt, erzeugt der durch den ohmschen Widerstand 6 fließende Kurzschlußstrom einen solchen Spannungsabfall, daß die an der Diode 5 über ihre Verbindung mit der Basis des Transistors 7 entstehende Spannung deren Zenerspannung überschreitet und die Diodes entgegen ihrer normalen Leitungsrichtung leitend wird. Dadurch kann der Spannungsabfall am ohmschen Widerstand nicht weiter ansteigen. Der bis zu diesem Punkt am Ausgang 9 herrschende Spannungskonstantbetrieb geht in den Stromkonstantbetrieb über. Der Transistor 7 geht dabei vom gesättigten Zustand in den ungesättigten über. Dadurch wird der Gesamtwiderstand so vergrößert, daß die beim Kurzschlußfall mögliche Leistung auf einen Wert begrenzt wird, der durch die Dimensionierung der ohmschen Widerstände 6 und 10 bestimmt werden kann. Da dadurch der im Transistor 7 mögliche Leistungsverbrauch begrenzt werden kann, ist ein hinreichender Schutz für den Transistor 7 gewährleistet.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. ι ²

   a sten Transistors direkt und die Basis des ersten Tran-

   ;f Patentanspruch: sistors über einen ohmschen Widerstand mit dem Be-

   zugspotential in Verbindung stehen, wobei die Basis

   Schaltungsanordnung zur Verbesserung der des ersten Transistors und der Emitter des zweiten

   J Kurzschlußfestigkeit von Schaltkreisen vom Typ 5 Transistors zu einem Eingang für die Ansteuersignale

   der langsamen störsicheren Logik (LSL), deren führen.

   Ausgangsschaltverstärker aus zwei Transistoren Eine solche Schaltungsanordnung ist bekannt und

   J besteht, die je nach Ansteuerung des Ausgangs- beispielsweise in den deutschen Offenlegungsschrif-

   schaltverstärkers leitend oder gesperrt, aber ver- ten 1 901 887 und 1 762 963 beschrieben. Der in der

   ^; schieden voneinander betrieben werden und die io deutschen Offenlegungsschrift 1 901 887 gezeigte

   den Verstärkerausgang je nach dem Schaltzustand Schaltkreis vom Typ der langsamen störsicheren Lo-

   niederohmig entweder mit dem Bezugspotential gik (LSL) enthält einen Ausgangsschaltverstärker,

   und damit mit dem einen Pol der Betriebs- von dessen Schaltungsanordnung die vorliegende Er-

   spannungsquelle oder mit dem anderen Pol findung ausgeht. Die Funktion und die Dimensionie-

   dtr Betriebsspannungsquelle verbinden, zu wel- 15 rungsvorschriften eines solchen Ausgangsschaltver-

   chem Zweck der Verstärkerausgang über eine stärkers sind in der deutschen Offenlegungsschrift

   Diode mit dem Kollektor eines ersten Transistors 1 762 963 näher beschrieben.

   und über einen ohmschen Widerstand mit dem Je nach der Ansteuerung an der Basis des obenge-Emitter eines zweiten Transistors vom gleichen nannten ersten Transistors und am Emitter des Typ verbunden ist, der Kollektor des zweiten ao obengenannten zweiten Transistors ist der eine Tran-Transistors über einen ohmschen Widerstand, die sistor gesperrt und der andere leitend oder umgekehrt. Basis des zweiten Transistors und der Kollektor Der am Emitter des zweiten Transistors liegende des ersten Transistors über einen gemeinsamen ohmsche Widerstand ist als Maßnahme zur Unterohmschen Widerstand am anderen Pol der Be- drückung von Störschwingungen am Ausgang vorgetriebsspannungsquelle liegen und die Emitter des 25 sehen. Die Dimensionierung dieses ohmschen Widerersten Transistors direkt und die Basis des er- Standes hängt dabei von der Dimensionierung des sten Transistors über einen ohmschen Widerstand gesamten Ausgangsschaltverstärkers und von der mit dem Bezugspotential in Verbindung stehen, kapazitiven Komponente der Belastung am Ausgang wobei die Basis des ersten Transistors und der ab. Der Widerstandswert übersteigt dabei nicht Emitter des zweiten Transistors zu einem Eingang 30 150 Ohm (s. Seite 4 der DT-OS 1 762 963).
   für die Ansteuersignale führen, dadurch ge- Dieser am Emitter des zweiten Transistors und kennzeichnet, daß der ohmsche Widerstand der am Kollektor des zweiten Transistors liegende (6) zwischen dem Verstärkelausgang (9) und ohmsche Widerstand übernehmen gemeinsam den dem Emitter des zweiten Transistors (7) einen Schutz des zweiten Transistors für den Fall, daß er in Wert von mindestens 250 Ohm besitzt, so daß an 35 leitendem Zustand ist und am Ausgang ein Kurzihm bei einem Kurzschluß am Ausgang (9) und Schluß auftritt. Für den Maximalwert des einen ist bei leitendem zweiten Transistor (7) ein solcher allerdings die obengenannte Grenze und für beide zuSpannungsabfall entsteht, daß die Diode (5) ent- sammen eine obere Grenze dadurch gegeben, daß der gegen ihrer normalen Leitungsrichtung leitend statische Innenwiderstand des Ausgangsschaltverwird und daß dadurch ihre Durchbruchsspannung 40 stärkers möglichst klein sein soll. Die Kurzschlußden Strom durch den zweiten Transistor (7) be- festigkeit des Ausgangsschaltverstärkers ist damit grenzt. verhältnismäßig beschränkt.

   Demgegenüber liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, diese Kurzschlußfestigkeit zu er-

   45 höhen.