DE2132287A1 - Vidikonroehre - Google Patents

Vidikonroehre

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Publication number
DE2132287A1
DE2132287A1 DE19712132287 DE2132287A DE2132287A1 DE 2132287 A1 DE2132287 A1 DE 2132287A1 DE 19712132287 DE19712132287 DE 19712132287 DE 2132287 A DE2132287 A DE 2132287A DE 2132287 A1 DE2132287 A1 DE 2132287A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plate
amorphous semiconductor
semiconductor
vidicon tube
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712132287
Other languages
English (en)
Inventor
Julien Bok
Jacques Gremillet
Pierre Leclerc
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
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Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of DE2132287A1 publication Critical patent/DE2132287A1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39—Charge-storage screens
    • H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate

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Description

75 Paris 16eme, Frankreich
Vidikonröhre
Die Erfindung betrifft eine Fernsehaufnahmeröhre von Typ der Vidikonröhre, deren Signal platte eine n-dotierte Halbleiterplatte enthält.
Sie ist nach der Erfindung im wesentlichen dadurch gekennzeichnet, daß auf die dem Elektronenstrahlsystem der Vidikonrölire zugewandte Seite der Halbleiterplatte eine dünne Schicht aus amorphem Halbleitermaterial aufge bracht ist.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung beispieIshalber beschrieben.Darin zeigen :
Fig.1 eine schematische Schnittansicht einer nach der Erfindung ausgeführten Vidikonröhre und
Fig.2 die Bahn der verschiedenen Teilchen und die Verteilung der Raumladung beim Auftreffen eines Photons.
Die inlg.1 dargestellte Vidikonröhre enthält ein Elektronen-' Btrahlsystera 1, das einen Elektronenstrahl auf eine Signal platte 2 richtet. Diese Signal platte enthält eine Platte 3 aus
Lei/Ba
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_ 2 —
n-dotierem Halbleitermaterial.
Die Signalplatte empfängt auf ihrer einen Fläche ein Lichtbündel von einem.Objektiv 4. Die Signal platte ist in der Brennebene des Objektivs angeordnet. Dies hat zur Folge, daß sich das Bild· des abzutastenden Gegenstands auf der Signalplatte bildet.
Auf die dem Elektronenstrahlsystem zugewandete andere Seite der Signalplatte ist eine sehr dünne. Schicht 5 aus .eigenleitendem oder sehr schwach dotiertem amorphem Halbleitermaterial aufgebracht. Dieses verhält sich elektrostatisch wie ein Metall, d.h., daß die Raumladungsdichte darin groß sein kann.
Diese Halbleiterschicht ist so dünn und ihr spezifischer Widerstand ist so groß , daß der seitliche Widerstand f?ehr hoch ist. Mit anderen Worten bedeutet dies, daß elektrische Ladungen, die auf der Oberfläche der Schicht gespeichert sind, sich nicht seitlich bewegen» sondern sich nur in der Richtung parallel zu dem Elektronenstrahl bewegen können.
Eine .Spannungaquelle- 6 spannt die Halbleiterplatte 3 positiv in Bezug auf die Katode vor. Das Ausgangs signal Vc, wird an der Klemme eines Widerstands 8 abgenommen, der in Serie mit der Spannungsquelle 6 geschaltet ist.
Die Wirkungsweise wird an Hand von Fig.2 verständlich, wo die gleichen Teile mit den gleichen Bezugs ze ichen wie in Fig.1 versehen sind.
Der Aufbau kann mit einer Metall-Haibleiter-Sperrsfohicht verglichen werden. Wenn der amorph« Halbleiter negativ gegen den n-dotiertenilalbleiter vorgespannt ist, wird eine positive Raumladung in dem η-Gebiet in der Nähe dos
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Übergangs zwischen den beiden Halbleitern erzeugt.
Wenn die freie Fläche der Platte einem Photonenfluß geeigneter Wellenlänge ausgesetzt wird, erzeugt jedes Photon ein Elektron-Loch-Paar in der Nähe der Oberfläche der Platte. Das Loch diffundiert in das η-Gebiet, es wird in der Rauraladungszone 7 "beschleunigt und kommt in der Schicht 5 an. Es neutralisiert dann eine negative Elementarladung, die durch.den Elektronenbeschuß aufgebracht worden ist.
Da auf die Oberfläche der Platte ein Bild aufgebracht wird, ict der Photonenfluß an einem gegebenen Punkt umso stärker, je mehr dieser Punkt belichtet wird.
Dies hat zur Folge, daß an jedem entsprechenden Punkt des amorphen Halbleiters eine mehr oder weniger große Menge von negativen Ladungen gelöscht wird. Da der Widerstand der Platte 5 groß ist, speichert die snjorphe Schicht während, einer Ablenkzeit des Elektronenstrahls die Änderung der Dichte d.er negativen Ladungen. Die33 ist an einem gegebenen Punkt umso größer, je stärker der entsprechende Punkt der Signalplatte belichtet wird.
Der amorphe Halbleiter ist beispielsweise ein Chalkogenid (auf der Basis von Sauerstoff, Schwefel und Selen oder Tellur), oder er ist aus einer Mischung mit geeigneten Anteilen von Schwefel, Tellur, Germanium und Arsen gebildet.
Die Zusammensetzung ist so gewählt, daß die Mischung eine glasartige Form und geeignete elektrische Eigenschaften hat.
Die Dicke der Schicht liegt in der Größenordnung vcn 0,5 »in.
Patentansprüche
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Claims (3)

  1. Pa tentansprüohe
    Vidikonröhre , deren Signalplatte eine η-dotierte Halbleiterplatte enthält, dadurch gekennzeichnet, daß auf die dem Elektfonenstrahlsystem der Vidikonröhre zugewandte Seite der Halbleiterplatte eine dünne Schicht aus amorphem Halbleitermaterial aufgebracht ist, und daß an der Halbleiterplatte Anschlüsse zur Verbindung mit einer Gleichspannungsquelle vorgesehen sind, durch welche die Halbleiterplatte positiv in Bezug auf die amorphe Halbleiterschicht vorgespannt wird.
  2. 2. Vidikonröhre. nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Halbleitermaterial ein Ghalkogenid auf der Basis von Sauerstoff, Selen oder Tellur ist.
  3. 3. Vidikonröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Halbleitermaterial aus einer Mischung von Schwefel, Tellur, Germanium und Arsen gebildet ist.
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DE19712132287 1970-07-03 1971-06-29 Vidikonroehre Pending DE2132287A1 (de)

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NL (1) NL7108638A (de)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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FR2097370A5 (de) 1972-03-03
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