DE2132287A1 - Vidikonroehre - Google Patents
VidikonroehreInfo
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- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
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Description
75 Paris 16eme, Frankreich
Vidikonröhre
Die Erfindung betrifft eine Fernsehaufnahmeröhre von Typ der Vidikonröhre, deren Signal platte eine n-dotierte
Halbleiterplatte enthält.
Sie ist nach der Erfindung im wesentlichen dadurch gekennzeichnet, daß auf die dem Elektronenstrahlsystem
der Vidikonrölire zugewandte Seite der Halbleiterplatte
eine dünne Schicht aus amorphem Halbleitermaterial aufge bracht ist.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung beispieIshalber
beschrieben.Darin zeigen :
Fig.1 eine schematische Schnittansicht einer nach der Erfindung ausgeführten Vidikonröhre und
Fig.2 die Bahn der verschiedenen Teilchen und die Verteilung
der Raumladung beim Auftreffen eines Photons.
Die inlg.1 dargestellte Vidikonröhre enthält ein Elektronen-'
Btrahlsystera 1, das einen Elektronenstrahl auf eine Signal platte
2 richtet. Diese Signal platte enthält eine Platte 3 aus
Lei/Ba
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_ 2 —
n-dotierem Halbleitermaterial.
Die Signalplatte empfängt auf ihrer einen Fläche ein Lichtbündel
von einem.Objektiv 4. Die Signal platte ist in der
Brennebene des Objektivs angeordnet. Dies hat zur Folge, daß sich das Bild· des abzutastenden Gegenstands auf der
Signalplatte bildet.
Auf die dem Elektronenstrahlsystem zugewandete andere
Seite der Signalplatte ist eine sehr dünne. Schicht 5 aus .eigenleitendem oder sehr schwach dotiertem amorphem
Halbleitermaterial aufgebracht. Dieses verhält sich elektrostatisch wie ein Metall, d.h., daß die Raumladungsdichte darin groß sein kann.
Diese Halbleiterschicht ist so dünn und ihr spezifischer
Widerstand ist so groß , daß der seitliche Widerstand f?ehr
hoch ist. Mit anderen Worten bedeutet dies, daß elektrische
Ladungen, die auf der Oberfläche der Schicht gespeichert sind, sich nicht seitlich bewegen» sondern sich nur in
der Richtung parallel zu dem Elektronenstrahl bewegen können.
Eine .Spannungaquelle- 6 spannt die Halbleiterplatte 3
positiv in Bezug auf die Katode vor. Das Ausgangs signal Vc,
wird an der Klemme eines Widerstands 8 abgenommen, der in Serie mit der Spannungsquelle 6 geschaltet ist.
Die Wirkungsweise wird an Hand von Fig.2 verständlich,
wo die gleichen Teile mit den gleichen Bezugs ze ichen wie in Fig.1 versehen sind.
Der Aufbau kann mit einer Metall-Haibleiter-Sperrsfohicht
verglichen werden. Wenn der amorph« Halbleiter negativ gegen den n-dotiertenilalbleiter vorgespannt ist, wird
eine positive Raumladung in dem η-Gebiet in der Nähe dos
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Übergangs zwischen den beiden Halbleitern erzeugt.
Wenn die freie Fläche der Platte einem Photonenfluß geeigneter Wellenlänge ausgesetzt wird, erzeugt jedes
Photon ein Elektron-Loch-Paar in der Nähe der Oberfläche
der Platte. Das Loch diffundiert in das η-Gebiet, es wird in der Rauraladungszone 7 "beschleunigt und kommt
in der Schicht 5 an. Es neutralisiert dann eine negative Elementarladung, die durch.den Elektronenbeschuß aufgebracht
worden ist.
Da auf die Oberfläche der Platte ein Bild aufgebracht
wird, ict der Photonenfluß an einem gegebenen Punkt umso
stärker, je mehr dieser Punkt belichtet wird.
Dies hat zur Folge, daß an jedem entsprechenden Punkt des amorphen Halbleiters eine mehr oder weniger große
Menge von negativen Ladungen gelöscht wird. Da der Widerstand der Platte 5 groß ist, speichert die snjorphe
Schicht während, einer Ablenkzeit des Elektronenstrahls
die Änderung der Dichte d.er negativen Ladungen. Die33 ist
an einem gegebenen Punkt umso größer, je stärker der entsprechende Punkt der Signalplatte belichtet wird.
Der amorphe Halbleiter ist beispielsweise ein Chalkogenid
(auf der Basis von Sauerstoff, Schwefel und Selen oder Tellur), oder er ist aus einer Mischung mit geeigneten
Anteilen von Schwefel, Tellur, Germanium und Arsen gebildet.
Die Zusammensetzung ist so gewählt, daß die Mischung eine
glasartige Form und geeignete elektrische Eigenschaften hat.
Die Dicke der Schicht liegt in der Größenordnung vcn 0,5 »in.
Patentansprüche
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Claims (3)
- Pa tentansprüoheVidikonröhre , deren Signalplatte eine η-dotierte Halbleiterplatte enthält, dadurch gekennzeichnet, daß auf die dem Elektfonenstrahlsystem der Vidikonröhre zugewandte Seite der Halbleiterplatte eine dünne Schicht aus amorphem Halbleitermaterial aufgebracht ist, und daß an der Halbleiterplatte Anschlüsse zur Verbindung mit einer Gleichspannungsquelle vorgesehen sind, durch welche die Halbleiterplatte positiv in Bezug auf die amorphe Halbleiterschicht vorgespannt wird.
- 2. Vidikonröhre. nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Halbleitermaterial ein Ghalkogenid auf der Basis von Sauerstoff, Selen oder Tellur ist.
- 3. Vidikonröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Halbleitermaterial aus einer Mischung von Schwefel, Tellur, Germanium und Arsen gebildet ist.109Ö83/1194
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7024763A FR2097370A5 (de) | 1970-07-03 | 1970-07-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2132287A1 true DE2132287A1 (de) | 1972-01-13 |
Family
ID=9058239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712132287 Pending DE2132287A1 (de) | 1970-07-03 | 1971-06-29 | Vidikonroehre |
Country Status (4)
Country | Link |
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FR (1) | FR2097370A5 (de) |
GB (1) | GB1344350A (de) |
NL (1) | NL7108638A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086512A (en) * | 1973-10-27 | 1978-04-25 | U.S. Philips Corporation | Camera tube employing silicon-chalcogenide target with heterojunction |
Families Citing this family (2)
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NL7314804A (nl) * | 1973-10-27 | 1975-04-29 | Philips Nv | Opneembuis. |
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-
1970
- 1970-07-03 FR FR7024763A patent/FR2097370A5/fr not_active Expired
-
1971
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- 1971-06-29 DE DE19712132287 patent/DE2132287A1/de active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086512A (en) * | 1973-10-27 | 1978-04-25 | U.S. Philips Corporation | Camera tube employing silicon-chalcogenide target with heterojunction |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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GB1344350A (en) | 1974-01-23 |
FR2097370A5 (de) | 1972-03-03 |
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