DE2129909C2 - Kathodenstrahlspeicherröhre - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kathodenstrahlspeicherröhre gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Aus der US-PS 31 65 664 ist bereits eine solche Kathodenstrahlspeicherröhre mit einer ersten maschenförmigen Targetelektrode kleiner Kapazität und großer Schreibgeschwindigkeit (Halbtontarget) und einer vor einem getrennten Phosphorsichtschirm angeordneten zweiten maschenförmigen Targetelektrode hoher Kapazität und großer Speicherzeit (bistabiles Target) bekanntgeworden. Eine derartige Speicherröhre ist aufwendig und damit teuer, da ein maschenfcrmiges Speichertarget als bistabiles Target und ein getrennter Phosphorsichtschirm erforderlich ist. Da darüber hinaus die Maschen der beiden Speichertargets eng beieinander liegen und im wesentlichen die gleiche Größe haben, ergeben sich bei bestimmten Potentialen »verwässerte« Raster im Elektronenbild, welche zu einer Verzerrung der auf dem Phosphorsichtschirm erzeugten Anzeige führen können. Weiterhin werden bei dieser bekannten Kathodenstrahlspeicherröhre die von dem bistabilen Target emittierten Sekundärelektronen durch eine Kollektorelektrode aufgefangen, welche auf der anderen Seite des Halbtontargets angeordnet ist, so daß das Feld des Halbtontargets einen wirksamen Elektroneneinfang verhindern kann; dabei kann dann eine vierte Maschenelektrode (Kollektorelektrode) zwischen dem Halbtontarget und dem bistabilen Target erforderlich sein. Eine derartige zusätzliche Kollektor-Maschenelektrode stellt ebenfalls einen zusätzlichen Aufwand dar.

Es ist weiterhin aus der US-PS 32 93 473 eine bistabile Direktsichtspeicherröhre bekanntgeworden, welche ein Phosphor-Speicherdielektrikum besitzt, das auf einer lichtdurchlässigen leitenden Targetelektrode aufge-

bracht ist. Obwohl eine derartige Speicherröhre einfacher im Aufbau ist und eine gute bistabile Speicherung ermöglicht, ist ihre Schreibgeschwindigkeit schon gegenüber konventionellen Halbton-Speicher/öhren kleinen

Es ist weiterhin aus der US-PS 32 13 316 ein Halbton-Speichertarget für eine Fernsehkamera bekanntgeworden, welches ein Speicherdielektrikum aus porösem Isolationsmaterial, wie beispielsweise Magnesiumoxid besitzt um die Spannung des Ladungsbildes aufgrund von Elektronenvervielfachung im Target zu verstärken. Diese Anordnung gestattet jedoch keine unmittelbare Betrachtung des gespeicherten Bildes. Vielmehr ist eine Auslesung lediglich mittels eines elektrischen Auslesesignals möglich, wobei das Speicherdielektrikum mit einem Lese-Elektronenstrahl abgetastet wird.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugru.ide, eine Kathodenstrahlspeicherröhre der eingangs genannten Art so auszubilden,daß eine höhe.e Schreibgeschwindigkeit ermöglicht wird.

Diese Aufgabe wird bei einer Kathodenstrahlspeicherröhre der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Zweckmäßige Ausgestaltungen des Erfindungsgedankens sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Kathodenstrahlspeicherröhre gemäß der Erfindung mit der zugehörigen elektrischen Beschallung;

F i g. 2 einen horizontalen Schnitt längs der Linie 2-2 in Fig. 1, welcher einen Teil der Kathodenstrahlspeicherröhre in vergrößertem Maßstab wiedergibt;

F i g. 3 einen Aufriß einer weiteren Ausführungsform des bistabilen Speichertargets der Kathodenstrahlspeicherröhre nach F i g. 1;

Fig. 3A einen Vertikalschnitt längs der Linie 3A-3A in F ig. 3;

Fig.4 einen Aufriß einer dritten Ausführungsform eines bistabilen Speichertargets für die Kathodenstrahlspeicherröhre nach F i g. 1; und

F i g. 4A einen Vertikalschnitt längs der Linie 4A-4A in F i g. 4.

Die Kathodenstrahlspeicherröhre nach Fi g. 1 mit direkter Bildbetrachtung umfaßt ein erstes Halbton-Speichertarget 10 und ein zweites bistabiles Speichertarget 12, welche an einem Ende in einem evakuierten Gehäuse 14 angeordnet sind. Eine Elektronenkanone 16, welehe im folgenden als Schreibkanone bezeichet wird, ist im anderen Ende des Gehäuses 14 angeordnet. Diese Schreibkanone 16 besitzt eine Kathode 18, welche an einer hohen negativen Gleichspannung von etwa — 1 kV liegt. Die Schreibkanone 16 emittiert einen schmal fokussierten Strahl schneller Elektronen, weiche zwischen einem Paar von horizontalen Ablenkplatten 20 und einem Paar von vertikalen Ablenkplatten 22 zur Erzeugung von Ladungsbildern auf die Speichertargets 10 und 12 geführt werden. Darüber hinaus ist im Gehäuse 14 ein Paar von Flutelektronenkanonen 24 mit geerdeten Kathoden 26 in einer solchen Lage vorgesehen, daß dadurch die Speichertargets 10 und 12 gleichförmig mit langsamen Flutelektronen bombardiert werden.

Das Halbton-Speichertarget lö ist maschenförmig ausgebildet und besitzt eine Maschentargetelektrode 28 aus Metall, das mit einem Speicherdielektrikum 30 aus hochporösem Material beschichtet ist, um ein Target geringer Kapazität zu erzeugen, das eine extrem große Schreibgeschwindigkeit aufweist, wobei das darauf gebildete Ladungsbild jedoch nur für eine sehr geringe Zeit in der Größenordnung von einigen Sekunden erhalten bleibt. Die maschenförmige Targetelektrode 28 kann als gewobenes Drahtnetz aus rostfreiem Stahl oder Nickel mit etwa 79 Zeilen pro cm (200 Zeilen pro Zoll) oder als flache Metallplatte ausgebildet sein, welche zur Bildung von Öffnungen geätzt oder anderweitig perforiert ist. Öffnungen 32 im Speichertarget 10 ermöglichen das Durchtreten sowohl von Flutelektronen als auch von Elektronen des Schreibstrahls.

Das Halbton-Speicherdielektrikum 30 kann ein poröses Metalloxid, wie beispielsweise Magnesiumoxid oder Aluminiumoxid sein, das einen hohen spezifischen Widerstand und eine geringe Dichte von weniger als 10% der normalen Maschendichte besitzt, wodurch dieses Target eine extrem kleine Kapazität erhält. Solche porösen Halbton-Speicherdielektrika sind z. B. aus der US-PS 32 13 316 bekannt. Bei einem Ausführungsbeispiel eines Targets mit einem Speicherdielektrikum 30 aus Magnesiumoxid mit einer Dichte zwischen 2 und 5% der normalen Massendichte und einer Dicke bis zu 30 μίτι ergibt sich eine Schreibgeschwindigkeit von etwa 300 Millionen bis 600 Millionen cm/s und eine Auslesezeit von etwa 1 s.

Auf der vom zweiten Speichertarget 12 abgewandten Seite des ersten Speichertargets 10 ist im Abstand von diesem Target 10 eine zweite Maschenelektrode 34 vorgesehen. Diese Maschenelektrode 34, welche eine größere Maschenweite als die Targetelektrode 28 besitzten kann, dient als Ionensperre und verhindert, daß positive Ionen von Restgasen die Speichertargets zerstören. In manchen Fällen kann diese Elektrode auch als Kollektor für Sekundäremissionselektroden dienen wie es z. B. in der US-PS 31 65 644 der Fall ist. Auf der Innenfläche des Gehäuses 14 ist zwischen dsn Speichertargets und den Flutkanonen 24 eine Kollimatorelektrode 36 als ringförmige Schicht aus leitendem Material vorgesehen. Diese Kollimatorelektrode liegt an einer positiven Gleichspannung von +50 V, wodurch die langsamen Flutelektronen so ausgerichtet werden, daß sie das bistabile Speichertarget 12 im wesentlichen senkrecht treffen. Es ist zu bemerken, daß die Kollimatorelektrode 36 in der Praxis auch in Form von mehreren getrennten Kollimatorelektroden ausgebildet sein kann, welche auf verschiedenen Potentialen liegen.

Gemäß der Ausführungsform nach F i g. 2 besitzt das bistabile Speichertarget 12 ein Speicherdielektrikum 38 aus Phosphormaterial, das als zusammenhängende Schicht auf einen lichtdurchlässigen leitenden Film 40 aus Zinnoxid und einem anderen geeigneten Material aufgebracht ist. Der Film 40 ist seinerseits auf einer lichtdurchlässigen Glasplatte 42 aufgebracht, welche die Frontplatte der Kathodenstrahlröhre sein kann. Die leitende Targetelektrode 40 dient als Kollektorelektrode für Sekundärelektronen, welche vom Phosphor-Speicherdielektrikum 38 emittiert werden. Die zusammenhängende Phosphorschicht 38 ist ausreichend porös, so daß Sekundärelektronen durch sie durchtreten können. Diese Sekundärelektronen werden von der bombardierten Oberfläche auf der linken Seite der Schicht emittiert und von der leitenden Elektrode 40 auf der rechten Seite dieser Schicht eingefangen. Auf diese Weise ermöglicht das zweite Speichertarget 12 eine bistabile Speicherung des auf ihm gebildeten Ladungsbildes. Ein derartiges bistabiles Speichertarget ist beispielsweise in der US-Patentschrift 32 93 473 beschrieben. Das Halb-

ton-Speicherdielektrikum 30 ist weit poröser als das Phosphor-Speicherdielektrikum 38, das eine Dichte von etwa 50% der normalen Massendichte besitzt. Daher besitzt das Halbton-Speichertarget 10 eine geringere Kapazität als das bistabile Speichertarget 12.

Das Phosphormaterial des bistabilen Speichertargets 12 emittiert ein Lichtbild entsprechend dem gespeicherten Ladungsbild, das durch die Glasträgerplatte 42 und den transparenten leitenden Film 40 betrachtet werden kann. Als Speicherdielektrikum 38 kommt jedes geeignete Phosphormaterial mit hohem Widerstand in Betracht. Dabei kann es sich beispielsweise um Zinkorthosilikat mit Manganzusatz (Zn^Si(X : Mn), das als P-1 -Phosphor bezeichnet wird, oder um einen der Zinksulfid-Phospore. wie beispielsweise P-31-Phospor handeln. Obwohl das Phosphor-Speicherdielektrikum 38 porös ist, besitzt es jedoch im Vergleich zum Halbton-Speicherdielektrikum 30 eine hohe Kapazität und eine relativ hohe Dichte. Daher besitzt ein derartiges Phosphor-Dielektrikum zwar eine geringere Schreibgeschwindigkeit; die Speicherzeit ist jedoch groß. Sie kann eine Stunde und mehr betragen.

Der Betrieb der erfindungsgemäßen Kathodenstrahlspeicherröhre wird gemäß Fig. 1 durch vier Schalter 44, 46 und 48 gesteuert, welche an die Ioneneinfang-Elektrode 34, die erste Target-Elektrode 28 bzw. die zweite Target-Elektrode 40 angeschaltet sind. In der ersten Schalterstellung, welche als »bistabile Speicherung« bezeichnet wird, legt der Schalter 44 eine Gleichspannung von + 150 V an die Maschenelektrode 34, der Schalter 46 eine Gleichspannung von +200V an die erste Targetelektrode 28 und der Schalter 48 eine Gleichspannung von + 100 bis 150 V an die zweite Targetelektrode 40. Bei diesen Spannungen verläuft der von der Schreibkanone 16 emittierte Elektronenstrahl durch die Maschenelektrode 34 und das erste Speichertarget 10 und trifft auf das Phosphor-Speicherdielektrikum 38 des zweiten Speichertargets auf, um darauf ein Ladungsbild zu erzeugen. Weiterhin treten auch die von der Flutkanone 24 emittierten Flutelektronen aufgrund der hohen positiven Spannung durch die Maschenelektrode 34 und das erste Speichertarget 10 hindurch und treffen auf das Phosphor-Speicherdielektrikum 38 auf, wodurch sich eine bistabile Speicherung des Ladungsbildes ergibt, wenn das Anfangspotential dieses Ladungsbildes die erste Übergangsspannung dieses Dielektrikums übersteigt. Bei Verwendung eines P-1-Phosphors als Speicherdielektrikum 38 liegt die erste Übergangsspannung bei etwa + 50 V, so daß der Betriebspotentialwert des als Kollektorelektrode wirkenden Targets 40 für bistabile Speicherung über dieser ersten Übergangsspannung, jedoch unter der zweiten C'bergangsspannung von +200 V liegt. Zur Ausbildung der bistabilen Speicherung treiben die Flutelektronen das Potential des Ladungsbildes auf die Spannung der als Kollektorelektrode wirkenden Targetelektrode 40 hinauf und das Potential der unbeschriebenen Hintergrundbereiche auf die Spannung der Flutkanonenkathode hinunter. Weiterhin bewirken die Flutelektronen, daß das Phosphor-Speicherdielektrikum ein dem gespeicherten Ladungsbild entsprechendes Lichtbild aussendet

Um das Ladungsbild zu erzeugen, wird der Schreib-Elektronenstrahl durch die Ablenkplatten 20 und 22 nach Art einer konventionellen Kathodenstrahlröhre abgelenkt Ein Eingangssignal, dessen Signalform zu speichern ist, wird auf einer Eingangsklemme 50 und über einen Vertikal verstärker 52 auf die Vertikalablenkplatten 22 gegeben. Ein Teil dieses Eingangssignals wird auf einen Triggergeneratorkreis 54 gegeben, welcher einen entsprechenden Triggerimpuls erzeugt, der seinerseits auf einen horizontalen Sägezahngenerator 56 gegeben wird. Dieser Sägezahngenerator erzeugt eine Sägezahnspannung, welche auf die horizontalen Ablenkplatten 20 gegeben wird. Der Vertikalverstärker 52 besitzt eine Verzögerungsleitung, wodurch es möglich wird, daß das Sägezahnsignal erzeugt und zu dem Zeitpunkt auf die Horizontal-Ablenkplatten gegeben wird, wenn das Eingangssignal auf die Vertikalablenkplatten gegeben wird. Dieser Vorgang entspricht dem konventionellen Triggerbetrieb eines Oszillators.

Die Speicherröhrenanordnung nach Fig. 1 vermag ebenfalls eine Halbton-Speicherung vorzunehmen. Dazu werden die Schalter 44, 46 und 48 in die zweite, als »Halbton-Speicherung« bezeichnete Schaltstellung geschaltet, so daß der Schalter 44 eine Gleichspannung von + 100 V auf die Maschenelektrode 34, der Schalter 46 eine Gleichspannung von —20 V auf die erste Targetelektrode 28 und der Schalter 48 eine Gleichspannung von + 3 kV auf die zweite Targetelektrode 40 gibt. Bei diesen Spannungen erzeugt der Elektronenstrahl von der Schreibkanone 16 durch Sekundärelektronenemission ein positives Ladungsbild auf dem Halbton-Speicherdielektrikum 30. Der auf das bistabile Speicherdielektrikum 38 auftreffende Teil des Schreibstrahls erzeugt aufgrund der hohen Spannung an der zweiten Targetelektrode 40 kein gespeichertes Ladungsbild. Die durch die Maschenelektrode 34 durchtretenden Flutelektronen treten die Öffnungen 32 in der ersten Targetelektrode 28 hindurch und werden durch das Ladungsbild auf dem Halbton-Speicherdielektrikum 30 moduliert, so daß ein entsprechendes Lichtbild auf der Phosphorschicht 38 erzeugt wird. Das Lichtbild besitzt eine extrem hohe Helligkeit, da die Flutelektronen durch ein elektrisches Feld von 3 kV beschleunigt werden. Es ist zu bemerken, daß die Oberfläche des HaIbton-Speicherdielektrikums 30 zunächst auf eine Spannung aufgeladen wird, weiche nahe bei dem Wert von —20 V an der ersten Targetelektrode 28 liegt, und danach im Bereich des Ladungsbildes positiv geladen wird, so daß durch die Maschenöffnungen 32, welche im Bereich der positiven Bildflächen des Speicherdielektrikums liegen, ein größerer Flutelektronenstrom geführt wird.

In der dritten Stellung der Schalter 44, 46 und 48, welche als »Bildübertragung« bezeichnet ist, liegt an der Maschenelektrode 34 eine Spannung von +150V, an der zweiten Targetelektrode 40 eine Gleichspannung von +100 bis +150 V und an der ersten Targetelektrode 28 über einen Hilfsschalter 58 zunächst eine Spannung von —20 V und sodann eine Spannung von +200V. In der ersten Stellung des Hilfsschalters 58, welcher als »Halbton-Speicherung« bezeichnet ist, wird auf dem Speicherdielektrikum 30 des ersten Targets 10 ein Ladungsbild erzeugt Wenn dieser Schalter in die zweite als »bistabile Speicherung« bezeichnete Stellung gezeichnet wird, wird dieses Ladungsbild durch die durch das Halbton-Target 10 hindurchtretenden Flutelektronen auf das Phosphor-Speicherdielektrikum 38 des bistabilen Speichertargets 12 übertragen. Aufgrund dieses Bildübertragungsvorgangs besitzt die Speicherröhren-Anordnung eine der des Halbton-Speichertargets 10 gleiche, extrem hohe Schreibgeschwindigkeit und eine der des bistabilen Speichertargets 12 gleiche extrem lange Speicherzeit Es ist zu bemerken, daß der Hilfsschalter 58 kein manueller Schalter, sondern ein

elektronischer Schalter ist, so daß die Bildübertragung in einem Bruchteil von einer Sekunde erfolgt, nachdem das Ladungsbild auf dem Halbton-Target 10 geschrieben wurde. Daher muß das auf das Halbton-Target 10 geschriebene Ladungsbild lediglich um einige Volt positiver in bezug auf die unbeschriebenen Hintergrundsbereiche sein, so daß das Halbton-Target eine größere Schreibgeschwindigkeit besitzt, als dies ohne eine derartige Bildübertragung der Fall wäre.

In der vierten, mit »Löschen« bezeichneten Stellung der Schalter 44, 46 und 48 wird eine Gleichspannung von + 150 V auf die Ioneneinfang-Maschenelektrode 34 gegeben, während die Targetelektroden 28 und 40 durch die Schalter 46 und 48 an die Ausgänge eines Löschimpulsgenerators 60 angeschaltet sind. Der Löschimpulsgenerator legt eine positive Spannung an die erste Targetelektrode 28, so daß das Speicherdielektrikum 30 durch die Flutelektronen gleichförmig positiv aufgeladen und sodann auf seinen Ruhespannungswert von —20 V geschaltet wird. Entsprechend liefert der Löschimpulsgenerator einen positiven Spannungsimpuls an die Targetelektrode 40 des bistabilen Targets, so daß das Speicherdielektrikum 38 auf eine Spannung über seiner Speicherschwellwert-Spannung gelangt, welche etwa gleich der zweiten Übergangsspannung ist. Damit wird das gesamte Dielektrikum gleichförmig positiv aufgeladen und danach die Spannung unter die »Speicherschwellwert«-Spannung reduziert, welche etwa gleich der ersten Übergangsspannung ist. Sodann gelangt dieses Dielektrikum auf seiner Ruhespannung von +100 bis +150V. Es ist zu bemerken, daß der Ruhebetriebswert der Targetelektrode 40 des bistabilen Speichertarg.-ts zwischen der »Speicherschwellwert«-Spannung, unterhalb derer eine Speicherung nicht möglich ist, und der positiven »Schwundspannung«, oberhalb derer eine Speicherung nicht möglich ist, liegt.

Eine weitere Ausführungsform eines bistabilen Speichertargets ist in den F i g. 3 und 3A dargestellt. Dieses bistabile Speichertarget 12' enthält eine Vielzahl von getrennten Bereichen 62 aus Phosphormaterial, welche in Öffnungen einer maschenförmigen Schicht 64 aus leitendem Material angeordnet sind. Die maschenförmige Schicht 64 kann aus lichtdurchlässigem leitendem Material, wie beispielsweise Zinnoxid, aber auch aus undurchlässigem leitendem Material, wie beispielsweise Aluminium, bestehen. Diese Ausführungsform besitzt den Vorteil, daß die Phosphorbereiche 62 dicker als die Phosphorschicht 38 nach F i g. 2 gemacht werden können, wodurch ein Lichtbild von größerer Helligkeit erreicht wird, während gleichzeitig eine bistabile Speicherung möglich ist, wie dies in der US-Patentschrift 32 93 474 beschrieben ist.

Eine dritte Ausführungsform eines bistabilen Speichertargets ist in den Fig.4 und 4A dargestellt. Bei dieser Ausführungsform des Targets 12" wird eine Glasträgerplatte 42' auf ihrer Innenfläche geätzt, um eine Vielzahl von konischen Glaserhebungen 66 herzustellen. Diese Erhebungen 66 und die zwischen ihnen liegenden Materialbereiche werden mit einer lichtdurchlässigen leitenden Schicht 68 aus Zinnoxid beschichtet, während auf der leitenden Schicht 68 eine bistabile Speicherelektrikumschicht 70 aus Phosphormaterial vorgesehen ist Die Phosphorschicht 70 besitzt eine geeignete Dicke, so daß die Spitzen der Erhebungen 66 sich durch sie hindurch erstrecken, um die Teile der lichtdurchlässigen leitenden Schicht 68 an diesen Spitzen freizulegen. Auf diese Weise wird das elektrische Feld an der Innenfläche des Phosphor-Speicherdielektrikums 70 im wesentlichen gleichförmig gehalten, so daß die Flutelektronen immer im wesentlichen senkrecht auf dieses Dielektrikum auftreffen. Dadurch wird ein Aufspreitzen des Ladungsbildes vermieden.

Die lichtdurchlässige leitende Schicht 68 nach F i g. 4 wirkt als Kollektorelektrode für die von der Phosphorschicht 70 emittierten Sekundärelektronen und ist damit mit der Maschenelektrode 64 nach F i g. 3 vergleichbar, welche die von den Phosphorbereichen 62 emittierten Sekundärelektronen einfängt. Aufgrund der Verwendung der Targetelektrode im bistabilen Target als K.0I-lektorelektrode ist keine zusätzliche Kollektor-Maschenelektrode zwischen den beiden Speichertargets erforderlich.

Die erfindungsgemäße Kathodenstrahlspeicherröhre kann auch in anderen konventionellen Betriebsarten betrieben werden, welche bisher beim Betrieb einer Halbtonspeicherröhre zur Anwendung gekommen sind. Weiterhin kann die erfindungsgemäße Kathodenstrahlspeicherröhre auch im Durchschreibbetrieb betrieben werden, bei dem auf dem bistabilen Target benachbart zu einem gespeicherten Ladungsbild ein nichtgespeichertes Ladungsbild erzeugt wird. Dies kann entweder durch Reduzierung der Schreibstrahl-Stromdichte oder durch Impulsbetrieb des Schreibstrahls erfolgen, um die Ladungsbildspannung unter die erste Übergangsspannung abzusenken. Weiterhin ist auch eine elektrische Auslesung möglicht, wobei die Schreibkanone 16 als Lesekanone verwendet wird, welche die Oberfläche des bistabilen Speichertargets durch horizontale und vertikale Sägezahnsignale von etwa 60 Hz und 15 750 Hz Frequenz nach Art eines Fernsehrasters abtastet.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

Patentansprüche:

1. Kathodenstrahlspeicherröhre zur Speicherung und unmittelbaren Betrachtung eines Ladungsbildes, das durch schnelle Elektronen auf einem Speichertarget in der Röhre gebildet wird,

mit einem ersten Speichertarget mit einer ersten maschenförmigen Targeteleketrode, die mit einem ersten Speicherdielektrikum beschichtet ist, derart, daß die Maschenöffnungen Elektronen durchlassen, mit einem zweiten Speichertarget mit einer zweiten Targetelektrode und einem zweiten, eine bistabile Speicherung ermöglichenden Speicherdielektrikum, wobei dieses zweite Speicherdielektrikum phosphoreszierendes Material enthält, um so auf dem als Leuchtschirm wirkenden zweiten Speicherdielektrikum das gespeicherte Bild unmittelbar betrachten zu können,

. mit einer derartigen Ausbildung der Speichertargets, daß das erste Speichertarget eine kleine Kapazität und eine größere Einschreibgeschwindigkeit und das zweite Speichertarget eine größere Kapazität und damit eine größere Speicherzeit besitzt
mit einer Einrichtung zur Erzeugung langsamer Flutelektronen, einer Führungseinrichtung zur Führung dieser Flutelektronen auf das erste Speichertarget und zur Weiterführung wenigstens eines Teils dieser Elektronen durch die Maschinenöffnungen des ersten Speichertargets auf das zweite Speicherdielektrikum des zweiten Speichertargets, um ein durch schnelle Elektronen auf dem ersten Speichertarget gebildetes Ladungsbi'd auf das zweite Speichertarget zu übertragen und auf diesem zu speichern, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Speicherdielektrikum (30) des ersten Speichertargets (10) aus hochporösem Material hergestellt ist, daß das zweite SpeicherdHektrikum (38,62, 70) des zweiten Speichertargets (12, 12', 12") aus einem Material mit gegenüber dem Material des ersten Speicherdielektrikums (30) geringerer Porosität hergestellt ist, und daß das zweite Speicherdielektrikum (38) auf der auf einem lichtdurchlässigen Träger (42) angeordneten zweiten Targetelektrode aufgebracht ist.

2. Kathodenstrahlspeicherröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Speicherdielektrikum (38) als zusammenhängende phosporeszierende Schicht ausgebildet und ausreichend porös ist, um von ihr durch Beschüß mit langsamen Flutelektronen emittierte Sekundärelektronen durchzulassen, so daß die zweite Targetelektrode (40) diese Sekundärelektronen einfangen kann.

3. Kathodenstrahlspeicherröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Speicherdielektrikum in Form einer Vielzahl von getrennten Bereichen (62) aus phosphoreszierendem Material in öffnungen der zweiten als maschenförmige Schicht ausgebildeten Targetelektrode (64) vorgesehen ist.

4. Kathodenstrahlspeicherröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtdurchlässige Träger (42') als Glasplatte ausgebildet ist, welche auf einer Seite eine Vielzahl von getrennten Erhebungen (66) aufweist, daß die zweite Targetelektrode (68) als lichtdurchlässiger leitender Film auf die mit den Erhebungen (66) versehene Seite der Glasplatte aufgebracht ist und daß das zweite Speicherdielektrikum (70) als phosphoreszierende Schicht auf dem

leitenden Film (68) aufgebracht ist

5. Kathodenstrahlspeicherröhre nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die die Spitzen der Erhebungen (66) bedeckenden Teile des leitenden Films (68) sich vollständig durch das zweite Speicherdielektrikum (70) hindurch erstrecken.

6. Kathodenstrahlspeicherröhre nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Speicherdielektrikum (30) als Halbton-Bildspeicher ausgebildet und aus einem porösen dielektrischen Material mit hohem spezifischen Widerstand und einer kleinen Dichte von weniger als 10% der normalen Massendichte hergestellt ist.

7. Kathodenstrahlspeicherröhre nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Speicherdielektrikum (30) ein poröses Metalloxid ist.

8. Kathodenstrahlspeicherröhre nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Metalloxid Magnesiumoxid Verwendung findet.

9. Kathodenstrahlspeicherröhre nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnesiumoxid eine Dichte zwischen etwa 2 bis 5% der normalen Massendichte besitzt.

10. Kathodenstrahlspeicherröhre nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet duTh eine von den Speichertargets (10 bzw. 12,12', 12") getrennte Maschenelektrode (34), welche auf der dem zweiten Speichertarget (12,12', 12") abgewandten Seite des ersten Speichertargets (10) angeordnet ist.