DE2113720C3 - Verfahren zur Durchmesserregelung beim tiegellosen Zonenschmelzen von Halbleiterstäben - Google Patents
Verfahren zur Durchmesserregelung beim tiegellosen Zonenschmelzen von HalbleiterstäbenInfo
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Durchmesserregelung beim tiegellosen Zonenschmelzen von
Halbleiterstäben, bei dem das Bild der den vertikal gehalterten Halbleiterstab durchwandernden Schmelzzone
unter konstant gehaltenen Bedingungen von einer Fernsehkamera aufgenommen und mittels eines Elektronenstrahls
längs äquidistanter, paralleler und zum Bild der Achse der Schmelzzone senkrecht orientierter
Abtastzeilen unter Abgabe je eines Impulses pro Abtastzeile und Abtastzyklus abgetastet und dabei die
Länge der Impulse der durch das Bild der Rekristallisationsgrenze der Schmelzzone geführten Abtastzeile als
Istwert mit dem Sollwert verglichen und die Regelabweichung bestimmt wird.
Ein solches Verfahren ist in der DE-PS 12 31671
beschrieben. Die dort beschriebene Methode ist dann geeignet, wenn der Querschnitt des aus der Schmelzzone
auskristallisierenden Materials konstant bleiben soll. Wünscht man aber, daß der Querschnitt des auskristallisierenden
Materials sich ändert, so ist, wie gemäß der Erfindung erkannt wurde, die Überwachung mindestens
eines weiteren, als Kriterium für die mechanische Stabilität der Schmelzzone dienenden Parameters
erforderlich.
Aus der DE-AS 4094 238 ist der Zusammenhang: Breite der Schmelzzone/Tangente am Schmelzprofil/
Auswertung der Information über diese Tangenten zur Steuerung der Leistungszufuhr bekannt
Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz der Länge des dem Bilde der Kristallisationsgrenze
zugeordneten Impulses und der Länge des Impulses der benachbarten, der Schmelzzone zugeordneten Abtastzeile
bestimmt wird, daß außerdem die Differenz der Längen zweier weiterer benachbarter, der Schmelzzone
jenseits ihrer Ausbuchtung zugeordneten Abtastzeilen bestimmt wird, und daß diese Differenzen als
Istwerte mit den Sollwerten verglichen und die Regelabweichung bestimmt wird.
Zweckmäßigerweise werden bei einer induktiv beheizten, von unten nach oben geführten Schmelzzone
anstelle der Bilder der jenseits ihrer Ausbuchtung liegenden Schmelzzone diejenigen der gegenüberliegenden
Kristall/Schmelzzonen-Grenze zugrunde gelegt
Normalerweise stellt sich beim tiegellosen Zonenschmelzen der beschriebenen Art das in F i g. 1 gezeigte
Profil der Schmelzzone ein, sofern die Durchmesser der
beiden die Schmelze 3 tragenden festen Stabteile 1 und 2 sowie der Durchmesser der Schmelzzone 3 miteinander
übereinstimmende oder ungefähr übereinstimmende Werte haben. Als äußere Kräfte wirken-auf die
Schmelzzone die Adhäsion des flüssigen Materials an den beiden festen Stabteilen 1 und 2 sowie die
Schwerkraft Als weitere äußere Kräfte kommen noch elektromagnetische Stützfelder bzw. eine Krafteinwirkung
durch die Heizvorrichtung in Betracht Diesen äußeren Kräften wirkt die Kohäsion in der Schmelze
und damit die aus dieser resultierende Oberflächenspannung entgegen. Die Schwerkraft ruft in der Schmelzzone
3 einen nach unten gerichteten Gradienten des hydrostatischen Drucks hervor. Sind dann die Adhäsionskräfte
am oberen und am unteren Ende der Schmelzzone miteinander vergleichbar, so bedingt diese
Druckverteilung eine Ausbauchung 3a im unteren Teil und eine Einschnürung 3b im oberen Teil der
Schmelzzone 3. Dies gilt für den Fall, daß die elektromagnetische Wirkung eines Stützfeldes bzw.
einer induktiv betriebenen Heizvorrichtung / merklich kleiner als die Wirkung der Schwerkraft auf die
Schmelzzone ist
In F i g. 1 sind drei Tangenten A, Bund Can das Profil
der Schmelzzone gelegt Die Tangente A berührt das Schmelzzonenprofil in seinem unteren Anfangspunkt u
und bildet mit der vertikalen Stabachse Jf einen spitzen
Winkel ot. Die Tangente B berührt das Schmelzzonenprofil
in dem oberen Anfangspunkt ν und bildet mit der vertikalen Stabachse X den spitzen Winkel ß. Die
Tangente C berührt das Schmelzzonenprofil im Wendepunkt w zwischen der Ausbauchung 3a und der
Einschnürung 3b. Sie bildet mit der Stabachse X den spitzen Winkel γ. Die spitzen Winkel tx und β sind nach
oben, der Winkel γ ist nach unten geöffnet
Das in F i g. 1 dargestellte Schmelzzonenprofil liegt normalerweise vor, wenn die geschmolzene Zone von
unten nach oben durch den zonenzuschmelzenden Stab geführt wird und der Durchmesser des aus der
Schmelzzone kristallisierenden Stabes, also dann des die Schmelzzone 3 tragenden Stabteils 1, von dem
Durchmesser des umzuschmelzenden, also die Schmelzzone nach oben begrenzenden Stabteils 2, höchstens um
40% verschieden ist. Dann ist der Betrag des Winkels λ dafür maßgebend, ob der Durchmesser des aus der
Schmelzzone auskristallisierenden Stabes 1 zunimmt, konstant bleibt oder gar abnimmt Für Silicium liegt ein
kritischer Wert dieses Winkels bei 8°. Wird der Winkel α. auf einen größeren Wert als 8° eingestellt dann
nimmt der Durchmesser des aus der Schmelze auskristallisierenden Materials — und zwar nach
Maßgabe der Differenz des tatsächlichen Wertes von χ von dem Wert 8C — zu, während bei einem Winkel ot
unterhalb von 8° der Durchmesser ajs auskristallisierenden
Materials in entsprechender Weise laufend kleiner wird.
Soll hingegen der Durchmesser des aus der Schmelzzone 3 wachsenden Stabes 1 konstant bleiben,
so muß der Winkel« auf einen Wert von 8° eingestellt werden- Da — wie aus Fig. 1 ersichtlich — die
Schmelzzone 3 in ihrem unteren Teil eine Ausbauchung 3a hat, ist der spitze Winkel « nach oben geöffnet Ist
außerdem Silicium das angewendete Halbleitermaterial, so hat der Winkel λ bei den üblichen Bedingungen
(Schmelzzonenhöhe H 10—40 mm und induktive Beheizung der Schmelzzone) ungefähr den richtigen
Betrag von 8°, so daß es mit Hilfe einer von unten nach oben durch den zonenzuschmelzenden Stab geführten
Schmelzzone ohne Anwendung weterer Hilfsmittel (z. B. eines durch eine besondere Stützspule erzeugten
elektromagnetischen Stützfeldes) gelingt, einen zylindrischen Stab aus der Schmelzzone wachsen zu lassen.
Anders ist es, wenn die Schmelzzone von oben nach unten durch den Stab geführt wird. Hierzu ist
erforderlich, daß der Tangentenwinkel β des Betrag von 8° hat und nach unten geöffnet ist, um das Silicium aus
der Schmelzzone mit gleichbleibendem Querschnitt auszukristallisieren. Dies erreicht man, indem man die
Ausbauchung der Schmelzzone 3a gegen die obere Grenze verschiebt, wie dies aus Fig.2 ersichtlich ist
Man kann eine solche Verschiebung durch Anwendung entsprechender elektromagnetischer Stützfelder
und/oder durch Stauchen der Schmelzzone (also durch entsprechende axiale Annäherung der Stabteile 1 und 2)
erreichen. In diesem Fall kommt die Einschnürung der Schmelzzone zum Fortfall.
Die geschmolzene Zone 3 kann durch Abreißen und/oder durch Abtropfen zerstört werden. Die Gefahr
eines Abtropfens wird nämlich um so größer, je stumpfer der Tangentenwinkel λ an der unteren Grenze
der Schmelzzone 3 wird. Es existiert also ein vom Material, von dem Querschnitt der Auflagefläche und
dem oberen Querschnitt des Stabteils 2 abhängiger kritischer Wert für diesen Winkel «, der nicht
überschritten werden darf. Andererseits ist die Tiefe der Einschnürung 3f>
und damit der Betrag des spitzen Winkels γ der Wendetangente mit der ΑΓ-Achse ein
Kriterium für die Stabilität der Schmelzzone gegen ein Abreißen, das naturgemäß an der engsten Stelle, also in
der Einschnürung Zb, erfolgt Man erkennt an Hand von F i g. 1 unschwer, daß die Gefahr eines Abreißens um so
größer ist, je stumpfer der — nach unten geöffnete — Winkel γ wird. Als kritischer Wert kann im Falle von
Silicium etwa y = 50° angenommen werden. Statt des Winkels γ könnte man an sich auch den Durchmesser an
der engsten Stelle der Einschnürung der Schmelzzone als Kriterium verwenden. Diese Stelle ist jedoch im
allgemeinen durch die Heizquelle /verdeckt.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann sowohl mit bo
einer von unten nach oben durch den Stab wandernden Schmelzzone (Fig. 1) als auch mit einer von oben nach
unten wandernden Schmelzzone (F i g. 2) vorgenommen werden. Im ersten Fall werden als Steuer und/oder
Regelparameter entsprechend der Lehre der Erfindung neben dem Durchmesser (/des jeweils auskristallisierenden
Materials die Tangentenwinkel ot und γ (und/oder ß), im zweiten Fall die Tangentenwinkel β und λ
verwendet Im ersten Fall diesen ot und γ bzw. ß, im
zweiten Fall et als Stabilitätsparameter, während ot im
ersten Fall und β im zweiten Fall auch als Regelparameter
für das Verhalten des Querschnitts des aus der Schmelzzone auskristalliserenden Materials verwendet
wird.
Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren mit von unten nach oben wandernder Schmelzzone
durchgeführt Es sollen außerdem für die weitere, dem besseren Verständnis der Erfindung dienenden Betrachtung
rotationssymmetrische Verhältnisse mit der Stabachse X als Symmetrieachse angewendet werden.
Dann hat die Schmelzzone die an Hand der F i g. 1 beschriebene Gestalt Sie erzeugt in der Fernsehkamera
auf einem bekannte spezielle elektrische Eigenschaften aufweisenden Abbildungsschirm (z. B. einem Vidiconiarget)
eine Abbildung der Schmelzzone und deren Umgebung. Das Bild wird dann durch einen mindestens
einen elektrischen Stromkreis schließenden feinen Elektronenstrahl systematisch abgetastet Da der
Abbildungsschirm nach Maßgabe der jeweiligen Belichtung lokal unterschiedliche elektrische Widerstände
bietet, wird der durch den Elektronenstrahl bedingte elektrische Strom unterschiedliche Stärken erhalten, je
nach dem, ob er auf eine hellere oder dunklere Stelle des
Bildes der Schmelzzone auf dem Abbildungsschirm der Fernsehkamera auftrifft
Es wird nun beispielsweise angenommen, daß der in dem Elektronenstrahl fließende, durch das Bild der
Schmelzzone 3 gesteuerte Strom um so stärker wird, je heller er die betreffende Stelle der Abbildung in der
Fernsehkamera und damit auch in dem abgebildeten System ist
Dabei ist zu bemerken, daß die Helligkeit der Schmelzzone 3 etwa konstant und merklich geringer als
die Helligkeit an den Enden der sie tragenden Stabteile 1 und 2 ist Ist wie üblich, die Heizquelle eine —
vorwiegend flache horizontale — Induktionsspule /, so ist eine horizontale Teilzone der Schmelzzone 3
abgeblendet und erscheint in dem Bild in der Fernsehkamera als dunkle Fläche. Ähnliches gilt für die
weitere Umgebung der geschmolzenen Zone, da man durch entsprechende Filter in der Aufnahmeoptik der
Fernsehkamera dafür sorgt, daß das Schmelzzonenbild sich möglichst kontrastreich gegenüber dem Bild seiner
Umgebung bemerkbar macht.
Man wird ferner zweckmäßig dafür sorgen, daß die in der Fernsehkamera entworfenen Abbildungen der
Schmelzzone 3 unter konstanten Bedingungen erfolgen. Dies wird man zweckmäßig erreichen, indem man
Heizung und Schmelzzone ortsfest anordnet und den Stab durch die ringförmige Heizung — entsprechend
der beabsichtigten Geschwindigkeit der Schmelzzone — axial hindurchschiebt. Die Optik der Kamera wird
dabei zweckmäßig so ausgerichtet, daß ihre optische Achse senkrecht zur Stabachse X und etwa gegen den
Mittelpunkt der Schmelzzone gerichtet ist Schließlich soll der Elektronenstrahl das Bild auf dem Abbildungsschirm der Fernsehkamera in einsinnig geführten,
zueinander parallelen Zeilen abtasten, wobei die Zeilen durch entsprechende Orientierung der Kamera senkrecht
zu der Abbildung X'der Achse Abgeführt werden
sollen. Die Abstände zweier benachbarter Zeilen sollen (wie üblich) einen konstanten Wert h, z. B. h=Gesamtbildhöhe
: 625 aufweisen.
Unter diesen Voraussetzungen entsteht in der Fernsehkamera eine Abbildung der Schmelzzone und
ihrer Umgebung, wie es in F i g. 3 dargestellt ist. Die
Gestalt der Schmelzzone entspricht dabei den Verhältnissen nach Fig. 1. Das Bild der Schmelzzone ist mit 3',
das des unteren Stabteils mit Γ, das des oberen Stabteils mit 2' und das Bild der Heizquelle / (Induktionsspule)
mit /'bezeichnet
Dieses Bild wird nun zeilenweise vom Elektronenstrahl in der Fernsehkamera abgetastet Der Abstand
zweier Abtastzeilen ist h. In Fig.3 sind 13 Zeilen
eingezeichnet, obwohl natürlich die Zeilenzahl in der
Praxis um ein Vielfaches größer ist Die Zeilen sollen mit zu Z2,.., z,... bezeichnet werden. Man erkennt, daß die
Koordinaten — z. B. als ganzzahlige x-Werte —
betrachtet und behandelt werden können.
Indem der Elektronenstrahl längs der einzelnen Zeilen zu z2, ... z, ... geführt wird, überstreicht er
sowohl helle als auch dunkle Stellen des Bildes 3 der Schmelzzone 3. Dadurch werden, wie oben angedeutet,
unterschiedliche elektrische Widerstände für den durch den abtastenden Elektronenstrahl getragenen Strom
bedingt Da dieser Strom über einen äußeren Stromkreis über die elektrischen Anschlüsse der Fernsehkamera
geschlossen ist, können diese Schwankungen technisch ausgewertet werden. Der die Fernsehkamera
verlassende Arbeitsstrom enthält also impulsartige Schwankungen Pn wobei die einzelnen Impulse P\,P2...
Pv ... den Zeilen z\, Z2... z, ... — als auch gewissen,
sukzessiv in gleichbleibendem Abstand aufeinander folgenden Werten xv der axialen Koordinate der
Schmelzzone 3 eindeutig zugeordnet sind. Jeder Abtastzyklus führt also zu einer solchen Folge von
Impulsen Pv
In der F i g. 4 ist der qualitative Verlauf einiger dieser Impulse Pn wie sie beim Abtasten des Bildes der
Schmelzzone gemäß F i g. 3 auftreten, dargestellt, wobei
der Impuls A der unteren Grenze, der Impuls P» der
oberen Grenze der Schmelzzone entspricht Diese Impulse Pt und P9 erhalten wegen der besonders
helleuchtenden festen Stabenden 1 und 2 entsprechend hohe Amplituden a» Die Länge des Impulses P, soll mit
ρ, bezeichnet werden. Die Länge μ, kann nun
unmittelbar als Maß nicht nur für den Durchmesser des Schmelzzonenbildes 3' bzw. des Bildes 1' und 2' der
glühenden Stabteile 1 und 2 am Ort der betreffenden Zeile Zn sondern auch als Maß für den jeweiligen
Durchmesser <& der Schmelzzone 3 bzw. der festen
Stabteile an der der Zeile z, entsprechenden Koordinate
Xv aufgefaßt werden. Es interessiert der Durchmesser fr1
an der Kristallisationsfront, der pro Abtastzyklus aufgenommen wird. Der betreffende Sollwert ist von
dem ermittelten Sollwert &μ (μ=Nummer des Abtastzyklus)
zu unterscheiden. Φ* entspricht natürlich einem
Impuls f?*-des μ-ten Abtastzyklus, nämlich flfbzw. PH.
Man erkennt außerdem, daß die Abtastung des im Vergleich zu den Bildern 1', H der hellen Stabenden 1
und 2 merklich dunkleren Schmelzzonenbildes 3' zu einer entsprechend kleineren Amplitude a, der zugehörigen
Impulse ^Impulse P6, P1) führen muß.
Von der Aufnahmeoptik der Fernsehkamera wird das Bild der Schmelzzone 3 während des gesamten
Verfahrens laufend aufgenommen. Jedoch wird sich die
Auswertung, also die Erzeugung der Impulse Ρζ· auf
zeitlich von einander getrennte Abtastzyklen, z. B. je
Sekunde bis je eine Minute einen Zyklus, beschränken,
weil erfindungsgemäß die Schmelzzone im Stabilitätsbereich sich entsprechend langsam verändert
Pro Abtastzyklus können entsprechend der gewählten Zeilendichte für den abtastenden Elektronenstrahl
beliebig viele Impulse /^'abgeleitet werden. Die Impulse
Pv erscheinen auch in dem Strom am Ausgang der
Fernsehkamera und werden entsprechend der Lehre der Erfindung ausgewertet
Die von der Fernsehkamera gelieferten Impulse Pi" können auf verschiedene Weisen im Sinne eines
Regelvorganges ausgewertet werden. Dabei ist es das Ziel, diesen Impulsen Pl' Informationen über den zu
jeder Zeile z, gehörenden Tangentenwinkel φ$ zu
entnehmen, dabei insbesondere die Werte der Tangentenwinkel an der Grenze der Schmelzzone, also in den
Punkten u, ν zu ermitteln, da diese besonders überwacht
und gesteuert werden sollen. Ferner muß — falls vorhanden — der Wendepunkt w des Schmelzzonenprofits
und der Wert des Tangentwinkels φ1 für diesen
Punkt ermittelt werden. Schließlich werden — wie bekannt — auch Informationen über den Querschnitt
bzw. Durchmesser 0** des in einem gegebenen
Augenblick des gegebenen Verfahrens auskristallisierenden Materials entnommen. Die erhaltenen Werte
veranlassen dann die Einregelung des Schmelzzonenprolils auf — innerhalb der Stabilitätsgrenze der
sowohl hinsichtlich ihrer Amplitude a* als auch
hinsichtlich ihrer Länge pi' auswerten. Wie man aus F i g. 4 erkennt, hat man bezüglich der Amplitude ai'der
Impulse /{'zwei Gruppen zu unterscheiden:
a. die den besonders hell leuchtenden Stabenden 1 und 2 am Übergang zur SShmelzzone 3 entsprechenden
Impulse mit besonders hoher Amplitude, die mit wachsendem Abstand von den der Schmelzzone zugeordneten Impulsen sukzessive
kleiner werden.
b. Die der merklich dunkleren Schmelzzone entsprechenden
Impulse mit entsprechend schwächerer, aber über die gesamte Schmelzzone konstanter
Amplitude.
c Die den Dunkelstellen des abzutastenden Bildes, insbesondere auch am Ort des Bildes /' der die
Schmelzzone erzeugenden Induktionsspule /, entsprechenden Abtastzeilen z, führen hingegen nicht
zu Impulsen mit merklicher Amplitude.
Bei jeder den einzelnen Abtastzyklen entsprechenden Folge von Impulsen Pi sind zunächst die beiden den
Übergängen von festem Material auf die Schmelzzone und gegebenenfalls umgekehrt entsprechenden Impulspaare
zu ermitteln und auszusieben. Wird, wie bereits bemerkt, das Bild der Schmelzzone und ihrer Umgebung
in von unten nach oben gegeneinander verschobenen horizontalen Zeilen z, abgetastet so hat man — der
Helligkeitszunahme bei zunehmender Annäherung an das eigentliche Bild 3' der Schmelzzone 3 entsprechend
— Impulse PimA sukzessive zunehmender Amplitude
mit einer der jeweiligen Länge des Durchmessers c/'des Bildes Γ des unteren Stabteiles 1 entsprechender Dauer
(=Länge ρ,). Die größte Amplitude am„ erhält der
letzte der dem Bild V zugeordneten Impulse, also der
Die folgenden der Impulse P, sind dem eigentlichen
Bild 3' der Schmelzzone 3 zugeordnet Der erste dieser Impulse, nämlich der Impuls Pfr, ist besonders
hervorzuheben. Die Amplitude &, ist im Vergleich zur
' für alle diese Impulse P, erfahrungsgemäß praktisch
denselben Wert (Impulse P6, P7 in Fig.4.) Erreicht der
25
30
Elektronenstrahl die Abtastzeilen Zn die dem Bild /'der
Induktionsspule / zugeordnet sind, so verschwinden die Impulse Pi' praktisch (Impuls P in F i g. 4), um erneut
wieder aufzutauchen, sobald der Elektronenstrahl die Abtastzeilen z, erreicht, die dem oberhalb des Bildes /'
befindlichen nicht abgeblendeten Teil des eigentlichen Schmelzzonenbildes 3' entsprechen.
Dann erhalten die Impulse /^wieder ihre alte, der
Helligkeit des Schmelzzonenbildes entsprechenden Amplitude. Der letzte dieser Impulse, nämlich der ι ο
Impuls Ρζ\ entspricht der Stelle ν des Schmelzzonenprofils.
Er ist ebenfalls besonders hervorzuheben. Schließlich erreicht der abtastende Elektronenstrahl das
Bild 2' des oberen die Schmelzzone begrenzenden und halternden Stabteils 2. Die Impulse Pi! erhalten dann ι s
sofort wieder eine dem heller glühenden festen Material an den Stabenden entsprechende hohe Amplitude
(Impuls Pg'rn Fig.4). Jedoch nimmt mit wachsender
Entfernung vom eigentlichen Bild 3' der Schmelzzone 3 die Amplitude der Impulse Pi' rasch auf Null ab. Der
erste der demjesten Stabteil 2 entsprechenden Impulse Pv soll mit Pi" bezeichnet werden. Seine Amplitude
•ζ,=am,x ist ebenfalls maximal.
1. Die gerade noch bzw. schon dem festen Material an
der Grenze zur_ Schmelzzone 3 zugeordneten Impulse Pj und Pi". Ihre Längen p* bzw.' ß, sind
nämlich dem Durchmesser <& des festen Materials
an den betreffenden Stellen der festen Stabteile 1 bzw. 2 proportional.
2. Die ersten und die letzten der der Schmelzzone zugeordneten Impulse, vor allem aber die Impulse
Pf? und PiV. Schließlich muß man, wenn die
Schmelzzone eine Einschürung 3b hat, oberhalb der
Ausbauchung 3a der Schmelzzone weitere Impulse PS zur Ermittlung des Wertes des Winkels y
ableiten.
Da die Impulse PS und Pl' sich von den zeitlich zwischen ihnen liegenden, zur Schmelzzone 3 gehörenden
Impulsen Pv durch ihre besonders hohe Amplitude a.nax unterscheiden, wird man zunächst aus den einzelnen
je Abtastzyklus erhaltenen Sequenzen von Impulsen Pi
diejenigen heraussieben, deren Amplitude den Wert α»»* aufweist Man wird also eine entsprechende Weiche
vorsehen, die die gewünschte Auswahl trifft (Sie unterteilt jede Impulsfolge in drei Teilgruppen, von
denen die erste und die letzte den festen glühenden Stabenden 1 und 2, die mittlere — gegebenenfalls durch
ein impulsloses Intervall unterteilt — der geschmolzenen Zone zugeordnet ist) Auf jeden Fall lassen sich die
Impulse P?\ma ^i" aufgrund ihrer besonders großen
Amplitude leicht aus der Reihe der üblichen Impulse aussieben. Ihre zeitliche Dauer (Impulslänge pt und fS)
kann als MaB für die Größe der Durchmesser der festen ss Stabteile 1 und 2 an der Phasengrenze bzw. der ihnen
entsprechenden Abbildungen Γ und 2' gewertet werden. Da im vorliegenden Beispiel die Länge p, des
Impulses P als Maß für den Durchmesser des auskristallisierenden Materials gilt, wird p\ für das
folgende als Regelgröße verwendet
Die Differenz zwischen den beiden Impulsen P, und
P, wird besonders überwacht, da sie zur Überwachung
und Steuerung der geschmolzenen Zone herangezogen wird. Nichtsdestoweniger können die im folgenden zu es
beschreibenden rechnerischen Prozesse sukzessive bei allen Impulsen Pv pro Abtastzyklus vorgenommen
werden.
Gemäß der Erfindung werden nun zwischen den Längen p» sukzessiver aufeinander folgender Impulse Pv
jeder Impulssequenz die Sequenz von Differenzen erster Ordnung
gebildet Unterscheiden sich die jeweils benachbarten Impulse Pv bezüglich ihrer Längen p» so erhält die
Differenz einen endlichen Wert, im Falle der Gleichheit dieser Längen wird die Differenz Δζ gleich Null. Der
Index v, der zunächst nur die Zählung der einzelnen Zeilen z, und der aus ihnen abgeleiteten Impulse Pv
vorgesehen ist, durchläuft die Folge der ganzen Zahlen 1, 2, 3... n, wobei die erste Zeile und damit der Index
»1« dem unteren Rand des Bildes auf dem Abbildungstarget der Fernsehaufnahmeröhre und »n« dem oberen
Rand dieses Bildes zugeordnet ist Da aber zwischen zwei benachbarten Zeilen z, und ζ,,+ι jedesmal der
gleiche Abstand h liegt kann man die Längen p» — ebenso wie die Impulse Pv selbst — den Werten
|=Α,2Λ,3Λ,...,ηΛ
der axialen Bildkoordinate | zuordnen. Andererseits sind aber die ξ nichts anderes als eine ähnliche
Abbildung der axialen Koordinaten Ar für die verschiedenen Stellen der Schmelzzone 3 und deren Umgebung.
Man ist also berechtigt, die Impulslängen p, als verschiedene Werte einer Funktion
P=P(I)
aufzufassen, wobei die Funktion ρ als stetig differenzierbar vorausgesetzt werden darf. Ihre erste Ableitung
nach I ist durch
definiert Sie nimmt für die Werte ξν = A, 2 Λ,.., η h die
Werte p., —pi, pi..., pr an. Nach dem Mittelwertsatz
der Differentialrechung hängt nun der Wert der ersten Ableitung mit der zugehörigen Differenz erster
Ordnung aufgrund der Beziehung
(dp/df)=Λ-1 Δν =h-
> \p(fv +1 )/>) -p(vh)}
an der Stelle νΛ<ξ<(ν+ί) ■ hzusammen. Nun ist aber
infolge der geometrischen Ähnlichkeit der in der Fernsehkamera erhaltenen Abbildung zur Wirklichkeit
der Identität
dtf/cLr- dp/dg
gegeben, wobei # den Durchmesser der Schmelzzone an der der Zeile z, korrespondierenden Stelle entspricht
Folglich hat man für den Winkel φ der Tangente an das Schmelzzonenprofil mit der .Y-Achse (Stabachse) die
mit gUtcf Näherung geltende Beziehung
2tanqp,-A-!ip((»'+i)A)-p(*'A)}; v-1,2 n.
Aus der Differenz der _Längen der ersten beiden Impulse nach dem Impuls PS, also dem Impuls Κμ und
dem unmittelbar darauffolgenden Impulse Ρζ+\ erhält
man den Wert des Tangens des Winkels «f.
Aus der Differenz der beiden letzten Impulse vor dem
Impuls PJ! also dem Impuls ΡΤμ dem ihn unmittelbar
vorausgegangenen Impuls P£t erhält man den Tangens
des Winkels 0". Es ist also
tan«"= (A
tanβ = (j
Dem Profilverlauf einer Schmelzzone 3 entsprechend F i g. 1 zufolge nimmt der Wert von tan gc, beginnend
vom Wert tanof allmählich ab, erreicht den Wert 0
(Ausbauchung 3a), wechselt das Vorzeichen, durchläuft ein Minimum (entsprechend dem Wendepunkt w)
nimmt dann wieder allmählich zu, überschreitet den Wert 0 (entsprechend der Einschnürung 36) und erreicht
schließlich den Wert tan £/» (entsprechend der oberen
Grenze der Schmelzzone 3). Es ist infolge dessen möglich, aus den Differenzen erster Ordnung, und zwar
aus deren Minimum den Wert von tan y zu ermitteln, und zwar gilt
Die Werte von tang)'' lassen sich also für jede
Bildzeile und damit auch für die korrespondierenden x-Werte der wirklichen Schmelzzone und ihrer Umgebung
durch eine entsprechende Rechenapparatur leicht ermitteln. Zu diesem Zweck gelangen die von der
Fernsehkamera abgegebenen Impulse Pi' zunächst in einem Meßwertumformer. Dort gibt jeder der Impulse
fV'Anlaß zur Entstehung einer Folge von gleichdimensionierten äquidistanten Schaltimpulsen, deren jeweilige
Anzahl ein Maß für die zugehörige Länge pi' des betreffenden Impulses Pi' ist Damit wird also eine den
einzelnen Impulsen /^''entsprechende binäre Codierung
erzeugt, die ihrerseits in ein digitales Rechenwerk eingespeist wird, in welchem die besagten Rechenoperationen
zur Ermittlung des Durchmessers ft? des aus der Schmelzzone auskristallisierenden Materials und
des tan φμ unter Hervorhebung von tan ov, tan y
und/oder tan ß* durchgeführt werden. Außerdem erfolgt
ein Vergleich mit den einprogrammierten Sollwerten unter Bestimmung der Abweichung der mit Hilfe der
Fernsehkamera festgestellten Istwerten für die genannten Größen. Schließlich wird durch diese Abweichungen
eine Einregelung der Schmelzzone entsprechend der Lehre der Erfindung vorgenommen.
Von den beiden Impulsen mit maximaler Amplitude a,„*„ also den Impulsen Pi' und P£ muß nur der zur
Kristallisationsfront gehörige festgehalten werden. Wandert die geschmolzene Zone von unten nach oben
durch das umzuschmelzende Material, so ist dementsprechend der Impuls Pr besonders hervorzuheben.
Beispielsweise läßt sich dies mit Hilfe einer Amplitudenspitzenwertschaltung
ermöglichen.
Außerdem werden sämtliche der den Pv enisprechenden
codierten Impulse in das Rechenwerk eingespeist und zur Ermittlung der tan φ,-Werte herangezogen.
Dieses Rechenwerk ist einerseits einem Sollwertgeber also einem Steuerwerk mit vorgegebener Programmierung
untergeordnet.
Für die Erstellung des Programms für die Sollwerte von #, tan α, tan β bzw. tan γ ist ebenfalls entweder eine
Folge diskreter Werte νμ, tan χμ, tan γμ und/oder tan βμ
(/t-1, 2, 3,..., m) oder eine kontinuierliche stetige
Funktion für diese Parameter vorzugeben. Dabei ist zu berücksichtigen, daß die den Abtastzeilen z, des
Fernsehbildes zugeordneten Koordinatenwerte ξ,, des
Bildes in der Fernsehkamera bzw. die ihnen entspre-.
chenden axialen Koordinaten xr der wirklichen Schmelzzone nicht für die Programmierung geeignet
sind. Hier benötigt man eine neue axiale Koordinate, die den verschiedenen Positionen der Schmelzzone in dem
zonenzuschmelzenden Stab entspricht >
Wie bereits erwähnt genügt es, wenn das von der Optik der Fernsehkamera entworfene Bild der Schmelzzone
und ihrer Umgebung nicht ständig, sondern beispielsweise in regelmäßigen Zeitabständen, z. B. nur
einmal in der Sekunde bzw. Minute oder noch weniger vom Elektronenstrahl abgetastet wird. Man hat dann
eine Anzahl sukzessiver aufeinanderfolgender Abtastzyklen, denen man ihrer Reihenfolge entsprechend die
Nummern μ = 1,2,3,..., m geben kann. Für jeden dieser
Abtastzyklen μ = 1, 2, 3, ..., m werden nun die entsprechenden Sollwerte #,,, tan χμ, tan γμ und/oder
tan βμ vorprogrammiert, wobei selbstverständlich diese
κι Werte in Einklang mit der mechanischen Stabilität der
Schmelzzone stehen müssen. Treffen dann die Impulse Pl' des μ-ten Abtastzyklus im Rechenwerk ein, dann
werden auch von den gespeicherten Programmwerten die entsprechenden Sollwerte ΰμ, tan Ot11, tan μ und/oder
Γ) tan ^m dem Rechenwerk zur Verfügung gestellt und in
diesem mit den von den Impulsen Pl' gelieferten Istwerten verglichen (μ=1, 2, 3,..., /n=Nummer des
Abtastzyklus; v= 1,2,3,..., /J=Nummer der Abtastzeile
ζ* und des dieser Abtastzeile im μ-ten Abtastzyklus
entsprechenden Impuls fli).
Es ist klar, daß man über die Wandergeschwindigkeit der Kristallisationsfront der Schmelzzone bzw. über den
Längenzuwachs des aus der Schmelzzone auskristallisierenden Materials dem Index μ auch die Bedeutung
2r> einer longitudinalen Koordinate geben kann. Es ist
deshalb auch möglich, den Ablauf der einzelnen Sollwerte ϋ μ, tan &μ, tan γμ, tan/?,, über den Abstand der
Halterung für den aus der Schmelzzone wachsenden Stabteil von der Heizquelle zu regeln.
in Ist im μ-ten Abtastzyklus bei von unten nach oben
wandernder Schmelzzone flj'der letzte Impuls, der noch
eindeutig dem Stabteil 1 entspricht, und sind Pi\,, Pi\i
die unmittelbar darauffolgenden (nunmehr dem geschmolzenen Mantel zugeordneten) Impulse — ist nach
ti obigen
tan λ"
Dieser Wert ist mit dem Sollwert tan λ." zu
vergleichen. Der mit Hilfe der Amplitudenspitzenwert-
λί meßschaltung je Impulssequenz herausgesiebte Impuls
fV'mit der Amplitude a,,«, (kann als konstant betrachtet
werden) dient dann zugleich als Signal, um die beiden unmittelbar auf ihn folgenden Impulse und dem sich aus
ihnen umgebenden Wert von tan χμ zu ermitteln und
v\ besonders hervorzuheben und ebenfalls mit den entsprechenden programmierten Sollwerten tan <x» zu
vergleichen.
Der nächste, besonders hervorzuhebende Wert für tanyf ist bei Verwendung einer Schmelzzone mit
v, Einschnürung gegeben. Für diesen Fall muß tany
festgehalten und mit dem entsprechenden Sollwert tan γμ verglichen werden. Der Istwert tan y ergibt sich
als Minimalwert aller tan {.'-Werte des μ-ten Abtastzyklus.
Mit einem digitalen Rechenwerk ist dieser Wert
!,ti ohne Schwierigkeiten zu ermitteln.
Schließlich müssen bei Verfahren, bei denen der Winkel β als Kriterium herangezogen wird, die Impulse
Pi'und der tan β festgehalten und gesteuert werden. Der
Wert von tan βμ ergibt sich, wie oben beschrieben, aus
h-i den dem Impuls ft'zeitlich unmittelbar vorangehenden
Impulsen PH-1 und Pl'-2 bzw. deren zugeordneten
Längen pi'-i, pi'_2. In Verbindung mit einer zum
Nachweis des Amplitudenspitzenwertes dienenden, an
sich bekannten Meßschaltung, läßt sich ohne weiteres
eine Vorrichtung kombinieren, welche den unmittelbar vorausgegangenen tan φ"-Wert, also tan βμ, zu ermitteln
und auszuwerten gestattet.
Bei der Herstellung versetzungsfreier Siliciumstäbe ist es bekanntlich üblich, am Ende eines Siliciumstabes
entsprechender Reinheit eine geschmolzene Zone zu erzeugen. Diese wird dann mit einem Keim in Kontakt
gebracht, mit dessen Hilfe dann ein sogenannter »Flaschenhals« aus der Schmelzzone gezogen wird.
Anschließend an diesen »Flaschenhals« beginnt ein konischer Teil des aus der Schmelzzone kristallisierenden
Materials, bis schließlich der Durchmesser des aus der Schmelzzone kristallisierenden Materials und der
mittlere Teil der Schmelzzone dem Durchmesser des aufzuschmelzenden Stabteils äquivalent sind. Dieses
Verfahren läßt sich sowohl mit einer von oben nach unten wandernden Schmelzzone (Podestmethode) als
auch mit einer von unten nach oben wandernden Schmelzzone durchführen, wobei dann die Schmelzzone
bei der Herstellung des konischen Teils eine der F i g. 1 entsprechende Gestalt (vergl. F i g. 5) aufweist.
Bei einem solchen Verfahren lassen sich vier Arbeitsphasen unterscheiden, die für eine einwandfreie
Programmierung beherrschbar sein müssen:
1. Herstellung des zylindrischen Teils des aus der geschmolzenen Zone auskristallisierenden Materials,
2. Herstellung des konischen Teils als Übergang zwischen Impfling und zylindrischem Stabteil des
aus der geschmolzenen Zone auskristallisierenden Materials,
3. Herstellung des Flaschenhalses bei der Herstellung versetzungsfreier Stäbe,
4. Anpassung der Anfangsbedingungen nach dem Zusammenschmelzen des Keims mit der geschmolzenen
Zone.
Für die Aufstellung eines Programms sind fest vorgegeben bzw. vorgebbar:
1. Der Siabdurchmesser als Funktion der axialen Koordinate x,
2. die Geschwindigkeit der Schmelzzone als Funktion
der koaxialen Koordinate x.
3. die Drehung des Stabes um seine vertikale Achse X.
4. die horizontale 1-agc der Heizquelle, insbesondere
Induktionsspule,
5. eine Exzentrizität des Stabes zur Spule.
Einige Größen sind Betriebsparameter, die voreingestellt
bzw. bekannt sein müssen, z. B.
1. Spulen- bzw. Sekundärkreisgeometrie (bei induktiver Ankopplung der die geschmolzene Zone
erzeugenden Induktionsspule).
2. Kopplung des die Energie für die Induktionsspule liefernden Stromgenerators.
Während der Durchführung des Zonenschmelzverfahrens und damit des Programmablaufs sind dann
Korrekturen hinsichtlich folgender Größen vorzunehmen:
1. Axialer Abstand der die geschmolzene Zone tragenden Stabteile,
2. Frequenz des die geschmolzene Zone beheizenden Wechselstroms (Generatorfrequenz),
3. Schmelzenergie,
4. Lage der Heizspule relativ zum zonenzuschmelzenden Stab bzw. zu der erzeugten Schmelzzone.
Diese vier Größen sind nicht unabhängig voneinander. Eine Korrektur nach Punkt 4 ist wahrscheinlich nur
zur Erstellung eindeutiger Anfangsbedingungen erforderlich.
Möglicherweise sind Probleme zu erwarten beim Auftreten von Beulen der aus der Schmelzzone
in erwachsenden Halbleiterstäbe sowie beim Auftreten
von ringartigen Wulsten, insbesondere bei der Erzeugung des konusartigen Übergangs beim Anschmelzen
eines kleinen Keimkristalls an einen dicken zonenzuschmelzenden Stab.
ι *> Für den zylindrischen Stabteil gilt: Für eine Änderung
des Durchmessers ist eine Änderung des Volumens der Schmelzzone erforderlich. Die der Schmelzzone zugeführte
Leistung kann dabei, falls es sich nicht um zu große Änderungen handelt, und damit die Beheizung
-ti der Schmelzzone konstant bleiben. Eine Änderung des
Volumens der geschmolzenen Zone ist auch durch eine Änderung der Frequenz des die Heizung der Schmelzzone
bewirkenden elektrischen Stroms möglich. Besteht die Möglichkeit einer absoluten Durchmessermessung,
:■> so empfiehlt es sich, das Volumen der Schmelzzone über
einen unterlagerten Regelkreis zu korrigieren, bis der Durchmesser der Schmelzzone stimmt
Wie bereits ausführlich dargestellt, können in allen
Fällen die zur Regelung bzw. programmierten Steuern rung des Prozesses erforderlichen Informationen nur
dem Profil der geschmolzenen Zone selbst entnommen werden. Dabei kann es beim Vorliegen von nicht
rotationssymmetrischen Verhältnissen notwendig sein, zwei Fernsehkameras mit senkrecht zueinander orieni'
tierter Optik vorzusehen. Die gemäß der Erfindung zu überwachenden bzw. zu kontrollierenden Winkel a.* und
y bzw. Kf und ß» sind als Informationsquellen - wie
oben dargestellt — durchaus brauchbar. Zur Einregelung
ihrer Werte kann aus der Erfahrung — wenigstens w hinsichtlich des Zonenschmelzen von Siliciumstäben —
folgendes festgestellt werden:
1. Die Winkel λ und β hängen bei induktiver
Beheizung der Schmelzzone (F i g. 1 und 5) erfahrungsgemäß in besonderem Maße vom axialen Abstand der
■ι · die geschmolzene Zone tragenden festen Stabteile, der
Winkel y von der Beheizung der Schmelzzone ab. Ähnliches gilt für den Abstand sdes unteren Randes der
geschmolzenen Zone von der Induktionsspule. Diese Betrachtungen gelten aber nur so lange, als keine
><> besonderen Stützfelder im Spiel sind. Es empfiehlt sich
deshalb, zum Zwecke der Steuerung von γ und β die Abstände der beiden Stabteile 1 und Z zum Zwecke der
Steuensng von λ und β die Beheizung der Schmeizzone
zu regeln.
Die Problematik des Auftretens unrunder Stäbe, die insbesondere beim Herstellen versetzungsfreier Stäbe
gegeben ist, läßt sich beispielsweise dadurch umgehen,
daß man die Abtastung nach Ermittlung der Lage der »Beule« synchron mit der Rotation des zonenzuschmel-Mi
zenden Stabes, insbesondere des aus der geschmolzenen Zone auskristallisierenden Stabteils, vornimmt, derart,
daß immer kleinste Durchmesser als Meß- und Regelgröße betrachtet wird. Ebenso ist zu vermuten,
daß das Auftreten wulstartiger Ringe bei entsprechen ·>■· der Programmierung der horizontalen Spulenlage
weitgehend vermieden werden kana
Es erscheint, wie bereits erwähnt, zweckmäßig, die
Informationsverarbeitung digital aufzubauen, zumal die
Fernsehkamera die Durchmesser durch Auszählen der Schmelzzonenbreite und damit in digitaler Form liefert
Ebenso ist die Generatorfrequenz am zweckmäßigsten durch Zählung zu ermitteln. Schließlich kann auch die
der Schmelzzone bzw. der Heizvorrichtung zugeführte Energie mit einem Digitalvoltmeter einfach in dieser
Form dargestellt werden.
Claims (2)
1. Verfahren zur Durchmesserregelung beim tiegellosen Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, s
bei dem das BOd der den vertikal gehalterten Halbleiterstab durchwandernden Schmelzzone unter
konstant gehaltenen Bedingungen von einer Fernsehkamera aufgenommen und mittels eines
Elektronenstrahls längs äquidistanter, paralleler und zum Bild der Achse der Schmelzzone senkrecht
orientierter Abtastzeilen unter Abgabe je eines Impulses pro Abtastzeile und Abtasizykias abgetastet
und dabei die Länge der Impulse der durch das Bild der Rekristallisationsgrenze der Schmelzzone is
geführten Abtastzeile als Istwert mit dem Sollwert verglichen und die Regelabweichung bestimmt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz
der Länge des dem Bilde der Kristallisationsgrenze zugeordneten Impulses und der Länge des
Impulses der benachbarten, der Schmelzzone zugeordneten Abtastzeile bestimmt wird, daß
außerdem die Differenz der Längen zweier weiterer benachbarter, der Schmelzzone jenseits ihrer Ausbuchtung
zugeordneten Abtastzeilen bestimmt wird, und daß diese Differenzen als Istwerte mit den
Sollwerten verglichen und die Regelabweichung bestimmt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer induktiv beheizten, von unten
nach oben geführten Schmelzzone an Stelle der Bilder der jenseits ihrer Ausbuchtung liegenden
Schmelzzone diejenigen der gegenüberliegenden Kristall/Schmelzzonen-Grenze zugrunde gelegt
werden.
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DE102012108009B4 (de) * | 2012-08-30 | 2016-09-01 | Topsil Semiconductor Materials A/S | Modellprädiktive Regelung des Zonenschmelz-Verfahrens |
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GB1373718A (en) | 1974-11-13 |
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