DE2109300A1 - Formation of masking, passivating or doping coatings - or contacts - on surfaces of semiconductors - Google Patents

Formation of masking, passivating or doping coatings - or contacts - on surfaces of semiconductors

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Abstract

Coatings on Si, Ge or AIII BV monocrystals are produced by preparing a soln. or suspension of the coating material in the elemental form or as a cpd.; finely dispesing the soln. or suspension in a carrier gas stream (e.g. N2 or Ar); introducing the gas stream into a furnace to evaporate the solvent; and depositing the dispersed particles onto the surface to be coated. Opt. a further cpd., e.g. a reducing gas can be introduced to react with the particles prior to their deposition and to reduce them e.g. to the metallic state. By this method nonvolatile or scarcely volatile coating materials can be finely dispersed. The method can also be applied in the prodn. of condensers, resistors and printed circuits.

Description

Verfahren zum Herstellen von als Mæskierunge-, Passivierungs-, Kontaktierungs- und Dotierungsschichten zu verwendenden Belegungen auf Halbleiterkristalloberflächen Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von als Maskierungs-, Passivierungs-, Koiitaktlerungs-und Dotierungsschichten zu verwendenden Belegungen auf Oberflächen von Halbleiterkristallen1 insbesondere aus einkristallinem Silicium, Germanium oder einer AIIIBV-Verbindung.Process for producing mæskierung-, passivation-, contacting- and coatings to be used on semiconductor crystal surfaces The present invention relates to a method for producing as masking, Passivation, coordination and doping layers to be used on the surfaces of semiconductor crystals1 in particular made of single-crystal silicon, Germanium or an AIIIBV compound.

Das Belegen von Halbleiterkristallscheiben mit Dotierungs", Maskierungs-, Passivierungs- und Kontaktierungsschichten für die Fertigung von Halbleiterbauelementen, z. B. für eine anschließende Diffusion, wird im allgemeinen in einer mit dem Stoff erfüllen Atmosphäre durchgeführt. Die Anzahl der Kristallscheiben, die in einem Arbeitsgang gleichzeitig belegt werden können, ist durch den Abstand, den die Scheiben voneinander-haMen müssen, mehr oder weniger begrenzt, je nachdem, wie hoch die Anforderungen an die Gleichmäßigkeit der Belegungen sind. Für Halbleiterbaue3.emente mit hoher Leistung, welche relativ große Abmessv.ngen aufweisen, ist dieser Arbeitsgang daher sehr teuer, da nur eine geringe Anzahl von Kristallscheibe gleichzeitig belegt werden kann.The covering of semiconductor crystal wafers with doping, masking, Passivation and contacting layers for the manufacture of semiconductor components, z. B. for subsequent diffusion, is generally in one with the substance meet atmosphere carried out. The number of crystal disks in one Operation can be occupied at the same time, is by the distance that the panes must be more or less limited, depending on how high the requirements are the evenness of the occupancies. For semiconductor components with high This work step is therefore services that have relatively large dimensions very expensive, since only a small number of crystal slices are occupied at the same time can.

Außerdem sind in vielen Fällen keine geeigneten gasförmigen oder leicht flüchtigen Verbindungen zur Hand. Die Heranziehung komplizierter oder schwer zu handhabender Verbindungen wird erforderlich oder man muß ganz auf Gasphasendiffusion verzichten und Pulververfahren etc. einsetzen. Ebenso können Gläser, die aus mehreren Komponenten bestehen, üblicherweise gar nicht auf Haibleiteroberflächen aufgebracht werden, da die einzelnen Komponenten zu schwer oder zu unterschiedlich flüchtig sind.In addition, in many cases they are not suitable gaseous or light ones volatile compounds at hand. The attraction more difficult or difficult to handling compounds is required or one must rely entirely on gas phase diffusion do without and use powder processes etc. Likewise, glasses made up of several Components consist, usually not at all on semiconductor surfaces applied because the individual components are too heavy or too different are volatile.

Die vorliegende Erfindung dient zur Lösung der Aufgabe, in einfacher und rationeller Weise Belegungen auf Halbleiterkristalloberflächen aufzubringen, welche für spätere Diffusionsprozesse oder zur Kontaktierung dienen sollen.The present invention serves to solve the problem in a simple and in a rational way to apply coatings to semiconductor crystal surfaces, which are to be used for later diffusion processes or for contacting.

Bei dem zuletzt genannten Verwendungszweck ist es von großer Wichtigkeit, daß die Haftfestigkeit und damit die Kontaktierbarkeit von Metallisierungen auf Halbleiteroberflächen verbesser-t werden.For the latter purpose, it is of great importance that the adhesive strength and thus the contactability of metallizations Semiconductor surfaces are improved.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird erf:indungsgemäß vorgeschlagen, daß der für die 3elegung vorgesehene Stoff in elementarer Form oder als Verbindung in einem Lösungsmittel gelöst oder suspendiert wird, daß durch Versprühen mittels eines Trägergasstroms der Stoff in Form feinster Tröpfchen als Aerosol mit dem Trägergasstrom mitgeführt wird, daß dann das Löuiigsmittel durch Einleiten des Trägergasstroms in einer auf Reaktionstemperatur erhitzen Zone eines Ofens restlos verdampft und der Stoff der zu belegenden Oberfläche in elementarer Form angeboten wird.To solve this problem, it is proposed according to the invention that the material intended for the 3laying in elementary form or as a connection in a solvent is dissolved or suspended that by spraying by means of a Carrier gas flow of the substance in the form of very fine droplets as an aerosol with the carrier gas flow is carried along that then the Löuiigsmittel by introducing the carrier gas flow evaporated completely in a zone of a furnace heated to the reaction temperature and the material of the surface to be covered is offered in elementary form.

Es liegt im Rahmen der sorniegenden Erfindung, daß der heißen Reaktionszone mindestens eine weitere Verbindung zugeführt wird, welche mit dem vom Lösungsmittel befreiten Stoff in Reaktion tritt.It is within the scope of the present invention that the hot reaction zone at least one other compound is supplied, which with that of the solvent released substance reacts.

Für spezielle Anwendungszwecke ist es sehr vorteilhaft, wenn der heißen Reaktionazone ein reduzierend wirkendes Gas zugeführt wird, wodurch der vom Lösungsmittel befreite Stoff zu Metall reduziert wird.For special purposes it is very advantageous if the hot Reaction zone a reducing gas is supplied, whereby the solvent freed substance is reduced to metal.

Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel nach der lehre der Erfindung wird der vom Lösungsmittel befreite Stoff über eine Düse auf die erhitzte Halbleiteroberfläche geblasen, wo er durch Legieren oder Sintern in eine zusammenhängende Schicht übergeführt wird.According to a particularly favorable embodiment according to the teaching According to the invention, the substance freed from the solvent is applied to the heated via a nozzle Blown semiconductor surface, where it is joined by alloying or sintering Shift is transferred.

Außerdem hat es sich auch als zweckmäßig erwiesen, wenn der als Aerosol vorliegende Stoff vor dem Verdampfen des Lösungsmittels gegen eine Prallplatte geblasen wird, wodurch die größeren Tropfohen abgefangen werden können.In addition, it has also proven to be useful when the as an aerosol the substance present is blown against a baffle plate before the solvent evaporates so that the larger drips can be caught.

Als Reaktionsraum wird zweckmäßigerweise ein Einzonenrohrofen verwendet; als Trägergas ein inertes Gas wie beispielsweise Stickstoff oder Argon.A single-zone tube furnace is expediently used as the reaction space; an inert gas such as nitrogen or argon as the carrier gas.

Zur Darstellung von Gläsern und Metallegierungen auf Halbleiterkristalloberflächen können nach der Lehre der Erfindung die entsprechenden Tösungsgemische und/oder Gemische von Suspensionen versprüht werden. So wird beispielsweise zur Herstellung einer Gold-Silber-Legierung eine Mischung von wässriger Ohlorogolasäure (HAuCl4) mit Silberammonchlorid (Ag(NH3)2Cl) in entsprechendem Verhältnis in Gegenwart von Wasserstoff und/oder Ammoniak versprüht. Zur Herstellung einer Platinschicht mtird beispielsweise Hexachloroplatinsäure (H2PtCl6) -Lösung in Gegenwart von Wasserstoff versprüht. Zur Herstellung einer aus einer Legierung von Silber, Gold und Platin bestehenden Schicht werden wässrige Lösungen von Silberammonchlorid, Chlorogoldsäure und Hexachloroplatinsäure im entsprechenden Verhältnis gemischt in Gegenwart von Wasserstoff und Ammoniak versprüht.For the representation of glasses and metal alloys on semiconductor crystal surfaces can according to the teaching of the invention, the corresponding solution mixtures and / or Mixtures of suspensions are sprayed. For example, for manufacturing a gold-silver alloy a mixture of aqueous ohlorogolic acid (HAuCl4) with silver ammonium chloride (Ag (NH3) 2Cl) in the corresponding ratio in the presence of Sprayed hydrogen and / or ammonia. Used to produce a platinum layer for example hexachloroplatinic acid (H2PtCl6) solution in the presence of hydrogen sprayed. To make one from an alloy of silver, gold and platinum existing layer are aqueous solutions of silver ammonium chloride, chloroauric acid and hexachloroplatinic acid mixed in the appropriate ratio in the presence of Hydrogen and ammonia sprayed.

So lassen sich durch Wechseln der Lösung oder Suspension aufeinanderfolgende Schichten unterschiedlicher Zusammensetzung herstellen. Durch entsprechende Auswahl oder Zumischungen zum Trägergas können im Gasraum, besonders in der heißen Zone, chemische Reaktionen ablaufen, die zu Belegungen mit neuen Verbindungen führen; so kann z. 3. zur Abscheidung von Arsensulfidglas auf Siliciumoberflächen eine Arsenoxidlösung versprüht werden und dabei Schwefelwasserstoff zum Trägergas zugemischt werden.So you can change the solution or suspension successive Produce layers of different compositions. By appropriate selection or admixtures to the carrier gas can be in the gas space, especially in the hot zone, chemical reactions take place that lead to assignments with new compounds; so can z. 3. an arsenic oxide solution for the deposition of arsenic sulfide glass on silicon surfaces are sprayed and hydrogen sulfide are added to the carrier gas.

Eine weitere Möglichkeit ist nach der Lehre der Erfindung dadurch gegeben, daß zur Dotierung von Silicium mit Antimon Ammonlumantimonit oder Ammoniumantimonat in wässriger Lösung als Aerosol mit dem Trägergasgemisch mitgeführt wird, dann gegen eine Prallplatte geblasen wird und der Aerosolgasstrom in einen auf Diffusionstemperatur erhitzten, mit Siliciumkristallscheiben beschickten Diffusionsofen eingeleitet wird.According to the teaching of the invention, this is another possibility given that for doping silicon with antimony ammonium antimonite or ammonium antimonate is carried along in aqueous solution as an aerosol with the carrier gas mixture, then against a baffle plate is blown and the aerosol gas flow into a diffusion temperature heated diffusion furnace charged with silicon crystal wafers is introduced.

Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung gelingt es, in einfacher und reproduzierbarer Weise nicht- oder nur relativ schwer flüchtige Substanzen schon bei Raumtemperatur einem Gas strom definiert zuzuführen und anschließend restlos zu verdampfen. Die Verwendung von Einzonenöfen sowie leicht zugänglicher, gefahrlos zu handhabender Dotierungsverbindungen ist damit möglich.The method according to the teaching of the invention makes it possible in a simple manner and in a reproducible way non-volatile or only relatively poorly volatile substances do at room temperature to feed a gas stream defined and then completely to evaporate. The use of single-zone ovens, as well as easily accessible, safe Doping compounds to be handled are thus possible.

Das Verfahren nach der Lehre der BrSindung läßt sich deshalb in besonders vorteilhafter Weise verwenden zur Herstellung von Metallkontakten auf freien und mit Maskierungs- oder Schutzschichten (SiO2, 5i3N4) bedeckten Halbleiterkristalloberflächen, weiter zur Herstellung von Schutzschichten selbst und ganz besonders zur Herstellung von diffundierten Zonen in Halbleiterkörpern.The method according to the doctrine of the bond can therefore be in particular Use advantageously for the production of metal contacts on free and semiconductor crystal surfaces covered with masking or protective layers (SiO2, 5i3N4), further to the production of protective layers themselves and especially to the production of diffused zones in semiconductor bodies.

Das Verfahren gestattet die einfache Herstellung mehrer dicker Metallschichten, welche sich wegen ihres außerordentlich guten Haftvermögens durch eine gute Kontaktierbarkeit auszeichnen. Ein weiterer Vorteil gegenüber den durch bekannte Verfahren hergestellten Belegungen ist die Gleichmäßigkeit in der Ausbildung der Schicht. Die Schichten sind deshalb besonders gut geeignet zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere pnp- bzw. npn-Siliciumtransistoren sowie integrierten Schaltungen.The process allows the simple production of several thick metal layers, which because of their extraordinarily good adhesion through good contactability distinguish. Another advantage over those made by known methods Allocations is the evenness in the formation of the layer. The layers are therefore particularly well suited for the production of semiconductor components, in particular pnp or npn silicon transistors and integrated circuits.

Seine Anwendungsweise ist aber nicht allein auf die Halbleitertechnik beschränkt, sondern läßt sich mit gleichem Vorteil auch für die Herstellung von Kontaktschichten und Isolationsschichten bei elektrischen Kondensatoren und Widerständen einsetzen.Its application is not limited to semiconductor technology limited, but can be used with the same advantage for the production of Contact layers and insulation layers in electrical capacitors and resistors insert.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels wird nunmehr auf die Figuren 1 und 2 der Zeichnung Bezug genommen.To further explain the invention using an exemplary embodiment Reference is now made to Figures 1 and 2 of the drawing.

Fig. 1 zeigt eine zur Herstellung einer Antimondiffusion in Silicium verwendete Apparatur gemäß vorliegender Erfindung.Fig. 1 shows one for producing an antimony diffusion in silicon apparatus used according to the present invention.

Fig. 2 zeigt im Schnittbild eine in dieser Apparatur mit einer antimonhaltigen Glasschicht versehene Siliciumkristallscheibe.Fig. 2 shows a sectional view of one in this apparatus with one containing antimony A silicon crystal wafer with a glass layer.

Fig. 1: Eine 1%ige Lösung von Ammoniumantimonit 1 befindet sich in einem mit einem Steigrohr 2 versehenen Vorratsgefäß 3.Fig. 1: A 1% solution of ammonium antimonite 1 is in a storage vessel 3 provided with a riser pipe 2.

Durch Zuführen eines aus Stickstoff oder Argon bestehenden, über den Hahn 15 und den Strömungsmesser 16 auf eine Strömungsgeschwindigkeit von 1ol/min. eingestellten Trägergasstroms wird diese Lösung mit 1% Sauerstoff über den Hahn 17 durch die Düse 4 gegen eine im Reaktionsgefäß 6 mittels einer Halterung 7 befestigte Prallplatte 5 gesprüht und zerstäubt. Während die getrennt zerstäubten (großen) Lösungströpfchen über die Wandung des Reaktionsgefäßes 6 und das Rohr 8 in das Vorratsgefäß 3 zurückfließen, werden die feinst verteilten Lösungströpfchen aus Ammoniumantimonit mittels des Trägergasstroms (Pfeile 9) über die Schliff.- oder Flanschverbindung 1o in den für die Diffusion vorgesehenen Ofenraum 11, in diesem Falle ein Diffusionsrohr aus Quarz mit 60 mm lichter Weite und looo mm Länge, gebracht. In diesem Quarzrohr 11 befinden sich auf einer Stapelvorrichtung 12 in Form eines Quarzschlittens die zu diffundierenden bzw zu belegenden Siliciumkristallscheiben 13. Das Quarzrohr 11 ist mittels eines Heizofens (nicht dargestellt) auf eine Länge von 500 mm auf 12oo0C beheizbar. Beim Einströmen des mit der Ammoniumantimonitlösung beladenen Trägergas stroms in die heiße Ofenzone verdampft zunächst der Wasseranteil des Lösungsmittels, anschließend zersetzt sich das Ammoniumantinonit in Ammoniakgas, Wasserdampf und bei l2oo0C in gasförmiges Antimontrioxid. Das gasförmige Antimontrioxid reagiert mit der Oberfläche der Siliciumkristallscheiben in Gegenwart von Sauerstoff unter Bildung einer So203 - SiO2-Glasschicht,welche dann als feste Diffusionsquelle fungiert, indem Antimon in bekannter Weise in die Siliciumeinkrlstallscheiben eindiffundiert wird.By supplying an existing nitrogen or argon, over the Tap 15 and the flow meter 16 to a flow rate of 1ol / min. If the carrier gas flow is set, this solution is supplied with 1% oxygen via the tap 17th through the nozzle 4 against one in the reaction vessel 6 by means of a Bracket 7 attached baffle plate 5 sprayed and atomized. While the separated atomized (large) solution droplets over the wall of the reaction vessel 6 and the pipe 8 flow back into the storage vessel 3, the finely distributed solution droplets are from ammonium antimonite by means of the carrier gas flow (arrows 9) over the cut. or flange connection 1o in the furnace space 11 provided for the diffusion, in in this case a diffusion tube made of quartz with 60 mm clear width and 100 mm length, brought. In this quartz tube 11 are located on a stacking device 12 in The silicon crystal wafers to be diffused or to be coated are in the form of a quartz slide 13. The quartz tube 11 is cut to length by means of a heating furnace (not shown) heatable from 500 mm to 12oo0C. When flowing in with the ammonium antimonite solution When the loaded carrier gas flows into the hot furnace zone, the water content first evaporates of the solvent, then the ammonium antinonite decomposes in ammonia gas, Water vapor and at l2oo0C in gaseous antimony trioxide. The gaseous antimony trioxide reacts with the surface of the silicon crystal wafers in the presence of oxygen forming a So203 - SiO2 glass layer, which then acts as a solid diffusion source functions by the fact that antimony diffuses into the silicon crystal wafers in a known manner will.

Fig. 2 zeigt eine gemäß der Erfindung mit einer Antimonglasschicht 14 belegte Siliciumkristallscheibe 13.Fig. 2 shows one according to the invention with an antimony glass layer 14 coated silicon crystal wafer 13.

2 Figuren 14 Patentansprüche2 Figures 14 claims

Claims (14)

Patentans#rüche 1. Verfahren zum Herstellen von als Maskierungs-, Passivierungs-, Kontaktierungs- und Dotierungeschichten zu verwendenden Belegungen auf Oberflächen von Halbleiterkristallen, insbesondere aus einkristallinem Silicium, Germanium oder einer Ai V-Verbindung, dadurch gekennzeichnet, daß der für die Belegung vorgesehene Stoff in elementarer Form oder als Verbindung in einem Lösungsmittel gelöst oder suspendiert wird, daß durch Versprühen mittels eines Trägergasstroms der Stoff in Form feinster Tröpfchen als Aerosol mit dem Trägergasstrom mitgeführt wird, daß das Löungsmittel durch Einleiten des Trägergasstroms in eine auf Reaktionstemperatur erhitzte Zone eines Ofens restlos verdampft und der Stoff der zu belegenden Oberfläche in elementarer Form angeboten wird. Claims 1. Method for producing masking, Passivation, contacting and doping layers to be used on surfaces of semiconductor crystals, in particular made of single-crystal silicon, Germanium or an Ai V compound, characterized in that the for the occupancy intended substance in elemental form or as a compound in a solvent is dissolved or suspended that by spraying by means of a carrier gas stream the substance in the form of very fine droplets is carried along with the carrier gas stream as an aerosol is that the solvent by introducing the carrier gas stream into a reaction temperature The heated zone of an oven is completely evaporated and the material of the surface to be covered is offered in elementary form. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der heißen Reakt-onszone mindestens eine weitere Verbindung zugeführt wird, welche mit dem vom Lösungsmittel befreiten Stoff in Reaktion tritt.2. The method according to claim 1, characterized in that the hot Reaction onszone at least one further compound is fed, which with the The substance freed from the solvent reacts. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der heißen Reaktionszone ein reduzierend wirkendes Gas zugeführt wird, wodurch der vom Lösungsmittel befreite Stoff zu Metall reduziert wird.3. The method according to claim 1 and / or 2, characterized in that a reducing gas is fed to the hot reaction zone, whereby the The substance freed from the solvent is reduced to metal. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der vom Lösungsmittel befreite Stoff über eine Düse auf die erhitzte Halbleiteroberfläche geblasen wird, wo er durch Legieren oder Sintern in eine zusammenhängende Schicht übergeführt wird.4. The method according to claim 1 to 3, characterized in that the Substance freed from the solvent via a nozzle onto the heated semiconductor surface is blown, where it is formed into a cohesive layer by alloying or sintering is convicted. 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der als Aerosol vorliegende Stoff vor dem Verdampfen des Lösungsmittels gegen eine Prallplatte geblasen wird.5. The method according to claim 1 to 4, characterized in that the Substance present as an aerosol against a baffle plate before the solvent evaporates is blown. 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Reaktionsraum ein Einzonenrohrofen verwendet wird.6. The method according to claim 1 to 5, characterized in that as Reaction chamber a single zone tube furnace is used. 7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägergas ein inertes Gas wie beispielsweise Stickstoff oder Argon verwendet wird.7. The method according to claim 1 to 6, characterized in that as Carrier gas an inert gas such as nitrogen or argon is used. 8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Darstellung von Gläsern und Metallegierungen auf Halbleiterkristalloberflächen die entsprechenden Lösungsgemische und/oder Gemische von Suspensionen versprüht werden.8. The method according to claim 1 to 7, characterized in that for Representation of glasses and metal alloys on semiconductor crystal surfaces appropriate mixtures of solutions and / or mixtures of suspensions are sprayed. 9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung eher Gold-Silber-Legierung eine Mischung von wässriger Ohlorogoldsäure (HAuC14) mit Snlbernmmonchlorid (Ag(NH3)2Cl) in entsprechendem Verhältnis in Gegenwart von Wasserstoff und/oder Ammoniak versprüht wird.9. The method according to claim 1 to 7, characterized in that for Manufacture rather gold-silver alloy a mixture of aqueous oxoauric acid (HAuC14) with Snlbernmonchlorid (Ag (NH3) 2Cl) in the corresponding ratio in the presence is sprayed by hydrogen and / or ammonia. 1o. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Platinsonicht Hexachloroplatinsäure (H2PtCl6)-Lösung in Gegenwart von Wasserstoff versprliht wird.1o. Method according to claim 1 to 7, characterized in that for Preparation of a platinum not hexachloroplatinic acid (H2PtCl6) solution in the presence is sprayed by hydrogen. 11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer aus einer Legierung von Silber, Gold und Platin bestehenden Schicht wassrige Lösungen von Silberammonchlorid (Ag(NH3)2Cl), Chlorogoldsäure (HAuCl4) und Hexachloroplatinsäure (H2PtCl6) im entsprechenden Verhältnis gemischt in Gegenwart von Wasserstoff und Ammoniak versprüht werden.11. The method according to claim 1 to 7, characterized in that for Production of a layer consisting of an alloy of silver, gold and platinum aqueous solutions of silver ammonium chloride (Ag (NH3) 2Cl), chloroauric acid (HAuCl4) and hexachloroplatinic acid (H2PtCl6) mixed in the appropriate ratio in the presence are sprayed by hydrogen and ammonia. 12. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Arsensulfidglasschicht auf Siliciumoberflächen dem mit der Arsenverbindung beladenen Trägergasstrom Schwefelwasserstoff zugemischt wird 12. The method according to claim 1 to 7, characterized in that for Production of an arsenic sulfide glass layer on silicon surfaces with the arsenic compound loaded carrier gas stream is admixed with hydrogen sulfide 13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Dotierung von Silicium mit Antimon Ammoniumantimonit oder Ammoniumantimonat in wässriger Lösung als Aerosol mit dem Trägergasstrom mitgeführt, gegen eine Prallplatte geblasen und der Aerosolgasstrom in einen auf Diffusionstemperatur erhitzten, mit Siliciumkristallscheiben beschickten Diffusionsofen eingeleitet wird.13. Procedure according to Claims 1 to 7, characterized in that for doping silicon with antimony Ammonium antimonite or ammonium antimonate in aqueous solution as an aerosol with the Carrier gas flow carried along, blown against a baffle plate and the aerosol gas flow in a heated to diffusion temperature, charged with silicon crystal wafers Diffusion furnace is initiated. 14. Halbleiterbauelement, insbesondere pnp- bzw. npn-Silieiumw transistor sowie integrierte Schaltungen, hergestellt nach einem Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13.14. Semiconductor component, in particular pnp or npn silicon transistor and integrated circuits manufactured by a method according to at least any one of claims 1 to 13. LeerseiteBlank page
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