DE2064470A1 - Device for exchanging matter between a carrier gas and a substrate surface - Google Patents

Description

Vorrichtung zum Austausch von Materie zwischen einem Trägergas und einer SubstratflächeDevice for the exchange of matter between a carrier gas and a substrate area

Bei der Herstellung elektronischer Bauteile hat die Massenfabrikation von integrierten Halbleiter schaltungen in letzter Zeit eine grosse Bedeutung erlangt. Die Einführung integrierter Schaltungen in der Industrie brachte eine Nachfrage nach neuen Methoden und Apparaten für die Herstellung grosser Stückzahlen bei stets steigenden Anforderungen an die Qualität.In the production of electronic components, mass production has of integrated semiconductor circuits has recently been of great importance attained. The introduction of integrated circuits in the industry brought a demand for new methods and apparatus for the production of large quantities with ever increasing requirements of the quality.

109828/1358109828/1358

2Ü644702Ü64470

Die Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung die unter .Umständen· eine grosse Anzahl verschiedener Elemente enthält erfordert normalerweise zahlreiche Verfahrensschrittc. Da . · Fehler oder Toleranzüberschreitungen bei jedem einzelnen Schritt zu Ausschuss führen können, müssen diese Schritte so ausgeführt werden, dass dabei gut reproduzierbare Resultate bei einem ver-P -tretbaren Aufwand entstehen.The manufacture of an integrated semiconductor circuit which, under certain circumstances, contains a large number of different elements usually requires numerous process steps c. There . · Errors or excess tolerances in each individual step can lead to rejects, these steps must be carried out in this way that well reproducible results are achieved with a reasonable effort.

Sehr häufig werden bei der Herstellung integrierter Schaltungen Verfahren zur Oxydation, zur Diffusion, zum epitaktischen Niederschlag und zum Aetzen von Halbleitermaterial benötigt. All diese Verfahren können als Austausch von Materie.zwischen einem Trägergas und einer Substratfläche verstanden werden, denn sie benützen alle, wie z.B. der Niederschlag aus der Dampf-In the manufacture of integrated circuits, processes for oxidation, diffusion and epitaxial deposition are very common and needed for etching semiconductor material. All of these processes can be considered an exchange of matter. Between a carrier gas and a substrate surface, because they all use, such as the precipitation from the steam

P phafje oder die Dampfätzung die Berührung zwischen einem gasförmigenP phafje or the vapor etching the contact between a gaseous

Medium und einem festen Substrat, auf dem entweder Materie niedergeschlagen oder von welchem Materie entfernt wird.Medium and a solid substrate on which either matter is deposited or from which matter is removed.

Ueblicherweise werden für Verfahren der genannten Art Reaktionen in geschlossener oder offener Röhre benützt. BeideFor processes of the type mentioned, reactions in closed or open tubes are usually used. Both

.109828/1358.109828 / 1358

BU 9-69-007 - ?. -BU 9-69-007 -?. -

2Q6AA702Q6AA70

Methoden werden sowohl im Laboratorium als auch in der
Fabrikation noch heute häufig angewendet. Beim Verfahren
der geschlossenen Röhre werden die Substrate zusammen mit gewissen Reaktionsmaterialien in eine Quarzröhre eingeschlossen. Die Röhre wird auf Reaktionstemperatur gebracht, unter Umständen werden die in der Röhre befindlichen Objekte individual} ζ. B. durch Hochfrequenzheizung erwärmt, wodurch bei richtigter Einhaltung aller Parameter die gewünschte Reaktion in Gang kommt. Die Methode arbeitet relativ langsam und das Einsetzen und
Herausnehmen der Arbeitsobjekte in die Röhre ist recht umständlich. Man ist deshalb mehr und mehr zur Methode der offenen Röhre übergegangen; bei der Reaktionsgase kontinuierlich durch die Röhre geleitet werden. Dabei kann über längere Zeit eine bestimmte Konzentration der benötigten Gase aufrechterhaltenMethods are used both in the laboratory and in the
Fabrication is still widely used today. In the process
In the closed tube, the substrates are enclosed in a quartz tube together with certain reaction materials. The tube is brought to the reaction temperature; the objects in the tube may become individual} ζ. B. heated by high-frequency heating, whereby the desired reaction is set in motion if all parameters are correctly observed. The method works relatively slowly and the onset and
Removing the work objects into the tube is quite cumbersome. There has therefore been a more and more transition to the open-tube method; in which reaction gases are continuously passed through the tube. A certain concentration of the required gases can be maintained over a longer period of time

werden. Nachteilig ir,t hingegen, dass regelmäßig die Reaktionsgase der Länge nach durch die Röhre geleitet werden, weshalb ein Kom:i-ntrationsgefa'lle entlang dor Röhre entsteht. Objekte wie z.B. Substrate, die sicli in der Röhre befinden, erfahren
dadurch eine ungleichmässige Behandlung,will. A disadvantage, however, is that the reaction gases are regularly passed lengthwise through the tube, which is why a compression gap is created along the tube. Objects such as substrates, which are located in the tube, experience
thereby an uneven treatment,

H H/VAUH H H / VAUH

Es wurden bereits Vorschläge gemacht, diese Nachteile durch besonders genaue Steuerung der Reaktionstemperaturen sowie der Konzentration der Reaktionsroittcl zu beseitigen. Um die Wirkung von erschöpften Reaktionsgasen zu vermeiden, wurden eine Reihe von Röhren, Gefässen, usw. entwickelt, die den Durchfluss der Reaktionsgase so turbulent als möglich gestalten sollen. Man versuchte dadurch einen gleichmässigeren Niederschlag auf den Substraten zu erreichen. Damit gelang es zwar die benötigten Reaktionszeiten stark abzukürzen, das Problem des ungleichniässigen Niederschlages konnte jedoch nicht gelöst werden und die Produkte dieser Verfahren enthielten viel Ausschuss infolge von Toleranzüberschreitungen, ,Proposals have already been made to address these disadvantages through particularly precise control of the reaction temperatures as well the concentration of the reaction problems. In order to avoid the effects of exhausted reaction gases, were developed a series of tubes, vessels, etc., which the The flow of the reaction gases should be as turbulent as possible. An attempt was made to achieve a more even precipitation on the substrates. With that it succeeded to shorten the required reaction times significantly, but the problem of uneven precipitation could not be solved and the products of these processes contained a lot of rejects as a result of tolerance excesses,,

Neuerdings wurden darüber hinaus Systeme vorgeschlagen, in denen kontinuierlich ein oder mehrere Verfahrensschritte ausgeführt werden können. Diese kontinuierlich arbeitenden Systeme benötigen komplizierte Isolationsvorrichtungen am Eingang und Ausgang sowie zwischen verschiedenen Reaktionskammern,In addition, systems have recently been proposed in which one or more process steps can be carried out continuously. These continuously working systems require complicated isolation devices at the entrance and exit as well as between different reaction chambers,

■-.;■■■--·■ - .; ■■■ - ·

Inertgasvorhänge, Vakuumkammern, meist in Verbindung mit _# Inert gas curtains, vacuum chambers, mostly in connection with _#

Labyrinthen usw. wurden vorgeschlagen, die sich jedoch alle als unzuverlässig, schwer zu handhaben und zu aufwendig erwiesen haben.Labyrinths etc. have been suggested, but all of them turn out to be have proven to be unreliable, difficult to use, and burdensome.

BU 9-69-007BU 9-69-007

t3Itt3It

BAD ORIGiNALORIGINAL BATHROOM

J." fl!»¹! ψΜ ρ; ρ <;'ψίψψ^] :" r J. "fl!" ¹ ! ΨΜ ρ; ρ <;'ψίψψ ^] : " r

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neue Vorrichtung zur kontinuierlichen Ausführung der genannten Verfahren zu schaffen, die gleichförmigere Produkte bei engeren Toleranzen liefert. Dabei soll ein gleichförmiger Durchfluß der Produkte möglich sein, ohne die Notwendigkeit besonderer Isolatiorg&tufen.The invention is based on the object of a new device for continuous execution of the processes mentioned to create the delivers more uniform products with tighter tolerances. One should uniform flow of the products may be possible without the need for special isolation levels.

Die die genannten Eigenschaften aufweisende Vorrichtung stellt im wesentlichen ein an sich bekanntes Reaktions system für Halbleitersubstanzen dar und ist gekennzeichnet durch eine gleichrichtende Filterröhre zur Erzeugung einer im wesentlichen laminaren Gasströmung innerhalb der Reaktionszone über den Substratflächen.The device having the properties mentioned is essentially a known reaction system for semiconductor substances and is characterized by a rectifying filter tube for creating a substantially laminar gas flow within the reaction zone over the substrate surfaces.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:An embodiment of the invention is shown in the drawings and is described in more detail below. Show it:

Fig. 1 eine Gesamtansicht eines Reaktions systems zur DurchFig. 1 is an overall view of a reaction system for through

führung epitaktischer Reaktionen;conducting epitaxial reactions;

Fig. 2 schematisch eine Seitenansicht eines Teiles der NiederFig. 2 schematically shows a side view of part of the lower

schlagszone des in Fig. 1 gezeigten Gerätes;impact zone of the device shown in Figure 1;

Fig. 3 schematisch eine vertikale Schnittansicht der in Fig. 2FIG. 3 schematically shows a vertical sectional view of the one in FIG. 2

gezeigten Niederschlagszone mit dem Geschwindigkeitsprofil des reagierenden Gases unter idealen Bedingungen; Deposition zone shown with the velocity profile of the reacting gas under ideal conditions;

/ 109828/13 5 8/ 109828/13 5 8

{ BU 9-69-007 - ⁵ -{BU 9-69-007 - ⁵ -

Fig, 4 eine Kurve, in welcher die Wachstumsgeschwindigkeit des Niederschlages als Funktion der Entfernung aufgezeichnet ist;Fig. 4 is a graph in which the growth rate precipitation is recorded as a function of distance;

Fig. 5 eine schcmatische Gesamtansicht der in Fig. 1 gezeigten Einrichtung;Fig. 5 is a schematic overall view of the device shown in Fig. 1;

Fig. 6 eine genaue Ansicht des Eingangs der in Fig. 1 gezeigten Einrichtung;Figure 6 is a detailed view of the entrance of the device shown in Figure 1;

Fig. 7 eine genaue Schnittansicht der Einrichtung.der Fig. 1 entlang der Linie 7-7 undFig. 7 is a detailed sectional view of the device Fig. 1 along the line 7-7 and

Fig. 8 eine teilweise Schnittansicht der Innenseite derFig. 8 is a partial sectional view of the inside of the

Vorheizzone und eines Teiles der Niederschlags- -_t zone entlang der Linie 8-8 in Fig. 7, gesehen vonPreheating zone and a portion of the precipitation - _t zone along the line 8-8 in Fig 7, seen from.

der Rückseite der in Fig. 1 gezeigten Einrichtung*the rear of the device shown in Fig. 1 *

Obwohl Verfahren und Einrichtung sich grundsätzlich auf zahlreiche Dampf-Transportprozesse anwenden lassen, wird mit dem Ausführungsbeispiel nur eine Reaktion beschrieben, und zwar die Reduzierung von Siliziumtetrachlorid durch Wasserstoff, beschrieben durch die Gleichung: SiCl + 2H Wärme Si * 4HGl.Although the procedure and establishment are basically numerous Let use steam transport processes, only one reaction is described with the embodiment, namely the Reduction of silicon tetrachloride by hydrogen by the equation: SiCl + 2H heat Si * 4HGl.

,^, ,.109828/1358, ^,, .109828 / 1358

BAt) ORIGINALBAt) ORIGINAL

BU 9-f>9-007 ' - 6 rBU 9-f> 9-007 '- 6 r

Die tatsächliche Reaktion ist komj>lexer vind hängt ab von den Konzentrationen der Reagenzien, der Temperatur, dem Druck und der Form des Reaktors, die alle zu verschiedenen Nebcnreaktionen führen können. Da die Reaktion umkehrbar ist, können mit ihr auch Aetzung und andere Massentransportprozesse durchgeführt werden. So ist z. B. die Disproportionierung, Zersetzung, Kondensation und das Kracken von Gasen möglich. Da eine Anzahl dieser Reaktionen auch umkehrbar ist, ist ausserdem die Entfernung von Material von Substratflächen, sowie der Niederschlag von Material möglich. Bei dieser Beschreibung ist es daher klar, dass jeder wärmeinduzierte Niederschlag von chemischen Dämpfen sowie Aetzverfahren eingeschlossen sein sollen.The actual reaction is komj> lexer vind depends on the Concentrations of the reagents, the temperature, the pressure, and the shape of the reactor, all of which lead to various side reactions being able to lead. Since the reaction is reversible, it can also be used for etching and other mass transport processes be performed. So is z. B. disproportionation, decomposition, Condensation and gas cracking possible. Furthermore, since a number of these reactions are also reversible the removal of material from substrate surfaces, as well as the deposition of material possible. With this description it is It is therefore clear that any heat-induced precipitation of chemical vapors and etching processes should be included.

In Fig. 1 ist eine Einrichtung zur Durchführung dieser Prozesse dargestellt und mit der Nr. 10 bezeichnet. Die rohrartige Einrichtung 10 hat einen rechteckigen Querschnitt, an einem Ende einen Eingang 12 und am anderen Ende einen Ausgang 14, die später beide noch genauer beschrieben werden. Der Mittelteil des Rohres 10 umfasst eine Kammer, die in drei Prozesszonen unterteilt ist, und zwar Vorwärm-, Niederschlag- und Abkühlungs-In FIG. 1, a device for carrying out these processes is shown and designated by the number 10. The pipe-like device 10 has a rectangular cross-section, at one end an input 12 and at the other end an output 14, the later both will be described in more detail. The middle part of the tube 10 comprises a chamber which is divided into three process zones is divided into preheating, precipitation and cooling

10 9 8 2 8/135810 9 8 2 8/1358

BADBATH

BU 9-69-007 - 7 -BU 9-69-007 - 7 -

zone. Eine Anzahl von Gaseinführungsröhren 16-24 ist für die Gaszufuhr zu den verschiedenen Zonen vorgesehen, Abgase verlassen das Prozessrohr durch die Abgasröhren 26, In einem Wassermantel fliesst Kühlwasser um, welches durch Wasser¹-eingangsrohre 28 zugeführt wird und durch Wasserauslaufrohre 30 wieder abläuft, die an der Ober- bzw, Unterseite des Prozessrohres 10 angebracht sind, Halbleitersubstrate werden auf Trägern 32 befestigt, die kontinuierlich durch das Prozessrohr 10 geführt werden können. Ausserdem ist eine Oeffnung 34 für die Betrachtung der Substrate während des Prozesses beim Durchlaufen der Niederschlagszone vorgesehen.Zone. A number of gas inlet pipes 16-24 are provided for the gas supply to the various zones, exhaust gases leave the process pipe through exhaust pipes 26, cooling water flows in a water jacket, which is ^{supplied through water 1} -input pipes 28 and runs off again through water outlet pipes 30, which are attached to the top or bottom of the process tube 10, semiconductor substrates are attached to carriers 32, which can be continuously guided through the process tube 10. In addition, an opening 34 is provided for viewing the substrates during the process as they pass through the precipitation zone.

Vor einer genaueren Beschreibung des in Fig. 1 gezeigten Prozessrohres wird zunächst seine Arbeitsweise allgemein beschrieben,Before a more detailed description of the process tube shown in FIG. 1 its working method is first described in general,

Fig. 2 zeigt schematisch eine Draufsicht einer idealen Nieder-Schlags- oder Dampftransportzone. Um ein in der Gasphase befindliches Reaktionsmaterial durch die Transportzone und über die ebene Oberfläche des Substrates 36 führen zu -können, ist eine Filterröhre mit einer Porengrösse von vorzugsweise 10 WiFig. 2 shows schematically a plan view of an ideal precipitation or steam transport zone. Around a reaction material in the gas phase through the transport zone and over the planar surface of the substrate 36 can lead to is one Filter tube with a pore size of preferably 10 Wi

imin the

109 8 28/1356109 8 28/1356

BU 9-69-007 · - 8 -BU 9-69-007 - 8 -

atis gefrittetem Quarz oder gesintertem reinem Stehl vorgesehen.atis fritted quartz or sintered pure steel.

Die Filter röhre verhält sich genauso wie ein klassischer poröserThe filter tube behaves just like a classic porous one

: Stopfen, Somit tritt bei den reagierenden Gasen keine Aenderung: Stopper, so there is no change in the reacting gases

der Enthalpie auf, während sie durch die Wandungen der Filterröhre strömen. Auf der ganzen Länge der Filterröhre 38 werden die reagierenden Gase gleichmässig in die Niederschlagszone geleitet und erzeugen dort eine laminare Strömung. Auf der gegenüberliegenden Seite der Zone ist ein Abgasleitblech 40 vorgesehen, welches von den reagierenden Gasen nach Ueberstreichen der Oberfläche des Substrates 36 umströmt wird. Das Abgasleitblech > 40 kann z, B. eine Filterplatte aus gesintertem Stahl sein, derenthe enthalpy on as it passes through the walls of the filter tube stream. The reacting gases are routed evenly into the precipitation zone along the entire length of the filter tube 38 and create a laminar flow there. On the opposite On the side of the zone, an exhaust gas baffle 40 is provided, which from the reacting gases after passing over the The surface of the substrate 36 is flowed around. The exhaust baffle> 40 can, for example, be a filter plate made of sintered steel

f Porösität ausreicht, einen Gegendruck zu erzeugen, der einigef porosity is sufficient to generate a back pressure that some

; Grössenordnungen über dem Druckabfall in Längsrichtung im; Orders of magnitude above the pressure drop in the longitudinal direction im

Abgasgehäuse 42 liegt. Das Abgasleitblech kann auch eine perforierte Stahlplatte mit etwa 150 Oeffnungen pro mm mit eineinExhaust housing 42 is located. The exhaust baffle can also be perforated Steel plate with about 150 openings per mm with one

_t Durchmesser von je 25 um sein, Das Filterrohr 38 und das _t diameter of 25 µm each, the filter tube 38 and the

Abgasleitblech 4.0 stellen zusammen eine Laminarströmung über der Oberfläche des Substrates 36 sicher, die durch die parallelen Exhaust baffle 4.0 together ensure a laminar flow over the surface of the substrate 36 through the parallel

xx Linien in F^g. 2 dargestellt ist.Lines in F ^ g. 2 is shown.

1098287 13581098287 1358

PU 9-69-007 - 9 - PU 9-69- 007 - 9 -

Fig,. 3 zeigt die Idealbedjngung einer Laminarströmung in einer vertikalen Ebene. Das Geschwindigkeitsprofil 44 zeigt, wie der diffusionsbegrenzte Transport stattfindet. Die Geschwindigkeit der reagierenden Gase ist an der Substratoberfläche Null und wird nach oben bis zu einer Höchstgeschwindigkeit zunehmendFig. 3 shows the ideal conditions of a laminar flow in one vertical plane. The velocity profile 44 shows how the diffusion-limited transport takes place. The speed of the reacting gases is zero at the substrate surface and is increasing upwards to a maximum speed

fe grosser. Von dem gasförmigen Material wird das Reaktionsprodukt auf der Substratoberfläche niedergeschlagen. Dadurch ergibt sich im Gas eine ungleiche Konzentration und eine Diffusion in Richtung auf den Niederschlagsbereich, d.h. auf die Substratoberfläche. Die Substrate werden durch nicht dargestellte Einrichtungen auf die gewünschte Reaktionstemperatur erwärmt und während die Reagenzien auf diese heisse Oberfläche hin diffundieren, durchlaufen sie einen Temperaturbereich, der an der Substrat-fe bigger. The reaction product of the gaseous material is deposited on the substrate surface. Through this the result is an uneven concentration in the gas and a diffusion in the direction of the precipitation area, i.e. on the substrate surface. The substrates are heated to the desired reaction temperature by means not shown and while the reagents diffuse towards this hot surface, they pass through a temperature range that is close to the substrate

b oberfläche ausreicht, um die gewünschte Reaktion erfolgen zub surface area is sufficient for the desired reaction to take place

lassen. Da die reagierenden Gase in laminarer Strömung über die Substratoberflächen geführt werden, lässt sich eine im wesentlichen gleichförmige ui>d regelbare Niederschlagsge.schwindigkeit auf- '' rechterhalten. Somit wird der Niederschlag oder andere Reaktionenpermit. Because the reactant gases are led in a laminar flow over the substrate surfaces can be a substantially uniform ui> d adjustable Niederschlagsge.schwindigkeit up 'get right'. Thus, the precipitate or other reactions

von Dampfphasen durch die Diffusionsgeschwindigkeit in die niedergeschlagene Grenzzone begrenzt. Da ohne Turbulenz; gearbeitet wird,of vapor phases by the diffusion rate into the precipitated Border zone limited. Since without turbulence; is being worked

,...,,., 109828/1358, ... ,,., 109828/1358

BU 9-69-007 - IO -BU 9-69-007 - IO -

können unvorlierschbare Unregelmässigkeiten im Strömungsmuster keine unregelmässigen Niederschläge an verschiedenen Stellen der Substratoberfläche hervorrufen.Unpredictable irregularities in the flow pattern can not cause irregular precipitation on different Create spots on the substrate surface.

Es ist zu beachten, dass einige der gasföx-migen Reagenzien axis dem Dampfstrom entfernt werden, «während dieser über das Substrat und den Träger streicht und daher die eigentliche Konzentration .der Reagenzien zur Entfernung vom ersten Niederschlagspunkt an umgekehrt proportional ist und dadurch die Diffusionsoder Niederschlagsgeschwindigkeit an den Punkten herabgesetzt wird, die von der Vorderkante des Substratträgers weiter entfernt sind, wie es in Fig, 4 dargestellt ist.It should be noted that some of the gaseous reagents are axis are removed from the vapor stream, while this is stroking the substrate and the carrier and hence the actual concentration . of the reagents is inversely proportional to the distance from the first point of precipitation and thereby reduces the rate of diffusion or precipitation at the points which are further away from the front edge of the substrate carrier, as shown in FIG.

In der in Fig. 4 gezeigten Kurve ist der Niederschlags-ZuwachsIn the curve shown in Fig. 4 is the precipitation increment

in Abhängigkeit von der Entfernung vom Beginn des Niederschlagesdepending on the distance from the beginning of precipitation

ι auf der ebenen Oberfläche des Substrates aufgezeichnet. Der höchste Zuwachs ist reaktionsbegrenzt und tritt nur auf, wenn die Konzentration der Gase konstant bleibt. Diese Bedingung ist aber nur am ersten Niederschlagspunkt gegeben, da die Konzentration danach abnimmt. Der Niederschlagszuwachs ist somitι recorded on the flat surface of the substrate. Of the the highest increase is reaction-limited and only occurs if the concentration of the gases remains constant. This condition is but only given at the first point of precipitation because the concentration thereafter decreases. The increase in precipitation is thus

. 9- 69- 00 7 * -U- . 9- 69- 00 7 * -U-

109828/ 1 3B8109828/1 3B8

BAD OR[QfNALBAD OR [QfNAL

206447Ö206447Ö

V09828/13Se _BÄD0RIQINAL V09828 / 13Se _BÄD0RIQINAL

I3U 9-^9-007 - 12 -I3U 9- ^ 9-007 - 12 -

diffusionsbegrenzt und abhängig von der Geschwindigkeit, mit j der sich die reagierenden Gase über die Substratoberfläche hindiffusion-limited and dependent on the speed with j the reacting gases spread over the substrate surface

■ ' ■"■ !■ '■ "■!

bewegen. Bei einer Geschwindigkeit von z.B. 10 cm/sec ist Imove. At a speed of e.g. 10 cm / sec, I.

der Niederschlag eine kurze Strecke hinter dem Beginn fast - * ί the precipitation a short distance behind the beginning almost - * ί

konstant, wie Punkt 41 zeigt. Wenn die Substrate nicht an der iconstant, as point 41 shows. If the substrates do not adhere to the i

Vorderkante des Substratträgers befestigt, sondern etwas nach · IFront edge of the substrate carrier attached, but somewhat after · I

hinten versetzt sind, wie es in den Fig. 2 und 3 dargestellt ist, fare offset at the rear, as shown in FIGS. 2 and 3, f

fällt das ganze Substrat in den flachen Teil 41 der Kurve. Im \ the whole substrate falls into the flat part 41 of the curve. In \

■ ; ;; ■ ^; ■ j■; ;; ■ ^; ■ j

Gegensatz zu einem Turbulenzsystem, das indem fast senkrechten \ In contrast to a turbulence system, which by almost vertical \

Teil der Kurve arbeitet, ist ein Laminar-Strömungssystem genauer 'Part of the curve is working, a laminar flow system is more accurate '

steuerbar und dadurch leichter reproduzierbar. Da die Kurve für |controllable and therefore easier to reproduce. Since the curve for |

den Niederschlag mit zunehmender Entferming ständig etwas [ the precipitation with increasing distance constantly a little [

abnimmt, werden die reagierenden Materialien vorzugsweise |decreases, the reacting materials preferably become |

über nur ein Substrat geführt. jguided over only one substrate. j

Wenn die Konzentration der Materialien in der gasförmigen Phase fWhen the concentration of the materials in the gaseous phase f

kleiner ist, als die Konzentration in dem Bereich unmittelbar über f is less than the concentration in the area just above f

der Substratoberfläche tritt eine Umkehrung des diffusionsbegrenztcn IA reversal of the diffusion-limited I occurs on the substrate surface

Transports auf.und es ist eine Aetzung oder Entfernung von Material . ί Transports on. And there is an etching or removal of material. ί

aus dem Substrat möglich. Wenn z, B. HCl als reagierendes Gas I possible from the substrate. For example, if HCl is the reacting gas I

2064Α70 13 2064Α70 13

und Silizium als Substratoberfläche verwendet wird, resultiert · daraus eine Umkehrung der oben beschriebenen Reaktion und die , Erzeugung von SiCl und H .and silicon is used as the substrate surface, this results in a reversal of the above-described reaction and the , Generation of SiCl and H.

In Fig. 5 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung schematischIn Fig. 5, an embodiment of the invention is schematically

• dargestellt. In der Mitte der Prozessröhre befindet sich die Niederschlagszone, Diese Zone arbeitet genauso, wie es oben im Zusammenhang mit den Fig. 2 und 3 beschrieben wurde. Um jedoch eine geregelte Umgebung für den Reakti ons ablauf sicher-• shown. In the middle of the process tube is the Precipitation zone. This zone operates exactly as described above in connection with FIGS. 2 and 3. Around however, a regulated environment for the reaction sequence

I · zustellen, ist eine Vorwärmzone für die in die Niederschlagszone I · supply is a preheating zone for those in the precipitation zone

eintretenden Substrate vorgesehen. In dieser Vorwärmzone werden ' die auf dem Substratträger 32 liegenden Substrate vor Eintritt inentering substrates provided. In this preheating zone, the substrates lying on the substrate carrier 32 are 'before entering

* die Niederschlagszone auf die richtige Reaktionstemperatur gebracht. . Unter'den Substratträgern 32 liegt im wesentlichen unter der* brought the precipitation zone to the correct reaction temperature. . Unter'den substrate supports 32 is essentially below the

Gesamtlänge der Vorwärm- und der Niederschlagszone ein Widerj Btandsheizelement, das nicht dargestellt ist. Während die SubstrateTotal length of the preheating and the precipitation zone a reflection Belt heating element, which is not shown. While the substrates

, * erwärmt werden, wird Wasserstoffgas von hohem Reinheitsgrad* Be heated hydrogen gas is high-purity

-.'■ durch ein Vorwärmfilterrohr 52 in die Vorwärmzone eingeführt, -. '■ introduced through a preheating filter tube 52 into the preheating zone ,

,} um sicherzustellen, dass keine Verunreinigungen in die Nieder- ,} to ensure that no impurities enter the lower

I eehlagszone gelangen und um Nebenreaktionen zu vermeiden, Die I reach the fall zone and to avoid side reactions, the

It-- ■■ It-- ■■

109828/1358109828/1358

13U 9-69-007 , - 13 - g^_D 13U 9-69-007, - 13 - g ^ _D

2Ü6U7Q2Ü6U7Q

Vorivärmzone ist genauso aufgebaut wie die oben beschriebene Niederschlagszone, Der Wasserstoff strömt in. laminarer Strömung über die Oberflächender Plättchen. The pre-heating zone is constructed in the same way as the one described above Precipitation zone, the hydrogen flows in a laminar flow over the surfaces of the platelets.

In Durchlaufrichtung gesehen hinter der Niederschlagszone liegt eine. Kühlzone. Diese Zone wird wie die Vorwärmzone und die Niederschlagszone mit Gas, welches durch ein Kühlfilterrohr zugeführt wird, in laminarer Strömung durchflossen. In der Kühlzone sollen Spuren von SiCl entfernt werden, die aus der Niederschlagszone übertragen wurden und die Substrate sollen vor dem Verlassen des Rohres 10 gekühlt werden._ _ _ _ _Seen in the direction of passage behind the precipitation zone one. Cooling zone. This zone is like the preheating zone and the precipitation zone with gas, which is passed through a cooling filter tube is supplied, flowed through in laminar flow. In the Traces of SiCl should be removed from the cooling zone Precipitation zone have been transferred and the substrates should be cooled before leaving the tube 10. _ _ _ _ _

Für den erfolgreichen Betrieb des Prozessrohres lO kann eine Strömung gasförmigen Materials in Längsrichtung nicht zugelassen werden, weil sich dadurch die verschiedenen. Gase in den Zonen mischen würden. Um eine solche Längsströmung zu verhindern, muss der Druck an jedem Ende des Prozessrohres gleich sein. Da der Druckabfall durch die Wände der Filterrohre wesentlich grosser ist als der Druckabfall in Längsrichtung des Reaktionsf ohres ist der Massenflusa pro Längeneinheit des Filterrohres konstant. UndFor the successful operation of the process pipe 10 one can Flow of gaseous material in the longitudinal direction is not allowed, because this causes the different. Gases in the zones would mix. To prevent such a longitudinal flow, the pressure must be the same at each end of the process pipe. There the pressure drop through the walls of the filter tubes is much greater is than the pressure drop in the longitudinal direction of the reaction tube, the mass flow per unit length of the filter tube is constant. and

109823/1358109823/1358

IUT 9-69-007 ..- 14- IUT 9-69-007 ..- 14-

4S4S

da dieser Massenfluss durch die Filterrohre bei konstantei· Temperatur nur eine Funktion dos Druckes ist, ist er konstant für einen konstanten Eingangsdruck, Die Vorrichtung arbeitel nicht mit einem genauen Messsystem für separate Gasströmungen, sondern mit einem Druckausgleich, wie er in Fig. 5 gezeigt ist. Wasserstoffgas wird der Vorwärm- und der Kühlzone zugeführt und ein Trägergas durch eine Eingangsleitung 53 in das System eingebracht. Die reagierenden Gase H und SiCl werden in separaten Leitungen in die Niederschlagszone eingeführt.because this mass flow through the filter tubes is at constant temperature is only a function of the pressure, it is constant for a constant inlet pressure, the device does not work with an accurate measuring system for separate gas flows, but with a pressure equalization, as shown in FIG. 5. Hydrogen gas is fed to the preheating and cooling zones and a carrier gas is fed into the system through inlet line 53 brought in. The reacting gases H and SiCl are in separate lines introduced into the precipitation zone.

Da in jeder der drei Zonen eine Laminar strömung aufrechterhalten wird, erfolgt keine Mischung der Gase zwischen den Zonen ausser einer kleinen Diffusionsmenge, die durch einen Konzentrationsgradienten von SiCl₄ zwischen der Niederschlagszone und den angrenzenden Zohnen verursacht wird. Das Arbeiten mit der Laminar strömung gestattet den ganzen, aus drei Schritten bestehenden Niederschlagsprozess in einer Kammer auszuführen, ohne dass Sperren oder andere Isolationseinrichtungen zwischen den einzelnen Prozessschritten benötigt werden.Since a laminar flow is maintained in each of the three zones, there is no mixing of the gases between the zones except for a small amount of diffusion caused by a concentration gradient of SiCl ₄ between the precipitation zone and the adjacent zones. Working with the laminar flow allows the entire precipitation process, which consists of three steps, to be carried out in one chamber without the need for barriers or other isolation devices between the individual process steps.

1098 2 8/13581098 2 8/1358

BÜ..9-69-007 -15-BÜ..9-69-007 -15-

1098 28/13581098 28/1358

ORIGINALORIGINAL

In Fig. 5 sind ausscrdem zwei Wärmeschilde 54 und 56 gezeigt, j> In Fig. 5 two heat shields 54 and 56 are also shown, j>

mit denen bei Bedarf der Verlvist von Strahlungswärme von den J;with which, if necessary, the Verlvist of radiant heat from the J;

'erwärmten Substraten 36 reduziert werden kann, ohne dass die t-^: 'heated substrates 36 can be reduced without the t- ^:

Laminarströmung der Gase in der ReaJktionszone wesentlich ' |Laminar flow of the gases in the reaction zone is essential

beeinflusst wird. Die Wärmeschilde können z.B. perforierte | Molybdänblechc mit einer Dicke von 1, 5mm und etwa 10% offenerbeing affected. The heat shields can, for example, be perforated | Molybdenum sheet with a thickness of 1.5mm and about 10% more open

Fläche sein. Bis zu welchem Grad die Laminarströmung beein- j,;Be surface. To what extent the laminar flow affects j,;

trächtigt werden kcinn, um den Strahhingswärmeverlust durch die 5'be pregnant in order to reduce the radiation heat loss through the 5 '

Plättchen zu reduzieren.ist eine Frage der Wirtschaftlichkeit, fTo reduce platelets. Is a question of economy, f

Das in Fig. 1 gezeigte Prozessrohr 10 besteht aus einem recht- '*- IThe process tube 10 shown in FIG. 1 consists of a right- '* - I

eckigen langen Rohr mit einem Eingang 12 und einem Ausgang 14, h angular long tube with an entrance 12 and an exit 14, h

Das Proz.es si* ohr kann z.B. etwa 3 m lang sein. Eingang und Aus- J.The process can e.g. be about 3 m long. Entrance and exit J.

gang sind ähnlich aufgebaut und gestatten die Durchführung von ~ \ Substraten in die und aus der Prozesszone. Fig. 6 zeigt einegear are similar and allow the implementation of ~ \ substrates in and out of the process zone. Fig. 6 shows a

Draufsicht des Einganges. Das Tor kann aus einer oberen Platte ίTop view of the entrance. The gate can be made from an upper plate ί

58 und einer unteren Platte 60 bestehen, die so ausgenommen ι58 and a lower plate 60 exist, the so except ι

sind, dass ein Substratträger 32 mit Minimalabstand durch den ]are that a substrate carrier 32 with a minimum distance through the]

Schlitz laufen kann. Ein Schutzgas, wie z. B« Argon, wird , [ kontinuierlich durch ein Rohr 62, welches mit dem Schlitz in ,Slot can run. A protective gas, such as. B «argon, is, [ continuously through a tube 62, which is connected to the slot in,

BU 9-69-007 - 16 -BU 9-69-007 - 16 -

den Platten 58 und 60 in Verbindung steht, dem Tor zugeführt. Die Lage des Tores 62 auf der Platte 58 in Längsrichtung wird bestimmt in Abhängigkeit von der Grosse der Oeffnung zwischen dem Schlitz und dem Substratträger, der Druckdifferenz zwischen der Atmosphäre und der Innenseite des Prozessrohres und dem Grade, in welchem ein in Entweichen von Argon in das Prozessrohr hinein tolieriert werden kann. Vorzugsweise sollten im Ausführungsbeispiel etwa 1 Liter Argon/Minute in das Prozessrohr und Z Liter/Minute in die Atmosphäre entweichen können. Die Länge des Eingangs- oder Ausgangstores sollte so bemessen sein, dass ein ausreichender positiver Druck im System aufrechterhalten wird, ' .the plates 58 and 60 in communication, fed to the gate. The position of the gate 62 on the plate 58 in the longitudinal direction is determined depending on the size of the opening between the slot and the substrate carrier, the pressure difference between the atmosphere and the inside of the process tube and the degree to which argon escapes into the Process pipe can be tolieriert into it. In the exemplary embodiment, about 1 liter of argon / minute should preferably be able to escape into the process tube and Z liters / minute into the atmosphere. The length of the input or the output port should be such that a sufficient positive pressure is maintained in the system '.

Die Substratträger 32 können aus hochgradig reinem, handelsüblichem Graphit hergestellt sein und eine Längsführung aus \ - . Pyrolithischem Graphit oder Molybdän aufweisen, die auf der The substrate carriers 32 can be made of extremely pure, commercially available graphite and a longitudinal guide made of \ -. Have pyrolithic graphite or molybdenum, which on the

\ \ ganzen Trägerkante entlang läuft. Der Träger 32 ist allgemein ·runs along the entire edge of the carrier. The carrier 32 is generally

ΆΆ rechteckig, vorzugsweise quadratisch und muss eine flache Vorder-rectangular, preferably square and must have a flat front

)) und Hinterkante aufweisen, um eine Dichtung zwischen den Trägernand trailing edge to provide a seal between the carriers

/ zn gewährleisten, während sie kontinuierlich durch das Prozeesrohr/ zn ensure while going continuously through the process tube

10 9 8 2 8/1368 , . bad 10 9 8 2 8/1368,. bath

BIJ 9-69-007 - 17 - BIJ 9-69-007 - 17 -

206AA70 H 206AA70 H.

laufen. Substrate sind,um Turbulenzen zu vermeide^auf den Trägern 32" so angebracht, dass ihre ebenen, den Niederschlag aufnehmenden Oberflächen mit der Oberfläche des Trägers fluchten. Der Träger muss wesentlich grosser sein.als die Substrate, damit der flache Teil der Aufwachskurve·von Fig. 4 auf das Substrat fällt. Die Träger werden durch einen bekannten Zuführmechanismus kontinuierlich in das Prozessrohr eingeführt.to run. Substrates are to avoid turbulence ^ on the Carriers 32 ″ attached so that their flat, precipitation-receiving surfaces with the surface of the carrier cursing. The carrier must be much larger than the Substrates so that the flat part of the growth curve of Fig. 4 falls on the substrate. The carriers are known by a Feed mechanism continuously inserted into the process tube.

Aus den Fig. 7 und 8 geht hervor, dass das Prozessrohr in drei verschiedene Abschnitte unterteilt ist. Gemäss obiger Beschreibung liegt die Niederschlags- oder Dampftransportzone in der Mitte, Der Boden der Transportzone wird vom Substratträger 32 und den Führungsschienen 64, die Seitenwandungen von den Wärmeschilden 54 und 56 und die Decke von dem Wärmeschild 66 gebildet. Die Transportzone wird in Längsrichtung durch das Filterrohr 38 begrenzt.It can be seen from FIGS. 7 and 8 that the process tube is divided into three different sections. According to the description above If the precipitation or vapor transport zone is in the middle, the bottom of the transport zone is from the substrate carrier 32 and the Guide rails 64, the side walls of the heat shields 54 and 56 and the ceiling of the heat shield 66 formed. the The transport zone is delimited in the longitudinal direction by the filter tube 38.

Direkt unter der Vorwärmzone verläuft in Längsrichtung des Rohres in der Vorwärm- und der Niederschlagszone ein Wicleretandsheizetreifen 68, der auf hitzebeständigen Stangen 70 gelangertDirectly under the preheating zone runs in the longitudinal direction of the pipe in the preheating and the precipitation zone a heating strip 68 which is placed on heat-resistant rods 70

10 9 8 2 8/135810 9 8 2 8/1358

SAD ORJGSNÄL BU 9-69-007 - 18 -SAD ORJGSNÄL BU 9-69-007 - 18 -

ist. Der Ileizstreifen 68 kann aus Graphit bestehen und ist an beiden Enden an einem Klemmenblock 72 -befestigt. Da der Heizstreifen 68 sich bei Erwärmung ausdehnt, ist am Eingangsende des Prozessrohrcs 10 ein Gleitblock mit Druckfedern angeordnet. Mit dem Heizstreifen 68 ist an beiden Enden ein elektrischer Anschluss 74 verbunden, der durch die Bodenplatte des Prozessrohres läuft und am besten in Fig. 7 gezeigt ist.is. The strip 68 may be made of graphite and is on both ends attached to a terminal block 72. Since the heating strip 68 expands when heated, is at the entrance end des Prozessrohrcs 10, a sliding block with compression springs is arranged. With the heating strip 68 is a at both ends electrical connector 74, which runs through the bottom plate of the process tube and is best shown in FIG. 7.

Um gasförmiges Material durch die Niederschlagszone führen zu können, ist rechts vom Wärmeschild 54 das Filterrohr vorgesehen, welches mit der Gaszufuhr 17 durch die rechte Seitenplatte 76 verbunden ist. Eine obere und untere Gaskammerteilurig 78 bzw, 80 begrenzt das gasförmige Material auf die richtige Zone,In order to be able to lead gaseous material through the precipitation zone, the filter tube is to the right of the heat shield 54 which is connected to the gas supply 17 through the right side plate 76. An upper and lower gas chamber parturig 78 or 80 limits the gaseous material to the correct zone,

Um einen Niederschlag auf dem Wärmeschild 66 zu vermeiden, wird dieser durch einen Gasstrom auf seiner Oberseite unter die Reaktionstemperatur gekühlt. Das Gas wird durch ein oberes Filterrohr 8?- augeführt, welches in der Seitenplatte 76 befestigt und an die Zuleitung 21 angeschlossen ist. Als Gas kann WasserstoffIn order to avoid a deposit on the heat shield 66, this is by a gas flow on its top under the Reaction temperature cooled. The gas is led out through an upper filter tube 8? - which is fixed in the side plate 76 and is connected to the supply line 21. Hydrogen can be used as a gas

109828/1368 BlJ 9-69-007 ' ~ 19 -109828/1368 BlJ 9-69-007 '~ 19 -

Zt.Currently

benützt werden, der von der oben im Zusammenhang mit Fig. 5
besprochenen Quelle zugeführt werden kann.can be used, which of the above in connection with FIG
discussed source can be supplied.

Um Verluste in der Niederschlagszone zu vermeiden, and die ♦To avoid losses in the precipitation zone, and the ♦

Wärme im Prozessrohr aufrechtzuerhalten, ist ein Bodenfilter- ?Maintaining heat in the process pipe is a soil filter-?

rohr 84 vorgesehen, welches direkt unter dem Niederschlags- ■■tube 84 is provided, which is directly under the precipitation ■■

filterrohr 38 an der rechten Seitenplatte 76 befestigt und mit der . 'filter tube 38 attached to the right side plate 76 and with the. '

unteren Gaszufuhr 29 verbunden ist. Das Gas, z.B. Argon vom \ lower gas supply 29 is connected. The gas, e.g. argon from \

Rohr 84,fliesst unter den Führungsschienen 64 und durch die \ Pipe 84, flows under the guide rails 64 and through the \

Wärmeschilde 86. ' ■ ·:Heat shields 86. '■ ·:

Nachdem es durch den Reaktionsbereich geströmt ist, trifft es \ After flowing through the reaction area, it hits \

auf das Abgasleitblech 40, dessen Funktion oben im Zusammen- [ on the exhaust baffle 40, the function of which is shown above in the [

hang mit Fig. 2 beschrieben wurde. Die Gase verlassen dann ■hang with Fig. 2 was described. The gases then leave ■

j das Prozessrohr durch das Abgasrohr 26. \ j the process pipe through the exhaust pipe 26. \

Um die Temperatur des Prozessrohres zu steuern und überschüssige Wärme aus der Niederschlagszone abzuführen,, sind
Ober- und Unterseite dee prozessiohres mit Wassermänteln 88
ausgestattet.To control the temperature of the process pipe and to remove excess heat from the precipitation zone, are
Top and bottom of the process tube with water jackets 88
fitted.

109828/135« t109828/135 «t

BU 9-69-007 ' -ZO- BU 9 -69-007 '-ZO-

Fig. 7 zeigt ausserdem die Betrachtungsöffnung 34, die auf Wunsch in bekannter Art eingebaut werden kann.Fig. 7 also shows the viewing opening 34, which on Wish can be built in in a known way.

Das gezeigte Ausführungsbeispiel kann die richtigen Bedingungen für einen Diffusionsbegrenzten Massentransport schaffen und aufrechterhalten, wie er allgemeiner im Zusammenhang mit den Fig. 2, 3, 4 beschrieben ist. Beim Betrieb des Prozessrohres ist natürlich eine Anlaufperiode erforderlich. Um die richtigen Bedingungen für den Wärmeaustausch sicherzustellen, wird der Heizstreifen eingeschaltet und das Trägergas Wasserstoff an alle Eingangsleitungen angelegt. Das Prozessrohr wird vorzugsweise mit Substratträgern und irgendwelchen Attrapen gefüllt, damit die richtigen Bedingungen entstehen. Sowohl dem Eingangs- ale auch dem Auegangstor ist Argon zuzuführen, um das im Prozessrohr fliessende Gas am Entweichen in die AtmosphäreThe embodiment shown can create and maintain the correct conditions for diffusion-limited mass transport, as is described more generally in connection with FIGS. 2, 3, 4. A start-up period is of course required when operating the process pipe. To ensure the right conditions for heat exchange, the heating strip is switched on and the hydrogen carrier gas is applied to all input lines. The process tube is preferably filled with substrate carriers and some kind of dummy so that the right conditions are created. Both the input channels and the Auegangstor be supplied argon to the flowing in the process pipe gas from escaping into the atmosphere

xu hindernxu prevent

kann da· r iagierende Material, SiCl. d tm in die Niederschlags-can be the acting material, SiCl. d tm in the precipitation

»on·»On ·

beigesetztburied Pro*·Per*·

Wenn die Bedingungen im Prozessrohr stabil sind,When the conditions in the process pipe are stable,

Waii»r»tof{itrom in d«i Waii »r» tof {itrom in d «i

gewttnichten Meng«weighty quantity "

werden. Dann können Substrate kontinuierlich durchwill. Then substrates can go through continuously

.. .■■■,■ ■ ■ ti ■... ■■■, ■ ■ ■ ti ■

• rphr geführt werden, An d|t| inneren Elementen des• rphr are performed, An d | t | inner elements of the

d|t| gd | t | G

ndet kein ader nur tin geringer Niederschlag statt, weil Substrate und SubStrattrÄger auf die richtige Niederschlagstem-there is no vein just in low precipitation, because Substrates and substrates to the correct precipitation

peratur erwärmt werden,temperature are heated,

109828/1358109828/1358

9-69-0079-69-007

- 21 -- 21 -

BADBATH

Claims (6)

PATENTANSPRÜCHEPATENT CLAIMS Vorrichtung zum Austausch von Materie zwischen einem Trägergas und einer Substratfläche, mit Mitteln, um Substrate (36) kontinuierlich durch eine Reaktionszone hindurchzubewegen, sowie Mitteln, um die Substrate auf einer bestimmten Temperatur zu halten, gekennzeichnet durch eine gleichrichtende Filterröhre (38) zur Erzeugung einer im wesentlichen laminaren Gasströmung innerhalb der Reaktionszone über den Substratflächen.Device for the exchange of matter between a carrier gas and a substrate surface, with means to transfer substrates (36) moving continuously through a reaction zone, as well as means to keep the substrates at a certain temperature to hold, characterized by a rectifying filter tube (38) for generating a substantially laminar gas flow within the reaction zone above the substrate surfaces. 2. Vorrichtung nach Patentanspruch 1 mit wenigstens einer der Reaktionszone benachbarten zusätzlichen Zone zum Vorwärmen bzw, zum Abkühlen der Substrate, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl für das Reaktions- als auch für das inerte, vornehmlich dem Wärmetransport dienende Gas gleichrichtende Filter röhren (38, 52, 53) vorgesehen sind.2. Device according to claim 1 with at least one of the reaction zones adjacent additional zone for preheating or cooling the substrates, characterized in that both For the reaction gas as well as for the inert gas, which is primarily used for heat transport, filter tubes (38, 52, 53) are provided. 3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die laminare Gasströmung parallel zur Substratoberfläche3. Device according to claims 1 and 2, characterized in that that the laminar gas flow is parallel to the substrate surface fc und quer zur Bewegungsrichtung der Substrate fließt.fc and flows transversely to the direction of movement of the substrates. 4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionszone teilweise durch einen Wärmeschild (54, 56, 66, 86) begrenzt ist.4. Device according to claims 1 to 3, characterized in that the reaction zone is partially delimited by a heat shield (54, 56, 66, 86). 5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, d»f zwischen der Reaktionszone und der Vorwärm- respektive Abkühlzone keine I eolations zone vorhanden ist.5. Apparatus according to claim 2, characterized in that d »f between there is no isolation zone in the reaction zone and the preheating or cooling zone. 10982 8/135810982 8/1358 BU 9-69-007 - 22 -BU 9-69-007 - 22 - ' I?" ' !i:i!iin|!ll!ll!l!:ill!i:iHnj!Hli:j|iiiiiu ■■::■ ■»;:!■ I'I? "'! I: i! Iin |! Ll! Ll! L!: Ill! I: iHnj! Hli: j | iiiiiu ■■ :: ■ ■»;:! ■ I 2064Λ70 43 2064Λ70 43 6. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß aneinander angrenzend mehrere Reaktionszonen angeordnet sind, die von den Substraten nacheinander durchlaufen werden.6. Apparatus according to claim 2, characterized in that a plurality of reaction zones are arranged adjacent to one another which are traversed by the substrates one after the other. 109828/1358 BU 9-69-007 - 23 - 109828/1358 BU 9-69-007 - 23 - LeerseiteBlank page