DE2060304C3 - Verfahren zur Herstellung eines latenten Bildes - Google Patents

Description

I auf NuIL D»eser neue Zustand wird hierin Speicherfüm 2 gelöscht, indem dieser auf die Glasais Speicherzustand bezeichnet Die Strom- übergaagstemperatur des Harzes in dem Speicher- __ ngS-Kennhme im Speicherzustand wird selbst 6I_n, 2 erwärmt wird Der Speicherfilm 2 kann viel· wiederhohen Zyklen des Erhohens und Eroied- mais zum Speichern und Löschen latenter Bilder der Spannung beibehalten und kann für einen s verwendet werden

. Zeitraum beim Fehlen einer aLgelegten Span- ELae Vielpunktelektrode 19 gemäß F i g. 3 besteht

beibehalten werden. Der Sptfcherzustand kann aus einer Anzahl von Punktelektroden 20, denen ein Erhitzen des Speicherfilms 2 auf eine Tempe- kleiner elektrischer Widerstand 21 zugeordnet ist. oberhalb der Glasubergangstemperatur des Jede Punktelektrode 20 ist leitend über den kleinen in dem Speicherfilm 2 in den hochohmigen i_O Widerstand 21 mit einer Metallelektrode 23 verbunumgewandelt werden. Die Glasübergangs- den. Die Punktelektroden 20 und die kleinen Wider-K des Harzes kann nach dem Verfahren der stände 21 sind gegeneinander durch Isolationsschich- !trie und der Thermoanalyse bestimmt ten 22 isoliert. Die Metallelektrode 23 ist leitend mit

einer Spannungsquelle 24 mit der geregelten Span-

das Anlegen eines elektrischen Feldes in i_S nung 25 verbunden. Die Elektrode 3 der Speichergewünschten Muster an den Speicherfilm 2 in platte 1 ist ebenfalls mit der Spanmiagsquelle 24 verobenerwähnten Weise, kann man bewirken, daß feuaden. Wenn die Vielpunktelektrode 19 gegen die gewünschte Muster als Speicherzustand gespei- Speicherplatte 1 gedrückt wird, dann liefern die t wird. Der Speicherzustand an sich ist nicht Punktelektroden 20 elektrische Spannung und Strom __ itbar und bildet das latente Bild, in dem der Spei- 20 unabhängig voneinander an den Speicheifilm 2 an den cherfilm 2 einen niedrigen elektrischen Widerstand Kontaktflächen. Der Leitzustand des Speicherfilms 2 aufweist, d. h. einen Speicherpfad wird umgewandelt an den Kontaktflächen vom hoch-

Der Übergang vom hochohmigen Zustand 10 durch ohmigen Zustand in den Speicherzustand bei Durchden niederohmigen Zsistand 12 in den Speicherzu- laufen des niederohmigen Zustandes. Dadurch werstandl4 kann kontinuierlich erreicht werden in einem 25 den Speicherpfade 26 an den Kontaktflächen gebildet. Schritt, wenn die Spannung zwischeu Elektrode 3 und d. h. an den vom elektrischen Feld getroffenen leitendem Stift 4 höher ist als der erste Schwellen- Flächen, die die gleiche Form wie die Bodenfläche wert 11. Dies kann durch das Einstellen einer Span- der Vielpunktelektrode 19 aufweisen. Auf diese Weise »ing V_B (Fig. 1) der Batterie und der Größe des können die von dem elektrischen Feld getroffenen elektrischen Widerstandes 5 erreicht werden. Die für _3O Flächen ein latentes Bild erzeugen ähnlich der Form den Übergang notwendige Zeit ist abhängig von der der Bodenfläche der Vielpunktelektrode 19. Das Spannung V₀ und der Zusammensetzung des Spei- latente Bild kann durch ein Entwicklungsverfahren cherfilmes 2 und liegt im Bereich von praktisch 1 ms sichtbar gemacht werden. Wenn eine Vielzahl von bis 0,1 μ%. Solche kurzen Übergangszeiten erlauben Punktelektroden in einem gewünschten Muster anes, daß der leitende Stift sich schnell über den Spei- geordnet ist, dann wird das Muster auf der Speichercherfilm 2 bewegt platte 1 als latentes Bild gespeichert.

Das so auf einem Speicherfilm hergestellte blei- In der Praxis ist es schwierig, einen Speicherfilm

bende Bild kann nach jedem geeigneten Entwick- herzustellen, der eine gleichförmige Verteilung der lungsverfahren entwickelt werden. Es sind verschie- Übergangszeiten aufweist. Wenn eine Metallelektrode dene Entwicklungsverfahren bekannt. Die USA.-Pa- 40 in einer gewünschten Form gegen den Speicherfilm 2 tentschrift 3526502 der Anmelderin der vorliegenden gedrückt wird, der eine unregelmäßige Verteilung der Erfindung beschreibt folgendes Entwicklungsverfah- Übergangszeiten aufweist, dann werden die Speicherren: Wenn die Speicherplatte 1 mit einem latenten pfade nicht gleichförmig gebildet. Bild im Speicherfilm 2 mit einer positiven oder nega- Zu der Speicherplatte 1 der F i g. 4 gehört eine zu-

tiven elektrostatischen Ladung beaufschlagt wird, 45 sammehgesetzte Elektrode 29 aus einer photoleitendann fließt die elektrostatische Ladvng auf dem den Schicht 3· und einer durchsichtigen Elektrode latenten Bild zur Elektrode 3 ab. Dann wird die 31 Die photoleitende Schicht 30 haftet leitend auf Speicherplatte 1 mit einem Entwickler in an sich be- dem Speicherfilm 2. Die durchsichtige Elektrode 31 kannter Weise überpudert Dieser Entwickler bestehf ist leitend an der photoleitenden Schicht 30 angeaus einem Toner und einem Träger. Der Toner be- 50 bracht. Eine Spannungsquelle 24 ist mit der durchsteht aus einem Polystyrol mit niedrigem Schmelz- sichtigen Elektrode 31 und der Elektrode 3 so verpunkt, aus Colophonium und aus KohleretoffruB. bunde», daß eine Spannung 33 zwischen der photo-Der Toner ist mit einer Trägersubstanz vermischt, leitenden Schicht 30 und dem Speicherfilm 2 steht, die von solcher Art ist, daß der Toner reibungs- Eine Wolframlampe mit einem Kondensatorsystem elektrisch aufgeladen wird mit einer Ladung mit 55 wirft einen Lichtstrahl 35 durch die durchsichtige gleichem Vorzeichen wie die, die auf die Speicher- Elektrode 31 auf die photoleitende Schicht 30. platte 1 aufgebracht ist. Ein sichtbares positives Bild Wenn die Speicherplatte, bei der eine elektrische

wird auf der Speicherplatte 1 hergestellt und durch Spannung zwischen der Elektrode 3 und der durchleichtes Erhitzen des Speicherfilms 2 fixiert sichtigen Elektrode 31 liegt durch einen Lichtstrahl Wenn die Speicherplatte mit einem sichtbaren Bild 60 35 auf der lichtempfindlichen Schicht 30 bestrahlt des Entwicklers auf der Oberfläche vor dem Fixieren wird, dann bildet die photoleitende Schicht 30 an den gegen ein Papier gepreßt wird, dann kann das sieht- vom Licht getroffenen Flächen einen leitenden Pfad bare Bild von der Platte 1 auf das Papier übertragen 36 mit niedrigem elektrischem Widerstand. Der Speiwerden, und es wird durch leichtes Erwärmen fixiert. cherfilm 2 besitzt nur in der Fläche 37, die der vom Die Speicherplatte mit dem latenten Bild auf der 65 Licht getroffenen Fläche entspricht, eine hohe elek-Oberfläche kann praktisch dauernd als Vaterplatte trische Spannung. Auf diese Weise kann der Speibei einem solchen elektrostatischen Druckverfahren cherfilm 2 einen Speicherpfad 38 bilden, der im verwendet werden. Das latente Bild wird von dem Muster dem Lichtstrahl ähnlich ist. Die elektrische

5 6

Spannung an der Fläche 37 muß höher sein als der Das latente Bild in einer außergewöhnlichen Qualität erste Schwellenwert 11 der Fig. 2 und kann bestimmt kann nicht ohne das Netz wiedergegeben werden werden durch das Verhältnis des elektrischen Wider- wegen der Schwierigkeit, eine gleichförmige Verstandes des leitenden Pfades 36 zu dem des Speicher- teilung der Übergangszeiten in dem Speicherfilm 2 pfades 38 in dem Speicherfilm 2. Dieser Speicher- 5 zu erreichen.

pfad kann in einem Schritt gebildet werden, wobei Unter Bezugnahme auf die Fig. 6 wird jetzt die

die Lichtintensität der Wolframlampe 34 und der Schaffung des Speicherfilms 2 beschrieben, der aus

Wert der Spannung 33 der elektrischen Spannungs- dem Harz 47 besteht, in dem feinteilige, leitende

quelle 24 so eingestellt werden, daß die Spannung Teilchen 48 dispergiert sind.

an dem Speicherfilm 2 höher ist als der erste Schwel- io Das Harz 47 hat einen großen Einfluß auf die lenwert 11. Wenn sich der Lichtstrahl über die photo- Übergangszeiten vom hochohmigen in den niederleitende Schicht 30 bewegt, um irgendein gewünschtes ohmigen Zustand und vom niederohmigen Zustand Muster eines Bildes aufzuzeichnen, dann bildet die in den Speicherzustand. Weiterhin hat das Harz einen photoleitende Schicht 30 den leitenden Pfad 36 in großen Einfluß auf die Stabilität während wiederdem gewünschten Muster. Damit veranlaßt der lei- 15 holter Zyklen des Einspeicherverfahrens. Schnellere tenJe Pfad 36 nacheinander den Speicherfilm 2, einen Übergangszeiten und höhere Stabilität werden er-Speicherpfad 38 in dem gewünschten Muster zu bil- reicht, wenn das Harz Chlor- oder Bromatome entden. Das gewünschte Bildmuster kann in dem Spei- hält Dies kann erreicht werden durch Verwendung cherfilm 2 als latentes Bild gehalten werden. Ein eines Gemisches aus organischem Harz und einer solches latentes Bild kann mit dem obenerwähnten ao Chlor- oder Bromverbindung oder einer harzartigen Entwicklungsverfahren sichtbar gemacht werden. Chlor- oder Bromverbindung. Beispielhafte, zu be-

Es sind verschiedene photoleitende Materialien vorzugende Harze sind: halogenhaltiges organisches und auch durchsichtige Elektroden bekannt. Geeignet Harz, wie Polyvinylchlorid, chlorierter Natursind die photoleitende Schicht 30 und die durchsich- kautschuk und Polystyrol, Polyacetal, Polyester, tige Elektrode 31, die in der USA.-Patentschrift »5 Epoxyharz, Polyamide, die mit einer niedermoleku-3 526 502 der Anmelderin der vorliegenden Erfindung laren Halogenverbindung vermischt sind, wie chlobeschrieben werden. Gemäß dieser Patentschrift be- riertes Paraffin.

steht die photoleitende Schicht 30 aus einer photo- Die feinteiligen, leitenden Teilchen 48 haben vorleitenden polymeren Verbindung, in die ein Sensiti- zugsweise eine durchschnittliche Teilchengröße von vierungsmittel eingeschlossen ist, und die durchsich- 30 0,1 bis 10 μ. Am stärksten wird eine durchschnitttige Elektrode 31 ist eine Glasplatte mit einem liehe Teilchengröße von 0,2 bis 1 μ bevorzugt. Der durchsichtigen leitenden Überzug auf der Innenober- erste Schwellenwert 11 und der zweite Schwellenwert fläche. 13 (Fi g. 2) werden unstabil bei wiederholten Zyklen,

Mehr bevorzugt wird die Wiedergabe eines Licht- wenn die Teilchengröße kleiner als 0,1 μ ist. Wenn bildes auf einer Speicherplatte 1 mit einer zusammen- 35 im Gegenteil die durchschnittliche Teilchengröße gesetzten Elektrode 29, die mit einem feinen inte- über 10 μ liegt, dann weichen die erhaltenen ersten grierten Netz versehen ist, wie es die F i g. 5 zeigt. und zweiten Schwellenwerte weit von den gewünsch-In dieser Fig. 5 kennzeichnen die gleichen Bezugs- ten Werten ab. Die durchschnittliche Teilchengröße zeichen die gleichen Bauelemente wie in den voran- wird nach den Verfahren der Sedimentationsanalyse gehenden Figuren. Eine photographische Vaterplatte 40 und der Elektronenmikroskopie bestimmt. 40 mit einem negativen Bild 41 wird auf die zusam- Ein bevorzugtes Material für die feinteiligen, leimengesetzte Elektrode 29 gelegt. Diese zusammen- tenden Teilchen 48 ist eines aus der Gruppe, die aus gesetzte Elektrode 29 besteht aus einer photoleiten- Eisen, Silber, Kupfer, Kohlenstoffruß und Graphit den Schicht 30 und einer durchsichtigen Elektrode besteht. Von diesen Materialien wird mit Silberteil-31, auf der ein feines Netz 39 ausgebildet ist. Dieses 45 dien das beste Ergebnis erzielt. Netz wird mit Hilfe eines undurchsichtigen Materials Der Abstand zwischen den einzelnen leitenden gebildet. Eine Wolframlampe 42 beleuchtet die photo- Teilchen 48 in dem Harz 47 hat einen bedeutenden leitende Schicht 30 durch die photographische Vater- Einfluß auf die Umwandlungen vom hochohmigen platte 40 and die mit dem Netz 39 versehene durch- Zustand in den Speicherzustand, wobei der niedersichtige Elektrode 31. Die Spannungsquelle 24 ist 50 abfrage Zustand durchlaufen wird. Jedes leitende zwischen der durchsichtigen Elektrode 31 und der Teilchen, das mit einem anderen Teilchen Berührung Elektrode 3 angeschlossen, so daß eine elektrische bat, trägt zu dieser Umwandlung nicht bei. EtB Spannung über der pbototeitenden Schicht 30 and gwBir durchschnittlicher Abstand zwischen den den Speicherfitai 2 «gelegt werden kann. Teilchen ergibt einen Speicherfilm 2 mit einem höbe-

Bei einem Einschalten der Wolfrastlampe 42 wird 55 «en elektrischen Widerstand and vergrößert den die durchsichtige Elektrode 31 durch das BiM 41 von ersten Schwellenwert 11 and verbreitert die Verleiden» Licht 43 beteachtet, and das licht wird m eine lang der Übergangszeiten. Eine Betrachtung im EJek-Vielzahl kiemer Lichtstrahlen von Netz aufgeteilt. trodenndkroskop zeigt, daß ein Abstand von 500 Jeder der kleinen Lichtstrahlen erzeugt einen kleinen bis 10 000 A zulässig ist zur Herstellung eines latenteitendea Pfad 44 m der photoleitenden Schicht 30. 60 ten Bildes. Der Abstand ist abhängig von der durch-Der Spekherfitai 2 erhält mir an den Stellen eine scbnittHchen Teilchengroße der feinteiligen, leitenden hohe elektrische Spannung, die den leitenden Pfaden Teilchen 48, dem Volumen der Teilchen in bezug 44 ntsprechen, and bildet peicerpfade 46. Da- auf das Volumen des Harzes und der Verteilung der deren wird ein latentes Bild des Bildes 41 der photo- Teilchen 48 in dem Harz 47. Der Prozentsatz des graphischen Vaterplatte 40 aaf dem Spekhermm 2 65 Gesamtvolumens des Harzes 48 and der Volumenah eine Ansammleng vieler Speicherpfade 46 wieder- Prozentsatz, der von den leitenden Teilchen 47 eingegeben. Das latente Bild kann mit dem obenerwähn- genommen wird, werden aus dem spezifischen Geten Entwicklungsverfahren sichtbar gemacht werden. wicht der Teilchen 48' und des Harzes 47 und der

durchschnittlichen Teilchengröße bestimmt. Wenn ζ B. Silberteilchen mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,5 μ im Harz, verteilt sind, dann betragt der von den Silberteilchen eingenommene Volüflienprozentsatz etwa 15°/o und der des Harzes etwa 85 Vo.

Die. Speicherplatte 1 gemäß der vorliegenden Erfindung kann auf irgendwie geeignete Weise hergestellt werden. Eine gegebene Harzmenge wird in irgendeinem geigneten Lösungsmittel gelöst. Die Lösungsmittelmenge wird so gewählt, daß die erhaltene Lösung eine Viskosität von etwa 10 Poises aufweist, ^einteilige, leitende Teilchen werden in der gewünschten Menge zu der Lösung hinzugefügt. Die Teilchenmenge muß den gewünschten Volumenprozentsatz in bezug auf das Harz einnehmen. Die Mitschung wird auf geeignete Weise gut durchgemischt, z. B. in einer Kugelmühle, um eine homogene Farbe zu ergeben, die (Ge feinteiligen, leitenden Teilchen gleichförmig in der Lösung verteilt aufweist. Die homogene Farbe wird auf irgendeinen geeigneten Träger aufgebracht, der als Elektrode 3 (Fi g. 1, 3, 4 und 5) wirkt, und wird erwärmt, um das Lösungsmittel verdampfen zu lassen.

Ein anderes Verfahren zur Herstellung der Speicherplatte 1 besteht in der Erwärmung der homogenen Farbe, um eine Verdampfung des Lösungsmittels zu erreichen. Die erwärmte Farbe ist ein homogenes Gemisch der Teilchen und des Harzes. Dieses homogene Gemisch wird gemäß der bekannten Herstellungstechnologie von Kunststoffilmen zu einem Film verarbeitet, z. B. durch Auspressen aus einer Schlitzdüse. Der fertige Speicherfilm 2 kann auf einer Oberfläche mit jeder geeigneten Elektrode leitend verbunden werfen.

Beispiel 1

Es werden verschiedene Speicherfilme mit verschiedenen Mengen feinteiliger, leitender Teilchen hergestellt, die in verschiedenen Harzarten dispergiert sind. In den einen Proben ist ein Gewichtsteil chlorierten Naturkautschuks, der 60 Gewichtsprozent Chlor enthält, in 10 Gewichtsteilen o-Dichlorbenzol

S gelöst. Silberpulver mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,05 μ wirf gleichförmig in der Lösung verteilt, um eine homogene Farbe zu bilden. Die homogene Farbe wird durch Messerüberzug auf eine Aluminiumfolie aufgetragen und eine Stunde

ίο lang auf 170° C erwärmt. Der erhaltene Speicherfilm hat eine Dicke von etwa 0,15 mm. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Speicherplatten werfen mit der in F i g. 1 gezeigten Schaltung geprüft. Mehrere Proben mit verschiedenen Gewichtsprozentsätzen des Silberpulvers werfen hergestellt.

Silberpulver in einer Menge über 58 Gewichtsprozent ergibt, so wurde gefunden, einen herkömmlichen leitenden Film, der nicht die neuartigen drei Leitzustände aufweist. SUberpulver in einer Menge unter 43 Gewichtsprozent ergibt einen isolierenden Film mit einem hohen elektrischen Widerstand ähnlich dem von chloriertem Naturkautschuk. Silberpulver in einer Menge zwischen 43 und 58 Gewichts-

aj prozent ergibt einer Speicherfilm mit einem hochohmigen Zustand, dem niederohmigen Zustand und dem Speicherzustand. Die Tabelle zeigt die elektrischen Eigenschaften der gemäß der obigen Beschreibung hergestellten Speicherplatten.

In anderen Proben wurde Silberpulver mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,5 μ in verschiedenene Arten von Harz gemäß Tabelle 1 dispergiert. Die Gewichtsprozentsätze sowohl des Silbers als auch des Harzes betragen 50°/«. Mehrere Speicherplatten wurden ähnlich wie oben hergestellt. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Speicherplatten wurden mit der in Fig. 1 gezeigten Schaltung geprüft. Die gefundenen Eigenschaften werfen in der Tabelle aufgeführt.

Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Speicherplatten

Nr.	Harz	Gewichts prozent des Sflberpulvws	Widers hochohmiger Zustand (Q)	and») niederohmiger Zustand (Ω)	Erster Schwellen wert V	Arbeitswert für den Widerstand 5 und VB
1	Chlorierter Naturkautschuk..	43	5 · 10«·	1-10«	120	20OkQ 600V
2	Chlorierter Naturkautschuk..	50	1 · 10»	5 10«	20	3OkQ 70 V
3	Chlorierter Naturkautschuk..	55	I-10»	ι ίο«	5	SkQ 7 V
4	Chlorierter Naterkaotschuk..	58	5-10*	210«	0.02	100 Ω 1,5 V
5	Chloriertes Polyäthylen	50	5-10««	2 10«	25	1OkQ 60V
6	75 Gewichtsprozent Poly
	styrol 25 Gewichtsprozent chlorier tes Paraffin	50	1 -10"	1,5 10«	18	1OkQ 40V

·} Gemessen mit feststehendem leitendem Stift 4.

509 «an 71

Die Speicherplatte mit dem darin ausgebildeten tragen und getrocknet, um eine Schicht von 10 μ

latenten Bild wird durch eine Koronaentladung mit Dicke zu ergeben, ^;

einem Ladegerät im Hellen aufgeladen, das auf Die Speicherplatte Nr. 2 des Beispiels 1 wird ge-

etwa 6000V gehalten wird. Die Speicherplatte wird maß Fig. 4 mit einer Spannungsquelle 24 verbund

mit einem Toner und Träger enthaltenden Entwick- 5 den. Die gemäß der obigen Beschreibung hergestellt*

ler uberpudert. Ein positives Bild wird hergestellt und zusammengesetzte Elektrode 29 wird über den Sp|i-^:

durch leichtes Erwärmen des Speicherfilmes fixiert. cherfilm2 der Speicherplatte 1 gelegt, so daß die

Beispiel 2 photoleitende Schicht 30 leitend den Speicheffilm2;

^. . . ... . .... , .. _, ,, '" der gesamten Fläche berühren kann. Der durchi

Eine geeignete yjelpunktelektrode wird auf fol- ₁₀ sichtige, leitende überzug, d.h. die durchsichtige

gende We₁Se hergestellt 15 Gewichtsprozent Graphit- Elektrode 31, wird mit der Spannungsquelle 24 ver-

pulvers werden mit 85 Gewicht; proAm Phenolharz bunden. Die Spannung wird auf 65 V im Dunkeln

™^h.^E'ⁿ GraphUpulverteUchen hat ,m allge- gehalten. Der Lichtstrahl 35 mit einer Intensität von

γ!11ηΤ Tw Γ ·· ^{Ein SOlch}f ^{mehr als 35 lx sec bildet ei}"^en Speicheφfad in dem

Gemisch wird durch Warmwalzen werter gemischt »₅ Speicherfilm 2. Der beleuchtete Punkt wird bewegt,

£££ 3? Γ ^em| ^SteifpaS*^lge Vormischung zu _so dß i M i id

g ₅ Speicherfilm 2. Der beleuchtete Punkt wird bewegt,

££l£, 3? Γ h^em|t ^SteifpaS*^lge Vormischung zu _so daß ein Muster eines Bildes aufgezeichnet wird, ergeben, die durch Strangpreßmaschine zu einem Nach der Beliht id di Sihl i D
Sb ß d D f ki dr zusammengesetzte^TKrSe S abge-

^{in d} Sihfil 2 fthl I

££l£, 3? Γ h|t g ein Muster eines Bildes aufgezeichnet wird,

ergeben, die durch Strangpreßmaschine zu einem Nach der Belichtung wird die Speicherplatte im Dun-

Stab gepreßt wird. Das feinteHige Graphitpulver in kein von der zusammengesetzte^TKrSe S abge-

tZ ÄSSTJ? fjTÜ^{eyOT 8}!" ?^rie^^C- ^{ZOgen Das in dem} Spihfil 2 fthlt Ia

gtzte^TKrSe S ag

tZ ÄSSTJ? fj-_PTÜ^eyOT κ⁸!" ?^rie^^C- ^ZOgen· ^{Das in dem} Speicherfilm 2 festhaltene Ia-

rung dispergiert so daß jede kleine Folie der Gra- 20 tente Bild wird wie obenerwähnt im Hellen ent-

phitteilchen parallel zu der Auspreßachse liegt. Der wickelt. uuenerwanm im neuen

Stab wird zu einem Äquivalent eines Bündels von

Fasern, die aus den Graphitfolien bestehen und je- B ei spie 14

weils einen gewünschten elektrischen Widerstand auf- Eine

weisen. Demnach ist ein aus dem ausgepreßten Stab a₅ wirf Ιο^ΖΣη^^^ηΤ^Γ^

in gewünschter Länge herausgeschn ttener Zylinder feiner I inion «,;,ΤΓ t j i 1. · i! · ^g T- j

am besten als Vielpunktelektrode geeignet. DiS üS auf dir ^af_a ^de ₁ ^m _tt ^d^^chs>^cht]6^en'.^Ieitenden

³°

Die Speicherplatte Nr. 2 des Beispiels 1 wird mit Beschr^bun_B heS", ηΓ ^entsP^{rechend der}
einer Wechsdspanmmgsquelle 24 gemäß Fig. 3 ver- 35 f_rockΓ29 wTrH ίι" ^ß η c ^z"^M™^meng^eJ^et*^e
bunden. Die so hergestellte Vielpunktelekfrode 19 Satte LZ Ϊ/η' f °'ΐ^ V"
wird mit der Spannungsquelle 24 verbunden und £ichfrfilm2 in H P^hotoleitendi ^δ?
gegen den Speicherfilm 2 der Speicherplatte 1 Sr £ S^ dLhsicitia^?^" JP**
etwa 10 ms gedrückt. Die Spannung 25 der Quelle 24 durchsSti«* Ä, ^? ^¹^' ^ f liegt geeigneterweise zwischen 75 V_cH und 130 K,„. 40 Elektrode Srd nt ί f ^6Γ ^⁵³™¹¹^«^^{1 en} Das erhaltene latente Bild wird mit dem obenerwähl· den deren ^S ■ Spannungsquelle 24 verbunten Entwicklungsverfahren sichtbar gemacht. S ^ ^S _n ^pan"^{Ung Im Dunkeln} ^f 65 V gehalten

⁵ 1™· ^hine negative photographische Va\cTp\ane41

Beispiel 3 wird auf die zusammengesetzte Elektrode 29 gelegt

Eine geeignete zusammengesetzte Elektrode wird 45 ramiampe^^eSf^f "? Ύ^Τ Τ^ϊ" folgendermaßen hergestellt: 1 Gramm PoIy-N- te: 52h der Belief ^5Olx.^e*^w^^{! s} _c ^{ec la}"g behch" Vinvl-carbazol und 0,004 Gramm Benzopyrylium- von der zuVLmi ^g ™^T$ ^{die S}P^eicherP^{latte 1} salz werden in 10 ml Methylenchlorid geli^Die Lö- kein IZrnlT η^ng^^seti^tcn Elektrode 29 im Dunsung wird auf einen durchsichtigen, kitenden Ub£ fat^nte I id^m ΗοίΓ ^¹^ ^{2 1}^* zug auf einer G.asplatte durch Messerüberzug aufge- 50 ^^^^^ZiZSS

Hierza 1 Bl«t Zeichnungen

Claims (10)

1 2 werden kann und das erhaltene latente Biid nicht mit Patentansprüche: der Zeit verblaßt Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge-

1. Verfahren zur Herstellung eines latenten löst, daß man ein elektrisches Feld gemäß einem Bildes, dadurch gekennzeichnet, daß 5 gewünschten Bild an eine isolierende Speicherplatte man ein elektrisches Feld gemäß einem gewünsch- aus Harz mit darin dispergierten, feinteiligen, leitenten BOd an eine isolierende Speicherplatte (2) aus den Teilchen anlegt, wobei die von dem elektrischen Harz (47) mit darin dispergierten, feinteiligen. Feld getroffenen Flächen sich im elektrischen Widerleitenden Teilchen (48) anlegt, wobei die von dem stand'von einem hochohmigen in einen niederohmielektrischen Feld getroffenen Flächen sich im io gen Widerstand ändern, und man einen elektrischen elektrischen Widerstand von einem hochohmigen Strom an die vom elektrischen Feld getroffene Fläche in einen oiederobnügen Widerstand ändern, und liefert, wobei der niederohmige Widerstand dauerhaft man einen elektrischen Strom an die vom elek- ab ein Speicherzustand festgehalten wird.

trischen Feld getroffene Fläche liefert, wobei der Die Einzelheiten der vorliegenden Erfindung wer-

niederohmige Widerstand dauerhaft als ein Spei- 15 den aus der folgenden genauen Beschreibung in Ver-

cherzustand festgehalten wird. bindung mit den Zeichnungen deutlich werden.in denen

2. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch ge- F i g. 1 eine Querschnittsansicht einer Ausführungskennzeichnci, daß das elektrische Feld durch eine form einer Speicherplatte und eines leitenden Stiftes Elektrode (4) gemäß einem gewünschten Bild an- ist,

gelegt wird. ao Fig. 2 eine graphische Darstellung beispielhafter

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Spannungs-Strom-Kennlinien eines Speicherfilms ist, kennzeichnet, daß das elektrische Feld durch eine F i g. 3 eine Querschnittsansicht einer Ausführungssich frei auf der isolierenden Speicherplatte (2) form einer Speicherplatte und einer Mehrpunktelekbewegende Elektrode (4) angelegt wird. trade zeigt,

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- «5 Fig. 4 eine Querschnittsansicht einer Ausführungskennzeichnet, daß das elektrische Feld durch eine form der Speicherplatte zeigt, zu der eine zusammenzusammengesetzte Elektrode (29) angelegt wird, gesetzte Elektrode gehört,

die im wesentlichen aus einer durchsichtigen lei- Fig. 5 eine perspektivische Ansicht einer Ausfiih-

tenden Schicht (31) und einer photoleitenden rungsform einer Speicherplatte zeigt, die eine zusam-

Schicht (30) besteht und mit einem Lichtbild be- 30 mengesetzte Elektrode besitzt, deren Oberfläche ein

lichtet wird. Netz bedeckt,

5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch ge- Fig. 6 einen vergrößerten Teilquerschnjtt einer kennzeichnet, daß die Elektrode gemäß dem ge- Speicherplatte zeigt.

wünschten Bild sich aus einer Vielzahl von Punkt- Die Speicherplatte 1 gemäß F i g. 1 besteht aus

elektroden (20) zusammensetzt. 35 einem Speicherfilm 2 und einer an dem Speicherfilm

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge- befestigten Elektrode 3. Der Speichorfilm 2 besteht kennzeichnet, daß in die zusammengesetzte Elek- aus Harz, in dem feinteilige, leitende Teilchen dispertrode (29) ein Netz (39) eingeschlossen ist. giert sind. Die Elektrode 3 ist mit einem Ende 8

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- einer Batterie 6 verbunden. Ein leitender Stift 4 kann kennzeichnet, daß das Harz (47) Atome der 40 sich in Berührung mit dem Speicherfilm 2 bewegen Gruppe aus Chlor und Brom enthält und ist über einen elektrischen Widerstand 5 mit dem

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- anderen Ende 7 der Batterie 6 verbunden. Ein elekkennzeichnet, daß die feinteiligen, leitenden Teil- trisches Feld in einem gewünschten Muster kann an chen (48) eine durchschnittliche Teilchengröße den Speicherfilm 2 angelegt werden, indem das ge-νοηΟ,Ι bis 10 μ aufweisen. 45 wünschte Muster mit dem leitender Stift 4 auf den

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch ge- Speicherfilm 2 gezeichnet wird.

kennzeichnet, daß die feinteiligen, leitenden Teil- Der Speicherfilm 2 besitzt drei elektrische Leitchen (48) aus Silberpulver mit einer durchschnitt- zustände in seinem spezifischen Widerstand, einen liehen Teilchengröße von 0,2 bis 1 μ bestehen. Zustand hohen Widerstandes, einen Zustand nied-

10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 50 rigen Widerstandes und einen neuen Zustand der kennzeichnet, daß die feinteiligen, leitenden Teil- Strom-Spannungs-Kennlinie, die von der Spannung chen (48) im durchschnittlichen Abstand von 500 abhängig sind, die zwischen dem leitenden Stift 4 und bis 10000 A voneinander angeordnet sind. der Elektrode 3 angelegt wird, wie es in Fig. 2 gezeigt wird. Wenn die Spannung V (Fig. 1) über dem

55 Speicherfilm 2 im Hochohmzustand 10 bis zu einem

ersten Schwellenwert 11 erhöht wird, dann wird der

Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- Leitzustand des Speicherfilms schnell umgewandelt

Stellung eines latenten Bildes. vom Hochohmzustand 10 in den Niederohmzustand

Es sind verschiedene Verfahren zur Herstellung 12. Nach der Umwandlung in den Niederohmzustand

eines latenten Bildes bekannt. Einige von ihnen 6° 12 bewirkt eine Erhöhung der Spannung V einen

basieren auf Photoreaktionen. Dabei ist nachteilig, großen Strom I (Fig. 1), der praktisch linear von

daß das Verfahren im Dunkeln durchgeführt werden dem leitenden Stift 4 zur Elektrode 3 fließt. Eine

muß. Die anderen sind Anwendungen elektrosta- Erhöhung des Stromes bis zu einer zweiten Schwelle

tischer Verfahren. Dabei ist nachteilig, daß das erhal- 13 bewirkt eine schnelle Umformung des Speicher-

tene latente Bild häufig schnell verblaßt. 65 films vom niederohmigen Zustand 12 in den neuen

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Schaf- Zustand 14 der Strom-Spannungs-Kennlinie. In

hing eines Verfahrens zur Herstellung eines latenten diesem neuen Zustand ergibt <iine Abnahme der

Bildes, bei dem das latente Bild im Hellen hergestellt Spannung V eine praktisch lineare Abnahme des