DE2058891B1 - Circuit arrangement for protection against overload for the transistors of a power output stage - Google Patents

Description

Bei der erfindungsgemäßen Anordnung hat also der Schutztransistor bei Erreichen des vorgegebenen Schwellwertes, der wertemäßig dem oberen Grenzstromwert des zu schützenden Transistors entspricht, die Wirkung einer Gegenkopplung. Es findet also, um die Schutzwirkung zu erzielen, keine Verschiebung des Gleichstromarbeitspunktes der Vorstufe statt. In the arrangement according to the invention so has the Protection transistor when the specified threshold value is reached, the value of the corresponds to the upper limit current value of the transistor to be protected, the effect of a Negative feedback. So there is no shift in achieving the protective effect of the DC operating point of the preliminary stage.

Da der Vorstufentransistor nicht durch Kurzschluß unwirksam geschaltet wird, kann somit über den verbleibenden Signalrest festgestellt werden, daß der Verstärker nicht defekt ist, sondern lediglich ein gestörter Betrieb durch einen kurzgeschlossenen Ausgang oder durch einen Ausgangswiderstand, der klein ist gegenüber demjenigen, für den der Verstärker ausgelegt ist, vorliegt. Because the pre-stage transistor is not disabled by a short circuit is, it can thus be determined from the remaining signal that the Amplifier is not defective, just a disturbed operation by a short-circuited output or by an output resistance that is small compared to whoever the amplifier is designed for.

Der Schwellwert für den Schutztransistor wird erfindungsgemäß bei geringstem Bauelementeaufwand dadurch vorgegeben, daß sein Emitter an dem Verbindungspunkt zweier, den Teilwiderstand eines die Vorspannung für den Basissteuerkreis des Vorstufentransistors festlegenden Spannungsteilers angeschlossen ist. According to the invention, the threshold value for the protective transistor is at Lowest component outlay given by the fact that its emitter is at the connection point two, the partial resistance of the bias voltage for the base control circuit of the pre-stage transistor determining voltage divider is connected.

Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung ergibt sich dann, wenn der Vorstufentransistor den Verstärkertransistor einer Oszillatorschaltung darstellt, wobei dann die von der Oszillatorwicklung ausgekoppelte Spannung die Ansteuersignale für die beiden Leistungstransistoren der Gegentaktendstufe bilden. A particularly advantageous embodiment of the invention results when the pre-stage transistor is the amplifier transistor of an oscillator circuit represents, in which case the voltage decoupled from the oscillator winding is the Form control signals for the two power transistors of the push-pull output stage.

Die ausgangsseitige Verbindung des Schutztransistors kann durch Anschalten des Kollektors an die Eingangselektrode des Verstärkertransistors oder an das nicht unmittelbar mit der Eingangselektrode verbundene Ende einer Einkopplungswicklung, die im Falle der Oszillatorschaltung die Rückkopplungswicklung darstellt, erfolgen. The output-side connection of the protective transistor can be switched on of the collector to the input electrode of the amplifier transistor or to the not end of a coupling winding directly connected to the input electrode, which represents the feedback winding in the case of the oscillator circuit.

Durch die integrierende Wirkung des Schwingkreises der Oszillatorschaltung wird bezogen auf beide Halbwellen ein voller Schutz für die Transistoren einer im Gegentakt-B-Betrieb arbeitenden Endstufe erreicht. Due to the integrating effect of the resonant circuit of the oscillator circuit a full protection for the transistors of an im Output stage working in push-pull B mode is reached.

Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind nachstehend an Hand der Zeichnungen erläutert. Two embodiments of the invention are given below of the drawings.

Das Prinzipschaltbild nach F i g. 1 stellt einen Leistungsgenerator dar. Die aus den Transistoren T3 und T4 bestehende Reihen-Gegentaktendstufe erhält ihre Eingangssignale von einer Oszillatorstufe, die durch den Transistor T2, dem aus der Wicklung des Übertragers Ü1 und dem Kondensator C'1 bestehenden frequenzbestimmenden Kreis sowie der Rückkopplungswicklung E2 des Übertragers Ü1 gebildet wird. Der aus der Reihenschaltung der Widerstände Ri, R3 und dem Widerstand R4 bestehende Spannungsteiler sowie der Widerstand R5 dienen zur Arbeitspunkteinstellung des Transistors T2. In dem Ausführungsbeispiel ist die Schwingstufe in Kollektorschaltung ausgeführt, da durch den kleinen Ausgangswiderstand einer derartigen Stufe gewährleistet ist, daß die Sinusspannung bei Laständerung nicht verzerrt wird. Es ist jedoch bei entsprechender Abwandlung und unter Beachtung der Polaritäten möglich, eine andere Schaltungsart bzw. andere Transistortypen zu verwenden. Dies gilt für die Endstufe entsprechend. The basic circuit diagram according to FIG. 1 represents a power generator The series push-pull output stage consisting of transistors T3 and T4 receives their input signals from an oscillator stage through the transistor T2, the from the winding of the transformer U1 and the capacitor C'1 existing frequency-determining Circle and the feedback winding E2 of the transformer Ü1 is formed. The out the series connection of the resistors Ri, R3 and the resistor R4 existing voltage divider and the resistor R5 are used to set the operating point of the transistor T2. In In the exemplary embodiment, the oscillating stage is designed as a collector circuit, since the small output resistance of such a stage ensures that the sinusoidal voltage is not distorted when the load changes. However, it is with the appropriate Modification possible while observing the polarities, another type of circuit or to use other transistor types. This applies accordingly to the output stage.

Durch transformatorische Ankopplung an die Schwingkreiswicklung werden über die Basiswicklungen E3 und E4 des Übertragers Ü1 die Transistoren T3 und T4 der Leistungsendstufe sinusförmig und gegenphasig angesteuert. Die Widerstände R6 und R7 dienen der Arbeitspunkteinstellung. Wird der Transistor T3 leitend gesteuert, so besteht ein Stromfluß über diesen Transistor, der Wicklung des Ausgangsübertragers Ü2 und dem Kondensator C3. Dieser erhält somit eine zusätzliche Ladung. Wird dagegen der Transistor T4 leitend, so entlädt sich der Kondensator C3 über die Wicklung des Ausgangsübertragers Ü2 und den Transistor T4 und gibt die vorher zusätzlich gespeicherte Energie ab. Während dieser Zeit wird aus der Versorgungsspannungsquelle kein Strom entnommen. By means of a transformer coupling to the resonant circuit winding The transistors T3 and T4 via the base windings E3 and E4 of the transformer U1 the power output stage is driven sinusoidally and in phase opposition. The resistors R6 and R7 are used to set the operating point. If the transistor T3 is turned on, so there is a current flow through this transistor, the winding of the output transformer Ü2 and the capacitor C3. This thus receives an additional charge. Will against it the transistor T4 is conductive, the capacitor C3 discharges through the winding of the output transformer Ü2 and the transistor T4 and gives the previously in addition stored energy. During this time, the supply voltage source is switched off no power drawn.

Tritt nun ein gestörter Betriebsfall, z. B. durch einen Kurzschluß am Ausgang oder durch einen Ausgangswiderstand, der klein ist gegenüber demjenigen, für den der Verstärker ausgelegt ist, auf, so würde beispielsweise der Transistor T3 zerstört, wenn er sich im leitenden Zustand befindet. Um nun den Leistungstransistor in einem solchen Falle vor Überlastung zu schützen, wird gemäß der Erfindung ein weiterer Transistor T1 in Verbindung mit den Widerständen R1 und R2 verwendet. An dem Widerstand R2 steht eine dem halbwellenweise aufgenommenen Kollektorstrom des Leistungstransistors T3 entsprechende Spannung zur Verfügung. Diese wird zur Steuerung des Schutztransistors T1, der bei ordnungsgemäßem Betrieb gesperrt ist, verwendet. Damit nun die Aussteuerung des Transistors T1 erst bei einem bestimmten Lastfall erfolgt, wird für ihn ein Schwellwert vorgegeben. Dies wird durch die Anschaltung seines Emitters an den Verbindungspunkt der Teilwiderstände R 1 und R3, die zusammen den Teilwiderstand des die Vorspannung für den Transistor T2 liefernden und zusätzlich aus dem Widerstand R4 bestehenden Spannungsteilers darstellen, erreicht. Die Emitter-Basis-Strecke des Transistors T1 wird somit mit Hilfe des Widerstandes R1 negativ vorgespannt. If a disturbed operating case occurs, e.g. B. by a short circuit at the output or through an output resistance that is small compared to that for which the amplifier is designed, for example the transistor T3 destroyed when it is in the conductive state. To now the power transistor in such a case to protect against overload, according to the invention a Another transistor T1 is used in conjunction with the resistors R1 and R2. At the resistor R2 is a half-wave absorbed collector current of the Power transistor T3 corresponding voltage available. This becomes the control of the protective transistor T1, which is blocked during normal operation, is used. So that the control of the transistor T1 is now only in a certain load case occurs, a threshold value is specified for it. This is achieved through the connection its emitter to the connection point of the partial resistances R 1 and R3, which together the partial resistance of the supplying the bias voltage for the transistor T2 and additionally represent from the resistor R4 existing voltage divider, achieved. The emitter-base route of transistor T1 is thus negatively biased with the aid of resistor R1.

Die Polarität der Wicklungen des Übertragers Ü1 wird so gewählt, daß der Transistor T3 hochohmig und der Transistor T4 niederohmig gesteuert wird, wenn der Schwingkreistransistor T2 den niederohmigen Zustand einnimmt. Wenn nun in einem beispielsweise durch den Kurzschluß der Last vorliegenden Überlastfall während des leitenden Zustandes des Transistors T3 der Spannungsabfall am Widerstand R2 so groß wird, daß er die mit dem Widerstand R1 gewählte Schwellspannung überschreitet, dann wird der Transistor T1 leitend gesteuert. Zu diesem Zeitpunkt müßte der Transistor T2 auf Grund der gewählten Polaritäten für die Ansteuerwicklungen jedoch vom Schwingkreis aus hochohmig gesteuert werden. The polarity of the windings of the transformer Ü1 is chosen so that the transistor T3 is controlled with a high resistance and the transistor T4 with a low resistance, when the resonant circuit transistor T2 assumes the low-resistance state. If now in an overload situation, for example due to a short circuit in the load while the transistor T3 is conducting, the voltage drop across the resistor R2 becomes so large that it exceeds the threshold voltage selected with resistor R1, then the transistor T1 is controlled to be conductive. At this point the transistor should T2 due to the selected polarities for the control windings, however, from the resonant circuit can be controlled from high resistance.

Dies wird jedoch durch das Leitendwerden des Transistors T1 verhindert, so daß die Spannung an der Schwingkreiswicklung WS und damit über die transformatorische Einkopplung an den Ansteuerwicklungen El bzw. E2 der Transistoren T3 und T4 in ihrer Amplitude so weit zurückgeregelt wird, daß der Stromfluß durch den Transistor T3 nicht weiter ansteigen kann. Der Schutztransistor T1 dient also als regelnde Begrenzung hinsichtlich der eingespeisten Signalspannungen für die Transistoren der Leistungsendstufe. Durch die integrierende Wirkung des Schwingkreises besteht also bei Verwendung nur eines zusätzlichen Schutztransistors ein voller Schutz für beide Leistungstransistoren der Endstufe. Die Wirkung der erfindungsgemäßen Schutzschaltung setzt in einer solch kurzen Zeit ein, daß die Endstufentransistoren noch nicht gefährdet werden.However, this is prevented by the transistor T1 becoming conductive, so that the voltage on the resonant circuit winding WS and thus on the transformer Coupling to the control windings E1 and E2 of the transistors T3 and T4 in their Amplitude is regulated back so far that the current flow through the transistor T3 cannot increase further. The protective transistor T1 thus serves as a regulating limitation with regard to the signal voltages fed in for the transistors of the power output stage. Due to the integrating effect of the resonant circuit, there is only one when used an additional protection transistor provides full protection for both power transistors the power amplifier. The effect of the protective circuit according to the invention continues in such a a short time that the output stage transistors are not endangered.

Wird der Überlastungsschutz auch bei reinem Verstärkerbetrieb angewendet, so ist es zweckmäßig, für jede der beiden Halbwellen einen Schutztransistor vorzusehen, da in einem solchen Fall die integrierende Wirkung des Schwingkreises fehlt. Die Anschaltung des weiteren Schutztransistors ist in dem Prinzipschaltbild nach der Fig.2 dargestellt. Während der negativen Halbwelle, in der eine Aussteuerung -des Transistors T4 stattfindet, wird durch den dem Schutztransistor T1 entsprechenden weiteren Schutztransistor T5 die Schutzwirkung erzielt. Die Aussteuerung des Transistors T5 erfolgt analog zur Aussteuerung des Transistors T1 über den zusätzlich ein- geschalteten Widerstand R8. Der Übertrager Ü3 soll die Einspeisung für den Vorstufentransistor T3 andeuten, und der mit der Primärwicklung in seinem Emitterkreis liegende Übertrager Ü1 dient wieder zur Einkopplung der Ansteuerspannung für die Transistoren T3 und T4 der Endstufe. Die übrigen Bauelemente sind in Übereinstimmung mit der F i g. 1 bezeichnet. Is the overload protection even with pure amplifier operation applied, so it is advisable to provide a protective transistor for each of the two half-waves, because in such a case the integrating effect of the oscillating circuit is missing. the Connection of the further protection transistor is shown in the basic circuit diagram according to the Fig. 2 shown. During the negative half-wave, in which a modulation -des Transistor T4 takes place, is through the protection transistor T1 corresponding Another protective transistor T5 achieved the protective effect. The modulation of the transistor T5 takes place in the same way as the control of transistor T1 via the additionally switched Resistor R8. The transformer Ü3 is intended to feed the pre-stage transistor T3 indicate, and the transformer lying with the primary winding in its emitter circuit Ü1 is again used to couple the control voltage for the transistors T3 and T4 of the output stage. The other components are in accordance with FIG. 1 referred to.

Wird auf einen Vorstufentransistor verzichtet, so ist auch eine unmittelbare Beeinflussung des Leistungstransistors durch den Schutztransistor bei gleicher eründungsgemäßer Wirkung möglich. If a pre-stage transistor is dispensed with, an immediate one is also required Influence of the power transistor by the protective transistor with the same according to the invention Effect possible.

Claims (3)

Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zum Schutz gegen Überlastung für die Leistungstransistoren einer Gegentaktendstufe unter Verwendung eines Schutztransistors, der an einem im Versorgungsstromkreis eines Leistungstransistors angeordneten Widerstand angeschaltet ist, d a d u r c h g ekennzeichnet, daß der Schutztransistor durch den im Überlastfall an dem Widerstand (R2) auftretenden erhöhten Spannungsabfall bei Überschreiten eines für ihn vorgegebenen Schwellwertes aufgesteuert wird und daß der Schutztransistor ausgangsseitig an die Eingangselektrode eines Vorstufentransistors (T2) angeschlossen ist und unmittelbar bei jeder Halbwelle des durch den Leistungstransistor fließenden Stromes wirksam in die Ansteuerung- der Endstufe eingreift. Claims: 1. Circuit arrangement for protection against overload for the power transistors of a push-pull output stage using a protective transistor, the one arranged in the supply circuit of a power transistor resistor is switched on, d a d u r c h g ekmarks that the protective transistor through the increased voltage drop occurring at the resistor (R2) in the event of an overload is opened when a threshold value specified for it is exceeded and that the protective transistor on the output side to the input electrode of a pre-stage transistor (T2) is connected and immediately at each half cycle of the through the power transistor flowing current effectively intervenes in the control of the output stage. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Schutztransistors an den Verbindungspunkt zweier, den Teilwiderstand eines die Vorspannung für den Basissteuerkreis des Vorstufentransistors festlegenden Spannungsteilers angeschlossen ist, so daß dadurch der Schwellwert für den Schutztransistor vorgegeben werden kann. 2. Circuit arrangement according to claim, characterized in that the emitter of the protective transistor at the connection point of two, the partial resistance one setting the bias voltage for the base control circuit of the pre-stage transistor Voltage divider is connected, so that thereby the threshold value for the protective transistor can be specified. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorstufentransistor den Verstärkungstransistor einer Oszillatorstufe darstellt, wobei die von der Oszillatorwicklung (WS/ Ü1) ausgekoppelten Spannungen die Ansteuersignale fur die - Leistungstransistoren darstellen. 3. Circuit arrangement according to claim 1 and 2, characterized in that that the pre-stage transistor represents the amplification transistor of an oscillator stage, where the voltages decoupled from the oscillator winding (WS / Ü1) are the control signals for the - represent power transistors. Um Halbleiter-Bauelemente, insbesondere Transistoren in einer Leistungsendstufe vor Überströmen, die gewöhnlich eine Zerstörung oder bleibende Veränderung des Bauel-e-inentes - verursachen-'W-ürden, zu schützen, sind die verschiedensten mehr oder weniger komplizierten Ausführungsformen bekannt. To semiconductor components, especially transistors in a power output stage against overcurrents, which usually result in destruction or permanent change in the building element - cause-'w-udden, to protect, are the most diverse more or less complicated embodiments known. Derartige Überströme treten hauptsächlich dann auf, wenn ein Kurzschluß der Last entsteht. Such overcurrents mainly occur when there is a short circuit the burden arises. Es sind unter anderem bereits Transistorverstärkerschaltungen bekannt, bei denen ein Hilfstransistor eine Regel- oder Schutzaufgabe übernimmt. In den meisten Fällen wird dabei im wesentlichen eine TemperatUr kompensation und damit eine Stabilisierung des Arbeitspunktes dadurch erzielt, daß mittels des Hilfstransistors der Arbeitspunkt entsprechend verlegtwird. Dies erfolgt z. B. in der Weise, daß dem Hilfstransistor eine Differeiizspannung'-zugetführt-wird, die aus einer dem Strom durch den Leistungstransistor proportionalen Spannung und einer dem Strom durch den die Vorstufe bildenden Transistor proportionalen Spannung gebildet wird. Durch die über den Hilfstransistor erzeugte Korrekturspannung wird dann die Vorstufe stabilisiert. Derartige Anordnungen, die in gewissen Grenzen die Temperaturabhängigkeit der Transistoren kompensieren, stellen jedoch keinen wirksamen Schutz gegen plötzliche Überlastungen dar. Among other things, transistor amplifier circuits are already known, in which an auxiliary transistor takes on a control or protection task. In most In this case, temperature compensation and thus stabilization are essentially the result of the operating point achieved in that by means of the auxiliary transistor, the operating point is laid accordingly. This is done e.g. B. in such a way that the auxiliary transistor a differential excitation voltage is supplied which is derived from a current through the power transistor proportional voltage and one to the current through the transistor forming the preliminary stage proportional voltage is formed. By the generated via the auxiliary transistor Correction voltage is then stabilized in the preliminary stage. Such arrangements that Compensate the temperature dependence of the transistors within certain limits does not provide effective protection against sudden overloads. Weiterhin besteht ein bekanntes Lösungsprinzip zur Sicherung der Leistungstransistoren in Verstärkerstufen gegen Überlastung oder Kurzschluß darin, im Überlastfall einen Schutztransistor zu öffnen und die weitere Aussteuerung des Leistungstransistors durch-einen dadurch hergestellten Kurzschluß der Ansteuerspannung zu verhindern. Der Aufwand für die hierzu erforderlichen Bauelemente ist dabei sehr groß. Furthermore, there is a known solution principle for securing the Power transistors in amplifier stages against overload or short circuit in them, to open a protective transistor in the event of an overload and the further modulation of the Power transistor through a short-circuit of the control voltage produced as a result to prevent. The cost of the components required for this is very high great. Um zu verhindern, daß der Schutztransistor unerwünscht geöffnet wird, wenn der Leistungstransistor als Verstärker arbeitet, müssen bei einer bekannten Anordnung die seiner Basis über einen zwischen den Kollektor des Leistungstransistors und Erde gelegten Spannungsteiler zugeführten Steuerspannungen durch Kondensatoren geglättet werden. Da die Sperrung des Leistungstransistors auch dann noch andauert, wenn der Überlastfall nicht mehr besteht, muß zur Beseitigung des hergestellten Kurzschlusses ein Wiedereinschalteimpuls gegeben werden. To prevent the protective transistor from being opened undesirably, if the power transistor works as an amplifier, must with a known Arrangement of its base via a between the collector of the power transistor and control voltages supplied to ground voltage divider by capacitors be smoothed. Since the blocking of the power transistor continues, if the overload case no longer exists, must be used to eliminate the A restart pulse can be given in the event of a short circuit. Bei einer weiteren bekannten Anordnung ist zur Erfassung des Überlastfalles eine Vergleichsstufe vorgesehen, durch die die Spannung über den Leistungstransistor und die zur Erfassung des Stromes durch den Leistungstransistor an einem entsprechenden Widerstand abfallende Spannung miteinander verglichen werden. Ein- derartiges Prinzip erfordert für jeden zu schützenden Leistungstransistor zwei zusätzliche Hilfstransistoren. Another known arrangement is to detect the overload situation a comparison stage is provided through which the voltage across the power transistor and that for detecting the current through the power transistor at a corresponding one Resistance dropping voltage can be compared with each other. Such a principle requires two additional auxiliary transistors for each power transistor to be protected. Bei einer anderen bekannten Anordnung wird die Schutzwirkung dadurch erzielt, daß ein im Kollektorkreis des zu schützenden Transistors angeordneter weiterer Leistungstransistor dessen Kollektorstrom sperrt. Es sind hierbei für die Schutzschaltung ebenfalls zwei zusätzliche Transistoren erforderlich. In another known arrangement, the protective effect is thereby achieved that a further arranged in the collector circuit of the transistor to be protected Power transistor whose collector current blocks. There are here for the protective circuit two additional transistors are also required. Bei einem derartigen Lösungsprinzip kann nicht festgestellt werden, ob ein Defekt des Endverstärkers oder lediglich ein gestörter Betrieb durch einen kurzgeschlossenen Ausgang vorliegt. With such a solution principle, it cannot be determined whether a defect in the power amplifier or just a faulty operation by a there is a short-circuited output. Bei einer weiteren bekannten Schutzschaltung ist in der Versorgungsleitung eines Endstufentransistors ein Widerstand angeordnet, wobei der an diesem Widerstand auftretende Spannungsabfall einen Schutztransistor steuert. Durch das Öffnen des Schutztransistors wird eine Verschiebung des Gleichstromarbeitspunktes der Vorstufe erzielt. Diese Verschiebung kann infolge der in der Schaltung vorhandenen Zeitkonstanten nur verzögert einsetzen. Es muß sich erst über mehrere Aussteuerhälbwellen ein Mittelwert herausbilden. Eine derartige Anordnung bildet also gegen plötzliche Überlastungen keinen ausreichenden Schutz. Another known protective circuit is in the supply line of an output stage transistor arranged a resistor, the resistor at this Any voltage drop that occurs controls a protective transistor. By opening the Protection transistor is a shift in the DC operating point of the preliminary stage achieved. This shift can be due to the time constants present in the circuit only start with a delay. A mean value must first be established over several half-wave output develop. Such an arrangement thus protects against sudden overloads insufficient protection. Es Es ist die Aufgabe der Erfindung, eine einfach dimensionierende und eine betriebssichere hub er lastungsschutzschaltung für die Transistoren einer Gegentaktleistungsendstufe, insbesondere für eine Endstufe mit konstanter Aussteuerung3-wie-sie z. B.It is the object of the invention to provide a simple dimensioning and a reliable hub he load protection circuit for the transistors of a Push-pull power output stage, especially for an output stage with constant level control 3-like-them z. B. bei Generatoren vorliegt, zu schaffen, wobei ein Schutztransistor, der an einem im Versorgungsstromkreis eines Leistungstransistors angeordneten Widerstand angeschaltet ist, verwendet wird.in the case of generators, with a protective transistor, the one arranged in the supply circuit of a power transistor resistor is turned on. Dies wird dadurch erreicht, daß der Schutztransistor - durch den im Überlastfall an dem Widerstand auftretenden erhöhten Spannungsabfall bei Überschreiten eines für ihn vorgegebenen Schwellwertes aufgesteuert wird und daß der Schutztransistor ausgangsseitig an die Eingangselektrode eines Vorstufentransistors angeschlossen ist und unmittelbar bei jeder Halbwelle des durch den Leistungstransistor fließenden Stromes wirksam in die Ansteuerung der Endstufe eingreift. This is achieved in that the protective transistor - through the in the event of an overload at the resistor, increased voltage drop when exceeded a threshold value predetermined for it is turned on and that the protective transistor connected on the output side to the input electrode of a pre-stage transistor is and immediately at each half-wave of the flowing through the power transistor Current effectively intervenes in the control of the output stage.