DE2037410C3 - Character generator for an XY display device - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Zeichengenerator für ein XY-Anzeigegerät gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs I.The present invention relates to a character generator for an XY display device according to the preamble of claim I.

Aus der OB-PS 11 07 364 ist bereits ein Zeichengene-From the OB-PS 11 07 364 a character generation is already

rator bekanntgeworden, welcher pro darzustellendes Symbol ein Gatter aufweist, das eine Anzahl von Transistorschaltern enthält Diese Transistoren werden durch eine Symbolauswahlstufe einerseits sowie einen Zeittaktgenerator andererseits angesteuert. Die Ansteuerung durch den letztgenannten Zeittaktgenerator erfolgt sequentiell. Durch Aufteilung des Kollektorstroms der Transistoren über je zwei parallele Dioden werden X- und V-Ströme erzeugt. Die von den als Schalter wirkenden Transistoren gelieferten Ströme werden zunächst in Matrixstufen matriziert, wobei diese Matrixstufen Stromgeneratoren ansteuern, welche die entsprechenden Werte der endgültigen X- und V-Ablenkströme festlegen. In den Stromgeneratoren sind dabei zur Festlegung der Ablenkstromwerte Widerstände mit unterschiedlichen Widerstandswerten vorgesehen. rator has become known, which has a gate for each symbol to be displayed which contains a number of transistor switches. These transistors are controlled by a symbol selection stage on the one hand and a clock generator on the other. The control by the last-mentioned timing generator takes place sequentially. By dividing the collector current of the transistors via two parallel diodes each, X and V currents are generated. The currents supplied by the transistors acting as switches are first matrixed in matrix levels, these matrix levels triggering current generators which determine the corresponding values of the final X and V deflection currents. Resistors with different resistance values are provided in the current generators to determine the deflection current values.

Erstens ist die Realisierung von Widerständen mit unterschiedlichen definierten Werten an sich ein Problem, da die unterschiedlichen Widerstandswerte nur durch unterschiedliche DotierungsKon/entratinnen oder unterschiedliche Flächen im Halbleiter-Orundknstall für die integrierte Schaltung realisierbar sind. Bei einer Vielzahl von Widersländen (beispielsweise 15 Widerstände) für einen Stromgenerator stellt dies einen erheblichen Aufwand an Dotierungs-Prozeßschritten oder an Maskensätzen dar. Weiterhin müssen diese Widerstände im Halbleiter-Kristall auch gegeneinander isoliert werden, so daß weiterhin auch noch der Raumbedarf im Halbleiter-Kristall groß wird. joFirst, the realization of resistors with different defined values is in itself a Problem, since the different resistance values are only due to different doping con / ent or different areas in the semiconductor industry can be implemented for the integrated circuit. In the case of a large number of contradictions (e.g. 15 Resistors) for a current generator, this represents a considerable effort in doping process steps or on mask sets. Furthermore, these resistances in the semiconductor crystal must also be against each other are isolated, so that the space requirement in the semiconductor crystal continues to be large. jo

Würde man andererseits die Widerstände der Schaltungsanordnung nicht mit integrieren, so lohnt sich der Integrationsaufwand kaum, da der Anwender den größten Teil der Gesamtschaltung als diskrete Außenbeschaltung für den integrierten Teil der Schaltung j-i vorsehen muß.On the other hand, if the resistors of the circuit arrangement were not also integrated, it would be worthwhile the integration effort hardly, since the user uses most of the overall circuit as a discrete external circuit for the integrated part of the circuit j-i must provide.

Es ist weiterhin aus der FRPS 1220 193 eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung von in ein XY Anzeigegerät einzuspeisenden Signalen, als Funktion derer d; , Anzeigegerät vorgegebene Symbole in f-'orm von Liniensegmenten anzeigt, bekanntgeworden, wobei die LiniensegmeniFndpunkte des jeweils an/u zeigenden Symbols sukzessive durchlaufen werden. Dabei ist pro Linien-Segment-Endpunkt des jeweils anzuzeigenden Symbols je ein Satz von Widerständen η mit zwei Widerständen vorgesehen, son denen jeweils ein erster Widerstand einen Y-Ablenkausgangssirom und jeweils ein /weiter Widerstand einen V-Ablcnkaiis gangsstrom für das Anzeigegerät liefert, derart, daß das Verhältnis des X- und V Ablenksiromes jeweils eines ίιι Widerstandssatzes jeweils einem Linien-Segment! nd punkl des jjweils anzuzeigenden Symbols entspricht, wobei den Widerslandssat/en ein Signalgenerator vorgeschaltet ist. über den die Widerstandssatze innerhalb einer Ansiciiersequcnz nacheinander ,in vi steuerbar sindIt is also from FRPS 1220 193 a circuit arrangement for generating signals to be fed into an XY display device, as a function of which d; , Display device displays given symbols in the form of line segments, has become known, the line segment endpoints of the respective symbol being displayed being traversed successively. A set of resistors η with two resistors is provided for each line segment end point of the symbol to be displayed, each of which a first resistor supplies a Y deflection output and one / further resistance supplies a V deflection output current for the display device that the ratio of the X and V deflection siromes each of a ίιι set of resistance in each case a line segment! nd punkl corresponds to the symbol to be displayed in each case, a signal generator being connected upstream of the opposing sat / s. Via which the resistance sets can be controlled one after the other in an analysis sequence in vi

Auch bei ι·ί.;ιΐ derartigen Schaltungsanordnung isi fiir eine Ausbildung als integrierter Schaltkreis die Integration der genannten Widerstünde im oben bereits erläuterten Sinn problematisch. wiEven with ι · ί.; Ιΐ such a circuit arrangement isi for training as an integrated circuit die Integration of the mentioned resistances is problematic in the sense already explained above. wi

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schallungsanordnung der in Rede stehenden Art anzugeben, die bereits mit den /ur Erzeugung der X- und V-Ablcnkströme notwendigen Elementen mit im Rahmen der Integrationstechnologie hi vcrlrctbarcm Aufwand integrierbar ist.The present invention is based on the object of specifying a sound arrangement of the type in question, which can already be integrated with the elements necessary for generating the X and V deflection currents at a cost that can be reduced within the framework of integration technology.

Diese Aufgabe wird b<) einem Zeichengenerator der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Patentanspruchs 1 gelöst.This object is inventively achieved b ') a character generator of the type mentioned by the features of the characterizing part of patent claim 1.

Bei dem vorstehend definierten erfindungsgemäßen Zeichengenerator ist zwar auch ein Widerstandsnetzwerk vorhanden, das der linienförmigen Verbindung in der Anzeige der Linien-Segmeni-Endpunkte dient. Dabei ist jedoch im Gegensatz zu den oben erläuterten bekannten Anordnungen, in denen Widerstandsnetzwerke mehrfach vorhanden sein müssen, nur ein solches Netzwerk erforderlich, d. h. bei Mitintegration eines solchen Netzwerkes wird der Aufwand vergleichsweise klein.In the character generator according to the invention as defined above, there is also a resistor network available, which is used for the linear connection in the display of the line segment endpoints. However, this is in contrast to the above-mentioned known arrangements in which resistor networks must exist several times, only one such network is required, i. H. when integrating a such a network, the effort is comparatively small.

Selbst wenn man davon ausgehen würde, daß bei einer Ausbildung als integrierter Schaltkreis ein solches Netzwerk nicht mit integriert würde, so sind dennoch wenigstens die für die Funktion wesentlichen Komponenten integriert, so daß außen nur noch ein einziges diskretes Widerstandsnetzwerk zugeschaltet werden müßte.Even if one were to assume that in a training as an integrated circuit such If the network were not integrated, at least the components essential for the function are still there integrated so that only a single discrete resistor network is connected on the outside would have to.

Ausgestaltungen des Erfindungsger'-inkens sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.Refinements of the device of the invention are shown in Characterized subclaims.

Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsformen anhand der Figuren. Es zeigtDetails of the invention emerge from the following description of embodiments based on the figures. It shows

F i g. 1 ein Schaltbild einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,F i g. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the circuit arrangement according to the invention,

F i g. 2 ein Schaltbild einer bevorzugten Ausfiihrungsform der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung,F i g. 2 shows a circuit diagram of a preferred embodiment the circuit arrangement according to the invention,

F i g. 3 ein vereinfachtes Diagramm zur Erläuterung der Funktionsprinzipien der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung, F i g. 3 shows a simplified diagram to explain the functional principles of the circuit arrangement according to the invention,

Fig.4 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform einer Tasteinrichlung zur Verwendung in der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung, wobei gleich/eitig die Formen der Eingangs- und Ausgangssignale mit dargestellt sind.4 shows a circuit diagram of a first embodiment a tactile device for use in the circuit arrangement according to the invention, with the same / Eitig the shapes of the input and output signals are also shown.

F i g. 5 ein in der Schaltungsanordnung nach F i g. 4 erzeugtes Spannungsprofil.F i g. 5 a in the circuit arrangement according to FIG. 4 generated stress profile.

I i g. 6 ein teilweise in Blockform dargestelltes Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung.I i g. 6 shows a circuit diagram, partly shown in block form, of a further embodiment of the invention Circuit arrangement.

F i g. 7 die angezeigte Form eines durch die Schaltungsanordnung nach F i g. b erzeugten Symbols.F i g. 7 shows the displayed form of a circuit arrangement according to FIG. b generated symbol.

1 ι g. 8 cmc Matrix, in der eine Vielzahl von .Schaltungsanordnungen nach Fig. b Verwendung findet. 1 ι g. 8 cmc matrix in which a variety of .Circuit arrangements according to Fig. B is used.

1 ι g 9 eine vergrößerte ebene Ansicht eines Teils einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, in der die erfindungsgemäße Schaltung verkörpert ist.1 ι g 9 is an enlarged plan view of a part an integrated semiconductor circuit arrangement in which the circuit according to the invention is embodied.

1 ig. 10 einen Teilschnitt längs der Linie 10-10 in F-' ι g. 9.1 ig. 10 is a partial section along line 10-10 in F- 'ι g. 9.

Fig. I! ein Schaltbild einer weiteren Ausführungs form einer Tasteinrichtung /ur Verwendung in der erf.ndiingsgemäßen Schallungsanordnung undFig. I! a circuit diagram of another embodiment form of a sensing device / for use in the inventive sound arrangement and

I ι g 12 ein Signalformdiagramm /ur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach Fig. II.I ι g 12 a waveform diagram / ur explanation of the Mode of operation of the circuit arrangement according to FIG. II.

Die in Fig. I dargestellte Schaltungsanordnung enthalt einen ersten npn-Transistor 10 mit Fiasis 12. Kollektor 14 und Emitter 16. Ein /weiter npn-Transistor 18 besitzt Basis 20. Kollektor 22 und Emitter 24. während ein dritter npn-Transistor 26 Basis 28, Kollektor 30 und Emitter* 32 aufweist. Die Rasen 12, 20 und 28 liegen an Masse, während die Emitter 16, 24 und J2 an einer Klemme 34 liegen, über die ein Gesamtstrom /; fließt. Die TransisK Kn 10,18 und 26 teilen den Strom // in drei Ströme /γ, /y und //. Die drei Emitter 16,24 und 32 besitzen generell ungleiche Flächen. Es ist in einfacher Weise zu zeigen, daß die Attsgangsslrömc /\The circuit arrangement shown in FIG Contains a first npn transistor 10 with fiasis 12. Collector 14 and emitter 16. On / further npn transistor 18 has base 20, collector 22 and emitter 24, while a third npn transistor 26 has base 28, Has collector 30 and emitter * 32. The lawns 12, 20 and 28 are grounded, while the emitters 16, 24 and J2 are connected to a terminal 34, via which a total current /; flows. The TransisK Kn 10.18 and 26 share the current // into three streams / γ, / y and //. The three emitters 16,24 and 32 generally have unequal areas. It is easy to show that the attsgangsslömc / \

und /fdurch folgende Beziehungen gegeben sind:and / f are given by the following relationships:

A_x + Ay + ΑχA _x + Ay + Αχ

I I. ₌₌ ΛΛ jj

/ί.γ + Ay + Αχ '' ' /ί.γ + Ay + Αχ '''

Darin bedeuten:Therein mean:

/l.v,/4rund.4/die Flächender Emitter./l.v,/4rund.4/the areas of the emitter.

Der Wert des Stromes h ergibt sich aus der Beziehung Ie— Ix-Iy. Der Wert des Stromes h ist gleich dem Anteil des Stroms A/r, der in die Ströme Ix und Iy aufgeteilt wird. Die Teilcrverhältnisse sind insbesondere dann unabhängig von der Temperatur oder dem Strom Ie. wenn die Transistoren als Teil einer integrierten Halbleiterschaltung ausgebildet sind. Wie im folgenden noch erläutert wird, dienen die Ströme l\ und Iy zur Ablenkung eines Elektronenstrahls eines ΑΎ-Anzeigegerätes, wie beispielsweise ein Oszilloskop, in orthogonalen Richtungen. Die durch einen speziellen Strom /.v und einen speziellen Strom Iy gegebene Darstellung definiert einen Unterbrechungspunkt eines angezeigten Zeichens bi.w. Symbols. Daher definieren die entsprechenden Emitierflächen der d^rei Transistoren die exakte Lage eines speziellen Punktes bzw. einer speziellen Unterbrechungsstellc.The value of the current h results from the relationship Ie-Ix-Iy. The value of the current h is equal to the proportion of the current A / r that is divided into the currents Ix and Iy . The dividing ratios are then in particular independent of the temperature or the current Ie. when the transistors are designed as part of an integrated semiconductor circuit. As will be explained in the following, the currents I \ and Iy are used to deflect an electron beam from a ΑΎ display device, such as an oscilloscope, in orthogonal directions. The representation given by a special current /.v and a special current Iy defines a break point of a displayed character bi.w. Symbol. Therefore, the corresponding Emitierflächen of d ^r ei transistors define the exact position of a specific point or a specific Unterbrechungsstellc.

Eine zweckmäßigere Realisierung von unterschiedlichen Emitlerflächcn ist in Fig.2 dargestellt, in der Transistoren 10', 18' und 26' den gleich bezeichneten Transistoren nach Fig. 1 entsprechen. Die Transistoren nach F i g. 2 besitzen mehrere Emitter, von denen einige Schaltungen leerlaufen. Die Anzahl der Emitter des Transistors 10' ist gleich Νχ, die Anzahl der Emitter des Transistors 18' gleich Ny und die Anzahl der Emitter des Transistors 26' gleich N?. Sind die Flächen der Einzelemitter gleich, so sind die Werte der Ausgangssiröme Ix. und Iy. durch folgende Beziehungen gegeben:A more expedient implementation of different emitter surfaces is shown in FIG. 2, in which transistors 10 ', 18' and 26 'correspond to the identically designated transistors according to FIG. The transistors according to FIG. 2 have multiple emitters, some of which circuits are empty. The number of emitters of transistor 10 'is Νχ, the number of emitters of transistor 18' is Ny and the number of emitters of transistor 26 'is N ?. If the areas of the individual emitters are the same, then the values of the output currents are Ix. and Iy. given by the following relationships:

I x- = I x- =

Λ =Λ =

N_x N_x + /V₁ + N_z N _x N _x + / V ₁ + N _z

NyNy

N_x + Nv + N₃ N _x + Nv + N ₃

I,I,

I₁.-I ₁ .-

Die Anzahl d-~r.Einzelemitler wird vorzugsweise vom Standpunkt der Reproduzierbarkeit der gewünschten Flächenverhältnisse und von den Realisierungsmöglichkeiten in einer integrierten Schaltung bestimmt. Beispielsweise besitzt jeder der Transistoren fünf Emitter, von denen lediglich einige im Laufe der Herstellung zur Erzeugung eines gewünschten Stromverhältnisses in die Schaltung einbezogen werden. Eine Vielzahl derartiger Transistorsätze wird zweckmäßigerweise in der gleichen Halbleiterscheibe für die integrierte Schaltung ausgebildet, wobei lediglich die Auswahl der in die Schaltung einzubeziehenden Emitteranzah! von einem Satz zum nächsten variiert.The number of individuals is preferably dated by the Viewpoint of the reproducibility of the desired area ratios and of the implementation possibilities determined in an integrated circuit. For example, each of the transistors has five Emitters, only a few of which are used in the course of manufacture to produce a desired current ratio be included in the circuit. A plurality of such transistor sets is expedient formed in the same semiconductor wafer for the integrated circuit, only the Selection of the number of emitters to be included in the circuit! varies from one sentence to the next.

Fig.3 zeigt eine Schaltungskombination von acht derartigen Transistorsätzen. Dabei ist in jedem Transistorsatz jeweils eine andere Anzahl von Einzelemittern in die Schaltung einbezogen. Diese Transistorsätze werden von den im linken Teil der F i g. 3 dargestellten Signalen angesteuert. Ein erster. Transistoren 36,38 und 40 enthaltender Transistorsalz wird von einer Klemme 42 mit einem positiven rcchteckförmigen Signal 44 gemeinsam an den Basen angesteuert. Unmittelbar am Ende des positiven rechlcckförmigen Signals 44 wird ein positives rechteckförmiges Signal 46 auf eine Klemme 48 gegeben, welche an den Basen eines Satzes von Transistoren 50,52 und 54 liegt. Unmittelbar danach wird ein positives rechteckförmiges Signal 56 auf eine die Basen von Transistoren 60, 62 und 64 steuernde3 shows a circuit combination of eight such transistor sets. There is in every transistor set a different number of individual emitters are included in the circuit. These transistor sets are of the in the left part of FIG. 3 controlled signals shown. A first. Transistors 36,38 and 40 containing transistor salt is fed from a terminal 42 to a positive rectangular signal 44 controlled together at the bases. Immediately at the end of the positive rectangular signal 44 a positive square wave signal 46 is given to a terminal 48 which is at the bases of a set of transistors 50, 52 and 54. Immediately thereafter, a positive square wave signal 56 is applied to a controlling the bases of transistors 60, 62 and 64

to Klemme 58 gegeben. Darauf folgende lechteckförmige Signale 66 — 70 werden aufeinanderfolgenden Klemmen 71—75 zugegeben, welche weitere Sätze von jeweils drei Transistoren steuern. Ein Kollektor eines Transistors jedes Transistorsatzes ist an eine A-Ausgangs·given to terminal 58. This is followed by a triangular shape Signals 66-70 are added to consecutive terminals 71-75 which have further sets of each control three transistors. A collector of a transistor of each transistor set is connected to an A output

Ti klemme 76 angekoppelt, während ein zweiter Kollektor üines Transistors jedes Transistorsalzes an eine y-Ausgangsklemme 78 angeschaltet ist. Diese Ausgangsklemmen sind zur Horizontal- und Vcrtikaiabienkung an ein XY-Anzeigegerät 79 angeschaltet, das ein Kathndfnstrahloszilloskop sein kann. Der verbleibende Transistor jedes Transistorsatzes ist geerdet, um den Restausgangsstrom abzuführen. Alle in die Schallung einbezogenen Emitter der verschiedenen Transistoren liegen an einer gemeinsamen Klemme 80, die über ein Strom/f fließt. Ti terminal 76 coupled, while a second collector of a transistor of each transistor salt is connected to a y-output terminal 78. These output terminals are connected to an XY display device 79 for horizontal and vertical deflection, which can be a cathode ray oscilloscope. The remaining transistor of each transistor set is grounded to dissipate the residual output current. All emitters of the various transistors included in the circuit are connected to a common terminal 80, which flows via a current / f.

Wie F i g. 3 zeigt, liegen ein Emitter des Transistors 36 und dt01 Emitter des Transistors 40 an der Klemme 80. während keiner der Emitter des Transistors 38 in die Schaltung einbezogen ist. Da die Einzelemitter hinsichtlieh ihrer Flacher, gleich sind, wird J<^r in den oberen Transistorsatz eingespeiste Strom während der Zeilperiode tu in der das Signal 44 auf die Klemme 42 gegeben wird, in vier Teile geteilt. Ein Viertel des Stroms h erscheint als A'-Ausgangssignal an der Klemme 76, während kein Anteil des Stroms h an der Klemme 78 erscheint. Der Rest des Stroms wird über den Transistor 40 nach Masse abgeführt. Werden die Transistoren 50. 52 und 54 durch das Signal 46 von der Klemme 48 angesteuert, so werden zwei Fünftel des Stromes h als A'-Ausgangssignal zur Klemme 76 geliefert, da zwei Emitter des Transistors 50 hinsichtlich des X-Ausgangs 76 in die Schaltung einbezogen sind. In entsprechender Weise wird ein Fünftel des Stroms Ie als K-Ausgangssignal zur Klemme 78 geliefert, während der verbleibende Teil des Stroms h nach Masse abfließt. Wird das Signal 56 auf die Klemme 58 gegeben, so wird der halbe Strom Ii als A'-Ausgangssignal zur Klemme 76 und ein Drittel des Stroms If als K-Ausgangssignal zur Klemme 78 geliefert. Werden die Transistoren sequentiell durch die im linken Teil der F i g. 3 dargestellten .signale angesteuert, so ergeben sich in den Zeitperioden U bis ig die im rechten Teil der Fig.3 dargestellten X- und y-Ausgangssignale. Diese Ausgangssignale nach F i g. 3 stellen lediglich ein Beispiel für die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung dar und repräsentieren kein spezielles Symbol. Die in Fig.3 dargestellten X- und y-Ausgangssignale repräsentieren faktisch eine Anzahl von Punkten oder Flecken, weiche vom ΑΎ-Anzeigegerät angezeigt werden.As in F i g. 3 shows, an emitter of transistor 36 and dt01 emitter of transistor 40 are connected to terminal 80, while none of the emitters of transistor 38 is included in the circuit. Since the individual emitters are the same in terms of their flatness, J < ^r current fed into the upper set of transistors is divided into four parts during the line period tu in which the signal 44 is applied to the terminal 42. A quarter of the current h appears as the A 'output at terminal 76, while no portion of the current h appears at terminal 78. The remainder of the current is diverted to ground via transistor 40. If the transistors 50, 52 and 54 are controlled by the signal 46 from the terminal 48, two fifths of the current h are supplied as the A 'output signal to the terminal 76, since there are two emitters of the transistor 50 in the circuit with regard to the X output 76 are included. In a corresponding manner, one fifth of the current Ie is supplied as a K output signal to terminal 78, while the remaining part of the current h flows to ground. If the signal 56 is applied to the terminal 58, half the current Ii is supplied to the terminal 76 as the A 'output signal and a third of the current If is supplied to the terminal 78 as the K output signal. If the transistors are sequentially through the in the left part of the F i g. When the signals shown in FIG. 3 are activated, the X and y output signals shown in the right part of FIG. 3 result in the time periods U to ig. These output signals according to FIG. 3 merely represent an example of the mode of operation of the circuit arrangement and do not represent a special symbol. The X and y output signals shown in Figure 3 actually represent a number of points or spots which are displayed by the ΑΎ display device.

Aus F i g. 3 ist zu ersehen, daß die an den A"-Ausgang angekoppelte Anzahl von Emittern eines angesteuerten Transistors und die an den V-Ausgang angeschaltete Anzahl von Emittern eines erregten Transistors das Verhältnis der Ströme bestimmt, die an den Y- bzw. Af-Ausgang geliefert werden, fst jedoch der aus den X- und V-Strömen gebildete Gesamtstrom immer gleich dem Strom Ie. so wird die Anzahl der dadurch definierten Lagen für Anzeigepunkte begrenzt. BeiFrom Fig. 3 it can be seen that the number of emitters of a controlled transistor coupled to the A "output and the number of emitters of an energized transistor connected to the V output determine the ratio of the currents to the Y or Af output are supplied, but if the total current formed from the X and V currents is always equal to the current Ie , the number of positions defined for display points is limited

Verwendung einer dritten Spalte von Transistoren, deren Kollektoren an Masse liegen* ist eine Einregelung der speziellen Werte der X- und V-Ausgangsströme möglich, weil dadurch der aus defi X- ühd V-Ausgarigsströmcn gebildete Gesanitslrom festgelegt wird. Eine Anzahl von möglichen Ablcnkpunkten für ein XY^Anzeigegerät, das durch acht Transistorsätze gespeist wird, ist in Fig.7 durch ein Punktraster dargestellt. Die zur Erzeugung dieses Bereiches von Punkten verwendeten Transistorsätze sind in F* i g. 6 dargestellt.Using a third column of transistors, whose collectors are grounded * is possible a regulation of the specific values of the X and V output currents, because thereby the Gesanitslrom formed from defi X- ühd V-Ausgarigsströmcn is set. A number of possible deflection points for an XY ^ display device which is fed by eight sets of transistors is shown in FIG. 7 by a grid of points. The transistor sets used to create this range of dots are shown in FIG. 6 shown.

Wie oben in Verbindung mit der Schaltungsanordnung nach Fig. 3 ausgeführt wurde, ergibt die sequentielle Ansteuerung der entsprechenden Transistorsätze durch rechteckförmige Signale lediglich eine Serie von Punkten, auf einem ,YV-Anzeigegerät.As stated above in connection with the circuit arrangement according to FIG. 3, the results sequential control of the corresponding transistor sets through square wave signals just a series of points on a, YV display device.

Dabei wäre eine große Anzahl von Transistorsätzen erforderlich, um ein vollständiges Zeichen bzw. Symbol zu bilden. Dabei springt die λ'7-Anzeigc nämiich zu jedem Zeilpunkt, wenn ein positives rechteckförmiges Signal auf Hie Basen eines Transistorsatzes gegeben wird, von einem Punkt zum nächsten. Eine bevorzugte Ausführungsform der Schaltungsanordnung zur glatten und graduell aufeinanderfolgenden Ansteuerung der Transistorsätze ist in Fig.4 dargestellt. In dieser Schaltungsanordnung repräsentieren Transistoren 8) bis 88 die vorgenannten Transislorsätze. Eine Einrichtung in Form eines Kettennetzwerks dient in Verbindung mit diesen Transistoren zur glatten Umsteuerung eines Stromes It zwischen den Transistoren, wobei diese, Strom U den Emittern der Transistoren gemeinsam zugeführt wird. Ein Paar von komplementär linear verlaufenden Strömen 90 und 92, welche Teile von dreieckförmigen Signalen sind, wird auf Eingangsklemmen 94 und 96 gegeben. Zwischen Zeilpunkten Io und t\ nimmt der Strom 90 linear von Null auf einen negativen Maximalwert Ip zu. Gleichzeitig nimmt der Strom 92 vom Wert Ip auf Null ab. Das Kettennetzwerk enthält Serienimpedanzen in Form von Widerständen 98 zwischen den Klemmen 94 und 96. Diese Widerstände bilden an bestimmten Verbindungspunkten Knotenpunkte, welche an die Basen der Transistoren 81 bis 88 angeschaltet sind. An diesen Knotenpunkten stehen Spannungen Vi — V₈. Parallelimpedanzen in Form von Widerständen 100 verbinden die vorgenannten Knotenpunkte mit Masse.A large number of transistor sets would be required to form a complete character or symbol. The λ'7 display jumps from one point to the next when a positive square-wave signal is given to the bases of a set of transistors. A preferred embodiment of the circuit arrangement for the smooth and gradually successive control of the transistor sets is shown in FIG. In this circuit arrangement, transistors 8) to 88 represent the aforementioned transistor sets. A device in the form of a chain network is used in conjunction with these transistors for smooth reversal of a current It between the transistors, this current U being fed jointly to the emitters of the transistors. A pair of complementary linear currents 90 and 92 which are parts of triangular signals are applied to input terminals 94 and 96. Between line points Io and t \ , the current 90 increases linearly from zero to a negative maximum value Ip . At the same time, the current 92 decreases from the value Ip to zero. The chain network contains series impedances in the form of resistors 98 between the terminals 94 and 96. These resistors form nodes at certain connection points which are connected to the bases of the transistors 81 to 88. _{Voltages Vi - V 8} are present at these nodes. Parallel impedances in the form of resistors 100 connect the aforementioned nodes to ground.

Nimmt man an, daß gleiche negative Ströme an den Klemmen 94 und 96 eingespeist werden, was der Fall ist, wenn die Ströme 90 und 92 bei einem Mittelwert gleich sind, so hat die Spannungsverteilung an den Knotenpunkten des Netzwerkes die in Fig.5 dargestellte Form. Die Spannungen V, bis Vt definieren näherungsweise einen exponentiellen Verlauf des Spannungsabfalls längs des Widerstandnetzwerkes von der Klemme 94 aus. Entsprechend definieren die Spannungen V₈ bis Vs einen etwa exponentiellen Verlauf des Spannungsabfalls von der Klemme 96 zur Mitte des Netzwerks. Es ergeben sich also zwei exponentiell Verläufe, die von jeweils einem Ende zur Mitte des Netzwerkes ausgehen.If one assumes that the same negative currents are fed in at the terminals 94 and 96, which is the case when the currents 90 and 92 are equal at a mean value, the voltage distribution at the nodes of the network has the form shown in FIG . The voltages V, to Vt approximately define an exponential course of the voltage drop along the resistor network from the terminal 94. Correspondingly, the voltages V ₈ to Vs define an approximately exponential course of the voltage drop from the terminal 96 to the center of the network. So there are two exponential curves, each starting from one end to the middle of the network.

Die Werte der Widerstände 98 und 100 werden so ausgewählt, daß sich ein zweckmäßiges Maximum der Kurve nach F i g. 5 ergibt Während beispielsweise die Werte der Widerstände 9B zu groß werden, ergeben sich zu starke Abfälle der Kurve mit einem flachen, unbestimmten Maximum. Wären andererseits die Widerstände 98 zu klein, so wäre das Potential an jedem Knotenpunkt fast das gleiche, woraus sich eine zu flache Gesamtkurve ergeben würde. Zweckmäßige Widerstandswerte werden im folgenden in Verbindung mit der Schaltungsariordnung nach Fig.6 angegeben. Generell kann hier gesagt werden, daß die Werte der Widerstände 100 groß im Vergleich zu den Werten der Widerstände 98 sind.The values of the resistors 98 and 100 are selected so that an appropriate maximum of the Curve according to FIG. 5 results While the values of the resistors 9B become too large, for example, results excessive drops in the curve with a flat, indefinite maximum. If, on the other hand, they were Resistances 98 are too small, so the potential at each node would be almost the same, resulting in a too shallow one Total curve would result. Appropriate resistance values are given below in connection with the Circuit arrangement according to Fig.6 indicated. As a general rule Here it can be said that the values of the resistors 100 are large compared to the values of the Resistors 98 are.

Wie aus den Fig.4 und 5 ersichtlich ist, erhalten die Transistoren 84 und 85 die am meisten positive Eingangsspannüng, wobei diese Transistoren den StromAs can be seen from Figures 4 and 5, the received Transistors 84 and 85 provide the most positive input voltage, these transistors supplying the current

/tzu dieser Zeit gleich aufteilen./ t at this time divide equally.

Da sich die Werte der linear verlaufenden Ströme 90Since the values of the linear currents 90

ίο und 92 komplementär ändern, wird die Kurve nach F i g. 5 asymmetrisch, wobei das Maximum sukzessiv an verschiedenen Knotenpunkten erscheint, so daß die Transistoren 81 und 88 "sequentiell ausgewählt werden. Der Strom h wird graduell fortschreitend von den Transistoren übernommen, wodurch die sich glatt ändernden Ausgangssignale entstehen, die im rechten Teil der F i g. 4 dargestellt sind. Werden nun anstelle der Transistoren Si bis öS die Säize mit jeweils drei Transistoren nach F i g. 3 verwendet, so ergeben sich glatte Änderungen der Werte der X- und K-Ausgangssiröme. Ein Springen von einem Wert zum anderen findet dabei nicht mehr statt. Eine auf diese Weise in einem ΛΎ-Anzeigegerät erzeugte Anzeige besitzt glatt ausgeführte Striche eines Zeichens bzw. Symbols zwischen den einzelnen Punkten, welche durch die Stromaufteilungen in den Transistorsätzen bestimmt sind. Dies ergibt sich eben aus der Tatsache, daß der Strom glatt von einem Transistorsatz zum nächsten übergeht. Eine für eine Ausbildung in integrierter Technik verwendbare kombinierte Schaltungsanordnung ist in F i g. 6 dargestellt.ίο and 92 change complementarily, the curve according to F i g. 5 asymmetrically, with the maximum appearing successively at different nodes, so that the transistors 81 and 88 "are selected sequentially. The current h is gradually taken over by the transistors, whereby the smoothly changing output signals arise which are shown in the right part of the F i 4. If, instead of the transistors Si to 6S, the sizes with three transistors each according to FIG. 3 are used, then the results are smooth changes in the values of the X and K output currents A display produced in this way in a ΛΎ display device has smooth lines of a character or symbol between the individual points, which are determined by the current distributions in the transistor sets the current passes smoothly from one set of transistors to the next.A combination that can be used for training in integrated technology The first circuit arrangement is shown in FIG. 6 shown.

Bestimmte in die Schaltung einbezogene Emitter von Transistoren 101 bis 108 dieser Schaltungsanordnung sind an eine gemeinsame Emitter-Anschluß-Elektrode 110 einer integrierten Halbleiterschaltungsslruktur herausgeführt. Die Kollektoren der Transistoren in der linken Spalte dieser Sätze sind gemeinsam an eine X-Ausgangselektrode 114 herausgeführt, während die Kollektoren der Transistoren der mittleren Spalte jedes Salzes an eine Y-Ausgangselektrode 112 herausgeführt sind. Die Kollektoren der verbleibenden Transistoren liegen über eine Klemme 116 an + 5 V.Certain emitters of transistors 101 to 108 of this circuit arrangement included in the circuit are led out to a common emitter connection electrode 110 of an integrated semiconductor circuit structure. The collectors of the transistors in the left column of these sets are brought out together to an X output electrode 114, while the collectors of the transistors in the middle column of each salt are brought out to a Y output electrode 112. The collectors of the remaining transistors are connected to + 5 V via a terminal 116.

Ein Serienwiderstände 98 und ParallelwidcrständcA series resistors 98 and parallel resistors

100 aufweisendes Ketlennetzwerk, das dem nach F i g. 4 entspricht, dient zur Ansteuerung der Transistorsätze100 having Ketlennetzwerk, which according to F i g. 4th is used to control the transistor sets

101 bis 108. Über eine an der Basis eines Transistors 120 liegende Anschlußelektrode 118 wird eine dreieckförmige Spannung zugeführt. Der Transistor 120 bildet zusammen mit einem Transistor 122 einen Differenzverstärker. Der Emitter des Transistors 122 ist über einen Widerstand 126 an eine Anschlußelektrode 124 angeschlossen, während ein Widerstand 128 die Emitter der Transistoren 120 und 122 koppelt Ein aus einem Widerstand 127 und einer Zener-Diode 129 gebildeter Serienpfad liegt zwischen einer Spannung von + 5 V und der Anschlußelektrode 124, wobei die Basis des Transistors 122 an den Verbindungspunkt dieses Serienpfades angeschlossen ist. An der Anschlußelektrode 124 liegt eine Spannungsquelle, welche eine solche Spannung liefert, daß bei Einspeisung der dreieckförmigen Spannung an der Anschlußelektrode 118 komplementäre dreieckförmige Ströme an den Klemmen 94 und 96 des Kettennetzwerkes eingespeist werden, wie dies anhand der F i g. 4 erläutert wurde. Die Anschlußklemme 124 bildet eine Verbindung zum Substrat der integrierten Schaltung. Eine Anschlußelektrode 130 ist über einen Widerstand 132 an die Basis eines Transistors 134 angekoppelt, dessen Emitter über einen101 to 108. A connection electrode 118 located at the base of a transistor 120 becomes a triangular Voltage supplied. The transistor 120, together with a transistor 122, forms a differential amplifier. The emitter of the transistor 122 is connected to a connection electrode 124 via a resistor 126 while resistor 128 couples the emitters of transistors 120 and 122 in from one The series path formed by resistor 127 and a Zener diode 129 lies between a voltage of + 5V and the terminal electrode 124, with the base of the transistor 122 at the junction point of this Serial path is connected. At the connection electrode 124 is a voltage source, which is such Voltage supplies that when the triangular voltage is fed to the connection electrode 118, complementary triangular currents are fed in at terminals 94 and 96 of the chain network, such as this on the basis of FIG. 4 was explained. The connection terminal 124 forms a connection to the substrate of the integrated circuit. A terminal electrode 130 is connected through a resistor 132 to the base of a Transistor 134 coupled, the emitter of which has a

Widerstand 136 on +5V liegt. Der Kollektor des Transistors 134 liegt an der Basis eines Transistors 138. Der Emitter dieses letztgenannten Transistors liegt an einer Klemme 140 des Netzwerkes, während sein Kollektor direkt an + 5 V liegt.Resistor 136 is on + 5V. The collector of the Transistor 134 is connected to the base of a transistor 138. The emitter of this last-mentioned transistor is connected a terminal 140 of the network, while its collector is directly connected to + 5 V.

Lauft die Anschlußelektrode 130 leer oder liegt sie an einer relativ positiven Spannung, so fließt kein Strom in den Transistoren 134 und 138, so daß die Klemme 140 des Kettennetzwerkes auf einem kleinen Signalwert gehalten wird. Zener-Diodeh 148 und 150 dienen dazu, die Spannung an den Klemmen 94 und 96 auf etwa — 1.5 V /ti halten, so daß diese Klemmen auch nicht negativer als dieser Wert werden, wenn beispielsweise die Klemme 140 positiv wird. Liegt jedoch die Anschlußelektrode 130 an Masse, so leiten die Transistoren 134 und 138; damit wird dann die Klemme 140 über den Widerstand 138 an + 5 V gelegt. Aufgrund dessen ist eine der Spannungen Ki-Vg an den Kriu'iciipuiikici'i des Kciieniieiiwci'kcs püSiiiv genüg, um einen der Transistorsätze 101 bis 108 zu erregen. Wird dann ein Strom an der Anschlußelektrode 110 eingespeist, so erfolgt zwischen den Ausgangsklemmen 112 und 114 eine Stromaufteilung als Funktion der Anzahl der in den Kreis einbezogenen Emitter des Transistorsatzes, der durch das Widerstands-Kettennetzwerk ausgewählt wird. Die Anschlußelektrode 130 wird von einer Auswahlmatrix angesteuert, die im folgenden anhand von F i g. 8 erläutert wird.If the connection electrode 130 runs empty or if it is at a relatively positive voltage, no current flows into the transistors 134 and 138, so that the terminal 140 of the chain network at a small signal value is held. Zener diodes 148 and 150 are used to reduce the voltage at terminals 94 and 96 to approximately - Hold 1.5 V / ti so that these terminals do not become more negative than this value if, for example the terminal 140 becomes positive. However, if the connection electrode 130 is connected to ground, the conductors Transistors 134 and 138; this then applies terminal 140 to + 5 V via resistor 138. Because of whose is one of the voltages Ki-Vg across the Kriu'iciipuiikici'i des Kciieniieiiwci'kcs püSiiiv enough, to energize one of the transistor sets 101-108. Then, a current is applied to the terminal electrode 110 fed in, a current distribution takes place between the output terminals 112 and 114 as a function of the Number of emitters included in the circle of the transistor set through the resistor chain network is selected. The connection electrode 130 is driven by a selection matrix which is shown in the following with reference to FIG. 8 will be explained.

Es sei angenommen, daß die Spannung VV in einem Punkt des auf die Anschlußelektrode 118 gegebenen dreieckförmigen Signals maximal sei. In diesem Falle erhält der Transistorsatz 107 gegenüber den anderen Transistorsätzen eine positivere Spannung an den Basen seiner drei Transistoren. Daher wird der an der Anschlußelektrode 110 eingespeiste Strom als Funktion der in den Kreis einbezogenen Emitter des Transistorsatzes 107 aufgeteilt. Bei diesem Transistorsatz ist der Transistor 146 in der rechten Spalte ebenso wie alle anderen Transistoren der rechten Spalte mit acht Emittern versehen, während der Transistor 144 der mittleren Spalte und der Transistor 142 der linken Spalte mit jeweils fünf EAiittern versehen ist. In dem speziell dargestellten Fall sind zwei Emitter der Transistoren 142 und 144 und vier Emitter des Transistors 146 in die Schaltung einbezogen. Daher fließt die Hälfte des an der Anschlußeleklrode 110 eingespeisten Stroms durch die Transistoren 142 und 144, während die andere Hälfte dieses Stroms durch den «Transistor 146 fließt. In diesem Zeitpunkt ist also ein Viertel des gesamten verfügbaren Stroms an der -Y-Ausgangsklemme 114 abnehmbar.Assume that the voltage VV is applied to the terminal electrode 118 at a point triangular signal is maximal. In this case, the transistor set 107 overcomes the others Transistor sets a more positive voltage on the bases of its three transistors. Therefore, the Terminal electrode 110 injected current as a function divided into the circle included emitter of the transistor set 107. In this transistor set is the Transistor 146 in the right column as well as all other transistors in the right column with eight Provided emitters, while transistor 144 in the middle column and transistor 142 in the left Column is provided with five E-struts each. By doing The particular case shown are two emitters of transistors 142 and 144 and four emitters of the Transistor 146 included in the circuit. Therefore, half of that at the terminal electrode 110 flows injected current through transistors 142 and 144, while the other half of this current through the «Transistor 146 flows. At this point in time, a quarter of the total available electricity is at the -Y output terminal 114 removable.

Die Emitter der Transistorsätze 101 bis 1OS sind so geschaltet, daß auf einem ΛΎ-Anzeigegerät das Symbol »9<c angezeigt wird. Diese Anzeige ist in F i g. 7 dargestellt, in der jeder der Unterbrechnungspunkte 151 bis 158 jeweils einem durch die Transistorsätze 101 bis 108 ausgewählten Punkt entspricht Dabei fallen die Punkte 152 und 158 zusammen, damit eine geschlossene Figur entsteht. Da der Stromübergang von einem Transistorsatz zum anderen glatt erfolgt, enthält die Darstellung der Ziffer »9« in F i g. 7 eine Folge von Segmenten zwischen den Unterbrechnungspunkten 151 bis 158 und nicht nur die Unterbrechnungspunkte selbst. Da in die Ablenkeinrichtung des Oszilloskopen eingespeisten X- und V-Ströme sich glatt von einem V/ert zum anderen ändern, verläuft auch der Elektropenstrahl des ATV-Anzeigegerätes glatt zwischen den Unterbrechnungspunkten. Das angezeigte Symbol kann nachträg-The emitters of the transistor sets 101 to 1OS are connected in such a way that the symbol »9 <c is displayed on a ΛΎ display device. This display is shown in FIG. 7, in which each of the interruption points 151 to 158 corresponds to a point selected by the transistor sets 101 to 108. The points 152 and 158 coincide so that a closed figure is created. Since the current transition from one set of transistors to the other is smooth, the illustration includes the number “9” in FIG. 7 shows a sequence of segments between the interruption points 151 to 158 and not just the interruption points themselves. Since the X and V currents fed into the deflection device of the oscilloscope change smoothly from one V / ert to the other, the electric pen beam of the ATV display device also runs smooth between the breakpoints. The displayed symbol can subsequently

lieh durch (nicht dargestellte) Schaltmittel der Ablenkkreise in Horizontalrichtung zusammengedrückt werden. borrowed by (not shown) switching means of the deflection circuits be compressed in the horizontal direction.

Die übrigen in Fig.7 eingetragenen Punkte stellen weitere mögliche Kombinationen von Emittern dar, welche bei den Tratisistorsätzen in die Schaltung einbezogen werden können, Dabei sind fünf »X«- und »V«-Emitterverbindungen und acht »Zir-Emitterverbindungen möglich. Es ergibt sich also eine Vielzahl von Möglichkeilen zur Darstellung verschiedener Symbole und Zeichen. Bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel ist es erwünscht, daß die Anzahl der tatsächlich in die Schaltung einbezogenen Emitter zwischen acht und zehn liegt, um zu vermeiden, daß bestimmte Teile eines Zeichens heller als andere sind. Obwohl neben den in Fig. 7 eingetragenen Punkten auch andere möglich sind, reicht dieses eingetragene Punktfeld aus, um die überwiegende Mehrzahl von interessierenden Symbo-The remaining points in Fig. 7 represent further possible combinations of emitters, which can be included in the circuit with the Tratisistor sets. Five “X” and “V” emitter connections and eight “Zir emitter connections are possible. So there is a multitude of possibilities for the representation of different symbols and characters. In this particular embodiment, it is desirable that the number of emitters actually included in the circuit be between eight and ten in order to avoid certain parts of a character from being lighter than others. Although other points are also possible in addition to the points entered in FIG. 7, this point field entered is sufficient to display the vast majority of symbols of interest.

ti— -J.-. —..»iniin·* Α..Γ rinn I/ i>ivi-i4«nn«i>nortti— -J.-. - .. »iniin · * Α..Γ rinn I / i> ivi-i4« nn «i> nort

ILII UCII/UdlbllllI MUI UVI1 Ι^Λ*^ΓΙ VJIIIUl^ll(ll ILII UCII / UdlbllllI MUI UVI1 Ι ^ Λ * ^ ΓΙ VJIIIUl ^ ll (ll

J^II 111 lCfJ ^ II 111 lCf

relative oder proportionale Werte der X- und V-Ströme dargestellt. Beispielsweise entspricht der Punkt 157 in Fi g. 7 dem oberen beschriebenen Transistorsatz 107. in dem die von den Transistoren 142 und 144 gelieferten X- und V-Ströme gleich sind. Diese Ströme sind gleich der Hälfte des gesamten verfügbaren Stroms, dem der Punkt in der oberen rechten Ecke in F i g. 7 entspricht.relative or proportional values of the X and V currents are shown. For example, point 157 in FIG. 7 the above-described set of transistors 107 in which the X and V currents supplied by transistors 142 and 144 are equal. These currents are equal to half of the total available current indicated by the dot in the upper right corner in FIG. 7 corresponds.

In der gleichen integrierten Schaltung sind weitere Spalten von Transistorsälzen 160 bis 168 vorgesehen, wobei jede Transistor-Satzspalte einem speziellen alphanumerischen Zeichen entspricht. |edc Spalte enthält dabei den Transistorsätzen 101 bis 108 entsprechende Transistorsätze, mit der einen Ausnahme, daß die Kombination der in die Schaltung einbezogenen Emitter unterschiedlich ist. Die vcrschiedenen Zeichen bzw. Symbole werden dabei so ausgewählt, daß Strom statt an der Zuführungselekirode 110 an einer Zuführungsclektrode von Zuführungselektroden 170 bis 178 eingespeist wird, wobei jeweils eine der Transistorspalten ausgewählt wird. Die einzelnen Spalten von Transistorsätzen sind dabei in gleicher Weise wie die Transistorsätze 101 bif· 108 in die Schaltung einbezogen. Sie werden über das Kettennetzwerk durch die Spannungen V'i bis Ve sequentiell angesteuert. Bei der Ausführungsform nach Fig.6 ist das die Widerstände 98 und 100 enthaltende Widerstands-Kettennetzwerk vorzugsweise in der Mitte der integrierten Schaltungsanordnung angeordnet, wobei sich jeweils fünf Spalten von Transistorsätzen symmetrisch auf jeweils einer Seite dieses Netzwerks befinden.Further columns of transistor groups 160 to 168 are provided in the same integrated circuit, each transistor set column corresponding to a particular alphanumeric character. | edc column contains the transistor sets 101 to 108 corresponding transistor sets, with one exception, that the combination of emitters included in the circuit is different. The different Characters or symbols are selected so that current instead of the feed electrode 110 is fed in at a supply electrode from supply electrodes 170 to 178, in each case one of the transistor columns is selected. The individual columns of transistor sets are in same way as the transistor sets 101 bif · 108 in the Circuit included. They are sequential via the chain network through the voltages V'i to Ve controlled. In the embodiment according to FIG. 6, the resistor chain network containing the resistors 98 and 100 is preferably arranged in the middle of the integrated circuit arrangement, wherein there are five columns of transistor sets symmetrically on each side of this network.

so Durch diese symmetrische Anordnung in der integrierten Schaltung wird die Länge von Metallisierungsstreifen und damit der Spannungsabfall an diesen Metallisierungsstreifen so klein wie möglich gehalten. Die Ausgänge der Spalten 160 bis 168 sind ebenfalls sowohl an die X- und V-Ausgangsklemme also auch an die Spannung von + 5 V für den Reststrom von den rechten Transistoren jeder Spalte angeschaltetThis symmetrical arrangement in the integrated circuit keeps the length of the metallization strips and thus the voltage drop across these metallization strips as small as possible. The outputs of columns 160 to 168 are also connected to both the X and V output terminals and also to the voltage of + 5 V for the residual current from the right-hand transistors in each column

Das die Widerstände 98 und 100 enthaltende Tastnetzwerk nach F i g. 6 ist hinsichtlich der Werte der Widerstände vorzugsweise so ausgelegt, daß die Widerstandswerte zur Mitte des Netzwerkes größer werden. Damit wird eine nahezu konstante Abtastgeschwindigkeit längs des gesamten darzustellenden Zeichens erreicht. Ohne den linearisierenden Effekt tiieser Abstufung der Widersiandswcrte würden einige Teile des darzustellenden Zeichens schneller abgetastet was bedeutet daß diese Teile lichtschwächer als die anderen Teile wären.The sensing network of FIG. 1 including resistors 98 and 100. 6 is with regard to the values of the Resistors are preferably designed so that the resistance values towards the center of the network are greater will. This results in an almost constant scanning speed along the entire display Sign reached. Without the linearizing effect of this gradation of the contradictions some would Parts of the character to be displayed are scanned faster, which means that these parts are fainter than the other parts would be.

Ein wesentlicher Vorteil des Tastsvstems ist darin zu sehen, daß mittels einer integrierten Transistörschal-'iing eine praktisch unbegrenzte Anzahl von Strichdarälcllungen leicht realisierbar ist. Eine derartige integrierte Schaltung benötigt darüber hinaus in einem Anzeigegerät nur sehr wenig Raum. Weiterhin ist auch die Tastgeschwindigkeit nicht beschränkt. Die Zeichen bzw. Symbole können in einem Geschwindigkeitsbereich von sehr kleinen Geschwindigkeiten bis über 1 Million pro Sekunde erzeugt werden. Die Größe der Symbole kann durch ein Signal gesteuert werden, das eine schnelle elektronische Umschaltung zwischen zwei oder mehr Zeichengrößen ermöglicht. Beispielsweise bestimmt der Wert des auf die Anschlußelektrode UO oder auf eine der Anschlußelcktroden 170 bis 178 gegebenen Stroms die Größe des Symbols. Wie aus Fi g. 8 zu ersehen ist, kann eine Anzahl von Schaltungen der in Fig.6 dargestellten Art leicht in einer MaxtrixA major advantage of the Tastsystem is to be seen in the fact that by means of an integrated transistor circuitry a practically unlimited number of line drawings is easy to implement. Such an integrated circuit is also required in one Display device very little space. Furthermore, the scanning speed is also not restricted. The characters or symbols can be used in a speed range from very low speeds to over 1 Million can be generated per second. The size of the symbols can be controlled by a signal that enables fast electronic switching between two or more character sizes. For example determines the value of the on the connection electrode UO or on one of the connection electrodes 170 to 178 given current is the size of the symbol. As shown in Fig. 8 can be a number of circuits of the kind shown in Fig.6 easily in a Maxtrix

^ιίρηηιηηηηηΓηΠΐ ιιιη>·/1ηη tm inn »-Aflrtr· A Ll^ ιίρηηιηηηηηΓηΠΐ ιιιη> · / 1ηη tm inn »-Aflrtr · A Ll

Symbolen vorzusehen.To provide symbols.

Fig. 8 zeigt eine Auswahlmatrix, in der Blöcke 180, 182 und 184 integrierte Schallungen der in Fig.6 dargestellten Art enthalten. Diese Blöcke sollen als »Reihe« bezeichnet werden. Spaltenauswahlleilungcn in der Schaltung nach Fig.8 dienen als Zuführungen zu den Spalten-Stromanschlußclektroden, wie beispielsweise den Elektroden 110 sowie 170 bis 178 nach F i g. 6. Wie Fig.8 zeigt, sind entsprechende Spalten für verschiedene integrierte Strukturen zusammengeschaltci »Reihcn«-Auswahlklemmen 186, 188 und 190 entsprechen den Anschlußclektroden 130 in jeder integrierten Struktur. Weiterhin sind der X-Ausgang und der K-Ausgang der verschiedenen Strukturen über Verstärker 192 und 194 an die X- und V-Ablenkeinrichtungen einer Kathodenstrahlröhre 196 angekoppeil. Durch Ansteuerung einer der Spaltenauswahlleitungen und einer der Reihcn-Auswahlklemmen wird ein bestimmtes anzuzeigendes Symbol festgelegt. Ein auf die Klemme 118 (welche der gleich bezeichneten Klemme nach Fig.6 entspricht) gegebenes dreieckförmiges Taslsignal bewirkt die Anzeige dieses Symbols bzw. Zeichens. Nach einer geeigneten Anzahl von Tastungen oder Zyklen eines auf die Klemme 118 gegebenen dreieckförmigen Tastsignals kann eine (nicht dargestellte) Schalteinrichtung die Auswahl auf die anderen Zeichen bzw. Symbole dadurch umschalten, daß andere Spalten- und Zeilenleitungen angesteuert werden.FIG. 8 shows a selection matrix in which blocks 180, 182 and 184 contain integrated soundings of the type shown in FIG. These blocks are to be referred to as a "row". Column selection lines in the circuit according to FIG. 8 serve as leads to the column current connection electrodes, such as electrodes 110 and 170 to 178 according to FIG. 6. As shown in Fig. 8, corresponding columns for various integrated structures are connected together. "Row" selection terminals 186, 188 and 190 correspond to the connection electrodes 130 in each integrated structure. Furthermore, the X output and the K output of the various structures are coupled to the X and V deflectors of a cathode ray tube 196 via amplifiers 192 and 194. A specific symbol to be displayed is defined by driving one of the column selection lines and one of the row selection terminals. A triangular button signal applied to terminal 118 (which corresponds to the terminal with the same designation according to FIG. 6) causes this symbol or character to be displayed. After a suitable number of keyings or cycles of a triangular key signal applied to terminal 118, a switching device (not shown) can switch the selection to the other characters or symbols by driving other column and row lines.

Fig.9 zeigt eine vergrößerte ebene Ansicht einer Ausführungsform der Schaltungsanordnung nach F i g. 8 in integrierter Technik, aus der die Miniaturisierung ersichtlich ist. Der in Fig.9 dargestellte Teil der integrierten Schallung besitzt eine Größe von etwa 45,72 χ 10-^J auf 45,72 χ lO^cm. Gemäß Fig.9 und 10, weiche einen Schnitt längs der Linie 10-10 in Fig.9 darstellt, ist auf einem Substrat 198 aus p-!eitendem Halbleitermaterial eine epitaktische Schicht 200 aus η-Material vorgesehen, weiche durch eine p-leitende Isolationsdiffusion 202 unterteilt ist. Zwischen dem Substrat und der epitaktischen Schicht 200 ist weiterhin eine (nicht dargestellte) konventionelle η+ -leitende Schicht vorgesehen. p-Basisdiffusionen 204 liegen zwischen n-Emitterdiffusionen 206 und der epitaktischen Schicht 200. Ober den Emitterdiffusionen sind Leiter 208, 210, 212, 214 und 216 vorgesehen, welche durch Fenster 296 in einer Oxydschicht 204 kontakt mit bestimmten Emitterdiffusionen geben. Die Kontaktgabe der Leiter 208 bis 216 mit ausgewählten Emittern wird dadurch realisiert, da3 Masken zur Entfernung der Oxydschicht an den Stellen verwendet werden, an denen die Kontaktgabe stattfinden soll. Abgesehen von der jeweils speziell verwendeten Maske ist das Verfahren zur Herstellung der integrierten Halblciterstruktur Unabhängig von der Art der zu erzeugenden Zeichen bzw. Symbole das gleiche. Die Verbindung der Basisdiffusionen mit Leitern 290 und der epitaktischen Schicht mit Leitern 292 über n + -Emitterdiffusioncn 300 erfolgt in gleichartiger Weise. Die Leiter 292 stellen Kollektorkontakte dar. Rs ist zu bemerken, daß Mehrfach-Basisleiter 290 verwendet werden, um sicherzustellen, daß die Basispotcntialc in einem Transistorsa'z immer die gleichen sind. Die Emitter liegenFIG. 9 shows an enlarged plan view of an embodiment of the circuit arrangement according to FIG. 8 in integrated technology, from which the miniaturization can be seen. The part of the integrated sound system shown in FIG. 9 has a size of approximately 45.72 χ 10- ^J by 45.72 χ 10 ^ cm. According to FIGS. 9 and 10, which represent a section along the line 10-10 in FIG. 9, an epitaxial layer 200 made of η material is provided on a substrate 198 made of p-conductive semiconductor material, soft by a p-conductive insulation diffusion 202 is divided. A conventional η + -conducting layer (not shown) is also provided between the substrate and the epitaxial layer 200. P-base diffusions 204 are between n-emitter diffusions 206 and the epitaxial layer 200. Above the emitter diffusions, conductors 208, 210, 212, 214 and 216 are provided, which give contact with certain emitter diffusions through windows 296 in an oxide layer 204. The contact of the conductors 208 to 216 with selected emitters is realized by using masks to remove the oxide layer at the points where the contact is to take place. Apart from the particular mask used in each case, the process for producing the integrated half-liter structure is the same, regardless of the type of characters or symbols to be produced. The connection of the base diffusions with conductors 290 and the epitaxial layer with conductors 292 via n + -emitter diffusion 300 takes place in a similar manner. The conductors 292 represent collector contacts. It should be noted that multiple base conductors 290 are used to ensure that the base potentials in a transistor are always the same. The emitters are lying

i^r> benachbart immer zu einem Basiskoniakt.i ^r > always adjacent to a basic kite.

Die Leiter 208 bis 216 in Fig.9 entsprechen den ar die Anschlußelektroden 110 und 170 bis 173 nach F i g. 6 angeschalteten Spaltenleitungen. Fig.9 stellt den ιΐη(βι-«η ünl/*>n TViI At*r ^nhplliinocannrrlniincr n'Ack The conductors 208 to 216 in FIG. 9 correspond to the connection electrodes 110 and 170 to 173 of FIG. 6 connected column lines. Fig. 9 represents the ιΐη (βι- «η ünl / *> n TViI At * r ^ nhplliinocannrrlniincr n'Ack

F i g. 6 dar, d. h. in der integrierten Struktur nach F i g. 9 sind fünf Spähen bis zum dritten Transistorsatz jeder Spalte enthalten. Ein epilaklischer Bereich 218 entspricht einem über einen Leiter 292 an die Anschlußelektrode für den X-Ausgang angeschlossenen gcincinsamen Kollektor, während ein Bereich 220 den an die Anschlußeleklrode für den V-Ausgang angeschlossenen epitaktischen Kollektorbereich darstellt. Ein Bereich 222 entspricht den rechten Transistoren jeder der fünf Spalten, wobei dieser epitaktische Kollektorbereich anF i g. 6 represents, i.e. H. in the integrated structure of FIG. 9 are five peeks up to the third set of transistors each Column included. An epilateral area 218 corresponds to one via a conductor 292 on the terminal electrode for the X output connected gcincinsamen collector, while a range 220 is connected to the Terminal electrode represents the epitaxial collector area connected to the V output. An area 222 corresponds to the right transistors of each of the five columns, with this epitaxial collector area attached

jo eine Spannung von + 5 V angeschaltet ist.jo a voltage of + 5 V is switched on.

Da in der integrierten Schaltung gemeinsame kollcktorverbindungen für eine große Anzahl von Transistoren vorgesehen sind, ist die gesamte Schaltung nach Fig.6 im Hinblick auf die Dreiersätze von Transistoren lediglich in sechs Kollektorbereiche aufgeteilt. Diese Kollektorbereiche werden durch Isolationsdiffusionen, wie beispielsweise die Isolationsdiffusion 202, festgelegt. Aufgrund dieser geringen Anzahl von gemeinsamen Kollektoren wird die beträchtliche Miniaturisierung möglich gemacht.Since in the integrated circuit common kollcktorverbindungen for a large number of Transistors are provided, the entire circuit of Figure 6 is in terms of the sets of three of Transistors only divided into six collector areas. These collector areas are through Isolation diffusions, such as isolation diffusion 202, set. Because of this low With the number of common collectors, the considerable miniaturization is made possible.

F i g. 11 zeigt eine weitere Ausführungsform eines verwendbaren Tastnetzwerkes, das anstelle des in den Fig.4 und 5 dargestellten Tastnetzwerkes mit Widerständen 98 und 100 verwendet werden kann. Aufteile der Serienwiderstände werden in diesem Netzwerk nach Fig. 11 gegeneinander geschaltete Dioden 224—226, 228—230 und 232—234 verwendet, welche in Serie zwischen Klemmen 244 und 246 liegen. Durch die Verbindung der gegeneinander geschalteten Dioden werden Knotenpunkte 272, 274, 276 und 278 gebildet. An den Klemmen 244 und 246 werden komplementäre linear verlaufende Ströme (wie beispielsweise die Ströme 90 und 92 nach F i g. 4) eingespeist, welche Teile eines dreieckförmigen Signals sein können. Stromquellen 236, 238, 240 und 242 liefern jeweils einen Einheitsstrom / an die Knotenpunkte 272, 274, 276 und 278. An die Knotenpunkte sind weiterhin die »Anoden«- Klemmen von als Dioden geschalteten Transistoren 248, 250, 252 und 254 angeschaltet, deren »Kathoden« am Punkt 256 an Masse liegen. Weiterhin speisen die Knotenpunkte Treibertransisloren 258, 260, 262 und 264, deren gemeinsamer Emitterstrom Ie über eine Klemme 266 fließt. Die Transistoren 258, 260, 262 und 264 liefern Ausgangsströme I\, I_n-i, /n-i und I_n- Jeder dieser Transistoren repräsentiert einen der vorbeschriebenen Transistorsätze.F i g. 11 shows a further embodiment of a usable probe network which can be used instead of the probe network with resistors 98 and 100 shown in FIGS. In this network according to FIG. 11, diodes 224-226, 228-230 and 232-234 connected against one another and which are in series between terminals 244 and 246 are used. By connecting the diodes connected against one another, nodes 272, 274, 276 and 278 are formed. Complementary linear currents (such as, for example, currents 90 and 92 according to FIG. 4), which can be parts of a triangular signal, are fed in at terminals 244 and 246. Current sources 236, 238, 240 and 242 each supply a unit current / to the nodes 272, 274, 276 and 278 "Cathodes" are grounded at point 256. The nodes also feed driver transistors 258, 260, 262 and 264, the common emitter current Ie of which flows via a terminal 266. The transistors 258, 260, 262 and 264 supply output currents I \, I _n -i, / ni and I _n - each of these transistors represents one of the transistor sets described above.

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 11 besitzt den Vorteil, daß sich die Ausgangsströme l\ — I_n an denThe circuit arrangement according to FIG. 11 has the advantage that the output currents l \ - I _n at the

Ausgängen der Transistoren linear änaern, wenn linear verlaufende Ströme an den Klemmen 244 und 246 eingespeist werden. Die linear verlaufenden Ausgangssignale sind im Diagramm nach F i g. 12 aufgetragen. In dem Fall, in dem die Transistoren 258 bis 264 Transistorsätze der vorbeschriebenen Art repräsentieren, führen die linearen Stromänderungen zu einer konstanten Ablenkänderung in einem XY-Anzeigegerät, d. h„ es ergibt sich eine konstante Ablenkgeschwindigkeit zwischen den durch die Transistoren repräsentierten Unterbrechungspunkten der Zeichen. Die Strichelemente der Zeichen bzw. Symbole haben daher Ober ihre Länge nahezu die gleiche Intensität.Change the outputs of the transistors linearly when linear currents are fed in at terminals 244 and 246. The linear output signals are shown in the diagram according to FIG. 12 applied. In the case where transistors 258 to 264 represent sets of transistors of the type described above, the linear current changes result in a constant change in deflection in an XY display device, i.e. h “there is a constant deflection speed between the breakpoints of the characters represented by the transistors. The line elements of the characters or symbols therefore have almost the same intensity over their length.

Im folgenden sei nun die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach Fig. 11 betrachtet. Du.· is gegeneinander geschalteten Dioden 224—226,228—230 und 232—234 führen so lange einen geringen Strom, bis an ihnen eine vorgegebene Spannung steht. Danach nimmt der Strom zu, wobei jedoch der Spannungsabfall nahezu konstant bleibt Es sei nun der Fall einer vierstufigen Schaltungsanordnung ins Auge gefaßt, bei der zu einem bestimmten Zeitpunkt linear ve laufende Ströme an den Klemmen 244 und 246 eingespeist werden, derart, daß drei Stromeinheiten bzw. drei /über die Klemme 246 und Null Stromeinheiten über die Kiemme 244 fließen. Die über die Klemme 246 fließenden drei Stromeinheiten müssen von den Stromquellen 238, 240 und 242 geliefert werden. Die verbleibende Slromeinheit aus der Stromquelle 236 muß über den als Diode geschalteten Transistor 248 fließen. wodurch an diesem ein zur Erregung des Transistors 258 dienender Spannungsabfall auftritt. Die übrigen als Diode geschalteten Transistoren 250, 252 und 254 führen keinen Strom. Statt dessen fließt von den Quellen 238 und 240 der gelieferte Strom über die Dioden 228—230, und 232—234. Es sei nun angenommen, daß die linear verlaufenden Signale derart an den Klemmen 244 und 246 eingespeist werden, daß zwei Stromeinheiten bzw. zwei / über die Klemme 246 und eine Stromeinheit bzw. / über die Klemme 244 fließt. Die über die Klemme 244 fließende Stromeinheil wird von der Quelle 236 geliefert. Die beiden über die Klemme 246 fließende Stromeinheilen kommen von den Quellen 240 und 242. Die verbleibende Stromeinheit aus der verbleibenden Quelle 238 fließt über den als Diode geschalteten Transistor 250, wodurch ein den Transistor 260 ansteuernder Spannungsabfall am Transistor 250 entsteht. Ändern sich die an den Klemmen 244 und 246 eingespeisten linear verlaufenden Ströme entsprechend, so werden in gleicher Weise die verbleibenden Transistoren 262 und 264 aufeinanderfolgend betätigt. Die Übernahme des Stroms h zwischen den Transistoren 258, 260, 262 und 264 verläuft ebenso wie bei dem oben beschriebenen Widerstand-Kettennetzwerk glatt. Darüber hinaus werden lineare Ausgangssignale erhalten. Die als Diode geschalteten Transistoren 248—254 linearisieren den über die Transistoren 258—264 fließenden Strom. Anstelle der als Diode geschalteten Transistoren können auch einfache Dioden verwendet werden. Zum Zwecke einer guten Anpassung der Charakteristiken an die der Transistoren 258—264 ist jedoch eine Ausführungsform mit als Diode geschalteten Transistoren bevorzugt, weiche zusammen mit den Transistoren 258—264 in der gleichen integrierten Schaltung ausgebildet sind.The mode of operation of the circuit arrangement according to FIG. 11 will now be considered below. Diodes 224-226, 228-230 and 232-234, connected against one another, carry a small current until they have a predetermined voltage. Then the current increases, but the voltage drop remains almost constant. Let us now consider the case of a four-stage circuit arrangement in which linear currents are fed in at terminals 244 and 246 at a certain point in time, such that three current units or three current units flow through terminal 246 and zero current units through terminal 244. The three current units flowing through terminal 246 must be supplied by current sources 238, 240 and 242. The remaining current unit from the current source 236 must flow through the transistor 248, which is connected as a diode. as a result of which a voltage drop which is used to excite transistor 258 occurs across it. The remaining diode-connected transistors 250, 252 and 254 do not carry any current. Instead, the current supplied from sources 238 and 240 flows through diodes 228-230 and 232-234. It is now assumed that the linearly extending signals are fed in at the terminals 244 and 246 in such a way that two current units or two / via the terminal 246 and one current unit or / via the terminal 244 flows. The current unit flowing via the terminal 244 is supplied by the source 236. The two current units flowing via the terminal 246 come from the sources 240 and 242. The remaining current unit from the remaining source 238 flows via the diode-connected transistor 250, which results in a voltage drop across the transistor 250 that drives the transistor 260. If the linear currents fed in at terminals 244 and 246 change accordingly, the remaining transistors 262 and 264 are actuated one after the other in the same way. The transfer of the current h between the transistors 258, 260, 262 and 264 runs smoothly, just as in the case of the resistor chain network described above. In addition, linear output signals are obtained. The transistors 248-254 connected as a diode linearize the current flowing through the transistors 258-264. Instead of the transistors connected as diodes, simple diodes can also be used. For the purpose of a good match of the characteristics to those of the transistors 258-264, however, an embodiment with diode-connected transistors is preferred, which are formed together with the transistors 258-264 in the same integrated circuit.

Es ist zu bemerken, daß der über die Klemmen 244 und 246 fließende Strom nicht gleich der Summe der von den Quellen 236, 238, 240 und 242 gelieferten Einheitsströme ist. Vielmehr wird durch die genannten Stromquellen ein zusätzlicher Einheitsstrom geliefert, welcher über einen der als Diode geschalteten Transistoren 248—254 oder während der Übergänge über zwei dieser als Diode geschalteten Transistoren fließt Die Schaltungsanordnung ist andererseits aber auch so zu betreiben, daß die Ströme Ir ohne die Transistoren 2-}3—254 umgeschaltet werden; in diesem Falle ist die Summe der über die Klemmen 244 und 246 fließenden Ströme gleich der Summe der von den Stromquellen gelieferten Ströme. Ein derartiger Betrieb eignet sich für eine Analog-Digital-Umwandlung, wobei die Übergänge nicht in der in Fig. 12 dargestellten Weise linear, sondern abrupter sind.It should be noted that the current through terminals 244 and 246 is not equal to the sum of the unit currents supplied by sources 236, 238, 240 and 242. Rather, an additional unit current supplied by said current source, which flows through one of the diode-connected transistors 248-254 or during the transitions two of these diode-connected transistors, the circuit arrangement on the other hand, also be operated so that the currents Ir without the Transistors 2–} 3–254 are switched over; in this case the sum of the currents flowing through the terminals 244 and 246 is equal to the sum of the currents supplied by the current sources. Such an operation is suitable for an analog-to-digital conversion, the transitions not being linear as shown in FIG. 12, but more abrupt.

In den meisten praktischen Fällen werden die Stromquellen 236 bis 242 durch entsprechend große Widerstände gebildet, deren von den Knotenpunkten 272 bis 278 abgewandte Klemmen an einen gemeinsamen Bezugspunkt angeschaltet sind. Anstelle der Diodenpaare 224—226 bis 232—234 können auch Widerstände verwendet werden, um die Anforderungen hinsichtlich der Ansteuerung so klein wie möglich zu hallen. Die sich insbesondere zur Ansteuerung der Transislorsätze der Schaltungsanordnung eignenden Kettennetzwerke nach den Fig.4 und Π können ebenso zur Steuerung von Strömen für andere Zwecke verwendet werden.In most practical cases, the current sources 236 to 242 are appropriately large Resistors formed whose terminals facing away from the nodes 272 to 278 are connected to a common Reference point are switched on. Instead of the diode pairs 224-226 to 232-234, Resistors are used to keep the control requirements as small as possible echo. Which are particularly suitable for controlling the transistor sets of the circuit arrangement Chain networks according to FIGS. 4 and Π can also be used to control currents for other purposes be used.

Hierzu 5 Blatt ZeichnungenIn addition 5 sheets of drawings

Claims (14)

Z\JZ \ J 1010 Patentansprüche:Patent claims: J. Zeichengenerator für ein XK-Anzeigegerni zur Erzeugung von Ablenksignalen in zwei Koordinatenrichtungen (X, Y), als Funktion derer das Anzeigegerät vorgegebene Symbole in Form von Liniensegmenten anzeigt, mit jeweils mindestens einem Transistor, der pro Liniensegment-Endpunkt des jeweils anzuzeigenden Symbols einen X- bzw. K-Ablenkstrom für das Anzeigegerät liefert, und mit einer sequentiellen Ansteuerung der Transistoren, wodurch die Liniensegment-Endpunkte des jeweils anzuzeigenden Symbols sukzessive durchlaufen werden, dadurch gekennzeichnet, daß pro Liniensegment-Endpunkt des jeweils anzuzeigenden Symbols je ein Transistorsatz mit wenigstens zwei Transistoren (36, 38, 50, 52, 60, 62 ... 101-108) vorgesehen ist, von denen jeweils ein erster Transistor {t>eispielsweise 36) einen X-Ablenkausgangsstrürn und jeweils ein zweiter Transistor (beispielsweise 38) einen V-Ablenkausgangsstrom für das Anzeigegerät (79) liefert, daß die Transistoren (36, 38, 50, 52, 60, 62 ... 101-108) der Transistorsätze so dimensionierte Emitterflächen besitzen, daß das Verhältnis des X- und K-Ablenksiromes jeweils eines Transistorpaars (beispielsweise 36, 38) jeweils einem Liniensegment-Endpunkt des jeweils anzuzeigenden Symbols entspricht, daß die Emitter der Transistoren in den Emitiersätzen jo zur Aufnahme eines gemeinsamen Stroms gekoppelt sind, und daß den Transistorsat/en ein Netzwerk (beispielsweise 98, 100) vorgeschaltet ist. über das die Transistorsätze innerha'b eine·· Anstcuersequen/ durch sich überlappende Ansteucrsignale mit steti- r> gern Verlauf ansteuerbar sind, so daß die l.imensegment-F.ndpunkte des jeweils anzuzeigenden Symbols linienförmig miteinander verbunden sind.J. Character generator for an XK display genius for generating deflection signals in two coordinate directions (X, Y), as a function of which the display device displays specified symbols in the form of line segments, each with at least one transistor that has one per line segment end point of the symbol to be displayed X or K deflection current supplies for the display device, and with a sequential control of the transistors, whereby the line segment end points of the respective symbol to be displayed are passed through successively, characterized in that per line segment end point of the respective symbol to be displayed a transistor set with at least two transistors (36, 38, 50, 52, 60, 62 ... 101-108) are provided, each of which has a first transistor {t> e for example 36) an X-deflection output string and in each case a second transistor (for example 38) V deflection output current for the display device (79) provides that the transistors (36, 38, 50, 52, 60, 62 ... 101-108) of the Tr transistor sets have emitter areas dimensioned in such a way that the ratio of the X and K deflection siromes of a pair of transistors (e.g. 36, 38) corresponds to a line segment end point of the symbol to be displayed, so that the emitters of the transistors in the emitter sets jo to receive a common current are coupled, and that the transistor / s a network (for example 98, 100) is connected upstream. Via which the transistor sets can be controlled within a trigger sequence / by overlapping trigger signals with a continuous course, so that the l.segment endpoints of the respective symbol to be displayed are linearly connected to one another. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistorsät/e (36, 38, 50, 52, 60, 62 ... 101-108) jeweils wenigstens einen weiteren Transistor (beispielsweise 40) aufweisen dessen Emitter an die Emitter des ersten und zweiten Transistors (beispielsweise 36,38) angekoppelt ist und dessen Emitierfläche so gewählt ist. daß ·τ> er einen vorgegebenen Bruchteil der Emitterströme des ersten und /weiten Transistors und damit des X und V-Ablenkausgangsstromes übernimmt2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the transistor / s (36, 38, 50, 52, 60, 62 ... 101-108) each have at least one further transistor (for example 40) whose emitter is connected to the emitter of the first and second transistor (for example 36,38) is coupled and whose emitting area is selected. that · τ> it takes over a predetermined fraction of the emitter currents of the first and / or wide transistor and thus of the X and V deflection output current 3. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 und 2. dadurch gekennzeichnet, daß wenig in stens ein Transistor des aus dem ersten und /weiten Transistor (beispielsweise 36, 38; 50, 52; 60, 62; .. ) jedes Transistorsat/es gebildeten Paars /ur Bildung eines Fmitterfläehenverhältnisses dieses Paares mn mehreren Emittern versehen ist. v>3. Circuit arrangement according to one of claims 1 and 2, characterized in that little in at least one transistor from the first and / second transistor (for example 36, 38; 50, 52; 60, 62; ..) of each transistor set / es formed pair to form an average area ratio of this pair mn several emitters is provided. v> 4. Schaltungsanordnung nach einem der Anspru ehe 1 bis 3. dadurch gekenn/eichnei. daß der weitere Transistor (beispielsweise 40; 54; 64; ...) der Transistorsät/e (36, 38, 40; 50, 52, 54. 60, 62, 64.. ) /ur Bildung einer auswählbaren Emitterfläche dieses wi Transistors mit mehreren Emittern versehen ist.4. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 3 thereby gekenn / eichnei. that the other Transistor (for example 40; 54; 64; ...) of the transistor set / s (36, 38, 40; 50, 52, 54. 60, 62, 64 ..) / ur formation of a selectable emitter area this wi Transistor is provided with several emitters. 5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche I bis 4, gekennzeichnet durch mehrere Transistorsätze (101 — 108; 163—168) in einer integrierten Halbleiterschaltung zur Darstellung hi jeweils eines Symbols und durch jeweils einen gemeinsamen Kollektorbereich für die die X- und V-Ab!enkströme liefernden Transistoren.5. Circuit arrangement according to one of claims I to 4, characterized by several sets of transistors (101-108; 163-168) in an integrated semiconductor circuit for displaying one symbol each and by a common collector area for each of the X- and V-Ab! transistors delivering current currents. fa. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Tasteinrichtung (beispielsweise 98, !00) in der gleichen integrierten Halbleiterschaltung ausgebildet ist.fa. Circuit arrangement according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the Push button device (for example 98,! 00) formed in the same semiconductor integrated circuit is. 7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine Tasteinrichtung in Form eines Keltennetzwerkes mit zwei Eingangsklemmen (94, 96; 244, 246), mit in Serie zwischen den Eingangsklemmen liegenden Impedanzen (98; 224-226, 228-230, 232-234) die an ihren Verbindungen Knotenpunkte bilden, an welche die Transistorsätze (beispielsweise 101 — 108) angekoppelt sind, und mit an die Knotenpunkte angekoppelten Parallelelementen (100; 236,238,240, 242), wobei an den Eingangsklemmen (94, 96; 244, 246) sich komplementär glatt ändernde Ströme zur sequentiellen Ansteuerung der Transistorsätze (beispielsweise 101 — 108) durch an den Knotenpunkten stehende Spannungen (beispielsweise Vi-V₈) eingespeist werden.7. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized by a sensing device in the form of a Celtic network with two input terminals (94, 96; 244, 246), with impedances (98; 224-226, 228-230) in series between the input terminals , 232-234) which at their connections form nodes to which the transistor sets (for example 101-108) are coupled, and with parallel elements (100; 236, 238, 240, 242) coupled to the nodes, with the input terminals (94, 96; 244 , 246) complementary smoothly changing currents for sequential control of the transistor sets (for example 101-108) are fed in by _{voltages present at the nodes (for example Vi-V 8).} 8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Serienimpedanzen und die Parallelelemente durch Widerstände (98 bzw. 100) gebildet sind.8. Circuit arrangement according to claim 7, characterized in that the series impedances and the Parallel elements are formed by resistors (98 or 100). 9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, oaß die Serienimpedanzen durch gegeneinander geschaltete Dioden (224—226. 228-230. 232-234) und die Parallelelemente durch Stromquellen (236,238,240,242) gebildet sind.9. Circuit arrangement according to claim 7, characterized in that the series impedances oass through Diodes connected against one another (224-226. 228-230. 232-234) and the parallel elements through Power sources (236,238,240,242) are formed. 10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9. dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquellen (236, 238, 240, 242) durch an einen Potentialbe/ugspunkt angekoppelte Widerstände gebildet sind.10. Circuit arrangement according to claim 9, characterized in that the current sources (236, 238, 240, 242) are formed by resistors coupled to a potential reference point. 11. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 7. 9 und 10. gekennzeichnet durch Dioden (248, 250, 252,254). welche zwischen den Knotenpunkten (272, 274, 276, 278) und einer weiteren Klemme (256) liegen und als Funktion der an vl:n Eingangsklemmen (244, 246) eingespeisten komplementären Ströme den von den Stromquellen (236, 238, 240, 242) gelieferten Strom auf die weitere Klemme (256) koppeln11. Circuit arrangement according to claims 7, 9 and 10, characterized by diodes (248, 250, 252, 254). which lie between the nodes (272, 274, 276, 278) and a further terminal (256) and, as a function of the complementary currents fed in at vl: n input terminals (244, 246), are those from the current sources (236, 238, 240, 242 ) couple the supplied current to the other terminal (256) 12. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 7 und 9 bis 11. dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden (248, 250, 252, 254) durch als Dioden geschaltete Transistoren gebildet sind.12. Circuit arrangement according to claims 7 and 9 to 11. characterized in that the Diodes (248, 250, 252, 254) are formed by transistors connected as diodes. 13. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 7 und 9 bis 12. dadurch gekennzeichnet, daß an die Knotenpunkte (272, 274, 276, 278) auf Spannung ansprechende F.lemcntc (258, 260, 262, 264) ange koppelt sind.13. Circuit arrangement according to claims 7 and 9 to 12, characterized in that the Nodes (272, 274, 276, 278) for voltage responsive F.lemcntc (258, 260, 262, 264) attached are coupled. 14. Schaltungsanordnung tuch Anspruch I 5. dadurch gekennzeichnet, daß die auf Spannung ansprechenden Elemente (258, 260, 262, 264) durch Transistoren gebildet sind14. Circuit arrangement cloth to claim I 5. characterized in that the voltage responsive elements (258, 260, 262, 264) are formed by transistors