DE2023501A1 - - Google Patents

Description

BMülv-iiEN 80
Lurile-Grahn-Stra&e38 As/h.BMülv-iiEN 80
Lurile-Grahn-Stra & e38 As / h.

Telefon 443755 _Case j-y ji+Cl Phone 443755 _Case jy ji + Cl

Energy Conversion Devices, Inc., 1675 West Maple Road, Troy, Michigan 48084 (V, St. A.)Energy Conversion Devices, Inc., 1675 West Maple Road, Troy , Michigan 48084 (V, St. A.)

Elektrisch betriebener BildschirmElectrically operated screen

JJLe lyri'induiig bezieht sich auf einen Bildschirm, und zwar auf einen elektrisch betriebenen LeuchtbiIdschirm zum verrühren einer Bildvorlage oder einer information für Jje t.racli ter .JJLe lyri'induiig refers to a screen, namely on an electrically operated light screen for stirring a picture template or information for Jje t.racli ter.

Der j.rfindung .liegt dio .ufgabe zugrunde, einen Leuchtbildschirm zu öcliai't'en, dei' zu jedem gegebenen Zeitpunkt eine festgelegte anordnung von lichtemittier enden Teilen aufweist, die ein gegebenes Mustor bila.m, das sich prompt verändern lU/lt,The invention is based on the task of creating a luminous screen to öcliai't'en, dei 'at any given time a fixed arrangement of light emitting ends Parts that have a given Mustor bila.m that is promptly change lU / lt,

LeuchtbiidHchirni gemaü der !Erfindung kann im Querschnitt eben oder gekrümmt ausgebildet sein und jede beliebige Länge und !!reite haben. Der bcliirin igt ein verbal fmiamäßig dünner bohiohtkörper aus aneinanderliegenden ijohJehLeri von loi ti'abi gen, speichernden Halbleitermaterialien von veränderbarem Widerstand und luminescenten Materialien, Die Lumineszenzsehlcht ist yorzugaweiee aus einem IJlektrolumineszenzmaterial mit einer nicht-linearen .spnnnimgs-Helligkei ts-('harakfceris tik, so daß ein Hereich geschaffen ist, in dem geringe ÄnderungenLeuchtbiidHchirni according to the invention can in cross section be flat or curved and have any length and width. The attorney agrees verbally fmia-like thin bohioht body made of adjacent ijohJehLeri from loi ti'abi gen, storing semiconductor materials of variable resistance and luminescent materials that are luminescent yorzugaweiee made of an electroluminescent material with a non-linear .spnnimgs-brightness - ('harakfceris tik, so that a kingdom is created in which small changes

098U/13S1098U / 13S1

SADSAD

2U235012U23501

-z--z-

einer daran angelegten Wechselspannung verhältnismäßig bedeutende Änderungen der Helligkeit der· nuss trahiung¹ an sichtbarem Licht verursachen, an der Außenseite der schicht aus Lumineszenzmaterial ist eine lichtdurch-r lässige, leitfähige, einö elektrode bildende schicht, beispielsweise aus Zinnoxyd (snü ) gebildet. j)ie Lumineszenzschichl ist vorzugsweise eine durchgehende schicht exits ivumir.e.szenzmaterial, sie kann jedoch in getrennte, in engen Abständen voneinander liegende Bereiche oder i-unki,i3 aus solchem Lumineszenzmaterial unterteilt sein. unmittelbar hinter der Lumitieszenzschicht ist eine ochichO eines speichernden Halbleitern«!teriaLs von variablemAn alternating voltage applied to it can cause relatively significant changes in the brightness of the nut radiation ¹ in visible light, on the outside of the layer of luminescent material a transparent, conductive, single electrode-forming layer, for example made of tin oxide (snu), is formed. j) The luminescent layer is preferably a continuous layer exits ivumir.e.szenzmaterial, but it can be divided into separate, closely spaced areas or i-unki, i3 made of such luminescent material. Immediately behind the luminescence layer there is a layer of a storing semiconductor material of variable

lüerstancl angeordnet, die ebenfalls im vorieilhai'cesten üili als eine durchgehende schicht eines solchen !.atexials ausgebildet ist. Eine bchicht von lichttransparentem, leitfähigem, elektrodenbildendem Material, das ebenfalls '/. itmoxyd sein kann, wird an der Außenseite dna speichernden Materials angebracht. i)ie schicht aus speicherndem Halbleitermaterial von variablem Widerstand ist derart ausgebildet, daß (voneinander getrennte) Einzelteile derselben sich mühelos zwischen stabilen Zuständen eines hohen und eines niedrigen Widerstandes verändern Lassen, indem durch die sie berührende, 1 i.ch t transparente schicht geeignete Energiemengen, gegebenenfalis in i orin eines Laserstrahls und/oder einer i'hotobii tzlichtlampe zur Wirkung gebracht werden. Diese Einzelteile der Schicht des speichernden Halbleitermaterial von variablem Widerstand wirken als Schalter zwischen der letztgenannten loitfühigen Schicht und der Lumineszenzschicht, line opannungsquelle, bei Verwendung eines j-lektroiutni liftszenztnat erials vorzugsweise eine Wechselspannurig.suue.Lle, wird an den lichttransparenten, elektrodenbildeiulen, leitf äh Lgen Schichten angelegt, so daß nur an rinn j en igen 10 InzeL teilen der Schicht aus Luminiszenzmafcerial eine erhöhte Spannung zugeführt wird, die sich gegenüber Einzelteilen der Schicht des speichernden Halbleiter-lüerstancl arranged, which is also formed in the Vorieilhai'cesten üili as a continuous layer of such a! .atexial. A layer of light-transparent, conductive, electrode-forming material, which is also '/. itmoxyd is attached to the outside of the DNA- storing material. i) The layer of storing semiconductor material of variable resistance is designed in such a way that individual parts (separated from one another) can be easily changed between stable states of high and low resistance by using suitable amounts of energy through the transparent layer in contact with them , optionally in i orin a laser beam and / or a i'hotobii etzlichtampe be brought into effect. These individual parts of the layer of the storing semiconductor material of variable resistance act as a switch between the last-mentioned conductive layer and the luminescent layer, line opannungsquelle, when using a j-lektroiutni liftszenztnat erial preferably an alternating voltage Layers are applied so that an increased voltage is only applied to the 10 individual parts of the layer made of luminescent material, which is different from that of the individual parts of the layer of the storing semiconductor.

009847/1361009847/1361

BADBATH

2U235Ü12U235Ü1

s vmi variablen Widerstand befinden, die sich '.·:·ι -'Ms taiHJ ni odrigen " iderstaudes befinden, &o daß von •-ier chic·.! a»s Lutnireszerizroat '¹T ia.i ein l.iclitmustei aus-J(¹Hi¹IKi(U ' vi, das dor .•.ri'irdrum» νου ¹ZnZeIt eilen von ; ■>] ίΜΠ viii'' :,if>dr l^em .viriorstarid in dov chicht aus spoi-s vmi variable resistance, which are '. ·: · ι -'Ms taiHJ ni odigen "iderstaudes, & o that from • -ier chic ·.! a» s Lutnireszerizroat' ¹ T ia.i a l.iclitmustei from- J ( ¹ Hi ¹ IKi (U ' vi, das dor. • .ri'irdrum »νου ¹ ZnZeIt rush from; ■>] ίΜΠ viii'':,if> dr l ^ em .viriorstarid in dov chicht from spoi-

•lerncjmn · -IHl .<■» i t print_;< erial von vaiii biem 'Widerstand tMit spi\i el) t « ,.>if? .,rnplitude und/oder ; reijuenz des Au^ga^es ]'!;· paiiH' "ir-s-jviellfi i!iüsf.(?ri genügend niedrig aein., uui • :'-r /ugiiiinl m-.i];«'i I^k, niedrigen ■ ividerstandes der ;chieji· ··<>- sp(^ji.chi'i π(^!·Ί Na.lblcitermatoria.ls von variabiem• lerncjmn · -IHl. <■ »it print _; <erial von vaiii biem 'resistance tWith spi \ i el) t «,.> if? ., amplitude and / or; reijuenz des Au ^ ga ^ es] '!; · paiiH'"ir-s-jviellfi i! iüsf. (? ri sufficiently low aein., uui •: '- r / ugiiiinl m-.i];«' i I ^ k, low ■ ividerstandes der; chieji · ·· <> - sp ( ^j i.chi'i π ( ^! · Ί Na.lblcitermatoria.ls of variabiem

/Ic stau·; γ,μ,Ψγ zn beeinträchtigen. I ie .Schichten dos ' i Idsctiii rit-j ü\:ischeii dem Lninii'eszenzmaterial und der ■:>.}-'.i ^!;lick ' "(ⁱi;;cgebfiiien Vorderseite des '-'Chirmes niuJi ;,i;ij,enüber den von dei" letzteren schicht; emittierten lichttriMHip-ireut sein. Das vorzuführende I-uster kanu m dem .;iln.schirm dadurch gebildet werden, daß die ;-ev;üusri]' on i.iuzelteile der speichernden iialbleiterpcliiclit £;U- einem Zustand hohen Widerstandes in eiixen Zustand uiedri.-.en Widerstandes übergeführt werden, indem aiii' die speichernde iialbleiterschicht selektiv ein modulierι ^r Knergiestrahl, beispielsweise ein Laserstrahl ziHu ,iiiftreiTeii gebracht wird, und das vorzui'ahrende Mnstor kann durch Anwendung von Energie, beispielsweise von Energie eines hlektronenstralils, eines Laserstrahls, einer Funkenentladung oder des Lichtes einer Photoblitzlielitlampe von hoher Intensität gelöscht werden« Das vorzuführende Muster, das auf dem Bildsehirin gebildet wird, kann zu einem neuen Muster umge-■ ändert werden, indem die bestehende Anordnung von !Einzelteilen hohen bzw. niedrigen Widerstandes in der speichernden Halbleiterschicht von variablem Widerstand mittels eines modulierten JOnergiestrahles, beispielsweise eines Laserstrahles, der entsprechend dem neuen vorzuführenden Muster moduliert ist, umgeändert wird./ Ic stau ·; γ, μ, Ψγ zn affect. I he .Schichten dos 'i Idsctiii rit-j u \: ischeii the Lninii'eszenzmaterial and ■:>} -.'^I;.! lick '"( ⁱ i ;; cgebfiiien front of the'-'ChirmesniuJi;,i; ij, en over the light triMHip-ireut emitted by the latter layer; be formed so that the; -ev; üusri] 'on i.iuzelteile of the storing iialbleiterpcliiclit £; U- a state of high resistance in a state of low resistance are transferred by aiii' the storing iialleiterschicht selectively a modulierι ^ r Knergieststrahl, for example a laser beam ziHu, iiiftreiTeii is brought, and the vorzui'ahrende Mnstor can be extinguished by using energy, such as the energy of a electron beam, a laser beam, a spark discharge or the light of a photo flash lamp of high intensity is formed on the screen can be changed to a new pattern by changing the existing arrangement of high and low resistance parts in the memory nthe semiconductor layer of variable resistance is changed by means of a modulated energy beam, for example a laser beam, which is modulated according to the new pattern to be presented.

009847/136.1'009847 / 136.1 '

SAD ORIGINALSAD ORIGINAL

2Ü23B012Ü23B01

_ Zj __ Zj _

.Lin vorteilhaftesten kanu ein Bildschirm mit hinter diesem montierten Einrichtungen zur Ei^zeugung von Energie ausgestattet sein, wobei die speichernde Halbleiterschicht desselben hinter der Lutnimszenzscliicht angeordnet ist. In diesem Fall ist die elektrodenbxldende >chicht an der Hinterseite der speichernden llcilbleitex¹-bchioht für die betreffende Energie transparent, und die elektrodenbildende, leitfähige Schicht an der Vorderseite der Lumir.eszenzschicht ist gegenüber dem von der Jvumiiieszenzschiclit emittierten Licht transparent·In the most advantageous way, a screen can be equipped with devices for generating energy mounted behind it, the storing semiconductor layer of the screen being arranged behind the luminance screen. In this case, the electrode-forming layer on the back of the storing glass leadx ¹ -bchioht is transparent to the energy in question, and the electrode-forming, conductive layer on the front of the luminescent layer is transparent to the light emitted by the fluorescent layer.

uas speichernde Halbleitermaterial, von dem gewünschte einzelteile zwischen einem stabilen Zustand hohen Widerstandes und einem stabilen Zustand niedrigen Widerstandes in umkehrbarer Weise veränderbar sind, ist vorzugsweise ein polymeres Material, das sich normalerweise in stabiler Weise in dem einen oder dem anderen dieser Zustände befinden kann, und es kann eine große Anzahl unterschiedlicher Zusammensetzungen oder Hassen Verwendung finden. Beispielsweise kann das speichernde Halbleitermaterial Tellur und Germanium in einem Verhältnis von ca. 85 Atom-,-1 Tellur und 15 Atoni-.a Germanium mit Einschlüssen von etwas Sauerstoff und/oder Schwefel enthalten. Eine andere mögliche Zusammensetzung ist Ge₁-, AS.», Se„.. Weitere mögliche Zusammensetzungen sind Ge₁₅ ^Peöi ^bo ^{und p}p oder Sb₂ und Se₁, ^besi ^Ü2 ^{Upid V}2 The storing semiconductor material, of which the desired individual parts are reversibly changeable between a stable state of high resistance and a stable state of low resistance, is preferably a polymeric material which can normally be stably in one or the other of these states, and a large number of different compositions or hates can be used. For example, the storing semiconductor material can contain tellurium and germanium in a ratio of approx. 85 atoms - 1 tellurium and 15 atoms - a germanium with inclusions of some oxygen and / or sulfur. Another possible composition is Ge ₁ -, AS. », Se« .. Further possible compositions are Ge ₁₅ ^Pe öi ^b o ^{and p} p or Sb ₂ and Se ₁ , ^be si ^Ü 2 ^{Upid V} 2

oder Sb . Weitere gemäß der Erfindung ebenfalls wirksame Zusammensetzungen können aus den speichernden Materialien bestehen, die in der Patentschriftor Sb. Further compositions which are also effective according to the invention can be made from the storing materials exist in the patent specification

(Patentanmeldung ) entsprechend der(Patent application) according to

U.S.A. Patentschrift 3 271 591 _f erteilt am 6. September 1°-b6, genannt sind, (in dieser Patentschrift sind solche Materialien mitunter als .Materialien für "lli-Lo-Vorrichtun- gen" bzw. "Ausschaltvorrichtungen" bezeichnet.) Durch geeignete Wahl der Massen und Dicke der Lagen könnenUnited States Patent 3,271,591 issued on 6 September 1 _f ° -B6 are called (in this specification, such materials are sometimes referred to as .Materialien for "Lo-lli-Vorrichtun- gene" or "off devices".) Suitable Choice of masses and thickness of the layers can

0Ö9847/13S1 - 5 -0Ö9847 / 13S1 - 5 -

SADORlGfNALSADORlGfNAL

2ÜZ35Ö12ÜZ35Ö1

gewünschte Widerstands- und iiapazitätswerte in den Zuständen niedrigen und hohen Widerstandes erzielt werden.desired resistance and capacitance values can be achieved in the low and high resistance states.

nenn man annimmt, daß die Schicht aus speicherndem Halbleitermaterial sich in ihrem stabilen Zustand hohen Widerstandes befindet, können gewünschte Einzelteile derselben in einen stabilen Zustand niedrigen Widerstandes übergeführt werden, indem an ihnen Energie zur Wirkung gebracht wird, die in der Form von Energieimpulsen von ausreichender Dauer (beispielsweise 1 bis 100 ms oder -darüber) sein kann, um die Änderungen in den Zustand niedrigen Widerstandes zu verursachen und diesen "einzufrieren", -olche gewünschte Einzelteile können abermals in ihren stabilen Zustand hohen Widerstandes zurückgeführt werden, indem an ihnen Energie zur Wirkung gebracht wird, die in der Form von Energieiiiipulseti vor kurzer Dauer (beispielsweiseit is assumed that the layer of storage semiconductor material is in its stable state of high resistance, desired individual parts the same in a stable state of low resistance be transferred by applying energy to them, which in the form of energy pulses of sufficient duration (for example 1 to 100 ms or more) to reflect the changes in to cause the low resistance condition and to "freeze" these, -such desired items can again be brought back to their stable state of high resistance by applying energy to them is brought into effect, which in the form of Energieiiiipulseti recently (for example

10,us oder darunter) sein kann, um die Rückführung in den Zustand hohen Widerstandes zu bewirken und diesen "einzufrieren".10, us or below) to enable the return to the To bring about a state of high resistance and "freeze" it.

Wenn urngekelii't angenommen wird, daß die bchicht des speichernden lialbleiteimaterials sich in ihrem stabilen Zustand niedrigen Widerstandes befindet, können gewünschte Einzelteile derselben in οinen stabilen Zustand hohen Widerstandes übergeführt werden, indem an ihnen Energie zur Wirkung gebracht wird, die in der Form von Energieimpuls en von entsprechend kurzer Dauer (beispielsweise 10 ,us oder darunter) sein kann, um den tibergang in den Zustand hohen Widerstandes zu bewirken und diesen Zustand einzufrieren. ;>olehe gewünschte Einzelteile können abermals in den stahl Leu Zustand niedrigen Widerstandes zurückgo-· führt werden, indem an ihnen Energie zur Wirkung gebracht wird, die in der l'orm von. Energie Lmpuloen von ausreicheuder Dauer (beispi.<» Lswoiso 1 bis 100 ms oder darüber) sein kann, um die bberführimg in den Zustand niedrigenIf it is otherwise assumed that the layer of the storing lead material is in its stable In a state of low resistance, desired individual parts of the same can be in a stable state of high Resistance can be transferred by bringing energy to them in the form of energy impulses en can be of a correspondingly short duration (for example 10, us or less) in order to ensure the transition to the State of high resistance and this state to freeze. ;> olehe desired items can again go back to the steel leu state of low resistance by applying energy to them will that in the l'orm of. Energy Lmpuloen of sufficient Duration (e.g. <»Lswoiso 1 to 100 ms or more) can be to the bberführerimg in the state low

009047/1351 .. ■ _ 6 -009047/1351 .. ■ _ 6 -

2Ü235U12Ü235U1

- 6 Widerstandes zu bewirken und diesen Zustand einzurrier«n,- 6 to bring about resistance and to lash in this state,

Die umkehrbare Veränderung der gewünschten Einzeiteile der Schicht des speichernden llalblei fcermaterialis zwischen dem isolierenden Zustand hohen Widerstandes und dem Leitfähigkeitszustand niedrigen Widerstandes kann Figur- und >■ "ormänderimgen in der Atomstruktur des Ilalbleitermaterials, das vorzugsweise von polytnerer Struktur ist, oder das Laden und Entladen des Halbleiterinaterials mit; ;·>tromträgern oder auch Kombinationen dieser beiden Vorgänge mit sich bringen, bei denen derartige ündenmgeu der Atomstruktur in den geladenen Zuständen eim'rieren. Diese 6trukturänderungen, die von subbiler Natur sein können, lassen sich ohne weiteres herbeirühren, indem Energie in mannigfaltigen Formen an den gewünschten ivinzelteilen der Schicht zur Wirkung gebracht werden. Es hat sich gezeigt, daß, insbesondere wenn Minderungen in der Atomstruktur eine Rolle spielen, die Zustände hohen und niedrigen Widerstandes im we sentliehen dauerhaft sind und erhalten bleiben, bis durch entsprechende Energieanwendung eine umkehrbare änderung in den anderen Zustand erfolgt. In seinem stabilen Zustand hohen Widerstandes oder der Isolierfähigkeit hat das speichernde llalbleitermaterial (das vorzugsweise ein polymeres Material ist) eine im wesentlichen ungeordnete und allgemein amorphe struktur mit örtlicher Ordnung und/oder örtlichen Bindungen der Atome und mil einer hohen Dichte der örtlichen Zustände in dem verbotenen Band, die den hohen Widerstand bewirken, Änderungen in der örtlichen Ordnung und/oder in den örtlich beschränkten Bindungen, die änderungen in der Atomstruktur darstellen, d.i. •strukturelle änderungen, die von subtiler Natur sein können,bewirken drastische Änderungen in den elektrischen !Eigenschaften des ilalblei termaterials, wie Widerstand, Kapazität, Dielektrizitätskonstante und dergl» DieseThe reversible change of the desired one-time parts of the layer of the storing llalblei fcermaterialis between the insulating state of high resistance and the conductivity state of low resistance can figure and> ■ "Ormänderimgen in the atomic structure of the semiconductor material, which is preferably of a polymeric structure, or the charging and discharging of the ; Halbleiterinaterials with;. ·> tromträgern or bring combinations of these two processes with them in which such ündenmgeu eim'rieren the atomic structure in the charged states this 6trukturänderungen that may be of subbiler nature, can be caused stir easily by energy It has been shown that, especially when reductions in the atomic structure play a role, the states of high and low resistance are essentially permanent and are maintained until appropriate Energy application a reversible change in the other state takes place. In its stable, high resistance or insulating state, the storing semiconductor material (which is preferably a polymeric material) has a substantially disordered and generally amorphous structure with local order and / or local bonds of atoms and with a high density of local states in the forbidden Band that cause the high resistance, changes in the local order and / or in the localized bonds that represent changes in the atomic structure, ie structural changes that can be of a subtle nature cause drastic changes in the electrical properties of the solid termaterials, such as resistance, capacitance, dielectric constant, and the like

000047/1361 - 7 -000047/1361 - 7 -

« Φ « Φ

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

ndoi'ungeii der mamiigfaltigen Eigenschaften können dazu ■verwendet- worden, die ;->truktixr der gewünschten JMiizelt oixo in bezug auf die der restlichen Teile der oebicht do·; iialblp Lternia fcerials zu bestimmen. Die Änderungen ilur örtlichen Ordnung und/oder der örtlichen Bindungen, 'lie die strukturelle Änderung in dem Halbleitermaterial jH'rbeif iUii ι·η, können änderungen von einem ungeordneten Zustand in einen geordneteren Zustand, beispielsweise oiuen geoi-finetei'en, kristallinartigen Zustand, seixi. rinse jviidprimgen können im wesentlichen innerhalb einer¹ (J' duuiig von kurzem Boreich stattfinden, bei der noch (¹Iu im wesentlichen ungeordneter und allgemein amorpher Zustand auftritt, oder sie können von einer Ordnung von kurzem Bereich zu einer Ordnung von langem Bereich erfolgen, bei der ein kristallinartiger oder pseudokristalliner Zustand geschaffen werden könnte, und bei allen diesen strukturellen Änderungen spielt mindestens eine x.nderung. der örtlichen Ordnung und/oder der örtlichen Bindungen «ine l:olle, und sie sind, wenn erwünscht, umkehrbar. j)urch Anwendung von Energie von gewünschtem Energiepegel können änderungen gewünschter Größe bewirkt werden.ndoi'ungeii of the manifold properties can be used to: -> truktixr the desired JMiizelt oixo in relation to that of the remaining parts of the oebicht do ·; iialblp to determine Lternia fcerials. The changes in the local order and / or the local bonds, such as the structural change in the semiconductor material , can change from a disordered state to a more ordered state, for example a geo-fine, crystalline-like state, seixi. rinse jviidprimgen can occur essentially within a ¹ (J 'duuiig of short range in which still ( ¹ Iu an essentially disordered and generally amorphous state occurs, or they can occur from an order of short range to an order of long range, at which a crystalline or pseudocrystalline state could be created, and with all these structural changes at least one change in the local order and / or the local bonds plays a role, and they are, if desired, reversible Using energy of the desired energy level, changes of the desired size can be brought about.

Die genannten Veränderungen können auf mannigfaltige Weise herbeigeführt werden, beispielsweise mittels Energie in der Form von elektrischen Feldern, Wärmestrahlung oder Kombinationen derselben. Das einfachste ist die -anwendung von Wärme. Wenn beispielsweise Energie in der Form von elektromagnetischer Energie, beispielsweise Laserstrahlen, Photoblitzlicht oder dergl., verwendet werden, können sowohl Strahlung als auch Wärme eine Holle spielen. Wenn die Energie in der Form von Korpuskularstrahlenergie, beispielsweise als Elektronenoder Protonen.strahlen, vorliegt und zusätzlich zu Wärme verwendet wird, kann auch ein Beladen und Überfluten desThe changes mentioned can be due to manifold Wise brought about, for example by means of energy in the form of electrical fields, thermal radiation or combinations thereof. The simplest is the application of heat. For example, if energy in the form of electromagnetic energy, for example Laser beams, photoflash or the like are used, both radiation and heat can be used play hell. When the energy is in the form of corpuscular beam energy, for example as electrons or Protons, rays, are present and in addition to heat can also be used to load and flood the

0Ö9647/13S1 - β -0Ö9647 / 13S1 - β -

2 U Z 3 5 Ü12 U Z 3 5 U1

Halbleitermaterials mit btromträgern (Ladungsträgern) eine Rolle spielen, unddiesi^ird durch die hohe Dichte iirtlicher Zustände in dem verbotenen Band ermöglicht. Da Wärmeenergie die am leichtesten benutzbare und auch erklärbare Energie darstellt, wird diese Erfindung an Hand der Anwendung von Wärmeenergie erläutert, wobei jedoch darauf hinzuweisen ist, daß andere Energieformen an deren btelle oder im Verein, mit dieser im Rahmen der Erfindung Anwendung finden können.Semiconductor material with current carriers (charge carriers) play a role, and this is due to the high density local conditions in the forbidden band. Because thermal energy is the most easily usable and also represents explainable energy, this invention will be explained on the basis of the application of thermal energy, wherein However, it should be pointed out that other forms of energy can be used instead of or in association with this within the framework of the Invention can find application.

Wenn Energie in der Form von fcnergieimpulsen von verhältnismäi3ig langer Dauer an den gewünschten Einzelteilen einer Schicht aus speicherndem Halbleitermaterial in deren stabilem Zustand hohen Widerstandes oder der Isolierfähigkeit zur Wirkung gebracht werden, werden diese Einzelteile während einer längeren Zeitspanne erhitzt, und während dieser Zeitspanne erfolgen Änderungen in der örtlichen Ordnung und/oder in den örtlichen Bindungen, so daß die gewünschten Einzelteile des Halbleitermaterials in den stabilen Zustand niedrigen Widerstandes übergeführt werden, der eingefroren wird. Derartige Änderungen der örtlichen Ordnung und/oder der örtlichen !'indungen zur Herbeiführung des stabilen Zustandes niedrigen Widerstandes können zu einem geordneteren Zustand, z.H. einem geordneteren, kristallinartigen Zustand führen, was, wie oben bereits erwähnt, einen niedrigen Widerstand herbeiführt.When energy in the form of energy pulses of relatively long duration on the desired individual parts of a layer of storing semiconductor material are brought into effect in their stable state of high resistance or insulating capacity these items are heated for a prolonged period of time and changes occur during this period in the local order and / or in the local bonds, so that the desired individual parts of the semiconductor material in the stable state of low resistance be transferred, which is frozen. Such changes in local order and / or local Indications to bring about the stable state of low resistance can lead to a more orderly state, z.H. lead to a more ordered, crystalline-like state, which, as mentioned above, a low one Creates resistance.

Wenn die gewünschten Einzelteile des speichernden Halbleitermaterials durch Energie in der Form von Energieimpuls en von verhältnismäßig kurzer Dauer aus dem Zustand niedrigen Widerstandes in den Zustand hohen Widerstandes zurückgeführt werden, wird genügend Energie verfügbar gemacht, um die gewünschten Einzelteile des Halbleitertnatcrials ganüf;<md zu «erhitzen, um die örtliche OrdnungWhen the desired individual parts of the storing semiconductor material through energy in the form of energy impulses of relatively short duration from the state low resistance are returned to the high resistance state, sufficient energy is available made to the desired items of semiconductor natcrials ganüf; <md zu «to heat the local order

00*8 47/1361 ~ ⁹ ~ 00 * 8 47/1361 ~ ⁹ ~

8AD ORIGINAL8AD ORIGINAL

2Ü235Ü12Ü235Ü1

_ 9 -■■■■._ 9 - ■■■■.

und/oder die ortIieben Bindungen des Halbleitermaterials zu einem weniger geordneten Zustand, beispielsweise in den im wesentlichen ungeordneten und allgemein amorphen Zustand hohen v/iderstandes₍ zurückzuführen, ' der eingei'roren wird. Die gleichen Erläuterungen gelten, wenn der Normalzustand des speichernden Ilalbleitermaberials der Zustand niedrigen Widerstandes oder der Leitfähigkeit ist, und wenn die gewünschten Einzelteile der Schicht in den Zustand hohen Widerstandes oder der Isolierfähigkeit übergeführt werden sollen. JJei den gemäß der Erfindung verwendeten Speicherhalbleitermaterialieti zeigt es sich, daß die änderungen der örtlichen Ordnung und/oder der örtlichen Bindungen, wie oben besprochen, nicht nur Änderungen des.elektrischen Widerstandes sondern auch .änderungen der Kapazität, der Dielektrizitätskonstante oder dergl. bewirken.and / or the local bonds of the semiconductor material to a less ordered state, for example in the essentially disordered and generally amorphous state of high resistance ₍ which is frozen in. The same explanations apply if the normal state of the storing semiconductor material is The state of low resistance or conductivity is, and when the desired individual parts of the layer are to be converted to the state of high resistance or insulating capacity. In the case of the storage semiconductor materials used according to the invention, it is found that the changes in the local order and / or the local bonds As discussed above, not only changes in electrical resistance but also changes in capacitance, dielectric constant or the like.

Die zum überführen und JUückführen der gewünschten Einzelteile des speichernden Halbleitermaterials an diesem zur Wirkung gebrachte Energie kann mannigfaltige Formen annehmen, beispielsweise elektrische Energie in Form von Spannung und otrorn, btrahlenenergie, beispielsweise elektromagnetische Energie in der Form von Wärmestrahlung, Photoblitzlicht, Laserstrahlenergie oder dergl,, Korpuskularstrahlenergie, beispielsweise Elektronen- oder Protonenstrahlenergie, Energie von einer Hochspannungsi.¹ unkeneritladung oder dergl. oder Energie von einem erhitzten Draht oder einem IleiÜluf tstrom oder dergl« sein. Diese mannigfaltigen !Energieformen lassen sich leicht zur Erzeugung schmaler Einzelenergiepulse von gewünschter Dauer und gewünschter Intensität modulieren, um die gewünschte-überführung und Rückführung der gewünschten Einzelteile des speichernden Jialbleitermateriala zu bewirken, da sie zur Erzeugung des gewünschten Informationsmusters in der Schicht des speichernden Halb- The energy used to transfer and return the desired individual parts of the storing semiconductor material can take many forms, for example electrical energy in the form of voltage and electrical energy, for example electromagnetic energy in the form of thermal radiation, photo flash, laser beam energy or the like. Corpuscular beam energy, for example electron or proton beam energy, energy from a high voltage i. ¹ electric charge or the like, or energy from a heated wire or a current of air or the like. These diverse forms of energy can easily be modulated to generate narrow individual energy pulses of the desired duration and intensity, in order to effect the desired transfer and return of the desired individual parts of the storing semiconductor material, since they are used to generate the desired information pattern in the layer of the storing semi-conductor.

1.361 _ ₁₀ _1,361 _ ₁₀ _

BAD ORJQfNALBAD ORJQfNAL

2 ü 2 3 5 U12 ü 2 3 5 U1

leitermateriais gewünschte Mengen von während gewünschter Zeitspannen örtlich wirksamer Wärme zu erzeugen vermögen.conductor material is desired amounts of while desired Ability to generate time spans of locally effective heat.

Das in der bchicht des beschriebenen speichernden Halbleitermaterials auf diese Weise erzeugte Informationsmuster bleibt dauernd erhalten, bis es zwangsläufig gelöscht: wird, so daß es für die Vorführung dauernd verfügbar ist. Durch Änderung des Inhaltes an Energie,die in den mannigfaltigen genannten Formen zum Einstellen und zum Rückstellen gewünschter Einzelflächen des speichernden Halbleitermaterials verwendet werden, kann bei einigen speichernden Materialien die Größe des ivider-™ Standes und der übrigen genannten Eigenschaften entsprechend verändert werden.That in the layer of the described storing semiconductor material information pattern generated in this way is persisted until it is inevitable deleted: is so that it is always available for the demonstration. By changing the content of energy that in the various forms mentioned for setting and to reset desired individual areas of the storing Semiconductor material are used, the size of the ivider ™ Stand and the other properties mentioned accordingly to be changed.

Wenn also das beschriebene speichernde Halbleitermaterial zur Bildung eines Teiles eines Bildschirmes verwendet wird, wie dies gemäß der Erfindung vorgesehen ist, lassen sich zahlreiche Vorteile erzielen. Beispielsweise läßt sich ein gegebenes, für die Vorführung bestimmtes Muster schnell und leicht abwandeln oder vollständig löschen und durch ein neues ersetzen, das an dem gleichen Bildschirm sichtbar gemacht wird. Gleichfalls kam? man an unterschiedlichen Einzelpunkten des Bildschirmes unierflfc schiedliche Lichtstärken erzielen, die zwischen dem vollständigen oder im wesentlichen vollständigen Kühlen einer Lichtemission und der maximalen, mit dem betreffenden, verwendeten Lumineszenzmaterial erzielbaren Liehtemission variieren können. Die Veränderung der Lichtstärke wird dutch die unterschiedlichen Uelativzustände der Leitfähigkeit des speichernden IIalbleitermaterials oder durch Steuern der Anzahl der leitfähigen StellenSo if the described storage semiconductor material is used to form part of a screen, as provided according to the invention, leave achieve numerous advantages. For example, a given pattern intended for the demonstration can be used Quickly and easily modify or delete it completely and replace it with a new one, all on the same screen is made visible. Also came? one unierflfc at different individual points on the screen Achieve different light intensities, between the complete or substantially complete cooling a light emission and the maximum achievable with the relevant luminescent material used Light emission may vary. The change in light intensity is due to the different relative states of the conductivity of the storing semiconductor material or by controlling the number of conductive points

+
oder l'inzelpunltte'. Wenn ferner Lumineszenzmaterialieu, beispielsweise wechselstromgesteuerte Elektrolumineszenzmaterialien, verwendet werden, werden die gewünschten Ausmaße der Lichtänderung zwischen Minimal- und Maximal-+
or l'inzelpunltte '. If, furthermore, luminescent materials, for example AC-controlled electroluminescent materials, are used, the desired dimensions of the change in light between the minimum and maximum

009847/13S1009847 / 13S1

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

- 11 + ermöglicht- 11+ allows

- τι■- τι ■

Worten, in vorteilhaftester Weise dadurch erzielt, daß ;iaterialiei' mit Hiebt-linear er .ipammngs-Helligkeit s-(.-harakteristik ausgewählt werden« Derartige Klektro— luminiszeuzmaterialien sind in. der Technik bekatmt, und es'ßiln außerdem mehrere bekannte Verfahren, durch die diese charakteristik von jßlektrolumine.szenzmaterialien nicht-linear oder weniger linear gemacht werden kanu.Words, achieved in the most advantageous manner that ; iaterialiei 'with Hieb-linear er .ipammngs-brightness s - (.- characteristics are selected «Such Klektro— luminescent materials are used in technology, and we also carry out several known methods the this characteristic of electroluminescent materials Canoeing can be made non-linear or less linear.

Der Bildschirm gemäß der.Erfindung kann mannigfaltige formen annehmen, beispielsweise kann er ein er als ein stückiger Teil der hinter dem .Schirm angeordneten. Abtast- und ^üokatellvorrichtutig ausgebildet sein und die eine sand eines Kastens bilden. Eine ■ andere ■ ;iusi'ührungsrorffi könnte nur aus dem Schirm bestehen, auf dem ein zur ochau zu stellendes Muster gebildet ist, ho daß bei Anlegen einer Betriebsspannung an die Klektx-odeuschiohten das Muster als Anordnung von voneinander unterscheidbarer·, licht emittierenden Teilen erscheint, und der bildschirm gemäß der letzteren Ausführungsforra ist verhältnismäßig dünn und älmlich einem Bild an der Wand anbringbar.The screen according to the invention can be manifold take on forms, for example it can be a lumpy part of the screen arranged behind the .Schirm. Sampling and ^ üokatellvorrichtartig be designed and which form a sand of a box. Another ■; iusi'ührungsrorffi could only consist of the screen on which a pattern to be displayed is formed, ho that when an operating voltage is applied to the Klektx-odeuschiohten the pattern appears as an arrangement of light-emitting parts that can be distinguished from one another, and the screen according to the latter embodiment is relatively thin and like a picture on the Wall mountable.

Gemäß der Erfindung ist also ein elektrisch betreibbarer Bildschirm mit einer Trägerfläche vorgesehen, an der Eiktive schichten, vorzugsweise aus elektrolumineszenz em Phosphor mit nicht-linearer Spannungs-Helligkeits-C'harakteristik und speichernde Halbleitermaterialien von variablem Widerstand aneinander anliegend aufgetragen sind, mit beiderseits angeordneten, transparenten, leitfähigen schichten zur Bildung von Elektrodenflächen ι lic den Anschluß an eine Wechselspannungsquelle, die im wesentlichen die Klektrolumineszenzschicht erregt, die iu denjenigen Bereichen derselben, in denen sich das speichernde Halbleitermaterial von veränderlichem Widerstand in .seinem Zustand niedrigen Widerstandes befindet,According to the invention, an electrically operable screen is provided with a carrier surface on which optical layers, preferably made of electroluminescent phosphor with non-linear voltage-brightness characteristics and storing semiconductor materials of variable resistance are applied adjacent to one another, with arranged on both sides, transparent, conductive layers for the formation of electrode surfaces ι lic the connection to an alternating voltage source, which essentially excites the Klektroluminescent layer, the iu those areas of the same in which the storing semiconductor material of variable resistance is in. Its state of low resistance,

009Ö47/1361 - 1*009Ö47 / 1361 - 1 *

ÖAD ORIGINALÖAD ORIGINAL

2Ü23bü12Ü23bü1

sichtbares Licht von verhältnismäßig hoher Intensität er'zeugt. Die Schicht des speichernden llalbleitermaterials hat Einzelteile, die zur Bildung der gewünschten sichtbaren Lichtpunktanordnungen oder -mustern an dem Bildschirm durch Anwendung vorherbestimmter Energiemengen einzeln zwischen stabilen Zuständen des hohen und niedrigen Widerstandes veränderbar sind.Visible light of relatively high intensity is generated. The layer of storing semiconductor material has individual parts which can be individually changed between stable states of high and low resistance to form the desired visible light point arrangements or patterns on the screen by applying predetermined amounts of energy.

In der Zeichnung sind einige Ausführungsformen der Erfindung, deren Anwendung und deren Betriebsdiagramme beispielsweise dargestellt.In the drawing are some embodiments of the Invention, its application and its operating diagrams for example shown.

Fig. 1 ist eine Darstellung eines Ausschnittes des BiIdschii'uies gemäß der Erfindung im Schnitt im großem Maßstab mit einer Darstellung der ihn! zugeordneten Einrichtungen für dessen Betrieb;1 is a representation of a section of the picture according to the invention in section on a large scale with a representation of him! assigned Facilities for its operation;

Fig. 2 ist eine perspektivische Darstellung der ganzen Bildschirmvorrichtung gemäß Fig. 1 zur Veranschaulichung einer Ausführungsform der Erfindung;FIG. 2 is a perspective illustration of the entire screen device according to FIG. 1 to illustrate an embodiment of the invention; FIG.

Fig« J ist eine Vorderansicht des JJildschirmes ohne die Abtastvorrichtung zur Veranschaulichung einer anderen Ausführungsform der Erfindung;Fig. J is a front view of the screen without the Scanning device illustrating another embodiment of the invention;

!'ig, Ί ist ein .Schema eines elektrischen Stromkreises, der einem Teil des Bildschirmes äquivalent ist, in dem sich das speichernde Halbleitermaterial von variablem Widerstand im Zustand hohen Widerstandes befindet;! 'ig, Ί is a .scheme of an electrical circuit, which is equivalent to a part of the screen in which the storing semiconductor material is located of variable resistance is in the high resistance state;

I ig. 5 ist ein .Schema eines elektrischen Stromkreises, der einem !Einzelteil des Bildschirmes äquivalent ist, in dem sich das speichernde JUnlbleitermat erial v<>n variablem Widerstand im Zustand niedrigen Widerstandes befindet;I ig. 5 is a schematic of an electrical circuit; which is equivalent to an individual part of the screen in which the storing JUnlbleitermat erial v <> n variable resistance in the low state Resistance is located;

Ü09Ö47/13S1 " ⁿ ~Ü09Ö47 / 13S1 " ⁿ ~

SS «3W* .«AD ORIGINALSS «3W *.« AD ORIGINAL

2Ü23bU12Ü23bU1

Fig.' 6 ist ein Strom-^pannungs-Diagramni der einzelnen bcliichten des Bildschirmes unter verschiedenen Betriebsbedingungen; undFig. ' 6 is a current / voltage diagram of each Clear the screen under different Operating conditions; and

i' ig, 7 ist eine Spannungs-Helligkeits-Kennlinie eines geeigneten, wechselstrombetriebenen Elektroluminiszenzmaterials, das sich zur Anwendung bei der Erfindung eignet,i 'ig, 7 is a voltage-brightness characteristic of a suitable, AC-powered electroluminescent material, which is suitable for use in the invention,

!■ig. 1 zeigt einen rechteckigen Bildschirm 9 von ebener und geradlinig begrenzter Ausbildung im Schnitt, wobei jedoch zu bemerken ist, daß er im Schnitt gekrümmt und anders als rechteckig begrenzt sein könnte» Bei der vorteilhaftesten Ausführungsform der Erfindung ist der Bildschirm ein Schichtkörper mit verschiedenen Schichten, die auf einem Träger oder einer Basis 11 aufgetragen sind, per Träger 11 ist vorzugsweise aus einem Material hergestellt, das gegenüber Eriergiestrahlen 10 und 10a transparent ist, die hier als eines der anwendbaren Mittel zum liinstellen und Löschen eines zur ^chau zu stellenden oder vorzuführenden flusters an dem Bildschirm 9 dargestellt sind. Bei dem zu beschreibenden Ausführungsbeispiel der Kr L'indung sind die lCnergies trahlen 10 und 10a Laser- bzw. Fhotoblitziichtstrahlen, und der Träger 11 ist daher aus einem verhä Ltnismäßig dünnen., gegenüber sichtbarem Licht transparentem Glas oder Kunststoffmaterial. Line dünne schicht 12 aus lei Lfähigem Material, die gegenüber sichtbarem Licht ebenfalls durchlässig ist, beispielsweise aus Zinnoxyd (imO.J ist zur Bildung einer elektrode für den Anschluß an eine Spannungsquelle auf den Träger 11 aufge trägern.! ■ ig. Fig. 1 shows a rectangular screen 9 from above and rectilinear limited training in section, but it should be noted that it is curved and in section other than rectangular could be limited »In the most advantageous embodiment of the invention is the Screen a laminated body with various layers applied to a support or base 11, by carrier 11 is preferably made of a material that is transparent to energy rays 10 and 10a is used here as one of the applicable means of setting and deleting a reset or shown on the screen 9 to be performed are. In the embodiment to be described The lCnergies rays 10 and 10a are of the bondage Laser or photo flash light rays, and the carrier 11 is therefore from a relatively thin., opposite visible light transparent glass or plastic material. Line thin layer 12 of flexible material opposite visible light is also permeable, for example made of tin oxide (imO.J is used to form a electrode for connection to a voltage source the carrier 11 wear up.

Über der transparenten, ieitfähigen Schicht 12 ist eine ,Schicht 13 aus speicherndem Iialblei l.erniaterial von variablern Widerstand von dem oben beschriebenen Typ auf-Above the transparent conductive layer 12 is a , Layer 13 of storing Iiallei l.erniaterial from variable resistance of the type described above

009ÖA7/1361009ÖA7 / 1361

getragen, deren Einzelteile durch die strahlen 10 und 10a zwischen einem Sperrzustand hohen Widerstandes und einem Leitf ähiglceitszus tand niedrigen liiclex-standes in umkehrbarer V/eise veränderbar sind, über der SiJeicherschicht 13 von veränderlichem Widerstand ist eine Schicht 1^ aus ί lektrolumineazeuzmaterial, beispielsweise Ziiücsulfid (Znbp), aufgetragen, die von ausgewählt fin Teilen dieses Materials bei anlegen einer Wechselspannung an diese ausgewählten Teile Licht emittiert, und über die bchicht 1 k aus iOlektrolumine szenztnaterial ist eine •schicht 16 aus transparentem, leitfähigem Material, beispielsweise Zinnoxyd (SnO₀), gelegt, die als andere blattartige iClektrodenschicht für den Bildschirm dient. Wenn erwünscht, kann zum Isolieren der Außenfläche des Bildschirmes 9 über die bchicht 10 eine Schicht, 15 aus transparentem, isolierfähigem Material, beispielsweise (Has oder dergl., angebracht sein. Durch elektrischen Anschluß an eine Spannungsquelle, beispielsweise eine Ivechselspannungsquelle, wird an den iJildschirm 9 über die Schichten 12 und 16 eine Betriebsspannung angelegt, so dal) in den .Bereichen niedrigen Widerstandes in der Schicht 13 zwischen den Schichten 12 und Io Ströme von geringer Stromstärke erzeugt werden, wodurch die benachbarten Bereiche des Lumireszenzniaterials der schicht 1'| erregt werden. Zwar können ätiilerst kleine J^rks i-rmmihuigen zwischen den Elektrodenschicht en 12 und 10 in den ifereicheu des speichernden lialblei bermat erials Tlieüen, die sLch im Zustand hohen Widerstandes befinden, dank der richtigen Auswahl des Luiiiineszenzinaterials mit nicht—linearer npannungs-llelligkeits-Charaktoristik jedoch haben diese kleinen Leckstroinmengen nur geringen bzw. unmerklichen Kinfluü auf die Lichteinission in diesen Bereichen.worn, the individual parts of which can be changed in a reversible manner by the rays 10 and 10a between a blocking state of high resistance and a conductive state of low liiclex-state, over the SiJeicherschicht 13 of variable resistance is a layer 1 ^ of ί electroluminescent material, for example Ziiücsulfid (Znbp) coated, which is selected fin parts of this material upon applying an alternating voltage to these selected parts emits light, and the bchicht 1 k from iOlektrolumine szenztnaterial a • layer 16 of transparent conductive material such as tin oxide (SnO ₀₎ , which serves as another sheet-like electrode layer for the screen. If desired, to isolate the outer surface of the screen 9 over the layer 10, a layer 15 of transparent, insulating material, for example (Has or the like.) Can be applied 9 an operating voltage is applied across the layers 12 and 16, so that) in the areas of low resistance in the layer 13 between the layers 12 and Io currents of low current strength are generated, whereby the adjacent areas of the luminescent material of the layer 1 '| get excited. It is true that extremely small jerks can be formed between the electrode layers 12 and 10 in the areas of the storing lead surface, which are in a state of high resistance, thanks to the correct selection of the fluorescent material with non-linear voltage-cell characteristics however, these small amounts of leakage current have only a slight or imperceptible effect on the light emission in these areas.

Die Schichten 12, 13, 14, 15 und Io können aufgetragene Filme sein, die durch Niederschlagen im Vakuum, durch Kathodenzerstäubung oder dergl. hergestellt sein können.The layers 12, 13, 14, 15 and Io can be applied films which can be produced by deposition in a vacuum, by sputtering or the like.

.0.09V47/1361 - 15 -.0.09V47 / 1361 - 15 -

BADBATH

ν 2 U ^ 3 b Ü 1ν 2 U ^ 3 b Ü 1

itibringung der'.-ichicht 13 aus Speichermaterial von veränderlichem Widerstand an dem Bildschirm Q sowie der übrigen i'chichten 12, 1-4 und 1ö wird der Bildschirm in die /;ahe einer !energiequelle 17 gebracht, die innerhalb eines Kastens 18 (Fig. 2) untergebracht sein kann, dessen Vorde. wand der Bildschirm bildet, und der rnergiestrahl 10 wird gegen den Bildschirm gerichtet, so daß er durch den Träger 11 und die Elektrodenschicht 12 hindurch auf die : Ifiche der schicht 13 aui'tril'ft und dort ausgewählte Ti¹Uo der schicht aus ihrem stabilen Zustand hohen Widerstandos in iliren stabilen Zustand niedrigen Widerstandes üI'Oj LÜlirt. Die Energiequelle 17 kann eine Laserdiode sinn, die einen äußerst kleinen btrahl auf die speichernde ..ch Loht 13 richtet. Der bti^ahl 10 wird mittels einer . D LfukA'orrichtung 20 abgelenkt, so dai3 eine Bewegung des .trahles über die gewüiiselite vorherbestimmte Fläche bewegt wird, die dem an der Oberfläche des Bildschirmes 10 darzustellenden Muster entspricht. Das Auftreffen des luergiestrahles 10 auf der Schicht 13 aus rfpeichermateiial veränderlichen Widerstandes hat zui Folge, daü nur in. denjenigen Bereichen, die die btrahlenenergie erl'alien, das Material der bchicht aus seinem riperrzustand von im wesentlichen hohem Widerstand in seinenWhen the light 13 made of storage material of variable resistance is attached to the screen Q as well as the remaining layers 12, 1-4 and 10, the screen is brought into the vicinity of an energy source 17 which is contained within a box 18 (Fig . 2) can be accommodated, its fronts. wall forms the screen and the rnergiestrahl 10 is directed against the screen so as to pass through the support 11 and the electrode layer 12 on the: aui'tril'ft Ifiche the layer 13 and selected there Ti ¹ Uo of the layer from its stable State of high resistance in a stable state of low resistance üI'Oj LÜlirt. The energy source 17 can sense a laser diode which directs an extremely small beam onto the storing ..ch Loht 13. The bti ^ ahl 10 is powered by a. The LfukA'orrichtung 20 deflected, so that a movement of the beam is moved over the elite predetermined area, which corresponds to the pattern to be displayed on the surface of the screen 10. The impact of the luergy beam 10 on the layer 13 of variable resistance has the consequence that only in those areas which allow the radiation energy, the material of the layer from its riperr state of essentially high resistance in its

riffen
ijej tl'iihigkeitßzustand nied- ividerstandes übergeführt wird, während also do-v ι nergies trahl/avxrch den'Einfluß der ,I>1 ßnkvori"ichtunß 20 von einex· Seite zur andern oder über einen gewünschten Bereich geführt wird, bilden einzelne Kleraentarlängeti des .Speichermaterials 13 von veränderlichen: Widerstand leitfähige Pfade durch das Material. Diese ieitfähigen. ])inzelpfade führen zur Anlage einer erhöhten Spannung an die unmittelbar benachbarten Teile der r>chieht 1'+ des Luminisζenzniaterials , und diese Erhöhung der .Spannung bewirkt eine entsprechende Steigerung der Stromstärke, durch die das Material in diesen Bersiclien zur Lichtemission angeregt wird, während anderereefs
In any case, the state of ability of the individual is transferred to a low individual level, while the do-v ι nergies trahl / avxrch the influence of the "I> 1 ßnkvori" ichtunß 20 is passed from one side to the other or over a desired area, form individual clerical lengths .Storage material 13 of variable: resistance conductive paths through the material. These conductive.]) Individual paths lead to the application of an increased voltage to the immediately adjacent parts of the layer 1 '+ of the luminescent material, and this increase in voltage causes a corresponding increase the strength of the current by which the material in these materials is stimulated to emit light, while others

■ - 16 -■ - 16 -

009847/1351009847/1351

2Ü235Ü12Ü235Ü1

Teile des Materials wenig oder gar kein. Licht emittieren.Parts of the material little or no. Emit light.

Die bevorzugte Form von ötrahlenenergie ist die modulierter Strahlenirapulse, wie sie durch die Kechteckwellenitnpulse 21, 22 atagedeutet sind, . obwohl natürlich andere ütrahlenenergieformen Anwendung finden können. Wenn die Schicht 13 aus Speichermaterial aufgetragen ist, befindet sich die gesamte Oberfläche und die Dicke der Schicht in einem im wesentlichen ungeordneten, allgemein amorphen Zustand hohen Widerstandes. Zum wahlweisen Überführen gewünschter Teile des lialbleitermaterials aus seinem bperrzustand hohen Widerstandes in seinen Leitfähigkeitszustand geringen Widerstandes wird der Strahl 10 derart moduliert, daß Strahlenimpulse von verhältnismäßig langer Dauer erzeugt werden, wie dies durch die Impulse 21 angedeutet ist, wodurch die örtliche Ordnung und/oder die ortlichen Bindungen der Molekularstruktur des speichernden Materials geändert werden und die gewünschten leitfähigen Kinzelpfade niedrigen '.Widerstandes durch das Material geschaffen werden. Wenn andererseits das speichernde Material nur in ausgewählten Bereichen desselben aus seinem Leitfähigkeitszustand niedrigen Widerstandes in seinen ursprünglichen operrzustaud hohen Widerstandes zurückgeführt werden soll, wird die >>trahlenenergie 10 derart abgewandelt, daß Impulse von kurzer Dauer erzeugt werden, wie sie durch die Impulse 22 angedeutet sind, und diese sind bestrebt, die örtliche Ordnung und/oder die örtlichen Bindungen der Molekularstruktur derart umzuordnen oder umzuformen, daß im wesentlichen der ursprüngliche Zustand hohen Widerstandes wieder hergestellt wird. Wenn der Strahl 10 durch Impulse 21 moduliert wird, werden diese Impulse der Strahlenf.ergie während einer ausreichenden Zeitspanne zur Wirkung gebracht, um eine Änderung dor Leitfähigkeit zu bewirken, beispielsweise ca. 1 ms, und die BewegungThe preferred form of oil beam energy is modulated Radiation pulses, such as those caused by the square wave pulses 21, 22 are indicated,. although of course others forms of radiation energy can be used. If the Layer 13 of storage material is applied, is the entire surface and the thickness of the layer in a substantially disordered, generally amorphous, high resistance state. For optional transfer The beam 10 becomes the desired parts of the semiconductor material from its blocking state of high resistance to its conductivity state of low resistance modulated so that beam pulses of relatively long duration are generated, as is the case with the pulses 21 is indicated, whereby the local order and / or the local bonds of the molecular structure of the storing material are changed and the desired conductive Kinzelpfade low '. Resistance through the material to be created. If, on the other hand, the storing material is only in selected areas of the same from its low resistance conductivity state is to be returned to its original operating state of high resistance, the >> ray energy 10 modified in such a way that pulses of short duration are generated, as they are produced by the pulses 22 are indicated, and these strive to the local order and / or the local bonds of the molecular structure rearrange or reshape in such a way that im essentially the original state of high resistance is restored. When the beam 10 by pulses 21 is modulated, these pulses of radiation energy exerted for a period of time sufficient to cause a change in conductivity to cause, for example about 1 ms, and the movement

8*7/13618 * 7/1361

2Ü235Ü12Ü235Ü1

■ - 17 -■ - 17 -

des jitiergiestrahies erfolgt genügeiad langsam, um eine tberlappung der an der oberfläche des Ilalbieitermaterials zur ¥irkung gebrachten Strahlenimpulse ztt gewährleisten, wodurch die Bildung eines durchgehenden leitfähigen Pfades durch die Dicke des .Materials wie auch entlang der gewünschten Länge des Materials sichergestellt wird,the jitiergiestrahies takes place slowly enough to create a Overlapping of the surface of the Ilalbieitermaterial ensure the radiation impulses brought into effect, thereby creating a continuous conductive path through the thickness of the material as well as along it the desired length of the material is ensured,

wenn andererseits die gesamte Fläche der Schicht 13 des speichernden Materials in den ursprünglichen Zustand hohen Widerstandes zurückgeführt werden soll, so kann dies durch einen einzigen Lichtblitz von einer Photoblitzlichtlampe 23 von hoher Intensität geschehen, die einen iVeitwinkel-Lichtstrahl 10a auf die gesamte ™on the other hand, if the entire area of the layer 13 the storage material is to be returned to its original high resistance state, so this can be done by a single flash of light from a photoflash lamp 23 of high intensity, the one iVeitwinkel light beam 10a on the entire ™

Fläche der ^-.chicht 13 richtet, und dann kann an dem scnirm 9 ein vollständig neues, zur .Schau zu stellendes Muster gebildet werden, (lCine besonders nützliche und wirksame Photoblitzlampe ist eine Xenon-Photoblitzlampe), Zur Steuerung der Energiequelle 17 > der Ablenkvorrichtung 20 und der Photoblitziampe 23 ist eine geeignete Steuereinrichtung 2k vorgesehen. Die steuereinrichtung 2k kann in einer an dem Kasten 18 angebrachten oder von diesem getrennten Konsole untergebracht sein. Die Betriebsspannung wird an die steuereinrichtung 2k und an dem Bildschirm 9 über ein oder mehrere Kabel 25 angelegt.Surface of the ^ -. Chicht 13 directs, and then a completely new, for .Schauendes pattern can be formed on the screen 9 (a particularly useful and effective photoflash lamp is a xenon photoflash lamp), to control the energy source 17> the Deflection device 20 and the photoflash lamp 23, a suitable control device 2k is provided. The control device 2k can be accommodated in a console attached to the box 18 or separate from it. The operating voltage is applied to the control device 2k and to the screen 9 via one or more cables 25.

Der ebene Dildschirm kann jedoch eine getrennte, an der Λ The flat screen can, however, have a separate one on the Λ

Wand angebrachte Einheit 9& (^ig· 3) sein, wenn die jmderung des zur schau gestellten Musters an einem von dem normalen Standort fernen Ort erfolgen soll, /vuch kann der .Bildschirm ^ der Fig. 2 vom Kasten 1b abnehmbar ausgebildet sein, so daß er durch einen anderen Schirm, z.H. 9'2._f ersetzt werden kann, der ferngesteuert auf ein gewünschtes, vorzuführendes Muster umstellbar ist» Die Steuereinrichtung 2k kann einen /Vbtast-Schwärzungsniesser, eine in der Technik bekannte Vorrichtung, dieWall-mounted unit 9 & (^ ig x 3), if the change of the displayed pattern is to take place in a place remote from the normal location, / also the .Screen ^ of Fig. 2 can be made detachable from box 1b, so that he was through another screen, zH 9'2. _f can be replaced, the remote-controlled to a desired pattern vorzuführendes is convertible "The control means may comprise a 2k / Vbtast-Schwärzungsniesser, a known in the art device, which

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009847/136-1009847 / 136-1

2Ü235U12Ü235U1

Drucksachen abtastet und in Abhängigkeit von den hellen bzw. dunklen Bereichen der abgetasteten Information entsprechende Impulse erzeugt, enthalten. Die Abtaststeuerung des schwärzungsmessers kann in bezug auf die cateuereiririchtung 17 und die Ablenkvorrichtung 20 synchron angetrieben sein«,Scanned printed matter and depending on the bright or dark areas of the scanned information generated corresponding pulses. The scanning control the blackening meter can be used in relation to the caterer 17 and the deflection device 20 driven synchronously be",

Eine Energiequelle 28, bei Verwendung von wechseistrombetriobenen Elektrolumineszenzmaterialien vorzugsweise eine Wechselspannungsquelle, ist an die Elektrodenschichten 12 und 16 angeschlossen, so daß zwischen den Elektroden-Schichten durch die Teile 26, 271 usw. niedrigen Widerstandes (i'^vig. 1) der Speicherschicht 13 und durch die unmittelbar benachbarten Teile 2öa und 27a der Elektrolumineszentschicht 14 Erregerstrotn fliei3t. Die Spannungsampli tude der Spannungsquelle 28 wird vorzugsweise jederzeit niedriger als die Schwellenspannung des Speichermaterials gehalten, so daß die angelegte Spannung keine Änderung des i/iders tands· zustandes des Speichermaterials erzeugt. Die Teile der Lumineszenzschicht 14, durch die die spannung genügend erhöht wird, werden zur Lichtemission angeregt, so daü sie zur Bildung des gewünschten, auf dem .Mildschirm V darzubietenden Musters beitragen.An energy source 28, preferably an alternating voltage source when using alternating current-operated electroluminescent materials, is connected to the electrode layers 12 and 16, so that between the electrode layers through the parts 26, 271 etc. of low resistance (i ' ^v ig. 1) of the storage layer 13 and through the immediately adjacent parts 20a and 27a of the electroluminescent layer 14, exciter flow flows. The voltage amplitude of the voltage source 28 is preferably kept lower than the threshold voltage of the storage material at all times, so that the applied voltage does not produce any change in the state of the storage material. The parts of the luminescent layer 14 through which the voltage is sufficiently increased are excited to emit light so that they contribute to the formation of the desired pattern to be presented on the screen V.

Das speichernde Halbleitermaterial von veränderlichem Widerstand in der Schicht 13 ist hinsichtlich seines elektrischen Verhaltens symmetrisch, indem es in s>eiru>m Zustand niedrigen Widerstandes Strom im wesentlichem in gleichem Maß in beiden ivichtungen leitet, bzw. in seinem Zustand hohen Widerstandes den Stromdurchgang im wesentlichen gleichmäßig in beiden Richtungen sperrt.The storing semiconductor material of variable Resistance in layer 13 is in terms of its electrical behavior symmetrically by being in s> eiru> m State of low resistance Current essentially conducts to the same extent in both directions, or in its high resistance state prevents the passage of current locks substantially equally in both directions.

Wenn also an die Elektroden 12 und 16 eine Spannung angelegt wird, scheint also die gesamte IJildschirmflache in elektrischer Hinsicht eine Vielzahl von parallel geschalteten Stromkreisen zu bilden, wobei der über-So when a voltage is applied to electrodes 12 and 16 is applied, so the entire screen surface appears to form a multitude of electrical circuits connected in parallel, whereby the

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SADSAD

wiegende Anteil des elektrischen .Stromes durch die parallelen ötrotnlreise von niedrigem Widerstand fließt, und jeder dieser parallelen ,Stromkreise bewirkt, daß an verschiedenen ausgewählten Bereichen der Lumineszenzschicht 1h unterschiedliche Spannungen angelegt werden, \ron denen eine höhere spannung eine wesentliche Lichteniission, eine geringe spannung hingegen eine gerinne oder keine Lichtemission verursacht.A major proportion of the electrical current flows through the parallel electrical circuits of low resistance, and each of these parallel electrical circuits causes different voltages to be applied to different selected areas of the luminescent layer for 1 hour , of which a higher voltage produces a substantial light emission, a low voltage on the other hand, causes curdling or no light emission.

Obwohl gemärt der Erfindung im weitesten binn Luminiszenzraaterialieu oder Vorrichtungen von mannigfaltigerAlthough according to the invention in the widest possible luminescence material environment or devices of manifold

irt Verwendung finden können, ist die Erfindung hier m irt can be used, the invention is here m

au iland ihi~er Anwendung im Verein mit auf V/eohselstrom arisprectioriden iilektrolumiiniiSZenZinaterialien beschrieben, dereu Verwendung gewisse Vorteile bei der Konstruktion von. nfidschix-suiti gemäß der Erfindung bringt, Derartige Vorteile sind leichte Herst ollbarkeit, niedrige Kosten, niedriger Energieverbrauch und Verläßlichkeit. Phosphor-■: 1 ekι,rolumineszenzraaterialien lassen sich beispielsweisi' durch ufdampfen, :.!reichen oder auf andere, gleichfalls einfache '.eise auf große Flächen aui'tra-gen.also its application in conjunction with on V / eohselstrom arisprectioriden iilektrolumiiniiSZenZinaterialien described, dereu use certain advantages in construction from. nfijix-suiti according to the invention brings such Advantages are easy production, low costs, low energy consumption and reliability. Phosphorus ■: 1 ekι, rolumineszenzraaterialien can be for example ' by steaming,:.! reach or to others, also apply simple '.eise to large areas.

luch haben I'liosphor-Llektrolunineszenzmaterialien größtenteils eine sehr hohe Dielektrizitätskonstantp, so daß sie wesentlich besser auf Spannung als auf Strom an-Most of them have phosphorus electroluninescent materials a very high dielectric constantp, so that they respond much better to voltage than to current.

sprechen und nur geringe ^tronimrmgen durch solche Ma- *speak and speak only slightly through such measures.

terialien fliegen, wenn tich diese in ihrem zur Lichtemission angeregten Zustand befinden. Typische Größenordnungen der i.'ielektrizitätskotistaiiteii von I'hosphori'.iektroluuiine.szenzmaterialien sind 10 bis 10 JL-L. /ein, obvohi andere Größenordnungen erzielbar sind. Wenn jedoch im Verein mit dem speichernden Halbleitermaterial gemäß der vorliegenden Beschreibung Phosphor-Elektrolutniniszetizinat.erialien dieser Art verwendei worden, wird es im Tnterosse der Erzielung bester Ergebnisse er-Materials fly when they emit light excited state. Typical orders of magnitude of the dielectric properties of phosphorus-luminescent materials are 10 to 10 JL-L. /a, obvohi other orders of magnitude can be achieved. if however, in conjunction with the storing semiconductor material according to the present description, phosphor electrolutiniszetizinat.erialien have been used of this type, it is in the aim of achieving the best results.

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forderlich, derartige Phosphormaterialien zu verwenden, die eine nicht-lineare Spannungs-Iielligkeits-Charakteristik haben. Der Grund hierfür ist der, daß die Dielektrizitätskonstante des speichernden Halhleit«rmaterials um zahlreiche Stellenwerte geringer ist als die Dielektrizitätskonstante des Phosphonnaterials. Beispielsweise kann die Dielektrizitätskonstante der hier beschriebenen speichernden Halbleitermaterialien zwischen 10 und 10 _£L / cm liegen. Daher x^ird bei der durch Auftrag hergestellten Schichtkonstruktion eines Bildschirmes gemäß der De-Schreibung ein überwiegender Teil der angelegten Spannung dem Elektrolumineszenzmaterial aufgeprägt, selbst wenn das speichernde Halbleitermaterial sich in seinem Sperrzustand hohen Widerstandes befindet. Um diesen Unterschied der Dielektrizitätskonstanten zwischen den beiden aktiven Materialien auszugleichen, kann gemäß einem Werkmal der Erfindung vorgesehen sein, daß in Kombination mit derartigen speichernden Halbleitermaterialien ein jClektrolumitseszenzmaterial mit nicht-linearer Spannungs-Helligkeits-uhai^akteristik, ähnlich der gemäß Fig. 7> verwendet wild. Hier verursachen Änderungen der an das Elektrolumineszenzmaterial angelegten Spannung llelligkeitsänderungen, wie sie durch die .nicht-lineare Kurve angedeutet sind, und es gibt dann einen Bereich 29a, in dem verhältnismäßig kleine Änderungen der Spannung verhältnismäßig große Änderungen der Helligkeit verursachen, Beispielsweise zeigt ein Punkt 29b an der Kurve 29 den Wert der Helligkeit an, der durch Anlegen einer Spannung von annähernd 80 V an das Elektrolumineszenzmaterial erzielbar ist, während ein Punkt 29c den Wert der Helligkeit angibt, der durch Anlegen einer Spannung ye:-, annähernd 120 V an das lilektrolumineszenzmaterial er. "■ elbar ist, und zwischen diesen beiden Helligkeits-,.ustnnden liegt ein Bereich von wesentlicher Breite, der für den erforderlichen Kontrast für einen BildschirmIt is necessary to use such phosphor materials which have a non-linear voltage-Iielligkeits characteristic. The reason for this is that the dielectric constant of the storing semiconductor material is many places lower than the dielectric constant of the phosphone material. For example, the dielectric constant of the storing semiconductor materials described here can be between 10 and 10 L / cm. Therefore, in the layer construction of a screen produced by order, a predominant part of the applied voltage is impressed on the electroluminescent material, even if the storing semiconductor material is in its blocking state of high resistance. In order to compensate for this difference in the dielectric constant between the two active materials, it can be provided according to a feature of the invention that, in combination with such storing semiconductor materials, a electroluminescent material with non-linear voltage-brightness characteristics, similar to that shown in FIG. 7, is used wild. Here changes in the voltage applied to the electroluminescent material cause changes in brightness, as indicated by the non-linear curve, and there is then a region 29a in which relatively small changes in voltage cause relatively large changes in brightness. For example, a point 29b shows on the curve 29 the value of the brightness which can be achieved by applying a voltage of approximately 80 V to the electroluminescent material, while a point 29c indicates the value of the brightness which can be achieved by applying a voltage ye: -, approximately 120 V to the electroluminescent material he. "■ elable, and between these two brightness levels there is an area of substantial breadth, which is necessary for the contrast required for a screen

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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

sorgt. Wenn, also beispielsweise an die Elektrodenschichten 12 und lh eine von der Spannungsquelle 2S gelieferte Wechselspannung von. 120 V angelegt wird-und das speichernde Halbleitermaterial sich in seinem Sperrzustand hohen Widerstandes befindet, und wenn die Schichten des Speichermaterials und des Elektrolumineszenzmaterials annähernd gleich dick sind, gelangen an der tilektroluminiszenzschicht ca. 80 V zur Wirkung, was zu nur geringer oder gar keiner Lichtemission führt, und an dem Halbleitermaterial kommen kO V zur Wirkung, und dieser Wert von 40 V liegt unterhalb der Schwellenspanmmg des speichernden Halbleitermaterials. Wenn jedoch die gewünschten Einzelteile 20 und 27 der Schicht 13 des speichernden Halbleitermaterials aus ihrem Sperrzustand hohen Widerstandes in ihren Leitfähigkeitszustand niedrigen Widerstandes übergeführt werden, kommt im wesentlichen die gesamte Höhe der angelegten Spannung, d.h. 120 V, an den an die Bereiche 26 und 27 angrenzenden Teilen 26a und 27a des Elekfcrolumineszenzmaterials zur Wirkung, und von diesen werden vernältnismäßig große bichttnengen emittiert.cares. If, for example, an alternating voltage supplied by the voltage source 2S to the electrode layers 12 and 1h of. 120 V. leads, and on the semiconductor material kO V come into effect, and this value of 40 V is below the threshold voltage of the storing semiconductor material. If, however, the desired individual parts 20 and 27 of the layer 13 of the storing semiconductor material are converted from their blocking state of high resistance to their conductivity state of low resistance, essentially the entire level of the applied voltage, ie 120 V, comes to those adjacent to the regions 26 and 27 Parts 26a and 27a of the electroluminescent material are effective, and from these, comparatively large amounts of light are emitted.

Zum besseren Verständnis der elektrischen Eigenschaften des Bildschirmes gemäß der Erfindung wird auf Fig. k bezuggenommen, die den einen Teil des Bildschirmes mit im sperrzustand hohen Widerstandes befindlichem, speicherndem Halbleitermaterial äquivalenten Stromkreis veranschaulicht, Xn der Figur ist ein Kondensator 30 gezeigt, der den kapazitiven. Widerstand eines Einzelteiles dos Speichermaterial« im Zustand hohen Widerstandes darstellt, und ein Widerstand 31 stellt den hohen Leckstromwiderstand dieses Teiles- dar. Ein Kondensator 32 steint ferner den kapazitiven Widerstand des entsprechenden Einzelteiles der Elektrolumineszenzschicht 1^ dar, derFor a better understanding of the electrical properties of the screen according to the invention, reference is made to FIG. K, which illustrates the part of the screen with the blocking state of high resistance befindlichem, speicherndem semiconductor material equivalent circuit, Xn of the figure is shown a capacitor 30, the capacitive to. Resistance of an individual part of the storage material in the state of high resistance, and a resistor 31 represents the high leakage current resistance of this part. A capacitor 32 also represents the capacitive resistance of the corresponding individual part of the electroluminescent layer 1 ^, the

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vor dem durch den Kondensator 30 und den Widerstand 31 symbolisierten Einzelteil des speichernden Halbleitermaterials angeordnet ist» Die relativen Kapazitäten der Schicht 13 des speichernden Ilalbleitermaterials und der Elektrolumineszenzschicht lh sind eine Funktion der relativen Dicken und der Dielektrizxtätskonstanten der betreffenden Materialien und sind derart gewählt, daü sich mit dem Elektrolumineszenzmaterial ein genügender kapazitiver Widerstand in .Reihe geschaltet befindet, um die daran angelegte Spannung auf einen Wert zu vermindern,bei dem eine nur geringe oder gar keine Lichtemission erhalten wird, wenn das speichernde Halbleitermaterial sich im Zustand hohen Widerstandes befindet. Jiin Anlegen einer Wechselspannung an die Einzelteile der Schichten des Speichermaterials und des jOleKtroluniirseszenzmaterials, die durch die Kondensatoren JO bzw,, j2 symbolisiert sind, hat also zur Folge, da 13 ein genügender Spannungsabfall in dem Speichermaterial, und nur der liest des Spannungsabfalles in dem Jilektrolumii.-eszenzmaterial auftritt, so daß von dem betreffenden Klektrolumineszenzmaterial nur wenig oder gar kein Lielit emittiert wird. Die Scheinwiderstandskennlinien der hiriLereinandergeschalteten Teile sind in Fig« 6 dargestellt, Ln dot' der kapazitive Scheinwiderstand des Kondensators j2 durch die Neigung der Kurve 3^ und der kapazitive Widerstand des Kondensators 30 durch die Neigung der Kurve >^r> veranschaulicht ist.before "The relative capacities of the layer 13 of the storage Ilalbleitermaterials and the electroluminescent layer are lh through the capacitor 30 and the resistor 31 symbolized item of stored semiconductor material is arranged a function of the relative thicknesses and Dielektrizxtätskonstanten of the respective materials and are selected in such a DAT is with the electroluminescent material a sufficient capacitive resistance is connected in .Reihe to reduce the voltage applied to it to a value at which little or no light emission is obtained when the storing semiconductor material is in the state of high resistance. When an alternating voltage is applied to the individual parts of the layers of the storage material and the jolectroluminescence material, which are symbolized by the capacitors J0 and J2, the result is that there is a sufficient voltage drop in the storage material, and only the reads the voltage drop in the jilektrolumii .-escent material occurs, so that little or no Lielite is emitted from the Klektroluminescent material in question. The impedance characteristics of the interconnected parts are shown in Fig. 6, Ln dot 'the capacitive impedance of the capacitor j2 is illustrated by the slope of the curve 3 ^ and the capacitive resistance of the capacitor 30 by the slope of the curve> ^r >.

Wenn jedoch ein Einzelteil des Speichermaterial:- aus seinem Sperrzustand hohen Widerstandes in seinen I ei t fähigkeitszustand niedrigen Widerstandes übergeführt wird, wirkt er als Widerstand von geringem Widerstandnwert, wie er durch den Widerstand 36 in Fig. 5 veranschaulicht ist, dessen Widerstandswert merklich geringHowever, if a single part of the storage material: - from its blocking state of high resistance in its ei t ability state low resistance, it acts as a low resistance resistance, as illustrated by resistor 36 in FIG whose resistance value is noticeably low

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BAD ORlGSMALORlGSMAL BATHROOM

ist, so daii im wesentlichen die gesamte, von der <;uelie 2"5 belieferte spannung au dem Kondensator j2 zux" Wirkung geiatiijt. jJie Widerstands- oder t^elieinwiderstandskenniinie des iialbleitermatei~ials, das durch den "widerstand 'j(> symbolisiert ist, entspricht der Neigung der Kurve in 1'X(S" Oc is, so that essentially the entire voltage supplied by the uelie 2 "5 to the capacitor j2 has an effect. The resistance or electrical resistance characteristic of the semiconductor file, which is symbolized by the "resistance" j (>, corresponds to the slope of the curve in 1'X (S " Oc

J)ie IvJ findung schaiTt also einen Jüldschirui von einheit-.licher ivonstriiktion, bei dex' ausgewählte Toile des .-ichlmes zur lvichtemission angelegt worden, während niclit a us.·.·, (»wahl te Teile unangeregt bleiben, und bei dem das an iJ"!'i Schirm gebildett¹, zur Darstellung zn bringende Musii¹! sidi leicht verändern oder abändern Iäi3t, iiidem das lirilblei Ceriiiaterial aus seinem Leiträhigkeitszustand ΐχχΜ'Ι. igen Widerstandes in seinen ursprünglichen bperrzustiiid hohen Widerstandes zurückgerührt wird und dann ein anderes Muster oder eine andere Anordnung der ZustälKi.-? niedrigen Widerstandes an dem Halbleitermaterial wahj voise eingestellt wird.J) The invention thus creates a Jüldschirui of unified the 'i to iJ! "screen gebildett ¹ showing zn-making Musii ^1! sidi easily change or modify Iäi3t, iiidem the lirilblei Ceriiiaterial returned stirred from his Leiträhigkeitszustand ΐχχΜ'Ι. owned resistance to its original bperrzustiiid high resistance and then another Pattern or other arrangement of the states of low resistance on the semiconductor material wahj voise is set.

;>ind ohne abweichen vom ürfindungsgedanken in Du nij igl*al tiger Weise möglich.;> ind without deviating from the idea of finding Possible in a never-before-seen manner.

i'aientansprüchei'aient claims

"■2h -"■ 2h -

0Q98O/13510Q98O / 1351

04D04D

Claims (1)

- 2k - Patentansprüche - 2k - claims 1„J Elektrisch betriebener Bildschirm für die Darbietung eines erleuchteten Musters oder eines Bildes an der Vorderseite und zur Aufnahme von Energie von einer Seite zur Erzeugung oder Abänderung des dargebotenen Musters, gekennzeichnet durch eine erste Schicht aus 1extfähigem Material; eine erste und eine zweite aktive schicht, deren einander zugewendete Flächen in elektrisch leitender Verbindung stehen und von denen die eine über der ersten Schicht aus leitfähigem Material angeordnet ist und mit der dieser zugewendeten Fläche mit der Fläche der Schicht aus leitfähigem Material in elektrisch leitender Verbindung steht und aus einem Klelctrolumineszenzmaterial besteht, dessen ausgewählte Teile infolge des Anlegens eines gegebenen Erregungsstromes und einer -spannung an den ausgewählten Teilen Licht emittieren, und deren andere aus einem speichernden Halbleitermaterial von variablem Widerstand besteht, dessen" Einzelteile durch das Auftreffen der Energie in umkehrbarer Weise zwischen einem stabilen Sperrzustand hohen Widerstandes und einem stabilen Leitfähigkeitszustand niedri- gen Widerstandes veränderbar sind; eine zweite Schicht aus leitfähigem Material, die über den beiden aktiven Schichten angeordnet ist und mit ihrer diesen zugewendeten Oberfläche elektrisch leitend mit derender ersten Schicht aus leitfähigem Material abgewendeten Überfläche in Verbindung steht, wobei die der Schicht aus Speichermaterial von variablem Widerstand zunächst gelegene Schicht aus leitfähigem Material gegenüber der Energie, die ihre Änderung zwischen den genannten Zuständen hohen und niedrigen Widerstandes bewirkt, transparent ist, die eine der beiden Schichten aus leitfähigem Material, die dor Lietrachtungsseite des Bildschirmes zugewendet ist,1 “J Electrically operated screen for the presentation of an illuminated pattern or image on the front side and for the absorption of energy from one side to create or modify the presented pattern, characterized by a first layer of extensible material; a first and a second active layer, the mutually facing surfaces of which are in electrically conductive connection and of which one is arranged over the first layer of conductive material and with the surface facing this is in electrically conductive connection with the surface of the layer of conductive material and consists of an electroluminescent material, the selected parts of which emit light as a result of the application of a given excitation current and voltage to the selected parts, and the other of which consists of a semiconductive storage material of variable resistance, the "individual parts of which are reversibly interposed by the impact of the energy a stable blocking state of high resistance and a stable conductivity state niedri- resistance gene are changed, a second layer of conductive material disposed over the two active layers and electrically leit with their these facing surface end is connected to the surface facing away from the first layer of conductive material, the layer of conductive material closest to the layer of memory material of variable resistance being transparent to the energy which causes its change between the said states of high and low resistance, which one of the two layers of conductive material facing the viewing side of the screen, 00984 7./135V bad ORIGINAL00984 7./135V bad ORIGINAL gegenüber dem von der Schicht aus Elektrolumineszenztnaterial emittiertem Licht transparent ist und wobei die beiden Schichten aus leitfähigem Material Elektroden für den Anschluß an eine Spannungsquelle bilden, so daß der Erregungsstrom und die -spannung zwischen der ersten und der zweiten schicht aus leitfähigem Material nur in denjenigen Bereichen von ausgewählten Einzelteilen angelegt werden, in denmsich das speichernde Halbleitermaterial von variablem 'widerstand in seinem Leitfähigkeitszustand niedrigen Widerstandes befindet und die ausgewählten Teile des Klektrolumineszenzmaterials erregt werden, so daß an der Betrachtungsseite des Bildschirms ein lichtemittierendes darzubietendes Muster geschaffen wird.versus that of the layer of electroluminescent material emitted light is transparent and with the two layers of conductive material electrodes form for connection to a voltage source so that the excitation current and voltage between the first and the second layer of conductive material only in those areas of selected individual parts are applied, in which the storing semiconductor material of variable 'resistance in its conductivity state is low resistance and energizes the selected parts of the Klektroluminescent material so that a light-emitting pattern to be presented is created on the viewing side of the screen will. 2. Bildschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die der Schicht aus Speichermaterial von variablem Widerstand zunächst-Liegende Schicht aus leit fähigem Material gegenüber einem schmalen Energiestrahl transparent ist, der fähig ist, Einzelteile der Schicht aus Speichermaterial von variablem Widerstand aus dem Zustand niedrigen Widerstandes in den Zustand hohen Widerstandes überzuführen und auch gegenüber einem breiten Energiestrahl transparent ist, der fähig ist, gleichzeitig sämtliche Teile des Speichermaterials von variablem widerstand aus dem Zustand niedrigen Widerstandes in den Zustand hohen Widerstandes überzuführen,2. Screen according to claim 1, characterized in that that of the layer of memory material of variable resistance next-lying layer of conductive Material is transparent to a narrow energy beam, which is able to separate individual parts of the layer Memory material of variable resistance from the low resistance state to the high resistance state and is also transparent to a broad beam of energy that is capable of simultaneously all parts of the memory material of variable resistance from the low resistance state to the State of high resistance, 3» Bildschirm nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an die erste und die zweite schicht aus leitfähigem Material anzuschließende Sparmungsquelle eine Wechseliipannungsquelle ist und daß die erste und zweite aktive Schicht derart gfjwählt sind, daß sie relative kapazitive Widerstände haben, hol denen der Scheinwiderstand der Einzelteile des Eiektrolumineazonzmaterials wesentlich höher als -der Scheinwiderstand der entsprechenden Einzel —Screen according to claim 1 or 2, characterized in that the voltage source to be connected to the first and second layers of conductive material is an alternating voltage source and that the first and second active layers are chosen so that they have relative capacitive resistances the impedance of the individual parts of the electric luminescent azonzmaterial is significantly higher than -the impedance of the corresponding individual - 00^847/1351 _■' ₆ _00 ^ 847/1351 _ ■ ' ₆ _ 2U235Q12U235Q1 teile des speichernden Halbleitermaterials von veräriderlicTiem h'iderstand in dessen Sperrzustand hohen. Widerstandes ist und in einem solchen Zustand der Scheinwiderstand des speichernden Ilalbleitermaterials von variablem widerstand ausreicht, um die an dem Elektr.oluminessenzmaterial wirksame Spannung auf" unterhalb desjenigen, wertes zu vermindern, bei dem eine nennenswerte Lichtemission erfolgt.parts of the storing semiconductor material from veräriderlicTiem h'iderstand high in its blocking state. Resistance and in such a state the impedance of the storing semiconductor material is variable Resistance is sufficient to pass the electrical luminescence material effective tension on "below that value at which a significant light emission occurs. 'l·« ,bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, dai3 sich die der Schicht aus Speichermaterial von variablem Widerstand zunächst benachbarte Schicht aus leitfähigem Material an der Rückseite des ochirmes befindet und daü die Schicht aus leitfähigem Material an der Betrachtungsseite des Schirmes die andere Schicht aus leitfähigem Material ist,'l · «, screen according to one of claims 1 to 3» thereby characterized that the layer of memory material of variable resistance is initially adjacent Layer of conductive material is located on the back of the ochirmes and there is a layer of conductive material Material on the viewing side of the screen is the other layer of conductive material, 5. Bildschirm nach Anspruch k, gekennzeichnet durch eine !.einrichtung, die hinter der der betlicht aus Speichermaterial von variablem Widerstand zunächst benachbarten schicht aus leitfähigem Material montiert ist und zum überführen ausgewählter Einzelteile der Schicht aus speichermaterial aus dem Zustand hohen Widerstandes in den Zustand niedrigen Widerstandes und umgekehrt dient»5. Screen according to claim k, characterized by a device which is mounted behind the layer of conductive material next to the bedlicht of storage material of variable resistance and for transferring selected individual parts of the layer of storage material from the state of high resistance to the state of low Resistance and vice versa » 6. Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daii die erste und zweite Schicht aus leitfähigem Material und die erste und zweite aktive Schicht atif einen Träger aufgetragen sind«6. Screen according to one of claims 1 to 5 »thereby characterized daii the first and second layers conductive material and the first and second active layers are applied atif a carrier « 7. Bildschirm nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger an die der* Schicht aus Speichermaterial von variablem -Widerstand zunächst benachbarten Schicht aus leitfähigem Material angrenzt und mit ihr zusammen den7. Screen according to claim 6, characterized in that the carrier to that of the * layer of storage material from variable resistance first from the adjacent layer conductive material adjoins and together with it the ,,,0 0 9 8 4 7/1351,,, 0 0 9 8 4 7/1351 ÖAD ORIGINALÖAD ORIGINAL hinteren Teil' des Bildschirmes bildet und daß der Träger und die letztere Schicht aus leitfähigem Material gegenüber der zur Änderung der Einzelteile der Schicht des Speichermaterial^ von variablem Widerstand zwischen den Zuständen hohen und niedi-igen Widerstandes fähigen l'nergie transparent sind.rear part 'of the screen and that the support and the latter layer of conductive material compared to changing the individual parts of the layer of the storage material ^ of variable resistance between capable of high and low resistance states l'nergie are transparent. ei. Bildschirm nach einem der .msprüche 1 bis 7> gekennzeichnet durch einen Kasten Tür die Aufnahme des BiIdschirmos; eine in dem Kasten untergebrachte erste Energiequelle zum Kiehten eines schmalen pulsierenden Energie-Strahles gegen die der Schicht aus Speichermaterial von variablem Widerstand zunächst benachbarte Schicht aus leitfähigem Material zum Verändern des Widerstandszubtandes dos Speichermaterial von variablem Widerstand zwischen den Zuständen hohen und niedrigen Widerstandes; eine -ablenkeinrichtung in dem Kasten für die Ablenkung des schmalen pulsierenden Energiestrahles gegen einen gewünschten Punkt des Bildschirmes; eine zweite Energiequelle in dem Kasten zum Juchten eines breiten Energieötrfahles gegen die Rückseite des Bildschirmes zum Verändern der Teile des öpeichermaterials von variablem Widerstand aus dem Zustand niedrigen Widerstandes in den " Zustand hohen Widerstandes; und eine außerhalb des Kastens montierte steuereinrichtung, die mit der ersten und zweite« Energiequelle und der Ablenkeinrichtung verbunden ist und die Tätigkeit dieser Teile für die Veränderung des auf dem Bildschirm dargebotenen Musters steuert.egg. Screen according to one of the claims 1 to 7> characterized by a box door that accommodates the screen; a first energy source accommodated in the box for drawing a narrow pulsating energy beam against the layer of conductive material initially adjacent to the layer of memory material of variable resistance for changing the resistance state of the memory material of variable resistance between the states of high and low resistance; deflection means in the box for deflecting the narrow pulsed energy beam towards a desired point on the screen; a second power source in the box for applying a wide range of energy to the back of the screen to change the portions of the variable resistance storage material from the low resistance state to the high resistance state; and a controller mounted outside the box communicating with the first and second «energy source and the deflection device is connected and controls the activity of these parts for changing the pattern presented on the screen. 9. Bildschirm nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß dei" Bildschirm eine außenwand des Kastens bildet, an der die dargebotenen Muster betrachtet werden können.9. Screen according to claim 8, characterized in that the "screen forms an outer wall of the box on the the presented patterns can be viewed. - 28 -- 28 - 009847/135 1009847/135 1 BADBATH 10, Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 9> dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Elektrolumin eszenzmaterial eine nicht-lineare Spannungs-Helligkeits-Charakteristik hat, so daß ein Bereich geschaffen wird, in dem verhältnismäßig kleine Änderungen der Spannung verhältnismäßig große Änderungen der Helligkeit in dem Elektrolumineszenzmaterial hervorrufen»10, screen according to one of claims 1 to 9> thereby characterized in that the layer of electroluminescent material a non-linear voltage-brightness characteristic has, so that an area is created in which relatively small changes in voltage cause relatively large changes in brightness in the electroluminescent material » 00 98 A 7 / 135100 98 A 7/1351