DE202022001067U1 - Zusatzeinrichtung zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung und deren Verwendung - Google Patents

Zusatzeinrichtung zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung und deren Verwendung Download PDF

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Abstract

Zusatzeinrichtung (1) zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer (2) einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusatzeinrichtung (1) ein Gehäuse (7) mit einer Einrichtung (5) zur Einkopplung einer Laserstrahlung (4) wenigstens eines Lasers (3), wenigstens einer Einrichtung zur Führung der Laserstrahlung (4), wenigstens einer Einrichtung zur Formung der Laserstrahlung (4) und einer Einrichtung (6) zur Auskopplung der Laserstrahlung (4) aufweist, dass die Zusatzeinrichtung (1) mit dem Laser (3) verbunden oder verbindbar ist und dass die Zusatzeinrichtung (1) so an der Vakuumkammer (2) angeordnet oder anordenbar ist, dass eine auf ein Substrat aufwachsende und/oder aufgewachsene diamantähnliche amorphe Kohlenstoffschicht zur Entspannung dieser Kohlenstoffschicht mit der Laserstrahlung (4) des Lasers (3) beaufschlagt wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Zusatzeinrichtung zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten und eine Verwendung einer Zusatzeinrichtung zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten.
  • Zur Spannungsreduzierung von aufgebrachten Schichten können die Körper mit den Schichten erwärmt werden, wobei das ein thermisches Langzeittempern bedingt. Dabei wird der Körper mit der Schicht erwärmt, so dass sich auch Eigenschaften der Körper verändern können.
  • Durch die Druckschrift DE 101 08 926 C1 sind ein Wärmebehandlungsverfahren und eine Wärmebehandlungsanordnung für Metallgegenstände bekannt, wobei die Oberfläche mit elektromagnetischer Strahlung im Bereich des nahen Infrarot mit einer hohen Leistungsdichte mittels Emitter bestrahlt. Dabei wird durch Langzeittempern auch der Grundkörper des Gegenstandes mit erwärmt.
  • Die Druckschrift DE 41 02 380 C1 beinhaltet ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Schichtabscheidung mittels gepulster Laserablation, wobei ein gepulster Teilchenstrahl mit Hilfe von Laserstrahlpulsen erzeugt und auf ein Substrat gerichtet werden. Mittels eines zweiten Lasers werden Laserstrahlpulse als Temperpulse auf die Oberfläche des Substrats gerichtet, um die Qualität der aufwachsenden Schichten zu verbessern und das Substrat dabei nicht zu überhitzen.
  • Die Druckschrift DE 103 19 206 A1 offenbart ein Verfahren zur Spannungsreduzierung in dünnen Schichten, die durch chemische Dampfphasenabscheidung oder durch Flüssigphasenabscheidung oder durch Ablagerung eines Teilchenstromes auf einem Substrat gebildet werden, der durch kontinuierliche oder gepulste Verdampfung und/oder Zerstäubung oder durch kontinuierlichen oder gepulsten Laserstrahlabtrag eines Targets erzeugt und/oder als kontinuierlicher oder gepulster lonenstrahl oder Plasmastrahl auf die Substrate gerichtet wird. Nach dem oder alternierend zum Schichtbildungsprozess oder während des Schichtbildungsprozesses auf dem Substrat werden ein gepulster Laserstrahl oder mehrere gepulste Laserstrahlen verschiedener Wellenlänge und Pulsdauer mit jeweils vorgegebener Energiefluenz und Pulswiederholfrequenz und vorgegebenem zeitlichen Pulsabstand als Temperpulse zur Spannungsreduzierung der Schicht auf die Schicht oder auf Bereiche der Schicht gerichtet. Dazu werden eine Vorrichtung mit einem Laser oder mit zwei Lasern zur Erzeugung gepulster Laserstrahlen, eine evakuierbare Bearbeitungskammer mit wenigstens einem Fenster für die Einkopplung von Laserstrahlen und Befestigungseinrichtungen für ein Target und ein Substrat verwendet. Bei Verwendung eines Lasers können mittels einer schwenkbaren Einrichtung die gepulsten Laserstrahlen entweder auf die Targetoberfläche zur Erzeugung der Teilchenströme oder auf die Substratoberfläche als Temperpulse gerichtet werden. Darüber hinaus sind auch zwei Laser zur Schichtbildung und Spannungsreduzierung vorgesehen.
  • Der in den Schutzansprüchen 1 und 11 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, auftretende und/oder vorhandene Spannungen in superharten diamantähnlichen amorphen Kohlenstoffschichten zu reduzieren.
  • Diese Aufgabe wird mit den in den Schutzansprüchen 1 und 11 aufgeführten Merkmalen gelöst.
  • Die Zusatzeinrichtung zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten und deren Verwendung zeichnen sich insbesondere dadurch aus, dass Spannungen in superharten diamantähnlichen amorphen Kohlenstoffschichten reduzierbar sind.
  • Dazu weist die Zusatzeinrichtung ein Gehäuse mit einer Einrichtung zur Einkopplung der Laserstrahlung wenigstens eines Lasers, wenigstens einer Einrichtung zur Führung der Laserstrahlung, wenigstens einer Einrichtung zur Formung der Laserstrahlung und einer Einrichtung zur Auskopplung der Laserstrahlung auf. Weiterhin ist die Zusatzeinrichtung mit einem Laser verbunden oder verbindbar und ist so an der Vakuumkammer angeordnet oder anordenbar, dass eine auf ein Substrat aufwachsende und/oder aufgewachsene diamantähnliche amorphe Kohlenstoffschicht zur Entspannung dieser Kohlenstoffschicht mit der Laserstrahlung des Lasers beaufschlagt wird.
  • Damit wird die Zusatzeinrichtung mit einer Einrichtung zur Einkopplung, wenigstens einer Einrichtung zur Führung, wenigstens einer Einrichtung zur Formung und einer Einrichtung zur Auskopplung von jeweils wenigstens einer Laserstrahlung wenigstens eines mit der Zusatzeinrichtung verbundenen oder verbindbaren Lasers in der Vakuumkammer zur Entspannung einer auf ein Substrat aufwachsenden und/oder aufgewachsenen diamantähnlichen amorphen Kohlenstoffschicht mit der Laserstrahlung des Lasers verwendet. Dabei erfolgt die Beaufschlagung mit der Laserstrahlung mit einer Laserpulsfluenz größer/gleich 0,010 J/cm2 und kleiner/gleich 5 J/cm2 alternierend zu den schichtbildenden Teilchenströmen oder nach jeweils einer Schichtdickenzunahme von 5 nm bis 1000 nm und/oder bei einer Subschichtdicke gleich/größer 5 nm und kleiner/gleich 1000 nm mit jeweils gleich/größer 1 und kleiner/gleich 10 000 Temperpulsen pro Flächeneinheit.
  • Die Zusatzeinrichtung und deren Verwendung führt vorteilhafterweise dazu, dass eine superharte diamantähnliche amorphe Kohlenstoffschicht mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung weitestgehend spannungsfrei abgeschieden werden kann. Dazu wird die auf einem Körper oder einem Werkstück abgeschiedene wenigstens eine Schicht während kurzzeitiger Unterbrechungen des Beschichtungsprozesses oder die auf einem Körper oder einem Werkstück aufwachsende Schicht alternierend zum Schichtbildungsprozess oder während des Schichtbildungsprozesses zum Tempern mit der Laserstrahlung beaufschlagt. Bei der Beschichtung größerer Körper oder Werkstücke kann die Bestrahlung von lateralen Bereichen der Schicht erfolgen, um die erforderliche Energiefluenz zu erreichen. Dazu kann die Laserstrahlung mit einer Einrichtung zur Führung der Laserstrahlung der Zusatzeinrichtung über die Oberfläche des Körpers oder Werkstücks abgelenkt werden.
  • Vorteilhafterweise werden die für den Spannungsabbau erforderlichen hohen Temperaturen durch die Laserstrahlung nur kurzzeitig und wegen der geringen Energiedissipation durch Wärmeleitung vorzugsweise nur in einem Schichtoberflächenbereich geringer Dicke erzeugt. Damit ist nur eine geringe bis keine thermische Belastung des Körpers oder des Werkstücks gegeben. Bei Mehrschichtsystemen werden so die darunter liegenden Schichten thermisch wenig bis nicht belastet. Damit können durch Mehrfachbeschichten auch dicke Schichten spannungsreduziert erzeugt werden. Darüber hinaus können auch thermisch wenig belastbare temperaturempfindliche Körper oder Werkstücke mit weitestgehend spannungsfreien dünnen Schichten versehen werden.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den folgenden Weiterbildungen und Ausführungsformen aufgeführt. Diese können die Zusatzeinrichtung zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten und deren Verwendung einzeln oder in einer Kombination fortbilden.
  • Die Einrichtung zur Führung der Laserstrahlung ist in einer Ausführungsform wenigstens ein Spiegel und/oder ein Lichtwellenleiter. Mittels der Ablenkung von Spiegeln kann die Laserstrahlung in der Zusatzeinrichtung bestimmt und/oder über die Oberfläche des zu beschichtenden Körpers oder Werkstücks gezielt geführt werden.
  • Die Einrichtung zur Formung der Laserstrahlung kann in einer Ausführungsform ein Kollimator, ein Teleskop, ein Homogenisierer, eine Maske und/oder eine Fokussieroptik jeweils einzeln, jeweils mehrfach oder so in einer Kombination sein.
  • Im Strahlengang der Laserstrahlung ist in einer Ausführungsform in der Zusatzeinrichtung ein Strahlteiler so angeordnet, dass ein Teil der Laserstrahlung den Strahlteiler durchdringt und der andere Teil der Laserstrahlung auf eine Einrichtung zur Strahlanalyse der Laserstrahlung gelangt. Das kann insbesondere ein Bildsensor einer Digitalkamera sein, so dass das Abbild des Querschnitts der Laserstrahlung in digitale Daten gewandelt wird. Diese können mittels eines Datenverarbeitungssystems bearbeitet werden.
  • Im Strahlengang der Laserstrahlung ist in einer Ausführungsform in der Zusatzeinrichtung ein mit einem Antrieb verbundener Klappspiegel so angeordnet, dass die Laserstrahlung die Zusatzeinrichtung passiert oder die Laserstrahlung auf eine Einrichtung zur Messung der Energie der Laserstrahlung angeordnet ist.
  • Im Strahlengang der Laserstrahlung kann in einer Ausführungsform in der Zusatzeinrichtung eine Scannereinrichtung zur Führung und Formung der Laserstrahlung angeordnet sein. Damit wird vorteilhafterweise die Laserstrahlung über die Oberfläche der aufwachsende und/oder aufgewachsenen diamantähnlichen amorphen Kohlenstoffschicht zur Entspannung dieser Kohlenstoffschicht auf dem Substrat geführt.
  • Im Strahlengang der Laserstrahlung kann sich in einer Weiterbildung vor und/oder nach der Einrichtung zur Auskopplung der Laserstrahlung eine in oder aus den Strahlengang bewegbare Schutzeinrichtung befinden. Das kann eine Schutzblende oder eine bewegbare Schutzfolie sein. Letztere kann sich zum Ab- und Aufwickeln auf Rollen befinden.
  • Die in Richtung der Vakuumkammer weisende Oberfläche der Einrichtung zur Auskopplung der Laserstrahlung weist in einer Weiterbildung eine Einrichtung zur Reinigung dieser Oberfläche auf, so dass wenigstens der Durchtritt der Laserstrahlung durch die Einrichtung zur Auskopplung gewährleistet ist.
  • Die Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten kann eine Anlage zum Hochenergieimpulsmagnetronsputtern, eine Anlage zum Lichtbogenverdampfen, eine Anlage zur Abscheidung von Schichten durch Laserablation (Laserpulsabscheidung PLD - Pulsed Laser Deposition), eine Anlage mit einer LaserArc Technologie oder eine Anlage mit Nutzung eines Hybridverfahrens sein.
  • Der Laser besitzt in einer Ausführungsform eine Wellenlänge gleich/größer 1 nm und kleiner/gleich 1080 nm, eine Pulsenergie gleich/größer 0,001 J und kleiner/gleich 10 J, eine maximale Leistung gleich/größer 30 W und kleiner/gleich 25 kW, eine Pulsdauer gleich/größer 1 ps und kleiner/gleich 100 µs und eine Repetitionsrate gleich/größer 10 Hz und kleiner/gleich 1 GHz.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung prinzipiell dargestellt und wird im Folgenden näher beschrieben.
  • Es zeigt:
    • 1 Zusatzeinrichtung zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten.
  • Eine Zusatzeinrichtung 1 zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer 2 einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten besteht im Wesentlichen aus einer Einrichtung 5 zur Einkopplung der Laserstrahlung 4 wenigstens eines Lasers 3, wenigstens einer Einrichtung zur Führung der Laserstrahlung 4, wenigstens einer Einrichtung zur Formung der Laserstrahlung 4 und einer Einrichtung 6 zur Auskopplung der Laserstrahlung 4. Zur Beaufschlagung eines Körpers oder eines Werkstücks in der Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung mit der Laserstrahlung 4 ist die Zusatzeinrichtung 1 mit einem Laser 3 verbunden.
  • Die 1 zeigt eine Zusatzeinrichtung 1 zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer 2 einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten in eine prinzipiellen Darstellung.
  • Die Zusatzeinrichtung 1 ist mit dem Laser 3 verbindbar oder verbunden. Der Laser 3 besitzt eine Wellenlänge gleich/größer 1 nm und kleiner/gleich 1080 nm, eine Pulsenergie gleich/größer 0,001 J und kleiner/gleich 10 J, eine maximale Leistung gleich/größer 30 W und kleiner/gleich 25 kW, eine Pulsdauer gleich/größer 1 ps und kleiner/gleich 100 µs und eine Repetitionsrate gleich/größer 10 Hz und kleiner/gleich 1 GHz. Die Beaufschlagung mit der Laserstrahlung 4 erfolgt in einer Ausführungsform mit einer Laserpulsfluenz größer/gleich 0,010 J/cm2 und kleiner/gleich 5 J/cm2 alternierend zu den schichtbildenden Teilchenströmen oder nach jeweils einer Schichtdickenzunahme von 5 nm bis 1000 nm und/oder bei einer Subschichtdicke gleich/größer 5 nm und kleiner/gleich 1000 nm mit jeweils gleich/größer 1 und kleiner/gleich 10 000 Temperpulsen pro Flächeneinheit.
  • Im Strahlengang der Laserstrahlung 4 sind in einem Gehäuse 7 die Einrichtung 5 zur Einkopplung der Laserstrahlung 4 des Lasers 3, Einrichtungen zur Führung der Laserstrahlung 4, Einrichtungen zur Formung der Laserstrahlung 4 und die Einrichtung 6 zur Auskopplung der Laserstrahlung 4 angeordnet.
  • Dazu können im Strahlengang der Laserstrahlung 4 nacheinander
    • - ein Fenster 5 als Einrichtung 5 zur Einkopplung,
    • - ein Kollimator 8 zur Formung in Form einer Parallelisierung der Laserstrahlung 4,
    • - ein Teleskop 9 zur Formung der Laserstrahlung 4,
    • - ein Strahlteiler 10 zur Führung der Laserstrahlung 4 in Form eines Quarzglasfensters 10, wobei ein Teil der Laserstrahlung 4 das Quarzglasfenster 10 durchdringt und ein anderer Teil auf eine Optik 11 zur Abbildung des Querschnitts der Laserstrahlung 4 weitergeführt wird, welche eine Einrichtung zur Strahlanalyse der Laserstrahlung 4 ist,
    • - ein Klappspiegel 12 zur Führung der Laserstrahlung 4, so dass die Laserstrahlung 4 zeitlich bestimmt auf einen Energiemesskopf 13 als eine Einrichtung zur Messung der Energie geleitet werden kann,
    • - eine Einrichtung 14 zur Fokussierung und damit zur Formung der Laserstrahlung 4 und
    • - ein Fenster 6 als Einrichtung 6 zur Auskopplung der Laserstrahlung 4 angeordnet sein.
  • Nach dem Teleskop 9 kann auch ein Homogenisierer nachfolgend angeordnet sein.
  • Zur Steuerung der Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten sind der Laser 3, die Optik 11 zur Abbildung des Querschnitts der Laserstrahlung 4 und der Energiemesskopf 13 mit einem Datenverarbeitungssystem 15 verbunden.
  • Die Optik 11 zur Abbildung des Querschnitts der Laserstrahlung 4 kann insbesondere ein Bildsensor einer Digitalkamera sein, so dass das Abbild des Querschnitts der Laserstrahlung 4 in digitale Daten gewandelt wird. Der Bildsensor und der Energiemesskopf 13 sind mit dem Datenverarbeitungssystem 15 verbunden, so dass die ermittelten Daten über den Querschnitt und der Energie der Laserstrahlung 4 bearbeitbar sind. Damit kann eine Überwachung und/oder Steuerung des mit dem Datenverarbeitungssystem 15 verbundenen Lasers 3 und damit der Laserstrahlung 4 entsprechend der Form des Querschnitts und/oder der Energie erfolgen.
  • Im Strahlengang der Laserstrahlung 4 kann oder können in einer Ausführungsform nach dem Klappspiegel 12 eine Maske zur Formung und/oder eine Scannereinrichtung zur Führung und Formung jeweils der Laserstrahlung 4 angeordnet sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform kann oder können nach dem Fenster 6 als Einrichtung 6 zur Auskopplung am Gehäuse 7 eine Schutzblende und/oder eine Einrichtung zur Reinigung der in Richtung Vakuumkammer 2 weisenden Oberfläche des Fensters 6 zur Auskopplung angeordnet sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 10108926 C1 [0003]
    • DE 4102380 C1 [0004]
    • DE 10319206 A1 [0005]

Claims (11)

  1. Zusatzeinrichtung (1) zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer (2) einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusatzeinrichtung (1) ein Gehäuse (7) mit einer Einrichtung (5) zur Einkopplung einer Laserstrahlung (4) wenigstens eines Lasers (3), wenigstens einer Einrichtung zur Führung der Laserstrahlung (4), wenigstens einer Einrichtung zur Formung der Laserstrahlung (4) und einer Einrichtung (6) zur Auskopplung der Laserstrahlung (4) aufweist, dass die Zusatzeinrichtung (1) mit dem Laser (3) verbunden oder verbindbar ist und dass die Zusatzeinrichtung (1) so an der Vakuumkammer (2) angeordnet oder anordenbar ist, dass eine auf ein Substrat aufwachsende und/oder aufgewachsene diamantähnliche amorphe Kohlenstoffschicht zur Entspannung dieser Kohlenstoffschicht mit der Laserstrahlung (4) des Lasers (3) beaufschlagt wird.
  2. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Führung der Laserstrahlung (4) wenigstens ein Spiegel ist.
  3. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Formung der Laserstrahlung (4) ein Kollimator (8), ein Teleskop (9), ein Homogenisierer, eine Maske und/oder eine Einrichtung (14) zur Fokussierung jeweils einzeln, jeweils mehrfach oder in einer Kombination ist oder sind.
  4. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Strahlengang der Laserstrahlung (4) in der Zusatzeinrichtung (1) ein Strahlteiler (10) so angeordnet ist, dass ein Teil der Laserstrahlung (4) den Strahlteiler (10) durchdringt und der andere Teil der Laserstrahlung (4) auf eine Einrichtung zur Strahlanalyse der Laserstrahlung (4) gelangt.
  5. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Strahlengang der Laserstrahlung (4) in der Zusatzeinrichtung (1) ein mit einem Antrieb verbundener Klappspiegel (12) so angeordnet ist, dass die Laserstrahlung (4) die Zusatzeinrichtung (1) passiert oder die Laserstrahlung (4) auf eine Einrichtung zur Messung der Energie der Laserstrahlung (4) angeordnet ist.
  6. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Strahlengang der Laserstrahlung (4) in der Zusatzeinrichtung 1 eine Scannereinrichtung zur Führung und Formung der Laserstrahlung (4) angeordnet ist.
  7. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich im Strahlengang der Laserstrahlung (4) vor und/oder nach der Einrichtung (6) zur Auskopplung der Laserstrahlung (4) eine in oder aus den Strahlengang bewegbare Schutzeinrichtung befindet.
  8. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die in Richtung der Vakuumkammer (2) weisende Oberfläche der Einrichtung (6) zur Auskopplung der Laserstrahlung (4) eine Einrichtung zur Reinigung dieser Oberfläche aufweist, so dass wenigstens der Durchtritt der Laserstrahlung (4) durch die Einrichtung (6) zur Auskopplung gewährleistet ist.
  9. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten eine Anlage zum Hochenergieimpulsmagnetronsputtern, eine Anlage zum Lichtbogenverdampfen, eine Anlage zur Abscheidung von Schichten durch Laserablation, eine Anlage mit einer LaserArc Technologie oder eine Anlage mit Nutzung eines Hybridverfahrens ist.
  10. Zusatzeinrichtung (1) nach Schutzanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Laser (3) eine Wellenlänge gleich/größer 1 nm und kleiner/gleich 1080 nm, eine Pulsenergie gleich/größer 0,001 J und kleiner/gleich 10 J, eine maximale Leistung gleich/größer 30 W und kleiner/gleich 25 kW, eine Pulsdauer gleich/größer 1 ps und kleiner/gleich 100 µs und eine Repetitionsrate gleich/größer 10 Hz und kleiner/gleich 1 GHz besitzt.
  11. Verwendung einer Zusatzeinrichtung (1) zur Verbindung und/oder in Verbindung mit einer Vakuumkammer (2) einer Anlage zur physikalischen Gasphasenabscheidung zur Herstellung superharter diamantähnlicher amorpher Kohlenstoffschichten, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusatzeinrichtung (1) mit einer Einrichtung (5) zur Einkopplung, wenigstens einer Einrichtung zur Führung, wenigstens einer Einrichtung zur Formung und einer Einrichtung (6) zur Auskopplung von jeweils wenigstens einer Laserstrahlung (4) wenigstens eines mit der Zusatzeinrichtung (1) verbundenen oder verbindbaren Lasers (3) in der Vakuumkammer (2) zur Entspannung einer auf ein Substrat aufwachsenden und/oder aufgewachsenen diamantähnlichen amorphen Kohlenstoffschicht mit der Laserstrahlung (4) des Lasers (3) verwendet wird, wobei die Beaufschlagung mit der Laserstrahlung (4) mit einer Laserpulsfluenz größer/gleich 0,010 J/cm2 und kleiner/gleich 5 J/cm2 alternierend zu den schichtbildenden Teilchenströmen oder nach jeweils einer Schichtdickenzunahme von 5 nm bis 1000 nm und/oder bei einer Subschichtdicke gleich/größer 5 nm und kleiner/gleich 1000 nm mit jeweils gleich/größer 1 und kleiner/gleich 10 000 Temperpulsen pro Flächeneinheit erfolgt.
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