DE202021004363U1 - Teilchenstrahlgerät zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt, sowie Computerprogrammprodukt zum Erzeugen des Bildes des Objekts und/oder der Darstellung von Daten über das Objekt - Google Patents

Teilchenstrahlgerät zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt, sowie Computerprogrammprodukt zum Erzeugen des Bildes des Objekts und/oder der Darstellung von Daten über das Objekt Download PDF

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Abstract

Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425), mit- mindestens einem Strahlerzeuger (101, 301, 402) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen;- mindestens einem beweglich ausgebildeten Objekthalter (114, 122, 424) zum Halten und Positionieren des Objekts (125, 425);- mindestens einer Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400);- mindestens einer Steuereinheit (123) zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500);- mindestens einer Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) zum Führen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425);- mindestens einem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) zur Detektion von Wechselwirkungsteilchen, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgehen;- mindestens einem zweiten Detektor (500) zur Detektion von Wechselwirkungsstrahlung, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgeht;- mindestens einer Anzeigeeinheit (124) zum Anzeigen eines Bildes des Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425), wobei das Bild und/oder die Darstellung basierend auf Detektionssignalen erzeugt werden/wird, welche durch das Detektieren der Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselstrahlung generiert werden; und mit- mindestens einem Prozessor (123), in den ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen ist, der bei Ausführung das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) derart steuert, dass ein Verfahren zum Erzeugen des Bildes des Objekts (125, 425) und/oder der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit dem Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) durchgeführt wird, wobei das Verfahren eine erste Gruppe von Verfahrensschritten und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst, wobei- die erste Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist:(i) Auswählen eines Abbildungsmodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung der Steuereinheit (123) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400);(ii) Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters zur Ansteuerung mindestens der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aus einer Datenbank (126) in die Steuereinheit (123);(iii) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123);(iv) Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung der Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400);(v) Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) des Teilchenstrahlgeräts;(vi) Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors (116, 117, 119, 121, 419, 428);(vii) Erzeugen des Bildes des Objekts (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der ersten Detektionssignale; sowie(viii) Anzeigen des Bildes des Objekts (125, 425) mit der Anzeigeeinheit (124) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); und wobei- die zweite Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist:(ix) Auswählen eines Analysemodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung der Steuereinheit (123);(x) Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123);(xi) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123);(xii) Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung der Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432);(xiii) Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit dem zweiten Detektor (500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400);(xiv) Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors (500);(xv) Erzeugen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der zweiten Detektionssignale; sowie(xvi) Anzeigen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Anzeigeeinheit (124).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt und ein Computerprogrammprodukt zum Erzeugen des Bildes des Objekts und/oder der Darstellung von Daten über das Objekt. Beispielsweise ist das Teilchenstrahlgerät als Elektronenstrahlgerät oder als lonenstrahlgerät ausgebildet.
  • Elektronenstrahlgeräte, insbesondere ein Rasterelektronenmikroskop (nachfolgend auch SEM genannt) und/oder ein Transmissionselektronenmikroskop (nachfolgend auch TEM genannt), werden zur Untersuchung von Objekten (nachfolgend auch Proben genannt) verwendet, um Kenntnisse hinsichtlich der Eigenschaften und des Verhaltens unter bestimmten Bedingungen zu erhalten.
  • Bei einem SEM wird ein Elektronenstrahl (nachfolgend auch Primärelektronenstrahl genannt) mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und durch ein Strahlführungssystem auf ein zu untersuchendes Objekt fokussiert. Mittels einer Ablenkeinrichtung in Form einer Scaneinrichtung wird der Primärelektronenstrahl über eine Oberfläche des zu untersuchenden Objekts geführt. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem zu untersuchenden Objekt. Als Folge der Wechselwirkung werden insbesondere Elektronen vom Objekt emittiert (sogenannte Sekundärelektronen) und Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut (sogenannte Rückstreuelektronen). Die Sekundärelektronen und die Rückstreuelektronen werden detektiert und zur Bilderzeugung verwendet. Man erhält somit eine Abbildung des zu untersuchenden Objekts. Ferner wird bei der Wechselwirkung Wechselwirkungsstrahlung erzeugt, beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht, die zur Analyse des Objekts mittels eines Detektors detektiert und im Anschluss ausgewertet wird.
  • Bei einem TEM wird ebenfalls ein Primärelektronenstrahl mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und mittels eines Strahlführungssystems auf ein zu untersuchendes Objekt geführt. Der Primärelektronenstrahl durchstrahlt das zu untersuchende Objekt. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt hindurchtretenden Elektronen werden durch ein System bestehend aus einem Objektiv und einem Projektiv auf einem Leuchtschirm oder auf einem Detektor (beispielsweise einer Kamera) abgebildet. Die Abbildung kann dabei auch im Scan-Modus eines TEM erfolgen. Ein derartiges TEM wird in der Regel als STEM bezeichnet. Zusätzlich kann es vorgesehen sein, an dem zu untersuchenden Objekt zurückgestreute Elektronen und/oder von dem zu untersuchenden Objekt emittierte Sekundärelektronen mittels eines weiteren Detektors zu detektieren, um ein zu untersuchendes Objekt abzubilden.
  • Es ist bekannt, die Funktion eines STEM und eines SEM in einem einzelnen Teilchenstrahlgerät zu kombinieren. Mit diesem Teilchenstrahlgerät sind somit Untersuchungen von Objekten mit einer SEM-Funktion und/oder mit einer STEM-Funktion möglich.
  • Darüber hinaus ist ein Teilchenstrahlgerät in Form einer lonenstrahlsäule bekannt. Mittels eines in der lonenstrahlsäule angeordneten lonenstrahlerzeugers werden Ionen erzeugt, die zur Bearbeitung eines Objekts verwendet werden. Beispielsweise wird bei der Bearbeitung Material des Objekts abgetragen oder es wird ein Material auf das Objekt aufgebracht, beispielsweise unter Zuführung eines Gases. Zusätzlich oder alternativ hierzu werden die Ionen zur Bildgebung verwendet.
  • Ferner ist es aus dem Stand der Technik bekannt, Kombinationsgeräte zur Untersuchung von Objekten zu verwenden, bei denen sowohl Elektronen als auch Ionen auf ein zu untersuchendes Objekt geführt werden können. Beispielsweise ist es bekannt, ein SEM zusätzlich mit einer lonenstrahlsäule auszustatten. Mittels eines in der lonenstrahlsäule angeordneten lonenstrahlerzeugers werden Ionen erzeugt, die zur Präparation eines Objekts (beispielsweise Abtragen von Material des Objekts oder Aufbringen von Material auf das Objekt) oder auch zur Bildgebung verwendet werden. Hierzu werden die Ionen mit einer Ablenkeinrichtung in Form einer Scaneinrichtung über das Objekt gescannt. Das SEM dient hierbei insbesondere zur Beobachtung der Präparation, aber auch zur weiteren Untersuchung des präparierten oder unpräparierten Objekts.
  • Bei der Erzeugung eines Bildes eines Objekts kann eine Abbildung eines Objekts mit einem Teilchenstrahlgerät mit einer hohen Ortsauflösung erfolgen. Diese wird insbesondere durch einen sehr geringen Durchmesser des Primärelektronenstrahls in der Ebene des Objekts erzielt. Ferner kann die Ortsauflösung umso besser werden, je höher die Elektronen des Primärelektronenstrahls im Teilchenstrahlgerät zunächst beschleunigt und am Ende in der Objektivlinse oder im Bereich der Objektivlinse und dem Objekt auf eine gewünschte Energie (Landeenergie genannt) abgebremst werden. Beispielsweise werden die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit einer Beschleunigungsspannung von 2 kV bis 30 kV beschleunigt und durch eine Elektronensäule eines Teilchenstrahlgeräts geführt. Erst im Bereich zwischen der Objektivlinse und dem Objekt werden die Elektronen des Primärelektronenstrahls auf die gewünschte Landeenergie abgebremst, mit der sie auf das Objekt treffen. Die Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls liegt beispielsweise im Bereich von 10 eV bis 30 keV.
  • Ein Anwender eines Teilchenstrahlgeräts ist bei Erstellung eines Bildes des Objekts darauf bedacht, die für eine Untersuchung eines Objekts benötigte optimale Bildqualität eines Bildes des Objekts zu erzielen. Mit anderen Worten ausgedrückt, möchte ein Anwender stets ein Bild des Objekts mit einer derart guten Bildqualität erstellen, dass er aufgrund des Bildes und der darin enthaltenen Bildinformationen das zu untersuchende Objekt gut analysieren kann. Dabei kann die Bildqualität beispielsweise mittels objektiver Kriterien bestimmt werden. Insbesondere ist die Bildqualität eines Bildes umso besser, je besser die Auflösung im Bild ist oder je besser der Kontrast ist. Alternativ kann die Bildqualität anhand von subjektiven Kriterien bestimmt werden. Hierbei legt ein Anwender individuell fest, ob ihm eine erzielte Bildqualität ausreicht oder nicht. Dabei kann es aber durchaus vorkommen, dass die von einem ersten Anwender für ausreichend gut befundene Bildqualität einem zweiten Anwender nicht ausreicht. Beispielsweise kann die Bildqualität eines Bildes eines Objekts auch anhand des Signal-Rausch-Verhältnisses des Detektorsignals bestimmt werden. Bei einem Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 0 bis 5 ist die Bildqualität nicht ausreichend gut. Beispielsweise spricht man von einem guten Signal-Rausch-Verhältnis (und damit auch von einer guten sowie ausreichenden Bildqualität), wenn das Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 20 bis 40 liegt. Auch die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Teilchenstrahl, der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen aufweist) kann ein Maß für die Bildqualität sein. Die Sekundärelektronen können in unterschiedliche Raumwinkel aus dem Objekt emittiert werden. Ferner können die Rückstreuelektronen in verschiedene Raumwinkel an dem Objekt zurückgestreut werden. Die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Raumwinkel, in welchem der Sekundärteilchenstrahl verläuft), kann durch Kippung des Primärelektronenstrahls und/oder des Objekts zur optischen Achse des Teilchenstrahlgeräts beeinflusst werden. Hierdurch ist es zum einen möglich, die Richtung des Sekundärteilchenstrahls derart zu wählen, dass der Sekundärteilchenstrahl auf einen gewünschten Detektor trifft. Zum anderen lassen sich durch die oben genannte Kippung sowohl die Anzahl der erzeugten Sekundärelektronen als auch die Anzahl der Rückstreuelektronen beeinflussen. Wenn beispielsweise der Primärelektronenstrahl parallel zu einem Kristallgitter eines Objekts in das Objekt eintritt, so nimmt die Anzahl der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen ab. Das Detektionssignal wird schwächer. Dies führt zu einer Verminderung der Bildqualität. Durch Einstellung der Kippung des Primärelektronenstrahls kann die Anzahl der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen erhöht werden. Mit einer derartigen Einstellung ist es möglich, Kristalle mit einer ersten Orientierung von Kristallen mit einer zweiten Orientierung anhand der Stärke des Detektionssignals zu unterscheiden.
  • Zur Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt, beispielsweise ein Energiespektrum oder ein Wellenlängenspektrum zur Materialanalyse, wird Röntgenstrahlung detektiert, die bei der Wechselwirkung eines Primärelektronenstrahls mit dem Objekt erzeugt wird. Mit der detektierten Röntgenstrahlung kann beispielsweise eine energiedispersive Röntgenspektroskopie (im Englischen mit EDX abgekürzt) durchgeführt werden. Bei Einfall des Primärelektronenstrahls auf das Objekt werden Atome des Objekts mittels des Primärelektronenstrahls angeregt und geben eine charakteristische Röntgenstrahlung ab. Die charakteristische Röntgenstrahlung wird bei der energiedispersiven Röntgenspektroskopie analysiert. Sie gibt Aufschluss über die Materialzusammensetzung des Objekts. Ferner ist es bekannt, mit der detektierten Röntgenstrahlung wellenlängendispersive Röntgenspektroskopie (im Englischen mit WDX abgekürzt) durchzuführen. Mittels der wellenlängendispersiven Röntgenspektroskopie wird ebenfalls charakteristische Röntgenstrahlung, welche vom Objekt nach Einfall des Primärelektronenstrahls emittiert wird, analysiert. Auch bei der wellenlängendispersiven Röntgenspektroskopie wird die Materialzusammensetzung des Objekts ermittelt.
  • Bei der Detektion von Wechselwirkungsstrahlung kann ein Anwender eines Teilchenstrahlgeräts durchaus darauf bedacht sein, die für eine Untersuchung eines Objekts benötigte Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselstrahlung beruhenden Detektionssignale eines Strahlungsdetektors zu erzielen. Wenn beispielsweise Röntgenstrahlung mit dem Strahlungsdetektor detektiert wird, dann wird beispielsweise die Qualität der Darstellung durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors bestimmt. Beispielsweise ist dieser als EDX-Detektor ausgebildet. Die Qualität der Darstellung wird dann beispielsweise zum einen durch die Zählrate der detektierten Röntgenquanten und zum anderen durch die Halbwertsbreite der gemessenen Peaks im Röntgenspektrum beeinflusst. Je höher die Zählrate und je geringer die Halbwertsbreite sind, umso besser ist die Qualität der Darstellung der Detektionssignale. Wenn beispielsweise Kathodolumineszenzlicht mit einem Strahlungsdetektor detektiert wird, dann kann beispielsweise die Qualität der Darstellung ebenfalls durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors bestimmt werden. Die Qualität der Darstellung wird beispielsweise durch die Zählrate der detektierten Photonen des Kathodolumineszenzlichts bestimmt. Die Zählrate kann durch eine geeignete Lichtoptik beeinflusst werden. Ferner kann der Primärelektronenstrahl derart eingestellt werden, dass das Objekt möglichst viele Photonen insgesamt oder eines bestimmten Wellenlängenintervalls emittiert.
  • Um eine gute Bildqualität eines Bildes und/oder eine gute Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale zu erzielen, welche(s) mit einem Teilchenstrahlgerät erzeugt wird, wählt ein Anwender eines aus dem Stand der Technik bekannten Teilchenstrahlgeräts in der Regel zunächst eine gewünschte Landeenergie, mit welcher Elektronen auf das Objekt auftreffen. Im Anschluss daran wählt der Anwender Einstellungen von weiteren Steuerparametern von mindestens einer Steuereinheit zur Ansteuerung von Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts. Die Steuerparameter sind beispielsweise physikalische Größen, insbesondere ein Steuerstrom oder eine Steuerspannung, aber auch beispielsweise das Verhältnis von physikalischen Größen, insbesondere eine Verstärkung von physikalischen Größen. Die Werte der physikalischen Größen sind an den oder mit den Steuereinheiten einstellbar und steuern und/oder versorgen die Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts derart, dass gewünschte physikalische Wirkungen, beispielsweise das Erzeugen von bestimmten Magnetfeldern und/oder elektrostatischer Felder, erzielt werden.
  • Beispiele von Steuerparametern von mindestens einer Steuereinheit zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit eines Teilchenstrahlgeräts werden weiter unten näher erläutert.
  • Um eine gute Qualität eines Bildes des Objekts zu erzielen ist es bekannt, ein Teilchenstrahlgerät mit ersten Steuerparameterwerten von Steuerparametern von einer Steuereinheit zur Ansteuerung von Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts anzusteuern, wobei die ersten Steuerparameterwerte unterschiedlich zu zweiten Steuerparameterwerten der Steuerparameter der Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts sind. Die zweiten Steuerparameterwerte werden für eine gute Qualität für die Darstellung von Daten über das Objekt verwendet. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts bei der Erzeugung eines Bildes zum einen und bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt zum anderen insbesondere unter Verwendung einer Steuereinheit mit unterschiedlichen Steuerparameterwerten der Steuerparameter angesteuert. Beispielsweise wird das Objekt bei der Erzeugung eines Bildes des Objekts mit einem geringeren Abstand zu einer Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts als bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt angeordnet. Der Abstand zwischen dem Objekt und der Objektivlinse wird auch als Arbeitsabstand bezeichnet. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird bei der Erzeugung eines Bildes des Objekts das Objekt mit einem geringeren Arbeitsabstand zur Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts als bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt angeordnet. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es bekannt, dass zur Erzeugung eines Bildes des Objekts ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Nanoampere verwendet wird. Hingegen ist es bekannt, dass bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere verwendet wird.
  • Um zum einen eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts und zum anderen eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt zu erzielen, ist es bekannt, dass ein Anwender die ersten Steuerparameterwerte und die zweiten Steuerparameterwerte der Steuerparameter der Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheiten eines Teilchenstrahlgeräts manuell an einer Steuereinheit einstellt. Dies ist zeitaufwendig. Darüber hinaus besteht das Risiko, dass sich ein Sichtfeld des Teilchenstrahlgeräts bei einer manuellen Einstellung der ersten Steuerparameterwerte und der zweiten Steuerparameterwerte ändert, so dass ein zuvor sich im Sichtfeld befindender zu analysierender und/oder abzubildender Bereich des Objekts sich nicht mehr im Sichtfeld des Teilchenstrahlgeräts befindet. In diesem Fall muss der zu analysierende und/oder abzubildende Bereich erneut gesucht werden.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, ein Teilchenstrahlgerät anzugeben, bei dem Steuerparameterwerte von Steuerparametern für Steuereinheiten zur Ansteuerung von Funktionseinheiten eines Teilchenstrahlgeräts einfach einstellbar sind, wobei die Steuerparameterwerte der Steuerparameter eine gewünschte Bildqualität eines Bildes eines Objekts und/oder eine gewünschte Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale (also von Daten über das Objekt) gewährleisten.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Teilchenstrahlgerät mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, das ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens steuert, ist durch die Merkmale des Anspruchs 20 gegeben. Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, den beigefügten Ansprüchen und/oder den beigefügten Zeichnungen.
  • Ein Verfahren zum Verständnis der Erfindung dient dem Erzeugen eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit einem Teilchenstrahlgerät. Das Teilchenstrahlgerät weist mindestens einen Strahlerzeuger zum Erzeugen eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Beispielsweise sind die geladenen Teilchen Elektronen oder Ionen.
  • Das Verfahren zum Verständnis der Erfindung weist eine erste Gruppe und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten auf. Nachfolgend werden die erste Gruppe und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten näher erläutert.
  • Die erste Gruppe von Verfahrensschritten weist ein Auswählen eines Abbildungsmodus des Teilchenstrahlgeräts unter Verwendung einer Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts auf. Der Abbildungsmodus ist der Modus des Teilchenstrahlgeräts, mit dem mindestens ein Bild des Objekts mit dem Teilchenstrahl des Teilchenstrahlgeräts erzeugt wird. Die Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts dient insbesondere der Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts. Unter einer Funktionseinheit wird vorstehend und auch nachstehend eine Baueinheit des Teilchenstrahlgeräts verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Teilchenstrahlgerät einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist.
  • Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten ein Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters der Steuereinheit zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus einer Datenbank in die Steuereinheit. Der Steuerparameter ist beispielsweise eine physikalische Größe, insbesondere ein Steuerstrom oder eine Steuerspannung, aber auch beispielsweise das Verhältnis von physikalischen Größen, insbesondere eine Verstärkung von physikalischen Größen. Die Werte der physikalischen Größe sind an der oder mit der Steuereinheit einstellbar und steuern und/oder versorgen die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts derart, dass gewünschte physikalische Wirkungen, beispielsweise das Erzeugen von bestimmten Magnetfeldern und/oder elektrostatischer Felder, erzielt werden.
  • Nachfolgend werden Beispiele von Steuerparametern der Steuereinheit näher erläutert.
  • Ein erster Steuerparameter der Steuereinheit dient der Einstellung der sogenannten Landeenergie der geladenen Teilchen des Teilchenstrahls auf dem Objekt.
  • Beim Auftreffen auf das Objekt weisen die geladenen Teilchen diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der geladenen Teilchen die Energie, mit welcher das Objekt untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der geladenen Teilchen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die geladenen Teilchen durch eine Strahlsäule des Teilchenstrahlgeräts geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die geladenen Teilchen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt auf die Landeenergie abzubremsen. Dies wird weiter unten näher erläutert. Die Landeenergie der geladenen Teilchen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Im Abbildungsmodus wird bevorzugt eine Landeenergie von 1 keV oder kleiner verwendet. Im Analysemodus, der weiter unten näher erläutert wird, wird bevorzugt eine Landeenergie im Bereich von 10 keV bis 20 keV verwendet. Die Erfindung ist aber nicht auf die vorgenannten Bereiche der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist.
  • Ein zweiter Steuerparameter der Steuereinheit stellt den Kontrast im erzeugten Bild ein. Der Kontrast ist im Grunde der Helligkeitsunterschied (also der Intensitätsunterschied) zwischen dem hellsten Pixel mit maximaler Leuchtdichte Lmax und dem dunkelsten Pixel mit minimaler Leuchtdichte Lmin eines Bildes. Ein geringer Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen geringen Kontrast. Ein hoher Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen hohen Kontrast. Der Kontrast kann beispielsweise als Weber-Kontrast oder als Michelson-Kontrast angegeben werden. Dabei gilt für den Weber-Kontrast: K w = L m a x L m i n − 1   m i t   0 ≤ K W ≤ ∞
    Figure DE202021004363U1_0001
  • Für den Michelson-Kontrast gilt: K M = L m a x − L m i n L m a x + L m i n   m i t   0 ≤ K M ≤ 1
    Figure DE202021004363U1_0002
  • Der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Sekundärelektronen erzeugt wird, wird von der Topographie der Oberfläche des Objekts bestimmt. Hingegen wird der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Rückstreuelektronen erzeugt wird, im Wesentlichen vom Material des abgebildeten Objektbereichs bestimmt. Dieser wird auch Materialkontrast genannt. Der Materialkontrast hängt von der mittleren Kernladungszahl des abgebildeten Bereichs des Objekts ab. Der Kontrast wird beispielsweise umso größer, je größer ein Verstärkungsfaktor an einem Verstärker des Detektors eingestellt wird, wobei mit dem Detektor die Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen detektiert werden. Der Verstärker verstärkt das durch den Detektor erzeugte Detektionssignal. Analog hierzu wird der Kontrast beispielsweise umso kleiner, je kleiner der Verstärkungsfaktor an dem Verstärker des Detektors eingestellt wird. Ein dritter Steuerparameter der Steuereinheit stellt die Helligkeit (also „Brightness“) im erzeugten Bild ein. Die Helligkeit wird in einem Bild im Grunde auf jedes Pixel im Bild bezogen. Ein erstes Pixel mit einem höheren Helligkeitswert als ein zweites Pixel erscheint im Bild heller als das zweite Pixel. Die Einstellung der Helligkeit erfolgt beispielsweise durch Einstellung eines Verstärkungsfaktors des Detektionssignals des Detektors. Die Helligkeit eines jeden Pixels im Bild wird hierbei identisch erhöht oder erniedrigt, beispielsweise auch unter Heranziehung einer in einer Speichereinheit hinterlegten Farbtabelle, wobei eine bestimmte Helligkeit einer in der Farbtabelle aufgenommenen Farbe entspricht. Ein vierter Steuerparameter der Steuereinheit dient beispielsweise zur Ansteuerung einer Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts, mit welcher eine Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt eingestellt wird. Ein fünfter Steuerparameter der Steuereinheit dient der Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse. Beispielsweise dient die Steuereinheit der Einstellung von elektrostatischen und/oder magnetischen Einheiten des Teilchenstrahlgeräts, mit denen die Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse eingestellt wird. Darüber hinaus wird die Bildqualität eines Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale (also von Daten über das Objekt) von einem sechsten Steuerparameter der Steuereinheit zur Steuerung und Einstellung elektrostatischer und/oder magnetischer Ablenkeinheiten beeinflusst, welche im Teilchenstrahlgerät zu einem sogenannten „Beamshift“ verwendet werden. Hierdurch ist es möglich, die Position eines Scanbereichs auf dem Objekt einzustellen und gegebenenfalls den Scanbereich auf eine gewünschte Position zu verschieben. Dies kann ohne Verwendung eines Probentisches (nachfolgend auch Objekthalter genannt) erfolgen, an dem das Objekt angeordnet ist. Wenn beispielsweise der Scanbereich aus dem eigentlichen Bereich des Objekts, der mittels des Teilchenstrahlgeräts beobachtet wird, aufgrund einer Änderung der Einstellungen am Teilchenstrahlgerät herauswandert, wird bei einem „Beamshift“ durch translatorische Bewegungen der Teilchenstrahl derart verschoben, dass der Rasterbereich wieder im gewünschten beobachteten Bereich liegt. Auch ein in dem Teilchenstrahlgerät eingesetzter Stigmator kann die Bildqualität des Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale beeinflussen. Der Stigmator, ein magnetisches und/oder elektrostatisches Multipolelement, wird insbesondere zur Korrektur von Astigmatismus verwendet. Der Stigmator kann mit der Steuereinheit mittels eines siebten Steuerparameters eingestellt werden. Die Bildqualität eines Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale können/kann aber auch von der Position einer mechanisch verschiebbaren Einheit des Teilchenstrahlgeräts beeinflusst werden. Die Position der mechanisch verschiebbaren Einheit des Teilchenstrahlgeräts lässt sich beispielsweise mit einem achten Steuerparameter der Steuereinheit einstellen. Beispielsweise wird die Bildqualität von der Position einer Aperturblende beeinflusst, welche zur Formung und Begrenzung des Teilchenstrahls im Teilchenstrahlgerät eingesetzt wird. Alternativ oder zusätzlich hierzu ist es vorgesehen, die Position eines verstellbaren Probentisches zu ändern, an welchem das Objekt angeordnet ist. Dann ist es beispielsweise möglich, den Abstand zwischen dem Objekt und der Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts einzustellen. Dieser Abstand wird Arbeitsabstand genannt. Wenn das Objekt mit dem Teilchenstrahlgerät abgebildet wird (also im Abbildungsmodus), dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von 1 cm oder kleiner als 1 cm. Wenn Röntgenspektroskopie durchgeführt werden soll, dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von größer als 1 cm, beispielsweise zwischen 2 cm und 10 cm.
  • Die Bildqualität eines Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselstrahlung beruhenden Detektionssignale können/kann ferner von der sogenannten Scan-Rotation beeinflusst werden. Dies ist eine Rotation des Scanbereichs in der Ebene des Rasterbereichs um eine optische Achse des Teilchenstrahlgeräts. Die Scan-Rotation lässt sich beispielsweise mit einem neunten Steuerparameter der Steuereinheit einstellen. Mit einem zehnten Steuerparameter der Steuereinheit können Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts derart eingestellt werden, dass der Strom des Teilchenstrahls einstellbar ist. Beispielsweise sind die Funktionseinheiten als die Objektivlinse, die Aperturblende und/oder eine Kondensorlinse ausgebildet. Zur Erzeugung eines Bildes des Objekts wird ein Strom des Teilchenstrahls im Bereich von einigen Nanoampere verwendet. Ein derartiger Strom des Teilchenstrahls wird im Abbildungsmodus bevorzugt. Hingegen wird bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt ein Strom des Teilchenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere verwendet. Ein derartiger Strom des Teilchenstrahls wird in einem Analysemodus bevorzugt, der weiter unten näher erläutert wird. Mit einem elften Steuerparameter der Steuereinheit können Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts derart eingestellt werden, dass in einer Probenkammer des Teilchenstrahlgeräts ein Hochvakuum oder ein Druck herrscht, welcher nahezu dem Atmosphärendruck entspricht. Durch Einstellen des elften Steuerparameters der Steuereinheit wird beispielsweise eine an der Probenkammer angeordnete Pumpe angesteuert. Insbesondere wird die Probenkammer in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer vakuumtechnisch verschlossen. Wenn festgestellt wird, dass zum einen die Probenkammer im ersten Druckbereich betrieben wird und zum anderen sich das Objekt aufgrund der Zuführung des Teilchenstrahls auf das Objekt auflädt, dann wird der elfte Steuerparameter derart geändert, dass die Probenkammer im zweiten Druckbereich betrieben wird. Im zweiten Druckbereich wird dann beispielsweise ein Gas mit Ionen zu dem Objekt geführt, so dass die Ladung des Objekts auf der Oberfläche des Objekts neutralisiert wird. Eine Aufladung des Objekts liegt beispielsweise dann vor, wenn das Bild des Objekts instabil ist, insbesondere wenn die Helligkeit und/oder der Kontrast des Bilds des Objekts sich bei mehrfachen Scans über den identischen Bereich des Objekts ändern/ändert. Eine Aufladung des Objekts liegt beispielsweise auch dann vor, wenn sich nach einer Änderung der Richtung eines Scans durch eine Scanrotation immer noch dieselben Merkmale im Bild erkennbar sind und/oder wenn sich die Position des Objekts im Bild ändert. Zusätzlich oder alternativ hierzu wird eine Aufladung des Objekts beispielsweise durch Vergleich des Bilds des Objekts mit einem weiteren Bild des Objekts aus einer Datenbank erkannt, wobei das weitere Bild das Objekt mit Aufladungen zeigt. Für den Vergleich wird insbesondere maschinelles Lernen eingesetzt. Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ferner ein Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an. Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ebenfalls ein Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts auf das Objekt unter Verwendung mindestens einer Führungseinheit des Teilchenstrahlgeräts. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Teilchenstrahls auf das Objekt verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Teilchenstrahls, der dann zu dem Objekt geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als Objektivlinse zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Teilchenstrahl begrenzt wird. Die Führungseinheit ist insbesondere als die bereits erläuterte Funktionseinheit ausgebildet. Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit mindestens einem ersten Detektor des Teilchenstrahlgeräts, wobei die Wechselwirkungsteilchen aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgehen. Bei den Wechselwirkungsteilchen handelt es sich beispielsweise um aus dem Objekt emittierte Sekundärteilchen, beispielsweise Sekundärelektronen, am Objekt zurückgestreute Teilchen, die auch Rückstreuteilchen genannt werden, und/oder gestreute Teilchen, die beispielsweise in Richtung des Teilchenstrahls durch das Objekt transmittieren. Bei den Rückstreuteilchen handelt es sich beispielsweise um Rückstreuelektronen. Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten ein Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors. Ein Bild des Objekts wird mit der Steuereinheit unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt und mit einer Anzeigeeinheit des Teilchenstrahlgeräts angezeigt. Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist. Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten weist ein Auswählen eines Analysemodus des Teilchenstrahlgeräts unter Verwendung der Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts auf. Der Analysemodus ist der Modus des Teilchenstrahlgeräts, mit dem mindestens eine Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit dem Teilchenstrahl des Teilchenstrahlgeräts erzeugt wird. Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten ein Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters der Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus der Datenbank in die Steuereinheit. Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ferner ein Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an. Insbesondere ist es vorgesehen, dass mit dem zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters eine Landeenergie im Bereich von 10 keV bis 20 keV eingestellt wird. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass mit dem zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters ein Strom des Teilchenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere eingestellt wird. Wiederum zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass mit dem zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters der Arbeitsabstand auf einen Wert im Bereich von größer als 1 cm, beispielsweise im Bereich von 2 cm bis 10 cm, eingestellt wird. Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ebenfalls ein Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts auf das Objekt unter Verwendung der Führungseinheit des Teilchenstrahlgeräts. Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch ein Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit mindestens einem zweiten Detektor des Teilchenstrahlgeräts, wobei die Wechselwirkungsstrahlung aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgeht. Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht. Zur Detektion der Wechselwirkungsstrahlung wird beispielsweise ein Strahlungsdetektor, insbesondere ein EDX-Detektor und/oder ein WDX-Detektor, verwendet. Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten ein Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors. Eine Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) wird mit der Steuereinheit unter Verwendung der zweiten Detektionssignale erzeugt und mit der Anzeigeeinheit des Teilchenstrahlgeräts angezeigt. Wenn Röntgenstrahlung detektiert wird, kann beispielsweise energiedispersive Röntgenspektroskopie oder wellenlängendispersive Röntgenspektroskopie durchgeführt werden. Beide Spektroskopiearten ermöglichen eine Analyse der Materialzusammensetzung des Objekts. Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • Die Erfindung geht von der überraschenden Erkenntnis aus, dass geeignete Werte des Steuerparameters, die eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts zum einen und eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt zum anderen ermöglichen, in einer Datenbank des Teilchenstrahlgeräts gespeichert sind. Beispielsweise erfolgt die Speicherung des ersten Steuerparameterwertes und/oder des zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters in Abhängigkeit des Objekts. Hierdurch ist es möglich, zum einen für eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt von der Datenbank in die Steuereinheit automatisch zu laden und die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts entsprechend mittels der Steuereinheit anzusteuern. Zum anderen ist es möglich, für eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt von der Datenbank in die Steuereinheit automatisch zu laden und die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts entsprechend mittels der Steuereinheit anzusteuern. Ein manuelles Einstellen der Steuerparameterwerte des Steuerparameters durch einen Anwender des Teilchenstrahlgeräts ist daher nicht mehr zwingend erforderlich. Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zunächst geeignete Werte für den ersten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank zu speichern. So ist es bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung vorgesehen, dass vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: (a) Ansteuern der Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit, so dass das Bild des Objekts mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; sowie (b) Speichern des wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank. Die gewünschte Bildqualität kann beispielsweise mittels objektiver Kriterien bestimmt werden. Beispielsweise ist die Bildqualität eines Bildes umso besser, je besser die Auflösung im Bild ist oder je besser der Kontrast ist. Alternativ kann die Bildqualität anhand von subjektiven Kriterien bestimmt werden. Hierbei legt ein Anwender individuell fest, ob ihm eine erzielte Bildqualität ausreicht oder nicht. Dabei kann es aber durchaus vorkommen, dass die von einem ersten Anwender für ausreichend gut befundene Bildqualität einem zweiten Anwender nicht ausreicht. Beispielsweise kann die Bildqualität eines Bildes eines Objekts auch anhand des Signal-Rausch-Verhältnisses des Detektorsignals bestimmt werden. Bei einem Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 0 bis 5 ist die Bildqualität nicht ausreichend gut. Beispielsweise spricht man von einem guten Signal-Rausch-Verhältnis (und damit auch von einer guten sowie ausreichenden Bildqualität), wenn das Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 20 bis 40 liegt. Auch die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Teilchenstrahl, der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen aufweist) kann ein Maß für die Bildqualität sein. Die Sekundärelektronen können in unterschiedliche Raumwinkel aus dem Objekt emittiert werden. Ferner können die Rückstreuelektronen in verschiedene Raumwinkel an dem Objekt zurückgestreut werden. Die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Raumwinkel, in welchem der Sekundärteilchenstrahl verläuft), kann durch Kippung des Teilchenstrahls und/oder des Objekts zur optischen Achse des Teilchenstrahlgeräts beeinflusst werden. Hierdurch ist es zum einen möglich, die Richtung des Sekundärteilchenstrahls derart zu wählen, dass der Sekundärteilchenstrahl auf einen gewünschten Detektor trifft. Zum anderen lassen sich durch die oben genannte Kippung sowohl die Anzahl der erzeugten Sekundärelektronen als auch die Anzahl der zurückgestreuten Rückstreuelektronen beeinflussen. Wenn beispielsweise der Teilchenstrahl parallel zu einem Kristallgitter eines Objekts in das Objekt eintritt, so nimmt die Anzahl der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen ab. Das Detektionssignal wird schwächer. Dies führt zu einer Verminderung der Bildqualität. Durch Einstellung der Kippung des Teilchenstrahls kann die Anzahl der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen erhöht werden. Mit einer derartigen Einstellung ist es möglich, Kristalle mit einer ersten Orientierung von Kristallen mit einer zweiten Orientierung anhand der Stärke des Detektionssignals zu unterscheiden. Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchgeführt werden. So erfolgt ein Einstellen der Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Wie oben bereits erläutert, weisen beim Auftreffen auf das Objekt die geladenen Teilchen diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der geladenen Teilchen die Energie, mit welcher das Objekt untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der geladenen Teilchen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die geladenen Teilchen durch eine Strahlsäule des Teilchenstrahlgeräts geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die geladenen Teilchen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt auf die Landeenergie abzubremsen. Dies wird weiter unten näher erläutert. Die Landeenergie der geladenen Teilchen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Die Erfindung ist aber nicht auf den vorgenannten Bereich der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass das Bild des Objekts mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Bildqualität wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird die Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass ein weiteres Bild des Objekts mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Auch hier wird hinsichtlich der gewünschten Bildqualität auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner wird ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Der funktionale Zusammenhang wird in der Datenbank zur Berechnung des ersten Steuerparameterwertes vor dem Laden des ersten Steuerparameterwertes aus der Datenbank in die Steuereinheit gespeichert. Bei einer noch weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zunächst geeignete Werte für den zweiten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank zu speichern. So ist es bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung vorgesehen, dass vor Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: (a) Ansteuern der Funktionseinheit mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit, so dass eine gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) erzielt wird; sowie (b) Speichern des noch weiteren wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank. Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, vor Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen. So erfolgt ein Einstellen der Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen weiteren ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Hinsichtlich der Landeenergie sowie des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie wird auf die oben gemachten Anmerkungen verwiesen, die auch hier gelten. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine erste gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Darstellung von Daten über das Objekt wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird die Landeenergie auf einen weiteren zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine zweite gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Darstellung von Daten über das Objekt wird auch hier auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner wird ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert und dem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Der funktionale Zusammenhang wird in der Datenbank zur Berechnung des zweiten Steuerparameterwertes vor dem Laden des zweiten Steuerparameterwertes aus der Datenbank in die Steuereinheit gespeichert. Um eine gewünschte Bildqualität eines Bildes eines Objekts und/oder eine gewünschte Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt zu erzielen, ist es bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung vorgesehen, dass ein Anwender möglichst viele der oben genannten Steuerparameter und/oder weitere hier näher nicht genannte Steuerparameter berücksichtigt, wobei die mit den einzelnen Steuerparametern erzielten physikalischen Wirkungen sich wiederum untereinander beeinflussen. Der Anmelderin sind die folgenden weiteren Vorgehensweisen zur Ermittlung geeigneter Werte der Steuerparameter bekannt, mit denen eine gewünschte Bildqualität und/oder Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt erzielt werden können/kann. Beispielsweise kann man mit mathematischen Modellen geeignete Werte der einzelnen Steuerparameter ermitteln, um eine gewünschte Bildqualität und/oder Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt zu erzielen. Allerdings sind diese berechneten und theoretischen Werte der Steuerparameter oft nicht geeignet, um eine wirklich gute Bildqualität und/oder gute Darstellung der Daten über das Objekt zu erzielen. Dies kann daran liegen, dass beispielsweise nicht alle Steuerparameter in den mathematischen Modellen berücksichtigt werden und/oder die mathematischen Modelle auf vereinfachten Annahmen basieren, die in der Realität komplexer sind. Bei einer weiteren Vorgehensweise ist es vorgesehen, die Werte der verschiedenen Steuerparameter experimentell zu ermitteln, wobei beispielsweise für die experimentelle Ermittlung eine Referenzprobe verwendet wird. Die ermittelten Werte der Steuerparameter werden zur Einstellung der Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts verwendet. Von Nachteil ist jedoch, dass ein zu untersuchendes und abzubildendes Objekt allerdings nicht immer mit der Referenzprobe übereinstimmt, insbesondere hinsichtlich der Materialzusammensetzung und der Topographie. Dies kann zu Abbildungsfehlern und somit zu einer Verschlechterung der tatsächlich erzielten Bildqualität führen. Eine weitere Vorgehensweise ist die Einstellung der Bildqualität und/oder der Darstellung der Daten über das Objekt durch manuelles Suchen der gewünschten Bildqualität für ein abzubildendes Objekt und/oder der gewünschten Darstellung der Daten über das Objekt. Hierbei wird zunächst die gewünschte Landeenergie der Elektronen ausgewählt, mit welcher die Teilchen des Teilchenstrahls auf das zu untersuchende Objekt auftreffen. Im Anschluss daran werden die Helligkeit, der Kontrast, die Fokussierung, die Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse, der Beamshift und/oder die Position der Funktionseinheit derart solange durch Versuche variiert und aufeinander abgestimmt, bis die gewünschte Bildqualität und/oder die gewünschte Darstellung der Daten über das Objekt erzielt sind/ist. Bei einer noch weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein Bereich auf dem Objekt bestimmt wird, zu dem der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird. Insbesondere ist es dabei vorgesehen, dass beim Durchführen der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten vor dem Detektieren der Wechselwirkungsstrahlung zunächst nochmals Wechselwirkungsteilchen mit dem ersten Detektor des Teilchenstrahlgeräts detektiert werden, weitere erste Detektionssignale mit dem ersten Detektor detektiert werden, ein weiteres Bild des Objekts mit der Steuereinheit unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt wird und der Teilchenstrahl auf den Bereich unter Verwendung des weiteren Bildes des Objekts fokussiert wird. Da es durchaus sein kann, dass der zuvor ausgewählte Bereich aufgrund der Umstellung der Werte des Steuerparameters nicht mehr im Sichtfeld des Teilchenstrahlgeräts liegt, wird hierdurch sichergestellt, dass bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten, die ja einen anderen Steuerparameterwert als die Verfahrensschritte der ersten Gruppe verwenden, der Teilchenstrahl stets zu dem Bereich, der analysiert werden soll, geführt wird. Insbesondere wird bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung hierzu ein besonderes Merkmal auf der Oberfläche des Objekts im Bild des Objekts identifiziert. Dieses besondere Merkmal sollte ebenfalls im weiteren Bild des Objekts zu sehen sein und wird als Orientierung derart verwendet, dass der Teilchenstrahl auf den zuvor ausgewählten Bereich bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird. Bei einer noch weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein erster Bereich auf dem Objekt und ein zweiter Bereich auf dem Objekt bestimmt werden. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden ein erster Bereich auf dem Objekt und ein zweiter Bereich auf dem Objekt ausgewählt. Bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten wird der Teilchenstrahl zu dem ersten Bereich geführt. Zusätzlich oder alternativ hierzu wird bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten der Teilchenstrahl zu dem zweiten Bereich geführt. Beispielsweise wird der Teilchenstrahl bei der Durchführung der Verfahrensschritte der ersten Gruppe zunächst zu dem ersten Bereich und im Anschluss daran zu dem zweiten Bereich geführt. Ferner wird beispielsweise der Teilchenstrahl bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zunächst zu dem ersten Bereich und im Anschluss daran zu dem zweiten Bereich geführt. Alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem ersten Bereich und im Anschluss daran bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten wieder zu dem ersten Bereich geführt wird. Im Anschluss daran wird bei einer erneuten Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten der Teilchenstrahl zu dem zweiten Bereich und im Anschluss daran bei der erneuten Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten wieder zu dem zweiten Bereich geführt. Die Erfindung ist aber nicht auf diese Reihenfolge eingeschränkt. Vielmehr kann jede Reihenfolge verwendet werden, die für die Erfindung geeignet ist. Ferner ist es beispielsweise bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung vorgesehen, das Bild des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs zu einem einzelnen Bild zusammenzusetzen. Gleiches gilt analog für die Darstellung von Daten über das Objekt Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass mindestens einer der folgenden Verfahrensschritte durchgeführt wird: (a) Speichern der Position des ersten Bereichs in der Datenbank; (b) Speichern der Position des zweiten Bereichs in der Datenbank; (c) Festlegen für den ersten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank; sowie (d) Festlegen für den zweiten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank. Die vorgenannten Verfahrensschritte (c) und (d) sind deshalb von Vorteil, weil auch der Ort, an dem die Wechselwirkungsstrahlung entsteht, bestimmt wird. Damit ist es möglich, die Materialzusammensetzung an einem bestimmten Ort des Objekts genau zu bestimmen. Wie oben bereits ausgeführt, ist es bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten zunächst für den ersten Bereich durchgeführt werden und dass im Anschluss daran die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten für den zweiten Bereich durchgeführt werden.
  • Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zusätzlich zu der oben genannten Funktionseinheit mindestens eine weitere Funktionseinheit zu verwenden. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung sind die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts eine erste Funktionseinheit, der Steuerparameter ein erster Steuerparameter und die Steuereinheit eine erste Steuereinheit zur Einstellung der ersten Funktionseinheit. Ferner weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine zweite Funktionseinheit zur Führung des Teilchenstrahls auf das Objekt auf. Hinsichtlich der möglichen Ausbildung der Funktionseinheit wird auf die weiter oben gemachten Ausführungen verwiesen, die auch hier gelten. Darüber hinaus weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine zweite Steuereinheit zum Ansteuern der zweiten Funktionseinheit unter Verwendung eines zweiten Steuerparameters auf. In der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung zusätzlich die folgenden Verfahrensschritte auf:
    • - Laden eines ersten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der zweiten Steuereinheit zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus einer Datenbank in die Steuereinheit. Hinsichtlich der Eigenschaften des zweiten Steuerparameters wird auf die Ausführungen zum Steuerparameter weiter oben verwiesen, die auch hier gelten;
    • - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die zweite Steuereinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an;
    • - Erzeugen von dritten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors; sowie
    • - Erzeugen des Bildes des Objekts mit der zweiten Steuereinheit unter Verwendung der dritten Detektionssignale.
  • Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • In der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung zusätzlich die folgenden Verfahrensschritte auf:
    • - Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der zweiten Steuereinheit zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus der Datenbank in die zweite Steuereinheit;
    • - Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die zweite Steuereinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an;
    • - Erzeugen von vierten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors; sowie
    • - Erzeugen der Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit der zweiten Steuereinheit unter Verwendung der vierten Detektionssignale.
  • Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass als zweite Steuereinheit die erste Steuereinheit verwendet wird. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird als erste Steuereinheit und als zweite Steuereinheit eine identische Steuereinheit verwendet.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass zunächst die erste Gruppe von Verfahrensschritten, dann die zweite Gruppe von Verfahrensschritten und dann erneut die erste Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt werden. Ferner ist es insbesondere vorgesehen, dass nach dem erneuten Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten erneut die Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt werden. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten alternierend (also abwechselnd) durchgeführt.
  • Bei einer noch weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass das Verfahren mindestens einen der folgenden Verfahrensschritte aufweist:
    • - der zweite Detektor wird bei Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten in eine erste Position bewegt und bei Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten in eine zweite Position bewegt, wobei die erste Position weiter von dem Objekt als die zweite Position beabstandet ist. Auf diese Weise ist sichergestellt, dass die Wechselwirkungsstrahlung ausreichend gut mit dem in der zweiten Position angeordneten zweiten Detektor detektiert werden kann, da der Raumwinkel zur Detektion quadratisch mit dem Abstand zwischen dem zweiten Detektor und dem Objekt abnimmt. Wenn keine Wechselwirkungsstrahlung detektiert werden soll, dann wird der zweite Detektor in die erste Position bewegt. Dadurch ist es beispielsweise auch möglich, die Objektivlinse relativ zu dem Objekt mit einem Abstand von bis zu 5 mm anzuordnen;
    • - als zweiter Detektor wird der erste Detektor verwendet. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird als erster Detektor und als zweiter Detektor ein identischer Detektor verwendet.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, der in einen Prozessor eines Teilchenstrahlgeräts ladbar ist oder geladen ist, wobei der Programmcode bei Ausführung in dem Prozessor das Teilchenstrahlgerät derart steuert, dass ein Verfahren mit mindestens einem der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale oder mit einer Kombination von mindestens zwei der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale durchgeführt wird.
  • Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt, wobei das Teilchenstrahlgerät bereits weiter oben erläutert wurde und weiter unten präzisiert wird. Nachfolgend wird dies kurz zusammengefasst. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist mindestens einen Strahlerzeuger zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Die geladenen Teilchen sind beispielsweise Elektronen oder Ionen. Das Teilchenstrahlgerät weist auch einen beweglich ausgebildeten Objekthalter auf, an dem das Objekt angeordnet werden kann. Ferner weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine Funktionseinheit auf. Unter einer Funktionseinheit wird vorstehend und auch nachstehend eine Baueinheit des Teilchenstrahlgeräts verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Teilchenstrahlgerät einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist.
  • Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist darüber hinaus mindestens eine Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheit auf. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens eine Führungseinheit zum Führen des Teilchenstrahls auf das Objekt auf. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die Funktionseinheit ausgebildet. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen ersten Detektor zur Detektion von Wechselwirkungsteilchen auf, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgehen. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen zweiten Detektor zur Detektion von Wechselwirkungsstrahlung auf, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgeht. Ferner ist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mit mindestens einer Anzeigeeinheit zum Anzeigen eines Bildes des Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt versehen, wobei das Bild und/oder die Darstellung basierend auf Detektionssignalen erzeugt werden/wird, welche durch die detektierte(n) Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung generiert werden. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät einen Prozessor auf, in dem ein Computerprogrammprodukt mit den bereits weiter oben genannten Merkmalen geladen ist.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts umfasst die Führungseinheit mindestens eines der folgenden Merkmale:
    • - mindestens eine Objektivlinse zur Fokussierung des Teilchenstrahls,
    • - mindestens eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit, wobei diese beispielsweise zur Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse, zur Einstellung der Rastergeschwindigkeit des Teilchenstrahls bei einer Rasterung des Teilchenstrahls über das Objekt oder zur Einstellung eines „Beamshift“ verwendet wird,
    • - mindestens einen Stigmator,
    • - mindestens eine mechanisch verstellbare Blendeneinheit, sowie
    • - mindestens eine Kondensorlinse.
  • Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts umfasst die Funktionseinheit den beweglich ausgebildeten Objekthalter.
  • Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Strahlerzeuger als ein erster Strahlerzeuger und der Teilchenstrahl als ein erster Teilchenstrahl mit ersten geladenen Teilchen ausgebildet ist. Die Führungseinheit ist als eine erste Führungseinheit zur Führung des ersten Teilchenstrahls auf das Objekt ausgebildet. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen zweiten Strahlerzeuger zur Erzeugung eines zweiten Teilchenstrahls mit zweiten geladenen Teilchen auf. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens eine zweite Führungseinheit zur Führung des zweiten Teilchenstrahls auf das Objekt auf.
  • Insbesondere ist es vorgesehen, das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät als Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät auszubilden.
  • Weitere praktische Ausführungsformen und Vorteile der Erfindung sind nachfolgend im Zusammenhang mit den Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts;
    • 1A eine schematische Darstellung einer Steuereinheit, die mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts gemäß 1 verbunden ist;
    • 2 eine schematische Darstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts;
    • 2A eine schematische Darstellung einer Steuereinheit, die mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts gemäß 2 verbunden ist;
    • 3 eine schematische Darstellung eines noch weiteren erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts;
    • 3A eine schematische Darstellung einer Steuereinheit, die mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts gemäß 3 verbunden ist;
    • 4 ein Ablaufdiagramm einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 5 ein Ablaufdiagramm einer ersten Gruppe von Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 6 ein Ablaufdiagramm einer zweiten Gruppe von Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 7 ein Ablaufdiagramm von weiteren Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 8 ein Ablaufdiagramm von noch weiteren Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 9 ein Ablaufdiagramm von wiederum weiteren Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 10 ein Ablaufdiagramm von Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 11 ein Ablaufdiagramm von weiteren Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 12 ein Ablaufdiagramm von noch weiteren Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 13 einen weiteren Verfahrensschritt des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 14 ein Ablaufdiagramm von weiteren Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 15 einen wiederum weiteren Verfahrensschritt des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 16 ein Ablaufdiagramm von noch weiteren Verfahrensschritten des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung;
    • 17 einen weiteren Verfahrensschritt des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung; sowie
    • 18 einen wiederum weiteren Verfahrensschritt des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung.
  • Die Erfindung wird nun mittels Teilchenstrahlgeräten in Form eines SEM und in Form eines Kombinationsgeräts, das eine Elektronenstrahlsäule und eine Ionenstrahlsäule aufweist, näher erläutert. Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass die Erfindung bei jedem Teilchenstrahlgerät, insbesondere bei jedem Elektronenstrahlgerät und/oder jedem lonenstrahlgerät eingesetzt werden kann.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung eines SEM 100. Das SEM 100 weist einen ersten Strahlerzeuger in Form einer Elektronenquelle 101 auf, welche als Kathode ausgebildet ist. Ferner ist das SEM 100 mit einer Extraktionselektrode 102 sowie mit einer Anode 103 versehen, die auf ein Ende eines Strahlführungsrohrs 104 des SEM 100 aufgesetzt ist. Beispielsweise ist die Elektronenquelle 101 als thermischer Feldemitter ausgebildet. Die Erfindung ist allerdings nicht auf eine derartige Elektronenquelle 101 eingeschränkt. Vielmehr ist jede Elektronenquelle verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • Elektronen, die aus der Elektronenquelle 101 austreten, bilden einen Primärelektronenstrahl. Die Elektronen werden aufgrund einer Potentialdifferenz zwischen der Elektronenquelle 101 und der Anode 103 auf Anodenpotential beschleunigt. Das Anodenpotential beträgt bei der hier dargestellten Ausführungsform 100 V bis 35 kV gegenüber einem Massepotential eines Gehäuses einer Probenkammer 120, beispielsweise 5 kV bis 15 kV, insbesondere 8 kV. Es könnte aber alternativ auch auf Massepotential liegen.
  • An dem Strahlführungsrohr 104 sind zwei Kondensorlinsen angeordnet, nämlich eine erste Kondensorlinse 105 und eine zweite Kondensorlinse 106. Dabei sind ausgehend von der Elektronenquelle 101 in Richtung einer ersten Objektivlinse 107 gesehen zunächst die erste Kondensorlinse 105 und dann die zweite Kondensorlinse 106 angeordnet. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass weitere Ausführungsformen des SEM 100 nur eine einzelne Kondensorlinse aufweisen können. Zwischen der Anode 103 und der ersten Kondensorlinse 105 ist eine erste Blendeneinheit 108 angeordnet. Die erste Blendeneinheit 108 liegt zusammen mit der Anode 103 und dem Strahlführungsrohr 104 auf Hochspannungspotential, nämlich dem Potential der Anode 103 oder auf Masse. Die erste Blendeneinheit 108 weist zahlreiche erste Blendenöffnungen 108A auf, von denen eine in 1 dargestellt ist. Beispielsweise sind zwei erste Blendenöffnungen 108A vorhanden. Jede der zahlreichen ersten Blendenöffnungen 108A weist einen unterschiedlichen Öffnungsdurchmesser auf. Mittels eines Verstellmechanismus (nicht dargestellt) ist es möglich, eine gewünschte erste Blendenöffnung 108A auf eine optische Achse OA des SEM 100 einzustellen. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass bei weiteren Ausführungsformen die erste Blendeneinheit 108 nur mit einer einzigen ersten Blendenöffnung 108A versehen sein kann. Bei dieser Ausführungsform kann ein Verstellmechanismus nicht vorgesehen sein. Die erste Blendeneinheit 108 ist dann ortsfest ausgebildet. Zwischen der ersten Kondensorlinse 105 und der zweiten Kondensorlinse 106 ist eine ortsfeste zweite Blendeneinheit 109 angeordnet. Alternativ hierzu ist es vorgesehen, die zweite Blendeneinheit 109 beweglich auszubilden.
  • Die erste Objektivlinse 107 weist Polschuhe 110 auf, in denen eine Bohrung ausgebildet ist. Durch diese Bohrung ist das Strahlführungsrohr 104 geführt. In den Polschuhen 110 ist eine Spule 111 angeordnet.
  • In einem unteren Bereich des Strahlführungsrohrs 104 ist eine elektrostatische Verzögerungseinrichtung angeordnet. Diese weist eine einzelne Elektrode 112 und eine Rohrelektrode 113 auf. Die Rohrelektrode 113 ist an einem Ende des Strahlführungsrohrs 104 angeordnet, welches einem Objekt 125 zugewandt ist, das an einem beweglich ausgebildeten Objekthalter 114 angeordnet ist.
  • Die Rohrelektrode 113 liegt gemeinsam mit dem Strahlführungsrohr 104 auf dem Potential der Anode 103, während die einzelne Elektrode 112 sowie das Objekt 125 auf einem gegenüber dem Potential der Anode 103 niedrigeren Potential liegen. Im vorliegenden Fall ist dies das Massepotential des Gehäuses der Probenkammer 120. Auf diese Weise können die Elektronen des Primärelektronenstrahls auf eine gewünschte Energie abgebremst werden, die für die Untersuchung des Objekts 125 gewünscht ist.
  • Das SEM 100 weist ferner eine Scaneinrichtung 115 auf, durch die der Primärelektronenstrahl abgelenkt und über das Objekt 125 gescannt (bzw. gerastert) werden kann. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem Objekt 125. Als Folge der Wechselwirkung entstehen Wechselwirkungsteilchen, welche detektiert werden. Als Wechselwirkungsteilchen werden insbesondere Elektronen aus der Oberfläche des Objekts 125 emittiert - sogenannte Sekundärelektronen - oder Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut - sogenannte Rückstreuelektronen.
  • Das Objekt 125 und die einzelne Elektrode 112 können auch auf unterschiedlichen und von Masse verschiedenen Potentialen liegen. Hierdurch ist es möglich, den Ort der Verzögerung des Primärelektronenstrahls in Bezug auf das Objekt 125 einzustellen. Wird beispielsweise die Verzögerung recht nahe am Objekt 125 durchgeführt, werden Abbildungsfehler kleiner.
  • Zur Detektion der Sekundärelektronen und/oder der Rückstreuelektronen ist eine Detektoranordnung im Strahlführungsrohr 104 angeordnet, die einen ersten Detektor 116 und einen zweiten Detektor 117 aufweist. Der erste Detektor 116 ist dabei entlang der optischen Achse OA quellenseitig angeordnet, während der zweite Detektor 117 objektseitig entlang der optischen Achse OA im Strahlführungsrohr 104 angeordnet ist. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 sind in Richtung der optischen Achse OA des SEM 100 versetzt zueinander angeordnet. Sowohl der erste Detektor 116 als auch der zweite Detektor 117 weisen jeweils eine Durchgangsöffnung auf, durch welche der Primärelektronenstrahl treten kann. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 liegen annähernd auf dem Potential der Anode 103 und des Strahlführungsrohrs 104. Die optische Achse OA des SEM 100 verläuft durch die jeweiligen Durchgangsöffnungen.
  • Der zweite Detektor 117 dient hauptsächlich der Detektion von Sekundärelektronen. Die Sekundärelektronen weisen beim Austritt aus dem Objekt 125 zunächst eine geringe kinetische Energie und beliebige Bewegungsrichtungen auf. Durch das von der Rohrelektrode 113 ausgehende starke Absaugfeld werden die Sekundärelektronen in Richtung der ersten Objektivlinse 107 beschleunigt. Die Sekundärelektronen treten annähernd parallel in die erste Objektivlinse 107 ein. Der Bündeldurchmesser des Strahls der Sekundärelektronen bleibt auch in der ersten Objektivlinse 107 klein. Die erste Objektivlinse 107 wirkt nun stark auf die Sekundärelektronen und erzeugt einen vergleichsweise kurzen Fokus der Sekundärelektronen mit ausreichend steilen Winkeln zur optischen Achse OA, so dass die Sekundärelektronen nach dem Fokus weit auseinander laufen und den zweiten Detektor 117 auf seiner aktiven Fläche treffen. An dem Objekt 125 zurückgestreute Elektronen - also Rückstreuelektronen, die im Vergleich zu den Sekundärelektronen eine relativ hohe kinetische Energie beim Austritt aus dem Objekt 125 aufweisen - werden dagegen vom zweiten Detektor 117 nur zu einem geringen Anteil erfasst. Die hohe kinetische Energie und die Winkel der Rückstreuelektronen zur optischen Achse OA bei Austritt aus dem Objekt 125 führen dazu, dass eine Strahltaille, also ein Strahlbereich mit minimalem Durchmesser, der Rückstreuelektronen in der Nähe des zweiten Detektors 117 liegt. Ein großer Teil der Rückstreuelektronen tritt durch die Durchgangsöffnung des zweiten Detektors 117 hindurch. Der erste Detektor 116 dient daher im Wesentlichen zur Erfassung der Rückstreuelektronen.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des SEM 100 kann der erste Detektor 116 zusätzlich mit einem Gegenfeldgitter 116A ausgebildet sein. Das Gegenfeldgitter 116A ist an der zum Objekt 125 gerichteten Seite des ersten Detektors 116 angeordnet. Das Gegenfeldgitter 116A weist ein hinsichtlich des Potentials des Strahlführungsrohrs 104 negatives Potential derart auf, dass nur Rückstreuelektronen mit einer hohen Energie durch das Gegenfeldgitter 116A zu dem ersten Detektor 116 gelangen. Zusätzlich oder alternativ weist der zweite Detektor 117 ein weiteres Gegenfeldgitter auf, das analog zum vorgenannten Gegenfeldgitter 116A des ersten Detektors 116 ausgebildet ist und eine analoge Funktion aufweist.
  • Ferner weist das SEM 100 in der Probenkammer 120 einen Kammerdetektor 119 auf, beispielsweise einen Everhart-Thornley-Detektor oder einen Ionendetektor, welcher eine mit Metall beschichtete Detektionsfläche aufweist, welche Licht abschirmt.
  • Die mit dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 und dem Kammerdetektor 119 erzeugten Detektionssignale werden verwendet, um ein Bild oder Bilder der Oberfläche des Objekts 125 zu erzeugen.
  • Es wird explizit darauf hingewiesen, dass die Blendenöffnungen der ersten Blendeneinheit 108 und der zweiten Blendeneinheit 109 sowie die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 übertrieben dargestellt sind. Die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 haben eine Ausdehnung senkrecht zur optischen Achse OA im Bereich von 0,5 mm bis 5 mm. Beispielsweise sind sie kreisförmig ausgebildet und weisen einen Durchmesser im Bereich von 1 mm bis 3 mm senkrecht zur optischen Achse OA auf.
  • Die zweite Blendeneinheit 109 ist bei der hier dargestellten Ausführungsform als Lochblende ausgestaltet und ist mit einer zweiten Blendenöffnung 118 für den Durchtritt des Primärelektronenstrahls versehen, welche eine Ausdehnung im Bereich vom 5 µm bis 500 µm aufweist, beispielsweise 35 µm. Alternativ hierzu ist es bei einer weiteren Ausführungsform vorgesehen, dass die zweite Blendeneinheit 109 mit mehreren Blendenöffnungen versehen ist, die mechanisch zum Primärelektronenstrahl verschoben werden können oder die unter Verwendung von elektrischen und/oder magnetischen Ablenkelementen vom Primärelektronenstrahl erreicht werden können. Die zweite Blendeneinheit 109 ist als eine Druckstufenblende ausgebildet. Diese trennt einen ersten Bereich, in welchem die Elektronenquelle 101 angeordnet ist und in welchem ein Ultrahochvakuum herrscht (10-7 hPa bis 10-12 hPa), von einem zweiten Bereich, der ein Hochvakuum aufweist (10-3 hPa bis 10-7 hPa). Der zweite Bereich ist der Zwischendruckbereich des Strahlführungsrohrs 104, welcher zur Probenkammer 120 hinführt.
  • Die Probenkammer 120 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 120 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 1 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 120 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 120 vakuumtechnisch verschlossen.
  • Der Objekthalter 114 ist an einem Probentisch 122 angeordnet. Der Probentisch 122 ist in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 122 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden. Die Erfindung ist nicht auf den vorbeschriebenen Probentisch 122 eingeschränkt. Vielmehr kann der Probentisch 122 weitere Translationsachsen und Rotationsachsen aufweisen, entlang derer oder um welche sich der Probentisch 122 bewegen kann.
  • Das SEM 100 weist ferner einen dritten Detektor 121 auf, welcher in der Probenkammer 120 angeordnet ist. Genauer gesagt, ist der dritte Detektor 121 von der Elektronenquelle 101 aus gesehen entlang der optischen Achse OA hinter dem Probentisch 122 angeordnet. Der Probentisch 122 und somit der Objekthalter 114 können derart gedreht werden, dass das am Objekthalter 114 angeordnete Objekt 125 vom Primärelektronenstrahl durchstrahlt werden kann. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt 125 treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts 125 in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt 125 hindurchtretenden Elektronen werden durch den dritten Detektor 121 detektiert.
  • An der Probenkammer 120 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500, der erste Detektor 116, der zweite Detektor 117 und der Kammerdetektor 119 sind mit einer Steuereinheit 123 verbunden, welche einen Monitor 124 aufweist. Auch der dritte Detektor 121 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden. Dies ist aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt. Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale, welche von dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117, dem Kammerdetektor 119, dem dritten Detektor 121 und/oder dem Strahlungsdetektor 500 erzeugt werden und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.
  • Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden. Ferner ist die Steuereinheit 123 mit der Scaneinrichtung 115 verbunden. Darüber hinaus ist die Steuereinheit 123 mit weiteren Einheiten des SEM 100 verbunden. Dies wird weiter unten näher dargestellt.
  • Die Steuereinheit 123 des SEM 100 weist einen Prozessor auf. In den Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des SEM 100 ausführt. Dies wird weiter unten näher erläutert.
  • 1A zeigt eine schematische Darstellung der Steuereinheit 123 des SEM 100. Wie bereits weiter oben teilweise ausgeführt, ist die Steuereinheit 123 des SEM 100 mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des SEM 100 leitungstechnisch verbunden. Unter einer Funktionseinheit wird eine Baueinheit des SEM 100 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im SEM 100 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Primärelektronenstrahls, der dann zu dem Objekt 125 geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die erste Objektivlinse 107 zur Fokussierung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Primärelektronenstrahl begrenzt wird. 1A zeigt die Steuereinheit 123, die leitungstechnisch mit Funktionseinheiten und/oder Führungseinheiten des SEM 100 verbunden ist. Genauer gesagt ist die Steuereinheit 123 mit der Elektronenquelle 101, mit der Extraktionselektrode 102, mit der Anode 103, mit der ersten Blendeneinheit 108, mit der ersten Kondensorlinse 105, mit der zweiten Kondensorlinse 106, mit dem ersten Detektor 116, mit dem zweiten Detektor 117, mit dem dritten Detektor 121, mit dem Kammerdetektor 119, mit dem Strahlungsdetektor 500, mit der Scaneinrichtung 115, mit der Spule 111, mit der Rohrelektrode 113, mit der einzelnen Elektrode 112 und mit dem Probentisch 122 verbunden.
  • 2 zeigt ein Teilchenstrahlgerät in Form eines Kombinationsgeräts 200. Das Kombinationsgerät 200 weist zwei Teilchenstrahlsäulen auf. Zum einen ist das Kombinationsgerät 200 mit dem SEM 100 versehen, wie es in der 1 bereits dargestellt ist, allerdings ohne die Probenkammer 120. Vielmehr ist das SEM 100 an einer Probenkammer 201 angeordnet. Die Probenkammer 201 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 201 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 2 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 201 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 201 vakuumtechnisch verschlossen.
  • In der Probenkammer 201 ist der Kammerdetektor 119 angeordnet, der beispielsweise als ein Everhart-Thornley-Detektor oder ein Ionendetektor ausgebildet ist und der eine mit Metall beschichtete Detektionsfläche aufweist, welche Licht abschirmt. Ferner ist in der Probenkammer 201 der dritte Detektor 121 angeordnet.
  • Das SEM 100 dient der Erzeugung eines ersten Teilchenstrahls, nämlich des bereits weiter oben beschriebenen Primärelektronenstrahls und weist die bereits oben genannte optische Achse auf, die in der 2 mit dem Bezugszeichen 709 versehen ist und nachfolgend auch erste Strahlachse genannt wird. Zum anderen ist das Kombinationsgerät 200 mit einem lonenstrahlgerät 300 versehen, das ebenfalls an der Probenkammer 201 angeordnet ist. Das lonenstrahlgerät 300 weist ebenfalls eine optische Achse auf, die in der 2 mit dem Bezugszeichen 710 versehen ist und nachfolgend auch zweite Strahlachse genannt wird.
  • Das SEM 100 ist hinsichtlich der Probenkammer 201 vertikal angeordnet. Hingegen ist das lonenstrahlgerät 300 um einen Winkel von ca. 0° bis 90° geneigt zum SEM 100 angeordnet. In der 2 ist beispielsweise eine Anordnung von ca. 50° dargestellt. Das lonenstrahlgerät 300 weist einen zweiten Strahlerzeuger in Form eines lonenstrahlerzeugers 301 auf. Mit dem lonenstrahlerzeuger 301 werden Ionen erzeugt, die einen zweiten Teilchenstrahl in Form eines lonenstrahls bilden. Die Ionen werden mittels einer Extraktionselektrode 302, die auf einem vorgebbaren Potential liegt, beschleunigt. Der zweite Teilchenstrahl gelangt dann durch eine lonenoptik des lonenstrahlgeräts 300, wobei die lonenoptik eine Kondensorlinse 303 und eine zweite Objektivlinse 304 aufweist. Die zweite Objektivlinse 304 erzeugt schließlich eine lonensonde, die auf das an einem Objekthalter 114 angeordnete Objekt 125 fokussiert wird. Der Objekthalter 114 ist an einem Probentisch 122 angeordnet.
  • Oberhalb der zweiten Objektivlinse 304 (also in Richtung des lonenstrahlerzeugers 301) sind eine einstellbare oder auswählbare Blende 306, eine erste Elektrodenanordnung 307 und eine zweite Elektrodenanordnung 308 angeordnet, wobei die erste Elektrodenanordnung 307 und die zweite Elektrodenanordnung 308 als Scanelektroden ausgebildet sind. Mittels der ersten Elektrodenanordnung 307 und der zweiten Elektrodenanordnung 308 wird der zweite Teilchenstrahl über die Oberfläche des Objekts 125 gescannt (bzw. gerastert), wobei die erste Elektrodenanordnung 307 in eine erste Richtung und die zweite Elektrodenanordnung 308 in eine zweite Richtung wirken, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist. Damit erfolgt das Scannen zum Beispiel in eine x-Richtung. Das Scannen in einer dazu senkrechten y-Richtung erfolgt durch weitere, um 90° verdrehte Elektroden (nicht dargestellt) an der ersten Elektrodenanordnung 307 und an der zweiten Elektrodenanordnung 308.
  • Wie oben erläutert, ist der Objekthalter 114 an dem Probentisch 122 angeordnet. Auch bei der in 2 gezeigten Ausführungsform ist der Probentisch 122 in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 122 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden.
  • Die in der 2 dargestellten Abstände zwischen den einzelnen Einheiten des Kombinationsgeräts 200 sind übertrieben dargestellt, um die einzelnen Einheiten des Kombinationsgeräts 200 besser darzustellen.
  • An der Probenkammer 201 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500 ist mit einer Steuereinheit 123 verbunden, welche einen Monitor 124 aufweist.
  • Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale, welche von dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 (in 2 nicht dargestellt), dem Kammerdetektor 119, dem dritten Detektor 121 und/oder dem Strahlungsdetektor 500 erzeugt werden und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.
  • Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden. Ferner ist die Steuereinheit 123 mit der Scaneinrichtung 115 verbunden.
  • Die Steuereinheit 123 des Kombinationsgeräts 200 weist einen Prozessor auf. In den Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des Kombinationsgeräts 200 ausführt. Dies wird weiter unten näher erläutert.
  • 2A zeigt eine schematische Darstellung der Steuereinheit 123 des Kombinationsgeräts 200. Wie bereits weiter oben teilweise ausgeführt, ist die Steuereinheit 123 des Kombinationsgeräts 200 mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Kombinationsgeräts 200 leitungstechnisch verbunden. Unter einer Funktionseinheit wird eine Baueinheit des Kombinationsgeräts 200 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Kombinationsgerät 200 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Primärelektronenstrahls und/oder des lonenstrahls auf das Objekt 125 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Primärelektronenstrahls und/oder des Ionenstrahls, welche(r) dann zu dem Objekt 125 geführt wird/werden. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die erste Objektivlinse 107 oder die zweite Objektivlinse 304, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Primärelektronenstrahl und/oder der Ionenstrahl begrenzt wird. 2A zeigt die Steuereinheit 123, die leitungstechnisch mit der Elektronenquelle 101, mit der Extraktionselektrode 102, mit der Anode 103, mit der ersten Blendeneinheit 108, mit der ersten Kondensorlinse 105, mit der zweiten Kondensorlinse 106, mit dem ersten Detektor 116, mit dem zweiten Detektor 117, mit dem dritten Detektor 121, mit dem Kammerdetektor 119, mit dem Strahlungsdetektor 500, mit der Scaneinrichtung 115, mit der Spule 111, mit der Rohrelektrode 113, mit der einzelnen Elektrode 112, mit dem Probentisch 122, mit dem lonenstrahlerzeuger 301, mit der Extraktionselektrode 302 im Ionenstrahlgerät 300, mit der Kondensorlinse 303 im Ionenstrahlgerät 300, mit der einstellbaren oder auswählbaren Blende 306, mit der ersten Elektrodenanordnung 307 sowie mit der zweiten Elektrodenanordnung 308 verbunden ist.
  • 3 ist eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform eines Teilchenstrahlgeräts nach der Erfindung. Diese Ausführungsform des Teilchenstrahlgeräts ist mit dem Bezugszeichen 400 versehen und umfasst einen Spiegelkorrektor zum Korrigieren beispielsweise von chromatischer und/oder sphärischer Aberration. Das Teilchenstrahlgerät 400 umfasst eine Teilchenstrahlsäule 401, die als Elektronenstrahlsäule ausgebildet ist und im Wesentlichen einer Elektronenstrahlsäule eines korrigierten SEM entspricht. Das Teilchenstrahlgerät 400 ist aber nicht auf ein SEM mit einem Spiegelkorrektor eingeschränkt. Vielmehr kann das Teilchenstrahlgerät jegliche Art von Korrektoreinheiten umfassen.
  • Die Teilchenstrahlsäule 401 umfasst einen Teilchenstrahlerzeuger in Form einer Elektronenquelle 402 (Kathode), eine Extraktionselektrode 403 und eine Anode 404. Beispielsweise ist die Elektronenquelle 402 als ein thermischer Feldemitter ausgebildet. Elektronen, die aus der Elektronenquelle 402 austreten, werden zu der Anode 404 aufgrund einer Potentialdifferenz zwischen der Elektronenquelle 402 und der Anode 404 beschleunigt. Demnach wird ein Teilchenstrahl in Form eines Elektronenstrahls entlang einer ersten optischen Achse OA1 gebildet.
  • Der Teilchenstrahl wird entlang eines Strahlwegs geführt, welcher der ersten optischen Achse OA1 entspricht, nachdem der Teilchenstrahl aus der Elektronenquelle 402 ausgetreten ist. Zur Führung des Teilchenstrahls werden eine erste elektrostatische Linse 405, eine zweite elektrostatische Linse 406 und eine dritte elektrostatische Linse 407 verwendet.
  • Ferner wird der Teilchenstrahl entlang des Strahlwegs unter Verwendung einer Strahlführungseinrichtung eingestellt. Die Strahlführungseinrichtung dieser Ausführungsform umfasst eine Quelleneinstelleinheit mit zwei magnetischen Ablenkeinheiten 408, die entlang der ersten optischen Achse OA1 angeordnet sind. Darüber hinaus umfasst das Teilchenstrahlgerät 400 elektrostatische Strahlablenkeinheiten. Eine erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die bei einer weiteren Ausführungsform auch als Quadrupol ausgebildet ist, ist zwischen der zweiten elektrostatischen Linse 406 und der dritten elektrostatischen Linse 407 angeordnet. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409 ist hinter den magnetischen Ablenkeinheiten 408 angeordnet. Eine erste Multipoleinheit 409A in Form einer ersten magnetischen Ablenkeinheit ist an einer Seite der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409 angeordnet. Darüber hinaus ist eine zweite Multipoleinheit 409B in Form einer zweiten magnetischen Ablenkeinheit an der anderen Seite der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409 angeordnet. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die erste Multipoleinheit 409A und die zweite Multipoleinheit 409B werden zur Einstellung des Teilchenstrahls hinsichtlich der Achse der dritten elektrostatischen Linse 407 und des Eingangsfensters einer Strahlablenkeinrichtung 410 eingestellt. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die erste Multipoleinheit 409A und die zweite Multipoleinheit 409B können wie ein Wienfilter zusammenwirken. Am Eingang der Strahlablenkeinrichtung 410 ist ein weiteres magnetisches Ablenkelement 432 angeordnet.
  • Die Strahlablenkeinrichtung 410 wird als Teilchenstrahlablenker verwendet, welcher den Teilchenstrahl in einer bestimmten Weise ablenkt. Die Strahlablenkeinrichtung 410 umfasst mehrere magnetische Sektoren, nämlich einen ersten magnetischen Sektor 411A, einen zweiten magnetischen Sektor 411B, einen dritten magnetischen Sektor 411C, einen vierten magnetischen Sektor 411D, einen fünften magnetischen Sektor 411E, einen sechsten magnetischen Sektor 411F und einen siebten magnetischen Sektor 411G. Der Teilchenstrahl tritt in die Strahlablenkeinrichtung 410 entlang der ersten optischen Achse OA1 ein und wird durch die Strahlablenkeinrichtung 410 in die Richtung einer zweiten optischen Achse OA2 abgelenkt. Die Strahlablenkung erfolgt mittels des ersten magnetischen Sektors 411A, mittels des zweiten magnetischen Sektors 411B und mittels des dritten magnetischen Sektors 411C um einen Winkel von 30° bis 120°. Die zweite optische Achse OA2 ist in demselben Winkel zu der ersten optischen Achse OA1 ausgerichtet. Die Strahlablenkeinrichtung 410 lenkt auch den Teilchenstrahl ab, welcher entlang der zweiten optischen Achse OA2 geführt ist, und zwar in die Richtung einer dritten optischen Achse OA3. Die Strahlablenkung wird durch den dritten magnetischen Sektor 411C, den vierten magnetischen Sektor 411D und den fünften magnetischen Sektor 411E bereitgestellt. Bei der Ausführungsform in 3 wird die Ablenkung zu der zweiten optischen Achse OA2 und zu der dritten optischen Achse OA3 durch Ablenkung des Teilchenstrahls in einem Winkel von 90° bereitgestellt. Somit verläuft die dritte optische Achse OA3 koaxial zu der ersten optischen Achse OA1. Es wird aber darauf hingewiesen, dass das Teilchenstrahlgerät 400 nach der hier beschriebenen Erfindung nicht auf Ablenkwinkel von 90° eingeschränkt ist. Vielmehr kann jeder geeignete Ablenkwinkel durch die Strahlablenkeinrichtung 410 gewählt werden, beispielsweise 70° oder 110°, sodass die erste optische Achse OA1 nicht koaxial zu der dritten optischen Achse OA3 verläuft. Hinsichtlich weiterer Details der Strahlablenkeinrichtung 410 wird Bezug auf die WO 2002/067286 A2 genommen.
  • Nachdem der Teilchenstrahl durch den ersten magnetischen Sektor 411A, den zweiten magnetischen Sektor 411B und den dritten magnetischen Sektor 411C abgelenkt wurde, wird der Teilchenstrahl entlang der zweiten optischen Achse OA2 geführt. Der Teilchenstrahl wird zu einem elektrostatischen Spiegel 414 geführt und verläuft auf seinem Weg zu dem elektrostatischen Spiegel 414 entlang einer vierten elektrostatischen Linse 415, einer dritten Multipoleinheit 416A in Form einer magnetischen Ablenkeinheit, einer zweiten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 416, einer dritten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 417 und einer vierten Multipoleinheit 416B in Form einer magnetischen Ablenkeinheit. Der elektrostatische Spiegel 414 umfasst eine erste Spiegelelektrode 413A, eine zweite Spiegelelektrode 413B und eine dritte Spiegelelektrode 413C. Elektronen des Teilchenstrahls, die an dem elektrostatischen Spiegel 414 zurückreflektiert werden, verlaufen wieder entlang der zweiten optischen Achse OA2 und treten wieder in die Strahlablenkeinrichtung 410 ein. Sie werden dann durch den dritten magnetischen Sektor 411C, den vierten magnetischen Sektor 411D und den fünften magnetischen Sektor 411E zu der dritten optischen Achse OA3 abgelenkt.
  • Die Elektronen des Teilchenstrahls treten aus der Strahlablenkeinrichtung 410 aus und werden entlang der dritten optischen Achse OA3 zu einem Objekt 425 geführt, das untersucht werden soll und in einem Objekthalter 114 angeordnet ist. Auf dem Weg zum Objekt 425 wird der Teilchenstrahl zu einer fünften elektrostatischen Linse 418, einem Strahlführungsrohr 420, einer fünften Multipoleinheit 418A, einer sechsten Multipoleinheit 418B und einer Objektivlinse 421 geführt. Die fünfte elektrostatische Linse 418 ist eine elektrostatische Immersionslinse. Der Teilchenstrahl wird durch die fünfte elektrostatische Linse 418 auf ein elektrisches Potential des Strahlführungsrohrs 420 abgebremst oder beschleunigt.
  • Der Teilchenstrahl wird durch die Objektivlinse 421 in eine Fokusebene fokussiert, in welcher das Objekt 425 angeordnet ist. Der Objekthalter 114 ist an einem beweglichen Probentisch 424 angeordnet. Der bewegliche Probentisch 424 ist in einer Probenkammer 426 des Teilchenstrahlgeräts 400 angeordnet. Der Probentisch 424 ist in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 424 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden.
  • Die Probenkammer 426 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 426 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 3 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 426 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 426 vakuumtechnisch verschlossen.
  • Die Objektivlinse 421 kann als eine Kombination einer magnetischen Linse 422 und einer sechsten elektrostatischen Linse 423 ausgebildet sein. Das Ende des Strahlführungsrohrs 420 kann ferner eine Elektrode einer elektrostatischen Linse sein. Teilchen des Teilchenstrahlgeräts werden - nachdem sie aus dem Strahlführungsrohr 420 austreten - auf ein Potential des Objekts 425 abgebremst. Die Objektivlinse 421 ist nicht auf eine Kombination der magnetischen Linse 422 und der sechsten elektrostatischen Linse 423 eingeschränkt. Vielmehr kann die Objektivlinse 421 jegliche geeignete Form annehmen. Beispielsweise kann die Objektivlinse 421 auch als rein magnetische Linse oder als rein elektrostatische Linse ausgebildet sein.
  • Der Teilchenstrahl, der auf das Objekt 425 fokussiert wird, wechselwirkt mit dem Objekt 425. Es werden Wechselwirkungsteilchen erzeugt. Insbesondere werden Sekundärelektronen aus dem Objekt 425 emittiert oder Rückstreuelektronen werden an dem Objekt 425 zurückgestreut. Die Sekundärelektronen oder die Rückstreuelektronen werden wieder beschleunigt und in das Strahlführungsrohr 420 entlang der dritten optischen Achse OA3 geführt. Insbesondere verlaufen die Bahnen der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen auf dem Weg des Strahlverlaufs des Teilchenstrahls in entgegengesetzter Richtung zum Teilchenstrahl.
  • Das Teilchenstrahlgerät 400 umfasst einen ersten Analysedetektor 419, welcher entlang des Strahlwegs zwischen der Strahlablenkeinrichtung 410 und der Objektivlinse 421 angeordnet ist. Sekundärelektronen, welche in Richtungen verlaufen, die hinsichtlich der dritten optischen Achse OA3 in einem großen Winkel ausgerichtet sind, werden durch den ersten Analysedetektor 419 detektiert. Rückstreuelektronen und Sekundärelektronen, welche hinsichtlich der dritten optischen Achse OA3 am Ort des ersten Analysedetektors 419 einen kleinen Achsenabstand haben - d.h. Rückstreuelektronen und Sekundärelektronen, welche am Ort des ersten Analysedetektors 419 einen kleinen Abstand von der dritten optischen Achse OA3 aufweisen - treten in die Strahlablenkeinrichtung 410 ein und werden durch den fünften magnetischen Sektor 411E, den sechsten magnetischen Sektor 411F und den siebten magnetischen Sektor 411G entlang eines Detektionsstrahlwegs 427 zu einem zweiten Analysedetektor 428 abgelenkt. Der Ablenkwinkel beträgt beispielsweise 90° oder 110°.
  • Der erste Analysedetektor 419 erzeugt Detektionssignale, die weitgehend durch emittierte Sekundärelektronen erzeugt werden. Die Detektionssignale, die durch den ersten Analysedetektor419 erzeugt werden, werden zu einer Steuereinheit 123 geführt und werden verwendet, um Informationen über die Eigenschaften des Wechselwirkungsbereichs des fokussierten Teilchenstrahls mit dem Objekt 425 zu erhalten. Insbesondere wird der fokussierte Teilchenstrahl über das Objekt 425 unter Verwendung einer Scaneinrichtung 429 gescannt. Durch die Detektionssignale, die durch den ersten Analysedetektor 419 erzeugt werden, kann dann ein Bild des gescannten Bereichs des Objekts 425 erzeugt und auf einer Darstellungseinheit angezeigt werden. Die Darstellungseinheit ist beispielsweise ein Monitor 124, der an der Steuereinheit 123 angeordnet ist.
  • Auch der zweite Analysedetektor 428 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden. Detektionssignale des zweiten Analysedetektors 428 werden zur Steuereinheit 123 geführt und verwendet, um ein Bild des gescannten Bereichs des Objekts 425 zu erzeugen und auf einer Darstellungseinheit anzuzeigen. Die Darstellungseinheit ist beispielsweise der Monitor 124, der an der Steuereinheit 123 angeordnet ist.
  • An der Probenkammer 426 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden, welche den Monitor 124 aufweist. Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale des Strahlungsdetektors 500 und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.
  • Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden. Ferner ist die Steuereinheit 123 mit der Scaneinrichtung 429 verbunden.
  • Die Steuereinheit 123 des Teilchenstrahlgeräts 400 weist einen Prozessor auf. In den Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des Teilchenstrahlgeräts 400 ausführt.
  • 3A zeigt eine schematische Darstellung der Steuereinheit 123 des Teilchenstrahlgeräts 400. Wie bereits weiter oben teilweise ausgeführt, ist die Steuereinheit 123 des Teilchenstrahlgeräts 400 mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts 400 leitungstechnisch verbunden. Unter einer Funktionseinheit wird eine Baueinheit des Teilchenstrahlgeräts 400 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Teilchenstrahlgerät 400 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Teilchenstrahls auf das Objekt 425 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Teilchenstrahls, welcher dann zu dem Objekt 425 geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die Objektivlinse 421 zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt 425, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Teilchenstrahl begrenzt wird. 3A zeigt die Steuereinheit 123, die leitungstechnisch mit der Elektronenquelle 402, mit der Extraktionselektrode 403, mit der Anode 404, mit der ersten elektrostatischen Linse 405, mit der zweiten elektrostatischen Linse 406, mit der dritten elektrostatischen Linse 407, mit der magnetischen Ablenkeinheit 408, mit der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409, mit der ersten Multipoleinheit 409A, mit der zweiten Multipoleinheit 409B, mit der Strahlablenkeinrichtung 410, mit dem ersten magnetischen Sektor 411A, mit dem zweiten magnetischen Sektor 411B, mit dem dritten magnetischen Sektor 411C, mit dem vierten magnetischen Sektor 411D, mit dem fünften magnetischen Sektor 411E, mit dem sechsten magnetischen Sektor 411F, mit dem siebten magnetischen Sektor 411G, mit der ersten Spiegelelektrode 413A, mit der zweiten Spielelektrode 413B, mit der dritten Spiegelelektrode 413C, mit der vierten elektrostatischen Linse 415, mit der zweiten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 416, mit der dritten Multipoleinheit 416A, mit der vierten Multipoleinheit 416B, mit der dritten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 417, mit der fünften elektrostatischen Linse 418, mit der fünften Multipoleinheit 418A, mit der sechsten Multipoleinheit 418B, mit dem ersten Analysedetektor 419, mit der magnetischen Linse 422, mit der sechsten elektrostatischen Linse 423, mit dem Probentisch 424, mit dem zweiten Analysedetektor 428, mit der Scaneinrichtung 429, mit dem weiteren magnetischen Ablenkelement 432 und mit dem Strahlungsdetektor 500 verbunden ist.
  • 4 zeigt eine Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung, das mit dem SEM 100 gemäß der 1 ausgeführt wird. Hinsichtlich der Ausführung dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung bei den weiteren oben genannten Teilchenstrahlgeräten 200 und 400 gilt Entsprechendes.
  • Die Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung dient dem Erzeugen eines Bildes des Objekts 125 und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit dem SEM 100. Die Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung weist eine erste Gruppe von Verfahrensschritten und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten auf. Im Verfahrensschritt S1 wird die erste Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt. Im Verfahrensschritt S2 wird die zweite Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt. Nachfolgend werden die erste Gruppe und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten näher erläutert.
  • 5 zeigt eine Ausführungsform der ersten Gruppe von Verfahrensschritten. Die erste Gruppe von Verfahrensschritten weist den Verfahrensschritt S11 auf. Im Verfahrensschritt S11 erfolgt ein Auswählen eines Abbildungsmodus des SEM 100 unter Verwendung der Steuereinheit 123. Der Abbildungsmodus ist der Modus des SEM 100, mit dem mindestens ein Bild des Objekts 125 mit dem Primärelektronenstrahl des SEM 100 erzeugt wird. Die Steuereinheit 123 dient insbesondere der Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des SEM 100. Unter einer Funktionseinheit wird vorstehend und auch nachstehend eine Baueinheit des SEM 100 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im SEM 100 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Das SEM 100 weist beispielsweise folgende Funktionseinheiten auf: die Elektronenquelle 101, die Extraktionselektrode 102, die Anode 103, die erste Blendeneinheit 108, die erste Kondensorlinse 105, die zweite Kondensorlinse 106, den ersten Detektor 116, den zweiten Detektor 117, den dritten Detektor 121, den Kammerdetektor 119, den Strahlungsdetektor 500, die Scaneinrichtung 115, die Spule 111, die Rohrelektrode 113, die einzelne Elektrode 112 und den Probentisch 122.
  • Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S12. Im Verfahrensschritt S12 erfolgt ein Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Wie oben bereits ausgeführt, ist der Steuerparameter beispielsweise eine physikalische Größe, insbesondere ein Steuerstrom oder eine Steuerspannung, aber auch beispielsweise das Verhältnis von physikalischen Größen, insbesondere eine Verstärkung von physikalischen Größen. Die Werte der physikalischen Größe sind an der oder mit der Steuereinheit 123 einstellbar und steuern und/oder versorgen die Funktionseinheit des SEM 100 derart, dass gewünschte physikalische Wirkungen, beispielsweise das Erzeugen von bestimmten Magnetfeldern und/oder elektrostatischer Felder, bewirkt werden.
  • Nachfolgend werden Beispiele von Steuerparametern der Steuereinheit 123 näher erläutert.
  • Ein erster Steuerparameter der Steuereinheit 123 dient der Einstellung der sogenannten Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls auf dem Objekt 125. Beim Auftreffen auf das Objekt 125 weisen die Elektronen diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der Elektronen die Energie, mit welcher das Objekt 125 untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der Elektronen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die Elektronen durch das Strahlführungsrohr 104 des SEM 100 geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die Elektronen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt 125 auf die Landeenergie abzubremsen. Die Landeenergie der Elektronen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Die Erfindung ist aber nicht auf den vorgenannten Bereich der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist. Im Abbildungsmodus wird bevorzugt eine Landeenergie von 1 keV oder kleiner verwendet. Im Analysemodus, der weiter unten näher erläutert wird, wird bevorzugt eine Landeenergie im Bereich von 10 keV bis 20 keV verwendet.
  • Ein zweiter Steuerparameter der Steuereinheit 123 stellt den Kontrast im erzeugten Bild ein. Der Kontrast ist im Grunde der Helligkeitsunterschied (also der Intensitätsunterschied) zwischen dem hellsten Pixel mit maximaler Leuchtdichte Lmax und dem dunkelsten Pixel mit minimaler Leuchtdichte Lmin eines Bildes. Ein geringer Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen geringen Kontrast. Ein hoher Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen hohen Kontrast. Der Kontrast kann beispielsweise als Weber-Kontrast oder als Michelson-Kontrast angegeben werden. Dabei gilt für den Weber-Kontrast: K w = L m a x L m i n − 1   m i t   0 ≤ K W ≤ ∞
    Figure DE202021004363U1_0003
  • Für den Michelson-Kontrast gilt: K M = L m a x − L m i n L m a x + L m i n   m i t   0 ≤ K M ≤ 1
    Figure DE202021004363U1_0004
  • Der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Sekundärelektronen erzeugt wird, wird von der Topographie der Oberfläche des Objekts 125 bestimmt. Hingegen wird der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Rückstreuelektronen erzeugt wird, im Wesentlichen vom Material des abgebildeten Objektbereichs bestimmt. Dieser wird auch Materialkontrast genannt. Der Materialkontrast hängt von der mittleren Kernladungszahl des abgebildeten Bereichs des Objekts 125 ab. Der Kontrast wird beispielsweise umso größer, je größer ein Verstärkungsfaktor an einem Verstärker des ersten Detektors 116, des zweiten Detektors 117 sowie des Kammerdetektors 119 eingestellt wird, wobei mit dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119 die Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen detektiert werden. Der Verstärker verstärkt das durch mindestens einen der vorgenannten Detektoren 116, 117 und 119 erzeugte Detektionssignal. Analog hierzu wird der Kontrast beispielsweise umso kleiner, je kleiner der Verstärkungsfaktor an dem Verstärker des Detektors eingestellt wird.
  • Ein dritter Steuerparameter der Steuereinheit 123 stellt die Helligkeit (also „Brightness“) im erzeugten Bild ein. Die Helligkeit wird in einem Bild im Grunde auf jedes Pixel im Bild bezogen. Ein erstes Pixel mit einem höheren Helligkeitswert als ein zweites Pixel erscheint im Bild heller als das zweite Pixel. Die Einstellung der Helligkeit erfolgt beispielsweise durch Einstellung eines Verstärkungsfaktors des Detektionssignals des ersten Detektors 116, des zweiten Detektors 117 sowie des Kammerdetektors 119. Die Helligkeit eines jeden Pixels im Bild wird hierbei identisch erhöht oder erniedrigt, beispielsweise auch unter Heranziehung einer in der Datenbank 126 hinterlegten Farbtabelle, wobei eine bestimmte Helligkeit einer in der Farbtabelle aufgenommenen Farbe entspricht.
  • Ein vierter Steuerparameter der Steuereinheit 123 dient beispielsweise zur Ansteuerung der ersten Objektivlinse 107 des SEM 100, mit welcher eine Fokussierung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 eingestellt wird.
  • Ein fünfter Steuerparameter der Steuereinheit 123 dient der Zentrierung des Primärelektronenstrahls in der ersten Objektivlinse 107. Beispielsweise dient die Steuereinheit 123 der Einstellung der ersten Kondensorlinse 105 und der zweiten Kondensorlinse 106, mit denen die Zentrierung des Primärelektronenstrahls in der ersten Objektivlinse 107 eingestellt wird.
  • Darüber hinaus wird die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 (und die weiter unten noch ausgeführte Darstellung von Daten über das Objekt 125) von einem sechsten Steuerparameter der Steuereinheit 123 zur Steuerung und Einstellung elektrostatischer und/oder magnetischer Ablenkeinheiten beeinflusst, welche im SEM 100 zu einem sogenannten „Beamshift“ verwendet werden. Hierdurch ist es möglich, die Position eines Scanbereichs auf dem Objekt 125 einzustellen und gegebenenfalls den Scanbereich auf eine gewünschte Position zu verschieben. Dies kann ohne Verwendung des Probentisches 122 erfolgen, an dem das Objekt 125 angeordnet ist. Wenn beispielsweise der Scanbereich aus dem eigentlichen Bereich des Objekts 125, der mittels des SEM 100 beobachtet wird, aufgrund einer Änderung der Einstellungen am SEM 100 herauswandert, wird bei einem „Beamshift“ durch translatorische Bewegungen der Primärelektronenstrahl derart verschoben, dass der Rasterbereich wieder im gewünschten beobachteten Bereich (Sichtfeld) liegt.
  • Auch ein in dem SEM 100 eingesetzter Stigmator kann die Bildqualität des Bildes des Objekts 125 (sowie die Qualität der weiter unten erläuterten Darstellung von Daten über das Objekt 125) beeinflussen. Der Stigmator, ein magnetisches und/oder elektrostatisches Multipolelement, wird insbesondere zur Korrektur von Astigmatismus verwendet. Der Stigmator kann mit der Steuereinheit 123 mittels eines siebten Steuerparameters eingestellt werden.
  • Die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 (und die Qualität der weiter unten erläuterten Darstellung von Daten über das Objekt 125) kann aber auch von der Position einer mechanisch verschiebbaren Einheit des SEM 100 beeinflusst werden. Die Position der mechanisch verschiebbaren Einheit des SEM 100 lässt sich beispielsweise mit einem achten Steuerparameter der Steuereinheit 123 einstellen. Beispielsweise wird die Bildqualität von der Position der ersten Blendeneinheit 108 und/oder der Position der zweiten Blendeneinheit 109 beeinflusst, welche zur Formung und Begrenzung des Primärelektronenstrahls im SEM 100 eingesetzt wird. Alternativ oder zusätzlich hierzu ist es vorgesehen, die Position des Probentisches 122 zu ändern, an welchem das Objekt 125 angeordnet ist. Dann ist es beispielsweise möglich, den Abstand zwischen dem Objekt 125 und der ersten Objektivlinse 107 des SEM 100 einzustellen. Dieser Abstand wird Arbeitsabstand genannt. Wenn das Objekt 125 mit dem SEM 100 abgebildet wird (also im Abbildungsmodus), dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von 1 cm oder kleiner als 1 cm. Wenn Röntgenspektroskopie durchgeführt werden soll (siehe weiter unten), dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von größer als 1 cm, beispielsweise zwischen 2 cm bis 10 cm.
  • Die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 (und die Qualität der weiter unten erläuterten Darstellung von Daten über das Objekt 125) kann ferner von der sogenannten Scan-Rotation beeinflusst werden. Dies ist eine Rotation des Scanbereichs in der Ebene des Rasterbereichs um die optische Achse OA des SEM 100. Die Scan-Rotation lässt sich beispielsweise mit einem neunten Steuerparameter der Steuereinheit 123 einstellen.
  • Mit einem zehnten Steuerparameter der Steuereinheit 123 können Funktionseinheiten des SEM 100 derart eingestellt werden, dass der Strom des Primärelektronenstrahls des SEM 100 einstellbar ist. Beispielsweise sind die Funktionseinheiten als die erste Objektivlinse 107, die erste Blendeneinheit 108, die zweite Blendeneinheit 109, die erste Kondensorlinse 105 sowie die zweite Kondensorlinse 106 ausgebildet. Zur Erzeugung eines Bildes des Objekts 125 (also im Abbildungsmodus) wird ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Nanoampere verwendet. Hingegen wird bei der weiter unten noch erläuterten Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 (Analysemodus) ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere verwendet.
  • Mit einem elften Steuerparameter der Steuereinheit 123 können Funktionseinheiten des SEM 100 derart eingestellt werden, dass in der Probenkammer 120 des SEM 100 ein Hochvakuum oder ein Druck herrscht, welcher nahezu dem Atmosphärendruck entspricht. Durch Einstellen des elften Steuerparameters der Steuereinheit 123 wird beispielsweise eine an der Probenkammer 120 angeordnete Pumpe angesteuert. Wie oben ausgeführt, wird die Probenkammer 120 in dem ersten Druckbereich oder in dem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Wenn festgestellt wird, dass zum einen die Probenkammer 120 im ersten Druckbereich betrieben wird und zum anderen sich das Objekt 125 aufgrund der Zuführung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 auflädt, dann wird der elfte Steuerparameter derart geändert, dass die Probenkammer 120 im zweiten Druckbereich betrieben wird. Im zweiten Druckbereich wird dann beispielsweise ein Gas mit Ionen zu dem Objekt 125 geführt, so dass die Ladung des Objekts 125 auf der Oberfläche des Objekts 125 neutralisiert wird. Eine Aufladung des Objekts 125 liegt beispielsweise dann vor, wenn das Bild des Objekts 125 instabil ist, insbesondere wenn die Helligkeit und/oder der Kontrast des Bilds des Objekts 125 sich bei mehrfachen Scans über den identischen Bereich des Objekts 125 ändern/ändert. Eine Aufladung des Objekts 125 liegt beispielsweise auch dann vor, wenn sich nach einer Änderung der Richtung eines Scans durch eine Scanrotation immer noch dieselben Merkmale im Bild erkennbar sind und/oder wenn sich die Position des Objekts 125 im Bild ändert. Zusätzlich oder alternativ hierzu wird eine Aufladung des Objekts 125 beispielsweise durch Vergleich des Bilds des Objekts 125 mit einem weiteren Bild des Objekts 125 aus einer Datenbank erkannt, wobei das weitere Bild das Objekt 125 mit Aufladungen zeigt. Für den Vergleich wird insbesondere maschinelles Lernen eingesetzt.
  • Die Erfindung ist nicht auf die oben genannten Steuerparameter eingeschränkt. Vielmehr kann für die Erfindung jeder Steuerparameter verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist.
  • Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S13. Im Verfahrensschritt S13 erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an.
  • Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch den Verfahrensschritt S14. Im Verfahrensschritt S14 erfolgt ein Führen des Primärelektronenstrahls des SEM 100 auf das Objekt 125 unter Verwendung mindestens einer Führungseinheit des SEM 100. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Primärelektronenstrahls, der dann zu dem Objekt 125 geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als Fokussiereinheit zur Fokussierung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Primärelektronenstrahl begrenzt wird. Beispielsweise weist das SEM 100 die folgenden Führungseinheiten auf: die Extraktionselektrode 102, die Anode 103, die erste Blendeneinheit 108, die erste Kondensorlinse 105, die zweite Kondensorlinse 106, die Scaneinrichtung 115, die Spule 111, die Rohrelektrode 113 sowie die einzelne Elektrode 112.
  • Darüber hinaus weist die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S15 auf. Im Verfahrensschritt S15 erfolgt ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit einem Detektor des SEM 100, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Die Wechselwirkungsteilchen gehen aus einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit dem Objekt 125 beim Auftreffen des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 hervor. Bei den Wechselwirkungsteilchen handelt es sich beispielsweise um Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen.
  • Ferner weist die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S16 auf. Im Verfahrensschritt S16 erfolgt ein Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Ein Bild des Objekts 125 wird mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt (Verfahrensschritt S17) und mit dem Monitor 124 des SEM 100 angezeigt (Verfahrensschritt S18).
  • Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • 6 zeigt eine Ausführungsform der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten. Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten weist den Verfahrensschritt S21 auf. Der Verfahrensschritt S21 umfasst ein Auswählen eines Analysemodus des SEM 100 unter Verwendung der Steuereinheit 123 des SEM 100. Der Analysemodus ist der Modus des SEM 100, mit dem mindestens eine Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit dem Primärelektronenstrahl des SEM 100 erzeugt wird.
  • Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S22. Im Verfahrensschritt S22 erfolgt ein Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des oben genannten Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung der Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Der zweite Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters stellt den Analysemodus sicher. Hierzu wird insbesondere der für den Analysemodus geeignete zweite Steuerparameterwert für den Arbeitsabstand und/oder den Strom des Primärelektronenstrahls geladen.
  • Ferner umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S23. Im Verfahrensschritt S23 erfolgt ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an.
  • Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten weist zusätzlich den Verfahrensschritt S24 auf. Im Verfahrensschritt S24 erfolgt ein Führen des Primärelektronenstrahls des SEM 100 auf das Objekt 125 unter Verwendung der oben genannten Führungseinheit des SEM 100.
  • Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch den Verfahrensschritt S25. Im Verfahrensschritt S25 erfolgt ein Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit einem Detektor des SEM 100, beispielsweise dem Strahlungsdetektor 500. Die Wechselwirkungsstrahlung geht aus einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit dem Objekt 125 beim Auftreffen des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 hervor. Bei der Wechselwirkungsstrahlung handelt es sich beispielsweise um Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht.
  • Ferner umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten auch den Verfahrensschritt S26. Im Verfahrensschritt S26 erfolgt ein Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung beispielsweise des Strahlungsdetektors 500. Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S27. Im Verfahrensschritt S27 erfolgt ein Erzeugen einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der zweiten Detektionssignale. Die erzeugte Darstellung von Daten über das Objekt 125 wird mit dem Monitor 124 des SEM 100 im Verfahrensschritt S28 angezeigt.
  • Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • 7 zeigt eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich vorgesehen, zunächst geeignete Werte für den ersten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank 126 zu speichern. So ist es bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung vorgesehen, dass vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten zunächst der Verfahrensschritt S01 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S01 erfolgt ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123, so dass das Bild des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Sodann erfolgt im Verfahrensschritt S02 ein Speichern dieses wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank 126. Im Verfahrensschritt S03 wird geprüft, ob die Verfahrensschritte S01 und S02 wiederholt werden sollen. Wenn sie wiederholt werden sollen, werden die Verfahrensschritte S01 und S02 erneut durchlaufen, um weitere wählbare Steuerparameterwerte als ersten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank 126 zu speichern. Wenn sie nicht wiederholt werden, wird beispielsweise der Verfahrensschritt S1 durchgeführt.
  • Die vorgenannte gewünschte Bildqualität kann beispielsweise mittels objektiver Kriterien bestimmt werden. Beispielsweise ist die Bildqualität eines Bildes umso besser, je besser die Auflösung im Bild ist oder je besser der Kontrast ist. Alternativ kann die Bildqualität anhand von subjektiven Kriterien bestimmt werden. Hierbei legt ein Anwender individuell fest, ob ihm eine erzielte Bildqualität ausreicht oder nicht. Dabei kann es aber durchaus vorkommen, dass die von einem ersten Anwender für ausreichend gut befundene Bildqualität einem zweiten Anwender nicht ausreicht. Beispielsweise kann die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 auch anhand des Signal-Rausch-Verhältnisses des Detektorsignals bestimmt werden. Bei einem Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 0 bis 5 ist die Bildqualität nicht ausreichend gut. Beispielsweise spricht man von einem guten Signal-Rausch-Verhältnis (und damit auch von einer guten sowie ausreichenden Bildqualität), wenn das Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 20 bis 40 liegt. Auch die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Teilchenstrahl, der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen aufweist) kann ein Maß für die Bildqualität sein. Die Sekundärelektronen können in unterschiedliche Raumwinkel aus dem Objekt 125 emittiert werden. Ferner können die Rückstreuelektronen in verschiedene Raumwinkel an dem Objekt 125 zurückgestreut werden. Die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Raumwinkel, in welchem der Sekundärteilchenstrahl verläuft), kann durch Kippung des Primärelektronenstrahls und/oder des Objekts 125 zur optischen Achse OA des SEM 100 beeinflusst werden. Hierdurch ist es zum einen möglich, die Richtung des Sekundärteilchenstrahls derart zu wählen, dass der Sekundärteilchenstrahl auf einen gewünschten Detektor trifft. Zum anderen lassen sich durch die oben genannte Kippung sowohl die Anzahl der erzeugten Sekundärelektronen als auch die Anzahl der zurückgestreuten Rückstreuelektronen beeinflussen. Wenn beispielsweise der Primärelektronenstrahl parallel zu einem Kristallgitter des Objekts 125 in das Objekt 125 eintritt, so nimmt die Anzahl der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen ab. Das Detektionssignal wird schwächer. Dies führt zu einer Verminderung der Bildqualität. Durch Einstellung der Kippung des Primärelektronenstrahls kann die Anzahl der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen erhöht werden. Mit einer derartigen Einstellung ist es möglich, Kristalle mit einer ersten Orientierung von Kristallen mit einer zweiten Orientierung anhand der Stärke des Detektionssignals zu unterscheiden.
  • 8 zeigt eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung. Auch bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich vorgesehen, vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen, um einen Weg zu bestimmen, erste Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln. So erfolgt im Verfahrensschritt S04 ein Einstellen der Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Beim Auftreffen auf das Objekt 125 weisen die Elektronen des Primärelektronenstrahls diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der Elektronen die Energie, mit welcher das Objekt 125 untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der Elektronen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die Elektronen durch das Strahlführungsrohr 104 des SEM 100 geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die Elektronen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt 125 auf die Landeenergie abzubremsen. Die Landeenergie der Elektronen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Die Erfindung ist aber nicht auf den vorgenannten Bereich der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist. Insbesondere wird beim Abbildungsmodus eine Landeenergie von ungefähr 1 keV verwendet.
  • Bei der Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung gemäß der 8 erfolgt im Verfahrensschritt S05 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters, so dass das Bild des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Bildqualität wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird im Verfahrensschritt S06 die Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt im Verfahrensschritt S07 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass ein weiteres Bild des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Auch hier wird hinsichtlich der gewünschten Bildqualität auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten.
  • Ferner wird im Verfahrensschritt S08 geprüft, ob die Verfahrensschritte S06 und S07 wiederholt werden sollen. Wenn die Verfahrensschritte S06 und S07 wiederholt werden sollen, dann werden die Verfahrensschritte S06 und S07 erneut durchgeführt, um weitere wählbare Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln, bei denen Bilder des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt werden. Wenn die Verfahrensschritte S06 und S07 nicht wiederholt werden sollen, dann wird im Verfahrensschritt S09 ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert (bzw. den weiteren wählbaren Steuerparameterwerten) in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Im Verfahrensschritt S010 wird der funktionale Zusammenhang in der Datenbank 126 zur Berechnung des ersten Steuerparameterwertes vor dem Laden des ersten Steuerparameterwertes aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 gespeichert.
  • 9 zeigt eine noch weitere Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen, um einen Weg zu bestimmen, zweite Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden zunächst geeignete Werte für den zweiten Steuerparameterwert ermittelt und in der Datenbank 126 gespeichert. So ist es bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung im Verfahrensschritt S011 vorgesehen, die oben genannte Funktionseinheit mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123 anzusteuern, so dass eine gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) erzielt wird. Im Verfahrensschritt S012 erfolgt ein Speichern des noch weiteren wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank 126. Im Verfahrensschritt S013 wird geprüft, ob die Verfahrensschritte S011 und S012 wiederholt werden sollen. Wenn sie wiederholt werden sollen, werden die Verfahrensschritte S011 und S012 erneut durchlaufen, um weitere wählbare Steuerparameterwerte als zweiten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank 126 zu speichern. Wenn sie nicht wiederholt werden, wird beispielsweise der Verfahrensschritt S1 oder S2 durchgeführt.
  • Die zuvor genannte gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt 125 ist beispielsweise eine Darstellung mit einer gewünschten Qualität. Wenn beispielsweise Röntgenstrahlung mit dem Strahlungsdetektor 500 detektiert wird, dann wird beispielsweise die Qualität der Darstellung durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors 500 bestimmt. Die Qualität der Darstellung wird dann beispielsweise zum einen durch die Zählrate der detektierten Röntgenquanten und zum anderen durch die Halbwertsbreite der gemessenen Peaks im Röntgenspektrum beeinflusst. Je höher die Zählrate und je geringer die Halbwertsbreite sind, umso besser ist die Qualität der Darstellung der Detektionssignale. Wenn beispielsweise Kathodolumineszenzlicht mit dem Strahlungsdetektor 500 detektiert wird, dann kann beispielsweise die Qualität der Darstellung ebenfalls durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors 500 bestimmt werden. Die Qualität der Darstellung wird beispielsweise durch die Zählrate der detektierten Photonen des Kathodolumineszenzlichts bestimmt. Die Zählrate kann durch eine geeignete Lichtoptik beeinflusst werden. Ferner kann der Primärelektronenstrahl derart eingestellt werden, dass das Objekt 125 möglichst viele Photonen insgesamt oder eines bestimmten Wellenlängenintervalls emittiert.
  • 10 zeigt eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung. Auch bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich vorgesehen, vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen, um einen Weg zu ermitteln, zweite Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln. So erfolgt im Verfahrensschritt S014 ein Einstellen der Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Beim Auftreffen auf das Objekt 125 weisen die Elektronen des Primärelektronenstrahls diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der Elektronen die Energie, mit welcher das Objekt 125 untersucht und/oder abgebildet wird. Es wird auf sämtliche bereits gemachten Ausführungen zur Landeenergie verwiesen, die bereits weiter oben gemacht wurden. Diese gelten auch hier.
  • Bei der Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung gemäß der 10 erfolgt im Verfahrensschritt S015 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters, so dass eine Darstellung von Daten des Objekts 125 mit einer gewünschten Qualität erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt 125 wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird im Verfahrensschritt S016 die Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt im Verfahrensschritt S017 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine weitere Darstellung von Daten über das Objekt 125 mit einer gewünschten Qualität erzielt wird. Auch hier wird hinsichtlich der gewünschten Qualität auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner wird im Verfahrensschritt S018 geprüft, ob die Verfahrensschritte S016 und S017 wiederholt werden sollen. Wenn die Verfahrensschritte S016 und S017 wiederholt werden sollen, dann werden die Verfahrensschritte S016 und S017 erneut durchgeführt, um weitere wählbare Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln, bei denen Darstellungen von Daten über das Objekt 125 mit einer gewünschten Qualität erzielt werden. Wenn die Verfahrensschritte S016 und S017 nicht wiederholt werden sollen, dann wird im Verfahrensschritt S019 ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert (bzw. den weiteren wählbaren Steuerparameterwerten) in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Im Verfahrensschritt S020 wird der funktionale Zusammenhang in der Datenbank 126 zur Berechnung des zweiten Steuerparameterwertes vor dem Laden des zweiten Steuerparameterwertes aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 gespeichert. Im Anschluss erfolgt der Verfahrensschritt S1 oder S2.
  • Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zusätzlich zu der oben genannten Funktionseinheit mindestens eine weitere Funktionseinheit zu verwenden. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung sind die Funktionseinheit des SEM 100 eine erste Funktionseinheit und der Steuerparameter ein erster Steuerparameter. Wie oben erwähnt, weist das SEM 100 weitere Funktionseinheiten auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, weist das SEM 100 mindestens eine zweite Funktionseinheit auf. Mit der Steuereinheit 123 wird die zweite Funktionseinheit unter Verwendung eines zweiten Steuerparameters angesteuert. In der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung zusätzlich die nachfolgend erläuterten Verfahrensschritte gemäß der 11 auf. Im Verfahrensschritt S19 erfolgt ein Laden eines ersten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Hinsichtlich der Eigenschaften des zweiten Steuerparameters wird auf die Ausführungen zum Steuerparameter weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner erfolgt im Verfahrensschritt S19A ein Ansteuern der zweiten Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an. Im Verfahrensschritt S19B erfolgt ein Erzeugen von dritten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Wie oben bereits erwähnt, wird das Bild des Objekts 125 mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt. Zusätzlich hierzu wird im Verfahrensschritt S19C das Bild des Objekts 125 mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der dritten Detektionssignale erzeugt. Das Bild wird dann auf dem Monitor 124 des SEM 100 angezeigt.
  • Wie oben bereits erwähnt, können sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • In der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung zusätzlich die nachfolgend erläuterten Verfahrensschritte gemäß der 12 auf. Im Verfahrensschritt S29 erfolgt ein Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Ferner erfolgt im Verfahrensschritt S29A ein Ansteuern der zweiten Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an. Darüber hinaus erfolgt im Verfahrensschritt S29B ein Erzeugen von vierten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise des Strahlungsdetektors 500. Wie oben bereits erwähnt, wird die Darstellung von Daten über das Objekt 125 mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der zweiten Detektionssignale erzeugt. Zusätzlich wird hierzu im Verfahrensschritt S29C die Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der vierten Detektionssignale erzeugt.
  • Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.
  • 13 zeigt eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform ist es vorgesehen, dass beispielsweise vor dem Verfahrensschritt S1 ein Verfahrensschritt S30 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S30 wird ein Bereich auf dem Objekt 125 bestimmt, zu dem der Primärelektronenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird. Ferner ist es beispielsweise zusätzlich vorgesehen, die in der 14 dargestellten Verfahrensschritte S23A bis S23D bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten nach dem Verfahrensschritt S23 durchzuführen. So ist es im Verfahrensschritt S23A vorgesehen, zunächst nochmals Wechselwirkungsteilchen mit einem Detektor, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119 zu detektieren. Die Wechselwirkungsteilchen gehen aus einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit dem Objekt 125 beim Auftreffen des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 hervor. Bei den Wechselwirkungsteilchen handelt es sich beispielsweise um Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen. Im Verfahrensschritt S23B erfolgt ein Erzeugen von weiteren ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Ein weiteres Bild des Objekts 125 wird mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der weiteren ersten Detektionssignale im Verfahrensschritt S23C erzeugt. Im Verfahrensschritt S23D wird der Primärelektronenstrahl auf den zuvor ausgewählten Bereich des Objekts 125 unter Verwendung des weiteren Bildes des Objekts 125 fokussiert. Da es durchaus sein kann, dass der zuvor ausgewählte Bereich aufgrund der Umstellung der Werte des Steuerparameters oder der Steuerparameter nicht mehr im Sichtfeld des SEM 100 liegt, wird hierdurch sichergestellt, dass bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten der Primärelektronenstrahl stets zu dem Bereich, der analysiert werden soll, geführt wird.
  • 15 zeigt eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform ist es vorgesehen, dass beispielsweise vor dem Verfahrensschritt S1 ein Verfahrensschritt S31 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S31 werden beispielsweise vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten ein erster Bereich auf dem Objekt 125 und ein zweiter Bereich auf dem Objekt 125 bestimmt. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden ein erster Bereich auf dem Objekt 125 und ein zweiter Bereich auf dem Objekt 125 ausgewählt. Ferner ist es beispielsweise zusätzlich vorgesehen, dass bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten statt des Verfahrensschritts S14 der Verfahrensschritt S14A gemäß der 16 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S14A wird der Primärelektronenstrahl zum ersten Bereich oder zum zweiten Bereich auf dem Objekt 125 geführt. Beispielsweise wird der Primärelektronenstrahl zunächst zu dem ersten Bereich geführt sowie die weiteren Verfahrensschritte S15 und S16 durchgeführt. Im Anschluss daran werden die Verfahrensschritte S14A sowie S15 bis S16 wiederholt, wobei der Primärelektronenstrahl hier zum zweiten Bereich auf dem Objekt geführt wird. Im Anschluss daran wird das Bild des Objekts 125 erzeugt und auf dem Monitor 124 angezeigt (Verfahrensschritte S17 und S18). Darüber hinaus ist es beispielsweise zusätzlich vorgesehen, dass bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten statt des Verfahrensschritts S24 der Verfahrensschritt S24A gemäß der 16 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S24A wird der Primärelektronenstrahl zum ersten Bereich oder zum zweiten Bereich auf dem Objekt 125 geführt. Beispielsweise wird der Primärelektronenstrahl zunächst zu dem ersten Bereich geführt sowie die weiteren Verfahrensschritte S25 und S26 durchgeführt. Im Anschluss daran werden die Verfahrensschritte S24A sowie S25 bis S26 wiederholt, wobei der Primärelektronenstrahl hier zum zweiten Bereich auf dem Objekt 125 geführt wird. Im Anschluss daran wird die Darstellung von Daten über das Objekt 125 erzeugt und auf dem Monitor 124 angezeigt (Verfahrensschritte S27 und S28). Alternativ zu den vorgenannten Ausführungsformen ist es bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung vorgesehen, dass die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten zunächst für den ersten Bereich durchgeführt werden und dass im Anschluss daran die erste Gruppe von Verfahrensschritten sowie die zweite Gruppe von Verfahrensschritten für den zweiten Bereich durchgeführt werden.
  • Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es vorgesehen, dass die Position des ersten Bereichs in der Datenbank 126 gespeichert wird. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass die Position des zweiten Bereichs in der Datenbank 126 gespeichert wird. Bei einer noch weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es vorgesehen, dass für den ersten Bereich festgelegt wird, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird. Diese Festlegung wird in der Datenbank 126 gespeichert. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass für den zweiten Bereich festgelegt wird, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird. Diese Festlegung wird in der Datenbank 126 gespeichert. Die vorgenannten Verfahrensschritte sind deshalb von Vorteil, weil auch der Ort, an dem die Wechselwirkungsstrahlung entsteht, bestimmt wird. Damit ist es möglich, die Materialzusammensetzung an einem bestimmten Ort des Objekts 125 genau zu bestimmen.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es vorgesehen, dass nach dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten im Verfahrensschritt S3 gemäß der 4 geprüft wird, ob die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten erneut durchgeführt werden sollen. Wenn dies der Fall ist, werden die Verfahrensschritte S1 und S2 erneut durchgeführt. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die Verfahrensschritte S1 und S2 alternierend (also abwechselnd) durchgeführt. Wenn die Verfahrensschritte S1 und S2 nicht erneut durchgeführt werden sollen, wird im Verfahrensschritt S4 gemäß der 4 das Verfahren zum Verständnis der Erfindung angehalten.
  • Bei einer noch weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung ist es zusätzlich vorgesehen, dass nach dem Verfahrensschritt S11 der ersten Gruppe von Verfahrensschritten der Verfahrensschritt S11A gemäß der 17 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S11A wird der Strahlungsdetektor 500 in eine erste Position bewegt. Zusätzlich ist es vorgesehen, dass nach dem Verfahrensschritt S21 der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten der Verfahrensschritt S21A gemäß der 18 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S21A wird der Strahlungsdetektor 500 in eine zweite Position bewegt. Zur Bewegung des Strahlungsdetektors 500 ist eine Bewegungseinrichtung (nicht dargestellt) vorgesehen. Die erste Position ist weiter von dem Objekt 125 als die zweite Position beabstandet. Auf diese Weise ist sichergestellt, dass die Wechselwirkungsstrahlung ausreichend gut mit dem in der zweiten Position angeordneten Strahlungsdetektor 500 detektiert werden kann. Wenn keine Wechselwirkungsstrahlung detektiert werden soll, dann wird der Strahlungsdetektor 500 in die erste Position bewegt, sodass die erste Objektivlinse 107 relativ zu dem Objekt 125 in einem Arbeitsabstand von beispielsweise bis zu 5 mm bewegt werden kann.
  • Sämtliche Ausführungsformen des Verfahrens zum Verständnis der Erfindung gehen von der überraschenden Erkenntnis aus, dass geeignete Werte des Steuerparameters, die eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts 125 zum einen und die eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 zum anderen ermöglichen, in einer Datenbank 126 des SEM 100 gespeichert sind. Beispielsweise erfolgt die Speicherung des ersten Steuerparameterwertes und/oder des zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters in Abhängigkeit des Objekts 125. Hierdurch ist es möglich, zum einen für eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts 125 geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt 125 von der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 automatisch zu laden und die Funktionseinheit(en) des SEM 100 entsprechend mittels der Steuereinheit 123 anzusteuern. Zum anderen ist es möglich, für eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt 125 von der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 automatisch zu laden und die Funktionseinheit(en) des SEM 100 entsprechend mittels der Steuereinheit 123 anzusteuern. Ein manuelles Einstellen der Steuerparameterwerte des Steuerparameters durch einen Anwender des SEM 100 ist daher nicht mehr zwingend erforderlich.
  • Die in der vorliegenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebigen Kombinationen für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein. Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Sie kann im Rahmen der Ansprüche und unter Berücksichtigung der Kenntnisse des zuständigen Fachmanns variiert werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    SEM
    101
    Elektronenquelle
    102
    Extraktionselektrode
    103
    Anode
    104
    Strahlführungsrohr
    105
    erste Kondensorlinse
    106
    zweite Kondensorlinse
    107
    erste Objektivlinse
    108
    erste Blendeneinheit
    108A
    erste Blendenöffnung
    109
    zweite Blendeneinheit
    110
    Polschuhe
    111
    Spule
    112
    einzelne Elektrode
    113
    Rohrelektrode
    114
    Objekthalter
    115
    Scaneinrichtung
    116
    erster Detektor
    116A
    Gegenfeldgitter
    117
    zweiter Detektor
    118
    zweite Blendenöffnung
    119
    Kammerdetektor
    120
    Probenkammer
    121
    dritter Detektor
    122
    Probentisch
    123
    Steuereinheit mit Prozessor
    124
    Monitor
    125
    Objekt
    126
    Datenbank
    200
    Kombinationsgerät
    201
    Probenkammer
    300
    Ionenstrahlgerät
    301
    Ionenstrahlerzeuger
    302
    Extraktionselektrode im Ionenstrahlgerät
    303
    Kondensorlinse
    304
    zweite Objektivlinse
    306
    einstellbare oder auswählbare Blende
    307
    erste Elektrodenanordnung
    308
    zweite Elektrodenanordnung
    400
    Teilchenstrahlgerät mit Korrektoreinheit
    401
    Teilchenstrahlsäule
    402
    Elektronenquelle
    403
    Extraktionselektrode
    404
    Anode
    405
    erste elektrostatische Linse
    406
    zweite elektrostatische Linse
    407
    dritte elektrostatische Linse
    408
    magnetische Ablenkeinheit
    409
    erste elektrostatische Strahlablenkeinheit
    409A
    erste Multipoleinheit
    409B
    zweite Multipoleinheit
    410
    Strahlablenkeinrichtung
    411A
    erster magnetischer Sektor
    411B
    zweiter magnetischer Sektor
    411C
    dritter magnetischer Sektor
    411D
    vierter magnetischer Sektor
    411E
    fünfter magnetischer Sektor
    411F
    sechster magnetischer Sektor
    411G
    siebter magnetischer Sektor
    413A
    erste Spiegelelektrode
    413B
    zweite Spiegelelektrode
    413C
    dritte Spiegelelektrode
    414
    elektrostatischer Spiegel
    415
    vierte elektrostatische Linse
    416
    zweite elektrostatische Strahlablenkeinheit
    416A
    dritte Multipoleinheit
    416B
    vierte Multipoleinheit
    417
    dritte elektrostatische Strahlablenkeinheit
    418
    fünfte elektrostatische Linse
    418A
    fünfte Multipoleinheit
    418B
    sechste Multipoleinheit
    419
    erster Analysedetektor
    420
    Strahlführungsrohr
    421
    Objektivlinse
    422
    magnetische Linse
    423
    sechste elektrostatische Linse
    424
    Probentisch
    425
    Objekt
    426
    Probenkammer
    427
    Detektionsstrahlweg
    428
    zweiter Analysedetektor
    429
    Scaneinrichtung
    432
    weiteres magnetisches Ablenkelement
    500
    Strahlungsdetektor
    709
    erste Strahlachse
    710
    zweite Strahlachse
    OA
    optische Achse
    OA1
    erste optische Achse
    OA2
    zweite optische Achse
    OA3
    dritte optische Achse
    S1 bis S4
    Verfahrensschritte
    S11 bis S19
    Verfahrensschritte
    S11A
    Verfahrensschritt
    S14A
    Verfahrensschritt
    S19A bis S19C
    Verfahrensschritte
    S21 bis S29
    Verfahrensschritte
    S21A
    Verfahrensschritt
    S23A bis S23D
    Verfahrensschritte
    S24A
    Verfahrensschritt
    S29A bis S29C
    Verfahrensschritte
    S30 bis S31
    Verfahrensschritte
    S01 bis S020
    Verfahrensschritte
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2002/067286 A2 [0084]

Claims (34)

  1. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425), mit - mindestens einem Strahlerzeuger (101, 301, 402) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen; - mindestens einem beweglich ausgebildeten Objekthalter (114, 122, 424) zum Halten und Positionieren des Objekts (125, 425); - mindestens einer Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); - mindestens einer Steuereinheit (123) zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500); - mindestens einer Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) zum Führen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425); - mindestens einem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) zur Detektion von Wechselwirkungsteilchen, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgehen; - mindestens einem zweiten Detektor (500) zur Detektion von Wechselwirkungsstrahlung, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgeht; - mindestens einer Anzeigeeinheit (124) zum Anzeigen eines Bildes des Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425), wobei das Bild und/oder die Darstellung basierend auf Detektionssignalen erzeugt werden/wird, welche durch das Detektieren der Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselstrahlung generiert werden; und mit - mindestens einem Prozessor (123), in den ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen ist, der bei Ausführung das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) derart steuert, dass ein Verfahren zum Erzeugen des Bildes des Objekts (125, 425) und/oder der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit dem Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) durchgeführt wird, wobei das Verfahren eine erste Gruppe von Verfahrensschritten und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst, wobei - die erste Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist: (i) Auswählen eines Abbildungsmodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung der Steuereinheit (123) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); (ii) Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters zur Ansteuerung mindestens der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aus einer Datenbank (126) in die Steuereinheit (123); (iii) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123); (iv) Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung der Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); (v) Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) des Teilchenstrahlgeräts; (vi) Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors (116, 117, 119, 121, 419, 428); (vii) Erzeugen des Bildes des Objekts (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der ersten Detektionssignale; sowie (viii) Anzeigen des Bildes des Objekts (125, 425) mit der Anzeigeeinheit (124) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); und wobei - die zweite Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist: (ix) Auswählen eines Analysemodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung der Steuereinheit (123); (x) Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123); (xi) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123); (xii) Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung der Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432); (xiii) Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit dem zweiten Detektor (500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); (xiv) Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors (500); (xv) Erzeugen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der zweiten Detektionssignale; sowie (xvi) Anzeigen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Anzeigeeinheit (124).
  2. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 1, wobei vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123), so dass das Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; sowie - Speichern des wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank (126).
  3. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 1, wobei vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Einstellen einer Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass das Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; - Einstellen der Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass ein weiteres Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; - Bestimmen eines funktionalen Zusammenhangs zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie; - Speichern des funktionalen Zusammenhangs in der Datenbank (126) zur Berechnung des ersten Steuerparameterwertes vor dem Laden des ersten Steuerparameterwertes aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123).
  4. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei vor Ausführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem noch weiteren auswählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; sowie - Speichern des noch weiteren auswählbaren Steuerparameterwertes als den zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank (126).
  5. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei vor Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Einstellen einer Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen weiteren ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine erste gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; - Einstellen der Landeenergie auf einen weiteren zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine zweite gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; - Bestimmen eines funktionalen Zusammenhangs zwischen dem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert und dem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie; sowie - Speichern des funktionalen Zusammenhangs in der Datenbank (126) zur Berechnung des zweiten Steuerparameterwertes vor dem Laden des zweiten Steuerparameterwertes aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123).
  6. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein Bereich auf dem Objekt (125, 425) bestimmt wird, zu dem der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird.
  7. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 6, wobei beim Durchführen der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten vor dem Detektieren der Wechselwirkungsstrahlung zunächst nochmals Wechselwirkungsteilchen mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) detektiert werden, weitere erste Detektionssignale mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) detektiert werden, ein weiteres Bild des Objekts (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt wird und der Teilchenstrahl auf den Bereich unter Verwendung des weiteren Bildes des Objekts (125, 425) fokussiert wird.
  8. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein erster Bereich auf dem Objekt (125, 425) und ein zweiter Bereich auf dem Objekt (125, 425) bestimmt werden; - der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem ersten Bereich geführt wird; und wobei - der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem zweiten Bereich geführt wird.
  9. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 8, wobei mindestens einer der folgenden Verfahrensschritte durchgeführt wird: (i) Speichern der Position des ersten Bereichs in der Datenbank (126); (ii) Speichern der Position des zweiten Bereichs in der Datenbank (126); (iii) Festlegen für den ersten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank (126); (iv) Festlegen für den zweiten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank (126).
  10. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 8 oder 9, wobei - die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten zunächst für den ersten Bereich durchgeführt werden; und wobei - im Anschluss daran die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten für den zweiten Bereich durchgeführt werden.
  11. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - die Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) eine erste Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500), der Steuerparameter ein erster Steuerparameter und die Steuereinheit (123) eine erste Steuereinheit (123) zur Einstellung der ersten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) sind; - das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens eine zweite Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aufweist; - das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens eine zweite Steuereinheit (123) zum Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) unter Verwendung eines zweiten Steuerparameters aufweist; und wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte in der ersten Gruppe von Verfahrensschritten umfasst: - Laden eines ersten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aus der Datenbank (126) in die zweite Steuereinheit (123); - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit (123); - Erzeugen von dritten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors (116, 117, 119, 121, 419, 428); sowie - Erzeugen des Bildes des Objekts (125, 425) mit der zweiten Steuereinheit (123) unter Verwendung der dritten Detektionssignale; und wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte in der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten umfasst: - Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) aus der Datenbank (126) in die zweite Steuereinheit (123); - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit (123); - Erzeugen von vierten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors (500); sowie - Erzeugen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der zweiten Steuereinheit (123) unter Verwendung der vierten Detektionssignale.
  12. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 11, wobei als zweite Steuereinheit (123) die erste Steuereinheit (123) verwendet wird.
  13. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - zunächst die erste Gruppe von Verfahrensschritten, - dann die zweite Gruppe von Verfahrensschritten, und - dann erneut die erste Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt werden.
  14. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 13, wobei nach dem erneuten Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten erneut die zweite Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt wird.
  15. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Verfahren mindestens einen der folgenden Verfahrensschritte aufweist: (i) der zweite Detektor (500) wird bei Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten in eine erste Position bewegt und bei Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten in eine zweite Position bewegt, wobei die erste Position weiter von dem Objekt (125, 425) als die zweite Position beabstandet ist; (ii) als zweiter Detektor wird der erste Detektor verwendet.
  16. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) und/oder die Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) mindestens eines der folgenden Merkmale umfasst: (i) mindestens eine Objektivlinse (107, 304) zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425); (ii) mindestens eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit (102, 103, 104, 105, 106, 107, 110, 111, 112, 113, 115, 302, 303, 304, 307, 308, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432); (iii) mindestens einen Stigmator; (iv) mindestens eine Kondensorlinse (105, 106, 303); (v) mindestens eine mechanisch verstellbare Blendeneinheit (108, 109).
  17. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) den beweglichen Objekthalter (114, 122, 424) umfasst.
  18. Teilchenstrahlgerät (200) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Strahlerzeuger (101) als ein erster Strahlerzeuger und der Teilchenstrahl als ein erster Teilchenstrahl mit ersten geladenen Teilchen ausgebildet ist, wobei die Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119) als eine erste Führungseinheit zur Führung des ersten Teilchenstrahls auf das Objekt (125) ausgebildet ist, und wobei das Teilchenstrahlgerät (200) ferner aufweist: - mindestens einen zweiten Strahlerzeuger (301) zur Erzeugung eines zweiten Teilchenstrahls mit zweiten geladenen Teilchen; und mit - mindestens einer zweiten Führungseinheit (303, 304, 306, 307, 308) zur Führung des zweiten Teilchenstrahls auf das Objekt (125).
  19. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) ein Elektronenstrahlgerät und/oder ein lonenstrahlgerät ist.
  20. Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, der in einen Prozessor (123) eines Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) ladbar ist und bei Ausführung das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) derart steuert, dass ein Verfahren zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit dem Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) durchgeführt wird, wobei das Verfahren eine erste Gruppe von Verfahrensschritten und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst, wobei - die erste Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist: (i) Auswählen eines Abbildungsmodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung einer Steuereinheit (123) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); (ii) Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aus einer Datenbank (126) in die Steuereinheit (123); (iii) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123); (iv) Führen eines Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung mindestens einer Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A , 411B,411C, 411D,411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400), wobei das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens einen Strahlerzeuger (101, 301, 402) zum Erzeugen eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen aufweist; (v) Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit mindestens einem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) des Teilchenstrahlgeräts, wobei die Wechselwirkungsteilchen aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgehen; (vi) Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors (116, 117, 119, 121, 419, 428); (vii) Erzeugen eines Bildes des Objekts (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der ersten Detektionssignale; sowie (viii) Anzeigen des Bildes des Objekts (125, 425) mit einer Anzeigeeinheit (124) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); und wobei - die zweite Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist: (ix) Auswählen eines Analysemodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung der Steuereinheit (123); (x) Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123); (xi) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123); (xii) Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung der Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432); (xiii) Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit mindestens einem zweiten Detektor (500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400), wobei die Wechselwirkungsstrahlung aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgeht; (xiv) Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors (500); (xv) Erzeugen einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der zweiten Detektionssignale; sowie (xvi) Anzeigen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Anzeigeeinheit (124).
  21. Computerprogrammprodukt nach Anspruch 20, wobei vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123), so dass das Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; sowie - Speichern des wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank (126).
  22. Computerprogrammprodukt nach Anspruch 20, wobei vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Einstellen einer Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass das Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; - Einstellen der Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass ein weiteres Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; - Bestimmen eines funktionalen Zusammenhangs zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie; - Speichern des funktionalen Zusammenhangs in der Datenbank (126) zur Berechnung des ersten Steuerparameterwertes vor dem Laden des ersten Steuerparameterwertes aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123).
  23. Computerprogrammprodukt nach einem der Ansprüche 20 bis 22, wobei vor Ausführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D,411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem noch weiteren auswählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; sowie - Speichern des noch weiteren auswählbaren Steuerparameterwertes als den zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank (126).
  24. Computerprogrammprodukt nach einem der Ansprüche 20 bis 22, wobei vor Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Einstellen einer Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen weiteren ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D,411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine erste gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; - Einstellen der Landeenergie auf einen weiteren zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D,411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine zweite gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; - Bestimmen eines funktionalen Zusammenhangs zwischen dem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert und dem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie; sowie - Speichern des funktionalen Zusammenhangs in der Datenbank (126) zur Berechnung des zweiten Steuerparameterwertes vor dem Laden des zweiten Steuerparameterwertes aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123).
  25. Computerprogrammprodukt nach einem der Ansprüche 20 bis 24, wobei vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein Bereich auf dem Objekt (125, 425) bestimmt wird, zu dem der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird.
  26. Computerprogrammprodukt nach Anspruch 25, wobei beim Durchführen der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten vor dem Detektieren der Wechselwirkungsstrahlung zunächst nochmals Wechselwirkungsteilchen mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) detektiert werden, weitere erste Detektionssignale mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) detektiert werden, ein weiteres Bild des Objekts (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt wird und der Teilchenstrahl auf den Bereich unter Verwendung des weiteren Bildes des Objekts (125, 425) fokussiert wird.
  27. Computerprogrammprodukt nach einem der Ansprüche 20 bis 26, wobei - vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein erster Bereich auf dem Objekt (125, 425) und ein zweiter Bereich auf dem Objekt (125, 425) bestimmt werden; - der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem ersten Bereich geführt wird; und wobei - der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem zweiten Bereich geführt wird.
  28. Computerprogrammprodukt nach Anspruch 27, wobei mindestens einer der folgenden Verfahrensschritte durchgeführt wird: (v) Speichern der Position des ersten Bereichs in der Datenbank (126); (vi) Speichern der Position des zweiten Bereichs in der Datenbank (126); (vii) Festlegen für den ersten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank (126); (viii) Festlegen für den zweiten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank (126).
  29. Computerprogrammprodukt nach Anspruch 27 oder 28, wobei - die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten zunächst für den ersten Bereich durchgeführt werden; und wobei - im Anschluss daran die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten für den zweiten Bereich durchgeführt werden.
  30. Computerprogrammprodukt nach einem der Ansprüche 20 bis 29, wobei - die Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) eine erste Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500), der Steuerparameter ein erster Steuerparameter und die Steuereinheit (123) eine erste Steuereinheit (123) zur Einstellung der ersten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) sind; - das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens eine zweite Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aufweist; - das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens eine zweite Steuereinheit (123) zum Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) unter Verwendung eines zweiten Steuerparameters aufweist; und wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte in der ersten Gruppe von Verfahrensschritten umfasst: - Laden eines ersten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aus der Datenbank (126) in die zweite Steuereinheit (123); - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit (123); - Erzeugen von dritten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors (116, 117, 119, 121, 419, 428); sowie - Erzeugen des Bildes des Objekts (125, 425) mit der zweiten Steuereinheit (123) unter Verwendung der dritten Detektionssignale; und wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte in der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten umfasst: - Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) aus der Datenbank (126) in die zweite Steuereinheit (123); - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit (123); - Erzeugen von vierten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors (500); sowie - Erzeugen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der zweiten Steuereinheit (123) unter Verwendung der vierten Detektionssignale.
  31. Computerprogrammprodukt nach Anspruch 30, wobei als zweite Steuereinheit (123) die erste Steuereinheit (123) verwendet wird.
  32. Computerprogrammprodukt nach einem der Ansprüche 20 bis 31, wobei - zunächst die erste Gruppe von Verfahrensschritten, - dann die zweite Gruppe von Verfahrensschritten, und - dann erneut die erste Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt werden.
  33. Computerprogrammprodukt nach Anspruch 32, wobei nach dem erneuten Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten erneut die zweite Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt wird.
  34. Computerprogrammprodukt nach einem der Ansprüche 20 bis 33, wobei das Verfahren mindestens einen der folgenden Verfahrensschritte aufweist: (iii) der zweite Detektor (500) wird bei Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten in eine erste Position bewegt und bei Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten in eine zweite Position bewegt, wobei die erste Position weiter von dem Objekt (125, 425) als die zweite Position beabstandet ist; (iv) als zweiter Detektor wird der erste Detektor verwendet.
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