DE202018103749U1

DE202018103749U1 - Device with electrical contact structure

Info

Publication number: DE202018103749U1
Application number: DE202018103749.8U
Authority: DE
Original assignee: 4JET Microtech GmbH and Co KG
Current assignee: 4JET Microtech GmbH and Co KG
Priority date: 2018-06-29
Filing date: 2018-06-29
Publication date: 2018-07-06
Anticipated expiration: 2028-06-30
Also published as: WO2020002560A3; DE112019003306A5; WO2020002560A2

Abstract

Vorrichtung aufweisend:
eine Schichtanordnung, welche eine elektrisch leitende Schicht aufweist;
eine Kontaktstruktur, welche ein elektrisch leitendes Material aufweist;
wobei die Schichtanordnung eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist;
wobei die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren; und
wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.

Device comprising:
a layer arrangement comprising an electrically conductive layer;
a contact structure comprising an electrically conductive material;
wherein the layer assembly has a plurality of contact holes;
wherein the contact holes are at least partially filled with the electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer; and
wherein the electrically conductive material is electrically conductively connected in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes.

Description

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der elektrischen Kontaktierung von Schichtanordnungen.The present invention relates to the field of electrical contacting of laminar arrays.

HINTERGRUNDBACKGROUND

Schichtanordnungen mit mindestens einer elektrisch leitenden Schicht sind für eine Vielzahl von Anwendungen bekannt, wobei eine zuverlässige elektrische Kontaktierung der elektrisch leitenden Schicht häufig schwer zu erreichen ist.Layer arrangements with at least one electrically conductive layer are known for a multiplicity of applications, wherein reliable electrical contacting of the electrically conductive layer is often difficult to achieve.

ZUSAMMENFASSUNGSUMMARY

Angesichts der oben beschriebenen Situation gibt es ein Bedürfnis für eine Technik, welche zuverlässige elektrische Kontaktierung einer elektrisch leitenden Schicht erlaubt.In view of the situation described above, there is a need for a technique that allows reliable electrical contacting of an electrically conductive layer.

Diesem Bedürfnis wird durch die Gegenstände der unabhängigen Patentansprüche Rechnung getragen. Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.This need is taken into account by the subject-matter of the independent claims. Advantageous embodiments are given in the dependent claims.

Gemäß dem ersten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird eine Vorrichtung offenbart.According to the first aspect of the subject matter disclosed herein, an apparatus is disclosed.

Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspektes weist die Vorrichtung auf: eine Schichtanordnung, welche eine elektrisch leitende Schicht aufweist; eine Kontaktstruktur, welche ein elektrisch leitendes Material aufweist; wobei die Schichtanordnung eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist; wobei die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material gefüllt sind (das elektrisch leitende Material in die Kontaktlöcher eingebracht ist), um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren, und wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.According to embodiments of the first aspect, the device comprises: a layer arrangement comprising an electrically conductive layer; a contact structure comprising an electrically conductive material; wherein the layer assembly has a plurality of contact holes; wherein the contact holes are at least partially filled with the electrically conductive material (the electrically conductive material is introduced into the contact holes) to electrically contact the electrically conductive layer, and wherein the electrically conductive material in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes is electrically connected.

Gemäß einem zweiten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird ein Zwischenprodukt offenbart.In accordance with a second aspect of the subject matter disclosed herein, an intermediate product is disclosed.

Gemäß Ausführungsformen des zweiten Aspektes weist das Zwischenprodukt eine Schichtanordnung mit einer elektrisch leitenden Schicht auf, wobei die Schichtanordnung eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist; und wobei die Kontaktlöcher für eine mindestens teilweise Füllung mit einem elektrisch leitenden Material vorgesehen sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren und das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend zu verbinden.According to embodiments of the second aspect, the intermediate product has a layer arrangement with an electrically conductive layer, the layer arrangement having a plurality of contact holes; and wherein the contact holes are provided for at least partial filling with an electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer and the electrically conductive material in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes in an electrically conductive manner connect.

Gemäß einem dritten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird ein Prozessiersystem zum Prozessieren einer Schichtanordnung offenbart.According to a third aspect of the subject matter disclosed herein, a processing system for processing a layer assembly is disclosed.

Gemäß einer Ausführungsform des dritten Aspektes wird ein Prozessiersystem offenbart zum Prozessieren einer Schichtanordnung zum dadurch Herstellen einer Vorrichtung gemäß dem ersten Aspekt oder einer Ausführungsform davon. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des dritten Aspektes wird ein Prozessiersystem offenbart zum Prozessieren einer Schichtanordnung zum dadurch Herstellen eines Zwischenproduktes gemäß dem zweiten Aspekt oder einer Ausführungsform davon.According to an embodiment of the third aspect, a processing system is disclosed for processing a layer assembly to thereby produce a device according to the first aspect or an embodiment thereof. According to another embodiment of the third aspect, a processing system is disclosed for processing a sandwich for thereby producing an intermediate according to the second aspect or an embodiment thereof.

Gemäß einem vierten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird eine Verwendung offenbart.According to a fourth aspect of the subject matter disclosed herein, an application is disclosed.

Gemäß einer Ausführungsform des vierten Aspektes wird eine Verwendung einer Schichtanordnung offenbart, wobei die Schichtanordnung eine elektrisch leitende Schicht und eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist, insbesondere die Verwendung einer solchen Schichtanordnung zur Herstellung einer Vorrichtung, bei welcher die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren, und wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.According to one embodiment of the fourth aspect, a use of a layer arrangement is disclosed, wherein the layer arrangement comprises an electrically conductive layer and a plurality of contact holes, in particular the use of such a layer arrangement for producing a device in which the contact holes at least partially filled with the electrically conductive material are to electrically contact the electrically conductive layer, and wherein the electrically conductive material is electrically conductively connected in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des vierten Aspektes wird eine Vielzahl von Löchern in einer Schichtanordnung verwendet, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren, insbesondere unter Verwendung eines elektrisch leitenden Materials, welches in die Löcher eingebracht wird.According to another embodiment of the fourth aspect, a plurality of holes are used in a layer arrangement to electrically contact the electrically conductive layer, in particular using an electrically conductive material which is introduced into the holes.

Da die Löcher gemäß einer Ausführungsform zur Kontaktierung vorgesehen sind bzw. zur Kontaktierung verwendet werden, werden in der vorliegenden Offenbarung die Löcher auch als Kontaktlöcher bezeichnet und die Begriffe „Löcher“ und „Kontaktlöcher“ sind im Rahmen der hierin offenbarten Gegenstände äquivalent.In one embodiment, since the holes are for contacting, or are used for contacting, in the present disclosure, the holes are also referred to as contact holes, and the terms "holes" and "contact holes" are equivalent within the scope of the items disclosed herein.

Gemäß einem fünften Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird ein Verfahren zum elektrischen Kontaktieren einer Schichtanordnung offenbart, wobei die Schichtanordnung eine elektrisch leitende Schicht aufweist.According to a fifth aspect of the subject matter disclosed herein, a method for electrically contacting a layer assembly is disclosed wherein the layer assembly comprises an electrically conductive layer.

Gemäß Ausführungsformen des fünften Aspektes weist das Verfahren auf: Erzeugen einer Vielzahl von Kontaktlöchern in der Schichtanordnung; mindestens teilweise Füllen der Kontaktlöcher mit einem elektrisch leitenden Material, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren; wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist. According to embodiments of the fifth aspect, the method comprises: generating a plurality of contact holes in the layer assembly; at least partially filling the contact holes with an electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer; wherein the electrically conductive material is electrically conductively connected in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes.

Gemäß einem sechsten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmelement offenbart.According to a sixth aspect of the subject matter disclosed herein, a computer program product having a program element is disclosed.

Gemäß einer Ausführungsform des sechsten Aspektes ist das Computerprogrammprodukt eingerichtet um, wenn das Programmelement auf einer Prozessorvorrichtung, insbesondere einer Prozessorvorrichtung eines Prozessiersystems ausgeführt wird, ein Verfahren gemäß dem vierten Aspekt oder einer Ausführungsform davon auszuführen.According to an embodiment of the sixth aspect, when the program element is executed on a processor device, in particular a processor device of a processing system, the computer program product is set up to carry out a method according to the fourth aspect or an embodiment thereof.

Verschiedene Aspekte und Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände basieren auf der Idee, dass durch eine Vielzahl von Kontaktlöchern eine zuverlässige Kontaktierung einer elektrisch leitenden Schicht möglich ist.Various aspects and embodiments of the subject matter disclosed herein are based on the idea that reliable contacting of an electrically conductive layer is possible through a plurality of contact holes.

Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspektes ist die Vorrichtung ausgebildet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie für eine oder mehrere der hierin offenbarten Ausführungsformen erforderlich ist, insbesondere der Ausführungsformen des ersten, zweiten, dritten, vierten, fünften und/oder sechsten Aspektes.According to embodiments of the first aspect, the device is configured to provide the functionality of one or more of the embodiments disclosed herein and / or to provide the functionality required for one or more of the embodiments disclosed herein, particularly the embodiments of the first, second, and third embodiments. third, fourth, fifth and / or sixth aspect.

Gemäß Ausführungsformen des zweiten Aspektes ist das Zwischenprodukt ausgebildet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie für eine oder mehrere der hierin offenbarten Ausführungsformen erforderlich ist, insbesondere der Ausführungsformen des ersten, zweiten, dritten, vierten, fünften und/oder sechsten Aspektes.According to embodiments of the second aspect, the intermediate product is configured to provide the functionality of one or more of the embodiments disclosed herein and / or to provide the functionality required for one or more of the embodiments disclosed herein, particularly the embodiments of the first, second, and third embodiments. third, fourth, fifth and / or sixth aspect.

Gemäß Ausführungsformen des dritten Aspektes ist das Prozessiersystem ausgebildet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie für eine oder mehrere der hierin offenbarten Ausführungsformen erforderlich ist, insbesondere der Ausführungsformen des ersten, zweiten, dritten, vierten, fünften und/oder sechsten Aspektes.According to embodiments of the third aspect, the processing system is configured to provide the functionality of one or more of the embodiments disclosed herein and / or to provide functionality as required for one or more of the embodiments disclosed herein, particularly the embodiments of the first, second, and third embodiments. third, fourth, fifth and / or sixth aspect.

Gemäß Ausführungsformen des vierten Aspektes ist die Verwendung ausgebildet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie für eine oder mehrere der hierin offenbarten Ausführungsformen erforderlich ist, insbesondere der Ausführungsformen des ersten, zweiten, dritten, vierten, fünften und/oder sechsten Aspektes.According to embodiments of the fourth aspect, the use is configured to provide the functionality of one or more of the embodiments disclosed herein and / or to provide the functionality required for one or more of the embodiments disclosed herein, in particular the embodiments of the first, second, and third embodiments. third, fourth, fifth and / or sixth aspect.

Gemäß Ausführungsformen des fünften Aspektes ist das Verfahren ausgebildet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie für eine oder mehrere der hierin offenbarten Ausführungsformen erforderlich ist, insbesondere der Ausführungsformen des ersten, zweiten, dritten, vierten, fünften und/oder sechsten Aspektes.According to embodiments of the fifth aspect, the method is configured to provide the functionality of one or more of the embodiments disclosed herein and / or to provide the functionality required for one or more of the embodiments disclosed herein, in particular the embodiments of the first, second, and third embodiments. third, fourth, fifth and / or sixth aspect.

Gemäß Ausführungsformen des sechsten Aspektes ist das Computerprogrammprodukt ausgebildet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie für eine oder mehrere der hierin offenbarten Ausführungsformen erforderlich ist, insbesondere der Ausführungsformen des ersten, zweiten, dritten, vierten, fünften und/oder sechsten Aspektes.According to embodiments of the sixth aspect, the computer program product is configured to provide the functionality of one or more of the embodiments disclosed herein and / or to provide the functionality required for one or more of the embodiments disclosed herein, in particular the embodiments of the first, second, and third embodiments. third, fourth, fifth and / or sixth aspect.

BESCHREIBUNG EXEMPLARISCHER AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS

Im Folgenden werden exemplarische Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände beschrieben, wobei beispielsweise auf eine Vorrichtung, ein Zwischenprodukt, ein Prozessiersystem, eine Verwendung, ein Verfahren und ein Computerprogrammprodukt Bezug genommen wird. Es sollte hervorgehoben werden, dass natürlich jede Kombination von Merkmalen verschiedener Aspekte, Ausführungsformen und Beispiele möglich ist. Insbesondere werden einige Ausführungsformen mit Bezug auf ein Verfahren, eine Verwendung oder ein Computerprogrammprodukt beschrieben, während andere Ausführungsformen mit Bezug auf eine Vorrichtung, ein Zwischenprodukt oder ein Prozessiersystem beschrieben werden. Jedoch wird der Fachmann der vorstehenden und der nachfolgenden Beschreibung, den Ansprüchen und den Zeichnungen entnehmen, dass, solange es nicht anders angegeben ist, Merkmale verschiedener Aspekte, Ausführungsformen und Beispiele kombinierbar sind und solche Kombinationen von Merkmalen als durch diese Anmeldung offenbart anzusehen sind. Beispielsweise ist selbst ein Merkmal, welches sich auf ein Verfahren, eine Verwendung oder ein Computerprogrammprodukt bezieht, mit einem Merkmal kombinierbar, welches sich auf eine Vorrichtung, ein Zwischenprodukt oder ein Prozessiersystem bezieht, und umgekehrt. Ferner ist ein Merkmal einer Ausführungsform, welches sich auf eine Vorrichtung bezieht, mit einem korrespondierenden Merkmal kombinierbar, welches sich auf ein Zwischenprodukt oder ein Prozessiersystem bezieht, und umgekehrt.Hereinafter, exemplary embodiments of the subject matter disclosed herein will be described, referring, for example, to an apparatus, an intermediate product, a processing system, a use, a method, and a computer program product. It should be emphasized that of course any combination of features of different aspects, embodiments and examples is possible. In particular, some embodiments will be described with reference to a method, use, or computer program product, while other embodiments will be described with reference to a device, an intermediate, or a processing system. However, it will be apparent to those skilled in the art from the foregoing and following description, claims and drawings that, unless stated otherwise, features of various aspects, embodiments and examples are to be combined and such combinations of features are to be considered as disclosed by this application. For example, even a feature related to a method, a use or a computer program product can be combined with a feature related to a device, an intermediate product or a processing system, and vice versa. Furthermore, a feature of an embodiment relating to a device can be combined with a corresponding feature relating to an intermediate product or a processing system, and vice versa.

Wie hierin verwendet, ist eine Bezugnahme auf das Computerprogrammprodukt mit einem Programmelement äquivalent zu einer Bezugnahme auf das Programmelement und/oder ein computerlesbares Medium, welches ein Programmelement enthält, wobei das Programmelement eingerichtet ist zum Steuern der Prozessorvorrichtung (beispielsweise eines Computersystems) zum Bewirken und/oder Koordinieren der Ausführung von einem oder mehreren der oben beschriebenen Verfahren.As used herein, reference to the computer program product having a program element is equivalent to referring to the program element and / or a computer readable medium containing a program element, the program element being arranged to control the processor device (e.g., a computer system) to effect and / or or coordinating execution of one or more of the methods described above.

Das Programmelement kann implementiert sein als computerlesbarer Instruktionscode durch Verwendung von irgendeiner geeigneten Programmiersprache, wie beispielsweise, zum Beispiel, JAVA, C#, etc. und kann gespeichert sein auf einem computerlesbaren Medium (entfernbare Disc, flüchtiger oder nicht-flüchtiger Speicher, Embedded Speicher/Prozessor etc.). Der Instruktionscode ist betreibbar zum Programmieren eines Computers oder irgendeiner anderen programmierbaren Prozessorvorrichtung zum Ausführen der beabsichtigten Funktionen. Das Programmelement kann von einem Netzwerk verfügbar sein, beispielsweise von dem WorldWideWeb, von welchem es heruntergeladen werden kann.The program element may be implemented as a computer readable instruction code using any suitable programming language such as, for example, JAVA, C #, etc. and may be stored on a computer readable medium (removable disc, volatile or non-volatile memory, embedded memory / processor Etc.). The instruction code is operable to program a computer or any other programmable processor device to perform the intended functions. The program element may be available from a network, such as the World Wide Web, from which it can be downloaded.

Gemäß einer Ausführungsform ist das Programmelement von einer Prozessorvorrichtung, insbesondere einer Prozessorvorrichtung eines Prozessiersystems ausführbar, welche insbesondere eine Laservorrichtung des Prozessiersystems zur Erzeugung der Vielzahl von Kontaktlöchern steuert. Das Prozessiersystem kann ein Teil einer Steuervorrichtung sein, beispielsweise ein Teil einer Steuervorrichtung für die Laservorrichtung.According to one embodiment, the program element is executable by a processor device, in particular a processor device of a processing system, which in particular controls a laser device of the processing system for generating the plurality of contact holes. The processing system may be a part of a control device, for example a part of a control device for the laser device.

Die hierin offenbarten Gegenstände können realisiert werden mittels eines Programmelements bzw. Software. Jedoch können die hierin offenbarten Gegenstände auch realisiert werden mittels einer oder mehreren spezifischen elektronischen Schaltungen bzw. Hardware. Ferner können die hierin offenbarten Gegenstände auch in Hybridform realisiert werden, d.h. in einer Kombination von Softwaremodulen und Hardwaremodulen.The objects disclosed herein can be realized by means of a program element or software. However, the objects disclosed herein may also be realized by means of one or more specific electronic circuits or hardware. Furthermore, the articles disclosed herein can also be realized in hybrid form, i. in a combination of software modules and hardware modules.

Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden beispielhaften Beschreibung derzeit bevorzugter Ausführungsformen, auf welche die Erfindung jedoch nicht beschränkt ist. Die einzelnen Figuren der Zeichnungen dieser Anmeldung sind lediglich als schematisch und als nicht notwendigerweise maßstabsgetreu anzusehen.Further advantages and features of the present invention will become apparent from the following exemplary description of presently preferred embodiments, to which the invention is not limited. The individual figures of the drawings of this application are merely to be regarded as schematic and not necessarily true to scale.

Figurenlistelist of figures

1 zeigt schematisch eine Vorrichtung 100 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 1 12 schematically illustrates an apparatus 100 according to embodiments of the subject-matter disclosed herein.
2 zeigt eine vergrößerte Darstellung der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern aus 1. 2 shows an enlarged view of the plurality 104 of contact holes 1 ,
3 zeigt eine Querschnittsansicht eines Teils der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern 128 aus 2 entlang der Schnittlinie III - III. 3 FIG. 12 shows a cross-sectional view of a portion of the plurality 104 of contact holes 128 2 along the section line III - III.
4 zeigt einen Teil der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern 128 aus 2. 4 shows a part of the plurality 104 of contact holes 128 2 ,
5 zeigt ein Zwischenprodukt 201 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 5 shows an intermediate product 201 according to embodiments of the articles disclosed herein.
6 zeigt eine weitere Vorrichtung 200 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 6 FIG. 12 shows another device 200 in accordance with embodiments of the subject matter disclosed herein.
7 zeigt ein Prozessiersystem 150 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 7 FIG. 10 shows a processing system 150 in accordance with embodiments of the subject matter disclosed herein.
8 zeigt ein weiteres Prozessiersystem 250 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 8th FIG. 12 illustrates another processing system 250 in accordance with embodiments of the subject matter disclosed herein.
9 zeigt ein weiteres Prozessiersystem 350 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 9 FIG. 10 illustrates another processing system 350 in accordance with embodiments of the subject matter disclosed herein.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION

Gemäß einer Ausführungsform wird eine Vorrichtung offenbart, mit einer Schichtanordnung, welche eine elektrisch leitende Schicht aufweist; eine Kontaktstruktur, welche ein elektrisch leitendes Material aufweist; wobei die Schichtanordnung eine Vielzahl von Kontaktlöchern (beispielsweise in der elektrisch leitenden Schicht oder in einer an die elektrisch leitende Schicht angrenzenden Schicht) aufweist; wobei die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren, und wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.According to one embodiment, a device is disclosed comprising a layer arrangement comprising an electrically conductive layer; a contact structure comprising an electrically conductive material; wherein the layer arrangement has a plurality of contact holes (for example in the electrically conductive layer or in a layer adjacent to the electrically conductive layer); wherein the contact holes are at least partially filled with the electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer, and wherein the electrically conductive material in one of Vias is electrically connected to the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes.

Entsprechend weist gemäß einer Ausführungsform ein Verfahren folgendes auf: Erzeugen einer Vielzahl von Kontaktlöchern in der Schichtanordnung; mindestens teilweise Füllen der Kontaktlöcher mit einem elektrisch leitenden Material, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren; wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.Accordingly, in one embodiment, a method comprises: generating a plurality of vias in the layer assembly; at least partially filling the contact holes with an electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer; wherein the electrically conductive material is electrically conductively connected in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zunächst die Herstellung eines Zwischenproduktes auf, welches die Schichtanordnung aufweist, wobei in der Schichtanordnung (beispielsweise in der elektrisch leitenden Schicht der Schichtanordnung) die Vielzahl von Kontaktlöchern erzeugt wird. Somit basiert die Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform auf einem Zwischenprodukt, welches eine Schichtanordnung mit einer elektrisch leitenden Schicht aufweist, wobei die Schichtanordnung eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die Kontaktlöcher für eine mindestens teilweise Füllung mit dem elektrisch leitenden Material vorgesehen, um dadurch die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren und das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend zu verbinden. Beispielsweise sind gemäß einer Ausführungsform die Kontaktlöcher in der elektrisch leitenden Schicht gebildet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform legen die Kontaktlöcher die elektrisch leitende Schicht frei.According to one embodiment, the method first comprises the production of an intermediate product which has the layer arrangement, wherein the plurality of contact holes is produced in the layer arrangement (for example in the electrically conductive layer of the layer arrangement). Thus, according to one embodiment, the device is based on an intermediate product which has a layer arrangement with an electrically conductive layer, the layer arrangement having a multiplicity of contact holes. According to another embodiment, the contact holes are provided for at least partial filling with the electrically conductive material to thereby electrically contact the electrically conductive layer and the electrically conductive material in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes electrically conductive to connect. For example, according to one embodiment, the contact holes are formed in the electrically conductive layer. According to a further embodiment, the contact holes release the electrically conductive layer.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die mindestens teilweise Füllung der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material räumlich getrennt von der Herstellung des Zwischenproduktes. Beispielsweise kann die Herstellung des Zwischenproduktes mittels einer Laservorrichtung erfolgen, worauf das Zwischenprodukt über eine Transportvorrichtung zu einer Aufbringungsvorrichtung für elektrisch leitendes Material transportiert wird und wobei in der Aufbringungsvorrichtung das elektrisch leitende Material in den Kontaktlöchern durch bekannte Verfahren aufgebracht (beispielsweise abgeschieden oder aufgetragen) wird. Beispiele für solche Verfahren zum Aufbringen des elektrisch leitenden Materials sind beispielsweise chemische Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD), physikalische Abscheidung aus der Gasphase (physical vapor deposition, PVD), Heißdrahtelektrodenschweißen (hot wire electrode welding), Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition, ALD), Tintenstrahldruck, Sprühbeschichtung, Rotationsbeschichtung (Spin Coating), galvanische Abscheidung, Sol-Gel-Verfahren, Pulverbeschichtung, Pinselauftrag, etc.According to one embodiment, the at least partial filling of the contact holes with the electrically conductive material takes place spatially separated from the production of the intermediate product. For example, the production of the intermediate product may be carried out by means of a laser device, whereupon the intermediate product is transported via a transport device to an electrically conductive material application device and wherein in the application device the electrically conductive material is applied (for example deposited or applied) in the contact holes by known methods. Examples of such methods for applying the electrically conductive material include, for example, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), hot wire electrode welding, atomic layer deposition (ALD) ), Ink jet printing, spray coating, spin coating, electrodeposition, sol-gel process, powder coating, brush application, etc.

Gemäß einer Ausführungsform weist das elektrisch leitende Material mindestens eines von einem Metall (beispielsweise mindestens einem von Kupfer, Aluminium, Legierungen, die Aluminium und/oder Kupfer enthalten, ein Lotmaterial, wie beispielsweise ein Weichlot, ein Hartlot oder ein Diffusionslot), einem elektrisch leitenden Polymer (beispielsweise ein elektrisch leitender Klebstoff), einem dotierten Halbleiter, oder jedem anderen geeigneten elektrisch leitenden Material auf. Ferner kann das elektrisch leitende Material jedes Material sein, welches für Metallisierungsschichten und zur Kontaktierung oder zur Verdrahtung in der Halbleiterindustrie verwendet wird. Gemäß einer Ausführungsform weist das elektrisch leitende Material eine elektrische Leitfähigkeit in einem Intervall zwischen 10^-8 bis 10⁸ Siemens/Meter (S/m) auf (10e-8 bis 10e8 S/m).According to one embodiment, the electrically conductive material comprises at least one of a metal (for example at least one of copper, aluminum, alloys containing aluminum and / or copper, a solder material, such as a soft solder, a brazing solder or a diffusion solder), an electrically conductive Polymer (for example, an electrically conductive adhesive), a doped semiconductor, or any other suitable electrically conductive material. Further, the electrically conductive material may be any material used for metallization layers and for contacting or wiring in the semiconductor industry. According to one embodiment, the electrically conductive material has an electrical conductivity in an interval between 10 ^-8 to 10 ⁸ Siemens / meter (S / m) ( 10e - 8th to 10e8 S / m).

Das Prozessieren der Schichtanordnung kann beispielsweise mittels eines Prozessiersystems erfolgen, welches beispielsweise eingerichtet ist zum Herstellen des Zwischenproduktes oder der Vorrichtung. Gemäß einer Ausführungsform weist das Prozessiersystem eine Laservorrichtung auf zum Erzeugen der Vielzahl von Kontaktlöchern. Demgemäß sind in einer Ausführungsform die Kontaktlöcher der Vielzahl von Kontaktlöchern durch Laserbestrahlung erzeugte Kontaktlöcher. Mit anderen Worten erfolgt das Erzeugen der Vielzahl von Kontaktlöcher durch eine Laserbestrahlung unter Verwendung eines Laserstrahles. Gemäß einer Ausführungsform ist der Laserstrahl ein Laserstrahl eines Ultraviolett(UV)-Lasers.The processing of the layer arrangement can take place, for example, by means of a processing system, which is set up, for example, for producing the intermediate product or the device. According to one embodiment, the processing system comprises a laser device for generating the plurality of contact holes. Accordingly, in one embodiment, the contact holes of the plurality of contact holes are contact holes created by laser irradiation. In other words, the generation of the plurality of contact holes is performed by laser irradiation using a laser beam. According to one embodiment, the laser beam is a laser beam of an ultraviolet (UV) laser.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Laserbestrahlung eine Interferenzbestrahlung (Bestrahlung mit Interferenzstrahlung), bei welcher mindestens zwei Laserstrahlen interferieren zum Erzeugen einer räumlichen Intensitätsvariation, wobei die Kontaktlöcher in Gebieten konstruktiver Interferenz erzeugte Kontaktlöcher sind. Entsprechend ist gemäß einer Ausführungsform der bei dem Verfahren verwendete Laserstrahl ein Interferenzstrahl, welcher durch Überlagerung von mindestens zwei Teilstrahlen erzeugt ist, wobei der Interferenzstrahl eine räumliche Intensitätsvariation auf der Schichtanordnung erzeugt und die Kontaktlöcher in Gebieten konstruktiver Interferenz erzeugt werden.According to one embodiment, the laser irradiation is an interference radiation (irradiation with interference radiation) in which at least two laser beams interfere to produce a spatial intensity variation, wherein the contact holes are contact holes generated in regions of constructive interference. Accordingly, according to one embodiment, the laser beam used in the method is an interference beam generated by superposing at least two sub-beams, wherein the interference beam generates a spatial intensity variation on the array and the contact holes are generated in regions of constructive interference.

Beispielsweise ist gemäß einer Ausführungsform die Laservorrichtung eingerichtet zum direkten Laser-Interferenz-Strukturieren (engl. direct laser interference patterning, DLIP), wie dies beispielsweise beschrieben ist in dem Artikel „Functional Surfaces by Laser Interference“ von Tobias Dyck, erschienen im Laser Technik Journal 2/2017, Seite 16 bis Seite 19. Die Offenbarung dieses Artikels wird hierin durch Bezugnahme eingeschlossen. Entsprechend kann das Verfahren ein Aufteilen eines Laserstrahles in mindestens zwei Teilstrahlen umfassen, wobei die beiden Teilstrahlen zur Interferenz gebracht werden, um die räumliche Intensitätsvariation zu erzeugen. Bei ausreichender Intensität (Laserleistung pro Fläche) der Interferenzstrahlung (d. h. der Strahlung, die durch Interferenz der mindestens zwei Teilstrahlen resultiert) erfolgt in Gebieten konstruktiver Interferenz ein (zumindest teilweiser) Abtrag der Schichtanordnung. Die Intensität der Interferenzstrahlung kann beispielsweise durch Bereitstellen einer geeigneten Laserleistung (beispielsweise einer geeigneten Laserquelle) und/oder durch geeignete Wahl der von der Interferenzstrahlung beleuchteten Fläche (beispielsweise durch geeignete Strahlaufweitung und/oder Strahlfokussierung des Interferenzstrahls bzw. der mindestens zwei Teilstrahlen) eingestellt werden.For example, in one embodiment, the laser device is configured for direct laser interference patterning (DLIP), as described, for example, in the article "Functional Surfaces by Laser Interference" by Tobias Dyck, published in the Laser Technik Journal 2 / 2017 , Page 16 to page 19 , The disclosure of this article is incorporated herein by reference. Accordingly, the method may comprise dividing a laser beam into at least two sub-beams, wherein the two sub-beams are brought into interference to produce the spatial intensity variation. With sufficient intensity (laser power per area) of the interference radiation (ie the radiation resulting from interference of the at least two partial beams) takes place in areas of constructive interference (at least partial) removal of the layer arrangement. The intensity of Interference radiation can be adjusted, for example, by providing a suitable laser power (for example a suitable laser source) and / or by a suitable choice of the surface illuminated by the interference radiation (for example by suitable beam expansion and / or beam focusing of the interference beam or of the at least two partial beams).

Gemäß einer Ausführungsform ist der Laserstrahl ein gepulster Laserstrahl. According to one embodiment, the laser beam is a pulsed laser beam.

Ferner ist gemäß einer Ausführungsform die Vielzahl von Kontaktlöchern durch einen einzigen Laserpuls definiert, insbesondere wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern mindestens drei Kontaktlöcher aufweist.Furthermore, according to an embodiment, the plurality of contact holes are defined by a single laser pulse, in particular wherein the plurality of contact holes has at least three contact holes.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung eine weitere elektrisch leitende Schicht auf, wobei die Schichtanordnung ein Schichtstapel ist und die elektrisch leitende Schicht und die weitere elektrisch leitende Schicht übereinander angeordnet sind. Gemäß einer weiteren Ausführungsform erstrecken sich die Kontaktlöcher durch die weitere elektrisch leitende Schicht, wobei die elektrisch leitende Schicht mit der weiteren elektrisch leitenden Schicht durch das elektrisch leitende Material elektrisch leitend verbunden ist.According to one embodiment, the layer arrangement has a further electrically conductive layer, wherein the layer arrangement is a layer stack and the electrically conductive layer and the further electrically conductive layer are arranged one above the other. According to a further embodiment, the contact holes extend through the further electrically conductive layer, wherein the electrically conductive layer is electrically conductively connected to the further electrically conductive layer by the electrically conductive material.

Gemäß einer Ausführungsform dient das elektrisch leitende Material in der Vielzahl von Kontaktlöchern ausschließlich der elektrischen Verbindung von mindestens zwei leitenden Schichten der Schichtanordnung untereinander. Mit anderen Worten weist die Kontaktstruktur gemäß einer Ausführungsform keinen externen elektrisch leitenden Kontakt auf. Ferner besteht gemäß einer Ausführungsform eine elektrisch leitende Verbindung von dem elektrisch leitenden Material eines Kontaktlochs zu dem elektrisch leitenden Material eines anderen Kontaktlochs der Vielzahl von Kontaktlöchern ausschließlich durch die elektrisch leitende Schicht (und/oder durch eine oder mehrere weitere elektrisch leitende Schichten, falls vorhanden).According to one embodiment, the electrically conductive material in the plurality of contact holes serves exclusively for the electrical connection of at least two conductive layers of the layer arrangement with one another. In other words, according to one embodiment, the contact structure has no external electrically conductive contact. Further, according to one embodiment, an electrically conductive connection is made from the electrically conductive material of one contact hole to the electrically conductive material of another contact hole of the plurality of contact holes exclusively through the electrically conductive layer (and / or through one or more further electrically conductive layers, if present). ,

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung eine elektrisch isolierende Schicht auf. Beispielsweise ist die elektrisch isolierende Schicht zwischen der elektrisch leitenden Schicht und der weiteren elektrisch leitenden Schicht angeordnet. Gemäß einer Ausführungsform erstrecken sich die Kontaktlöcher durch die elektrisch isolierende Schicht. Eine elektrische isolierende Schicht kann aus jedem geeigneten elektrisch isolierenden Material gebildet sein und kann beispielsweise mindestens eines von Keramik oder Oxid (beispielsweise mindestens eines von Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, etc.) aufweisen. Beispielsweise kann die elektrische isolierende Schicht aus jedem elektrisch isolierenden Material gebildet sein, welches in der Halbleiterindustrie verwendet wird.According to one embodiment, the layer arrangement has an electrically insulating layer. By way of example, the electrically insulating layer is arranged between the electrically conductive layer and the further electrically conductive layer. According to one embodiment, the contact holes extend through the electrically insulating layer. An electrical insulating layer may be formed of any suitable electrically insulating material and may include, for example, at least one of ceramic or oxide (eg, at least one of alumina, zirconia, silica, silicon nitride, etc.). For example, the electrical insulating layer may be formed of any electrically insulating material used in the semiconductor industry.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Schichtanordnung ein Schichtstapel, welcher mindestens drei elektrisch leitende Schichten aufweist. Gemäß einer Ausführungsform sind die mindestens drei elektrisch leitenden Schichten übereinander angeordnet und sind durch das elektrisch leitende Material in den Kontaktlöchern miteinander elektrisch leitend verbunden. Es hat sich gezeigt, dass DLIP geeignet ist, um Kontaktlöcher in einer Vielzahl Schichten, die elektrisch leitende und/oder elektrisch isolierende Schichten umfassen kann, zu erzeugen. Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung zwischen 3 und 40 Schichten auf, beispielsweise zwischen 8 und 20 Schichten, beispielsweise 10 Schichten oder 15 Schichten. Alternativ kann die Vielzahl von Kontaktlöchern sukzessive durch einen geeigneten einzelnen Laserstrahl erzeugt werden.According to one embodiment, the layer arrangement is a layer stack which has at least three electrically conductive layers. According to one embodiment, the at least three electrically conductive layers are arranged one above the other and are electrically conductively connected to one another by the electrically conductive material in the contact holes. It has been found that DLIP is suitable for producing contact holes in a plurality of layers, which may comprise electrically conductive and / or electrically insulating layers. According to one embodiment, the layer arrangement has between 3 and 40 layers, for example between 8 and 20 layers, for example 10 layers or 15 layers. Alternatively, the plurality of contact holes may be successively generated by a suitable single laser beam.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung senkrecht zu einer Schichtebene eine Dicke in einem Intervall zwischen 5 nm und 1 µm aufweist.According to one embodiment, the layer arrangement has a thickness in an interval between 5 nm and 1 μm perpendicular to a layer plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform liegt die Dicke der Schichtanordnung in einem Intervall zwischen 10 nm und 500 nm, insbesondere in einem Intervall zwischen 80 nm und 300 nm, ferner insbesondere in einem Intervall zwischen 150 nm und 250 nm. Beispielsweise weist die Schichtanordnung eine Dicke von ca. 200 nm auf.According to a further embodiment, the thickness of the layer arrangement lies in an interval between 10 nm and 500 nm, in particular in an interval between 80 nm and 300 nm, furthermore in particular in an interval between 150 nm and 250 nm. For example, the layer arrangement has a thickness of approx 200 nm.

Gemäß einer Ausführungsform weist jede Schicht der Schichtanordnung eine Dicke in einem Intervall zwischen 0,5 nm und 100 nm, insbesondere zwischen 1 nm und 100 nm, ferner insbesondere zwischen 1 nm und 50 nm, ferner insbesondere zwischen 2 nm und 30 nm. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist zumindest eine Schicht der Schichtanordnung eine Dicke in einem der angegebenen Intervalle auf.According to one embodiment, each layer of the layer arrangement has a thickness in an interval between 0.5 nm and 100 nm, in particular between 1 nm and 100 nm, furthermore in particular between 1 nm and 50 nm, furthermore in particular between 2 nm and 30 nm In another embodiment, at least one layer of the layer arrangement has a thickness in one of the specified intervals.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Vielzahl von Kontaktlöchern in der elektrisch leitenden Schicht gebildet. Mit anderen Worten erstreckt sich gemäß einer Ausführungsform die Vielzahl von Kontaktlöchern durch die elektrisch leitende Schicht hindurch. Insbesondere in diesem Fall bewirkt die Vielzahl von Kontaktlöchern eine gute und zuverlässige Kontaktierung der elektrisch leitenden Schicht. Insbesondere bei dünnen Schichten ist die Kontaktfläche der elektrisch leitenden Schicht in einem einzigen Kontaktloch möglicherweise nicht ausreichend für einen guten und zuverlässigen elektrischen Kontakt mit dem elektrisch leitenden Material (oder dem weiteren elektrisch leitenden Material). Diesbezüglich bewirkt die Vielzahl von Kontaktlöchern gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände eine gute und zuverlässige elektrische Verbindung der elektrisch leitenden Schicht mit dem (weiteren) elektrisch leitenden Material.According to an embodiment, the plurality of contact holes are formed in the electrically conductive layer. In other words, according to an embodiment, the plurality of contact holes extend through the electrically conductive layer. In particular, in this case, the plurality of contact holes causes a good and reliable contacting of the electrically conductive layer. Especially with thin layers, the contact area of the electrically conductive layer in a single contact hole may not be sufficient for good and reliable electrical contact with the electrically conductive material (or other electrically conductive material). In this regard, the plurality of vias in accordance with embodiments of the subject matter disclosed herein causes one good and reliable electrical connection of the electrically conductive layer with the (further) electrically conductive material.

Gemäß einer Ausführungsform weist die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich auf und die Vielzahl von Kontaktlöchern umfasst erste Kontaktlöcher, welche um den ersten Bereich herum angeordnet sind; wobei die elektrisch leitende Schicht einen zweiten Bereich aufweist, der radial außerhalb der ersten Kontaktlöcher angeordnet ist; und wobei der erste Bereich mit dem zweiten Bereich elektrisch leitend verbunden ist. Insbesondere bei dieser Ausführungsform können die Kontaktlöcher (zumindest die ersten Kontaktlöcher) sich durch die elektrisch leitende Schicht erstrecken. Mit anderen Worten sind die ersten Kontaktlöcher derart angeordnet und dimensioniert, so dass der erste Bereich der elektrisch leitenden Schicht nicht von dem zweiten Bereich elektrisch isoliert ist (sondern mit dem zweiten Bereich elektrisch leitend verbunden ist). Auf diese Weise wird die elektrische Kontaktierung der elektrisch leitenden Schicht durch das elektrisch leitende Material verbessert. Gemäß einer Ausführungsform gilt das vorstehend erwähnte Merkmal für alle ersten Bereiche, um welche herum Kontaktlöcher angeordnet sind. Mit anderen Worten umfasst die elektrisch leitende Schicht mindestens einen ersten Bereich, wobei für jeden ersten Bereich gilt: um den ersten Bereich herum sind erste Kontaktlöcher der Vielzahl von Kontaktlöchern angeordnet und die elektrisch leitende Schicht weist einen zweiten Bereich auf, der radial außerhalb der ersten Kontaktlöcher angeordnet ist und mit dem ersten Bereich elektrisch leitend verbunden ist. Es wird angemerkt, dass für kleine Anzahlen von Kontaktlöchern, beispielsweise falls die Vielzahl von Kontakten Löchern drei Kontaktlöcher umfasst, lediglich ein einziger erster Bereich gebildet sein kann.According to one embodiment, the electrically conductive layer has a first region and the plurality of contact holes comprises first contact holes which are arranged around the first region; wherein the electrically conductive layer has a second region disposed radially outward of the first contact holes; and wherein the first region is electrically conductively connected to the second region. In particular, in this embodiment, the contact holes (at least the first contact holes) may extend through the electrically conductive layer. In other words, the first contact holes are arranged and dimensioned such that the first region of the electrically conductive layer is not electrically isolated from the second region (but is electrically conductively connected to the second region). In this way, the electrical contacting of the electrically conductive layer is improved by the electrically conductive material. According to one embodiment, the above-mentioned feature applies to all the first areas around which contact holes are arranged. In other words, the electrically conductive layer comprises at least a first region, wherein for each first region, first contact holes of the plurality of contact holes are arranged around the first region, and the electrically conductive layer has a second region, which is radially outside of the first contact holes is arranged and electrically conductively connected to the first region. It is noted that for small numbers of contact holes, for example, if the plurality of contacts comprises holes three contact holes, only a single first portion may be formed.

Gemäß einer Ausführungsform bilden die Kontaktlöcher der Vielzahl von Kontaktlöchern ein periodisches Muster. Beispielsweise kann das periodische Muster ein hexagonales Muster sein, insbesondere ein hexagonales Punktmuster. Ein hexagonales Punktmuster kann beispielsweise durch drei interferierende Laserstrahlen erzeugt werden, beispielsweise durch drei interferierende Laserstrahlen, welche sich in einem Überlappungsbereich auf der Schichtanordnung überlappen und in Schichtebene einen Winkelabstand von jeweils 120 Grad aufweisen. Allgemein haben gemäß einer Ausführungsform die interferierende Laserstrahlen (Teilstrahlen) in Schichtebene der Schichtanordnung gleichen Winkelabstand. Durch exakte Anordnung der interferierende Laserstrahlen können strikt periodische Intensitätsvariationen auf der Schichtanordnung erzeugt werden und damit eine strikt periodische Anordnung der Vielzahl von Kontaktlöchern. Es versteht sich, dass bei Abweichungen von der idealen Anordnung der interferierende Laserstrahlen sowie bei Unterschieden in der Intensität der interferierenden Laserstrahlen sich sichtbare Abweichungen von der strikten Periodizität ergeben können. Die Vorteile der Vielzahl von Kontaktlöchern wird jedoch durch solche Abweichungen nicht oder nur unwesentlich beeinträchtigt.According to an embodiment, the contact holes of the plurality of contact holes form a periodic pattern. For example, the periodic pattern may be a hexagonal pattern, in particular a hexagonal dot pattern. A hexagonal dot pattern may be generated, for example, by three interfering laser beams, for example by three interfering laser beams which overlap in an overlap area on the layer arrangement and have an angular spacing of 120 degrees each in the layer plane. In general, according to an embodiment, the interfering laser beams (partial beams) in the layer plane of the layer arrangement have the same angular separation. By exact arrangement of the interfering laser beams strictly periodic intensity variations can be generated on the layer arrangement and thus a strictly periodic arrangement of the plurality of contact holes. It is understood that in case of deviations from the ideal arrangement of the interfering laser beams as well as differences in the intensity of the interfering laser beams visible deviations may result from the strict periodicity. However, the advantages of the plurality of contact holes is not or only slightly affected by such deviations.

Es wird angemerkt, dass das oben bezeichnete hexagonales Punktmuster kein Punktmuster im mathematischen Sinne ist, sondern dass die Löcher im wesentlichen kreisförmigen Querschnitt (parallel zu einer Schichtebene der Schichtanordnung) aufweisen. Der Begriff „Punkt“ bezeichnet daher nicht einen Punkt im mathematischen Sinne, sondern ein näherungsweise kreisförmiges Kontaktloch. Insofern kann das hexagonales Punktmuster auch als hexagonales Lochmuster bezeichnet werden. Gemäß anderen Ausführungsformen können die Kontaktlöcher beliebigen Querschnitt (parallel zu einer Schichtebene der Schichtanordnung) aufweisen, beispielsweise einen vieleckigen Querschnitt, einen ovalen Querschnitt, einen länglichen Querschnitt, etc. Beispielsweise kann das Kontaktloch (in einer Ebene parallel zu der Schichtebene) bei einem länglichen Querschnitt eine erste Ausdehnung x1 in einer Längsrichtung aufweisen, die mindestens zweimal so groß wie die Ausdehnung x2 des Kontaktlochs quer zu der Längsrichtung ist, x1 ≥ (2 ∗ x2). Gemäß anderer Ausführungsform gilt x1 ≥ (3 ∗ x2) oder (10 ∗ x2) ≥ x1 ≥ (5 ∗ x2).It is noted that the above-mentioned hexagonal dot pattern is not a dot pattern in the mathematical sense, but that the holes have a substantially circular cross section (parallel to a layer plane of the layer arrangement). The term "point" therefore does not designate a point in the mathematical sense, but an approximately circular contact hole. In this respect, the hexagonal dot pattern can also be called a hexagonal hole pattern. According to other embodiments, the contact holes may have any desired cross section (parallel to a layer plane of the layer arrangement), for example a polygonal cross section, an oval cross section, an oblong cross section, etc. For example, the contact hole (in a plane parallel to the layer plane) may have an oblong cross section have a first extent x1 in a longitudinal direction which is at least twice as large as the extent x2 of the contact hole transverse to the longitudinal direction, x1 ≥ ( 2 * X2). According to another embodiment, x1 ≥ ( 3 * X2) or ( 10 * X2) ≥ x1 ≥ ( 5 * X2).

Gemäß einer Ausführungsform umfasst die Vielzahl von Kontaktlöchern mindestens 3 Kontaktlöcher, insbesondere mindestens 10 Kontaktlöcher, mindestens 20 Kontaktlöcher, mindestens 50 Kontaktlöcher, mindestens 100 Kontaktlöcher, mindestens 500 Kontaktlöcher, mindestens 1000 Kontaktlöcher, mindestens 5000 Kontaktlöcher oder mindestens 10000 Kontaktlöcher. Beispielsweise umfasst die Vielzahl von Kontaktlöchern eine Anzahl zwischen 3 Kontaktlöchern und 1.000.000 Kontaktlöchern, insbesondere eine Anzahl zwischen 10 Kontaktlöchern und 10.000 Kontaktlöchern, beispielsweise zwischen 20 Kontaktlöchern und 5000 Kontaktlöchern. Da Laserstrahlen typischerweise eine sehr geringe Frequenzbandbreite aufweist (hoch-monochromatisch ist) sind Interferenzmuster mit einer sehr hohen Anzahl an Intensitätsmaxima, d. h. eine sehr hohen Anzahl an Kontaktlöchern (derzeit bis 1.000.000 oder darüber) mit einem einzigen Laserpuls möglich. Es versteht sich, dass, wenn die Schichtanordnung mehrere Vielzahlen von Kontaktlöchern (die beispielsweise durch mehrere, lateral (parallel zu einer Schichtebene) versetzte Laserpulse erzeugt werden) die Gesamtzahl der Kontaktlöcher in der Schichtanordnung entsprechend höher sein kann.According to one embodiment, the plurality of contact holes comprises at least 3 contact holes, in particular at least 10 contact holes, at least 20 contact holes, at least 50 contact holes, at least 100 contact holes, at least 500 contact holes, at least 1000 contact holes, at least 5,000 contact holes or at least 10,000 contact holes. For example, the plurality of contact holes comprises a number between 3 contact holes and 1,000,000 contact holes, in particular a number between 10 contact holes and 10,000 contact holes, for example between 20 contact holes and 5,000 contact holes. Since laser beams typically have a very narrow frequency bandwidth (high monochromatic), interference patterns with a very high number of intensity maxima, i. H. a very high number of contact holes (currently up to 1,000,000 or more) with a single laser pulse possible. It is understood that if the layer arrangement produces multiple pluralities of contact holes (which are generated, for example, by a plurality of laser pulses offset laterally (parallel to a layer plane), the total number of contact holes in the layer arrangement can be correspondingly higher.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weisen die Kontaktlöcher einen mittleren Durchmesser D auf, wobei der mittlere Durchmesser D in einem Intervall zwischen 0,1 µm und 100 µm liegt, insbesondere in einem Intervall zwischen 1µm und 10 µm. Gemäß einer Ausführungsform ist der mittlere Durchmesser D definiert durch das arithmetische Mittel über die Einzeldurchmesser der Vielzahl von Kontaktlöchern. Sofern die Kontaktlöcher keine kreisrunde Form (d. h. eine von einer kreisrunden Form abweichende Form) aufweisen, ist der Einzeldurchmesser eines Kontaktlochs gemäß einer Ausführungsform definiert als der Durchmesser eines Kreises, welcher eine Fläche aufweist die identisch mit einer maximalen Fläche ist, die das Kontaktloch parallel zu einer Schichtebene der Schichtanordnung umschließt. D. h., sofern sich die Fläche, die das Kontaktloch in der Schichtebene umschließt, längs des Kontaktloches ändert, wird für die Bestimmung des Einzeldurchmessers des Kontaktlochs die größte Ausdehnung des Kontaktlochs parallel zu der Schichtebene verwendet.According to a further embodiment, the contact holes have a mean diameter D on, wherein the average diameter D is in an interval between 0.1 .mu.m and 100 .mu.m, in particular in an interval between 1 .mu.m and 10 .mu.m. According to one embodiment, the average diameter D is defined by the arithmetic mean over the individual diameters of the plurality of contact holes. Unless the contact holes have a circular shape (ie, a shape deviating from a circular shape), the single diameter of a contact hole according to an embodiment is defined as the diameter of a circle having an area identical to a maximum area that the contact hole parallel to a layer plane of the layer assembly encloses. That is, if the area surrounding the contact hole in the layer plane changes along the contact hole, the largest dimension of the contact hole parallel to the layer plane is used for the determination of the single diameter of the contact hole.

Gemäß einer Ausführungsform liegt ein Abstand X zwischen jeweils zwei benachbarten Löchern (d.h. der Abstand zwischen den Lochrändern der benachbarten Löcher) in einem Intervall [a*D; b*D], d.h. X ∈ [a*D; b*D], wobei D der mittlere Durchmesser der Kontaktlöcher der Vielzahl von Kontaktlöchern ist. Gemäß einer Ausführungsform liegen die Faktoren a und b jeweils in einem Intervall zwischen 0 und 10 (a, b ∈ [0; 10]) und a ist kleiner als b (a < b). Gemäß einer Ausführungsform ist a = 0 und b = 4. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist a = 0,1 und b = 2, beispielsweise a = 0,2 und b = 1,5 oder a = 0,3 und b = 1,2.According to one embodiment, a distance X between any two adjacent holes (i.e., the distance between the hole edges of the adjacent holes) is in an interval [a * D; b * D], i. X ∈ [a * D; b * D], where D is the average diameter of the contact holes of the plurality of contact holes. According to one embodiment, the factors a and b each lie in an interval between 0 and 10 (a, b ∈ [0; 10]) and a is smaller than b (a <b). According to one embodiment, a = 0 and b = 4. According to another embodiment, a = 0.1 and b = 2, for example a = 0.2 and b = 1.5 or a = 0.3 and b = 1, second

Gemäß einer Ausführungsform ist die Vielzahl von Kontaktlöchern eine erste Vielzahl von Kontaktlöchern und die Vorrichtung weist ferner eine zweite Vielzahl von Kontaktlöchern auf. Beispielsweise ist jede Vielzahl von Kontaktlöchern durch einen einzigen Laserpuls definiert. Dies schließt beispielsweise den Fall ein, dass die Vielzahl von Kontaktlöchern durch einen einzigen Laserpuls erzeugt wird. Ferner schließt dies den Fall ein, dass die Vielzahl von Kontaktlöchern durch einen einzigen Laserpuls definiert sind, die Vielzahl von Kontaktlöchern (bzw. deren Tiefe senkrecht zur Schichtebene) jedoch durch mehrere Laserpulse an derselben Position erzeugt werden.According to one embodiment, the plurality of contact holes are a first plurality of contact holes and the device further comprises a second plurality of contact holes. For example, each plurality of contact holes is defined by a single laser pulse. This includes, for example, the case that the plurality of contact holes are generated by a single laser pulse. Furthermore, this includes the case that the plurality of contact holes are defined by a single laser pulse, but the plurality of contact holes (or their depth perpendicular to the layer plane) are generated by a plurality of laser pulses at the same position.

Gemäß einer Ausführungsform ist die erste Vielzahl von Kontaktlöchern über einen ersten Oberflächenabschnitt der Schichtanordnung verteilt angeordnet und die zweite Vielzahl von Kontaktlöchern ist über einen zweiten Oberflächenabschnitt der Schichtanordnung verteilt angeordnet. Falls die Kontaktlöcher der Vielzahl von Kontaktlöchern durch einen einzigen Laserpuls definiert sind, entspricht der Oberflächenabschnitt einer Projektionsfläche des Laserpulses.In one embodiment, the first plurality of contact holes are distributed over a first surface portion of the layer assembly, and the second plurality of contact holes are distributed over a second surface portion of the layer assembly. If the contact holes of the plurality of contact holes are defined by a single laser pulse, the surface portion corresponds to a projection surface of the laser pulse.

Gemäß einer Ausführungsform ist der erste Oberflächenabschnitt mit Abstand von dem zweiten Oberflächenabschnitt angeordnet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform überlappen der erste Oberflächenabschnitt und der zweite Oberflächenabschnitt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist mindestens einer von dem ersten Oberflächenabschnitt und dem zweiten Oberflächenabschnitt kreisförmig.According to one embodiment, the first surface portion is spaced from the second surface portion. According to another embodiment, the first surface portion and the second surface portion overlap. In another embodiment, at least one of the first surface portion and the second surface portion is circular.

Gemäß einer Ausführungsform weist der Oberflächenabschnitt eine Fläche auf, die einer Kreisfläche mit einem Durchmesser zwischen 10 µm bis 10 mm entspricht, insbesondere einem Durchmesser zwischen 50 µm und 5 mm, insbesondere zwischen 100 µm und 1 mm, beispielsweise zwischen 10 µm und 500 µm.According to one embodiment, the surface portion has an area which corresponds to a circular area with a diameter between 10 μm and 10 mm, in particular a diameter between 50 μm and 5 mm, in particular between 100 μm and 1 mm, for example between 10 μm and 500 μm.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Kontaktstruktur einen externen elektrisch leitenden Kontakt auf, wobei das elektrisch leitende Material in den Kontaktlöchern mit dem externen elektrisch leitenden Kontakt elektrisch leitend verbunden ist.According to one embodiment, the contact structure has an external electrically conductive contact, wherein the electrically conductive material in the contact holes is electrically conductively connected to the external electrically conductive contact.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung ferner eine weitere Kontaktstruktur auf, welche ein weiteres elektrisch leitendes Material aufweist, wobei die Schichtanordnung eine weitere Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist; wobei die weitere Vielzahl von Kontaktlöchern mindestens teilweise mit dem weiteren elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren; und wobei das weitere elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher der weiteren Vielzahl von Kontaktlöchern mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der weiteren Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.According to one embodiment, the device further comprises a further contact structure, which comprises a further electrically conductive material, wherein the layer arrangement has a further plurality of contact holes; wherein the further plurality of contact holes are at least partially filled with the further electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer; and wherein the further electrically conductive material in one of the contact holes of the further plurality of contact holes is electrically conductively connected to the electrically conductive material in the remaining contact holes of the further plurality of contact holes.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das weitere elektrisch leitende Material vom gleichen Typ (beispielsweise identisch) mit dem vorstehend beschriebenen elektrisch leitenden Material.According to a further embodiment, the further electrically conductive material is of the same type (for example identical) with the electrically conductive material described above.

Gemäß einer Ausführungsform weist die weitere elektrische Kontaktstruktur einen weiteren externen elektrischen Kontakt auf, wobei das weitere elektrisch leitende Material mit dem weiteren externen elektrischen Kontakt elektrisch leitend verbunden ist. Gemäß einer Ausführungsform kann die Vorrichtung eingerichtet sein, zum Verbinden der elektrischen Kontaktstruktur mit einem ersten elektrischen Potenzial und zum Verbinden der weiteren elektrischen Kontaktstruktur mit einem zweiten elektrischen Potenzial. Das erste Potenzial und das zweite Potenzial können abhängig von der jeweiligen Anwendung und/oder von der Bestimmung der Vorrichtung gewählt sein. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass das erste Potenzial identisch mit dem zweiten Potenzial ist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das erste Potenzial verschieden von dem zweiten Potenzial sein.According to one embodiment, the further electrical contact structure has a further external electrical contact, wherein the further electrically conductive material is electrically conductively connected to the further external electrical contact. According to one embodiment, the device may be configured to connect the electrical contact structure to a first electrical potential and to connect the further electrical contact structure to a second electrical potential. The first potential and the second potential may be selected depending on the particular application and / or device designation. For example, it may be provided that the first potential is identical to the second potential. According to another Embodiment, the first potential may be different from the second potential.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine physikalische Eigenschaft (beispielsweise eine Temperatur) der Schichtanordnung durch eine elektrische Potenzialdifferenz zwischen der Kontaktstruktur und der weiteren Kontaktstruktur veränderbar.According to a further embodiment, a physical property (for example a temperature) of the layer arrangement can be changed by an electrical potential difference between the contact structure and the further contact structure.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung ferner ein Substrat auf, auf welchem die Schichtanordnung angeordnet ist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Substrat ein Glassubstrat, ein Metall, eine Keramik, oder eine Folie (beispielsweise eine Folie aus einem Polymermaterial (Plastik) oder eine Metallfolie) oder ein aus der Halbleitertechnik bekanntes Substrat, insbesondere ein Halbleitersubstrat, beispielsweise Silizium, Germanium, Gallium-Arsenid, Silizium-Germanium oder Saphir.According to one embodiment, the device further comprises a substrate on which the layer arrangement is arranged. According to a further embodiment, the substrate is a glass substrate, a metal, a ceramic, or a film (for example a film made of a polymer material (plastic) or a metal foil) or a substrate known from semiconductor technology, in particular a semiconductor substrate, for example silicon, germanium, Gallium arsenide, silicon germanium or sapphire.

Gemäß einer Ausführungsform ist das Zwischenprodukt eingerichtet, um eines oder mehrere der Merkmale von hierin offenbarten Ausführungsformen aufzuweisen, welche das Zwischenprodukt betreffen. Beispielsweise kann das Zwischenprodukt ein Substrat aufweisen. Ferner kann die Vielzahl von Kontaktlöchern entsprechend einem oder mehreren der vorstehend beschriebenen Merkmale ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Vielzahl von Kontaktlöchern mindestens 3 Kontaktlöcher umfassen, insbesondere mindestens 10 Kontaktlöcher, mindestens 20 Kontaktlöcher, mindestens 50 Kontaktlöcher, mindestens 100 Kontaktlöcher, mindestens 500 Kontaktlöcher, mindestens 1000 Kontaktlöcher, mindestens 5000 Kontaktlöcher oder mindestens 10000 Kontaktlöcher, beispielsweise zwischen 3 und 1000000 (10⁶) Kontaktlöchern. Ferner kann bei dem Zwischenprodukt die Vielzahl von Kontaktlöchern in der elektrisch leitenden Schicht gebildet sein. In one embodiment, the intermediate product is configured to include one or more of the features of embodiments disclosed herein that relate to the intermediate product. For example, the intermediate product may comprise a substrate. Further, the plurality of contact holes may be formed according to one or more of the features described above. For example, the plurality of contact holes may comprise at least 3 contact holes, in particular at least 10 contact holes, at least 20 contact holes, at least 50 contact holes, at least 100 contact holes, at least 500 contact holes, at least 1000 contact holes, at least 5000 contact holes or at least 10,000 contact holes, for example between 3 and 1 000 000 ( 10 ⁶ ) contact holes. Further, in the intermediate product, the plurality of contact holes may be formed in the electrically conductive layer.

Gemäß einer Ausführungsform ist das Prozessiersystem zum Prozessieren einer Schichtanordnung eingerichtet zum Herstellen der Vorrichtung oder des Zwischenproduktes mit den Merkmalen gemäß einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen.In one embodiment, the processing system for processing a layer assembly is configured to fabricate the device or the intermediate having the features in accordance with one or more of the embodiments disclosed herein.

Eine Verwendung gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände kann die Verwendung einer Schichtanordnung betreffen, die gemäß einer oder mehreren der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ausgebildet ist. Ferner kann eine Verwendung gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände die Verwendung einer direkten Laserinterferenzstrukturierung (DLIP) zur Herstellung einer Kontaktstruktur gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände betreffen.Use according to embodiments of the subject matter disclosed herein may relate to the use of a layer assembly formed according to one or more of the embodiments described above. Further, use according to embodiments of the subject matter disclosed herein may relate to the use of direct laser interference structuring (DLIP) to fabricate a contact structure in accordance with one or more embodiments of the subject matter disclosed herein.

Ein Verfahren gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände kann ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung betreffen, welche eines oder mehrere Merkmale der hierin offenbarten Ausführungsformen aufweist. Ein Verfahren gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände kann ein Verfahren zum Herstellen eines Zwischenproduktes betreffen, welches eines oder mehrere Merkmale der hierin offenbarten Ausführungsformen aufweist. Ferner kann ein Verfahren gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände ein Verfahren zum elektrischen Kontaktieren einer Schichtanordnung, welche eine elektrisch leitende Schicht aufweist, betreffen. Ferner kann ein Verfahren gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktstruktur betreffen, die eines oder mehrere Merkmale der hierin offenbarten Ausführungsformen aufweist.A method according to embodiments of the subject matter disclosed herein may relate to a method of manufacturing a device having one or more features of the embodiments disclosed herein. A method according to embodiments of the subject matter disclosed herein may relate to a method of making an intermediate product having one or more features of the embodiments disclosed herein. Further, a method according to embodiments of the subject matter disclosed herein may relate to a method of electrically contacting a layer assembly having an electrically conductive layer. Further, a method according to embodiments of the subject matter disclosed herein may relate to a method of fabricating a contact structure having one or more features of the embodiments disclosed herein.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Erzeugen einer Vielzahl von Kontaktlöchern in der Schichtanordnung ein Erzeugen der Vielzahl von Kontaktlöchern in der elektrisch leitenden Schicht.According to one embodiment, generating a plurality of contact holes in the layer assembly comprises generating the plurality of contact holes in the electrically conductive layer.

Nachfolgend werden exemplarische Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Es wird angemerkt, dass in verschiedenen Figuren ähnliche oder identische Elemente oder Komponenten teilweise mit denselben Bezugszahlen versehen sind, oder mit Bezugszahlen, die sich nur in der ersten Ziffer und/oder einer angehängten Ziffer unterscheiden. Merkmale bzw. Komponenten, die mit den entsprechenden Merkmalen bzw. Komponenten in einer anderen Figur gleich oder zumindest funktionsgleich sind, werden nur bei ihrem ersten Auftreten in dem nachfolgenden Text detailliert beschrieben und die Beschreibung wird bei nachfolgendem Auftreten dieser Merkmale und Komponenten (bzw. der entsprechenden Bezugszahlen) nicht wiederholt. Die vorstehenden Definitionen gelten gemäß einer Ausführungsform für die nachfolgenden Ausführungsformen, und umgekehrt. Ferner sind die vorstehend beschriebenen Merkmale und Ausführungsformen mit den nachfolgend beschriebenen Merkmalen und Ausführungsformen kombinierbar.Hereinafter, exemplary embodiments of the objects disclosed herein will be described with reference to the drawings. It should be noted that in different figures, similar or identical elements or components are partially provided with the same reference numerals, or with reference numerals that differ only in the first digit and / or an attached digit. Features or components that are the same or at least functionally identical with the corresponding features or components in another figure are described in detail only in their first appearance in the following text and the description will be in subsequent occurrence of these features and components (or the corresponding reference numbers) not repeated. The above definitions apply according to an embodiment for the following embodiments, and vice versa. Furthermore, the features and embodiments described above can be combined with the features and embodiments described below.

1 zeigt schematisch eine Vorrichtung 100 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 1 schematically shows a device 100 according to embodiments of the articles disclosed herein.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung 100 eine Schichtanordnung 102 auf mit einer Vielzahl 104 von Kontaktlöchern (die einzelnen Kontaktlöcher sind in 1 nicht dargestellt), wobei die Kontaktlöcher der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern über einen Oberflächenabschnitt 106 verteilt angeordnet sind. Die Kontaktlöcher sind mit einem elektrisch leitenden Material 108 gefüllt, welches sich gemäß einer Ausführungsform über die Kontaktlöcher 104 hinaus erstreckt. Gemäß einer Ausführungsform ist das elektrisch leitende Material von allen Kontaktlöchern mit einem externen leitenden Kontakt 110 elektrisch leitend verbunden. Gemäß einer Ausführungsform erstreckt sich das elektrisch leitende Material 108 zwischen jedem der Kontaktlöcher und dem externen leitenden Kontakt 110, beispielsweise wie in 1 dargestellt.According to one embodiment, the device 100 a layer arrangement 102 on with a variety 104 of contact holes (the individual contact holes are in 1 not shown), wherein the contact holes of the plurality 104 from contact holes over a surface portion 106 are arranged distributed. The contact holes are made with an electrically conductive material 108 filled, which is itself according to an embodiment via the contact holes 104 extends beyond. According to one embodiment, the electrically conductive material is of all the contact holes with an external conductive contact 110 electrically connected. According to one embodiment, the electrically conductive material 108 extends between each of the contact holes and the external conductive contact 110, for example as in FIG 1 shown.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung 100 ferner eine zweite Vielzahl 112 von Kontaktlöchern auf, wobei die zweite Vielzahl 112 von Kontaktlöchern über einen zweiten Oberflächenabschnitt 114 der Schichtanordnung 102 verteilt angeordnet ist. Gemäß einer Ausführungsform sind der erste Oberflächenabschnitt 106 und der zweite Oberflächenabschnitt 114 kreisförmig und mit Abstand voneinander angeordnet, beispielsweise wie in 1 dargestellt.According to one embodiment, the device 100 furthermore a second plurality 112 from contact holes, wherein the second plurality 112 of contact holes over a second surface portion 114 the layer arrangement 102 is arranged distributed. According to one embodiment, the first surface section 106 and the second surface portion 114 is circular and spaced apart, for example, as in FIG 1 shown.

Das elektrisch leitende Material 108, welches sich in der ersten Vielzahl 104 von Kontaktlöchern und der zweiten Vielzahl 112 von Kontaktlöchern befindet, bildet zusammen mit dem externen elektrisch leitenden Kontakt 110 eine Kontaktstruktur 116. Gemäß einer Ausführungsform weist die Kontaktstruktur 116 einen elektrisch leitenden Pfad 118 über der Schichtanordnung auf, welcher das elektrisch leitende Material in der ersten Vielzahl 104 und der zweiten Vielzahl 112 von Kontaktlöchern mit dem externen elektrisch leitenden Kontakt 110 verbindet. Gemäß einer Ausführungsform kann der elektrisch leitende Pfad 118 durch das elektrisch leitende Material 108 gebildet sein, welches sich über die Kontaktlöcher hinaus erstreckt, beispielsweise wie in 1 dargestellt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der elektrisch leitende Pfad 118 durch einen separaten Leiter gebildet, beispielsweise durch einen Draht oder einen Materialstrang, welcher mit dem elektrisch leitenden Material in der ersten Vielzahl 104 und der zweiten Vielzahl 112 von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.The electrically conductive material 108 which is in the first variety 104 of contact holes and the second plurality 112 of contact holes, together with the external electrically conductive contact 110 a contact structure 116 , According to one embodiment, the contact structure 116 has an electrically conductive path 118 over the layer assembly containing the electrically conductive material in the first plurality 104 and the second variety 112 of contact holes with the external electrically conductive contact 110 combines. According to one embodiment, the electrically conductive path 118 through the electrically conductive material 108 be formed, which extends beyond the contact holes, for example, as in 1 shown. According to another embodiment, the electrically conductive path 118 formed by a separate conductor, for example by a wire or a strand of material, which with the electrically conductive material in the first plurality 104 and the second variety 112 is electrically connected by contact holes.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung 102 eine weitere Vielzahl 120 von Kontaktlöchern auf. Ferner weist die Vorrichtung 100 eine weitere Kontaktstruktur 122 auf, welche ein weiteres elektrisch leitendes Material 123 aufweist, mit welchem die weitere Vielzahl 120 von Kontaktlöchern mindestens teilweise gefüllt ist. Die weitere Vielzahl 120 von Kontaktlöchern ist mit einem weiteren externen elektrischen Kontakt 124 elektrisch leitend verbunden. Gemäß einer Ausführungsform ist die weitere Vielzahl 120 von Kontaktlöchern analog zu der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern ausgebildet. Beispielsweise können allgemein alle Vielzahlen 104, 112, 120 von Kontaktlöchern analog, d. h. mit denselben Merkmalen, ausgebildet sein.According to one embodiment, the layer arrangement 102 another variety 120 from contact holes. Furthermore, the device 100 another contact structure 122 on which another electrically conductive material 123 has, with which the further variety 120 is at least partially filled by contact holes. The further variety 120 of contact holes is with another external electrical contact 124 electrically connected. According to one embodiment, the further plurality 120 from contact holes analogous to the multitude 104 formed by contact holes. For example, generally all the pluralities 104, 112, 120 of contact holes can be formed analogously, ie with the same features.

Gemäß einer Ausführungsform ist das in den Kontaktlöchern befindliche elektrisch leitende Material 108 unter den Kontaktlöchern der ersten Vielzahl 104 elektrisch leitend verbunden und das weitere elektrisch leitende Material 124 in der weiteren Vielzahl von Kontaktlöchern ist unter den Kontaktlöchern der weiteren Vielzahl 120 elektrisch leitend verbunden.According to one embodiment, the electrically conductive material located in the contact holes 108 are electrically conductively connected under the contact holes of the first plurality 104 and the further electrically conductive material 124 in the further plurality of contact holes is under the contact holes of the further plurality 120 electrically connected.

Jede Kontaktstruktur 116, 122 kann eine oder mehrere Vielzahlen von Kontaktlöchern aufweisen, von denen in 1 einige allgemein mit 104 bezeichnet sind, beispielsweise achtzehn Vielzahlen 104 von Kontaktlöchern wie in 1 dargestellt. In diesem Zusammenhang sei angemerkt, dass die Bezeichnung „erste“ Vielzahl, „zweite“ Vielzahl, „weitere“ Vielzahl lediglich zur Veranschaulichung einiger Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände verwendet wird, aber nicht notwendigerweise eine von der Vielzahl 104 abweichende Ausgestaltung der betreffenden Kontaktlöcher bezeichnet.Every contact structure 116 . 122 may comprise one or more pluralities of contact holes, of which in 1 some are generally designated 104, for example eighteen pluralities 104 from contact holes like in 1 shown. In this regard, it should be noted that the term "first" plurality, "second" plurality, "further" plurality are used merely to illustrate some embodiments of the items disclosed herein, but not necessarily one of the plurality 104 different design of the respective contact holes called.

Gemäß einer Ausführungsform sind die externen elektrischen Kontakte 110, 124 mittels elektrischer Leitungen 125 an eine Spannungsquelle 126 angeschlossen, um eine Potenzialdifferenz zwischen der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern und der weiteren Vielzahl 120 von Kontaktlöchern zu erzeugen.According to one embodiment, the external electrical contacts 110 , 124 by means of electrical lines 125 to a voltage source 126 connected to a potential difference between the multitude 104 of contact holes and the further variety 120 to create contact holes.

2 zeigt eine vergrößerte Darstellung der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern aus 1. 2 shows an enlarged view of the plurality 104 from contact holes 1 ,

In 2 sind einige der Kontaktlöcher mit 128 bezeichnet. Gemäß einer Ausführungsform haben die Kontaktlöcher 128 einen runden Querschnitt, beispielsweise wie in 1 dargestellt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform bilden die Kontaktlöcher 128 ein periodisches Muster, beispielsweise einen hexagonales Muster, beispielsweise wie in 2 dargestellt.In 2 For example, some of the vias are labeled 128. According to one embodiment, the contact holes 128 a round cross section, for example as in 1 shown. According to another embodiment, the contact holes form 128 a periodic pattern, for example a hexagonal pattern, for example as in FIG 2 shown.

3 zeigt eine Querschnittsansicht eines Teils der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern 128 aus 2 entlang der Schnittlinie III - III. 3 shows a cross-sectional view of a portion of the plurality 104 from contact holes 128 out 2 along the section line III - III.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung eine elektrisch leitende Schicht 130 auf, beispielsweise mindestens eine elektrisch leitende Schicht 130, wie zum Beispiel zwei elektrisch leitende Schichten 130. Gemäß einer Ausführungsform ist zwischen zwei elektrisch leitenden Schichten 130 eine elektrisch isolierende Schicht 132 angeordnet. Ferner kann vorgesehen sein, dass eine außen liegende Schicht 134 der Schichtanordnung 102, d. h. eine Schicht, welche eine äußere Oberfläche der Schichtanordnung 102 bildet, eine elektrisch isolierende Schicht 132 ist. Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung ein Substrat 136 auf, auf welchem die Schichtanordnung 102 angeordnet ist. Das Substrat 136 kann beispielsweise ein Glassubstrat sein.According to one embodiment, the layer arrangement has an electrically conductive layer 130 on, for example, at least one electrically conductive layer 130 , such as two electrically conductive layers 130 , According to one embodiment, between two electrically conductive layers 130 an electrically insulating layer 132 arranged. Furthermore, it can be provided that an outer layer 134 the layer arrangement 102 that is, a layer having an outer surface of the layer assembly 102 forms, an electrically insulating layer 132 is. According to one embodiment, the device has a substrate 136 on which the layer arrangement 102 is arranged. The substrate 136 may be, for example, a glass substrate.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung 102 die Vielzahl von Kontaktlöchern 128 auf. Gemäß einer Ausführungsform sind die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material 108 gefüllt, um die elektrisch leitende Schicht 130 elektrisch zu kontaktieren, beispielsweise wie in 3 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform ist das elektrisch leitende Material 108 in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material 108 in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden, beispielsweise wie in 3 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform kann die elektrisch leitende Verbindung des elektrisch leitenden Materials 108 in den Kontaktlöchern 128 durch die elektrisch leitende Schicht 130 realisiert sein, beispielsweise wie in 3 dargestellt. Ferner kann die elektrisch leitende Verbindung des elektrisch leitenden Materials 108 in den Kontaktlöchern 128 durch den elektrisch leitenden Pfad 118 realisiert sein, beispielsweise wie in 3 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform erstreckt sich der elektrisch leitende Pfad 118 zwischen den Kontaktlöchern 128 und verbindet so das elektrisch leitende Material 108 in den Kontaktlöchern 128 der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern untereinander. Gemäß einer Ausführungsform ist der elektrisch leitende Pfad durch das elektrisch leitende Material 108 gebildet, welches sich beispielsweise über die Kontaktlöcher 128 hinaus erstrecken kann, beispielsweise wie in 3 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform ist elektrisch leitende Pfad 118 auf der außen liegenden Schicht 134 der Schichtanordnung 102 angeordnet, beispielsweise wie in 3 dargestellt.According to one embodiment, the layer arrangement 102 the multitude of contact holes 128 on. According to one embodiment, the contact holes are at least partially with the electrically conductive material 108 filled to the electrically conductive layer 130 electrically contact, for example, as in 3 shown. According to one embodiment, the electrically conductive material 108 in one of the contact holes with the electrically conductive material 108 electrically conductively connected in the remaining contact holes of the plurality of contact holes, for example as in 3 shown. According to one embodiment, the electrically conductive connection of the electrically conductive material 108 in the contact holes 128 through the electrically conductive layer 130 be realized, for example as in 3 shown. Furthermore, the electrically conductive connection of the electrically conductive material 108 in the contact holes 128 through the electrically conductive path 118 be realized, for example as in 3 shown. According to one embodiment, the electrically conductive path extends 118 between the contact holes 128 and thus connects the electrically conductive material 108 in the contact holes 128 the variety 104 from contact holes with each other. According to one embodiment, the electrically conductive path is through the electrically conductive material 108 formed, which, for example, via the contact holes 128 may extend, for example, as in 3 shown. According to one embodiment is electrically conductive path 118 on the outer layer 134 the layer arrangement 102 arranged, for example as in 3 shown.

Gemäß einer Ausführungsform erstrecken sich die Kontaktlöcher 128 durch die elektrisch leitende Schicht 130 hindurch, beispielsweise wie in 3 dargestellt.According to one embodiment, the contact holes extend 128 through the electrically conductive layer 130 through, for example as in 3 shown.

Wie bereits mit Bezug auf 1 erläutert, kann die Kontaktstruktur 116 das elektrisch leitende Material 108 in den Kontaktlöchern 128 sowie den elektrisch leitenden Pfad 118 umfassen. Gemäß einer Ausführungsform kann die Kontaktstruktur 116 ausschließlich durch das elektrisch leitende Material 108 gebildet sein, beispielsweise wie in 3 dargestellt.As already related to 1 explains, the contact structure 116 the electrically conductive material 108 in the contact holes 128 and the electrically conductive path 118 include. According to one embodiment, the contact structure 116 be formed solely by the electrically conductive material 108, for example as in 3 shown.

Gemäß einer Ausführungsform weist jede Schicht 130, 132 der Schichtanordnung 102 eine Dicke 138 in einem Intervall zwischen 0,5 nm und 100 nm auf. Wie üblich, gibt die Dicke 138 hierbei die Ausdehnung der betreffenden Schicht 130, 132 senkrecht zu einer Schichtebene (in 3 nicht dargestellt) an.According to one embodiment, each layer 130 . 132 the layer arrangement 102 a thickness 138 in an interval between 0.5 nm and 100 nm. As usual, gives the thickness 138 here the extent of the relevant layer 130 . 132 perpendicular to a layer plane (in 3 not shown).

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtanordnung 102 senkrecht zu der Schichtebene eine Dicke 140 in einem Intervall zwischen 5 nm und 1 µm auf. Jedoch kann die Schichtanordnung in einer nicht dargestellten Ausführungsform beispielsweise aus einer einzigen Schicht, beispielsweise einer elektrisch leitenden Schicht bestehen.According to one embodiment, the layer arrangement 102 perpendicular to the layer plane, a thickness 140 in an interval between 5 nm and 1 μm. However, in an embodiment not shown, the layer arrangement may for example consist of a single layer, for example an electrically conductive layer.

Gemäß einer Ausführungsform weisen die Kontaktlöcher einen mittleren Durchmesser D auf, der beispielsweise in einem Intervall zwischen 0,1 µm und 100 µm liegt. Gemäß einer Ausführungsform weisen die Kontaktlöcher einen Abstand X zwischen zwei benachbarten Löchern auf, wobei der Abstand beispielsweise in einem Intervall zwischen Null und dem 10-fachen mittleren Durchmesser D liegt (X ∈ [0∗D; 10∗D]). Gemäß einer Ausführungsform weichen die mittleren Abstände X unter den Kontaktlöchern 128 der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern jedoch um weniger als 20 %, beispielsweise weniger als 10 % oder weniger als 5 % voneinander ab.According to one embodiment, the contact holes have an average diameter D, which lies, for example, in an interval between 0.1 μm and 100 μm. According to one embodiment, the contact holes have a distance X between two adjacent holes, wherein the distance is, for example, in an interval between zero and 10 times the mean diameter D (X ∈ [0 * D; 10 * D]). According to one embodiment, the mean distances X are below the contact holes 128 However, the plurality 104 of contact holes by less than 20%, for example, less than 10% or less than 5% from each other.

4 zeigt einen Teil der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern 128 aus 2. 4 shows a part of the multitude 104 from contact holes 128 out 2 ,

Gemäß einer Ausführungsform weist die Vielzahl 104 von Kontaktlöchern 128 in der elektrisch leitenden Schicht 130 erste Kontaktlöcher 142 auf, die um einen ersten Bereich 144 der elektrisch leitenden Schicht 130 herum angeordnet sind. Lediglich zur leichteren Unterscheidung sind die ersten Kontaktlöcher 142 in 4 als offene Kreise dargestellt. Ferner weist gemäß einer Ausführungsform die elektrisch leitende Schicht einen zweiten Bereich 146 auf, der radial außerhalb der ersten Kontaktlöcher 142 angeordnet ist, wobei der erste Bereich 144 mit dem zweiten Bereich 146 elektrisch leitend verbunden ist. Es sollte sich verstehen, dass der erste Bereich 144 und der zweite Bereich 146 in 4 lediglich schematisch und beispielhaft zum leichteren Verständnis durch die dargestellten gestrichelten Linien abgegrenzt sind. Unabhängig von der Darstellung in 4 ist die beschriebene Ausführungsform dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Bereich innerhalb der ersten Kontaktlöcher 142 elektrisch leitend verbunden ist mit einem zweiten Bereich außerhalb der ersten Kontaktlöcher 142. Hierbei versteht es sich, dass die in 4 dargestellten ersten Kontaktlöcher 142 lediglich exemplarisch ausgewählt wurden, um die beschriebene Art Ausführungsform zu veranschaulichen. Gemäß einer Ausführungsform gilt die beschriebene elektrisch leitende Verbindung des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs für jede Gruppe von Kontaktlöchern innerhalb der Vielzahl 104 von Kontaktlöchern 128.According to one embodiment, the plurality 104 from contact holes 128 in the electrically conductive layer 130 first contact holes 142 on that around a first area 144 the electrically conductive layer 130 are arranged around. Merely for easier distinction, the first contact holes 142 in 4 shown as open circles. Furthermore, according to one embodiment, the electrically conductive layer has a second region 146, which is radially outside of the first contact holes 142 is arranged, the first area 144 with the second area 146 is electrically connected. It should be understood that the first area 144 and the second area 146 in 4 are delimited only schematically and by way of example by way of the illustrated dashed lines for ease of understanding. Regardless of the representation in 4 the embodiment described is characterized in that a first region within the first contact holes 142 electrically connected to a second region outside the first contact holes 142 , It is understood that the in 4 shown first contact holes 142 merely selected by way of example in order to illustrate the type of embodiment described. According to one embodiment, the described electrically conductive connection of the first region and the second region applies to each group of contact holes within the plurality 104 from contact holes 128 ,

5 zeigt ein Zwischenprodukt 201 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 5 shows an intermediate 201 according to embodiments of the articles disclosed herein.

Gemäß einer Ausführungsform ist das Zwischenprodukt in Form einer Schichtanordnung 102 bereitgestellt (beispielsweise auf einem Substrat 136), wobei die Schichtanordnung 102 eine Vielzahl von Kontaktlöchern 128 aufweist. Gemäß einer Ausführungsform sind die Kontaktlöcher 128 für eine mindestens teilweise Füllung mit einem elektrisch leitenden Material vorgesehen, um eine elektrisch leitende Schicht 130 elektrisch zu kontaktieren, beispielsweise wie in 5 dargestellt. According to one embodiment, the intermediate product is in the form of a layer arrangement 102 provided (for example on a substrate 136 ), wherein the layer arrangement 102 a variety of contact holes 128 having. According to one embodiment, the contact holes 128 provided for an at least partial filling with an electrically conductive material to an electrically conductive layer 130 electrically contact, for example, as in 5 shown.

6 zeigt eine Vorrichtung 200 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 6 shows a device 200 according to embodiments of the articles disclosed herein.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Vorrichtung 200 auf Basis eines Zwischenprodukts, beispielsweise auf Basis des Zwischenprodukts 201 aus 5, gebildet.In one embodiment, the device is 200 based on an intermediate, for example based on the intermediate product 201 out 5 , educated.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung eine Kontaktstruktur 216 auf, die ein elektrisch leitendes Material 108 umfasst, mit welchem die Kontaktlöcher 128 teilweise gefüllt sind, beispielsweise wie in 6 dargestellt.According to one embodiment, the device has a contact structure 216 on, which is an electrically conductive material 108 includes, with which the contact holes 128 partially filled, for example as in 6 shown.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Kontaktlöcher 128 ausgebildet und die Füllung der Kontaktlöcher 128 mit dem elektrisch leitenden Material 108 ist derart ausgebildet, dass das elektrisch leitende Material 108 die elektrisch leitende Schicht 130 elektrisch kontaktiert. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform ein Kontaktloch 128 sich durch die elektrisch leitende Schicht 130 (beispielsweise die elektrisch leitende Schicht 230 in 6) hindurch erstrecken. Ferner kann gemäß einer Ausführungsform ein Kontaktloch 128 die elektrisch leitende Schicht 130 (beispielsweise die elektrisch leitende Schicht 330 in 6) freilegen. In beiden Fällen (elektrisch leitende Schicht 230 und elektrisch leitende Schicht 330) wird die betreffende elektrisch leitende Schicht 230, 330 durch das elektrisch leitende Material 108 elektrisch kontaktiert. Gemäß einer Ausführungsform erstreckt sich das elektrisch leitende Material kontinuierlich zwischen der elektrisch leitenden Schicht 230 und elektrisch leitenden Schicht 330. Dadurch sind die beiden elektrisch leitenden Schichten 230, 330 durch das elektrisch leitende Material 108 elektrisch leitend verbunden, im Einklang mit einer Ausführungsform der hierin offenbarten Gegenstände.According to one embodiment, the contact holes 128 formed and the filling of the contact holes 128 with the electrically conductive material 108 is formed such that the electrically conductive material 108 the electrically conductive layer 130 electrically contacted. For example, according to one embodiment, a contact hole 128 through the electrically conductive layer 130 (for example, the electrically conductive layer 230 in 6 ) extend therethrough. Furthermore, according to one embodiment, a contact hole 128 the electrically conductive layer 130 (For example, the electrically conductive layer 330 in 6 ) uncover. In both cases (electrically conductive layer 230 and electrically conductive layer 330 ) becomes the relevant electrically conductive layer 230 . 330 through the electrically conductive material 108 electrically contacted. According to one embodiment, the electrically conductive material extends continuously between the electrically conductive layer 230 and electrically conductive layer 330 , As a result, the two electrically conductive layers 230 . 330 through the electrically conductive material 108 electrically connected in accordance with an embodiment of the subject matter disclosed herein.

7 zeigt ein Prozessiersystem 150 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 7 shows a processing system 150 according to embodiments of the articles disclosed herein.

Gemäß einer Ausführungsform weist das Prozessiersystem 150 eine Laservorrichtung 152 auf, welche gemäß einer weiteren Ausführungsform für eine direkte Laserinterferenzstrukturierung ausgebildet ist. Hierzu weist die Laservorrichtung 152 gemäß einer Ausführungsform eine Laserquelle 154 auf zur Erzeugung eines Primär-Laserstrahles 156, der einem Strahlteiler 158 zugeführt wird, um den Primär-Laserstrahl 156 in mindestens zwei Teilstrahlen, beispielsweise zwei Teilstrahlen 160 wie in 7 dargestellt, aufzuspalten, die einer optischen Vorrichtung 162 zugeführt werden. Die optische Vorrichtung 162 richtet die (beiden) Teilstrahlen 160 auf ein Gebiet 164 auf der Schichtanordnung 102, um die Schichtanordnung 102 in dem Gebiet 164 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände mit einer Vielzahl von Kontaktlöchern zu versehen. Die (mindestens) zwei Teilstrahlen 160 werden gemäß einer Ausführungsform hierin auch gemeinsam als Interferenzstrahl bezeichnet. Die Laservorrichtung 152 des Prozessiersystems 150 ist gemäß einer Ausführungsform vorgesehen, um ein Zwischenprodukt, beispielsweise ein Zwischenprodukt 201, wie es in 5 exemplarisch dargestellt ist, zu erzeugen.According to one embodiment, the processing system 150 a laser device 152 which, according to another embodiment, is designed for direct laser interference patterning. For this purpose, the laser device 152 According to one embodiment, a laser source 154 to generate a primary laser beam 156 , the beam splitter 158 is supplied to the primary laser beam 156 in at least two partial beams, for example, two partial beams 160 as in 7 shown to split that of an optical device 162 be supplied. The optical device 162 align the (two) partial beams 160 on a region 164 on the layer arrangement 102 to the layer arrangement 102 in the area 164 according to embodiments of the objects disclosed herein to be provided with a plurality of contact holes. The (at least) two partial beams 160 are also collectively referred to herein as interference beam according to one embodiment. The laser device 152 of the processing system 150 According to one embodiment, it is intended to be an intermediate product, for example an intermediate product 201 as it is in 5 is shown as an example.

Gemäß einer Ausführungsform ist eine Steuervorrichtung 166 vorgesehen, welche mit der Laservorrichtung 152 steuerungsmäßig gekoppelt ist, angegeben bei 167. Die Steuervorrichtung 166 weist gemäß einer Ausführungsform eine Prozessorvorrichtung 168 und eine Speichervorrichtung 170 auf, wobei die Speichervorrichtung 170 ein Programmelement gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände gespeichert hat, welches bei Ausführung durch die Prozessorvorrichtung 168 die Ausführung eines Verfahrens gemäß einem oder mehreren Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände bewirkt.According to one embodiment, a control device 166 provided, which with the laser device 152 Controlled coupled, indicated at 167. The control device 166 according to one embodiment, a processor device 168 and a storage device 170, wherein the storage device 170 has stored a program element according to embodiments of the subject-matter disclosed herein when executed by the processor device 168 the execution of a method according to one or more embodiments of the objects disclosed herein causes.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Prozessiersystem 150 eine Aufbringvorrichtung 172 auf, welche in einer bekannten Weise ein elektrisch leitendes Material (in 7 nicht dargestellt) in die Kontaktlöcher der Schichtanordnung 102 aufbringt, beispielsweise abscheidet oder aufträgt, beispielsweise wie hierin beschrieben. Gemäß einer Ausführungsform ist die Aufbringvorrichtung 172 eingerichtet, um ein Zwischenprodukt, beispielsweise ein Zwischenprodukt 201, wie es mit Bezug auf 5 beschrieben wurde, zu empfangen. Gemäß einer Ausführungsform ist die Aufbringvorrichtung Steuerung mit einer Steuervorrichtung verbunden, beispielsweise mit der Steuervorrichtung 166, beispielsweise über eine steuerungsmäßige Verbindung 167, wie in 7 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform ist das in der Speichervorrichtung 170 gespeicherte Programmelement eingerichtet, um auch die Aufbringvorrichtung 172 zu steuern.According to a further embodiment, the processing system 150 an applicator 172 which, in a known manner, an electrically conductive material (in 7 not shown) in the contact holes of the layer arrangement 102 applies, for example, deposits or deposits, for example, as described herein. In one embodiment, the applicator is 172 set up to be an intermediate, for example, an intermediate 201 as related to 5 was described to receive. According to one embodiment, the application device controller is connected to a control device, for example to the control device 166 , for example via a control connection 167 , as in 7 shown. In one embodiment, this is in the storage device 170 stored program element set up to also the applicator 172 to control.

Gemäß einer Ausführungsform weist das Prozessiersystem 150 eine Transportvorrichtung 174 auf, zum Transportieren der Schichtanordnung 102 von der Laservorrichtung 152 zu der Aufbringvorrichtung 172.According to one embodiment, the processing system 150 a transport device 174 on, for transporting the layer arrangement 102 from the laser device 152 to the applicator 172 ,

8 zeigt ein weiteres Prozessiersystem 250 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 8th shows another processing system 250 according to embodiments of the articles disclosed herein.

Gemäß einer Ausführungsform weist das Prozessiersystem 250 eine Laservorrichtung 152 auf, welche eingerichtet ist, um mittels direkter Laserinterferenzstrukturierung (DLIP), beispielsweise durch Überlagerung von drei Teilstrahlen 160 eine Vielzahl von Kontaktlöchern in einer Schichtanordnung 102 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände zu erzeugen. Gemäß einer Ausführungsform weist die Laservorrichtung 152 eine Steuervorrichtung 166 auf, die bezüglich der Laservorrichtung 152 analog zu der Steuervorrichtung von 7 aufgebaut sein kann. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das Prozessiersystem 250 eine Transportvorrichtung 274 aufweisen zum Transportieren der Schichtanordnung 102 zu der Laservorrichtung 152 und/oder Transportieren des Zwischenprodukts von der Laservorrichtung 152 weg. Das Prozessiersystem 250 umfasst gemäß einer Ausführungsform keine Aufbringvorrichtung. Gemäß einer Ausführungsform ist das Prozessiersystem 250 daher zur Herstellung eines Zwischenproduktes gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände eingerichtet.According to one embodiment, the processing system 250 a laser device 152 which is set up by means of direct laser interference structuring (DLIP), for example by superposition of three partial beams 160 a plurality of contact holes in a layer arrangement 102 according to embodiments of the articles disclosed herein. According to one embodiment, the laser device 152 a control device 166 on, with respect to the laser device 152 analogous to the control device of 7 can be constructed. According to another embodiment, the processing system 250 may include a transport device 274 have for transporting the layer arrangement 102 to the laser device 152 and / or transporting the intermediate product from the laser device 152 path. The processing system 250 according to one embodiment does not comprise an applicator. According to one embodiment, the processing system 250 is therefore configured to produce an intermediate product in accordance with embodiments of the items disclosed herein.

9 zeigt ein weiteres Prozessiersystem 350 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. 9 shows another processing system 350 according to embodiments of the articles disclosed herein.

Gemäß einer Ausführungsform weist das Prozessiersystem 350 eine Aufbringvorrichtung 172 auf, die analog zu der Aufbringvorrichtung 172 des Prozessiersystems 150 von 7 ausgebildet sein kann. Ferner weist das Prozessiersystem 350 gemäß einer Ausführungsform eine Steuervorrichtung 166 auf, die bezüglich der Aufbringvorrichtung 172 analog zu der Steuervorrichtung 166 des Prozessiersystems 150 von 7 aufgebaut sein kann. Gemäß einer Ausführungsform ist das Prozessiersystem 350 eingerichtet, um ein Zwischenprodukt 201 zu empfangen und in die Vielzahl von Kontaktlöchern in der Schichtanordnung 102 des Zwischenprodukts 201 ein elektrisch leitendes Material aufzubringen, beispielsweise aufzutragen oder abzuscheiden, beispielsweise wie hierin beschrieben. Beispielsweise weist das Prozessiersystem 350 keine Laservorrichtung auf. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das Prozessiersystem 350 eine Transportvorrichtung 374 aufweisen zum Transportieren des Zwischenprodukts 201 zu der Aufbringvorrichtung 172 und/oder Transportieren der Vorrichtung von der Aufbringvorrichtung 172 weg.According to one embodiment, the processing system 350 an applicator 172 on, which is analogous to the applicator 172 of the processing system 150 from 7 can be trained. Furthermore, the processing system 350 According to one embodiment, a control device 166, which with respect to the applicator 172 analogous to the control device 166 of the processing system 150 from 7 can be constructed. According to one embodiment, the processing system 350 set up to be an intermediate 201 to receive and into the plurality of contact holes in the layer arrangement 102 of the intermediate 201 apply an electrically conductive material, for example, apply or deposit, for example, as described herein. For example, the processing system 350 no laser device on. According to a further embodiment, the processing system 350 a transport device 374 for transporting the intermediate product 201 to the applicator 172 and / or transporting the device from the applicator 172 path.

Es sollte angemerkt werden, dass ein Prozessiersystem oder eine Steuervorrichtung nicht auf die dezidierten Entitäten beschränkt sind, wie sie in einigen Implementierungen oder beschrieben sind. Vielmehr können die hierin offenbarten Gegenstände auf verschiedene Weisen implementiert werden, während sie immer noch die offenbarte spezifische Funktionalität liefern.It should be noted that a processing system or controller is not limited to the dedicated entities as described or described in some implementations. Rather, the objects disclosed herein may be implemented in various ways while still providing the disclosed specific functionality.

Es wird darauf hingewiesen, dass jede hierin offenbarte Entität (Prozessiersystem und/oder dessen Bestandteile, Merkmal oder Verfahrensschritt) nicht auf eine dezidierte Entität beschränkt ist, wie sie in einigen Ausführungsformen beschrieben ist. Vielmehr können die hierin beschriebenen Gegenstände auf verschiedene Weisen mit verschiedener Granularität auf Vorrichtungs-Niveau, auf Verfahrens-Niveau, oder auf Software-Niveau bereitgestellt sein, während sie immer noch die angegebene Funktionalität liefern. Ferner sollte angemerkt werden, dass gemäß Ausführungsformen eine separate Entität für jede der hierin offenbarten Funktionen bereitgestellt sein kann. Gemäß anderer Ausführungsformen kann eine Entität konfiguriert sein, um zwei oder mehr Funktionen, wie sie hierin beschrieben sind, zu liefern. Gemäß nochmals anderen Ausführungsformen können zwei oder mehr Entitäten konfiguriert sein, um zusammen eine Funktion, wie sie hierin beschrieben ist, zu liefern.It should be understood that any entity disclosed herein (processing system and / or its components, feature or method step) is not limited to a dedicated entity as described in some embodiments. Rather, the articles described herein may be provided in various ways with different granularity at the device level, at the process level, or at the software level, while still providing the stated functionality. Further, it should be noted that according to embodiments, a separate entity may be provided for each of the functions disclosed herein. According to other embodiments, an entity may be configured to provide two or more functions as described herein. In yet other embodiments, two or more entities may be configured to together provide a function as described herein.

Es wird darauf hingewiesen, dass die hier beschriebenen Implementierungen in den Zeichnungen lediglich eine beschränkte Auswahl an möglichen Ausführungsvarianten der Erfindung darstellen. So ist es möglich, die Merkmale einzelner Ausführungsformen in geeigneter Weise miteinander zu kombinieren, so dass für den Fachmann mit den hier expliziten Ausführungsvarianten eine Vielzahl von verschiedenen Ausführungsformen als offenbart anzusehen sind. Ferner sollte erwähnt werden, dass Begriffe wie „ein“ oder „eines“ eine Mehrzahl nicht ausschließen. Begriffe wie „enthaltend“ oder „aufweisend“ schließen weitere Merkmale oder Verfahrensschritte nicht aus. Die Begriffe „aufweisend“ oder „enthaltend“ umfassen jeweils die beiden Bedeutungen „unter anderem aufweisend“ und „bestehend aus“.It should be understood that the implementations described herein in the drawings merely represent a limited selection of possible embodiments of the invention. Thus, it is possible to combine the features of individual embodiments in a suitable manner with one another, so that a multiplicity of different embodiments are to be regarded as disclosed to the person skilled in the art with the embodiment variants which are explicit here. It should also be noted that terms such as "a" or "one" do not exclude a plurality. Terms such as "containing" or "having" do not exclude other features or method steps. The terms "comprising" or "containing" each include the two meanings "including and" consisting of.

Ferner sollte angemerkt werden, dass, während die exemplarische Vorrichtungen in den Zeichnungen eine bestimmte Kombination von mehreren Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände zeigt, jede andere Kombination von Ausführungsformen ebenso möglich und mit dieser Anmeldung als offenbart anzusehen ist.It should also be noted that while the exemplary apparatuses in the drawings show a particular combination of several embodiments of the subject matters disclosed herein, any other combination of embodiments is equally possible and to be regarded as disclosed with this application.

Eine vorteilhafte Kombination von Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände lässt sich wie folgt zusammenfassen:

Eine Vorrichtung weist eine Schichtanordnung und eine Kontaktstruktur auf. Die Schichtanordnung weist eine elektrisch leitende Schicht und eine Vielzahl von Kontaktlöchern auf. Die Kontaktstruktur weist ein elektrisch leitendes Material auf, wobei die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren und wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.

An advantageous combination of embodiments of the articles disclosed herein may be summarized as follows:

A device has a layer arrangement and a contact structure. The layer arrangement comprises an electrically conductive layer and a multiplicity of contact holes. The contact structure comprises an electrically conductive material, wherein the contact holes are at least partially filled with the electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer and wherein the electrically conductive material in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the Variety of contact holes is electrically connected.

Gemäß einer Ausführungsform werden mikroskopische Löcher (Mikrometer-Maßstab; 0,1µm - 50 µm) in einer Schichtanordnung für eine makroskopische (Millimeter-Maßstab; 50 µm - 50 mm) Kontaktierung einer elektrisch leitenden Schicht einer Schichtanordnung verwendet.According to one embodiment, microscopic holes (micrometer scale, 0.1 μm-50 μm) are used in a layer arrangement for a macroscopic (millimeter-scale, 50 μm-50 mm) contacting of an electrically conductive layer of a layer arrangement.

Gemäß einer Ausführungsform entspricht die Vielzahl von Kontaktlöchern in der Schichtanordnung einer Perforation der Schichtanordnung.According to one embodiment, the multiplicity of contact holes in the layer arrangement corresponds to a perforation of the layer arrangement.

Claims

Vorrichtung aufweisend: eine Schichtanordnung, welche eine elektrisch leitende Schicht aufweist; eine Kontaktstruktur, welche ein elektrisch leitendes Material aufweist; wobei die Schichtanordnung eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist; wobei die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren; und wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.Device comprising: a layer arrangement comprising an electrically conductive layer; a contact structure comprising an electrically conductive material; wherein the layer assembly has a plurality of contact holes; wherein the contact holes are at least partially filled with the electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer; and wherein the electrically conductive material is electrically conductively connected in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes.

Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Schichtanordnung eine weitere elektrisch leitende Schicht aufweist; wobei die Schichtanordnung ein Schichtstapel ist und die elektrisch leitende Schicht und die weitere elektrisch leitende Schicht übereinander angeordnet sind; wobei sich die Kontaktlöcher sich durch die weitere elektrisch leitende Schicht erstrecken; und wobei die elektrisch leitende Schicht mit der weiteren elektrisch leitenden Schicht durch das elektrisch leitende Material elektrisch leitend verbunden ist.Device after Claim 1 wherein the layer arrangement comprises a further electrically conductive layer; wherein the layer arrangement is a layer stack and the electrically conductive layer and the further electrically conductive layer are arranged one above the other; wherein the contact holes extend through the further electrically conductive layer; and wherein the electrically conductive layer is electrically conductively connected to the further electrically conductive layer by the electrically conductive material.

Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Schichtanordnung eine elektrisch isolierende Schicht aufweist; und die elektrisch isolierende Schicht zwischen der elektrisch leitenden Schicht und der weiteren elektrisch leitenden Schicht angeordnet ist.Device after Claim 2 wherein the layer arrangement comprises an electrically insulating layer; and the electrically insulating layer is disposed between the electrically conductive layer and the further electrically conductive layer.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schichtanordnung ein Schichtstapel ist, welcher mindestens drei elektrisch leitende Schichten aufweist, welche übereinander angeordnet sind und welche durch das elektrisch leitende Material in den Kontaktlöchern miteinander elektrisch leitend verbunden sind.A device according to any one of the preceding claims, wherein the layer arrangement is a layer stack comprising at least three electrically conductive layers which are arranged one above the other and which are electrically conductively connected to one another in the contact holes by the electrically conductive material.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schichtanordnung senkrecht zu einer Schichtebene eine Dicke in einem Intervall zwischen 5 nm und 2 µm aufweist.A device according to any one of the preceding claims, wherein the layer arrangement perpendicular to a layer plane has a thickness in an interval between 5 nm and 2 μm.

Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Dicke der Schichtanordnung in einem Intervall zwischen 10 nm und 1 µm liegt, insbesondere in einem Intervall zwischen 80 nm und 500 nm, ferner insbesondere in einem Intervall zwischen 150 nm und 250 nm.Device after Claim 5 in which the thickness of the layer arrangement lies in an interval between 10 nm and 1 μm, in particular in an interval between 80 nm and 500 nm, furthermore in particular in an interval between 150 nm and 250 nm.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jede Schicht der Schichtanordnung eine Dicke in einem Intervall zwischen 0,5 nm und 100 nm aufweist, insbesondere zwischen 1 nm und 50 nm, insbesondere zwischen 2 nm und 30 nm.Device according to any one of the preceding claims, wherein each layer of the layer arrangement has a thickness in an interval between 0.5 nm and 100 nm, in particular between 1 nm and 50 nm, in particular between 2 nm and 30 nm.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern in der elektrisch leitenden Schicht gebildet ist; wobei insbesondere: die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist und die Vielzahl von Kontaktlöchern erste Kontaktlöcher umfasst, welche um den ersten Bereich herum angeordnet sind; die elektrisch leitende Schicht einen zweiten Bereich aufweist, der radial außerhalb der ersten Kontaktlöcher angeordnet ist; und der erste Bereich mit dem zweiten Bereich elektrisch leitend verbunden ist.Device according to any one of the preceding claims, wherein the plurality of contact holes are formed in the electrically conductive layer; in particular: the electrically conductive layer has a first region and the plurality of contact holes comprises first contact holes arranged around the first region; the electrically conductive layer has a second region disposed radially outward of the first contact holes; and the first region is electrically conductively connected to the second region.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kontaktlöcher der Vielzahl von Kontaktlöchern ein periodisches Muster bilden.Apparatus according to any one of the preceding claims, wherein the contact holes of the plurality of contact holes form a periodic pattern.

Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das periodische Muster ein hexagonales Muster, insbesondere ein hexagonales Punktmuster ist.Apparatus according to the preceding claim, wherein the periodic pattern is a hexagonal pattern, in particular a hexagonal dot pattern.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern mindestens 3 Kontaktlöcher umfasst, insbesondere mindestens 10 Kontaktlöcher, mindestens 20 Kontaktlöcher, mindestens 50 Kontaktlöcher, mindestens 100 Kontaktlöcher, mindestens 500 Kontaktlöcher, mindestens 1000 Kontaktlöcher, mindestens 5000 Kontaktlöcher, mindestens 10000 Kontaktlöcher oder mindestens 100.000 Kontaktlöcher beispielsweise zwischen 3 und 1.000.000 Kontaktlöchern.Device according to any of the preceding claims, wherein the plurality of contact holes comprises at least 3 contact holes, in particular at least 10 contact holes, at least 20 contact holes, at least 50 contact holes, at least 100 contact holes, at least 500 contact holes, at least 1000 contact holes, at least 5,000 contact holes, at least 10,000 contact holes or at least 100,000 contact holes, for example between 3 and 1,000,000 contact holes.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kontaktlöcher einen mittleren Durchmesser D aufweisen; und wobei der mittlere Durchmesser D in einem Intervall zwischen 0,1 µm und 100 µm liegt, insbesondere in einem Intervall zwischen 1µm und 10 µm.Device according to any one of the preceding claims, wherein the contact holes have a mean diameter D; and wherein the average diameter D is in an interval between 0.1 .mu.m and 100 .mu.m, in particular in an interval between 1 .mu.m and 10 .mu.m.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kontaktlöcher einen mittleren Durchmesser D aufweisen; wobei ein Abstand X zwischen jeweils zwei benachbarten Löchern in einem Intervall [a*D; b*D] liegt, X ∈ [a*D; b*D]; wobei die Faktoren a und b jeweils in einem Intervall zwischen 0 und 10 liegen; und wobei a < b ist.Device according to any one of the preceding claims, wherein the contact holes have a mean diameter D; wherein a distance X between each two adjacent holes in an interval [a * D; b * D], X ∈ [a * D; b * D]; where factors a and b are each in an interval between 0 and 10; and where a <b.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei a = 0 und b = 4 ist, insbesondere wobei a = 0,1 und b = 2, oder a = 0,2 und b = 1,5, oder a = 0,3 und b = 1,2 ist.Apparatus according to any one of the preceding claims, wherein a = 0 and b = 4, in particular wherein a = 0.1 and b = 2, or a = 0.2 and b = 1.5, or a = 0.3 and b = 1.2.

Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern durch Laserbestrahlung erzeugte Kontaktlöcher sind.Apparatus according to any one of the preceding claims, wherein the plurality of contact holes are contact holes created by laser irradiation.

Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Laserbestrahlung eine Interferenzbestrahlung ist, bei welcher mindestens zwei Laserstrahlen interferieren zum Erzeugen einer räumlichen Intensitätsvariation, wobei die Kontaktlöcher in Gebieten konstruktiver Interferenz erzeugte Kontaktlöcher sind.Device after Claim 15 wherein the laser irradiation is an interference irradiation in which at least two laser beams interfere to produce a spatial intensity variation, the contact holes being contact holes created in regions of constructive interference.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern eine erste Vielzahl von Kontaktlöchern ist und wobei die Vorrichtung ferner eine zweite Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist; insbesondere wobei die erste Vielzahl von Kontaktlöchern über einen ersten Oberflächenabschnitt der Schichtanordnung verteilt angeordnet ist und wobei die zweite Vielzahl von Kontaktlöchern über einen zweiten Oberflächenabschnitt der Schichtanordnung verteilt angeordnet ist, insbesondere wobei mindestens einer von dem ersten Oberflächenabschnitt und dem zweiten Oberflächenabschnitt kreisförmig ist.The device of any one of the preceding claims, wherein the plurality of contact holes is a first plurality of contact holes, and wherein the device further comprises a second plurality of contact holes; in particular, wherein the first plurality of contact holes are distributed over a first surface portion of the layer assembly and wherein the second plurality of contact holes are distributed over a second surface portion of the layer assembly, in particular wherein at least one of the first surface portion and the second surface portion is circular.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Oberflächenabschnitt eine Fläche aufweist, die einer Kreisfläche mit einem Durchmesser zwischen 10 µm bis 10 mm entspricht, insbesondere einem Durchmesser zwischen 50 µm und 5 mm, insbesondere zwischen 100 µm und 1 mm, beispielsweise zwischen 10 µm und 500 µm..Device according to any of the preceding claims, wherein the surface portion has a surface corresponding to a circular area having a diameter between 10 μm to 10 mm, in particular a diameter between 50 μm and 5 mm, in particular between 100 μm and 1 mm, for example between 10 μm and 500 μm ..

Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 17 oder 18, ferner aufweisend die Merkmale von Anspruch 15 oder 16, wobei jede Vielzahl von Kontaktlöchern durch einen einzigen Laserpuls definiert ist und der Oberflächenabschnitt einer Projektionsfläche des Laserpulses entspricht.Device according to any one of Claims 17 or 18 , further comprising the features of Claim 15 or 16 wherein each plurality of contact holes is defined by a single laser pulse and the surface portion corresponds to a projection area of the laser pulse.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kontaktstruktur einen externen elektrisch leitenden Kontakt aufweist und wobei das elektrisch leitende Material in den Kontaktlöchern mit dem externen elektrisch leitenden Kontakt elektrisch leitend verbunden ist.The device of any one of the preceding claims, wherein the contact structure comprises an external electrically conductive contact and wherein the electrically conductive material in the contact holes is electrically connected to the external electrically conductive contact.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend eine weitere Kontaktstruktur, welche ein weiteres elektrisch leitendes Material aufweist; wobei die Schichtanordnung eine weitere Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist; wobei die weitere Vielzahl von Kontaktlöchern mindestens teilweise mit dem weiteren elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren; und wobei das weitere elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher der weiteren Vielzahl von Kontaktlöchern mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der weiteren Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.Apparatus according to any one of the preceding claims, further comprising a further contact structure comprising a further electrically conductive material; wherein the layer assembly has a further plurality of contact holes; wherein the further plurality of contact holes are at least partially filled with the further electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer; and wherein the further electrically conductive material in one of the contact holes of the further plurality of contact holes is electrically conductively connected to the electrically conductive material in the remaining contact holes of the further plurality of contact holes.

Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die weitere elektrische Kontaktstruktur einen weiteren externen elektrischen Kontakt aufweist und wobei das weitere elektrisch leitende Material mit dem weiteren externen elektrischen Kontakt elektrisch leitend verbunden ist.Device after Claim 21 wherein the further electrical contact structure has a further external electrical contact and wherein the further electrically conductive material is electrically conductively connected to the further external electrical contact.

Vorrichtung nach Anspruch 21 oder 22, wobei eine physikalische Eigenschaft der Schichtanordnung durch eine elektrische Potenzialdifferenz zwischen der Kontaktstruktur und der weiteren Kontaktstruktur veränderbar ist.Device after Claim 21 or 22 , wherein a physical property of the layer arrangement is variable by an electrical potential difference between the contact structure and the further contact structure.

Vorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend ein Substrat, auf welchem die Schichtanordnung angeordnet ist, insbesondere wobei das Substrat ein Glassubstrat ist.A device according to any one of the preceding claims, further comprising a substrate on which the layer arrangement is arranged, in particular wherein the substrate is a glass substrate.

Zwischenprodukt, welches eine Schichtanordnung mit einer elektrisch leitenden Schicht aufweist, wobei die Schichtanordnung eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist; und wobei die Kontaktlöcher für eine mindestens teilweise Füllung mit einem elektrisch leitenden Material vorgesehen sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren und das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend zu verbinden.Intermediate product which has a layer arrangement with an electrically conductive layer, wherein the layer assembly has a plurality of contact holes; and wherein the contact holes are provided for at least partial filling with an electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer and to electrically connect the electrically conductive material in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes ,

Zwischenprodukt nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern mindestens 3 Kontaktlöcher umfasst, insbesondere mindestens 10 Kontaktlöcher, mindestens 20 Kontaktlöcher, mindestens 50 Kontaktlöcher, mindestens 100 Kontaktlöcher, mindestens 500 Kontaktlöcher, mindestens 1000 Kontaktlöcher, mindestens 5000 Kontaktlöcher oder mindestens 10000 Kontaktlöcher, beispielsweise zwischen 3 und 1.000.000 Kontaktlöchern.An intermediate product according to the preceding claim, wherein the plurality of contact holes at least 3 contact holes, in particular at least 10 contact holes, at least 20 contact holes, at least 50 contact holes, at least 100 contact holes, at least 500 contact holes, at least 1000 contact holes, at least 5000 contact holes or at least 10,000 contact holes, for example between 3 and 1,000,000 contact holes.

Zwischenprodukt nach Anspruch 25 oder 26, wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern in der elektrisch leitenden Schicht gebildet ist.Intermediate after Claim 25 or 26 wherein the plurality of contact holes are formed in the electrically conductive layer.

Prozessiersystem zum Prozessieren einer Schichtanordnung zum dadurch Herstellen einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 24 und/oder zum dadurch Herstellen eines Zwischenproduktes nach einem der Ansprüche 25 bis 27.A processing system for processing a laminate for thereby manufacturing a device according to any one of Claims 1 to 24 and / or for thereby producing an intermediate product according to one of Claims 25 to 27 ,

Verwendung einer Schichtanordnung, welche eine elektrisch leitende Schicht und eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist, zur Herstellung einer Vorrichtung, bei welcher die Kontaktlöcher mindestens teilweise mit dem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, um die elektrisch leitende Schicht elektrisch zu kontaktieren, und wobei das elektrisch leitende Material in einem der Kontaktlöcher mit dem elektrisch leitenden Material in den übrigen Kontaktlöchern der Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch leitend verbunden ist.Use of a layer assembly comprising an electrically conductive layer and a plurality of contact holes for manufacturing a device in which the contact holes are at least partially filled with the electrically conductive material to electrically contact the electrically conductive layer, and wherein the electrically conductive material is electrically connected in one of the contact holes with the electrically conductive material in the remaining contact holes of the plurality of contact holes.

Verwendung nach Anspruch 29, wobei die Vielzahl von Kontaktlöchern in der elektrisch leitenden Schicht gebildet ist.Use after Claim 29 wherein the plurality of contact holes are formed in the electrically conductive layer.