DE202016102052U1 - Power electronic switching cell arrangement - Google Patents

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Abstract

Leistungselektronische Schaltzellenanordnung, mit einem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (1) mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung und mit einem dazu in Serie geschalteten zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung, wobei der erste Leistungshalbleiterschalter (1) einen Bipolartransistor (4) mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode und eine dazu antiparallel geschaltete Diode (5) aufweist und der zweite Leistungshalbleiterschalter (2) einen integrierten Gate-kommutierten Thyristor (6) und eine dazu antiparallel geschaltete Diode (7) aufweist, und mit einem Energiespeicherkreis (9), welcher Energiespeicherkreis (9) parallel zur Serienschaltung des ersten Leistungshalbleiterschalters (1) mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter (2) geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (3) parallel zu dem zweiten Leistungshalbleiterschalter (2) geschaltet ist, und dass das Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (3) einen ansteuerbaren unidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (8) mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung aufweist.A power electronic switching cell arrangement, comprising a first controllable bidirectional power semiconductor switch (1) with controlled unidirectional current-carrying direction and with a second controllable bidirectional power semiconductor switch (2) with controlled unidirectional current-carrying direction connected thereto, wherein the first power semiconductor switch (1) comprises a bipolar transistor (4) with isolated A drive electrode and an antiparallel connected diode (5) and the second power semiconductor switch (2) has an integrated gate commutated thyristor (6) and an antiparallel connected diode (7), and with an energy storage circuit (9), which energy storage circuit (9 ) is connected in parallel with the series circuit of the first power semiconductor switch (1) to the second power semiconductor switch (2), characterized in that a current increase limiting network (3) parallel to the second Leistungshal conductor switch (2), and in that the current increase limiting network (3) comprises a controllable unidirectional power semiconductor switch (8) with controlled unidirectional current carrying direction.

Description

Technisches GebietTechnical area

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektronik. Sie geht aus von einer leistungselektronischen Schaltzelleanordnung gemäss dem Oberbegriff des unabhängigen Anspruchs.The invention relates to the field of power electronics. It is based on a power electronic switching cell arrangement according to the preamble of the independent claim.

Stand der TechnikState of the art

Umrichterschaltungen werden heute in einer Fülle von leistungselektronischen Anwendungen eingesetzt. Eine solche Umrichterschaltung weist je nach Einsatzgebiet und Applikation eine Vielzahl an Schaltzellen auf. Eine Umrichterschaltung weist typischerweise eine oder mehrerer leistungselektronische Schaltzellenanordnungen auf, wie beispielsweise in der WO2013/071957 A1 in 2 gezeigt. Darin umfasst die leistungselektronische Schaltzellenanordnung einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung und einen dazu in Serie geschalteten zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung, wobei der erste Leistungshalbleiterschalter einen Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode und eine dazu antiparallel geschaltete Diode aufweist und der zweite Leistungshalbleiterschalter einen integrierten Gate-kommutierten Thyristor und eine dazu antiparallel geschaltete Diode aufweist. Desweiteren ist ein Energiespeicherkreis vorgesehen, der parallel zur Serienschaltung des ersten Leistungshalbleiterschalters mit dem zweiten Leistungshalbleiter-schalter geschaltet ist.Inverter circuits are now used in a wealth of power electronic applications. Such a converter circuit has, depending on the application and application, a plurality of switching cells. An inverter circuit typically includes one or more power electronic switch cell arrays, such as those disclosed in U.S.P. WO2013 / 071957 A1 in 2 shown. Therein, the power electronic switching cell arrangement comprises a first controllable bidirectional power semiconductor switch with controlled unidirectional current carrying direction and a series-connected second controllable bidirectional power semiconductor switch with controlled unidirectional current carrying direction, wherein the first power semiconductor switch comprises a bipolar transistor with insulated drive electrode and a diode connected in anti-parallel and the second power semiconductor switch has an integrated gate-commutated thyristor and a diode connected in anti-parallel. Furthermore, an energy storage circuit is provided, which is connected in parallel with the series connection of the first power semiconductor switch with the second power semiconductor switch.

Problematisch bei einer leistungselektronische Schaltzellenanordnungen gemäss 2 der WO2013/071957 A1 ist, dass keinerlei Schutz der zu dem Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode antiparallel geschalteten Diode des ersten Leistungshalbleiterschalters gegen eine mögliche zu hohe Stromsteilheit dI/dt beim Einschalten des integrierten Gate-kommutierten Thyristor des zweiten Leistungshalbleiterschalters besteht. Eine zu hohe Stromsteilheit dI/dt kann zu sehr hohen Stromspitzen der kommutierende Diode während deren Sperrverzögerungszeit (reverse recovery time) und damit übermäßigen Verlusten führen, die die Diode thermisch stark belasten oder gar zerstören kann.Problematic in a power electronic switching cell arrangements according to 2 of the WO2013 / 071957 A1 is that no protection of the bipolar transistor with isolated drive electrode arranged in anti-parallel diode of the first power semiconductor switch against a possible too high current gradient dI / dt when turning on the integrated gate-commutated thyristor of the second power semiconductor switch. Too high a current gradient dI / dt can lead to very high current peaks of the commutating diode during its reverse recovery time and thus excessive losses, which can seriously burden the diode or even destroy it.

Darstellung der ErfindungPresentation of the invention

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, eine leistungselektronische Schaltzellenanordnung anzugeben, bei welcher die zu dem Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode antiparallel geschaltete Diode des ersten Leistungshalbleiterschalters gegen zu hohe Stromsteilheiten geschützt ist.The object of the invention is therefore to provide a power electronic switching cell arrangement in which the anti-parallel to the bipolar transistor arranged with arranged drive electrode diode of the first power semiconductor switch is protected against excessive current gradients.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung angegeben.This object is solved by the features of the independent claim. In the dependent claims advantageous developments of the invention are given.

Die erfindungsgemässe leistungselektronische Schaltzellenanordnung umfasst einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung und einen dazu in Serie geschalteten zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung, wobei der erste Leistungshalbleiterschalter einen Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode und eine dazu antiparallel geschaltete Diode aufweist und der zweite Leistungshalbleiterschalter einen integrierten Gate-kommutierten Thyristor und eine dazu antiparallel geschaltete Diode aufweist. Ferner weist die leistungselektronische Schaltzellenanordnung einen Energiespeicherkreis auf, welcher Energiespeicherkreis parallel zur Serienschaltung des ersten Leistungshalbleiterschalters mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter geschaltet ist. Nach der Erfindung ist nun ein Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk parallel zu dem zweiten Leistungshalbleiterschalter geschaltet, wobei das Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk einen ansteuerbaren unidirektionalen Leistungshalbleiterschalter mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung aufweist. Das Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk bewirkt vorteilhaft, dass die Stromsteilheit dI/dt an der zu dem Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode antiparallel geschalteten Diode des ersten Leistungshalbleiterschalters beim Einschalten des integrierten Gate-kommutierten Thyristor des zweiten Leistungshalbleiterschalters begrenzt wird und an dieser Diode damit lediglich moderate Stromspitzen auftreten, so dass diese Diode erfolgreich gegen übermäßige Verluste und damit einhergehenden grossen thermischen Belastungen geschützt werden kann.The power electronic switching cell arrangement according to the invention comprises a first controllable bidirectional power semiconductor switch with controlled unidirectional current-carrying direction and a second drivable bidirectional power semiconductor switch with controlled unidirectional current-carrying direction connected in series, the first power semiconductor switch having a bipolar transistor with isolated drive electrode and a diode connected in antiparallel thereto and the second power semiconductor switch has an integrated gate-commutated thyristor and a diode connected in anti-parallel. Furthermore, the power electronic switching cell arrangement has an energy storage circuit, which energy storage circuit is connected in parallel with the series connection of the first power semiconductor switch with the second power semiconductor switch. According to the invention, a current increase limiting network is now connected in parallel with the second power semiconductor switch, wherein the current increase limiting network comprises a controllable unidirectional power semiconductor switch with controlled unidirectional current carrying direction. The current increase limiting network advantageously has the effect that the current gradient dI / dt at the diode of the first power semiconductor switch connected in antiparallel to the bipolar transistor is limited when the integrated gate-commutated thyristor of the second power semiconductor switch is turned on and thus only moderate current peaks occur at this diode that this diode can be successfully protected against excessive losses and associated high thermal loads.

Diese und weitere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung offensichtlich.These and other objects, advantages and features of the present invention will become more apparent from the following detailed description of preferred embodiments of the invention taken in conjunction with the accompanying drawings.

Kurze Beschreibung der ZeichnungShort description of the drawing

Es zeigt:It shows:

1 eine Ausführungsform einer erfindungsgemässen leistungselektronischen Schaltzellenanordnung. 1 An embodiment of an inventive power electronic switching cell arrangement.

Die in der Figur verwendeten Bezugszeichen und deren Bedeutung sind in der Bezugszeichenliste zusammengefasst aufgelistet. Grundsätzlich sind in der Figur gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die beschriebene Ausführungsform steht beispielhaft für den Erfindungsgegenstand und hat keine beschränkende Wirkung. The reference numerals used in the figure and their meaning are listed in the list of reference numerals. Basically, the same parts are provided with the same reference numerals in the figure. The embodiment described is exemplary of the subject invention and has no limiting effect.

Wege zur Ausführung der ErfindungWays to carry out the invention

In 1 ist eine Ausführungsform einer erfindungsgemässen leistungselektronischen Schaltzellenanordnung dargestellt. Allgemein umfasst die leistungselektronische Schaltzellenanordnung einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 1 mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung und einen dazu in Serie geschalteten zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung, wobei der erste Leistungshalbleiterschalter 1 einen Bipolartransistor 4 mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode und eine dazu antiparallel geschaltete Diode 5 aufweist und der zweite Leistungshalbleiterschalter 2 einen integrierten Gate-kommutierten Thyristor 6 und eine dazu antiparallel geschaltete Diode 7 aufweist. Zudem umfasst die leistungselektronische Schaltzellenanordnung einen Energiespeicherkreis 9, der parallel zur Serienschaltung des ersten Leistungshalbleiterschalters 1 mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter 2 geschaltet ist. Erfindungsgemäss ist nun ein Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk 3 parallel zu dem zweiten Leistungshalbleiterschalter 2 geschaltet, wobei das Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk 3 einen ansteuerbaren unidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 8 mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung aufweist. Durch das Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk 3 kann vorteilhaft erreicht werden, dass die Stromsteilheit dI/dt an der zu dem Bipolartransistor 4 mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode antiparallel geschalteten Diode 5 des ersten Leistungshalbleiterschalters 1 beim Einschalten des integrierten Gate-kommutierten Thyristor 6 des zweiten Leistungshalbleiterschalters 2 begrenzt wird und an dieser Diode 5 damit lediglich moderate Stromspitzen auftreten. Folglich kann die Diode 5 dadurch vor übermäßigen Verlusten und damit einhergehenden grossen thermischen Belastungen geschützt werden und eine sichere Kommutierung über die Diode 5 ist möglich.In 1 an embodiment of an inventive power electronic switching cell arrangement is shown. In general, the power electronic switching cell arrangement comprises a first controllable bidirectional power semiconductor switch 1 with controlled unidirectional current-carrying direction and a second controllable bidirectional power semiconductor switch connected in series therewith 2 with controlled unidirectional current carrying direction, wherein the first power semiconductor switch 1 a bipolar transistor 4 with a drive electrode arranged in isolation and a diode connected in antiparallel with it 5 and the second power semiconductor switch 2 an integrated gate commutated thyristor 6 and a diode connected in anti-parallel with it 7 having. In addition, the power electronic switching cell arrangement comprises an energy storage circuit 9 parallel to the series connection of the first power semiconductor switch 1 with the second power semiconductor switch 2 is switched. According to the invention, there is now a current increase limiting network 3 parallel to the second power semiconductor switch 2 switched, with the current rise limit network 3 a controllable unidirectional power semiconductor switch 8th having controlled unidirectional current carrying direction. Through the current rise limit network 3 can be advantageously achieved that the current gradient dI / dt at the to the bipolar transistor 4 with isolated drive electrode arranged in antiparallel diode 5 of the first power semiconductor switch 1 when turning on the integrated gate commutated thyristor 6 of the second power semiconductor switch 2 is limited and at this diode 5 so that only moderate current peaks occur. Consequently, the diode can 5 thereby protected against excessive losses and associated high thermal loads and a secure commutation via the diode 5 is possible.

Vorzugsweise weist der unidirektionale Leistungshalbleiterschalter 8 einen Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode aufweist. Alternativ ist es aber auch denkbar, dass der unidirektionale Leistungshalbleiterschalter 8 einen Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor aufweist.Preferably, the unidirectional power semiconductor switch 8th a bipolar transistor with isolated drive electrode has. Alternatively, it is also conceivable that the unidirectional power semiconductor switch 8th comprises a power metal oxide semiconductor field effect transistor.

Wie in 1 beispielhaft gezeigt, bildet bei der Serienschaltung des ersten Leistungshalbleiterschalters 1 mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter 2 der Verbindungspunkt des ersten Leistungshalbleiterschalters 1 mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter 2 einen Wechselspannungsanschluss.As in 1 shown by way of example, forms in the series connection of the first power semiconductor switch 1 with the second power semiconductor switch 2 the connection point of the first power semiconductor switch 1 with the second power semiconductor switch 2 an AC voltage connection.

Nachfolgend wird das Schaltverhalten der leistungselektronischen Schaltzellenanordnung der Umrichterschaltung nach 1 näher beschrieben. Es sei explizit erwähnt, dass der Ausgangsstrom Iout über den vorstehend genannten Wechselspannungsanschluss gemäss der in 1 dargestellten Zählpfeilrichtung als „positiver” Ausgangsstrom Iout definiert ist.Subsequently, the switching behavior of the power electronic switching cell arrangement of the converter circuit after 1 described in more detail. It should be explicitly mentioned that the output current Iout via the aforementioned AC voltage terminal according to the in 1 the counting arrow direction is defined as a "positive" output current Iout.

1. Positiver Ausgangsstrom Iout:1. Positive output current Iout:

Ausschalten:Turn off:

Der IGBT 4 ist zunächst eingeschaltet und der IGCT 6 ist ausgeschaltet, wobei der IGBT 8 ebenfalls ausgeschaltet ist und der Strom über den eingeschalteten IGBT 4 fliesst. Dann wird der IGBT 4 abgeschaltet und der Strom kommutiert zur Diode 7. Nach einer Einschaltverzögerungszeit wird dann der IGCT 6 eingeschaltet.The IGBT 4 is first turned on and the IGCT 6 is off, taking the IGBT 8th is also off and the power on the switched IGBT 4 flows. Then the IGBT 4 switched off and the current commutes to the diode 7 , After a switch-on delay time then the IGCT 6 switched on.

Einschalten:Turn on:

Der Strom fliesst zunächst durch die Diode 7. Dann wird der IGCT 6 ausgeschaltet, wobei der Strom weiter über die Diode 7 fliesst. Nach einer Einschaltverzögerungszeit wird dann der IGBT 4 eingeschaltet, wobei die Stromsteilheit dI/dt sowie auch die Spannungssteilheit dU/dt vorteilhaft begrenzt ist und die Diode 7 dadurch kontrolliert und sicher abschaltet.The current first flows through the diode 7 , Then the IGCT 6 switched off, with the current continuing across the diode 7 flows. After a switch-on delay time then the IGBT 4 switched on, the current gradient dI / dt and the voltage gradient dU / dt is advantageously limited and the diode 7 controlled and safely shut off.

2. Negativer Ausgangsstrom Iout:2. Negative output current Iout:

Ausschalten:Turn off:

Der IGBT 4 ist zunächst eingeschaltet und der IGCT 6 ist ausgeschaltet, wobei der IGBT 8 ebenfalls ausgeschaltet ist und der Strom über die Diode 5 fliesst. Dann wird der IGBT 4 ausgeschaltet, wobei der Strom weiter über die Diode 5 fliesst. Nach einer Einschaltverzögerungszeit wird dann der IGBT 8 eingeschaltet, wobei die Stromsteilheit dI/dt sowie auch die Spannungssteilheit dU/dt vorteilhaft begrenzt ist und die Diode 5 dadurch kontrolliert und sicher abschaltet. Der Strom kommutiert also von der Diode 5 auf den IGBT 4. Nach einer kurzen Verzögerungszeit wird der IGCT 6 eingeschaltet und der IGBT 8 wieder ausgeschaltet. Der Strom kommutiert daraufhin vom IGBT 8 auf den IGCT 6, so dass der Strom schliesslich durch den IGCT 6 fliesst.The IGBT 4 is first turned on and the IGCT 6 is off, taking the IGBT 8th is also turned off and the power through the diode 5 flows. Then the IGBT 4 switched off, with the current continuing across the diode 5 flows. After a switch-on delay time then the IGBT 8th switched on, the current gradient dI / dt and the voltage gradient dU / dt is advantageously limited and the diode 5 controlled and safely shut off. The current thus commutes from the diode 5 to the IGBT 4 , After a short delay, the IGCT 6 switched on and the IGBT 8th switched off again. The current commutes then from the IGBT 8th on the IGCT 6 so that the electricity finally through the IGCT 6 flows.

Einschalten:Turn on:

Ausgehend vom vorstehend detailliert beschriebenen Ausschalten (bei negativem Ausgangsstrom Iout) wird der IGCT 6 ausgeschaltet, wobei der Strom auf die Diode 5 kommutiert. Nach einer Einschaltverzögerungszeit wird der IGBT 4 dann eingeschaltet.Starting from the shutdown described in detail above (with negative Output current Iout) becomes the IGCT 6 turned off, with the current on the diode 5 commutated. After a switch-on delay time, the IGBT 4 then turned on.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
erster ansteuerbarer bidirektionaler Leistungshalbleiterschalterfirst controllable bidirectional power semiconductor switch
22
zweiter ansteuerbarer bidirektionaler Leistungshalbleiterschaltersecond controllable bidirectional power semiconductor switch
33
StromanstiegsbegrenzungsnetzwerkCurrent rise limiting network
44
Bipolartransistor mit isoliert angeordneter AnsteuerelektrodeBipolar transistor with isolated drive electrode
55
Diodediode
66
integrierten Gate-kommutierten Thyristorintegrated gate commutated thyristor
77
Diodediode
88th
ansteuerbarer unidirektionaler Leistungshalbleiterschalteractivatable unidirectional power semiconductor switch
99
EnergiespeicherkreisEnergy storage circuit

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2013/071957 A1 [0002, 0003] WO 2013/071957 A1 [0002, 0003]

Claims (4)

Leistungselektronische Schaltzellenanordnung, mit einem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (1) mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung und mit einem dazu in Serie geschalteten zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung, wobei der erste Leistungshalbleiterschalter (1) einen Bipolartransistor (4) mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode und eine dazu antiparallel geschaltete Diode (5) aufweist und der zweite Leistungshalbleiterschalter (2) einen integrierten Gate-kommutierten Thyristor (6) und eine dazu antiparallel geschaltete Diode (7) aufweist, und mit einem Energiespeicherkreis (9), welcher Energiespeicherkreis (9) parallel zur Serienschaltung des ersten Leistungshalbleiterschalters (1) mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter (2) geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (3) parallel zu dem zweiten Leistungshalbleiterschalter (2) geschaltet ist, und dass das Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (3) einen ansteuerbaren unidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (8) mit gesteuerter unidirektionaler Stromführungsrichtung aufweist.Power electronic switching cell arrangement with a first controllable bidirectional power semiconductor switch ( 1 ) with a controlled unidirectional current-carrying direction and with a second controllable bidirectional power semiconductor switch connected thereto ( 2 ) with controlled unidirectional current carrying direction, wherein the first power semiconductor switch ( 1 ) a bipolar transistor ( 4 ) with a drive electrode arranged in isolation and a diode connected in anti-parallel thereto ( 5 ) and the second power semiconductor switch ( 2 ) an integrated gate commutated thyristor ( 6 ) and a diode connected in antiparallel ( 7 ), and with an energy storage circuit ( 9 ), which energy storage circuit ( 9 ) parallel to the series connection of the first power semiconductor switch ( 1 ) with the second power semiconductor switch ( 2 ), characterized in that a current increase limiting network ( 3 ) in parallel with the second power semiconductor switch ( 2 ) and that the current rise limit network ( 3 ) a controllable unidirectional power semiconductor switch ( 8th ) having a controlled unidirectional current-carrying direction. Leistungselektronische Schaltzellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der unidirektionale Leistungshalbleiterschalter (8) einen Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode aufweist.Power electronic switching cell arrangement according to claim 1, characterized in that the unidirectional power semiconductor switch ( 8th ) has a bipolar transistor with drive electrode arranged in isolation. Leistungselektronische Schaltzellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der unidirektionale Leistungshalbleiterschalter (8) einen Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor aufweist.Power electronic switching cell arrangement according to claim 1, characterized in that the unidirectional power semiconductor switch ( 8th ) comprises a power metal oxide semiconductor field effect transistor. Leistungselektronische Schaltzellenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Serienschaltung des ersten Leistungshalbleiterschalters (1) mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter (2) der Verbindungspunkt des ersten Leistungshalbleiterschalters (1) mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter (2) einen Wechselspannungsanschluss bildet.Power electronic switching cell arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that in the series connection of the first power semiconductor switch ( 1 ) with the second power semiconductor switch ( 2 ) the connection point of the first power semiconductor switch ( 1 ) with the second power semiconductor switch ( 2 ) forms an AC voltage connection.
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