DE202015006764U1 - Wafer carrier with a configuration with 31 pockets - Google Patents

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Abstract

Waferträger, der für den Gebrauch mit einer Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung ausgelegt ist, wobei der Waferträger umfasst: einen Körper, der eine obere Fläche und eine untere Fläche, die einander gegenüber angeordnet sind, aufweist, eine Mehrzahl von Taschen, die in der oberen Fläche des Waferträgers definiert sind, wobei die Verbesserung umfasst, dass die Mehrzahl von Taschen aus insgesamt einunddreißig Taschen bestehen, wobei jede der Taschen entlang eines von drei Kreisen angeordnet ist, wobei jeder der Kreise miteinander und mit einem durch einen Umfang der oberen Fläche gebildeten kreisförmigen Umriss konzentrisch ist.A wafer carrier adapted for use with a chemical vapor deposition apparatus, the wafer carrier comprising: a body having a top surface and a bottom surface opposing each other, a plurality of pockets disposed in the top surface of the wafer carrier, the improvement comprising that the plurality of pockets consist of a total of thirty-one pockets, each of the pockets being arranged along one of three circles, each of the circles being interconnected and having a circular outline formed by a perimeter of the top surface is concentric.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Die Erfindung betrifft im Allgemeinen eine Halbleiterfertigungstechnologie und insbesondere eine Bearbeitung mithilfe einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und eine zugehörige Vorrichtung zum Halten von Halbleiterwafern während der Bearbeitung.The invention relates generally to semiconductor fabrication technology, and more particularly to chemical vapor deposition (CVD) machining and associated apparatus for holding semiconductor wafers during processing.

HINTERGRUNDBACKGROUND

Bei der Fertigung von Leuchtdioden (LEDs) und anderen Hochleistungsbauelementen, wie z. B. Laserdioden, optischen Detektoren und Feldeffekttransistoren, wird typischerweise ein chemischer Gasphasenabscheidungsprozess (CVD-Prozess) verwendet, um eine Dünnschichtstapelstruktur unter Verwendung von Materialien, wie z. B. Galliumnitrid, über einem Saphir- oder Siliziumsubstrat aufzuwachsen. Ein CVD-Werkzeug umfasst eine Prozesskammer, die eine abgedichtete Umgebung bildet, die es ermöglicht, dass eingeleitete Gase auf dem Substrat (typischerweise in Form von Wafern) reagieren, um die Dünnschichtlagen aufzuwachsen. Zu Beispielen von gegenwärtigen Produktlinien derartiger Herstellungsgeräte gehören TurboDisc®- und EPIK-Familien der MOCVD-Systeme (Systeme zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung), die von Veeco Instruments Inc. aus Plainview, New York hergestellt werden.In the manufacture of light-emitting diodes (LEDs) and other high-performance components, such. As laser diodes, optical detectors and field effect transistors, typically a chemical vapor deposition (CVD) process is used to form a thin film stack structure using materials such. Gallium nitride, over a sapphire or silicon substrate. A CVD tool includes a process chamber that forms a sealed environment that allows injected gases to react on the substrate (typically in the form of wafers) to grow the thin film layers. Examples of current product lines such production equipment include Turbo Disc ® - and EPIK families of MOCVD systems (systems for metal organic chemical vapor deposition), manufactured by Veeco Instruments Inc. of Plainview, New York.

Mehrere Prozessparameter, wie z. B. Temperatur, Druck und Gasdurchflussrate, werden gesteuert, um ein gewünschtes Kristallwachstum zu erzielen. Verschiedene Lagen werden unter Verwendung verschiedener Materialien und Prozessparameter aufgewachsen. Zum Beispiel werden Bauelemente, die aus Verbindungshalbleitern, wie z. B. III-V-Halbleitern, ausgebildet werden, typischerweise gebildet, indem aufeinanderfolgende Schichten des Verbindungshalbleiters unter Verwendung einer MOCVD aufgewachsen werden. In diesem Prozess werden die Wafer einer Kombination von Gasen ausgesetzt, die typischerweise eine metallorganische Verbindung als eine Quelle eines Gruppe-III-Metalls umfasst und ebenfalls eine Quelle eines Gruppe-V-Elements umfasst, die über die Oberfläche des Wafers fließen, während der Wafer auf einer erhöhten Temperatur gehalten wird. Im Allgemeinen werden die metallorganische Verbindung und die Gruppe-V-Quelle mit einem Trägergas kombiniert, das sich nicht nennenswert an der Reaktion beteiligt, wie zum Beispiel Stickstoff. Ein Beispiel eines III-V-Halbleiters bildet Galliumnitrid, das mithilfe einer Reaktion einer Organo-Gallium-Verbindung und Ammoniaks auf einem Substrat, das einen geeigneten Gitterabstand aufweist, wie z. B. ein Saphir-Wafer, gebildet werden kann. Der Wafer wird während einer Abscheidung von Galliumnitrid und verwandter Verbindungen in der Regel bei einer Temperatur in der Größenordnung von 1000 bis 1100°C gehalten.Several process parameters, such as Temperature, pressure and gas flow rate are controlled to achieve desired crystal growth. Different layers are grown using different materials and process parameters. For example, devices made of compound semiconductors, such as. For example, III-V semiconductors may be formed, typically grown by growing successive layers of the compound semiconductor using a MOCVD. In this process, the wafers are exposed to a combination of gases, typically comprising an organometallic compound as a source of a Group III metal and also comprising a source of a Group V element, which flow over the surface of the wafer while the wafer is maintained at an elevated temperature. In general, the organometallic compound and the group V source are combined with a carrier gas that does not significantly participate in the reaction, such as nitrogen. An example of a III-V semiconductor is gallium nitride, which is prepared by reacting an organo-gallium compound and ammonia on a substrate that has a suitable lattice spacing, such as a lattice spacing. As a sapphire wafer can be formed. The wafer is typically held at a temperature of the order of 1000 to 1100 ° C during deposition of gallium nitride and related compounds.

In einem MOCVD-Prozess, bei dem das Wachstum von Kristallen durch eine chemische Reaktion auf der Oberfläche des Substrats erfolgt, müssen die Prozessparameter besonders sorgfältig gesteuert werden, um sicherzustellen, dass die chemische Reaktion unter den erforderlichen Bedingungen stattfindet. Selbst kleine Abwandlungen der Prozessbedingungen können die Qualität der Bauelemente und die Herstellungsausbeute negativ beeinflussen. Wenn zum Beispiel eine Gallium- und Indiumnitridschicht abgeschieden wird, führen Abwandlungen der Waferoberflächentemperatur zu Abwandlungen der Zusammensetzung und der Bandlücke der abgeschiedenen Schicht. Da Indium einen verhältnismäßig hohen Dampfdruck aufweist, weist die abgeschiedene Schicht einen niedrigeren Anteil an Indium und eine größere Bandlücke in jenen Bereichen des Wafers auf, in denen die Oberflächentemperatur höher ist. Wenn die abgeschiedene Schicht eine aktive, lichtemittierende Schicht einer LED-Struktur ist, schwankt die Emissionswellenlänge der aus dem Wafer ausgebildeten LEDs ebenfalls in einem inakzeptablen Ausmaß.In a MOCVD process, where the growth of crystals occurs through a chemical reaction on the surface of the substrate, the process parameters must be particularly carefully controlled to ensure that the chemical reaction takes place under the required conditions. Even small variations in process conditions can adversely affect the quality of the devices and the manufacturing yield. For example, when a gallium and indium nitride layer is deposited, variations in the wafer surface temperature lead to variations in the composition and band gap of the deposited layer. Since indium has a relatively high vapor pressure, the deposited layer has a lower content of indium and a larger band gap in those regions of the wafer where the surface temperature is higher. When the deposited layer is an active light emitting layer of an LED structure, the emission wavelength of the LEDs formed from the wafer also fluctuates to an unacceptable extent.

In einer MOCVD-Prozesskammer werden Halbleiterwafer, auf denen Lagen aus Dünnschichten aufgewachsen werden sollen, auf schnell rotierende Drehtische, die als Waferträger bezeichnet werden, gelegt, um ein gleichmäßiges Aussetzen ihrer Oberflächen der Atmosphäre innerhalb der Reaktionskammer zum Abscheiden der Halbleitermaterialien bereitzustellen. Die Drehzahl liegt in der Größenordnung von 1000 rpm. Die Waferträger werden typischerweise aus einem gut wärmeleitenden Material, wie z. B. Graphit, gefertigt, und werden häufig mit einer Schutzschicht aus einem Material. wie z. B. Siliziumkarbid, beschichtet. Jeder Waferträger weist einen Satz kreisförmige Vertiefungen, oder Taschen, in seiner oberen Fläche auf, in denen einzelne Wafer angeordnet werden. Typischerweise werden die Wafer in einem zu der unteren Fläche jeder der Taschen beabstandeten Verhältnis gestützt, um den Gasfluss um die Ränder des Wafers zu ermöglichen. Einige Beispiele für eine einschlägige Technologie sind in der US-Patentanmeldung Veröffentlichungs-Nr. 2012/0040097, US-Patent Nr. 8,092,599 , US-Patent Nr. 8,021,487 , US-Patentanmeldung Veröffentlichungs-Nr. 2007/0186853, US-Patent Nr. 6,902,623 , US-Patent Nr. 6,506,252 und US-Patent Nr. 6,492,625 beschrieben, deren Offenbarungen hier im Wege der Bezugnahme aufgenommen sind.In an MOCVD process chamber, semiconductor wafers on which layers of thin films are to be grown are laid on fast rotating turntables, referred to as wafer carriers, to provide uniform exposure of their surfaces to the atmosphere within the reaction chamber for depositing the semiconductor materials. The speed is in the order of 1000 rpm. The wafer carriers are typically made of a good heat-conducting material, such. As graphite, manufactured, and are often covered with a protective layer of a material. such as As silicon carbide coated. Each wafer carrier has a set of circular pits, or pockets, in its upper surface in which individual wafers are placed. Typically, the wafers are supported in a ratio spaced from the bottom surface of each of the pockets to allow gas flow around the edges of the wafer. Some examples of pertinent technology are disclosed in US patent application publication no. 2012/0040097, U.S. Patent No. 8,092,599 . U.S. Patent No. 8,021,487 , US patent application publication no. 2007/0186853, U.S. Patent No. 6,902,623 . U.S. Patent No. 6,506,252 and U.S. Patent No. 6,492,625 described, the disclosures of which are incorporated herein by reference.

Der Waferträger wird auf einer Spindel innerhalb der Reaktionskammer derart gestützt, dass die obere Fläche des Waferträgers, die die exponierten Oberflächen der Wafer aufweist, nach oben zu einer Gasverteilungsvorrichtung hin weist. Während die Spindel gedreht wird, wird das Gas abwärts auf die obere Fläche des Waferträgers gerichtet und fließt über die obere Fläche zum Umfangsrand des Waferträgers hin. Das gebrauchte Gas wird durch Öffnungen, die unter dem Waferträger angeordnet sind, aus der Reaktionskammer abgezogen. Der Waferträger wird mithilfe von Heizelementen, typischerweise elektrischen Widerstandsheizelementen, die unter der unteren Fläche des Waferträgers angeordnet sind, auf der gewünschten erhöhten Temperatur gehalten. Diese Heizelemente werden auf einer Temperatur oberhalb der gewünschten Temperatur der Waferoberflächen gehalten, während die Gasverteilungsvorrichtung typischerweise auf einer Temperatur weit unter der gewünschten Reaktionstemperatur gehalten wird, so dass eine vorzeitige Reaktion der Gase verhindert wird. Daher wird Wärme von den Heizelementen zur unteren Fläche des Waferträgers übertragen und fließt aufwärts durch den Waferträger zu den einzelnen Wafern.The wafer carrier is supported on a spindle within the reaction chamber such that the upper surface of the wafer carrier, which has the exposed surfaces of the wafer, upwards to a gas distribution device points out. As the spindle is rotated, the gas is directed downwardly onto the top surface of the wafer carrier and flows over the top surface toward the peripheral edge of the wafer carrier. The used gas is withdrawn from the reaction chamber through openings located under the wafer carrier. The wafer carrier is maintained at the desired elevated temperature by means of heating elements, typically electrical resistance heating elements, disposed below the bottom surface of the wafer carrier. These heating elements are maintained at a temperature above the desired temperature of the wafer surfaces, while typically maintaining the gas distribution device at a temperature well below the desired reaction temperature so as to prevent premature reaction of the gases. Therefore, heat is transferred from the heating elements to the lower surface of the wafer carrier and flows upwardly through the wafer carrier to the individual wafers.

Der Gasfluss über den Wafern variiert je nach der radialen Position jedes Wafers, wobei die an äußersten Positionen angeordneten Wafer aufgrund ihrer schnelleren Geschwindigkeit während der Drehung höheren Flussraten ausgesetzt werden. Sogar auf jedem einzelnen Wafer können Ungleichmäßigkeiten der Temperatur vorliegen, d. h. kalte Stellen und heiße Stellen. Eine der Variablen, die das Ausbilden von Temperatur-Ungleichmäßigkeiten beeinflussen, ist die Form der Taschen in dem Waferträger. Im Allgemeinen bilden Taschenformen eine kreisförmige Form in der Oberfläche des Waferträgers. Wenn sich der Waferträger dreht, werden die Wafer an ihrem äußersten Rand (d. h. dem am weitesten von der Rotationsachse entfernten Rand) einer erheblichen Zentripetalkraft ausgesetzt, wodurch veranlasst wird, dass der Wafer gegen die Innenwand der jeweiligen Tasche in dem Waferträger drückt. Bei dieser Bedingung besteht ein enger Kontakt zwischen diesen äußeren Rändern der Wafer und dem Taschenrand. Die erhöhte Wärmeleitung zu diesen äußersten Abschnitten der Wafer führt zu einer größeren Temperatur-Ungleichmäßigkeit, was das vorstehend beschriebene Problem weiter verstärkt. Anstrengungen wurden unternommen, um die Temperatur-Ungleichmäßigkeiten zu minimieren, indem der Spalt zwischen dem Waferrand und der Innenwand der Tasche vergrößert wird, einschließlich eines Entwurfs eines Wafers, der an einem Abschnitt des Randes flach ist (d. h. eines „flachen” Wafers). Dieser flache Abschnitt des Wafers erzeugt einen Spalt und verringert die Kontaktpunkte mit der Innenwand der Tasche, wodurch Temperatur-Ungleichmäßigkeiten abgemildert werden. Andere Faktoren, die die Wärmegleichmäßigkeit in den durch den Waferträger gehaltenen Wafern beeinflussen, umfassen die Wärmeübertragungs- und -emissionseigenschaft des Waferträgers in Verbindung mit dem Layout der Wafertaschen.The gas flow across the wafers varies with the radial position of each wafer, with the wafers located at extreme positions being exposed to higher flow rates due to their faster velocity during rotation. Even on each individual wafer, temperature unevenness may be present, i. H. cold spots and hot spots. One of the variables that affects the formation of temperature imbalances is the shape of the pockets in the wafer carrier. In general, pocket shapes form a circular shape in the surface of the wafer carrier. As the wafer carrier rotates, the wafers are exposed to significant centripetal force at their outermost edge (i.e., the edge furthest from the axis of rotation), thereby causing the wafer to press against the inner wall of the respective pocket in the wafer carrier. In this condition, there is close contact between these outer edges of the wafers and the pocket edge. The increased heat conduction to these outermost portions of the wafers results in greater temperature unevenness, further aggravating the problem described above. Efforts have been made to minimize temperature imbalances by increasing the gap between the wafer edge and the inner wall of the pocket, including a design of a wafer that is flat at a portion of the edge (i.e., a "flat" wafer). This flat portion of the wafer creates a gap and reduces the contact points with the inner wall of the pocket, thereby mitigating temperature inequalities. Other factors that affect heat uniformity in the wafers held by the wafer carrier include the heat transfer and emissivity of the wafer carrier in conjunction with the layout of the wafer pockets.

Mit Blick auf die Temperatur-Gleichmäßigkeitsanforderungen besteht eine andere wünschenswerte Eigenschaft von Waferträgern darin, den Durchsatz des CVD-Prozesses zu erhöhen. Die Rolle des Waferträgers beim Steigern des Prozessdurchsatzes besteht darin, eine größere Anzahl von einzelnen Wafern zu halten. Ein Bereitstellen eines Waferträger-Layouts mit mehreren Wafern wirkt sich auf das Wärmemodell aus. Zum Beispiel befinden sich die Abschnitte des Waferträgers in der Nähe der Ränder aufgrund von Strahlungswärmeverlust von den Waferträgerrändern tendenziell auf einer niedrigeren Temperatur als andere Abschnitte.In view of temperature uniformity requirements, another desirable property of wafer carriers is to increase the throughput of the CVD process. The role of the wafer carrier in increasing process throughput is to hold a larger number of individual wafers. Providing a wafer carrier layout with multiple wafers affects the heat model. For example, the portions of the wafer carrier near the edges tend to be at a lower temperature than other portions due to radiant heat loss from the wafer carrier edges.

Demzufolge wird eine praktische Lösung für Waferträger benötigt, bei der die Temperaturgleichmäßigkeit und mechanische Beanspruchungen in Layouts mit hoher Dichte angegangen werden.Accordingly, a practical solution for wafer carriers is needed in which the temperature uniformity and mechanical stresses in high density layouts are addressed.

KURZE DARSTELLUNGSHORT PRESENTATION

Ein Waferträger umfasst eine neue Anordnung von Taschen. Die hier beschriebenen Anordnungen ermöglichen eine Wärmeübertragung sowie eine hohe Packungsdichte von Taschen zum Aufwachsen von kreisförmigen Wafern.A wafer carrier includes a new array of pockets. The arrangements described herein enable heat transfer as well as a high packing density of pockets for growing circular wafers.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Die Erfindung kann unter Berücksichtigung der nachstehenden ausführlicher Beschreibung verschiedener Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen vollständiger verstanden werden. Es zeigen:The invention may be more fully understood in consideration of the following detailed description of various embodiments of the invention taken in conjunction with the accompanying drawings. Show it:

1 eine schematische Ansicht einer MOCVD-Prozesskammer gemäß einer Ausführungsform. 1 a schematic view of a MOCVD process chamber according to an embodiment.

2 eine perspektivische Ansicht eines Waferträgers, der eine Konfiguration mit 31 Taschen aufweist, gemäß einer Ausführungsform. 2 a perspective view of a wafer carrier having a configuration with 31 pockets, according to one embodiment.

3 eine obere Draufsicht auf einen Waferträger, der eine Konfiguration mit 31 Taschen aufweist, gemäß einer Ausführungsform. 3 10 is a top plan view of a wafer carrier having a 31-pocket configuration according to one embodiment.

4 eine Seitenansicht eines Waferträgers, der eine Konfiguration mit 31 Taschen aufweist, gemäß einer Ausführungsform. 4 a side view of a wafer carrier having a configuration with 31 pockets, according to one embodiment.

5 eine untere Draufsicht auf einen Waferträger, der eine Konfiguration mit 31 Taschen aufweist, gemäß einer Ausführungsform. 5 a bottom plan view of a wafer carrier having a configuration with 31 pockets, according to one embodiment.

6 eine Detailansicht eines Abschnitts eines Waferträgers, der eine Konfiguration mit 31-Taschen aufweist, die eine einzelne Tasche aus einer perspektivischen Ansicht zeigt, gemäß einer Ausführungsform. 6 11 is a detail view of a portion of a wafer carrier having a configuration with 31- Having pockets, which shows a single bag from a perspective view, according to one embodiment.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION

1 veranschaulicht eine Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Eine Reaktionskammer 10 definiert einen Prozessumgebungsraum. Eine Gasverteilungsvorrichtung 12 ist an einem Ende der Kammer angeordnet. Das Ende, das die Gasverteilungsvorrichtung 12 aufweist, wird hier als das „obere” Ende der Reaktionskammer 10 bezeichnet. Dieses Ende der Kammer ist typischerweise, aber nicht notwendigerweise, im normalen Gravitationsbezugsrahmen an der Oberseite der Kammer angeordnet. Die Abwärtsrichtung, wie sie hier verwendet wird, bezieht sich daher auf die Richtung, die von der Gasverteilungsvorrichtung 12 fort weist, während sich die Aufwärtsrichtung auf die Richtung innerhalb der Kammer zur Gasverteilungsvorrichtung 12 hin bezieht, unabhängig davon, ob diese Richtungen mit der Aufwärts- und Abwärtsrichtung der Schwerkraft übereinstimmen. Gleichermaßen werden hier die „oberen”- und „unteren” Flächen von Elementen mit Bezug auf den Bezugsrahmen der Reaktionskammer 10 und der Gasverteilungsvorrichtung 12 beschrieben. 1 illustrates an apparatus for chemical vapor deposition according to an embodiment of the invention. A reaction chamber 10 defines a process environment space. A gas distribution device 12 is disposed at one end of the chamber. The end, the gas distribution device 12 is here referred to as the "upper" end of the reaction chamber 10 designated. This end of the chamber is typically, but not necessarily, located in the normal gravitational reference frame at the top of the chamber. The downward direction as used herein therefore refers to the direction provided by the gas distribution device 12 indicates, while the upward direction to the direction within the chamber to the gas distribution device 12 regardless of whether these directions coincide with the upward and downward directions of gravity. Likewise, here the "upper" and "lower" faces of elements with respect to the reference frame of the reaction chamber 10 and the gas distribution device 12 described.

Die Gasverteilungsvorrichtung 12 ist mit Quellen 14, 16 und 18 zum Zuführen von Prozessgasen verbunden, die in dem Waferbehandlungsprozess verwendet werden sollen, wie zum Beispiel einem Trägergas und Reaktantengasen, wie zum Beispiel einer metallorganischen Verbindung und einer Quelle eines Gruppe-V-Metalls. Die Gasverteilungsvorrichtung 12 ist derart eingerichtet, dass sie die verschiedenen Gase empfängt und einen Fluss von Prozessgasen allgemein in die Abwärtsrichtung lenkt. Die Gasverteilungsvorrichtung 12 ist wünschenswerterweise auch mit einem Kühlmittelsystem 20 verbunden, das derart eingerichtet ist, dass es eine Flüssigkeit durch die Gasverteilungsvorrichtung 12 zirkulieren lässt, um die Temperatur der Gasverteilungsvorrichtung während des Betriebs auf einer gewünschten Temperatur zu halten. Eine ähnliche Kühlmittelanordnung (nicht dargestellt) kann zum Kühlen der Wände der Reaktionskammer 10 bereitgestellt werden. Die Reaktionskammer 10 ist außerdem mit einem Abzugssystem 22 ausgestattet, das derart eingerichtet ist, dass es verbrauchte Gase aus dem Inneren der Kammer 10 durch Öffnungen (nicht dargestellt) an der oder in der Nähe der Unterseite der Kammer entfernt, um einen kontinuierlichen Gasfluss in der Abwärtsrichtung von der Gasverteilungsvorrichtung 12 zu ermöglichen.The gas distribution device 12 is with sources 14 . 16 and 18 for supplying process gases to be used in the wafer processing process, such as a carrier gas and reactant gases, such as an organometallic compound and a source of a group V metal. The gas distribution device 12 is configured to receive the various gases and direct a flow of process gases generally in the downward direction. The gas distribution device 12 is desirably also with a coolant system 20 connected, which is arranged such that there is a liquid through the gas distribution device 12 to maintain the temperature of the gas distribution device at a desired temperature during operation. A similar coolant arrangement (not shown) may be used to cool the walls of the reaction chamber 10 to be provided. The reaction chamber 10 is also equipped with a trigger system 22 equipped, which is arranged so that it consumes spent gases from the interior of the chamber 10 through openings (not shown) at or near the bottom of the chamber to provide a continuous gas flow in the downward direction from the gas distribution device 12 to enable.

Eine Spindel 24 ist innerhalb der Kammer derart angeordnet, dass sich die Mittelachse 26 der Spindel 24 in der Aufwärts- und der Abwärtsrichtung erstreckt. Die Spindel 24 ist an der Kammer mithilfe einer herkömmlichen rotatorischen Durchgangsvorrichtung 28 befestigt, die Lager und Dichtungen aufnimmt (nicht dargestellt), so dass sich die Spindel 24 um die Mittelachse 26 drehen kann, während eine Dichtung zwischen der Spindel 24 und der Wand der Reaktionskammer 10 beibehalten wird. Die Spindel weist ein Anschlussstück 30 an ihrem oberen Ende auf, d. h. an dem Ende der Spindel, das sich der Gasverteilungsvorrichtung 12 am nächsten befindet. Wie nachstehend weiter besprochen sein wird, ist das Anschlussstück 30 ein Beispiel eines Waferträgerhaltemechanismus, der geeignet ist, mit einem Waferträger lösbar in Eingriff zu kommen. In der konkreten, dargestellten Ausführungsform ist das Anschlussstück 30 ein im Allgemeinen kegelstumpfförmiges Element, das sich zum oberen Ende der Spindel hin verjüngt und an einer flachen oberen Fläche endet. Ein kegelstumpfförmiges Element ist ein Element, das die Form eines Kegelstumpfs aufweist. Die Spindel 24 ist mit einem Drehantriebsmechanismus 32 verbunden, wie zum Beispiel einem Elektromotorantrieb, der derart eingerichtet ist, dass er die Spindel 24 um die Mittelachse 26 dreht.A spindle 24 is disposed within the chamber such that the central axis 26 the spindle 24 extending in the up and down directions. The spindle 24 is at the chamber using a conventional rotary passage device 28 fastened, which receives bearings and seals (not shown), so that the spindle 24 around the central axis 26 can rotate while a seal between the spindle 24 and the wall of the reaction chamber 10 is maintained. The spindle has a connection piece 30 at its upper end, ie at the end of the spindle closest to the gas distribution device 12. As will be discussed further below, the fitting is 30 an example of a wafer carrier holding mechanism that is adapted to releasably engage a wafer carrier. In the concrete, illustrated embodiment, the connecting piece 30 a generally frusto-conical member that tapers toward the top of the spindle and terminates at a flat top surface. A frusto-conical member is an element that has the shape of a truncated cone. The spindle 24 is with a rotary drive mechanism 32 connected, such as an electric motor drive, which is adapted to the spindle 24 around the central axis 26 rotates.

Ein Heizelement 34 ist innerhalb der Kammer befestigt und umgibt die Spindel 24 unterhalb des Anschlussstücks 30. Die Reaktionskammer 10 ist außerdem mit einer Eintrittsöffnung 36, die zu einer Vorkammer 38 führt, und einer Tür 40 zum Schließen und Öffnen der Eintrittsöffnung versehen. Die Tür 40 ist lediglich schematisch in 1 veranschaulicht und ist derart dargestellt, dass sie zwischen einer geschlossenen Position, die mit durchgezogenen Linien gezeigt ist und in der die Tür das Innere der Reaktionskammer 10 von der Vorkammer 38 isoliert, und einer offenen Position, die mit gestrichelten Linien bei 40' gezeigt ist, bewegt werden kann. Die Tür 40 ist mit einem geeigneten Steuerungs- und Betätigungsmechanismus ausgestattet, um zwischen der offenen Position und der geschlossenen Position bewegt zu werden. In der Praxis kann die Tür einen Verschluss umfassen, der in der Aufwärts- und der Abwärtsrichtung bewegbar ist, wie zum Beispiel im US-Patent Nr. 7,276,124 offenbart ist, dessen Offenbarung hier im Wege der Bezugnahme aufgenommen ist. Die in 1 dargestellte Vorrichtung kann außerdem einen Lademechanismus (nicht dargestellt) umfassen, der in der Lage ist, einen Waferträger aus der Vorkammer 38 in die Kammer zu bewegen und den Waferträger im Betriebszustand mit der Spindel 24 in Eingriff zu bringen, und ebenfalls in der Lage ist, einen Waferträger von der Spindel 24 herunterzunehmen und in die Vorkammer 38 zu bewegen.A heating element 34 is mounted inside the chamber and surrounds the spindle 24 below the connector 30 , The reaction chamber 10 is also with an entrance opening 36 that became an atrium 38 leads, and a door 40 provided for closing and opening the inlet opening. The door 40 is purely schematic in 1 and is illustrated as being between a closed position shown in solid lines and in which the door is the interior of the reaction chamber 10 from the antechamber 38 isolated, and an open position, with dashed lines at 40 ' is shown, can be moved. The door 40 is equipped with a suitable control and actuating mechanism to move between the open position and the closed position. In practice, the door may comprise a shutter which is movable in the upward and downward directions, such as in the U.S. Patent No. 7,276,124 is disclosed, the disclosure of which is incorporated herein by reference. In the 1 The apparatus shown may also include a loading mechanism (not shown) capable of ejecting a wafer carrier from the prechamber 38 to move into the chamber and the wafer carrier in the operating state with the spindle 24 and is also capable of removing a wafer carrier from the spindle 24 to take down and into the antechamber 38 to move.

Die Vorrichtung umfasst außerdem mehrere Waferträger. In dem in 1 dargestellten Betriebszustand ist ein erster Waferträger 42 im Inneren der Reaktionskammer 10 in einer Betriebsposition angeordnet, während ein zweiter Waferträger 44 in der Vorkammer 38 angeordnet ist. Jeder Waferträger umfasst einen Körper 46, der im Wesentlichen die Form einer kreisförmigen Scheibe mit einer Mittelachse aufweist (siehe 2). Der Körper 46 ist um eine Achse herum symmetrisch ausgebildet. In der Betriebsposition stimmt die Achse des Waferträgerkörpers mit der Mittelachse 26 der Spindel 24 überein. Der Körper 46 kann einstückig oder als eine Zusammensetzung aus mehreren Teilen ausgebildet sein. Wie zum Beispiel in der US-Patenanmeldung Verdffentlichungs-Nr. 20090155028 offenbart ist, deren Offenbarung hier im Wege der Bezugnahme aufgenommen ist, kann der Waferträgerkörper eine Nabe umfassen, die einen kleinen Bereich des Körpers definiert, der die Mittelachse umgibt, und er kann einen größeren Abschnitt umfassen, der den Rest des scheibenförmigen Körpers definiert. Der Körper 46 ist wünschenswerterweise aus Materialien gebildet, die den Prozess nicht kontaminieren und die den in dem Prozess anzutreffenden Temperaturen standhalten können. Zum Beispiel kann der größere Abschnitt der Scheibe zum größten Teil oder vollständig aus Materialien, wie z. B. Graphit, Siliziumkarbid oder anderen hitzebeständigen Materialien, ausgebildet sein. Der Körper 46 weist im Allgemeinen eine plane obere Fläche 48 und eine untere Fläche 52 auf, die sich im Allgemeinen parallel zueinander und im Allgemeinen senkrecht zur Mittelachse der Scheibe erstrecken. Der Körper 46 weist außerdem ein oder mehrere Waferhalteeinrichtungen auf, die zum Halten von mehreren Wafern geeignet sind.The device also includes multiple wafer carriers. In the in 1 shown operating state is a first wafer carrier 42 inside the reaction chamber 10 arranged in an operating position while a second wafer carrier 44 in the antechamber 38 is arranged. Each wafer carrier comprises a body 46 which is substantially in the form of a circular disc having a central axis (see 2 ). The body 46 is formed symmetrically about an axis. In the operating position, the axis of the wafer carrier body coincides with the central axis 26 the spindle 24 match. The body 46 may be formed in one piece or as a composite of several parts. For example, in US patent application publication no. 20090155028, the disclosure of which is incorporated herein by reference, the wafer carrier body may comprise a hub defining a small area of the body surrounding the central axis, and may comprise a larger portion defining the remainder of the disk shaped body. The body 46 is desirably formed from materials that do not contaminate the process and that can withstand the temperatures encountered in the process. For example, the larger portion of the disk may be made up of most or all of materials such as e.g. As graphite, silicon carbide or other heat-resistant materials may be formed. The body 46 generally has a flat upper surface 48 and a lower surface 52 which extend generally parallel to one another and generally perpendicular to the central axis of the disk. The body 46 also has one or more wafer holding devices suitable for holding multiple wafers.

In Betrieb ist ein Wafer 54, wie z. B. ein aus Saphir, Siliziumkarbid oder einem anderen kristallinen Substrat ausgebildeter scheibenförmiger Wafer, in jeder Tasche 56 jedes Waferträgers angeordnet. Typischerweise weist der Wafer 54 eine Dicke auf, die im Vergleich zu den Abmessungen seiner Hauptflächen klein ist. Zum Beispiel kann ein kreisförmiger Wafer mit einem Durchmesser von ungefähr 2 Zoll (50 mm) ungefähr 430 μm oder weniger dick sein. Wie in 1 dargestellt, wird ein Wafer 54 derart angeordnet, dass eine obere Fläche nach oben weist, so dass die obere Fläche an der Oberseite des Waferträgers freigelegt ist. Es ist zu beachten, dass in verschiedenen Ausführungsformen ein Waferträger 42 verschiedene Mengen von Wafern trägt. Zum Beispiel kann in einem Ausführungsbeispiel der Waferträger 42 derart eingerichtet sein, dass er sechs Wafer hält. In einem anderen Ausführungsbeispiel, wie in 2 dargestellt, hält der Waferträger 25 Wafer.In operation is a wafer 54 , such as A disk-shaped wafer formed of sapphire, silicon carbide, or other crystalline substrate, in each pocket 56 each wafer carrier arranged. Typically, the wafer has 54 a thickness that is small compared to the dimensions of its major surfaces. For example, a circular wafer having a diameter of about 2 inches (50 mm) may be about 430 μm or less thick. As in 1 shown, becomes a wafer 54 arranged such that an upper surface facing upward, so that the upper surface is exposed at the top of the wafer carrier. It should be noted that in various embodiments, a wafer carrier 42 carries different amounts of wafers. For example, in one embodiment, the wafer carrier 42 be set up so that it holds six wafers. In another embodiment, as in 2 shown holding the wafer carrier 25 Wafer.

In einem typischen MOCVD-Prozess wird ein mit Wafern bestückter Waferträger 42 aus der Vorkammer 38 in die Reaktionskammer 10 geladen und in der in 1 dargestellten Betriebsposition angeordnet. In diesem Zustand weisen die oberen Flächen der Wafer nach oben zur Gasverteilungsvorrichtung 12 hin. Ein Heizelement 34 wird betätigt, und der Drehantriebsmechanismus 32 arbeitet dahingehend, die Spindel 24 und somit den Waferträger 42 um die Achse 26 zu drehen. Typischerweise wird die Spindel 24 mit einer Drehzahl von ungefähr 50 bis 1500 Umdrehungen pro Minute gedreht. Prozessgas-Zufuhreinheiten 14, 16, 18 werden betätigt, um über die Gasverteilungsvorrichtung 12 Gase zuzuführen. Die Gase fließen abwärts zum Waferträger 42 hin, über die obere Fläche 48 des Waferträgers 42 und der Wafer 54 und abwärts um den Umfangsrand des Waferträgers zum Auslass und dem Abzugssystem 22. Daher werden die obere Fläche des Waferträgers und die oberen Flächen der Wafer 54 einem Prozessgas ausgesetzt, das ein Gemisch aus den verschiedenen, durch die verschiedenen Prozessgas-Zufuhreinheiten zugeführten Gasen umfasst. Am typischsten setzt sich das Prozessgas an der oberen Fläche vorwiegend aus dem durch die Trägergas-Zufuhreinheit 16 zugeführten Trägergas zusammen. In einem typischen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess kann das Trägergas Stickstoff sein, und daher setzt sich das Prozessgas an der oberen Fläche des Waferträgers vorwiegend aus Stickstoff mit einem gewissen Anteil der reaktiven Gaskomponenten zusammen.In a typical MOCVD process, a wafer carrier loaded with wafers becomes 42 from the antechamber 38 in the reaction chamber 10 loaded and in the 1 arranged operating position arranged. In this state, the upper surfaces of the wafers face up to the gas distribution device 12 out. A heating element 34 is actuated, and the rotary drive mechanism 32 works to that end, the spindle 24 and thus the wafer carrier 42 around the axis 26 to turn. Typically, the spindle 24 rotated at a speed of about 50 to 1500 revolutions per minute. Process gas supply units 14 . 16 . 18 are operated to via the gas distribution device 12 To supply gases. The gases flow down to the wafer carrier 42 down, over the top surface 48 of the wafer carrier 42 and the wafer 54 and down around the peripheral edge of the wafer carrier to the outlet and the exhaust system 22 , Therefore, the upper surface of the wafer carrier and the upper surfaces of the wafers 54 are exposed to a process gas comprising a mixture of the various gases supplied by the various process gas supply units. Most typically, the process gas at the top surface is predominantly that through the carrier gas supply unit 16 supplied carrier gas together. In a typical chemical vapor deposition process, the carrier gas may be nitrogen, and therefore, the process gas at the top surface of the wafer carrier is composed predominantly of nitrogen with some of the reactive gas components.

Die Heizelemente 34 übertragen Wärme zu der unteren Fläche 52 des Waferträgers 42 hauptsächlich durch Strahlungswärmeübertragung. Die an die untere Fläche 52 des Waferträgers 42 angelegte Wärme fließt aufwärts durch den Körper 46 des Waferträgers zu der oberen Fläche 48 des Waferträgers. Wärme, die aufwärts durch den Körper fließt, fließt ebenfalls aufwärts durch die Spalte zu der unteren Fläche jedes Wafers, und aufwärts durch den Wafer zu der oberen Fläche des Wafers 54.The heating elements 34 transfer heat to the lower surface 52 of the wafer carrier 42 mainly by radiant heat transfer. The to the lower surface 52 of the wafer carrier 42 applied heat flows upwards through the body 46 of the wafer carrier to the upper surface 48 of the wafer carrier. Heat flowing upwardly through the body also flows upwardly through the gaps to the bottom surface of each wafer and up through the wafer to the top surface of the wafer 54 ,

Wärme wird von der oberen Fläche 48 des Waferträgers 42 und von den oberen Flächen der Wafer an die kühleren Elemente der Prozesskammer, wie zum Beispiel die Wände der Prozesskammer und die Gasverteilungsvorrichtung 12, abgestrahlt. Wärme wird außerdem von der oberen Fläche 48 des Waferträgers 42 und den oberen Flächen der Wafer an das über diese Flächen fließende Prozessgas übertragen.Heat is from the upper surface 48 of the wafer carrier 42 and from the upper surfaces of the wafers to the cooler elements of the process chamber, such as the walls of the process chamber and the gas distribution device 12 , radiated. Heat is also dissipated from the top surface 48 of the wafer carrier 42 and transfer the upper surfaces of the wafers to the process gas flowing over these surfaces.

In der dargestellten Ausführungsform umfasst das System eine Anzahl von Merkmalen, die derart ausgelegt sind, dass sie die Gleichmäßigkeit der Erwärmung der Flächen jedes Wafers 54 bestimmen. In dieser Ausführungsform empfängt ein Temperaturprofilierungssystem 58 Temperaturinformationen, die eine Temperatur und eine Temperaturüberwachungs-Positionsinformation von einer Temperaturüberwachungseinheit 60 umfassen. Außerdem empfängt das Temperaturprofilierungssystem 58 Waferträger-Positionsinformationen, die in einer Ausführungsform von dem Drehantriebsmechanismus 32 stammen können. Mit diesen Informationen erstellt das Temperaturprofilierungssystem 58 ein Temperaturprofil der Taschen 56 auf dem Waferträger 42. Das Temperaturprofil repräsentiert eine Wärmeverteilung auf der Oberfläche jeder Tasche 56 oder jedes darin aufgenommenen Wafers 54.In the illustrated embodiment, the system includes a number of features designed to increase the uniformity of the heating of the surfaces of each wafer 54 determine. In this embodiment, a temperature profiling system receives 58 Temperature information including temperature and temperature monitoring position information from a temperature monitoring unit 60 include. In addition, the temperature profiling system receives 58 Wafer carrier position information, in one embodiment of the rotary drive mechanism 32 can come. The temperature profiling system creates this information 58 a temperature profile of the pockets 56 on the wafer carrier 42 , The temperature profile represents a heat distribution on the surface of each bag 56 or any wafer recorded therein 54 ,

2 ist eine perspektivische Ansicht eines Waferträgers 142 gemäß einer Ausführungsform. 3 ist eine obere Draufsicht auf denselben Waferträger 142. Der Waferträger 142 umfasst einen Körper 146, der eine obere Fläche 148 aufweist, und einunddreißig darin definierte Taschen 162. In der in 2 und 3 dargestellten Ausführungsform sind die Taschen 162 in drei Kreisen angeordnet, von denen jeder konzentrisch mit dem durch den Außenrand des Körpers 146 definierten Kreis ist. In dem radial innersten Kreis sind vier Taschen 162 azimutal gleichmäßig beabstandet. Gleichermaßen sind in dem radial mittleren Kreis zehn Taschen 162 azimutal gleichmäßig beabstandet. In dem radial äußersten Kreis sind siebzehn Taschen 162 azimutal gleichmäßig beabstandet. Jede der Taschen 162 ist eine in einer in dem Körper 146 ausgebildete Öffnung, die sich im Wesentlichen senkrecht zu der Ebene, entlang welcher die obere Fläche 148 angeordnet ist, erstreckt. 2 is a perspective view of a wafer carrier 142 according to one embodiment. 3 Fig. 10 is a top plan view of the same wafer carrier 142 , The wafer carrier 142 includes a body 146 , which is an upper surface 148 and thirty-one pockets defined therein 162 , In the in 2 and 3 illustrated embodiment, the pockets 162 arranged in three circles, each concentric with the one by the outer edge of the body 146 defined circle is. In the radially innermost circle are four pockets 162 azimuthal evenly spaced. Similarly, ten pockets are in the radially middle circle 162 azimuthal evenly spaced. In the radially outermost circle are seventeen pockets 162 azimuthal evenly spaced. Each of the bags 162 is one in one in the body 146 formed opening, which is substantially perpendicular to the plane along which the upper surface 148 is arranged extends.

Die in 2 und 3 dargestellte Anordnung der Taschen ist dahingehend vorteilhaft, dass sie einen gewünschten Grad an Wärmegleichmäßigkeit bereitstellt, während eine verhältnismäßig hohe Dichte der Taschen 162 auf der oberen Fläche 148 beibehalten wird. In Ausführungsformen kann die obere Fläche 148 einen Durchmesser von ungefähr 675 mm aufweisen. Die Taschen 162 werden dann größenmäßig derart ausgelegt, dass sie in diesen Bereich hineinpassen. Zum Beispiel können in Ausführungsformen die Taschen 162 einen Durchmesser von ungefähr 50 mm aufweisen.In the 2 and 3 shown arrangement of the pockets is advantageous in that it provides a desired degree of heat uniformity, while a relatively high density of pockets 162 on the upper surface 148 is maintained. In embodiments, the upper surface 148 have a diameter of about 675 mm. The bags 162 are then sized to fit within this area. For example, in embodiments, the pockets 162 have a diameter of about 50 mm.

3 veranschaulicht ferner die repräsentativen Kreise, um die herum die Taschen 162 angeordnet sind. In den in 3 dargestellten Ausführungsformen gibt es drei Kreise: R1, R2 und R3, von denen jeder einen unterschiedlichen Radius aufweist und die miteinander und mit dem kreisförmigen Profil der oberen Fläche 148 konzentrisch angeordnet sind. 3 further illustrates the representative circles around which the pockets 162 are arranged. In the in 3 In the illustrated embodiments, there are three circles: R1, R2 and R3, each having a different radius, and the one another and the circular profile of the upper surface 148 are arranged concentrically.

4 ist eine Seitenansicht des Waferträgers 142 von 2 und 3, der in einer Seitenansicht dargestellt ist. In der in 4 dargestellten Ansicht kann der relative Unterschied der Größen zwischen der oberen Fläche 148 und der unteren Fläche 152 gesehen werden. Insbesondere erstreckt sich die obere Fläche weiter zum oberen und unteren Bereich der Seite hin, wie in 4 dargestellt, oder, in den in 2 und 3 dargestellten Ansichten, weiter in Radialrichtung. Jede der vorstehend in 2 und 3 dargestellten Taschen 162 erstreckt sich von der oberen Fläche 148 zur unteren Fläche 152 hin. Die untere Fläche 152 stellt eine feste Basis bereit, auf der Wafer in dem Waferträger 142 aufgewachsen werden können. 4 is a side view of the wafer carrier 142 from 2 and 3 which is shown in a side view. In the in 4 As shown, the relative difference of sizes between the upper surface 148 and the lower surface 152 be seen. In particular, the upper surface further extends toward the upper and lower portions of the side, as in FIG 4 represented, or, in the in 2 and 3 shown views, further in the radial direction. Each of the above in 2 and 3 illustrated bags 162 extends from the upper surface 148 to the lower surface 152 out. The lower surface 152 provides a solid base on the wafer in the wafer carrier 142 can be raised.

5 ist eine untere Draufsicht auf den Waferträger 142, der vorstehend unter Bezugnahme auf 2 bis 4 beschrieben wurde. Wie in 5 dargestellt, umfasst der Waferträger 142 eine Verriegelungseinrichtung 164 in der Mitte der unteren Fläche 152. Die Verriegelungseinrichtung 164 ist derart ausgelegt, dass sie mit einer anderen Komponente, wie z. B. dem vorstehend in 1 dargestellten Anschlussstück 30 der Spindel 24, in Eingriff kommt. In verschiedenen Ausführungsformen kann die Verriegelungseinrichtung 164 zum Beispiel eine Keilnut, eine Aufspanneinrichtung oder ein verkeiltes Anschlussstück umfassen. Ein Fachmann wird erkennen, dass verschiedene Mechanismen in der Lage sind, ein Drehimpuls an den Waferträger 142 von der benachbarten Komponente zu übermitteln. 5 is a bottom plan view of the wafer carrier 142 , the above with reference to 2 to 4 has been described. As in 5 illustrated, includes the wafer carrier 142 a locking device 164 in the middle of the lower surface 152 , The locking device 164 is designed so that it with another component, such as. B. the above in 1 illustrated connector 30 the spindle 24 , comes into play. In various embodiments, the locking device 164 For example, include a keyway, a jig or a wedged fitting. One skilled in the art will recognize that various mechanisms are capable of providing angular momentum to the wafer carrier 142 from the neighboring component.

Die untere Fläche 152 kann ein beliebiges Material sein, und in Ausführungsformen wird sie derart ausgelegt, dass sie Wärmeübertragung erleichtert. Wie vorstehend beschrieben, ist es in Ausführungsformen wünschenswert, die Wärme zu der unteren Fläche 152 von einem in der Nähe befindlichen Heizelement (wie z. B. den in 1 dargestellten Heizelementen 34) zu übertragen. Daher kann die untere Fläche 152 ein Material mit einem verhältnismäßig niedrigen Reflexionsgrad sein, oder sie kann mit einer derartigen Substanz beschichtet sein.The lower surface 152 may be any material, and in embodiments, it is designed to facilitate heat transfer. As described above, in embodiments, it is desirable to heat to the lower surface 152 from a nearby heating element (such as the one in 1 shown heating elements 34 ) transferred to. Therefore, the lower surface 152 may be a relatively low reflectance material, or it may be coated with such a substance.

In Ausführungsformen kann der Waferträger 142 aus einem beliebigen Material gefertigt werden, das zum epitaktischen Aufwachsen darauf geeignet ist, wie z. B. Graphit oder einem mit Graphit beschichteten Material. In anderen Ausführungsformen kann das Material, aus dem der Waferträger 142 gefertigt ist, derart ausgewählt sein, dass es mit einer gewünschten Kristallgitteranordnung oder -größe übereinstimmt. Je nach den Wafern, die wunschgemäß aufgewachsen werden sollen, können gleichermaßen verschiedene Größen der Taschen 162 verwendet werden.In embodiments, the wafer carrier 142 be made of any material suitable for epitaxial growth thereon, such as. As graphite or graphite coated material. In other embodiments, the material from which the wafer carrier 142 is made to be selected to match a desired crystal lattice arrangement or size. Depending on the wafers, which are to be grown as desired, equally different sizes of pockets 162 be used.

6 ist eine perspektivische Teilansicht, die eine der Taschen 162 zeigt. Die Taschen 162 umfassen jeweils eine Seitenwand 166, die im Wesentlichen eine zylindrische Form aufweist. Die Unterseite des durch die Seitenwand 166 gebildeten Zylinders stellt das Substrat 168 dar. In Ausführungsformen kann die Seitenwand 166 eine Tiefe von ungefähr 430 μm aufweisen. 6 is a partial perspective view of one of the pockets 162 shows. The bags 162 each include a side wall 166 which has a substantially cylindrical shape. The bottom of the through the side wall 166 formed cylinder provides the substrate 168 In embodiments, the side wall 166 have a depth of about 430 microns.

Die Ausführungsformen sollen veranschaulichend und nicht einschränkend sein. Zusätzliche Ausführungsformen liegen innerhalb des Umfangs der Ansprüche. Obwohl Aspekte der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsformen beschrieben wurden, wird ein Fachmann außerdem erkennen, dass Änderungen der Form und der Einzelheiten vorgenommen werden können, ohne von dem in den Ansprüchen definierten Umfang der Erfindung abzuweichen.The embodiments are intended to be illustrative and not restrictive. Additional embodiments are within the scope of the claims. Although aspects of the present invention have been described with reference to particular embodiments, there is Those skilled in the art will recognize that changes may be made in form and detail without departing from the scope of the invention as defined in the claims.

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Claims (11)

Waferträger, der für den Gebrauch mit einer Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung ausgelegt ist, wobei der Waferträger umfasst: einen Körper, der eine obere Fläche und eine untere Fläche, die einander gegenüber angeordnet sind, aufweist, eine Mehrzahl von Taschen, die in der oberen Fläche des Waferträgers definiert sind, wobei die Verbesserung umfasst, dass die Mehrzahl von Taschen aus insgesamt einunddreißig Taschen bestehen, wobei jede der Taschen entlang eines von drei Kreisen angeordnet ist, wobei jeder der Kreise miteinander und mit einem durch einen Umfang der oberen Fläche gebildeten kreisförmigen Umriss konzentrisch ist.A wafer carrier adapted for use with a chemical vapor deposition apparatus, the wafer carrier comprising: a body having an upper surface and a lower surface disposed opposite to each other, a plurality of pockets defined in the upper surface of the wafer carrier, the improvement comprising the plurality of pockets consisting of a total of thirty-one pockets, each of the pockets being arranged along one of three circles, each of the circles being concentric with each other and with a circular contour formed by a circumference of the top surface. Waferträger nach Anspruch 1, wobei: vier der Taschen entlang eines ersten der drei Kreise angeordnet sind, zehn der Taschen entlang eines zweiten der drei Kreise angeordnet sind, und siebzehn der Taschen entlang eines dritten der drei Kreise angeordnet sind.The wafer carrier of claim 1, wherein: four of the pockets are arranged along a first of the three circles, ten of the pockets are arranged along a second of the three circles, and seventeen of the pockets are arranged along a third of the three circles. Waferträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Kreis durch den zweiten Kreis umschrieben ist, und wobei der zweite Kreis durch den dritten Kreis umschrieben ist.A wafer carrier according to any one of the preceding claims, wherein the first circle is circumscribed by the second circle, and wherein the second circle is circumscribed by the third circle. Waferträger nach Anspruch 1, wobei die obere Fläche einen Durchmesser von ungefähr 675 mm umfasst.The wafer carrier of claim 1, wherein the top surface has a diameter of about 675 mm. Waferträger nach Anspruch 1 oder 4, wobei jede der Taschen einen Taschendurchmesser von ungefähr 50 mm umfasst.The wafer carrier of claim 1 or 4, wherein each of the pockets has a pocket diameter of about 50 mm. Waferträger nach Anspruch 1 oder 4, wobei jede der mehreren Taschen eine radiale Wand umfasst, die eine Tiefe von etwa 430 μm aufweist.The wafer carrier of claim 1 or 4, wherein each of the plurality of pockets includes a radial wall having a depth of about 430 μm. Waferträger nach Anspruch 1, der ferner eine an der unteren Fläche angeordnete Verriegelungseinrichtung umfasst.The wafer carrier of claim 1, further comprising a locking device disposed on the lower surface. Waferträger nach Anspruch 7, wobei die Verriegelungseinrichtung in der geometrischen Mitte der unteren Fläche angeordnet ist.The wafer carrier of claim 7, wherein the locking means is disposed in the geometric center of the lower surface. Waferträger nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Verriegelungseinrichtung aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Keilnut, einer Aufspanneinrichtung oder einem verkeilten Anschlussstück besteht.A wafer carrier according to claim 7 or 8, wherein the locking means is selected from the group consisting of a keyway, a jig or a keyed fitting. Waferträger nach Anspruch 1, wobei die obere Fläche und die untere Fläche jeweils einen Durchmesser aufweisen, und wobei der Durchmesser der oberen Fläche größer ist als der Durchmesser der unteren Fläche.The wafer carrier of claim 1, wherein the top surface and the bottom surface each have a diameter, and wherein the diameter of the top surface is greater than the diameter of the bottom surface. Waferträger nach Anspruch 1, wobei der Waferträger zum Gebrauch in einem System zur Metalloxid-Gasphasenabscheidung ausgelegt ist.The wafer carrier of claim 1, wherein the wafer carrier is adapted for use in a metal oxide vapor deposition system.
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