DE202008013163U1 - Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer - Google Patents
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Abstract
Beschichtungsanlage
für die Beschichtung von Substraten, insbesondere von Wafern,
mit einem Substratträger, welcher eine Trägerplatte
aufweist, in der eine oder mehrere Substrataufnahmen zur Einlage jeweils
eines Substrates ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass
an der Trägerplatte (1) wenigstens eine Randleiste (13,
14) angeordnet ist, die ein zu einem Randprofil (8) der Trägerplatte
(1) komplementär geformtes Verbindungsprofil (22) aufweist,
wobei das Randprofil (8) und das Verbindungsprofil (22) derart ineinander
greifend ausgebildet sind, dass die Randleiste (13, 14) formschlüssig mit
der Trägerplatte (1) verbunden ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Beschichtungsanlage für die Beschichtung von Substraten, insbesondere von Wafern, mit einem Substratträger, welcher eine Trägerplatte aufweist, in der eine oder mehrere Substrataufnahmen zur Einlage jeweils eines Substrates ausgebildet sind.
- Beschichtungsanlagen der vorgenannten Art weisen üblicherweise Substratträger mit großformatigen Trägerplatten auf, die der Aufnahme von meist mehreren zu beschichtenden Substraten, wie zum Beispiel Silizium-Wafer, dienen. Mittels der Substratträger werden die Substrate gemeinsam innerhalb der Beschichtungsanlage transportiert und den jeweiligen Beschichtungsprozessen ausgesetzt. Ein derartiger Substratträger ist aus der
EP 1 855 324 A1 bekannt. Auf der Trägerplatte ist eine Vielzahl von Substratträgeraufnahmen vorgesehen, in die die Substrate (Silizium-Wafer) flach eingelegt werden können. Im Vergleich zum Flächenformat der Trägerplatte weist die Trägerplatte einen relativ geringen Querschnitt im Millimeterbereich auf. Die Substrataufnahmen sind als Öffnungen durch den Querschnitt der Trägerplatte ausgebildet. - Bei derart dünnen, mit vielen Durchbrechungen versehenen Trägerplatten ergeben sich Probleme hinsichtlich der Formstabilität des Substratträgers, insbesondere unter der thermischen Beanspruchung während der Beschichtungsprozesse, die zu unbefriedigenden Beschichtungsergebnissen führen können.
- Einem höheren Querschnitt der Trägerplatte steht die aufwändige und kostenintensive Herstellung des Substratträgers entgegen, was insbesondere auf das zu verwendende Material zurückzuführen ist, das hinsichtlich der Prozesseinwirkungen erhöhten Anforderungen gerecht werden muss. Bekannte Substratträger bestehen beispielsweise aus faserverstärktem Kunststoff, wie kohlenfaserverstärkter Kohlenstoff (CFC) oder Glaskeramik. Der Fertigungsaufwand für den Substratträger fällt unter Verwendung dieser Materialien umso deutlicher ins Gewicht, je dicker der zu fertigende Formkörper für die Trägerplatte ist.
- Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Beschichtungsanlage mit einem Substratträger bereitzustellen, der mit geringem technischem und ökonomischem Aufwand eine hohe Formstabilität gewährleistet. Dabei soll der Substratträger einfach und kostengünstig herzustellen sein.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Beschichtungsanlage gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Unteransprüchen, der nachfolgenden Beschreibung und den zugehörigen Zeichnungen.
- Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass an der Trägerplatte wenigstens eine Randleiste angeordnet ist, die ein zu einem Randprofil der Trägerplatte komplementär geformtes Verbindungsprofil aufweist, wobei das Randprofil und das Verbindungsprofil derart ineinander greifend ausgebildet sind, dass die Randleiste formschlüssig mit der Trägerplatte verbunden ist.
- Das Randprofil der Trägerplatte und das Verbindungsprofil der Randleiste weisen jeweils Ausformungen auf, die sich in der Art eines Negativprofils und Positivprofils ergänzen. Das Verbindungsprofil der Randleiste und das Randprofil der Trägerplatte kann somit gegensinnig ineinander gesteckt werden. Dabei sind die Ausformungen des Randprofils bzw. des Verbindungsprofils so gestaltet, z. B. mit Hinterschneidungen, dass sie beim Zusammenfügen eine verbindende Formschlusskonstruktion bilden.
- Die in dieser Weise im Randbereich an die Trägerplatte angesetzte Randleiste bewirkt eine hohe Versteifung der Trägerplatte, wobei die Versteifungswirkung durch die erfindungsgemäße Verbindungstechnik, bei der ein beträchtlicher Umfang an Reibflächen beteiligt ist, erheblich verstärkt wird.
- Der formschlüssige Zusammenschluss von Randleiste und Trägerplatte wird durch bloßes Zusammenstecken in der Art einer Steckverbindung erreicht, so dass die Montage der Randleiste an die Trägerplatte sehr einfach und leicht auszuführen ist.
- Somit lasst sich mit der erfindungsgemäßen Lösung eine hohe Formstabilität des Substratträgers bei geringem technischem und ökonomischem Aufwand erzielen.
- Bevorzugt besteht die Randleiste aus einem Material, das mit dem Material der Trägerplatte im Wesentlichen identisch ist. Das hat den Vorzug, dass die Randleiste ebenso dauerhaft wie die Trägerplatte den hohen Beanspruchungen während der Beschichtungsprozesse genügt und dass thermische Spannungen in der Verbindung zwischen der Trägerplatte und der Randleiste vermieden werden.
- In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform besteht die Randleiste aus zwei, vorzugsweise drei, lagenweise nebeneinander geordneter Einzelleisten, wobei jede der Einzelleisten ein Einzelprofil des Verbindungsprofils aufweist. Die Randleiste ist nach dieser Ausführungsform längs geteilt ausgeführt. Dabei verfügt jede Einzelleiste über ein Einzelprofil des Verbindungsprofils, beispielsweise als eine Art Profilschicht. Die Einzelprofile sind untereinander formidentisch, so dass die Gesamtheit der Einzelprofile der Einzelleisten das zum Randprofil vollständig komplementäre Verbindungsprofil bereitstellt. Hierbei geht die Erfindung davon aus, dass die Dicke der Einzelleisten annähernd einer Dicke der Trägerplatte angepasst ist, was die Herstellung der Randleiste aus solchem Material, welches auch für die Trägerplatte eingesetzt wird, besonders wirtschaftlich macht. Die für den Einsatz bei Substratträgern der gattungsgemäßen Beschichtungsanlagen üblichen Materialien sind nicht zuletzt wegen ihrer hohen Beanspruchbarkeit sehr kostenintensiv in der Herstellung. Der technische und energetische Herstellaufwand und somit die Herstellungskosten nehmen besonderes mit der Dicke des Materials umso beträchtlicher zu. Damit sind nach dieser vorteilhaften Ausführungsform die aus dem Material der Trägerplatte hergestellten Einzelleisten von geringer Dicke wesentlich einfacher und preiswerter herzustellen, als eine Randleiste mit einem Vielfachen der Dicke der Einzelleisten, die aber erforderlich ist, um eine ausreichende Materialsteifigkeit zur Gewährleistung der Formsteifigkeit des Substratträgers zu erzielen.
- In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Trägerplatte im Wesentlichen rechteckig ausgebildet, wobei an den sich gegenüberliegenden Längsseiten der Trägerplatte jeweils eine Randleiste angeordnet ist. Hierdurch weist die Trägerplatte eine besonders wirksame Formstabilität auf, so dass die Trägerplatte an keiner Stelle durchhängt.
- Bevorzugt ist das Randprofil und/oder das Verbindungsprofil als Schwalbenschwanzprofil ausgebildet, womit die Verbindung zwischen der Randleiste und der Substratträger in der Art einer bewährten Schwalbenschwanzverbindung gestaltet ist, wie sie beispielsweise bei der Verbindung von Holzteilen Verwendung findet. Die auf diese Weise verbundenen Teile können schrumpfen oder sich ausdehnen, ohne dass sie sich verwerfen oder locker. Damit eignet sich diese Verbindung besondere vorteilhaft im Einsatz am Substratträger, welcher den schwankenden thermischen Prozessbedingungen der Beschichtungsanlage ausgesetzt ist.
- In einer zweckmäßigen Ausführungsform ist das Verbindungsprofil der Randleiste in der Weise ausgebildet, dass die Randleiste eine Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander schwalbenschwanzförmige Vorsprünge bilden. Das Verbindungsprofil gewährleistet im Zusammenwirken mit dem komplementär geformten Randprofil eine gleichmäßig wirksame Formschlusskonstruktion entlang der Randleiste bzw. entlang der Trägerplatte.
- In einer weiteren zweckmäßigen Ausführungsform ist das Randprofil der Trägerplatte in der Weise ausgebildet, dass die Trägerplatte eine Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander zinkenförmige Vorsprünge mit einem trapezförmigen Querschnitt bilden. Diese Form des Randprofils ermöglicht im Zusammenwirken mit dem komplementär geformten Verbindungsprofil der Randleiste eine stabile, längserstreckte Eckverbindung zwischen der Trägerplatte und der Randleiste in der Art einer Schwalbenschwanz-Zinken-Verbindung. Hierbei treffen das Randprofil der Trägerplatte und das Verbindungsprofil der Randleiste im Wesentlichen rechtwinklig aufeinander. Diese Verbindung vermittelt eine besonders hohe Steifigkeit auf die Trägerplatte.
- Es erweist sich für die Montage der Einzelleisten an die Trägerplatte als zweckmäßig, wenn diese eine Dicke von etwa 3 mm bis 10 mm, vorzugsweise von 4 mm bis 6 mm, aufweisen.
- Wenn die Einzelleiste eine Dicke aufweist, die im Wesentlichen einer Dicke der Trägerplatte entspricht, kann das Zwischenprodukt für die Fertigung des Formkörpers der Trägerplatte zugleich für die Herstellung der Einzelleisten verwendet werden, was sich günstig auf die Fertigungstechnologie des Substratträger auswirkt.
- Vorzugsweise weist die Randleiste eine Dicke von etwa 10 mm bis 30 mm auf. Eine Randleiste von dieser Dicke liefert eine ausreichende Steifigkeit zur Formstabilisierung der gewöhnlich verwendeten Trägerplatten mit typischen Abmessungen. Ist die Randleiste aus Einzelleisten gebildet, ergibt sich ihre Dicke aus der Summe der Dicke der jeweiligen Einzelleisten.
- In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist eine Oberkante des Verbindungsprofils der Randleiste, insbesondere eine Oberkante des Einzelprofils der Einzelleiste, bündig zu einer Oberseite der Trägerplatte angeordnet, an der die Substrataufnahmen ausgebildet sind. Mit dieser Gestaltung wird ein Überstand der Randleiste über der Oberseite der Trägerplatte vermieden, was den Vorteil hat, dass hierdurch während des Beschichtungsvorganges keine unerwünschten Abschattungseffekte in die Substratbeschichtung entstehen.
- Für den Einsatz des Substratträgers in der Beschichtungsanlage ist es günstig, wenn die Randleiste im Wesentlichen mittig zur Längsseite der Trägerplatte angeordnet ist, wobei die Randleiste eine geringere Länge als die Länge der Längsseite der Trägerplatte aufweist. Damit hat die Trägerplatte an den beiden Enden der Längsseite jeweils einen leistenfreien Randbereich, der der Anordnung von Transportmittel für den Transport des Substratträgers durch die Beschichtungsanlage dient. Diese Ausführung gewährleistet einen behinderungsfreien Transport des Substratträgers durch die Beschichtungsanlage.
- Vorzugsweise bestehen die Trägerplatte und/oder die Randleiste im Wesentlichen aus kohlefaserverstärktem Kohlenstoff (CFC). Dieses Material hat ein geringes spezifisches Gewicht und weist auch bei hohen Temperaturen einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten und eine hohe Eigensteifigkeit auf. Daher ist es in der Verwendung für die Trägerplatte und/oder für die Randleiste, die während der Beschichtungsvorgänge hohen thermischen Belastungen ausgesetzt sind, besonders geeignet.
- Nachstehend wird die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Die zugehörigen Zeichnungen zeigen in einer schematischen Darstellung in
-
1 eine Draufsicht auf eine Trägerplatte eines Substratträgers, -
2 eine Seitenansicht der Trägerplatte nach1 , -
3 ein vergrößertes Detail A der Trägerplatte nach1 , -
4 eine Draufsicht auf einen Substratträger mit einer Trägerplatte nach1 und zwei Randleisten, -
5 eine Seitenansicht des Substratträgers nach4 , -
6 eine weitere Seitenansicht des Substratträgers nach4 , -
7 ein vergrößertes Detail B des Substratträgers nach6 , -
8 ein vergrößertes Detail C des Substratträgers nach5 , -
9 eine Seitenansicht einer ersten Einzelleiste der Randleiste, -
10 eine Draufsicht der ersten Einzelleiste nach9 , -
11 eine isometrische Darstellung der ersten Einzelleiste nach9 , -
12 ein vergrößertes Detail D der ersten Einzelleiste nach9 , -
13 eine Seitenansicht einer zweiten Einzelleiste der Randleiste, -
14 eine Draufsicht der zweiten Einzelleiste nach13 , -
15 eine isometrische Darstellung der zweiten Einzelleiste nach13 , -
16 eine Seitenansicht einer dritten Einzelleiste der Randleiste, -
17 eine Draufsicht der dritten Einzelleiste nach16 , -
18 eine isometrische Darstellung der zweiten Einzelleiste nach16 und -
19 ein vergrößertes Detail E der dritten Einzelleiste nach16 . -
1 zeigt eine Trägerplatte1 aus kohlefaserverstärktem Kohlenstoff (CFC). Die Trägerplatte1 ist Teil eines Substratträgers2 in einer nicht näher dargestellten Beschichtungsanlage. Die Trägerplatte1 weist einen rechteckigen Grundriss mit einer Längen- und Breitenabmessung LT × BT von beispielsweise ca. 1800 mm × 920 mm auf. Im Verhältnis zu den Längen- und Breitenabmessungen LT × BT verfügt die Trägerplatte1 über eine sehr geringe Dicke DT von beispielsweise ca. 4 mm, wie aus2 ersichtlich ist. An einer Oberseite3 der Trägerplatte1 sind mehrere in Längsrichtung und Querrichtung regelmäßig angeordnete Substrataufnahmen4 zur Einlage jeweils eines zu beschichtenden Wafers (nicht dargestellt) vorgesehen. Die Substrataufnahmen4 , die jeweils eine Öffnung5 in der Trägerplatte1 umschließen, sind in Größe und Form an die jeweiligen zu beschichtenden Wafer angepasst. - An den Rändern der beiden sich gegenüberliegenden Längsseiten
6 ,7 der Trägerplatte1 ist jeweils ein Randprofil8 der Trägerplatte1 ausgebildet, das mit einer Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen9 versehen ist. Die Ausnehmungen9 sind regelmäßig beabstandet, so dass zwischen den Ausnehmungen9 zinkenförmige Vorsprünge10 gebildet sind. Wie aus den2 und3 ersichtlich ist, haben die Ausnehmungen9 in einer Seitenansicht auf die Trägerplatte1 einen trapezförmigen Querschnitt, so dass die zinkenförmigen Vorsprünge10 ebenfalls, jedoch hierzu gegensinnigen mit einen trapezförmigen Querschnitt ausgebildet sind. Dementsprechend sind die sich gegenüberliegenden Flanken11 ,12 der zinkenförmigen Vorsprünge10 als Schrägflächen mit einem Neigungswinkel von beispielsweise 45° ausgebildet. In1 sind diese Flanken11 ,12 der zinkenförmigen Vorsprünge10 in einer projizierten Ansicht ersichtlich. - An dem Randprofil
8 der Längsseiten6 ,7 der Trägerplatte1 ist jeweils eine längserstreckte Randleiste13 ,14 angeordnet, wobei jede Randleiste13 ,14 aus drei Einzelleisten15a ,15b ,15c bzw.16a ,16b ,16c besteht. Die4 bis8 zeigen den Ausbau eines Substratträgers2 , welcher die mit den Randleisten13 ,14 komplettierte Trägerplatte1 aufweist. Die Einzelleisten15a ,15b ,15c bzw.16a ,16b ,16c sind im Wesentlichen zueinander identisch geformt und nebeneinander, dreilagig gebündelt an dem Randprofil8 der Längsseiten6 ,7 der Trägerplatte1 längserstreckt angeordnet. Die dreilagige Anordnung der Einzelleisten15a ,15b ,15c bzw.16a ,16b ,16c auf jeder Längsseite6 ,7 der Trägerplatte1 ergibt sich am besten aus6 und7 , die die Einzelheit B aus6 zeigt. - Die Einzelleisten
15a ,15b ,15c und16a ,16b ,16c bestehen ebenfalls wie die Trägerplatte1 aus CFC-Material und haben einen sehr geringen Querschnitt. Aus den9 bis19 sind die Einzelleisten16a ,16b ,16c der Randleiste14 im Einzelnen ersichtlich. Die Darstellung und Beschreibung der Einzelleisten16a ,16b ,16c der Randleiste14 trifft identisch auch auf die Einzelleisten15a ,15b ,15c der Randleiste13 zu, weshalb nachfolgend auf ein gesonderte Darstellung und Beschreibung der Einzelleisten15a ,15b ,15c verzichtet wird. Die innenliegend, der Trägerplatte1 zugewandt angeordnete Einzelleiste16a , gezeigt in den9 bis12 sowie die äußere, randseitig angeordnete Einzelleiste16c , gezeigt in den16 bis19 , weisen nach dem vorliegenden Ausführungsbeispiel jeweils eine Dicke DE von ca. 6 mm auf. Die Dicke DE der mittleren Einzelleiste16b gem. der13 bis15 beträgt, übereinstimmend mit der Dicke DT der Trägerplatte1 , ca. 4 mm. - Die Einzelleisten
16a ,16b ,16c mit derartigen geringen Querschnitten sind mit weniger Aufwand und deutlich kostengünstiger aus dem CFC-Material herzustellen, als eine kompakte Randleiste mit einem Gesamtquerschnitt, welcher der Summe der Einzelquerschnitte DE der Einzelleisten16a ,16b ,16c ent spricht und die im Ausführungsbeispiel ca. 16 mm beträgt. Ein Formkörper, wie eine Trägerplatte1 oder ein Randleiste13 ,14 aus CFC-Material ist sehr aufwändig herzustellen. Hierzu wird Kunststoffvlies mit in Alkohol gelöstes Graphitpulver getränkt und anschließend unter Luftausschluss auf ca. 2000°C erhitzt und über einen sehr langen Zeitraum von ca. 200 Stunden verpresst bis der Kunststoffformköper aushärtet. Der Herstellungsaufwand des Formkörpers wird dabei umso größer, je dicker der Formkörper ist. Die Erfindung macht sich daher die einfache und preiswerte Herstellung besonders dünner Einzelleisten16a ,16b ,16c zu nutze. - Die Einzelleisten
16a ,16b ,16c gem. der9 bis19 weisen jeweils Ausnehmungen17 auf, die in einer Seitenansicht auf die Einzelleisten16a ,16b ,16c gemäß den9 ,13 und16 schwalbenschwanzförmig ausgebildet sind. Diese Ausnehmungen17 sind regelmäßig beabstandet, so dass zwischen den Ausnehmungen17 Vorsprünge18 vorhanden sind, die ebenfalls, jedoch hierzu gegensinnig, schwalbenschwanzförmig ausgebildet sind. Die sich gegenüberliegenden Flanken19 ,20 der schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge18 sind als Schrägflächen mit einem Neigungswinkel von ca. 45° ausgebildet. In einer Einzelheit D der inneren Einzelleiste16a nach12 sind eine der schwalbenschwanzförmigen Ausnehmungen17 und zwei dazu benachbarte schwalbenschwanzförmige Vorsprünge18 mit den jeweiligen Flanken19 ,20 vergrößert dargestellt. - Jede Einzelleiste
16a ,16b ,16c weist somit ein Einzelprofil21a ,21b ,21c auf, welches für sich komplementär, also ergänzend zum Randprofil8 der Trägerplatte1 ausgebildet ist, wobei die Gesamtheit der Einzelprofile21a ,21b ,21c der nebeneinander an die Längsseite7 der Trägerplatte1 angesteckten Einzelleisten16a ,16b ,16c sandwichartig das zum Randprofil8 vollständigte, komplementäre Verbindungsprofil22 der Randleiste14 ergibt. Die Summe der Dicke DE der Einzelleisten16a ,16b ,16c , die die Dicke DR der Randleiste14 mit ca. 16 mm ergibt, entspricht also exakt der Längserstreckung der zinkenförmigen Vorsprünge10 des Randprofils8 . - Das Randprofil
8 der Trägerplatte1 und das Verbindungsprofil22 der Randleiste13 ,14 greifen in einer Schwalbenschwanz-Zinkenverbindung, welche gut aus den4 und8 ersichtlich ist, ineinander. Hierbei werden die schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge18 der Einzelleisten15a ,15b ,15c bzw.16a ,16b ,16c passend in die zinkenförmigen Ausnehmungen9 der Trägerplatte1 eingesteckt bzw. die zinkenförmigen Vorsprünge10 der Trägerplatte1 in den schwalbenschwanzförmigen Ausnehmungen17 der Einzelleisten15a ,15b ,15c bzw.16a ,16b ,16c platziert. In dieser Weise liegen die Flanken11 ,12 der zinkenförmigen Vorsprünge10 plan an den Flanken19 ,20 der schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge18 an. So kann die Randleiste13 ,14 – explizit jede Einzelleiste15a ,15b ,15c bzw.16a ,16b ,16c – durch bloßes Anstecken formschlüssig mit der Trägerplatte1 verbunden werden. - Die jeweils äußeren Einzelleisten
15c ,16c sind zusätzlich mittels Sicherungsstifte23 an der Trägerplatte1 fixiert. Entlang der Längsseiten6 ,7 der Trägerplatte1 sind jeweils fünf Stiftverbindungen vorgesehen. Eine der Stiftverbindungen zwischen Trägerplatte1 und der äußeren Einzelleiste16c ist in der Einzelheit B und C der mit der Randleiste14 zusammengefügten Trägerplatte1 gemäß der7 und8 ersichtlich. Die7 ,8 und19 zeigen die Stiftbohrung24 , die in einem zinkenförmigen Vorsprung10 der Trägerplatte1 und einer schwalbenschwanzförmigen Ausnehmung17 der äußeren Einzelleiste16c vorgesehen ist und in der ein Sicherungsstift23 aufgenommen ist. Die Fixierung der äußeren Einzelleiste15c ,16c mittels der Sicherungsstifte23 verhindert ein seitliches Verrutschen der Einzelleisten15a ,15b ,15c bzw.16a ,16b ,16c und sichert somit die formschlüssige Verbindung der Randleisten13 ,14 mit der Trägerleiste1 gegen die Gefahr, dass sich diese unter den dynamischen Einflüssen beim Transport des Substratträgers2 löst. - Die Montage der Randleisten
13 ,14 an die Trägerplatte1 gestaltet sich hierdurch sehr einfach und preiswert. Mit dieser Formschlusskonstruktion wird eine sehr gute Formstabilität für den Substratträger2 erreicht, durch die insbesondere ein Durchhängen der dünnwandigen Trägerplatte1 vermieden wird. - Wie aus den
9 bis19 ersichtlich, weisen die Einzelleisten16a ,16b ,16c , explizit deren schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge18 , jeweils Oberkanten25a ,25b ,25c auf, die in der Zusammenfügung zur Randleiste14 und in Verbindung mit der Trägerleiste1 bündig zur Oberseite3 der Trägerplatte1 angeordnet sind, was besonders gut aus den7 und8 ersichtlich ist. Analog trifft dies auf die Anordnung der Randleiste13 zu. Somit werden während des Beschichtungsvorganges der in den Substrataufnahmen4 gelagerten Wafern Abschattungen, bedingt durch die Randleisten13 ,14 , vermieden. - Die Randleiste
13 ,14 erstreckt sich im Wesentlichen über die Länge LT der Längsseiten6 ,7 der Trägerplatte1 , wobei die Einzelleisten15a ,15b ,15c und16a ,16b ,16c und damit entsprechend auch die komplettierte Randleiste13 ,14 etwas kürzer als die Länge LT der Längsseite6 ,7 der Trägerplatte1 ausgebildet sind. Im Ausführungsbeispiel weisen die Einzelleisten15a ,15b ,15c und16a ,16b ,16c eine übereinstimmende Länge LE von ca. 1725 mm auf, die zugleich die Länge LR der Randleiste13 ,14 ergibt. Wie gut aus5 ersichtlich, sind die Randleisten13 ,14 jeweils mittig zur Längsseite6 ,7 der Trägerplatte1 angeordnet, so dass beiden Endes der Randleisten13 ,14 ein äußerer, leistenfreier Randbereich26 der Trägerplatte1 verbleibt, der der Anbringung von Transportmittel (nicht dargestellt) dient. Beispielsweise können als übliche Transportmittel Schienen entlang der Breitseiten27 ,28 der Träger platte1 angebracht sein, mittels derer der Substratträger2 auf Rollen verfahrbar ist und durch die Beschichtungsanlage transportierbar ist. - Die Wafer werden nach ihrer Anordnung auf dem verfahrbaren Substratträger
2 entlang einer Transportlinie durch die Beschichtungsstationen gefördert, um entsprechend der Vorgaben beschichtet zu werden. Nach der Beschichtung werden die beschichteten Wafer aus dem Substratträger2 entnommen, der anschließend gereinigt und nach der Reinigung erneut mit zu beschichtenden Wafer bestückt wird. Der erfindungsgemäße Substratträger2 , dessen Trägerplatte1 und Randleisten13 ,14 aus CFC-Material gefertigt sind, behält während dieses Dauereinsatzes seine Formstabilität, ohne zu verschleißen. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - EP 1855324 A1 [0002]
Claims (13)
- Beschichtungsanlage für die Beschichtung von Substraten, insbesondere von Wafern, mit einem Substratträger, welcher eine Trägerplatte aufweist, in der eine oder mehrere Substrataufnahmen zur Einlage jeweils eines Substrates ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass an der Trägerplatte (
1 ) wenigstens eine Randleiste (13 ,14 ) angeordnet ist, die ein zu einem Randprofil (8 ) der Trägerplatte (1 ) komplementär geformtes Verbindungsprofil (22 ) aufweist, wobei das Randprofil (8 ) und das Verbindungsprofil (22 ) derart ineinander greifend ausgebildet sind, dass die Randleiste (13 ,14 ) formschlüssig mit der Trägerplatte (1 ) verbunden ist. - Beschichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste (
13 ,14 ) aus einem Material besteht, das mit dem Material der Trägerplatte (1 ) im Wesentlichen identisch ist. - Beschichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste (
13 ,14 ) aus zwei, vorzugsweise drei, lagenweise nebeneinander geordneter Einzelleisten (15a ,15b ,15c ,16a ,16b ,16c ) besteht, wobei jede der Einzelleisten (15a ,15b ,15c ,16a ,16b ,16c ) ein Einzelprofil (21a ,21b ,21c ) des Verbindungsprofils (22 ) aufweist. - Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (
1 ) im Wesentlichen rechteckig ausgebildet ist und an den sich gegenüberliegenden Längsseiten (6 ,7 ) der Trägerplatte (1 ) jeweils eine Randleiste (13 ,14 ) angeordnet ist. - Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Randprofil (
8 ) und/oder das Verbindungsprofil (22 ) als Schwalbenschwanzprofil ausgebildet sind. - Beschichtungsanlage nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungsprofil (
22 ) der Randleiste (13 ,14 ) in der Weise ausgebildet ist, dass die Randleiste (13 ,14 ) eine Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen (17 ) aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander schwalbenschwanzförmige Vorsprünge (18 ) bilden. - Beschichtungsanlage nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Randprofil (
8 ) der Trägerplatte (1 ) in der Weise ausgebildet ist, dass die Trägerplatte (1 ) eine Vielzahl von an einander gereihten Ausnehmungen (9 ) aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander zinkenförmige Vorsprünge (10 ) mit einem trapezförmigen Querschnitt bilden. - Beschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelleiste (
15a ,15b ,15c ,16a ,16b ,16c ) eine Dicke DE von etwa 3 mm bis 10 mm, vorzugsweise von 4 mm bis 6 mm, aufweist. - Beschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelleiste eine Dicke DE aufweist, die im Wesentlichen einer Dicke DT der Trägerplatte entspricht.
- Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste eine Dicke DR von etwa 10 mm bis 30 mm aufweist.
- Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberkante des Verbindungsprofils (
22 ) der Randleiste (13 ,14 ), insbesondere eine Oberkante (25a ,25b ,25c ) des Einzelprofils (21a ,21b ,21c ) der Einzelleiste (15a ,15b ,15c ,16a ,16b ,16c ), bündig zu einer Oberseite (3 ) der Trägerplatte (1 ) angeordnet ist, an der die Substrataufnahmen (4 ) ausgebildet sind. - Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste (
13 ,14 ) im Wesentlichen mittig zur Längsseite (6 ,7 ) der Trägerplatte (1 ) angeordnet ist, wobei die Randleiste (13 ,14 ) eine geringere Länge LR als die Länge LT der Längsseite (6 ,7 ) der Trägerplatte (1 ) aufweist. - Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (
1 ) und/oder die Randleiste (13 ,14 ) im Wesentlichen aus kohlefaserverstärktem Kohlenstoff (CFC) besteht.
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DE102010002839A1 (de) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Halbleiterscheiben in Beschichtungsanlagen |
EP3263740A1 (de) * | 2016-06-29 | 2018-01-03 | Schunk Kohlenstofftechnik GmbH | Werkstückträger und verfahren zur herstellung eines werkstückträgers |
WO2023016747A1 (de) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | Singulus Technologies Ag | ABSTANDSVORRICHTUNG FÜR HEIZSYSTEM ZUM AUFHEIZEN VON GROßFLÄCHIGEN SUBSTRATEN, HEIZSYSTEM UND AUFHEIZVERFAHREN |
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EP1855324A1 (de) | 2006-05-12 | 2007-11-14 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Substratträger aus glaskeramischen Material |
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2008
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