DE20020604U1 - Device for producing a semiconducting and / or electroluminescent organic layer structure - Google Patents

Device for producing a semiconducting and / or electroluminescent organic layer structure

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Claims (8)

1. Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden organi­ schen Schichtaufbaus zum Einsatz in einer elektronischen Schaltung, insbesondere einer Logik- und/oder Speicher­ schaltung oder eines Elektrolumineszenz zeigenden orga­ nischen Schichtaufbaus zum Einsatz in einem Anzeigeele­ ment vom OLED-Typ, wobei ein Substrat mit einer Lösung oder Dispersion mit geringem Anteil einer organischen Zusammensetzung mit einer Naßschichtdicke beschichtet und durch Trocknen eine auf dem Substrat haftende orga­ nische Dünnschicht mit halbleitenden Eigenschaften mit einer gegenüber der Naßschichtdicke wesentlich, insbe­ sondere um eine Größenordnung oder mehr, geringeren Trockenschichtdicke gebildet wird, gekennzeichnet durch eine über der Oberfläche des Substrates angeordnete und auf diese ausgerichtete Strahlungsquelle für elektromag­ netische Strahlung, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Wellenlän­ genbereich zwischen 0,8 µm und 1,5 µm, hat.1. An apparatus for producing a semiconducting organic layer structure for use in an electronic circuit, in particular a logic and / or memory circuit or an electroluminescent organic layer structure for use in an OLED-type element, wherein a substrate with a solution or dispersion with a small proportion of an organic composition coated with a wet layer thickness and by drying an organic thin layer adhering to the substrate with semiconducting properties with a material that is substantially smaller than the wet layer thickness, in particular by an order of magnitude or more, smaller dry layer thickness, characterized by a the surface of the substrate arranged and aligned with this radiation source for electromagnetic radiation, which has its essential active component in the near infrared range, in particular in the wavelength range between 0.8 microns and 1.5 microns. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle eine mit erhöhter Betriebstempera­ tur betriebene Halogenlampe aufweist.2. Device according to claim 1, characterized in that  the radiation source is one with an increased operating temperature Has operated halogen lamp. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle einen im wesentlichen den Quer­ schnitt eines Ellipsen- oder Parabelabschnittes aufwei­ senden Reflektor zur Erzeugung einer im wesentlichen rechteckigen Strahlungszone hat, und eine Bewegungsein­ richtung zur abtastenden Bewegung der Strahlungsquelle über das Substrat bzw. zum Hindurchfördern des Substra­ tes durch die Strahlungszone vorgesehen ist.3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that the radiation source is essentially a cross section of an ellipse or parabola section send reflector to generate a substantially rectangular radiation zone, and a movement direction for scanning movement of the radiation source over the substrate or to convey the substrate tes is provided by the radiation zone. 4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Gasstromerzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines, insbesondere im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Halbleiterwafers und damit zur Fotolackschicht gerichte­ ten, Schutz- und Trocknungsgasstromes, insbesondere mit einem Inertgas.4. Device according to one of claims 1 to 3, marked by a gas flow generating device for generating a especially substantially parallel to the surface of the Semiconductor wafers and thus dishes to the photoresist layer ten, protective and drying gas stream, especially with an inert gas. 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Bestrahlungssteuereinrichtung, die insbesondere ei­ ne Verschlußeinrichtung aufweist, zur Realisierung der kurzzeitigen Einwirkung der elektromagnetischen Strah­ lung auf die flüssige Schicht mit vorgegebenen, insbe­ sondere konstanten, Bestrahlungsparametern, speziell ei­ ner vorgegebenen spektralen Zusammensetzung und Leis­ tungsdichte der Strahlung.5. Device according to one of claims 1 to 4, marked by an irradiation control device, in particular egg ne has locking device for realizing the brief exposure to electromagnetic radiation on the liquid layer with specified, esp special constant, radiation parameters, especially egg ner given spectral composition and Leis density of radiation. 6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch mindestens eine Meßeinrichtung zur Erfassung mindestens einer physikalischen Größe der flüssigen Schicht, insbesondere deren Temperatur und/oder Feuchtegehalt und/oder Reflexionsvermögen und/oder Brechungsindex.6. Device according to one of claims 1 to 5, marked by at least one measuring device for recording at least a physical size of the liquid layer, in particular  their temperature and / or moisture content and / or Reflectivity and / or refractive index. 7. Vorrichtung nach Anspruch 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlungssteuereinrichtung mindestens einen Steu­ ereingang aufweist, über den sie mindestens mittelbar mit einer Meßeinrichtung verbunden ist und ein Meßsignal oder Auswertungsergebnis empfängt derart, daß aufgrund des Meßsignals oder Auswertungsergebnisses eine Einstel­ lung der Bestrahlungsparameter erfolgt.7. The device according to claim 5 and 6, characterized in that the radiation control device has at least one control has entrance through which they are at least indirectly is connected to a measuring device and a measuring signal or evaluation result receives such that due to of the measurement signal or evaluation result treatment parameters. 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, gekennzeichnet durch eine Regeleinrichtung zur Durchführung der Bestrahlung in einem geschlossenen Regelkreis.8. Device according to one of claims 5 to 7, marked by a control device for carrying out the radiation in a closed loop.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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