DE2000550A1 - X-ray image intensifier - Google Patents

Description

DB. W. ßOHAIX, DIPL.-ING. P. VJIRTH, DIPL.-ING.G. DANNEHBEIJO, DR.V. ßCBMIED-KOWAEZIK, DR.P. WEINHOLD, DE· D. QUDELDB. W. ßOHAIX, DIPL.-ING. P. VJIRTH, DIPL.-ING.G. DANNEHBEIJO, DR.V. ßCBMIED-KOWAEZIK, DR.P. WEINHOLD, DE · D. QUDEL

6 Frankfurt am Ilain6 Frankfurt am Ilain

Gr»Eschenheimer Str. 59Gr »Eschenheimer Str. 59

Ha/Wd/hnHa / Wd / hn

Hörieons Incorporated 2905 Eaat 79th street, Cleyeland. Ohio. USAHörieons Incorporated 2905 Eaat 79th street, Cleyeland. Ohio. United States

HontgenbildverstärkerHontgen image intensifier

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf did Verstärkung von Bildern» die durch bildweise Belichtung mit Röntgenstrahlen auf eines photoeapfindlichen FiIa hergestellt wurden.The present invention relates to reinforcement of images »obtained by image-wise exposure to X-rays on a photo-sensitive film.

Auf biomedisinisehen Gebiet ist eine Röntgonbildverstärkune vorteilhaft, da «an die Strahlendosis, welcher ein Gegenstand ausgesetst wird, allgeaein verringern will. Dabei sollte jedoch gleichseitig gewährleistet sein, daß ausreichende Informationen auf dea Röntgenstrahl Ie η-Phot ore jb ept or erscheinen, damit de» Arzt, Chirurg oder anderen Personen, die Informationen aufgrund der Belichtung mit Röntgenstrahlen erhalten möchten, eine hinreichende Analyse der Ergebnisse möglich ist· Ferner ist in Anbetracht der sunehmenden Anwendung von Prüfungeverfahren mit Röntgenstrahlen in der Industrie für eine Qualitätskontroll· auch eine Reduzierung der Belichtungszeit in der industriellen Rontgenologic erwünscht, um die IVirkoamkeit solcher (£ualitäteprüfυn£sverfahren zn erhöhen und die Kocton derselben r.u verringern ,In the biomedical field, X-ray image intensification is advantageous because it aims to generally reduce the radiation dose to which an object is exposed. At the same time, however, it should be ensured that sufficient information appears on the X-ray beam Ie η-Phot ore jb ept or so that the doctor, surgeon or other person who would like to receive information on the basis of the exposure to X-rays can adequately analyze the results Furthermore, in view of the increasing use of testing methods with X-rays in industry for quality control, a reduction of the exposure time is also desirable in industrial X-ray technology, in order to increase the efficiency of such quality testing methods and to reduce the carbon dioxide content of the same.

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BAD OR/Q/_NAL BAD OR / Q / _NAL

Die bisher bekannten RÖntgenetrahlenveretärker sind sehr sperrige, teure Einrichtungsteile auf der Grundlage von Vakuumröhren oder Geiger-Müllor-Zählern in Verbindung alt einer komplizierten Schaltung. Die vorliegende Erfindung stellt eine einfache, kompakte Einheit dar, die in die normalerweise für biomediainißche Belichtungen verwendeten üblichen radiologisohen Kassetten eingebaut und ohne eine große Änderung der gegenwärtigen Verfahren zur Aufnahme von Röntgenstrahlen verwendet werden kann. Dabei werden jedoch geringere Dosen an Röntgenstrahlen für die Belichtung benötigt, was eine folge der erfindungßgemäß erzielten Verstärkung ist.The previously known X-ray enhancers are very bulky, expensive equipment on the basis of vacuum tubes or Geiger-Müllor meters in connection with old a complicated circuit. The present invention represents a simple, compact unit in common with those normally used for biomedical exposures radiological cassettes can be incorporated and used without a major change in current X-ray acquisition procedures. However, there will be fewer Doses of X-rays are required for exposure, which is a consequence of the gain achieved in accordance with the invention.

Hauptaufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung einer dünn beschichteten kompakten Vorrichtung, mit der die photographische Wirkung der Röntgenstrahlung verstärkt werden kann UXkA bei der ein Arbeiten unter Vakuum nicht notwendig ist. Es ist also nicht erforderlich, daß die erfindungsgemäße kompakte B^ntgenstrahlen-Verstärkungsvorrichtung in eine Vakuumkammer gebracht wird, wenn die Belichtung erfolgt»The main object of the invention is therefore to provide a thinly coated compact device with which the photographic effect of the X-rays can be enhanced UXkA where working under vacuum is not necessary. It it is therefore not necessary for the compact X-ray amplification device according to the invention to be placed in a vacuum chamber is brought when the exposure takes place »

Sin· weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer kompakten, dünn beschichteten Vorrichtung, die tür Verstärkung der Bta&geaatrahlaii geeignet ist, wob«! «an die bei solcher tÖntgenbestrahlung entstehenden Photoelektronen sur Herstellung von sekundären Elektronen durch sekundäre Emission verwendet, diese sekundär emittiert»n Elektronen tin· kurst Strecke mit Hilfe eines geeigneten angelegten Potentials'beschleunigt und solche Elektronen auf «inen für Elektronenstrahl en empfindlichen Beseptor auftraffen läßt.Another object of the invention is to provide a compact, thin-coated device, the door reinforcement the Bta & geaatrahlaii is suitable, wob «! «To those with such X-ray irradiation is used to produce photoelectrons for the production of secondary electrons through secondary emission, these secondary electrons are emitted The path is accelerated with the help of a suitable applied potential and such electrons strike a sensor which is sensitive to the electron beam.

Di· Arbeitsweise, bsi welcher sekundär· Elektronen aaittlarvad· Anordnungen angewendet werden, wobti die Elektronsnetrahlunea-aapfiadlichk«it des Films von Bedeutung ist, soll hier al· "B«kundärel«ktronen*Etti8eionsverfahren durch Röntgenstrahl·«" beieiohnet, und die Yersta'rkungsanordnung, bsi welcher besohleu·The working method, bsi which secondary electrons aaittlarvad Arrangements are used, whereby the electron beam immunity of the film is important, should here as "B" kundärel "ktronen * Etti8eionverfahren by X-ray ·« " included, and the reinforcement arrangement, to which sole

00*830/12" _BAdorig.nal00 * 830/12 _{"BA dorig.nal}

niet· Zonen oder andere geladene (Feilchen als Uittel für die AufBelohnung des Bildes auf den ionenempfindlichen Fhotoreseptor verwendet werden, kann ala "Geiger-Hüller-Verfahren" bezeichnet werden. Wie aus.dor nachfolgenden Beschreibung ersichtlich, sind die zur Elektronenvervielfältigung verwendeten Anordnungen die gleichen wie diejenigen für dae Geiger-Müller-Verfahren, nur ist ihre Anvrendungs* weiee verschieden.rivet zones or other charged (feilchen as uittel for the reward of the image on the ion-sensitive Photoreseptor used can be referred to as the "Geiger-Huller method". As can be seen from the following description, the arrangements used for electron multiplication are the same as those for the Geiger-Müller method, only their application is different. white different.

Vm dl· erwähnten erfindungegemäßen Aufgaben tu erfüllen, ■ttB die beachichtete kompakte Röntgenstrahlen-Verstiirkungeanordnung, welche dl· Grundlage der vorlitgendtn Erfindung darstelltι Mehrere Funktionen aueüben. Zn erster Linie sollt· dl· Teratlrkereinheit eine ausreichende Menge an !lementen alt hoher Ordnungszahl enthalten, damit ein bedeutender Anteil an einfallenden Röntgenstrahlen absorbiert wird. Durch dl· erfindungegemäß· Einheit ist die Absorption von Röntgenstrahlen im Bereich der medislniech und industriell verwendeten Röntgenstrahlung mit niedriger Energie von der Entstehung von Photoelektronen hoher Energie mit hoher Wirksamkeit begleitet. Geeignete Spannungsbereiche für derartige AusgajagsrSntgenstrahlen liegen im allgemeinen swischen etwa 10 und 300 kV. Eine zweite Punktion der Verstärkung«einheit besteht in der Bildung von Sekundärelektronen durch sekundäre Eaieeion aus den Photoelektronen hoher Energie durch auf der Oberfläche oder innerhalb dos Feststoffes auftretende Vorgänge. Ein· dritte Funktion der Verstärkungaeinheit liegt in der Bildung von geladenen Teilchen mit niedriger Energie (Im allgemeinen Zonen oder geladen· Atome oder Molekül·) durch Einwirkung von Photoelektronen mit hoher Energie auf «inen Feststoff oder ein Gas· Die oben beschrieben· »weite und dritte Funktion können nicht gleichseitig ausgeübt werden und ·· 1st praktisch der bast· Weg, wenn verschieden· Arten von Systemen vorliegen, damit djL· swell;· bzw. dritte Funktion ausgeübt werden kann. Während die zweite Funktion mit Hilfe einer Anordnung sur Vermehrung der Anzahl der Elektronen aus den Auaganga-Primärphotoelektronen, die durch Jedes absorbiert« Vm dl · mentioned erfindungegemäßen tasks meet tu, ■ tB the beachichtete compact X-ray Verstiirkungeanordnung which dl · basis of vorlitgendtn invention darstelltι Several functions aueüben. First and foremost, the teratric element should contain a sufficient amount of elements of high atomic number so that a significant proportion of incident X-rays is absorbed. As a result of the unit according to the invention, the absorption of X-rays in the range of medical and industrial X-rays with low energy is accompanied by the formation of photoelectrons of high energy with high effectiveness. Suitable voltage ranges for such output X-rays are generally between about 10 and 300 kV. A second puncture of the reinforcement unit consists in the formation of secondary electrons by secondary Eaieeion from the photoelectrons of high energy by processes occurring on the surface or within the solid. A third function of the amplification unit is the formation of charged particles with low energy (generally zones or charged atoms or molecules) by the action of photoelectrons with high energy on a solid or a gas as described above third functions cannot be exercised at the same time and ·· is practically the bast · way, when · different · types of systems exist, so that the djL · swell; · or third function can be exercised. While the second function with the help of an arrangement to increase the number of electrons from the Auaganga primary photoelectrons, which is absorbed by each «

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Röntgenetrahlenphoton erzeugt werden, durchgeführt wird, wird die dritte Funktion mit Hilfe einer Anordnung zur Vergrößerung der Anzahl der geladenen Teilchen erfüllt, die aus jedam absorbierten Röntgonatrahle^photon entstanden sindο Eine vierte und wichtige Punktion der erf indungisgoiaaflen RöntgenGtrahlen-Veratärkunßsanordnung becteht in der Beschleunigung der Elektronen und/Oder der tjolndonon Teilchen durch ein elektrisches PeId, se daß sie mit erhöhter Energie auf dem Fhotorozeptor auftreffen, wobei sie je nach Art dso Photorei;optorfilmea entweder ein latentca BxId, das durch Entwickeln verstärkt werden kann, oder ein oichtbaren Au«Vopierbi3d bilden. Pie Eildwied9i*6abe kawjn in der Endforw ana Parbotoffmolekülen, einen Polymerisat oder MetaHatomen, a. B« Silber, bectehen«X-ray photon are generated, the third function is fulfilled with the help of an arrangement for increasing the number of charged particles that have arisen from every absorbed X-ray radiation photon o A fourth and important puncture of the inventive X-ray processing arrangement is the acceleration of the electrons and / or the tjolndonon particles by means of an electric pulse, so that they hit the photoroceptor with increased energy, whereby depending on the type of photorei; optorfilmea they either form a latent image, which can be amplified by development, or form an visible image . Pie Eildwied9i * 6abe kawjn in the Endforw ana Parbotoffmolekulen, a polymer or MetaHatomen, a. B "silver, bectehen"

ZKtsfmmvnttir.ptind ar-U t* <ΐ\ι Vvnliir\orrav>\\cit deshalb eine V-itriicbtlif.¹'.·« Abnc-rj i * c-i <'-r oinf a3 ic/'ä-Tii liÖL'i.nengtrohicMi bewirken und in 'i*>· ν ·:·?;·; »/w^onUoii Kr f ■» ^T)''v..:ig viva rites durch Aj!'Ti'dü!<Tj:' i^vj'·■■: ;,;;,' ₍ '''.hc dlg ulίίiovt·.!«Γ'-cn Kön'.g-*iv- ZKtsfmmvnttir.ptind ar-U t * <ΐ \ ι Vvnliir \ orrav> \\ cit therefore a V-itriicbtlif. ¹ '. · «Abnc-rj i * ci <' - r oinf a3 ic / 'ä-Tii liÖL'i.nengtrohicMi effect and in ' i *> · ν ·: ·?; ·; »/ W ^ onUoii Kr f ■» ^T ) '' v ..: ig viva rites through Aj! 'Ti'dü! <Tj:' i ^v j '· ■■:;, ;;,' ₍ ''' .hc dlg ulίίiovt ·.! «Γ'-cn Kön'.g- * iv-

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oder ;·;-!') μ:'·¹"};·.· ^i;~^;"S.·! - · r ^ι;·- '.-· ;;"'■' ;ur Gruppe Am ff Ir drivin Teiio^''¹^ υ<:ίί i^f·! '■·!'■ -■ j ₍ - ί t" y-'t')! t ·- · -Vor." ΐ:^: ■·■;■»■: ui"<^T,;-.r.'.:. ο ι d η u;:^; dal*. V/f.nn (H (» Π τ ■. \. ; - . s T 1 : > r. j · ■'?-.· : '!. ·, !,(■ ο \ _c; V \. _Vq _nOn uit ΠΓίΙΐΟΓ Knf.Tf.U nua den JTrii'i·!!.¹ *·! h:'^;.'-·η .!--ι Kj^l.tioncn mit niedriger Kn^,-^;ie erfolgt υηΊ k".!:,"¹ WtIt-(T?: Uriwi.ndliMi^ eintritt, ßo handelt en sich un dfi'3 üekundfirolelttr ( uen-Krrij.rmIonp~Voret,arkungnver·- fahren u'öd eile V<»riu)iren, dio ebonfulls Geconsiand der vovliegenrien Erfindur.g jii.nd, eind sehr unterschiedlich, je nachdem, welche Arboitßwcifuj aiigf.wor.Jet wird, Ob nun Elektronen oder geladene Teilchen tffMldei; werden, alle v/erden mit Hilfe öinc;e geeigneten anßelcjti.on el :.l Li lochen Glnichstromfeldeo beschleunigt und treffen ·λ t ei: e '⁷Hn auf, der grc/.onuber Elektronen und/oder g^]n(?eniui TcMkhmi enpflndlich ist, wobei ein latenten und/oder pJcii^b-vroM )^χ?λ6 ;.f.bildet wird, welchen in den neii-ton Fällen ή nt", ti ι \r> -.υ]·.> ■!·■■ 1 π^λ..λ'cViun^rjvcj f'ihren woitor verutärkb werrten hmh or; ·; -! ') μ:' · ¹ "}; ·. · ^i; ~ ^; " S. ·! - · r ^ι; · - '.- · ;; "' ■ '; ur group Am ff Ir drivin Teiio ^'' ¹ ^ υ <: ίί i ^ f ·!' ■ ·! '■ - ■ j ₍ - ί t" y- 't')! t · - · -Before ^"ΐ: ■ · ■; ■ '■: ui"^<T, - r'..... ο ι d η u;: ^; dal *. V / f.nn (H (»Π τ ■. \.; -. S T 1:> r. J · ■ '? -. ·:'!. ·,!, (■ ο \ _c; V \. _V q _nO n uit ΠΓίΙΐΟΓ Knf.Tf.U nua den JTrii'i · !!. ¹ * ·! H: '^;.'- · η.! - ι Kj ^ l.tioncn with lower Kn ^, - ^ ; ie takes place υηΊ k ".!:," ¹ WtIt- (T ?: Uriwi.ndliMi ^ entry, ßo act en and dfi'3 üekundfirolelttr (uen-Krrij.rmIonp ~ Voret, arkungnver · - drive u'öd hurry V <»riu) iren, dio ebonfulls Geconsiand the vovhabenrien inventor.g jii.nd, and very differently, depending on which work is aiigf.wor.Jet, whether electrons or charged particles are tffMldei; are, all ground with Help öinc; e suitable anßelcjti.on el: .l Li punch Glnichstromfeldo accelerated and hit · λ t ei: e ' ⁷ Hn , which is greater than electrons and / or g ^] n (? Eniui TcMkhmi, where a latent and / or pJcii ^ b-vroM ) ^χ ? λ6 ; .f. is formed, which in the neii-ton cases ή nt ", ti ι \ r> -.υ] ·.> ■! · ■■ 1 π ^λ ..λ'cViun ^ rjvcj lead your woitor verutärkb werrten hmh

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BAD ORlQINALBAD ORlQINAL Di· vorliegende Erfindung wird durch die folgende BeschreibungThe present invention will be clarified by the following description

in Verbindung Bit den beigefügten Zeiclinungen näher erläutert.in connection bit explained in more detail in the attached drawings.

Darin bedeuten:Therein mean: Fig. 1 eine schematic ehe Darstellung eineβ Querschnitts durchFig. 1 is a schematic before representation aβ cross-section through

eine Anordnung zur Durchführung der Erfindung undan arrangement for carrying out the invention and die Figuren 2 bis 5 entsprechende Darstellungen von AbänderungenFigures 2 to 5 corresponding representations of modifications der Vorrichtung gemäß Fig. 1.the device according to FIG. 1.

Wie auo Fig. 1 ersichtlich, besteht die Vorrichtung aus iwoi Elektroden 10, 12, die ein elektrisches Feld ausbilden, wenn sie an eine Batterie 20 oder eine andere Energiequelle angeschlossen werden, wobei sich das elektrische Feld über die Verstärkeranordnung und den Bildreseptor erstreckt. Der Schichtträger für eine ladungsempfindliche Schicht 16 besteht aus eine» isolierenden File« Di8 Vorntärkerschicht 18 dient dazu, die Photoelektronen mit hoher Energie in eine größere Anzahl von Elektronen und/oder eine größere Anzahl von geladenen Teilchen umzuwandeln. In Fig. 1 kann die Elektrode 10 als Rcmtgenstrahlenabsorber dienen und aus einer dünnen Folie aus elementarem Blei bestehen. Wenn als Elektrode 10 kein elementares Blei verwendet wird, wird als Elektrode 10 sweeknaßig eine dünne Folie aus Aluminium verwendet.As can be seen from auo Fig. 1, the device consists of iwoi Electrodes 10, 12, which form an electric field when connected to a battery 20 or other energy source, the electric field being spread across the Amplifier arrangement and the image receptor extends. The support for a charge-sensitive layer 16 is made from an »insulating file« Di8 pre-hardener layer 18 is used to convert the photoelectrons with high energy into a larger number of electrons and / or a larger number of charged particles. In FIG. 1, the electrode 10 serve as an X-ray absorber and made of a thin film consist of elemental lead. If elemental lead is not used as the electrode 10, a thin foil made of aluminum is used as the electrode 10 across the board.

Die Elektrode 12 kann direkt auf die Isolatorschioht 14- auflaminisrt werden und sie kann aus einer dünnen Aluminiumfolie bestehen, oder die Elektrode 12 kann auf die Isolatorgrundschicht aufgetragen oder im Vakuum aufgedampft werden, wobei die Isolatorgrundschicht im allgemeinen aus einem dimensionsstabilen transparenten Kun3tstoffilm, s, B₀ einem Polyester-, Polycerbemafc-, Polystyrol«, Celluloseacetat- oder ähnlichen Film besteht. Außerdem kann die Elektrode 12 durch dio Metalloberfläche io. einer Kassette gebildet werden, welche den liest der Schichteubetanz der Fig„ 1 unter geeigneten Druck- und Abetandbedingungen hält.The electrode 12 can be laminated directly to the insulator layer 14 and it can consist of a thin aluminum foil, or the electrode 12 can be applied to the insulator base layer or vapor-deposited in a vacuum, the insulator base layer generally consisting of a dimensionally stable, transparent plastic film, see B ₀ a polyester, polycerbemafc, polystyrene, cellulose acetate or similar film. In addition, the electrode 12 can by the metal surface io. A cassette can be formed which holds the reads of the layer substance of FIG. 1 under suitable pressure and removal conditions.

Wi* oben uogegeben, k«tnn die Grundachicht 1ft nunAs given above , the basic report can now be used

I t;r/m«pnrf-nten Jum'itßfcüffiauL'jri-iil ^flfeohNn* Hie I t; r / m «pnrf-nten Jum'itßfcüffiauL'jri-iil ^ flfeohNn * Hie

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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

pieke der Grundschicht let nicht kritisch; sie liegt sweckmäfilg innerhalb des Bereiches von 0,076 bis 0,178 mm (3 bis 7 alle). Die bevorzugt verwendete empfindliche Schicht 16 wird nachfolgend näher beschrieben. Wenn die Polyestercchichton eine Dicke von 5 Mikron aufweisen, werden 20 kV-Elekkronen vollständig in einer solchen Schicht absorbiert wie die Ionen, die durch mehrere kV beschleunigt worden.picks of the base layer let not be critical; it is sweckmäfilg within the range of 0.076 to 0.178 mm (3 to 7 Everyone). The preferred sensitive layer 16 used is described in more detail below. When the polyester layer 5 microns thick become 20 kV electrons completely absorbed in such a layer as the ions that have been accelerated by several kV.

Die Elektrode 10 kann unter bestimmten Umständen als RÖntgenstrahlenabsorptionsschicht wirken und enthält dann einen großen Anteil der Elemente mit einer höheren Ordnungszahl ale Silber. Blei, Wismut, Uran und Thorium und deren Verbindungen sind bevorzugte Elemente für die Röntgenstrahlenabeorptionesohicht. Ein aus einem dieser Elemente mit hoher Ordnungszahl in metallischer Form gebildeter Absorber absorbiert 70 % oder mehr der einfallenden Röntgenstrahlen, die Energien von 50 bis 75 kV haben, wenn die Schicht etwa 0,102 mm (5ails) dick ist. Sine 0,051 mm (2 mils) dicke Schicht absorbiert etwa 10 bis 20 % der einfallenden Röntgenstrahlen. Leider beträgt der Bereich der in Metallen aus Elementen mit hoher Ordnungszahl gebildeten Aotoelektronen mit hoher Energie nur etwa 0,0025 bis O₁OI mn (2,$ bis 10 Mikron).Under certain circumstances, the electrode 10 can act as an X-ray absorption layer and then contains a large proportion of the elements with a higher atomic number than silver. Lead, bismuth, uranium and thorium and their compounds are preferred elements for X-ray absorption. An absorber formed from one of these high atomic number elements in metallic form absorbs 70 % or more of the incident X-rays having energies of 50 to 75 kV when the layer is about 0.102 mm (5ails) thick. Its 0.051 mm (2 mils) thick layer absorbs approximately 10 to 20 % of the incident X-rays. Unfortunately, the range is the Aotoelektronen formed in metals of elements with high atomic number, high energy only about 0.0025 to ₁ O OI mn (2, $ to 10 microns).

VorsDgsveis· wird deshalb la einigen fällen anstelle einer einseinen metallischen RSntgenatrahleaabsorptionaschicht ela Absorber verwendet« der aus einer Verbindung eines Elements mit hoher Ordnungszahl oder feilchen des Metalls einer solchen Verbindung la der leise gebildet ist, daß sowohl die einfallenden harten Röntgenstrahlen absorbiert als auch eine kurz· Strecke für die Photoelektronen geschaffen wird, um aus den Absorptlonsmadien herauszutreten.Precautionary advice is therefore used in some cases instead of one a metallic X-ray absorption layer ela Absorber used «made from a compound of an element with a high atomic number or particle of the metal of such Connection la that is formed quietly that both the incident hard X-rays absorbs and a short Path is created for the photoelectrons to emerge from the absorptlonsmadien.

Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform der Verstärkeranordnung der Erfindung kann der Absorber als Elektrode 10 fungieren und aun einer wie oben angegeben 0,0127 bis 0,05 nm (0,5 bis 2 mils) dicken Bleifolie bestehen, oder der Absorber kinn aus Tollchen von Vorbindiuigea von IUeI₁ Witmut, Uran oderIn the embodiment of the amplifier arrangement of the invention shown in FIG. 1, the absorber can function as electrode 10 and consist of a lead foil 0.0127 to 0.05 nm (0.5 to 2 mils) thick as indicated above, or the absorber can be made of Tollchen von Vorbindiuigea from IUeI ₁ Witmut, Uran oder

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BAD ORIGINAI.BAD ORIGINAI.

Thorium oder Metallen oder Oxyden dieser Metalle bestehen mid in einem Volusenanteil von wenigstens 20 % und niclit mehr alo 50 % in einem teilweise leitenden Kuautatoffilmbildner* ¹^e ζ« Bo Polyvinylalkohol, Gelatine» Methylesllulose und dgl», der eine ausreichende Menge Glykol oder andere hochsiedende Alkohole enthält, in Anwesenheit oder Abv?ebenheit geringer Mengen an Borsäure z\w'Erhöhung dor Leitfähigkeit.soleter Saiierstoff enthaltenden ICunatsto-iTbindeiaittel in θ-lner für clsn Pachüiann bekannten Weise däspsrgiert sein, ao daß unter den hohen Sp&nmmgsfeld diese auf der oberfläche dispergieren Teilchen mit hoher Ordnungssslil genügend leitfähig sind_t um die Oberfläche al3 eine -Elektrode wirken zu lassen«, In. oben beschriebenen Form stellt die Elektrode 10 di© Ye kunguanordnung dar und die Verstärkerschicht 18 ist in be™ fltxnmben Fällen nicht erforderlich, obwohl die Anwesenheit der Yerr.turlierscb.icht 18 iffimex? Tortsilfefift ist«Thorium or metals or oxides of these metals consist in a volume fraction of at least 20 % and not more than 50 % in a partially conductive adhesive film-forming agent * ¹ ^ e ζ "Bo polyvinyl alcohol, gelatin, methyl llulose and the like", which contains a sufficient amount of glycol or others high-boiling alcohols, evenness lower in the presence or Abv? amounts of boric z \ w be däspsrgiert 'increase dor Leitfähigkeit.soleter Saiierstoff containing ICunatsto-iTbindeiaittel in θ-lner for CLSN Pachüiann known manner, ao that nmmgsfeld under the high Sp these on the surface disperse particles with high Ordnungssslil are sufficiently conductive to allow _t to the surface of a work electrode al3, "In. The shape described above represents the electrode 10 di © Ye kungu arrangement and the reinforcing layer 18 is not required in certain cases, although the presence of the Yerr.turlierscb.icht 18 iffimex? Tortsilfefift is "

Boi einem laötir qüwp veniger reinen
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liegi*n-ii€in. Erfindung c'urst-ßMli, VBin
einer tin Gar* önfthaltondon Äoae ,Boi ein laötir qüwp veniger pure
where lived ti «die« im wRiiigetsri b ^ / or ^ ate
liegi * n-ii € in. Invention c'urst-ßMli, VBin
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en ÖOÄT B^iitKcnotimblenabaDj^bereeliacbt 10 ηηά & ^en ÖOÄT B ^ iitKcnotimblenabaDj ^ bereeliacbt 10 ηηά & ^

iärmlichen Schicht 16 kann etwa O_SO^1 Me 0,2^ wü (a Ue ) betragen· Dieser Abnttmd ?^;ird du?ch di®The poor layer 16 can be about O _S O ^ 1 Me 0.2 ^ wü (a Ue). This abnttmd? ^; will you? ch di®

2222nd

den Kanten dor Vorrichtungthe edges of the device

die Elekbxodo 10 und die ?.a«äunsB©iapfindlichß "Schicht 16 dvrch einen pritsprechenden Abstand vonoinancler gotr«D.at Eo ist nicht erforderlich, daß dio Trent schicht 22: eine motische AMichtung darstellte In der in i'ig«. 1 dargeet Vorrichtung wird diesa £one mit einem Ga& oder ßaßen gefüllt und bei d«r Betriebsspannung der Vorrichtung tritt eine Gasentladung auf, welche durch «ii.n durch tlöntgönetrahlen PhotoelektroH angsrßgt wird. Bei der praktischen Verwendung muß diese Vorrichtung in einer Kassette eingeschlossen die mit ein-sn geeißneten Gas unter einem entsprechenden gefüllt «esη kann un£ durch geeign?to Dichtungen leicht hei--the Elekbxodo 10 and the? .a "unsB © iapfindlichß" layer 16 dvrch a prit-speaking distance from inancler gotr «D.at Eo is not required that the trent layer 22: one motical A direction represented In the in i'ig «. 1 dargeet The device is then filled with a gas or oil and at the operating voltage of the device a gas discharge occurs, which by means of tinting rays PhotoelectroH is excited. In practical use this device must be enclosed in a cassette with the gas under a corresponding one filled, it can easily be heated by suitable seals.

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·-· ο τ·· - · ο τ ·

Gasdruck und Spannungen werden so gewählt_t daß dio Gasentladung in dem Oeiger-HGller-Bereicb auftritt, wodurch ein hober Grad der Vervielfältigung geladener Seilchon erzielt wird. Das Gas kann nua Argon odor Stickstoff oder Mischungen aus beiden zu-•«amen mit geringen Mengen Alkohol, Methan oder Halogen, die ale Abschreckungegaft dienen, bestehen. Dieses Abschreckungsgae verhindert die Möglichkeit einer kontinuierlichen Entladung in der Vervielfältigungssone. Gegebenenfalls kann das Absehreokungsgae eliminiert werden, da der Verstärker selbst •in· abschreckende Wirkung hat aufgrund der Ladungsanreieherung Über der Xsolatorschicht 14. Unter den selbetabschreokenden Bedingungen darf jedoch die Spannung nur für kurse Zeitraum· während der Erregung mit Röntgenstrahlen angelegt werden, da auch die Streuetrahlung eine Entladung hervorruft. Der Gasdruck verliert swiachen einigen Millimetern Quecksilber bis eu atmosphärischem Druck, wobei die höheren Drucke für geringe Elektrodenabstandβ geeignet sind.Gas pressure and voltages are selected so that _t dio gas discharge in the Oeiger-HGller-Bereicb occurs, whereby a degree of duplication hober charged Seilchon is achieved. The gas can consist of argon or nitrogen or a mixture of both with small amounts of alcohol, methane or halogen, which serve as a deterrent. This deterrent prevents the possibility of continuous discharge in the replication zone. If necessary, the rejection gas can be eliminated, since the amplifier itself has a deterrent effect due to the accumulation of charges over the Xsolatorschicht 14. Under the self-disgusting conditions, however, the voltage may only be applied for a short period of time during the excitation with X-rays, since also the scattered radiation causes a discharge. The gas pressure drops from a few millimeters of mercury to eu atmospheric pressure, the higher pressures being suitable for small electrode gaps.

QealB einer bevorzugten Aueführunü3fori& des Geiger-Müller-ArbeitaTerfahrene besteht die Verstarkerachicht 18 aus Materialien, die Röntgenatrahlenabeorber mit einer hohen Ordnungstahl ••in können oder nicht; ·· ist nicht erforderlich, daß en sich •petlell um ÄCntgenatrahlenabeorber handelt, wenn die Elektrode 10 la Form eine· solchen Röntge&atxahlenäbeorbera rorliegt, wie bereits weiter oben beschriebet wurde. Nach einer beror-BOgten Aueführungeform de· Goiger-Äüller-Verfahrene kann die lon· 18 die Form eines poröeun Piins, offenmaschlg, die Form eines Settee oder einer Schicht mil· einer großen Ansah! von Kanälen haben, in der diese I anale durch die Schicht 18 von der Elektrode 10 eu der ladungeempfindlichen Schicht 16 führen·According to a preferred embodiment of the Geiger-Müller-ArbeitsaTerigen, the amplifier layer 18 consists of materials that X-ray absorbers with a high order steel •• in can or not; ·· is not required that en themselves • Petlell is an anti-radiation absorber if the electrode 10 la form such an X-ray & atxahlenabeorbera rorbera, as already described above. According to a Beror-BOgten execution form de · Goiger-Äüller procedure, the lon · 18 the shape of a porous pin, open mesh, the shape a settee or a layer with a great look! from Have channels in which I anal through layer 18 of the electrode 10 eu of the charge-sensitive layer 16 lead

Oeelcnete poröse Strukturen hönnen auf sehr verschiedene Art «ad Weise fOr die Schicht 16 hergestellt werden. Zum Beispiel wird ultraf eines Bleioxydpulver mit Mikroglaskugeln in einer lemung «ine· thermoplastisch 9n Rar see rermiecht und auf die Unterseite der Elektrode 10 in aolchen Naßschichtdicken aufgetragen, da» nach dem Trocknen eine Trockenschichtdioke von 0,025 Mf 0,051 mm (1 bis 2: die) erhalten wird. Dies wirdOeelcnete porous structures can be made in very different ways «Ad way for layer 16 can be produced. For example becomes ultraf of a lead oxide powder with glass microspheres in one lemung «ine · thermoplastic 9n Rar see rermiecht and on the The underside of the electrode 10 is applied in a similar wet layer thickness, so that after drying a dry layer dioke of 0.025 Mf 0.051 mm (1 to 2: die) is obtained. this will

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erreicht, indem man 50 Voluraenteile des Bleioayds mit 50 Voluinenteilen der dünnwandigen Mikscoglasloigeln rermiKcht» Diese trockenen Pulver werden in einer Lösung von 10 Volumenteilen Polystyrol in 100 Volumentoilen Benzol gründlich gemischt und nach dem Mischen wird die Mischung auf die Unterseite der Elektrode 10 mit einer Rakel aufgetragen und das Lösungsmittel bei Zimmertemperatur abgedampft· Wenn die Unterseite der Elektrode 10 aus Aluminium besteht, so ist die Haftung der getrockneten thermoplaatischen Schicht trotz ihres niedrigen Harzgehalts gut, sogar ohne daß eine besondere Behandlung der Aluminiumoberfläche erforderlich ist.achieved by mixing 50 parts by volume of the lead oxide with 50 parts by volume of the thin-walled Mikscoglasloigeln »These dry powders are thoroughly mixed in a solution of 10 parts by volume of polystyrene in 100 parts by volume of benzene and, after mixing, the mixture is applied to the underside of the electrode 10 with a squeegee and the solvent is evaporated at room temperature. If the bottom of the electrode 10 is made of aluminum, the dried thermoplastic layer adheres well despite its low resin content, even without the need for special treatment of the aluminum surface.

Gegebenenfalls und vorzugsweise kann die Anordnung 18 auch die Form eines Bleioxydnetzes haben, daß entweder ein gesintertes Bleioxyd, das dann zur Herstellung einer Anzähl von offenen Poren durch die Anordnung verarbeitet werden kann, oder vorzugsweise eine Dispersion von 3° bis 5° Voluraenteilen'Polystyrol oder Polypropylen aein kann« Um die Emission der ,Sekundärelektronen zu erhöhen, kann das Bleioxyd vorteilhaft 5 bis 20 % einer Verbindung eines Alkali- und Erdalkalimetalles, insbesondere deren Halogenide, enthalten. Die gewünschte poröse Struktur wird dann unter Anwendung der üblichen Photoresist verfahr en mit anschließendem Ätzen und kontrolliertem Auewaschen entwickelt. Für Schichtdicken in der Größenordnung von 0,025 bis 0,051 mm (1 bis2 ails) oder weniger ist es mit Hilfe einer Kombination von Photoresist- und Ätzverfahren leicht möglich, Porengrößen in der Größenordnung von 0,5 bis 2 Mikron mit einem Abstand von Mitte zu Mitte zwischen den Poren von nicht mehr als 50 % des Durchmessers der Einzelpore zu erzielen, wobei eine Fläche mit einem Verhältnis von offenen zu geschlossenen Poren von etwa 50 % oder mehr-erhalten wird.Optionally and preferably, the arrangement 18 can also be in the form of a lead oxide network, either a sintered lead oxide, which can then be processed through the arrangement to produce a number of open pores, or preferably a dispersion of 3 ° to 5 ° parts by volume of polystyrene or Polypropylene can be used to increase the emission of secondary electrons, the lead oxide can advantageously contain 5 to 20 % of a compound of an alkali and alkaline earth metal, in particular their halides. The desired porous structure is then developed using the usual photoresist methods with subsequent etching and controlled washing. For layer thicknesses on the order of 0.025 to 0.051 mm (1 to 2 ails) or less, using a combination of photoresist and etching processes, it is easily possible to obtain pore sizes on the order of 0.5 to 2 microns with a center-to-center spacing between to achieve the pores of not more than 50 % of the diameter of the single pore, wherein an area with a ratio of open to closed pores of about 50 % or more is obtained.

Wenn Oxyde von Metallen mit hoher Ordnungszahl, z« B₀ Oxyde von Blei, Wismut, Uran oder Thorium als Verstärkersohieht 18 verwendet werden, so wirken diese nicht nur als Verstärker (Vervielfältigung)-Schicht, insbesondere wenn Alkali- und Erd- alkaliealse eingearbeitet werden, sondern auch als Röntgen-•trahlecabtorber und es ist nicht inner notwendig, zusätzlich If oxides of metals with high atomic number, e.g., "B ₀ are the oxides of lead, bismuth, uranium or thorium is used as Verstärkersohieht 18, they act not only as an amplifier (reproduction) layer, especially when the alkali and earth are incorporated alkaliealse , but also as an X-ray • trahlecabsorber and it is not necessary internally, in addition

ultrafein »erteiltem Bleioxyd in 70 bis 50 Volumonteilenultrafine lead oxide in 70 to 50 parts by volume

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einen Hont gens trahlenabsorber, wie z. B, die Elektrode 10, zu verwendenc In diesem Falle kann die Elektrode 10 eine Aluminiumfolie oder ein ähnliches Material mit niedriger Ordnungszahl eein· Für sehr harte Röntgenstrahlen wird als Elektrode 10 ein· 0,051 bis 0,102 mm (2 bis 4 mils) dicke Bleifolie verwendet .a Hont gens radiation absorber, such as. B, the electrode 10, to In this case, the electrode 10 may be an aluminum foil or similar low atomic number material eein · For very hard X-rays, the electrode 10 0.051 to 0.102 mm (2 to 4 mils) thick lead foil is used.

Obwohl die Oxyde von Metallen mit hoher Ordnungszahl, wie aus der vorhergehenden Beschreibung hervorgeht, bevorzugt verwendet werden, können fein «erteile Teilchen der Metalle selbst In gleicher Weise verwendet werden, obwohl sie für die Herstellung der Anordnung etwas weniger gut geeignet sind als die Oxyde. Die dünne Metallbleifolie kann in geeigneter Weise für das Medium sur Ausbildung einer Anfanga-Porenstruktur durch eine Kombination von Photoresist" und Ätaverfahren verwendet werden. Das auf diese Weise hergestellte Netz wirdAlthough the oxides of metals with a high atomic number, as can be seen from the preceding description, are preferably used, finely divided particles of the metals themselves can be used Can be used in the same way, although they are somewhat less suitable for making the arrangement than the oxides. The thin metal lead foil can be used in a suitable manner for the medium to form an initial pore structure by a combination of photoresist and etching processes. The mesh fabricated in this way will dann elektrochemisch oxydiert, wonach es zur Verwendung als Verstärkerachicht 18 geeignet ist.then oxidized electrochemically, after which it is suitable for use as amplifier layer 18.

Gegebenenfalls kann die Verstärkerschicht 18 ein.hohes Bleiglas oder ein ähnlich aufgebautes Material in Form von Kanälen •ein, die swischen der Schicht 10 und der Schicht 16 senkrecht verlaufen, wobei diese Kanäle in bekannter Weise hergestellt werden· Solehe hohen Bleigläser dienen dem doppelten Zweck al· Röntgenstrahlenabsorber und als Sekundärelektrononstrahler. Ea können solche Bleiglaekanalanordnungen mit geraden Seitenwänden Bit eines Durchmesser von 1 bis 2 Mikron mit einem Verhältnis von offenen zu geschlossenen Poren innerhalb des Bereiche von 50 % erhalten werden. Bei der Verwendung für das Öeiger-Müller-Verfahren sollte die Höhe der Kanäle etwa 0,051 bis 0,25* ■■ (2 bis 10 ails) betragen. Bei der Verwendung in des Sekundärelektronen-Etoissionaverfahren sollte die Höhe der Kaaftle etwa das 60- bis 100-faohe de· Durohmesser· de· einseinen Kanals betragen· Auen hier ist es bei Verwendung eine· solchen Bleiglases al· Verattrkereohieht 16 nicht notwendig» einen BSntgenstrahlenabsorber der Elektrode 10 aunusetsen, aufler «atm sehr harte Röntgenstrahlen verwendet werden.If necessary, the reinforcing layer 18 can be a high lead glass or a similarly structured material in the form of channels that run vertically between the layer 10 and the layer 16, these channels being produced in a known manner · X-ray absorbers and as secondary electron emitters. Ea such lead glass duct assemblies with straight sidewalls bits 1 to 2 microns in diameter with a ratio of open to closed pores within the range of 50 % can be obtained. When used for the Öeiger-Müller method, the height of the canals should be approximately 0.051 to 0.25 * ■■ (2 to 10 ails). When used in the secondary electron etoission method, the height of the caaftle should be about 60 to 100 times the diameter of a channel. Here, when using such a lead glass as a veritable kerosene tube, it is not necessary to have an X-ray absorber The electrode 10 should be used only when very hard X-rays are used.

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Bei Anwendung dee Geiger-Hüller-Verfahreris hat die poröse oder mit Kanälen versehene Anordnung der Schicht 18 den Vorteil, daß die Beibehaltung der richtigen Zusammensetzung des Gases bei einem geeigneten Druck erleichtert wird, ohne daß besondere Vorrichtungen während der Belichtung verwendet werden und es ist gewährleistet, daß die Streustrahlung wegen des Isolierschutzes der Hetzstruktur keine Entladung hervorrufen kann. Es ist weiterhin gewährleistet, daß durch Vorherbestimmen der Dicke dieser Maschenkanalanordnung die richtige Stellung und der richtige Abstand zwischen der Elektrode 10 und der ladungsempfindlichen Schicht 16 beibehalten werden»When using the Geiger-Hüller method, the porous or Channeled arrangement of the layer 18 has the advantage of maintaining the correct composition of the gas at a suitable pressure is facilitated without the use of special devices during the exposure and it it is guaranteed that the scattered radiation cannot cause a discharge because of the insulating protection of the hacking structure. It is also ensured that by determining the thickness of this mesh channel arrangement in advance, the correct position and the correct distance between the electrode 10 and the charge sensitive layer 16 can be maintained »

Bei der Arbeitsweise des Geiger-Müller-Verfahrens entsprechend der in Pig« 1 dargestellten Vorrichtung ißt die Elektrode 10 poaitiv und die Elektrode 12 üegativ.The same applies to the way in which the Geiger-Müller method works of the device shown in Figure 1, the electrode 10 eats positive and the electrode 12 üegativ.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsforia der Erfindung besteht die am besten geeignete Verstärkerschicht 18 aus porösem Aluminiumoxid, das in teilweise hydratisierter Form verwendet werden kann oder nicht. Solche Filme können leicht hergestellt werden, indes man die Aluminiumfolie in einem Oxaleäurebad bei Eloxierungsspannung im Bereich von 100 bis 3OO V und bei 5 bis 15 Amp. pro dm , wie z. B₀ in Vfernick oder einem der Standardwerke über das Eloxieren beschrieben _f eloxiert. Nach einer Zeitspanne von 90 Minuten werden die porösen Aluminiumoxid- . schichten gebildet, die geringe Mengen an Hydratwasser und Zonenreste aus dem Oxalsäurebad enthalten und eine Dicke von etwa 0,051 bis 0,076 mm (2 bis 3 mils) aufweisen. Bit Porosität entsteht aufgrund der Bildung einer großen Anzahl von Kanälen, 'die durch die Schicht laufen. Die Porosität einer eloxierten Aluminiumoxydschicht, z. B. der Kanaldurchmesser, kann erhöht werden, indem man dae Aluminiumoxyd mit geeigneten Ätimitteln, B. B. 5 % Oxalsäure bei 60 bis 7O⁰C oder anderen bekannten Xt«mitteln anätzt.In accordance with a preferred embodiment of the invention, the most suitable reinforcement layer 18 is made of porous alumina which may or may not be used in a partially hydrated form. Such films can easily be produced by placing the aluminum foil in an oxalic acid bath at an anodizing voltage in the range of 100 to 300 V and at 5 to 15 amps per dm, such as e.g. B _{0 described} in Vfernick or one of the standard works on anodizing _f anodized. After a period of 90 minutes the porous alumina. layers are formed that contain minor amounts of water of hydration and zone residues from the oxalic acid bath and are about 0.051 to 0.076 mm (2 to 3 mils) thick. Bit porosity arises due to the formation of a large number of channels running through the layer. The porosity of an anodized aluminum oxide layer, e.g. As the channel diameter can be increased by dae alumina with appropriate Ätimitteln, BB to 7O etches forward 5% oxalic acid at 60 ⁰ C, or other known Xt ".

In dem allgemeinen Eloxierungsverf ahren, wie es oben beschrieben ist,- entstehen die Poren in der Eloxierungsschicht kontinuierlich im Verhältnis zu dem Anwachsen der Schicht währendIn the general anodizing process as described above, the pores in the anodizing layer develop continuously in proportion to the growth of the layer during

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des elektrochemischen Verfahrene, wobei dioee Poren einen Durchmesser ron etwa 0,05 Mikron haben. Diese Foren sind verhältnismäßig geradwandig und weisen ein Verhältnis von offenen su geschlossenen Foren von etwa 20 % auf. Das heißt mit anderen Worten, daß etwa 20 % der Oberfläche der eloxierten Schicht aus diesen Foren und Kanälen von 0,03 Mikron Durchmesser besteht. Der Boden der dem Metall am nächsten liegenden Poren wird mit einer Sperrschicht aus Aluminiumoxyd mit einer Dicke von etwa 50 bis 70 £ überzogen. Durch kontrolliertes Ätzen wird diese Sperrschicht entfernt, aber auch wenn diese Schicht nicht entfernt wird, ist sie dünn genug, um den Durchgang der Elektronen nicht bedeutend su behindern.of the electrochemical process, the pores being about 0.05 microns in diameter. These forums are relatively straight-walled and have a ratio of open to closed forums of around 20 % . In other words, about 20 % of the surface of the anodized layer consists of these forums and channels 0.03 microns in diameter. The bottom of the pores closest to the metal is covered with a barrier layer of aluminum oxide about 50 to 70 pounds thick. Controlled etching removes this barrier layer, but even if this layer is not removed it is thin enough not to significantly impede the passage of electrons.

Durch geeignete kontrollierte Ätzverfahren können die Poren wesentlich erweitert werden, ohne daß solche Ätzverfahren einen großen Einfluß auf die Reduzierung der Geaamtdieke der eloxierten Schicht haben. Mit solchen bekannten kontrollierten Atsverfahren können die Foren bis auf einen Durchmesser von 0,1 bis 0,8 Mikron erweitert werden, wobei die Poren imBy means of suitable controlled etching processes, the pores can be widened considerably without the need for such etching processes a great influence on the reduction of the total population have anodized layer. With such well-known controlled Atsverfahren the forums can be down to a diameter of 0.1 to 0.8 microns expanded, with the pores in the wesentlichen gerade Seitenwände haben. Weiterhin kann ale Folge dee Xtsverfahrene da· Verhältnis von offenen eu geschlossenen Foren beliebig festgelegt werden, Jo nach Stärke und Dauer dee Xtiens innerhalb eines Verhältnissen von offenen su geschlossenen Poren von etwa 30 % bie in einigen fällen su 70 %. 9er optimale Bereich der Werte für die Porengröße und dae Verhältnis von offenen su geschlossenen Foren liegt bei einer PorengrÖß· im Bereich von 0,2 bis 0,5 Mikron Durchmesser und eine« Verhältnis von offenen su geschlossenen Poren von 50 %, «sau die eloxierte Schicht 25 bis 50 Mikron dick ist.have substantial straight sidewalls. Furthermore, all of the sequence of the process can be set arbitrarily for the ratio of open and closed forums, depending on the strength and duration of the Xtien within a ratio of open and closed pores of about 30 % to in some cases 70 %. The optimum range of values for the pore size and the ratio of open to closed forums is a pore size in the range from 0.2 to 0.5 microns in diameter and a ratio of open to closed pores of 50%, as is the anodized Layer is 25 to 50 microns thick.

Bins sehr vorteilhafte Eigenschaft dieser eloxierten Schichten sowohl bei Verwendung in ungeätstem Zustand als auch in geltste« Zustand ist ihre überraschende Absorptionsfähigkeit sowie auch die Fähigkeit, Chemikalien aus der Lösung an den Innenwänden dieser Poren su adsorbieren. Diese Lösungen strömen «it großer Geschwindigkeit aufgrund der Kapillarwirkung in die Poren und die Lösung kann vollständig bis sum Boden der Poren in einer Tränkungsseit von nicht mehr als 3 MinutenOne of the very advantageous properties of these anodized layers, both when used in the non-etched state and in their current state, is their surprising absorption capacity as well as the ability to adsorb chemicals from the solution onto the inner walls of these pores. These solutions flow “It is very fast due to the capillary action in the pores and the solution can completely reach the bottom of the pores Pores in a soak time of no more than 3 minutes

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durchsickern. In dieser Zeit ist die Auskleidung durch Abzug der Chemikalien aus der zweckmäßig hergestelltön Lösung vollkommen und einheitlich»leak out. During this time the lining is through Deduction of the chemicals from the appropriately prepared solution completely and uniformly »

Die eloxierte Schicht kann auf mehrere verschiedene Arten behandelt werden, was nicht nur von dor Art der Verstärkung, der sie unterzogen werden soll (d. h. Gsiger-Mller-Verfahren oder Sekundarelektronen-Emissionsverfahren) abhängt, sondern auch von der Spannung, bei der sie voraussichtlich verwendet werden soll. Zum Beispiel kann eine eloxierte Schicht mit einer Dicke von 0,051 mm (2 mils), die auf eine Porengröße von etwa 0,3 Mikron mit einem Verhältnis von offenen zu geschlossenen Poren von etwa 50 % geätzt worden war, in dem weichen Röntgenstrahl enber eich und in dem Geiger-iÄüller-V erfahr en verwendet werden, ohne daß die Verwendung eines Röntgenctrahlenabsorbers auf der Oberfläche der Aluminiumelektrode 10 oder auf den Wänden der Poren erforderlich ist. Unter diesen Bedingungen wird ein Verstärkungsfaktor von etwa 5 füs? Röntgenstrahlen unter 50 kV erhalten und diese Art des Verfahrene für die Verstärkungsschicht 18 ist in dem Röntgenstrahlenbereich von 1 bis 10 kV am wirksamsten·The anodized layer can be treated in several different ways, depending not only on the type of reinforcement to which it is to be subjected (i.e. Gsiger-Mller process or secondary electron emission process), but also on the voltage at which it is likely to be used shall be. For example, an anodized layer 0.051 mm (2 mils) thick that was etched to a pore size of about 0.3 microns with an open to closed pore ratio of about 50 % can be in the soft x-ray area and in the Geiger-iÄüller process can be used without the need to use an X-ray absorber on the surface of the aluminum electrode 10 or on the walls of the pores. Under these conditions a gain of about 5 feet? X-rays received below 50 kV and this type of process for the reinforcement layer 18 is most effective in the X-ray range of 1 to 10 kV

Wenn nach des Itzen auf die oben definierte Abmessung die eloxierte Aluminiuaechicht und dessen Aluminiumträgerschicht in Wasserstoff bei 55O⁰C eine Stunde lang in der Wärme behandelt und dann auf Zimmertemperatur abkühlen gelassen wird, worauf die Anordnung.dann in eine Spülatmosphäre, bestehend aus 98 % Stickstoff und 2 % Methan,gebracht und wiederholt gespült wird, um Luft aus den Poren zu entfernen, und diese durch die Stickstoff-Methan-Atmosphäre zu ersetzen, und dann in die in Fig· 1 dargestellte Anordnung ohne Zugabe eines besonderen. Söntgenstrahlenabeorbers gebracht wird, so wird ein Verstärkungsfaktor von 25 bis 50 bei dem GeigerrMüller-Verfahren. erhalten, insbesondere für Röntgenstrahlen bei 10 kV und weniger. Es scheint, daß die Fähigkeit dieser Poren, das Gas zurüeksuhalten, außerordentlich hoch ist, und die !aminierung der empfindlichen Schicht 16 auf solche Oase enthaltenden offenen Poren mit mechanischem Druck ist ausreichend, um das Gas in den Poren festsuhalten bis die Bestrahlung abgeschlossen ist.If, after measuring to the dimensions defined above, the anodized aluminum layer and its aluminum carrier layer are treated in hydrogen at 55O ⁰ C for one hour in the heat and then allowed to cool to room temperature, whereupon the arrangement is then placed in a flushing atmosphere consisting of 98 % nitrogen and 2 % methane, and repeatedly purged to remove air from the pores and replace them with the nitrogen-methane atmosphere, and then into the arrangement shown in Fig. 1 without the addition of a special one. X-ray absorbers are brought, a gain factor of 25 to 50 is used in the GeigerrMüller method. obtained, especially for X-rays at 10 kV and less. It appears that the ability of these pores to hold back the gas is extremely high, and the amination of the sensitive layer 16 to open pores containing such oases with mechanical pressure is sufficient to hold the gas in the pores until the irradiation is complete.

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Ein bevorzugIeQ Verfahren besteht daxin, die Foren mit einer Verbindung eines Elements mit hoher Ordnungszahl zu überziehen, die nicht nur ale Höntgenstrahlenabsorber zur Erzeugung primärer Photoelektronen dienen kann, sondern die auch vorzugsweise einen Slitter für sekundäre Elektronen in dünnen Schichten innerhalb und auf der Oberfläche dieees Oberzuge des Röntgenstrahlenabsorbers enthalten kann. Geeignete Stoffe, die als Emitter für sekundäre Elektronen dienen können, sind Verbindungen Ton Alkali- und Erdalkalimetallen. Unter diesen Bedingungen arbeitet die Verstärkervorrichtung nach dem Sekundärelektronen-Bsissionsverfahren (bei dem die Elektrode 10 negativ ist) und ermöglicht die Verstärkung der Wirkungen, der Belichtung mit Röntgenstrahlen über den gesauten RÖntgonbereich, unabhängig davon, ob weiche oder harte Röntgenstrahlen verwendet werden· Gewöhnlich werden Verstärkungsfaktoren von mindestens 100 erzielt und unter sorgfältig ausgewählten Bedingungen können Faktoren von 1000 oder mehr erzielt werden.A preferred method is to daxin the forums with a To cover compound of an element with a high atomic number, which can serve not only ale Höntgenstrahlabsorber to generate primary photoelectrons, but also preferably a slitter for secondary electrons in thin layers within and on the surface of the Oberzuge X-ray absorbers may contain. Suitable substances that Can serve as emitters for secondary electrons, compounds clay are alkali and alkaline earth metals. Under these conditions, the amplifier device operates according to the secondary electron emission method (in which the electrode 10 is negative is) and enables the intensification of the effects of exposure to X-rays over the X-ray area viewed, regardless of whether soft or hard X-rays are used · Enhancement factors of at least 100 are usually achieved and under carefully selected conditions factors of 1000 or more can be achieved.

Bei der Ausführung der Herstellung der eloxierten Aluminiumschicht wird tu diesem Zwecke der Film zuerst wie oben beschrieben angeätzt unter Bildung einer Porengröße in der Größenordnung von 0,5 bis 0,6 Mikron im Durchmesser mit einem Verhältnis von offener zu geschlossener Fläche innerhalb eines Bereiches von 50 bis 70 %. Mach dem Atzen werden die Poren dann mit einer 5 %igen Lösung eines Acetats eines Metalls mit hoher Ordnungszahl aus der Gruppe Bleim,Wismut, Thorium oder XJtVL imprägniert und diese Lösung kann gegebenenfalls mit einer bestimmten Menge Kaliuaacetat, die 20 Gew.ft des Bleiaoetats nicht übersteigt, in einen Komplex umgewandelt werden· Die Aettate werden durch Zugabe von Eisessig in einer Menge von 10 Vol.it des Gesamtvolumen· der Lösung in Lösung gehalten« Di· geätzte eloxierte Aluminiumsohicht wird dann 5 Minuten lang in diese Lösung eingetaucht, die Oberfläch· der Schicht wird mit mit Wasser getränkter Baumwolle abgetupft, anschließend wird sie bei Raumtemperatur getrocknet, danach wird das 8ohichtgefüg· auf 150⁰C erhitzt und 50 Minuten lang bei dieser Temperatur gehalten. Danach wird das Schichtgefüge 30 Minuten las« auf 90O⁰O erhitzt. Eine einzige Behandlung dieser Ar« reiohtFor this purpose, in carrying out the fabrication of the anodized aluminum layer, the film is first etched as described above to form a pore size on the order of 0.5 to 0.6 microns in diameter with an open to closed area ratio within a range of 50 up to 70 %. After the etching, the pores are then impregnated with a 5% solution of an acetate of a metal with a high atomic number from the group of lead, bismuth, thorium or XJtVL and this solution can optionally be mixed with a certain amount of potassium acetate, which 20 wt The acetates are kept in solution by adding glacial acetic acid in an amount equal to the total volume of the solution. The etched anodized aluminum layer is then immersed in this solution for 5 minutes, the surface the layer is blotted with cotton impregnated with water, then it is dried at room temperature, after which the 8ohichtgefüg · is heated to 150 ⁰ C, 50 minutes held at this temperature. The layer structure is then ^{heated to 90O 0} O for 30 minutes. A single treatment of this type is given

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aus_t um eins gleichmäßige Schicht auf άοη Porenwänden mit einer Dicke von,etwa 0,05 Mikron zu erzielen. to achieve on άοη pore walls with a thickness of about 0.05 microns from _t equal to one layer.

Der Verstärkungsfaktor dieser mit Alkali und Wärme behandelten Schicht liegt für das Sekundärolektronen-Emissionsverfahren in der Größenordnung von 3OO bis 1000 und für das Geiger-Müller-Verfahren bei etwa 200 bis etwa 800. Eine Abänderung dieses Verfahrens zur Ablagerung von Verbindungen von Metallen mit hoher Ordnungszahl ist insbesondere auf Bloiverbindungen anwendbar· In diesem Falle wird eine Lösung von 5 % Bleiacetat, 5 % Thioharnstoff und 10 % Natriumhydroxid in Methylalkohol hergestellt« Durch da3 Fehlen von Wasser in dieser Lösung wird sichergestellt, daß die Lösung die Aluminiumoxydoberfläche nicht anätzt. Die Poren werden etwa 2 Minuten.lang in eine solche Lösung eingetaucht., anschließend wird die Oberfläche mit einem Tuch abgerieben und etwa 3 oder M- Minuten danach beginnt sich ein dünner glänzender Film von Bleisulfid auf der Innenseite der Poren abzulagern und diese Ablagerung ist innerhalb 2 oder 3 Minuten danach beendet. Der Film wird in dieser Form zuerst zweimal mit Methylalkohol und anschließend mit Wasser gewaschen, danach wird dor Film getrocknet und durch 30-ainütiges Brennen bei 55^Ü°C in einer Atmosphäre, die aus 90 % Stickstoff und 10 % öohwofelwassorstoff besteht_s gebrauchsfertig gemachteThe amplification factor of this layer treated with alkali and heat is of the order of 3OO to 1000 for the secondary electron emission method and of about 200 to about 800 for the Geiger-Müller method. A modification of this method for the deposition of compounds of metals with a high atomic number is particularly applicable to Bloi compounds. In this case a solution of 5% lead acetate, 5 % thiourea and 10% sodium hydroxide in methyl alcohol is prepared. The absence of water in this solution ensures that the solution does not etch the aluminum oxide surface. The pores are immersed in such a solution for about 2 minutes, then the surface is rubbed with a cloth and about 3 or M minutes later a thin glossy film of lead sulfide begins to deposit on the inside of the pores and this deposit is inside Finished 2 or 3 minutes later. The film is then washed in this form first twice with methyl alcohol and with water, then dor film is dried and ainütiges 30 by baking at 55 ^Ü ° C in an atmosphere of 90% nitrogen and 10% öohwofelwassorstoff _s is ready-made

Diese Art des Überzugs zeigte eine gute Empfindlichkeit bei dem Sekundärelektronen-Emissionsverfahren,möglicherweise als Folge der in der Bleisulfidoberfläche eingeschlossenen Alkaliionen; und sie wies einen Verstärkungsfaktor für Röntgenstrahlen von 300 bis 1000 und für das Geiger-Müller-Verfahren von etwa 150 bis 600 auf*This type of coating showed good sensitivity in the secondary electron emission process, possibly as Result of the alkali ions trapped in the lead sulfide surface; and it had an X-ray gain of 300 to 1000 and for the Geiger-Muller method of about 150 to 600 on *

Die Bestimmung, ob die Platte in. dem Geiger-Müller-Verfahren unter Bildung von positiven Ionen oder in dem Sekundärelektronen-BBieeionsverfahren verwendet werden soll, hängt von der Natur des in den Poren vorhandenen Gases ab. Wenn die Poren nach dem Brennen mit dem oben definierten Gas, das aus einer MischungDetermination of whether the plate is in the Geiger-Müller method with the formation of positive ions or in the secondary electron ion method should be used depends on the nature of the gas present in the pores. If the pores after Burning with the gas defined above that comes from a mixture

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aus Stickstoff und Methan besteht, gesättigt sind und die empfindliche Schicht 16 anmittelbar danach auf die Oberfläche dieser Poren auflaminiert wird, dann ist die Vorrichtung am besten für das Geiger-Müller-?erfahren geeignet, in den die Elektrode 10 positiv geladen ist. Wenn jedoch die ecpfindliche Schicht 16 mit der offenen Oberfläche der Elektronenvtrstärkersohicht 18 naoh deren Behandlung mit einer Mischung aus Verbindungen τοη Elementen mit hoher Ordnungszahl plus geringeren Mengen einer Alkaliverhindung, b. B. KaliumsalEen, unter Vakuuabedingungen, so daß nur wenig oder kein Gas surückbleibt, in Berührung gebracht wird, dann stellt die Schicht eine wirksame Versiegelung dar und hält das Vakuum in der Kammer aufrecht, wobei diese Aufrechterhaltung des Vakuums ■ich über einen Zeitraum τοη einigen Stunden erstrecken kann· Bei diesem Verfahren 1st die Elektrode 10 negativ und in beiden ftllen werden über den gesamten Röntgenstrahlen er ei ch Verstärkungsfaktoren τοη 1000 oder mehr ersielt, unabhängig davon, ob welche oder harte Röntgenstrahlen Terwendet werden.consists of nitrogen and methane, are saturated and the sensitive layer 16 immediately thereafter on the surface these pores is laminated, then the device is on best suited for the Geiger-Müller? experienced in the Electrode 10 is positively charged. If, however, the sensitive layer 16 with the open surface of the electron amplifier layer 18 after its treatment with a mixture of compounds τοη elements with a high atomic number plus lesser ones Amounts of an alkali compound, b. B. potassium salts, under Vacuum conditions so that little or no gas remains is brought into contact, then the layer is established an effective seal and maintains the vacuum in the chamber while maintaining the vacuum ■ I can extend τοη a few hours over a period of time · In this method, the electrode 10 is negative and in both cases gain factors τοη 1000 or more are obtained over the entire X-rays, regardless of whether whether which or hard X-rays are used.

Sine be-rorsugte Ausführungaform dtr Srflndung besteht In der Verwendung einer angtätsttn eloxierten Schicht, die ein· ausreichende Dickt des Aluminiums auf dtr Bückstltt dtr eloxierten Schicht sur Aufrechterhaltung einer gewissen attbtaltohtn Festigkeit aufrechterhält, bei dtr die Poren, dlt durch Anätstn auf einen Durchmesser oberhalb etwa 0,5 Mikron erweitert worden sind, alt Blei-, lismut-, Thorium- oder Uran-Ttrblndungtn imprägniert und su der Impräenlerunfsiesuaf'Its preferred embodiment consists of the Use of a normally anodized layer, which has a Sufficient thickness of the aluminum on the base of the anodized layer to maintain a certain level of strength, with the pores through Instead of being enlarged to a diameter of more than about 0.5 microns, old lead, lismuth, thorium or uranium compounds were impregnated and see below the impregnation klelntre Frostntsttse Alkali- oder Irdalkaliaottafct »«wttjtbtm vtrdtn mnd sor Herstellung einer stabilen YtrblaAmng dtr Xaprjfenitrungsl0enng aef den tladtn der Fortn tint amsrtlohtnd * langt ItIt bei Temperaturen bit su 55O⁰C alt tlrat bthtmdtlt wtrdtn uttter Verwendunt; einer Warmebehandlungsatmotphlrt, Im dtr die gtwünsohte Verbindung In dem gewünschten stabil» tustand gehalten wird, und in der Verwendung einer solohtn Vorrichtung entweder in dem Geiger-Müller-Oasfüllungs-Verfahren, in dta dlt Krseugung poeitirer Ionen oder positiv geladener Tellohen bewirkt wird, oder in dem Sekundärelektronen-Salttlont·Klelntre Frostntsttse Alkali- or Irdalkaliaottafct »« wttjtbtm vtrdtn mnd sor production of a stable YtrblaAmng dtr Xaprjfenitrungsl0enng aef the tladtn of the Fortn tint amsrtlohtnd * longt It t t t t 55O ⁰ C a heat treatment atmosphere, in which the desired compound is kept in the desired stable state, and in the use of a solo device either in the Geiger-Müller filling process, in which generation of positive ions or positively charged cells is effected, or in the secondary electron salttlont

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1?1?

verfahren, in dem die Bildung von Elektronen und nur eine £o~ rings oder kaina Bildung von Ionen erfolgt, wobei da3 Geiser-Müller-Verfahren erhalten wird, wenn die Poren mit einen Gas gefüllt sind, das aus einer Mischung oinax· größeren Menge Argon oder Stickstoff mit einer kleineren Menge Methan besteht, und das Sekundärelektronen-EmisEionsvörfalaren erhalten wird, wenn die Poren praktisch frei von Gas sind.Process in which the formation of electrons and only an o ~ rings or no formation of ions takes place, the Geiser-Muller process being obtained when the pores are filled with a gas which, from a mixture, consists of a maximum of argon or nitrogen with a smaller amount of methane, and the secondary electron emission occurrence is obtained when the pores are practically free of gas.

Eine weitere bevorzugte Ausführungßform der Erfindung, die jedoch etwas weniger bevorzugt ist als diejenige, bei der eine eloxierte Aluminiumschicht verwendet wird, besteht darin, eine Röhrenstrulctur 18 zu verwenden, die hauptsächlich aus Bleioxyd besteht, das durch die Kombination eines Photoresistverfahrene mit einem sich daran anschließenden kontrollierten Ätzverfahren hergestellt worden kann. In diesem Falle wird dann eine Elektrode 10 auf die Oberfläche dieses Bleioxydnetzes auflaminiert, in dein die Elektrode 10 eine dünne Folie aus Aluminium oder metallischem Blei sein kann. Wiederum kann bei dieser Ausführungsform wie oben die Oberfläche des Blei» oxydnetsee mit Alkali- oder Erdalkalisalzen imprägniert werden, um die Sekundärelektronenemission zu erhöhen, wenn dies erwünscht ist.Another preferred embodiment of the invention, the but slightly less preferred than that using an anodized aluminum layer is to use a tubular structure 18, which mainly consists of Lead oxide is made up which is controlled by the combination of a photoresist process with a subsequent one Etching process can be produced. In this case it will Then an electrode 10 is laminated onto the surface of this lead oxide network, in which the electrode 10 is a thin film can be made of aluminum or metallic lead. Again, in this embodiment, as above, the surface of the lead » oxydnetsee are impregnated with alkali or alkaline earth salts, to increase secondary electron emission, if so desired is.

Die Fig. 1 der beiliegenden Zeichnung stellt ein Diagramm einer physikalischen Ausführungeform der Erfindung unabhängig von dem angewendeten Verfahren dar und erläutert eine Art' dee elektrischen Anschlusses. In diesem speziellen Fall· kann die Elektrode eine Dicke von 0,025 bis 0,127 xm (1 bis 5 mils), die Verstärkerachicht 18 kann eine Dicke von 0,051 bis 0,25* &* (2 bis 10 mils), die photoempfindliche Schicht 16 kann im allgemeinen eine Dicke von 3 bis 10 Mikron, die Ieolatorechicht 14 kann eine Dicke von 0,076 bis 0,178 mm (3 bis 7 milo) und die Elektrode 12 kann eine Dicke von 0,051 bis 0,127 mm (2 bis nils) aufweisen. Die Trennschichten 22 werden nur verwendet, * wenn das reine Geiger-Müller-Vorfahren angewendet wird und wenn die Schicht 13 mit einen Gas vom Geiger-Müller-Typ gefüllt iet_e Die Trennschichten 22 sind nicht erforderlich, wennFig. 1 of the accompanying drawings is a diagram of a physical embodiment of the invention, regardless of the method used, and explains one type of electrical connection. In this particular case, the electrode can have a thickness of 0.025 to 0.127 xm (1 to 5 mils), the amplifier layer 18 can have a thickness of 0.051 to 0.25 * & * (2 to 10 mils), the photosensitive layer 16 can be generally 3 to 10 microns thick, the electrolyte layer 14 can be 0.076 to 0.178 mm (3 to 7 milo) thick, and the electrode 12 can be 0.051 to 0.127 mm (2 to nils) thick . The separating layers 22 are used only when * the pure Geiger-Müller-ancestor is applied and when the layer 13 is filled with a gas from the Geiger-Mueller type iet _e The separating layers 22 are not required if

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•in Bleioxydnetz odor eine eloxierte Schicht aus Aluminium verwendet wird. Unter den Bedingungen der Pig. 1 sollte die an die gesamte Anordnung angelegt Spannung mindestens 10 kV und bis SU 20 kV betragen, wobei 15 kV ale optimal anzusehen sind·• in lead oxide mesh or an anodized layer of aluminum is used. Under the terms of the Pig. 1 should be the The voltage applied to the entire arrangement is at least 10 kV and up to SU 20 kV, with 15 kV being optimal are·

Zn der Fig« 2 der beiliegenden Zeichnung ist eins andere Anordnung zur Herstellung des elektrischen Anschlusnes dargestellt, die in der Wirkung einen Spannungsverteilerkreiß darstellt· In der Pig. 2 umschließt ein Stromkreis 26 die gesamte Schichtenanordnung auf die gleiche Weise «ie in Fig. 1 und ein eweiter Stromkreis 28 liegt zwischen der Elektrode 10 und der Slektrodo 12* und die Spannung anriechen diesen letztgenannten Elektroden variiert innerhalb des Bereichs «wischen 5OO und 2000 V. Diese Art des Stromkreises ist etwas leichter regelbar als die in Fig. 1 angegebene und ist am wirksamsten, wenn die Ieolatorschicht 14 ein guter Isolator ist, wie er beispielsweise aus einem Polyeeterfila hergestellt werden kann·In FIG. 2 of the accompanying drawings, another arrangement for establishing the electrical connection is shown, which has the effect of a voltage distribution circuit represents · In the Pig. 2, a circuit 26 encloses the entire layer arrangement in the same way as in FIG Fig. 1 and a third circuit 28 is between the Smell the electrode 10 and the Slektrodo 12 * and the voltage these latter electrodes vary within the Area «between 5OO and 2000 V. This type of circuit is somewhat more easily controllable than that indicated in FIG. 1 and is most effective when the Ieolatorschicht 14 is a good one Is an insulator, for example from a Polyeeterfila can be produced

Die in der Fig· 3 der beiliegenden Zeichnung dargestellte AusfUhrungsform der Erfindung zeigt Anschlüsse, bei denen ein erster Anschlufi 30 »wischen der Spannungequelle und den Elektroden 10 und 12 liegt und ein zweiter Stromkreis 32 die elektrode 12 und die Schiebt 12* miteinander verbindet. Diese AusfÜhrunfsform liefert eine gewisse Flexibilität und eine bessere Betriebaregeibarkeit, wenn die Isolatoraohicht 14 etwa· polarer ist (d· h. ein schlechterer Isolator ist) als ein Polyester. In diese« speziellen Falle sind die an die beiden Anschlüsse angelegten Spannungen hinsichtlich ihrer H5he miteinander vergleichbar und die Anordnung arbeitet bei einer Spannung innerhalb des Bereichs von 3 bis 8 kV.That shown in Figure 3 of the accompanying drawings AusfUhrungsform the invention shows connections in which a first connection between the voltage source and the Electrodes 10 and 12 is and a second circuit 32 the electrode 12 and the sliding 12 * connects to each other. These AusfÜhrunfsform provides a certain flexibility and a better operability when the isolator layer 14 is about · more polar (i.e., is a poorer insulator) than a polyester. In this "special case are those to whom." The voltages applied to both connections are comparable with one another in terms of their height and the arrangement works at a voltage within the range of 3 to 8 kV.

In der Fig. 4 der beiliegenden Zeichnung ist eine weitere Ausftthrungsform der Erfindung dargestellt, in der ein Anschluß 34 zwischen der Elektrode 10 und der Elektrode 12' mit einer Spannung in der Größe von 500 bis 2000 V und ein Ansohlufl 36 swiaohen der Elektrode 12* und der Elektrode 12, dessenIn Fig. 4 of the accompanying drawings is another Embodiment of the invention shown in which a terminal 34 between the electrode 10 and the electrode 12 'with a voltage in the range of 500 to 2000 V and an Ansohlufl 36 swiaohen the electrode 12 * and the electrode 12, its

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Spannung von dem Isolatorwert der Schicht 14 abhängt, -vorliegen. Wenn der Iaolatorwerfc hoch ist, liegt die Spannung in der Größenordnung von 10 kV oder höhere Y/enn der Isolatorwert niedrig ist, kann die Spannung in der Größenordnung von 0,5 bis 3,0 kV liegen.Voltage depends on the insulator value of the layer 14, -present. When the isolator rating is high, the voltage can be on the order of 10 kV or higher, when the isolator rating is low, the voltage can be on the order of 0.5 to 3.0 kV.

Wenn die Schicht 14 ein schlechter Isolator ißt, iot der in der l'igo 5 der heiliegenden Zeichnung dargestellt© elektrische Anschluß 40 bevorzugt„ In diesem speziellen Falle wird die Elektrode 12" hergestellt, indem man auf die etwas elektrisch leitfähige Schicht 14 Aluminium oder Chrom oder ein entsprechen« des halbtraneparentes Material in einer Sicke entsprechend einer Viertel Wellenlänge aufdampft. Diese Vorrichtung ist an wirksamsten, wenn die Grunüschicht weiß und undurchsichtig ist, wie aie beispielweise aus photographischem Barytpapier erhalten wird. Die photoempfindlicbe Schicht 16 wird dann nach üblichen Verfahren auf diese metallisierte Oberfläche aufgetragen und hinsichtlich des Reflexionsvermögena der Schicht 14 ist kein© oder nur eine geringe Wirkung auf die nach dem Belichten mit Röntgenstrahlen und Entwickeln auf der vollständig entwickelten Schicht 16 sichtbaren Details f est-Busteilen. Bei dieser Ausfübrungsform liegt der beste elektrische Anschluß zwischen der Schicht 10 und der Schicht 12 und die Ladungsanreicherung auf der Schicht 14 wird beseitigt, indom man diese Schicht über die Leitung 19 erdot. In vielen Fällen ist dieses Verfahren bevorzugt, da on die Gefahr einer elektrischen Beschädigung der Umgebung und möglicherweise des Patienten herabsetzt.If layer 14 eats a poor insulator, then that in the l'igo 5 represented in the sacred drawing © electric Port 40 preferred “In this special case, the Electrode 12 "produced by placing aluminum or chromium or a corresponding« on the somewhat electrically conductive layer 14. of the semi-transparent material in a bead accordingly a quarter of a wavelength. This device is most effective when the green layer is white and opaque is, for example, made of photographic baryta paper is obtained. The photosensitive layer 16 is then using conventional methods on this metallized surface applied and in terms of the reflectivity Layer 14 has no or little effect on after exposure to X-rays and developing on the fully developed layer 16 visible details solid bus parts. This embodiment is the best electrical one Connection between layer 10 and layer 12 and the accumulation of charge on layer 14 is eliminated, indom this layer is grounded via line 19. In many In some cases, this method is preferred because there is a risk of electrical damage to the environment and possibly the Belittling the patient.

In den nachfolgenden Beispielen ist die Erfindung an Hand einer bevorzugten photoempfindlichen Zusammensetzung, die gegenüber geladenen !teilchen, Ionen und Elektronen empfindlich ist, erläutert, ee ist jedoch klar, daß auch andere für geladene Ionen und Elektronen empfindliche Filme anstelle der in den folgenden Beispielen angegobenen Zusammensetsung verwendet werden können. So können beispielsweise Silberhalogenidfilme oder andere geladene empfindliche Filme bekannter Zusammensetzungen verwendet werden. In the following examples, the invention is based on a preferred photosensitive composition that is sensitive to charged particles, ions and electrons is explained, but it is clear that others are also suitable for charged particles Ion and electron sensitive films were used instead of the composition given in the following examples can be. For example, silver halide films or other charged sensitive films of known compositions can be used.

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

QQS83Ö/1248QQS83Ö / 1248

Sie angegebenen bevorzugten Zusammensetzungen weisen eine Sensibilität im nahen ultravioletten und im ultravioletten Bereich auf. Bio Sensibilität eier Elektronenstrahlen ist so, daB 1O^ Elektronen/cm² oder 10"¹⁰CbZcBi² Belichtung durch 15 kV-Elektronen nach dem Entwickeln ein Bild mit einer Dichte-Einheit liefern· Bach dem Belichten wird der Film durch eine mehrainütige Schutsbelichtung mit einer starken Rotlichtquelle, die von einer Wolframbeleuchtung geliefert wiixl, die mit einen Rotglasfliter Corning Hr. 2408 gefiltert wird, entwickelt« Der film wird dann durch 1-mi nut ige a Erwärmen in einen Ofen bei einer Temperatur von 140⁰C fixiert.The preferred compositions indicated have sensitivity in the near ultraviolet and in the ultraviolet range. The bio-sensitivity of electron beams is such that 10 ^ electrons / cm ² or 10 " ¹⁰ CbZcBi ² exposure to 15 kV electrons after development produce an image with a density unit "strong red light source, the wiixl supplied by a tungsten illumination, which is filtered with a Corning Rotglasfliter Hr. 2408 develops the film is then fixed by 1 mi nut strength a heating in an oven at a temperature of 140 ⁰ C.

Die Kapazität pro Flächeneinheit einer 0,127 mm (5 mile) starken Folyesterechicht» s· B. einer Mylar-Sehieht, beträgt 21 PicoThe capacity per unit area of a 0.127 mm (5 mile) thick Folyester layer, for example a Mylar lens, is 21 pico farad/em . Beim Belichten mit geladenen Teilchen lädt sieh die nioht-leitfähige Mylar-Folyesterscbioht auf. Dio Ladung»- kapazität hat einen solchen Wert, da£ 10 kV, 2z 1O~? Cb/ca² die Sättieungsladungsdichte auf der Hylar-Oberflache darstellen. Diese Belichtung mit elektrischen Ladungen ist einige QrSßenordnuneen höher als der Empfindlichkeitswert des Films, wie er durch direkte Eiektronenstrahlbolichtung erzielt wird. Die Ladungsempfindlichkeit dos Filmes wurde ermittelt, indem der Film mit Hilfe einer Korona-Entladungsqtielle auf eine Spannung von einigen kV aufgeladen wurde. Bei einer Aufladungespannung von 10 kV auf dem Koronadraht wurde der FxIq sur vollen Dichte (3»5 bis 4,0) entwickelt. Es wurde außerdem festgestellt, daß bei der Anwendung einer Koronaonfcladunesquelle die Empfindlichkeit des PiInes etwa eine Größenordnung höher war als bei positiv geladenen Teilchen, d. h. eine positive Koronaspannung lieferte eine höhere Sensibilität, was bei einer Geiger-Müller-Entladungszono zu erwarten war, in der die von positiven Ionen bevorsugt wird.farad / em. When exposed to charged particles, the non-conductive Mylar-Polyestercbioht charges up. Dio charge »- capacity has such a value as £ 10 kV, 2z 1O ~? Cb / ca ^{2 represent} the saturation charge density on the Hylar surface. This exposure to electrical charges is several orders of magnitude higher than the sensitivity value of the film obtained by direct electron beam exposure. The charge sensitivity of the film was determined by charging the film to a voltage of a few kV with the aid of a corona discharge device. With a charging voltage of 10 kV on the corona wire, the FxIq was developed at full density (3 »5 to 4.0). It was also found that when using a Koronaonfcladunequelle the sensitivity of the pin was about an order of magnitude higher than with positively charged particles, ie a positive corona voltage provided a higher sensitivity, which was to be expected with a Geiger-Müller discharge zone in which the is prevented by positive ions.

Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung erläutern« ohne •1· jedoch darauf bu beschränken·The following examples are intended to explain the invention without • 1 · but restrict it to bu ·

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BAD ORIGIN*¹-BAD ORIGIN * ¹ -

Beispiel 1example 1

Eine bevorzugte elektronenompfindliche Filazusainmeneetzung, bestehend aus den folgenden Beetandteilen; wurde auf einen 0,12? mm (5 mils) dicken Mylar-Polyesterfilraschichtträger unter Botlicht aufgetragen: A preferred electron sensitive Filazusainmeneetzung consisting of the following components; was on a 0.12? mm (5 mils) thick Mylar polyester film carrier applied under botlight:

600 ng Eristallviolett-Leukobase, 500 mg Triphanylstibin, 800 mg Hexachloräthan, 1200 mg Tetrabromkphlenetoff, 30 mg Eicosan,600 ng crystal violet leuco base, 500 mg triphanylstibine, 800 mg hexachloroethane, 1200 mg tetrabromium chloride, 30 mg eicosan,

3 Tropfan ainer 1 #igen Lösung von m-Dimethyl aminophenol in Methylenchlorid und3 drops of a 1 # solution of m-dimethyl aminophenol in methylene chloride and

28 ecm einer 20 &Lgen Lösung von Polystyrol in Benzol.28 ecm of a 20 & Lgen solution of polystyrene in benzene.

Sur Herstellung das Filmes wurden die verschiedenen Bestandteile in einer 5O/5O~Mischung (Volumenteile) von Methylen-Chlorid und Benzol gelöst und die erhaltene Masse wurde auf den Polyester-Pilmechichtträger unter Verwendung eines Bird-Auftragsstabes aufgetragen unter Bildung einer 0,038 mm (1»ü> mil)-ßchicht (Waßschichtdicke), die sich nach dem Trocknen infolge des Verdampfens des LösuDgsoittela auf eine Trockenschichtdicke τοη etwa 7 Mikron verringerte,,To produce the film, the various constituents were dissolved in a 50/5 mixture (parts by volume) of methylene chloride and benzene and the mass obtained was dissolved Apply the polyester pilme backing using a Bird applicator stick to form a 0.038 mm (1 »g> mil) layer (water layer thickness) that changes after drying as a result of the evaporation of the solventa reduced to a dry layer thickness τοη about 7 microns ,,

Andere in der vorliegenden Erfindung verwendbare geeignete elektronenempfindliche Filmsueammeneetzungen sind in den USA-Patentschriften 3 147 117 und 3 275 ^3 beechriebea.Other suitable ones usable in the present invention Electron sensitive film pool compositions are described in U.S. Patents 3,147,117 and 3,275,375.

In diesem Beispiel war die Elektrode 12 eine Aluminiunplatte. Dl· Terstärkerachioht wurde aus einer 0,127 «■ (5 mile) •tarken Aluminiumfolie 10 hergestellt, die auf einer Seite 90 Minuten lang in 5 %iger Oxalsäure bei einer Spannung von Volt eloxiert worden war. Die Dicke des poröGon Aluminiuao.*yda bijtJru^ 0,0^1 mm (2mil&), H«ch Beendigung des Eloaclerene und nach dem Waschen mit Wasser und desx anschließenden WaschenIn this example, the electrode 12 was an aluminum plate. The strength rerchioht was made from a 0.127 «■ (5 mile) • thick aluminum foil 10, which on one side 90 Minutes in 5% oxalic acid at a voltage of Volt had been anodized. The thickness of the poröGon Aluminiuao. * Yda bijtJru ^ 0.0 ^ 1 mm (2mil &), H «ch termination of the Eloaclerene and after washing with water and subsequent washing

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pit Methylalkohol wurde die eloxierte Schicht 5 Minuten lang in eine 10 %ige Lösung von Kaliumhydroxyd in Methylalkohol eingetaucht, danach mirde dio nicht-ätzende alkoholisch« KGH-Lösung mit einem etarken Wauaserstrom aus den Poren hcrauegewaschen. Die gewünschte Ätzung erfolgte während dea Waschens mit Waöeer. Dabei wurde eine Porenstruictur erhalten, in der die Poren einen Durchmesser von etwa 0,3 Mikron aufwiesen und das Verhältnis von offener zu geschlosoener Pläche etwa 50 % betrug. Nach dem Trocknen bei Raumtemperatur wurden die einzelnen Elemente in einem Druckerrahmen zusammenlaminiert und zwischen der hinteren und der vorderen Elektrode wurde eine Gleichstronspannung τοη 15 kV angelegt. Das Aluminiurametall und das Oxyd diente als Elektrode und Verstärker und das Metall wurde positiv gegenüber der l^?iliaunteraeite-Elektrode aufgeladen» Dann wurde mit Röntgenstrahlen auu einer Wolframröhre, die bei einer konstanten Spannung von 10 kV betrieben wurde, belichtet_β Bei diesen Versuchen wurde festgestellt, daß die Empfindlichkeit des Ulmes gegenüber einfallenden Röntgenstrahlen mit einer Spannung an dem Laminat im Vergleich zu identischen Bedingungen, bei denen die Spannung an der Sandwich-Struktur O betrug, um den Faktor 3 zunahm.With methyl alcohol, the anodized layer was immersed for 5 minutes in a 10% solution of potassium hydroxide in methyl alcohol, then the non-corrosive alcoholic KGH solution was washed out of the pores with a strong stream of water. The desired etching took place during washing with water. A pore structure was obtained in which the pores had a diameter of about 0.3 microns and the ratio of open to closed area was about 50 % . After drying at room temperature, the individual elements were laminated together in a printer frame and a DC voltage τοη 15 kV was applied between the rear and front electrodes. The aluminum metal and the oxide served as an electrode and amplifier and the metal became positive to the l ^? iliaunteraeite electrode "charged Then, with X-rays auu a tungsten tube was operated at a constant voltage of 10 kV, _β exposed in these experiments was found to be identical, the sensitivity of Ulmes compared with incident X-rays with a voltage to said laminate in comparison Conditions in which the stress on the sandwich structure was O increased by a factor of three.

Beispiel 2 . Example 2 .

Das Beispiel 1 wurde wiederholt, wobei diesmal jedoch nach dea Xtxen und dem Auswaschen des Xtzmittels mit Wasser und nach dea Trocknen die eloxierte Platte eine Stunde lang in Wasserstoff auf 55O⁰O erhitzt wurde, wobei die Temperatur von Raumtemperatur auf 55O⁰C innerhalb einer Stunde erhöht wurde, die Platte anschließend in Wasserstoff auf Raumtemperatur abge kühlt wurde, wonach die eloxierte Platte in eine auf ein Vakuum τοη 10 mm Quecksilber ausgepumpte Vakuumkammer gebracht, danach eine Oasataosphäre, die aus einer Mischung aus 98 % Stickstoff und 2 % Hethan bestand, in die Vakuumkammer eingeleitet wurde bis innerhalb der Kammer wieder Atmoaphärendruck herrschte, und die gesamte Anordnung erneut auf ein Vakuum von 10 mm Quecksilber abgepumpt und dieses Verfahren schließlich nach 'der Entfernung der Pumpe beendet ward«, indem ein Gasgemisch aus 98 % Stickstoff und 2 % Methan in dio Kammer Example 1 was repeated, but this time after dea Xtxen and washing out the Xtzmittels with water and after dea drying, the anodized plate has a hour was heated in hydrogen at 55O ⁰ O long, keeping the temperature from room temperature to 55O ⁰ C within one hour was increased, the plate was then cooled in hydrogen to room temperature, after which the anodized plate was placed in a vacuum chamber pumped to a vacuum τοη 10 mm mercury, then an oasis atmosphere, which consisted of a mixture of 98 % nitrogen and 2% hethane, in the vacuum chamber was initiated until the atmospheric pressure reigned within the chamber, and the entire arrangement was again pumped to a vacuum of 10 mm of mercury and this process was finally ended after 'removal of the pump' by adding a gas mixture of 98 % nitrogen and 2 % methane in the chamber

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eingeleitet wurde bis „nnerhalb der Kammer AtciospfcärQndruck herrschte und die gesamte Anordnung etwa 10 Minuten lang in dieser Atmosphäre gehalten wiirde» Dann wurde die Platte aus der Vakuumkammer entfernt und in die in Beispiel 1 beschriebene laminierte Schichtstruktur eingearbeitet und mit 10 kV-Röntgenstrahlen mit einer Spannung von 15 kV zwischen der Schichtstruktur mit dem gleichen elektrischen Vorzeichen wie in Beispiel 1 belichtet.The process was initiated up to and including the AtciospfcärQndruck chamber prevailed and the entire arrangement would be held in this atmosphere for about 10 minutes. Then the plate became off removed from the vacuum chamber and incorporated into the laminated layer structure described in Example 1 and exposed to 10 kV X-rays with a voltage of 15 kV between the Layer structure exposed with the same electrical sign as in Example 1.

Unter diesen Bedingungen wurde ein Verstärkungsfaktor von ereielt. Der Verstärkungsfaktor wurde bestimmt, indem man die für die Belichtung mit Röntgenstrahlen »ur Erzielung einer Dichte von 1,0 auf dem Film erforderliche Belichtungszeit ermittelte, die in Gegenwart einer Verstärkungsschicht ein Fünfundreißigstel der Zeit betrug, die beim Belichten ohne die Anwesenheit einer Verstärkungsschicht erforderlich war.Under these conditions an amplification factor of was obtained. The gain factor was determined by measuring the determined the exposure time required for X-ray exposure to obtain a density of 1.0 on the film, which in the presence of a reinforcing layer Thirty-fifth of the time it took to expose without the presence of a reinforcement layer was required.

Beispiel 5Example 5

BIe 0,051 na (2 mile) dicke Schicht der wie in Beispiel 1 be~ schrieben eloxierten Q**9?f lache wurde sweiaal. nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren geätzt. Dabei entstand eine Porengrüße von 0,6 Mikron und ein Verhältnis von offener su geschlossener fläche von 60 %» Nach den Waschen und Trocknen wurden die Boren nit einer 5 Gewichtateile Bleioxyd, 1 Gewichtstell Kaliunacetat und 10 Gewichteteile Eisessig enthaltenden wäßrigen Lösung imprägniert. Die geätsfce folie wurde 10 Minuten lang in diese Lösung eingetaucht, aus dem Imprägnierungsbad entfernt und die Oberfläche wurde mit einen Bauawolltupfer von der Lesung befreit. Danach wurde die Volle 1/2 Stunde lang auf 15O⁰C erhitat, die Platte wurde 20 Minuten lang bei dieser Temperatur gehalten und anschließend wurde die Temperatur auf 55O⁰O erhöht, wobei die Platte JO Minuten lang bei dieser Temperatur gehalten wurde„ Dieses Erhitzen wurde an der Luft durchgeführt=The 0.051 na (2 mile) thick layer of the anodized Q ** 9 surface as described in Example 1 became sweeping. etched according to the method described in Example 1. This resulted in a pore size of 0.6 microns and a ratio of open to closed area of 60 %. After washing and drying, the bores were impregnated with an aqueous solution containing 5 parts by weight of lead oxide, 1 part by weight of potassium acetate and 10 parts by weight of glacial acetic acid. The equipment sheet was immersed in this solution for 10 minutes, removed from the impregnation bath, and the reading was removed from the surface with a cotton swab. Thereafter, the Full was erhitat for 1/2 hour at 15O ⁰ C, the plate was maintained for 20 minutes at this temperature and then the temperature was raised to 55O ⁰ O, said plate JO minutes was maintained at this temperature for "This heating was carried out in the air =

Wenn diese Platte in dem Geisor-Müller-VerfahrGn in der in Beispiel- 2 benchri ebenen Art; und Y/oise für 10 kV-Röntgenstrahlen verwendet wurde, betrug; der Verstärkungsfaktor 20O₀ In diesemIf this plate is used in the Geisor-Müller method in the manner shown in Example 2 benchri; and Y / oise was used for 10 kV X-rays was; the gain factor 20O ₀ in this

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Falle war die Elektrode 10 poaitiv geladenIn the case, the electrode 10 was positively charged

Die gleiche Platte konnte vorteilhaft auch in dem Sokundär-•lektronen-Eoieeioneverfahren verwendet werden, wobei in diesem Falle die photoeiapfindliche Schicht 16 mit der daran befestigten Isolator-Unterschicht gegen die Oberfläche der imprägnierten Poren gelegt und dann das Schichtgefüge in eine yakuumkammer gebracht wurde, die auf ein Vakuum von 10 mm Quecksilber ausgepumpt und 10 Minuten lang unter diesen Vakuumbedingungen gehalten wurde. Nach der Beseitigung des Vakuums war die Schicht 16 fest mit der Oberfläche der Foren verbunden und naob dem Einbringen in das in Fig. 1 dargestellte Schiehtgefüge und nach dem negativen Aufladen der Elektrode 10 wurde ein Verstärkungsfaktor von 1000 ersielt. Sowohl bei dem Geiger-Müller-Verfahren als auch bei dem Sekundärelektronen-'EmiaaionBVerfahren betrug die an das ßohichtgefüge angelegte Spannung 15 kV und die oben angegebene Verstärkung wurde in diesem Beispiel bei Verwendung von 100 kV-Röntgenetrahlen erhalten. Diese Verstärkung verringerte sich, wenn die Spannung der Röntgenstrahlen herabgesetzt wurde und der Abfall der Verstärkung wurde merklich bei 50 kV-Böntgenatrahlen und weniger. So betrug beispielsweise die Verstärkung bei dem Geiger-Müller-Verfahren in dem weichen Röntgenbereich bei 10 kV etwa 200 uad bei dem Sekundärelektronen-Etaissions-» ▼erfahren etwa 300.The same plate could advantageously also be used in the secondary • electron Eoieeioneververfahren, with in In this case, the photoeiapfindlichen layer 16 with the attached insulator sub-layer against the surface of the impregnated pores and then the layer structure in a yakuumkammer was brought to a vacuum of Pumped out 10 mm of mercury and took it for 10 minutes this vacuum condition was maintained. After the vacuum was removed, the layer 16 was firmly attached to the surface of the Forums connected and after the introduction into the structure shown in Fig. 1 and after the negative charging of electrode 10, a gain of 1000 was obtained. Both in the Geiger-Müller method and in the secondary electron emission method was the The applied voltage is 15 kV and the voltage given above Gain in this example was obtained using 100 kV X-rays. This gain diminished when the voltage of X-rays was lowered and the decrease in gain became noticeable at 50 kV X-rays and less. For example, the gain was in the Geiger-Müller method in the soft X-ray range at 10 kV about 200 uad at the secondary electron etaissions- » ▼ learn about 300.

freispiel 4free game 4

Da« Beispiel 3 wurde wiederholt, wobei diesmal jedoch die Lösung von Bleiacetat nacheinander durch entsprechend starke Lösungen von Wismutacetat, Thoriumacetat und Uranacetat ersetst wurde. Zm Falle von Wismutacetat wurde etwa die gleiche Verstärkung ersielt wie bei Verwendung von Bleiacetat, während im Falle von Thorium- und Uranacetat eine um etwa 10 % höhere Verstärkung, erzielt wurde.Example 3 was repeated, but this time the solution of lead acetate was successively replaced by correspondingly strong solutions of bismuth acetate, thorium acetate and uranium acetate. In the case of bismuth acetate, about the same gain was obtained as when using lead acetate, while in the case of thorium and uranium acetate, a gain about 10 % higher was achieved.

Beispiel 5Example 5

Die 0,051 mm- (2 mils) dicke eloxierte Schicht wurde wie in Beispiel 3 beschrieben geätzt. Nach dem Waochen und TrocknenThe 0.051 mm (2 mils) thick anodized layer was etched as described in Example 3. After washing and drying

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wurden die Poren mit einer 5 # Bleiacetat, 10 % Thiobarnatoff und eine ausreichende Menge alkoholischen Natriumhydroxids zur Erzielung eines pH-Werts von 9 enthaltendennethanolischen Löeung imprägniert. Man ließ die Lösung ? Minuten lang in den Poren und säen dem Entfernen des Bades wurde die behandelte Oberfläche mit einem Baumwoll'irupf er abgerieben. Man ließ das Schichtgsfüg© bei Rauatemperatur troclcnen und unterzog es einer weiteren Wärmebehandlung in einer 90 % Stickstoff und 10 % Schwefelwasserstoff enthaltenden Atmosphäre, wobei die Temperatur der Wärmebehandlung innerhalb einer Stunde von Baumterapvtratur auf 55O°C erhöht wurde. Man hielt das Schichtgofüge 30 Minuten lang bei dieser ieraperatur in einer strömen den &taoaph&re aus 90 % Stickstoff und 10 % Schwefelwasserstoff, danach wurde das Schichtgefüge in einer solchen auf Raumtemperatur abgekühlt«.the pores were impregnated with an ethanolic solution containing 5 # lead acetate, 10% thiobarnate and a sufficient amount of alcoholic sodium hydroxide to achieve a pH of 9. You left the solution? For minutes in the pores and sow after removing the bath, the treated surface was rubbed with a cotton syrup. The laminate was allowed to dry at room temperature and subjected to a further heat treatment in an atmosphere containing 90% nitrogen and 10 % hydrogen sulfide, the temperature of the heat treatment being increased to 550 ° C. within one hour from tree temperature. They held the Schichtgofüge 30 minutes at this ieraperatur in a flow through the & taoaph & re of 90% nitrogen and 10% hydrogen sulfide, after which the layer structure was cooled to room temperature in such a ".

Bsi Verwendung dieses Schichtgefüges in dem Geiger-Müller-Verfahren unter den in Beispiel 2 angegebenen" Bedingungen betrug der Verstärkungsfaktor sowohl für weiche als auch für harte Böntgenstrahlsn bei einer Spannung von I5 kV an desa Schichtgefüge etwa 400 und bei Verwendung in dem Sekundärelektronen'-Emissioneyerfahren betrug der Verstärkungsfaktor in dem 10 bis 100 kV -Bereich etwa 1000, wäthrend er für 200 kV Höntgenatrablen 1500 betrügeFor example, this layer structure is used in the Geiger-Müller process under the conditions given in Example 2, the gain factor was both for soft and for hard arcs at a voltage of 15 kV at desa Layer structure about 400 and when used in the secondary electron emission process the gain in the 10 to 100 kV range was around 1000, while it was for 200 kV Höntgenatrablen 1500 would be

Be i S₁ ρ i e 1 6 Be i S ₁ ρ ie 1 6

Sine Mischung aus 90 Gewichtsteilen ultrafeinem gelbem Bleioxyd und 10 Gewichtsteilen Kaliiuachlorid wurde in eiajer Kugel-* »ühle geaahlen bie die durchachnittlicSis TeilchoJse^öße 0,2 Hihxon oder weniger betrug_β 4$ Vol.% dieser goiiaiii@Bsa»ffi>ia eertöilten lliechung aus Bleioxyd und laliumchlorid wur'lö» mit 55 Vc 1»% hochfflolsku.larc3i Polypropylen varmiechto Basil 200 Yolufliönteile Toluol sugegeben \mä die Misohuas ward«- Rühre« üuf 100°C erhltst, wobei während dieser Xeoperatu? praktisch das gesanifr© Polypifopylsa ia die Lesiisg eiageäfthrt wtti»5*, Dia etwas viskose Biap@räion mirde lief tig gsrülfft? hiu dio Blttpm-aion ToJLxatHndig ®a^, flaEsi wwl® als Ιά SI&qIxq fs?Sine mixture of 90 parts by weight of ultrafine yellow lead oxide and 10 parts Kaliiuachlorid was in eiajer Ball * »ühle geaahlen bie the durchachnittlicSis TeilchoJse ^ Oesse 0.2 Hihxon or less was _β $ 4 vol.% Of these goiiaiii @ Bsa"ffi> ia eertöilten lliechung from lead oxide and lalium chloride was added "with 55 Vc 1"% hochfflolsku.larc3i polypropylene varmiechto Basil 200 Yolufliönteile toluol added \ mä the Misohuas was "- stir" kept at 100 ° C, whereby during this Xeoperatu? practically the sanifr © Polypifopylsa ia the Lesiisg eiageleitt wtti »5 *, Dia a little viscous Biap @ räion mede running gsrülfft? hiu dio Blttpm-aion ToJLxatHndig ®a ^, flaEsi wwl® als Ιά SI & qIxq fs?

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24®24®

Teil dee Toluole abgedampft war. Der Rückstand wurde aus der Schale herauegekratzt und sorgfältig in einem heißen Sigma-Mischer bei 1J>0^oC weiter vermischt,, Dio höißs Masse wurde aus den Mischer entfernt und im heißen Zustand wurde sie mit Schaufeln in eine grobe Folienform gebracht.Part of the toluene had evaporated. The residue was scraped out of the bowl and carefully ^{mixed further in a hot Sigma mixer at 1J> 0 o} C. The mass was removed from the mixer and, while hot, it was shaped into a coarse foil shape with shovels.

Anschließend wurden 0,102 nun (4 mils) dicke Folien mit glatter Oberfläche hergestellt, indem man die Kunststoffmasse durch bei 20O⁰C gehaltene Kalanderwalton führte. Dann wurde ein Photoresietmaterial der Firma Eastman Kodak (KFR) auf eine Oberfläche dieser 0,051 mm (2 oils) starken zusammengesetzten Folie aufgebracht unter Bildung einer Trockensohiohtdicke in dem Bereich von 1 bis 2 Mikron. Nach dem Trocknen des Photoresistmaterials wurde sie mit einer Photomasice belichtet, in der die Zeichnung auf der Maske aus schwarzen Kreisen mit einem Durchmesser von 0,6 ll'Jcron und einer solchen geometrischen Verteilung bestand, daß diese schwarzen Kreise 5° # der Fläche der Photomasks ausmachten. Dam wurde 10 Minuten lang mit einer Cfcieckailber-Bogenlamp« einer Kapazität von 100 Watt belichtet, wobei die Lampe in einem Abstand von 91»5 cm (3 feet) von der Oberfläche angebracht war» um so die Kollimation und eine wirklichkeitsgetreue Wiedergabe der Zeichnung auf der Photomasks sicherzustellen. Nach Beendigung der Belichtung wurde das Resistmaterial auf dor Oberfläche des Bleioxydmatericle entwickalt, indem man das Schichtgefüge in das von der Saetman Kodak gelieferte Lösungsmittel sur Entwicklung des KPR-Photoreaißtmateriala eintauchte. Hach den Trocknen wurde das Schiphtgefüge 20 Minuten lang auf 90⁰C erhitzt, um da* Resistmaterial au härten. Die vordere Oberfläche des BJteioxyd-KOl-Propylen-^chioht&efügea wurde dann in einem starken Strom von Toluol * das 5 % Polystyrol in Lösung enthielt und kurs unterhalb seines Siedepunktes gehalten wurde, behandelt. Bei Anwendung άΐβοβα starken ütromes wurden die auaentwiokelt<r: und ausgewaschenen Bereiche durch den 0,051 am (2 ailo) dicken Film au« Bleioxyd und Propylen geätzt ohno oice stärkere Einkerbung, wobei ein konisches loch durch die Dicke den Bleioxydfilms «uxürt&blleb.. Die Anwof.enhait des Polystyrols war &™?jr·- ;u, ^r'lc.k«rbiü--;w>rn zn vorhtiidern» Die Betrachtung vr-t®r Subsequently, 0.102 (4 mils) thick films with a smooth surface were produced by guiding the plastic compound through calender ^{drum clay kept at 20O 0 C.} An Eastman Kodak (KFR) photoresist was then applied to one surface of this 0.051 mm (2 oils) composite film to form a dry thickness in the range of 1 to 2 microns. After the photoresist material had dried, it was exposed to a photomasice in which the drawing on the mask consisted of black circles with a diameter of 0.6 ll 'and such a geometric distribution that these black circles were 5 ° # of the area of the photomasks made out. A Cfcieckailber arc lamp "100 watts capacity, with the lamp located 91" 5 cm (3 feet) from the surface "was used for 10 minutes to collimate and faithfully reproduce the drawing to ensure the photomasks. After the exposure was complete, the resist material was developed on the surface of the lead oxide material by immersing the layer structure in the solvent supplied by Saetman Kodak for developing the KPR photoresist material. Hach the drying, the Schiphtgefüge was heated to 90 ⁰ C for 20 minutes to cure since resist material au *. The front surface of the BJteioxyd-KOl-Propylen- ^ chiohta was then treated in a strong stream of toluene * which contained 5 % polystyrene in solution and was kept well below its boiling point. When using strong currents, the outer and washed out areas were etched through the 0.051 am (2 ailo) thick film made of lead oxide and propylene ohno oice stronger indentation, with a conical hole through the thickness of the lead oxide film .enhait of the polystyrene was & ™? jr · - ; u, ^r 'lc.k «rbiü -; w> rn zn vorbeidern» The consideration vr-t®r

009830/1J*e BADOR_la,NAL009830 / 1J * e BADOR _la , NAL

dem Mikroskop sseigte, daß der Film eine Öffnung unmittelbar unter dem Rteistmaterial von etwa 0,6 Mikron aufwies, die nich auf der gegenüberliegenden Seite zu einem Loch von etwa 0_s2 Mikron varjungte. Der Strom des heißen Toluols wurde nun gegen die Rückseite gerichtet, welche die 0,2 Mikron großen Poren aufwies bis dl··« auf etwa 0,6 Mikron erweitert waren und wiederum batten die Löcher auf der gegenüberliegenden Seite eine Größe von etwa 7 Mikron, während die Gesamtfoliendicke sich auf etwa O_fO51 mm (2 mils) verringert hatte. Das Verhältniß von offener tu geschlossener Fläche betrug etwa 55 %· Nach Beendigung des Ätzverfahren« wurde das Schichtgefüg* aus der Ätelöeung entfernt und bei 90⁰C sorgfältig getrocknet· Dieses enthielt nun die in ?ig. 1 dargestellte Verstärkerschicht 18, in der der gesamte Körper des aur Vervielfältigung verwendeten Netzes aus einem Isolator bestand, der aus einer Mischung aus Bleioücyd und Kaliumchlorid bestand, wodurch es möglich war, die Vorrichtung sowohl in dem Geiger-Müller-Verfahren als auch in dem Sekundärelektronen-Emissionsverfehren su verwenden» Auf das Bleioxyd enthaltende Gitter wurde, mittels einer 2,5 Mikron starten Schicht eines selbstklebenden Klebstoffβ eine 0,076 mm (3 mils) dicke Aluminiumfolie auflaminiert «> ·sseigte the microscope that the film had an opening immediately below the Rteistmaterial of about 0.6 microns, the Not to a hole of about 0 _s varjungte on the opposite side 2 microns. The flow of hot toluene was now directed towards the back, which had the 0.2 micron pores until dl · · «were expanded to about 0.6 microns and again the holes on the opposite side were about 7 microns in size, while the total _{film thickness had decreased to about O f} O51 mm (2 mils). The proportion of open tu closed area was about 55% · Upon completion of the etching "the Schichtgefüg * from the Ätelöeung was removed and carefully dried at 90 ⁰ C · This now contained in the thirty. 1, in which the entire body of the network used for replication consisted of an insulator consisting of a mixture of lead acid and potassium chloride, which made it possible to use the device both in the Geiger-Müller method and in the secondary electron -Emissionsverfehren see below »A 0.076 mm (3 mils) thick aluminum foil was laminated onto the grid containing lead oxide using a 2.5 micron layer of a self-adhesive adhesive«> ·

Beispiel 7Example 7

In dem Geiger^Hüller-Verfahren wurde für weiche Röntgenstrahlen ic. der Größenordnung von 10 kV, wobei wiederum ein Gasgemisch aus 98 % Stickstoff und 2 % Methan verwendet tfurde, ein Verstärkungsfaktor von etwa 100 und für 100 kV-Röntgenstrahlen ein Verstärkungsfaktor von etwa 500 erhalten. Diese Vorrichtung war am wirksamsten für harte Röntgenstrahlen bei dem Sekundärelektronen-Enissionsirerfahren. So wurde beispielsweise bei 100 kV und bei Verwendung des Sekundärelektronen-Emissiönsverfahrens ein Verstärkungsfaktor von etwa 1200 erzielt.In the Geiger ^ Hüller method, ic. of the order of 10 kV, again using a gas mixture of 98 % nitrogen and 2 % methane, an amplification factor of about 100 and an amplification factor of about 500 for 100 kV X-rays. This device was most effective for hard X-rays in the secondary electron emission process. For example, at 100 kV and using the secondary electron emission method, an amplification factor of around 1200 was achieved.

Beispiel 8Example 8

Es wurde eine* Veratärlcerschicht 18 wie in Beispiel 6 hergestellt, A Veratarlcerschicht 18 was produced as in Example 6,

009830/1248 ORIQiNAL INSPECTED009830/1248 ORIQiNAL INSPECTED

« 28 ■-> «28 ■ ->

wobei diesmal jedoch anstelle von Aluminium als Elektrode zum Auflaminieren auf die Oberfläche eine Schicht aus einer O_tO51 mm (2 mile) dicken Bleifolie verwendet wurde. Sowohl in dem Gelger-Müller-Verfahren als auch in dem Bekundäreloktronen-ßniaeionaverfahren eeigte diese Vorrichtung nur eine geringe oder keine Wirksamkeit gegenüber weichen Röntgenstrahlen und sie war ein wirksamer Verstärker, beginnend bei etwa 25 kV und nahm schnell bis auf 100 kV zu. In dem Bereich dieser verhältnismäßig harten Röntgenstrahlen wurden Verstärkungen von 5OO bis 10OO sowohl bei dem Geiger-Müller-Verfahren als auch bei dem Sekundärelektronen-Smissioneverfahren erzielt, wobei die Vorrichtung den Vorteil hatte, daß sie die AufBelohnung von weichen Röntgenstrahlen verhinderte, die bei biomeditinisehen Untersuchungen sehr oft insofern nachteilig sind, als dabei für weiche Gewebe su viele Details sichtbar werden·However except that in place of aluminum as the electrode for laminating to the surface a layer of a O _t O51 mm (2 mile) thick lead foil. In both the Gelger-Muller and the beecondary electron electron ion processes, this device showed little or no effectiveness against soft X-rays and it was an effective enhancer starting at about 25 kV and increasing rapidly to 100 kV . In the range of these relatively hard X-rays, enhancements of 500 to 10000 were achieved in both the Geiger-Müller method and the secondary electron emission method, the device having the advantage of preventing the reward of soft X-rays which are found in biomedical studies are very often disadvantageous insofar as so many details are visible for soft tissues ·

Beispiel?,Example?,

Mikrokügelchen aus Glas wurden sortiert, so daß eine fraktion von Mikrokugeln aus Glas erhalten wurde, die einen Durchmesser Ton 0,5 bis 1 Mikron aufwiesen und deren Wandstärke in der Größenordnung von 0,05 Mikron lag. 50 Voluaentiile ultrafeines Bleioxyd wurden mit 50 Volumenteilen dieser Mlkroglaskugeln vermischt. 10 Volumenteile Polystyrol wurden sugegebtn und dl.· Mischung wurde mit 100 Voluaenteilen Toluol in -Sußpension gebracht und gerührt bis das Polystyrol in Lösung gegangen war. Das viskose Produkt wurde dann auf eine 0,076 mm (3 mils) starke Aluminiumfolie gegossen und mit einer Rakel auf eine Dicke von etwa 0,076 mm (3 mile) ausgestrichen* Nach 3-stttndigem Trocknen bei Raumtemperatur wurde eine Trockenschichtdick· von 0,036 mm (1,5 mils) erhalten. Das Aushärten wurde durch 30-nlnütigee Brennen bei 80⁰C vervollständigt. Die empfindliche Sohlcbt 16 mit der darauf aufgebrachten Unterschicht wurde dann auf die Verstärkerschicht 18, die aus einem Gemisch aus Bleicocyd, kleineren Mengen Polystyrol und Mi.kroglaskugeln bestand, auflaminiert.Glass microspheres were sorted to give a fraction of glass microspheres which were 0.5 to 1 micron in diameter and on the order of 0.05 microns in wall thickness. 50 parts by volume of ultrafine lead oxide were mixed with 50 parts by volume of these micro glass spheres. 10 parts by volume of polystyrene were sugegebtn and dl. Mixture was brought into sweet suspension with 100 parts by volume of toluene and stirred until the polystyrene had dissolved. The viscous product was then poured onto 0.076 mm (3 mils) thick aluminum foil and spread with a doctor blade to a thickness of about 0.076 mm (3 mile) * After drying for 3 hours at room temperature, a dry film thickness of 0.036 mm (1, 5 mils). The curing was completed by 30-nlnütigee baking at 80 ⁰ C. The sensitive sole 16 with the underlayer applied to it was then laminated onto the reinforcing layer 18, which consisted of a mixture of lead cocyd, small amounts of polystyrene and micro glass spheres.

Diese Schicht wurde wirksam bei etwa 20 kV-Rönfcgenotranion undThis layer was effective at around 20 kV Rönfcgenotranion and

009830/1243 ___n 009830/1243 __ _n

ORIGINAL INSPECTEDORIGINAL INSPECTED

wies eine Verstärkung in dar Größenordnung von 100 bis 200 für Röntgenstrahlen in dem Bereich von 50 bi3 100 kV auf, wenn das Sekundörelektronon-Emissionsrerfahren angewendet wurde= Für dae Geiger-4lüller-Verfahren betrug die Verstärkung etwa 25» had a gain on the order of 100 to 200 for X-rays in the range of 50 to 100 kV when the secondary electron emission method was used = For the Geiger-4lüller method the gain was about 25 »

Beispiel 10Example 10

47 VoIo% gelbes Bleioxyd mit einer !Teilchengröße in der Größenordnung von 0,2 Mikron und 5 VoI,% Kaliumchlorid in dem gleichen Teilchengrößenbereich, wobei die Teilchengrößeribereiche durch 10-stündiges Mahlen der Mischung in einer Kugelmühle erzielt wurden, wurden mit 45 VoI.% Polyvinylalkohol und 5 VoI »96 polymerisiert^ Glykol, β. B. Carbowax 4000, vermischt. Zu der Mischung wurden 0_t5 Gew.% Borsäure «ugegeben. Die Mischung wurde in 300 Volumenteilen Wasser dispergier1> und gerührt bis der Polyvinylalkohol und das Carbowax vollständig in Lösung gegangen waren« Diese Lösung wurde auf eine Polyäthylenfolie, die an dom Rand mit einem 0,254 mai (10 mils) hohen Wulst versehen war, so daß ein 0,205 mm (8 mils) tiefes Becken entstand, gegossen und bei Raumtemperatur trocknen gelassen bis ein fester Film gebildet war, anschließend wurde das Trocknen durch 1-stündigea Erhitzen auf 75°C vervollständigt. Es blieb eine 0,051 mm (2 mils) dicke Folie zurück, die leicht von der Polyäthylengrundschicht abgestreift werden konnte.47 % by volume yellow lead oxide having a particle size on the order of 0.2 microns and 5 % by volume potassium chloride in the same particle size range, the particle size ranges obtained by ball milling the mixture for 10 hours, were 45% by volume. % Polyvinyl alcohol and 5% vol. 96 polymerized ^ glycol, β. B. Carbowax 4000, mixed. 0 _{t of} 5% by weight boric acid were added to the mixture. The mixture was dispersed in 300 parts by volume of water and stirred until the polyvinyl alcohol and the Carbowax had completely dissolved A 0.205 mm (8 mils) deep basin was created, poured and allowed to dry at room temperature until a solid film was formed, then drying was completed by heating at 75 ° C for 1 hour. A 0.051 mm (2 mils) thick film was left which could easily be peeled off the polyethylene base layer.

Bei Verwendung der in Fig. 1 dargestellten Anordnung konnte dies«,Schicht nicht nur als Elektrode 10, sondern ι sh als Verstärkerschicht 18 fungieren. Die hauptsächlich bei dem Sekundärelektronen-Eaiaaioneverfahren für harte Röntgenstrahlen in der Größenordnung von 50 bis 100 kV ersielte Verstärkung lag innerhalb des Bereiche von 50 bJU 100» Wenn dieser Typ einer Elektrode sueanmen mit der in einem vorhergehenden Beispiel beschriebenen Bleioxyd-Kaliumchlorid-Schicht vom Höhrentyp verwendet wurd·, wurde die Verstärkung erhöht, wenn di· Polyvinylalkohol-Bleioxyd-Röhrenstruktur mit der Verstärkerechicht 18 verwendet wurde. Unter diesen Bedingungen wurden bei dem öekundärelektronen-Emissionsverfahren Verstärkungen in d©r Größenordnung von 2000 für 100 kV-Röntgenstrahlem erzielt»When using the arrangement shown in Fig. 1, this could "act not only as an electrode layer 10, but as an amplifier ι sh layer 18. The gain achieved primarily by the secondary electron hard X-ray method of the order of 50 to 100 kV was within the range of 50 bJU 100 when this type of electrode used in conjunction with the ear-type lead oxide-potassium chloride layer described in a previous example When the polyvinyl alcohol-lead oxide tubular structure with the reinforcement layer 18 was used, the reinforcement was increased. Under these conditions, gains in the order of magnitude of 2000 for 100 kV X-rays were achieved in the secondary electron emission process »

ORfGlNALORfGlNAL

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β i β ρ 1 e 1 11β i β ρ 1 e 1 11

Eine 0,076 mm (3 nulls) starke Aluminiumfolie konnte auf das in Beispiel 10 beschriebene zusammengesetzte Gefügo auflaminiert werden, indem man die Oberfläche dieses zusammengesetzten uefügeeait einem feuchten Bauawolltupfßr benetzte und die Aluminiumfolie unter leichtem Druck aufbrachte. In dioeem Falle wirkte die Aluminiumfolie als Elektrode 10 und das zusammengesetzte, Alkali enthaltende Bleioxydgefüge nahm die Form der Verstärkerschicht 18 an«. Mit Röntgenstrahlen wurde etwa die gleiche Verstärkung wie in Beispiel 10 erzielt und der Vorteil dieses Verfahrene bestand in der erhöhten Steifigkeit dieser Anordnung und dem Schutz seiner Oberfläche gegen den Angriff durch atmosphärische Feuchtigkeit,,A 0.076 mm (3 zeros) thick aluminum foil could be applied to the In Example 10 described composite structure can be laminated by the surface of this composite uefugteait a damp cotton swab and the Aluminum foil applied under slight pressure. In this case the aluminum foil acted as electrode 10 and the composite, alkali-containing lead oxide structure took the form of the Reinforcement layer 18 on «. With X-rays was about that the same reinforcement was achieved as in Example 10 and the advantage of this method was the increased rigidity of this Arrangement and protection of its surface against attack by atmospheric moisture,

Bej. β P 1 β 1 12Bej. β P 1 β 1 12

Eine Elektrode und die damit verbundene Verstärkerschicht wurden auf die in Beispiel 2 beschriebene Art und Weise aus eloxiertem Aluminium hergestellt, wobei die Verotärkerschicht 18 röhrenförmige Poren enthielt, deren Poren mit einer Mischung aus Bleioxyd und Kaliumchlorid überzogen waren. In diesem Falle wurde die photoempfindliche oder röntgenempfindliche Schicht 16 Jedoch auf ein Substrat aufgebracht, das in erster Linie aus einer Mischung aus einer größeren Menge Polyvinylalkohol mit kleineren Mengen Glykol, »„ B. Carbowax 4000, und etwa 1 % Ammoniumborat bestand. Diese Schicht war ein ziemlich guter Leiter. Es wurde der in Fi„g 4 dargestellte elektrische Anschluß verwendet, bei dem ein Anschluß zwischen der elektrode 1Q und der Elektrode 12' bei einer Spannung von I500 V hergestellt wurde, wenn bevorsugt eloxiertes Aluminium als Ver~ stärkerBchicht verwendet wurde, und es wurde ein Anschluß iwisehen der Elektrode 12' und der Elektrode 12 von 4 kV hergestellt,An electrode and the reinforcing layer connected thereto were produced from anodized aluminum in the manner described in Example 2, the Verotärkerschicht 18 containing tubular pores, the pores of which were coated with a mixture of lead oxide and potassium chloride. In this case, however, the photosensitive or X-ray sensitive layer 16 was applied to a substrate which consisted primarily of a mixture of a larger amount of polyvinyl alcohol with smaller amounts of glycol, B. Carbowax 4000, and about 1 % ammonium borate. That shift was a pretty good leader. The electrical connection shown in FIG. 4 was used, in which a connection was made between the electrode 1Q and the electrode 12 'at a voltage of 1500 V when anodized aluminum was used as a reinforcement layer, and it became a Connection made with electrode 12 'and electrode 12 of 4 kV,

Beispielexample

Das in Beinpie* 12 beschriebene,teilweise elektrisch leitfähige SubBtrat (8chioht 14) wurde in einer Dicke von 0,102The partially electrically conductive substrate (8chioht 14) described in Beinpie * 12 was made with a thickness of 0.102

009 830/1248 bad original009 830/1248 bad original

(5 mile) verwendet. Auf die Oberfläche dieses teilweise leitfähigen Substrats wurde Aluminiumaotall in einer Stärke aufgedampft, die etwa 1/4 dieser Sicke entspracht die eine Lichtdurchlässigeit von etwa 60 bis 70 % aufwies trotz des metallischen Charakters des aufgedampften Aluminiums<, Danach wurde die in Beispiel 1 beschriebene empfindliche Schicht auf eine Schicht 12 aufgebracht und das ßchichtgefügo einschließlich des eloxierten Aluminiums iait der damit verbundenen AluxBiniumunt er schicht* wie sie in Beispiel 2 beschrieben ist, wurde oben auf die Schicht 16 gebracht. Bann wurde zwischen den Schichten 10 und 12»wie in Fig. 5 geaeigt, ©in Elektrodenanschluß hergestellt mit einer Spannung von etwa 1200 V. Die Schicht 10 wurde positiv oder negativ aufgeladen, je nachdem, ob das Geiger-Müller- oder das Sekundärelektronen* Etaissionsverfahren angewendet wurde. Die Schicht 14 wurde geerdet.(5 mile) used. On the surface of this partially conductive substrate, aluminum was evaporated to a thickness corresponding to about 1/4 of this bead, which had a light permeability of about 60 to 70 % despite the metallic character of the evaporated aluminum. The sensitive layer described in Example 1 was then applied applied to a layer 12 and the layer structure including the anodized aluminum ia with the associated AluxBinium lower layer * as described in example 2, was placed on top of layer 16. Bann was placed between layers 10 and 12 »as in Fig. 5, © produced in electrode connection with a voltage of about 1200 V. Layer 10 was charged positively or negatively, depending on whether the Geiger-Müller or the secondary electrons * Etaission procedure was applied. Layer 14 was grounded.

if it den in Fig. 5 dargestellten Anschlüssen wurde etwa die gleiche Verstärkung erzielt wie unter den in Fig. 1 dargestellten besten Bedingungen, bei denen sehr viel höhere Spannungen an das gesamte Schichtengefüge angelegt wurden.if it the connections shown in Fig. 5 was about the the same gain achieved as under the best conditions shown in FIG. 1, in which very much higher Stresses were applied to the entire layer structure.

009830/1248 bad ori_G|_NAL 009830/1248 bad ori _G | _NAL

Claims (1)

PittntaoBprflchePittntao review Rßntgenbildverstärker, gekennzeichnet durchX-ray image intensifier, characterized by a) eine erete Einrichtung sur Absorption der aus einer Runtgenstrahlungsquelle auftreffenden Röntgenstrahlen,a) a first device for the absorption of one X-ray source incident X-rays, b) eine aweite Einrichtung aur Umwandlung der auftreffenden Röntgenstrahlen mit Hilfe der ersten Einrichtung in Elektronen und/odor geladene Teilchen,b) an additional device for converting the incident X-rays with the aid of the first device into electrons and / or charged particles, c) eine dritte Einrichtung sur Vervielfachung der Anzahl der Elektronen und/oder geladenen Veilchen,c) a third device to multiply the number of electrons and / or charged violets, d) eine vierte Einrichtung sur Beschleunigung der Elektronen und/oder geladenen Teilchen undd) a fourth device for accelerating the electrons and / or charged particles and e) einen Fhotorezeptor, der so angeordnet ist, daß er die durch die zweite Einrichtung freigesetzten Elektronen und/oder geladenen Teilchen aufnimmt,e) a photoreceptor arranged to absorbs the electrons and / or charged particles released by the second device, nobel die erete Einrichtung, die zweite Einrichtung und der Photoreseptor jeweils in Form dünner Schichten vorliegen, die la form von einander benachbarten Lamellen angeordnet sind«noble the first establishment, the second establishment and the Photoreseptor are each in the form of thin layers that la form of adjacent slats are arranged " 2· Böntgenbildverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekenn-Mlohnrt, dal er eine Spannungsquelle aufweist, die mit einer ersten Einrichtung so verbunden ist, daß ein elektrisches Feld entsteht, das sieh, über die Röntgenbild-Yerstärkungsvorrichtung erstreckt.2 · X-ray image intensifier according to claim 1, characterized in that it has a voltage source which is connected to a first device is connected so that an electric field is generated which see through the X-ray image intensifying device extends. 3· Röntgenbildveretärktr nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dafi er außerdem einen den Photorezeptor tragenden Isolierenden Fllmsohiohtträger und auf der dem Photorezeptor gegenüberliegenden 8oite des Filmschichtträgere eine elektrisch leitfähige Schicht aufweist.3. X-ray image carrier according to claim 1, characterized in that it also has a photoreceptor Insulating film substrate and on the photoreceptor opposite 8oite of the film backing one electrically Has conductive layer. 4. BSntgenbildverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Einrichtung eine dünne Metallfolie ist.4. X-ray image intensifier according to claim 1, characterized in that the first device is a thin metal foil. 5· RöntgenbildverstUrker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet ,' daß die erste Einrichtung eine dünne Schicht ist, in5. X-ray image intensifier according to claim 1, characterized in that the first device is a thin layer in 009830/1248009830/1248 BAD ORIGINALBATH ORIGINAL der Teilchen von Blei» W5.Bnmt_r Uran<, Thorium oder lhreii Oxyden in einera einen PiIm bildenden Kunststoff dispergierfc sind,the particles of lead "W5.Bnmt uranium _r <, thorium or lhreii oxides in einera a Piim forming plastic are dispergierfc, 6-. Kön'cgenbildverstäi-kex· nach Anspruch 5« dadurch gekennzeichnet» daß die dispergieren Teilchen etwa 20 bis etwa 50 d?.sser Schicht auamachsn^6-. Koen'cgenbildverstäi-kex · according to claim 5 «characterized» in that the dispersed particles about 20 to about 50 the layer auamachsn ^ 7n Vorrichtung nach Anspruch I₅ dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung ein zwischen der ersten Einrichtung und dem Photoroseptor befindlicher,, ein Gas enthaltender Bereich ißt, der die erste Einrichtung und den Photorejeeptor in den gewünschten Abstand zueinander bringt„7n Device according to Claim I _5, characterized in that the second device has an area which is located between the first device and the photoroseptor and contains a gas which brings the first device and the photoreceptor into the desired distance from one another. 8, Vorrichtung nach Anspruch I₉ dadurch gekennzeichnet, daß sich Mikrokanäle durch die zweite Einrichtung und die Photorezöptorschicht erstrecken«8, device according to claim I _9, characterized in that microchannels extend through the second device and the photoreceptor layer « 9° Vorrichtung nach Anspruch β, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung eine von Kanälen durchzogene Schicht ist, in der die Poren einen Durchmesser von O»5 bis 2 Mikron aufweisen und der Abstand zwischen den Poren nicht mehr ale 50 % dee Oorchmessera der einzelnen Poren beträgt, wobei die Schicht 25 bis 50 Mikron dick iet_o 9. Device according to claim β, characterized in that the second device is a layer with channels running through it, in which the pores have a diameter of O »5 to 2 microns and the distance between the pores is no longer 50 % of the diameter of the individual Pores, the layer being 25 to 50 microns thick iet _o 10, Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung eine Schicht ist, die bia zu 50 VoI>% ßleioxydteilchen enthältο10, device according to claim 1, characterized in that the second device is a layer which contains up to 50 % by volume>% ßleioxydteilchen o 11. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die iweite Einrichtung aus einer Mischung aus Bleioxydteilchen und in Polystyrol dispergieren Mikroglaekugoln beet eh t .11. The device according to claim 1, characterized in that the iweit device consists of a mixture of lead oxide particles and dispersing microglaekugoln beds in polystyrene eh t. Vorrichtung nach Anspruch 1₉ dadurch gekennzeichnet, daß di· zweite Einrichtung aus einer Dispersion von in einem eynthetinchon Polymerißat disporgiorten Bleioxydteilehen besteht οDevice according to Claims 1 _9, characterized in that the second device consists of a dispersion of lead oxide particles dispersed in an eynthetinchon polymer ο 009030/12*8009030/12 * 8 13β Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung auch ·> bie 20 Gewr.JS eines Alkali metall- oder Erdolkalimetitllhalogeiiids enthält·13β device according to claim 12, characterized in that that the second device also ·> at 20 Gewr.JS of an alkali contains metal or petroleum alkali metal halides 14. Vorrichtung nach Anspruch 3« dadurch gekennseichnet, daß dio zweite Einrichtung eine hob· Bloiglae3chicht mit Mikrokanälen ist, die «wischen der ersten Einrichtung und den Photorezeptor liegt·14. The device according to claim 3 «characterized thereby, that the second facility raised a bloiglae3chicht with Microchannels that lie between the first device and the photoreceptor 15· Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die «reite Einrichtung eine Aluminiumoxjdnatrix ist, die •ine groß« Anzahl ron Mikrokanälen alt geraden Winden ent* halt.15. Device according to claim 8, characterized in that that the "internal device is an aluminum oxide matrix that • A large number of micro-channels from straight winds developed * stop. 16· Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Einrichtung oine dünn· Metallfolie, die iweite Einrichtung eine dünne Schicht alt Mikrokanälen Bit geraden Wanden ist, die lieh durch dioso Schicht von der ersten Einrichtung bis zur Pbo tore ζ opt or schicht crstroolcen und daß dio sweite Einrichtung eandwichartig von der ersten Einrichtung und der Photoreseptorschicht eingeschlossen wird.16. Device according to claim 1, characterized in that that the first device o a thin · metal foil, the width Establish a thin layer of old micro-channels bit straight Wanden is that borrowed by dioso layer from the first establishment to Pbo tore ζ opt or schicht crstroolcen and that dio Wide establishment similar to that of the first establishment and including the photoresistive layer. 17· Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die sweite Einrichtung eine eloxierte Oxydschicht ist, in der di· Poren der eloxierten Schicht in ihrer Größe dadurch erweitert worden sind, daß sie nach der Herstellung durch Eloxierung duroh Xtaen auf eine Porengröße von 0,1 bis 0,8 Mikron und ein Verhältnis von offener au geschlossener Fläche 8wischen $O und 70 % vergrößert worden sind.Device according to claim 8, characterized in that the second device is an anodized oxide layer in which the pores of the anodized layer have been enlarged in size by being reduced to a pore size of 0 after production by anodizing. 1 to 0.8 microns and an open to closed area ratio of between $ 0 and 70 % have been increased. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Porengröße 0,2 bis 0,5 Mikron beträgt, daß die Schicht etwa 25 bis etwa 50 Mikron dick ist und das Verhältnis von offoner su geschlossener Fläche etwa 50 % beträgt·18. The device according to claim 17, characterized in that that the pore size is 0.2 to 0.5 microns, that the layer is about 25 to about 50 microns thick, and the ratio of offoner su closed area is about 50% 19» Vorrichtung nach Anspruch 17* dadurch gekennzeichnet, daß sie «in Röntgenstrahlen absorbierendes Material aufweist, das auf die Wände der Poren aufgetragen ist.19 »Device according to claim 17 * characterized in that that it has X-ray absorbing material applied to the walls of the pores. 009830/12*8 BADOR,_eiNAL 009830/12 * 8 BADOR, _ONE *e* ΤΊ «"- * e * ΤΊ «" - 20. Vorrichtung nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet_s daß sie als Röntgenstrahlen absorbierendes Material ein Blei-, Wismut-, Thoriuzt- oder Uranox^d enthält und daß die Schicht etwa 0,05 Mikron dick ist „20. The device of claim 19 'characterized in that they contain as _s X-ray absorbing material comprises a lead, bismuth, or Thoriuzt- Uranox ^ d and that the layer about 0.05 microns thick " 21· Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der zweiten Einrichtung und den Photorezeptor eine Elektrode angebracht ist·21 · Device according to claim 1, characterized in that that between the second device and the photoreceptor an electrode is attached 22. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Spannungsquelle nur mit einem Teil der Vorrichtung in Verbindung steht„ 22. The device according to claim 21, characterized in that that a second voltage source is only connected to part of the device " 23t Vorrichtung nach Anapruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Spannungnquelle mit der Elektrode und der ersten Einrichtung in Verbindung steht·23t device according to Anapruch 22, characterized in that that the second voltage source with the electrode and the is in contact with the first institution Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Spannungsquelle mit der Elektrode und einer Außenfläche der Vorrichtung und eine zwoito Spannungequolle mit der Elektrode und dor gegenüberliegenden Auflonflache der Vorrichtung in Verbindung steht.Device according to claim 21, characterized in that that a first voltage source with the electrode and an outer surface of the device and a two-way voltage source with the electrode and the opposite surface Device is in communication. * 0 * 0 25· Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die folgende Schichtenfolge:25 · Device according to claim 1, characterized by the following sequence of layers: a) Elektrodenschicht zur Absorption der Röntgenstrahlen,a) electrode layer for absorption of X-rays, b) Schicht zur Umwandlung und Verstärkung der Röntgenstrahlen, b) X-ray conversion and amplification layer, c) Photoreseptorschicht,c) photoresceptor layer, d) Elektrodenschicht,d) electrode layer, e) schlecht isolierende Grundschicht,e) poorly insulating base layer, und eine Spannungsquelle, welche die Schicht α) mit der Schicht d) verbindet, wobei die Schicht e) geerdet ist.and a voltage source, which the layer α) with the layer d) connects, the layer e) being grounded. 26ο Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch den folgenden Schichtaufbau!26ο Device according to claim 1, characterized by the following layer structure! 0 0 9 8 3 0 / 1 2 U Β BAD ORIGINAL0 0 9 8 3 0/1 2 U Β BAD ORIGINAL a) Elektrodonschicht aur Absorption der Röntgenstrahlen,a) Electrodon layer for the absorption of X-rays, b) Schicht zur Umwandlung und Vsrßtärlcunq; der Röntgenstrahlen,b) layer for conversion and exposure; the x-rays, o) Photoreseptorschicht,o) photoreseptor layer, d) schlecht isolierende Gnmdschicht ,d) poorly insulating base layer, e) Elektrodenschicht,e) electrode layer, und «ine Spannungequelle, welche die Schicht a) mit der Schicht d) verbindet, wobei die Sohleht e) geerdet ist.and a voltage source which connects the layer a) with the layer d) connects, the sole e) being grounded. 27· Verfahren but Herstellung einer Verstärkerschicht für •tos RöntgenbildTeretärkervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß man eine saubere Aluminiumfolie herstellt, diese Folie in •inen Oxalsäurebad boi Eloxierepannungon awischon 100 und 300 V und Stromstärken ron 5 bis 15 Ampere pro dm anodisch ätzt unter Bildung einer porösen Oxydoberflache auf der Folie, wobei diese Oberfläche etwa 0,OJI bis etwa 0,076 na (2 bis 3 ails) diok ist und eine große Anzahl von Kanälen aufweist, die sich Ton der äußeren Oberfläche bis zur Foliengrundschicht durch dan film erstrecken, und daß man die Porosität dieser Oberfläche durch weiteres Ätzen derselben zur Vergrößerung dos Durchmessers der Kanäle auf einen Wert swiochen etwa 0,1 und etwa 0,8 Mikron erhöht, wobei man ale Frodukt eine Schiebt erhält, die lfikrokanäle mit geraden Seitenwänden auf weißt und sich auf einer feeten Unterlage mit ausreichender Dicke befindet, um den strukturellen Zuaasmcnholt dec Produkt."» auf» recht zuerhalt en.27 · Process but production of a reinforcement layer for • tos X-ray image intensifier device, characterized in that that a clean aluminum foil is produced, this foil in an oxalic acid bath boi anodizing voltage of 100 and 300 volts and anodically etches currents of 5 to 15 amperes per dm with the formation of a porous oxide surface on the foil, this surface from about 0. OJI to about 0.076 na (2 to 3 ails) diok and has a large number of channels that are The tone of the outer surface goes through to the base layer of the film then extend the film, and that the porosity of this surface by further etching the same to enlarge dos The diameter of the channels to a value between about 0.1 and about 0.8 microns increased by pushing each product received, the microchannels with straight side walls on white and is on a firm surface of sufficient thickness to allow the structural addition of the product. "» on » right to be obtained. 28· Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß man außerdem die beim weiteren Ätzen erhaltenen Kanäle in der Schicht mit einer Bloi-, Wismut-, 2horiun» oder U.ranverbindung tibersieht.28 · The method according to claim 27, characterized in that In addition, the channels in the layer obtained during further etching are made with a bloi, bismuth, 2horiun, or uranium compound overlooks. 29· Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß man außerdem die beim weiteren Ätzen erhaltcneu Kanäle in der Schicht mit einer Mischung überzieht, die einen Röntgenstrahlen» absorber und einer. Emitter für Sokundürolektronen enthält«29 · The method according to claim 27, characterized in that you also get the new channels in the etching process Layer covered with a mixture containing an X-ray absorber and a. Emitter for base electrons contains " 0 0 9 $ 3 0 / 1 2 I 9 0 0 9 $ 3 0/1 2 I 9 BAD ORIGINALBATH ORIGINAL Verfahren nach Anspruch 27t dadurch gekennzeichnet_s daß man das dabei erhaltene ProduktThe method of claim 27t wherein _s that the product thus obtained a) in oiner Wasserstoffatinosphärö bei etwaa) in a hydrogen atmosphere at approx 1 Stunde lang einer Wärmebehandlung untersieht,Undergoes heat treatment for 1 hour, b) auf Raumtemperatur abkühlt undb) cools to room temperature and o) daa Gae in den Poren durch eine Atmosphäre ersetzt_r die aua etwa 93 % Stickstoff und etwa 2 % Methan besteht. o) daa Gae _r replaced in the pores by one atmosphere AUA about 93% nitrogen and about 2% of methane is. 31. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß man daß dabei erhaltene Produkt anschließend31. The method according to claim 27, characterized in that one then obtained the product a) in eiaer Waflseretoffatmosphäre bei eteta 55O⁰C etwa 1 Stunde lang einer Wärmebehandlung unterzieht,a) subjecting it to a heat treatment for about 1 hour in a hot water atmosphere at about 55O ^{0 C,} b) auf Bauatemperatur abkühlt undb) cools to construction temperature and c) durch Evakuieren dao Gas aua den Poren entfernt.c) the pores are removed by evacuating the gas. 32» Verfahr«! nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet» daß nach dem Ätzen grur Herstellung von Hikrokanälen mit einer Größe »wischen etwa 0,5 und etwa 0,6 Mikron im Durchmesser und einen Verhältnis von offener jbu geschlossener Fläche von etwa 50 bia etwa 70 % die Mikrokanale mit einsr Lösung aus Blei-, Wismut-, Thorium- oder Uranacetat imprägniert und dann erhitzt werden unter Bildung einer gleichmäßigen Oxidschicht, welche die Mifcrokanäle auekleidet.32 "Traversing"! according to claim 28, characterized in that after the etching microchannels are produced with a size between about 0.5 and about 0.6 microns in diameter and a ratio of open to closed area of about 50 to about 70 % with the microchannels impregnated with a solution of lead, bismuth, thorium or uranium acetate and then heated to form a uniform oxide layer which lines the microchannels. 33* Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Imprägniarungelösung eine kleine Menge-einer gelösten Alkalimetall- oder SrdalkalimGtallverbindung e.nthält.33 * Method according to claim 23, characterized in that the impregnation solution a small amount - one dissolved Contains alkali metal or alkaline earth in the metal compound e. 54-0 Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß aan etwa 30 Minuten lang auf etwa 15Q^CC und anschließend etwa 30 Minuten lang auf etwa 50O⁰C erhitzt»54-0 The method according to claim 32, characterized in that aan is heated to about 15 ° ^C for about 30 minutes and then to about 50O ⁰ C for about 30 minutes » 35* Vorfahren nach Anspruch 28, riwliirch gekennzeichnet, daB nach <1em Ätzern ^ir HcrotelluDg vom Mikrolcaaälon mit eiiioi? Größe 3twn 0,5 und etwa OjG Mikron i.m DurchmcBoej? rnid einem35 * Ancestors according to claim 28, riwliirch characterized, that after <1em etching ^ ir HcrotelluDg of the micro caaälon with eiiioi? Size 3twn 0.5 and about OjG microns in diameterBoej? rnid one 00Ö830/124 8 BAD ORIGINAL00Ö830 / 124 8 ORIGINAL BATHROOM Verhältnis von offener üu geschlossener Fläche von etwa 50 bis etwa 70 % die Mikrokanäle mit einer Lösung imprägniert werden, die eine größere Menge Blei-, Wismut-, Thorium- oder Uranacetat und eine kleine Menge einer gelösten Alkalimetall- oderRatio of open to closed area of about 50 to about 70 % the microchannels are impregnated with a solution containing a larger amount of lead, bismuth, thorium or uranium acetate and a small amount of a dissolved alkali metal or manman Erdalkalimetallrerbindung enthält, und/diese dann erhitzt zur Herstellung einer gleichmäßigen Schicht, welche die Hikrokanäle auskleidet, wobei man die imprägnierte Schicht etwa 30 Minuten lang auf etwa 15O⁰C und otwa 30 Minuten lang auf etwa 500⁰C erhitzt.Contains Erdalkalimetallrerbindung, and / these then heated to prepare a uniform layer, which lines the Hikrokanäle to give the impregnated layer for about 30 minutes to about 15O ⁰ C and heated OTWA 30 minutes to about 500 ⁰ C. 36. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß man ale Impräßcierungslösung eine nicht-wäßrige Lösung verwandet, die ein Blei-, Wiemut-, Thorium- oder Uranacetat, Thioharnstoff und ein in einem Alkohol gelöstes Alkalimetallhydroxid enthält, wobei aich die Lösung in Form eines Filme aue Schwermetalleulfiden innerhalb der Mikrokanäle niederschlägt.36. The method according to claim 32, characterized in that ale impregnation solution is used a non-aqueous solution containing a lead, wiemut, thorium or uranium acetate, Contains thiourea and an alkali metal hydroxide dissolved in an alcohol, the solution being in the form of a film Aue heavy metal sulfides precipitate within the microchannels. 37· Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet * daß dan Produkt gewaschen und daun getrocknet und dann in einer Schwefelwasserstoff enthaltenden Atmosphäre gebrannt wird.37 · Method according to claim 36, characterized * that Then the product is washed and dried and then in a Atmosphere containing hydrogen sulfide is burned. 38. Verfahren but Herstellung einer Röntgenbildverstärkei*- vorriehtung, dadurch gekennzeichnet, daß man eine röntgenempfindliobe Schicht auf einen Polyesterfilmschiohtträger aufbringt und das dabei erhaltene Bchiohtgefügo zwischen ,eine dem fllmsohicbttrüger benachbart angebrachte Aluminiumfolie und ein· eloxierte Aluminiumfolie laminiert, bei der die eloxierte Oberfläche der röntgenempfindlichen Schicht zugewendet38. Process for producing an X-ray image intensifier * - Provision, characterized in that an X-ray sensitive layer is applied to a polyester film support applies and the resulting structure between, a Aluminum foil attached adjacent to the film holder and laminated an anodized aluminum foil with the anodized surface facing the X-ray sensitive layer 39. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß man das Laminat herstellt, an da« Laminat eine Oleiohstromepannung anlegt und das Laminat mit Röntgenstrahlen belichtet, wahrend dna Laminat unter Spannung steht.39. Use of the device according to claim 38, characterized in characterized that the laminate is produced on the laminate applying an electrical current and exposing the laminate to X-rays while the laminate is under tension. Verwendung nach Anspruch ?ft_t dadurch geV:onii7.oichuct, daß man Rwinchon dor hi narren nwd vorderer EloktroAe eine Oloichntrö!nnparjiune von Λ¹) kV anlegt, woboi die AluniniuiagranclUse according to claim? Ft _t geV: onii7.oichuct, that Rwinchon dor hi fools nwd front EloktroAe an Oloichntrö! Nnparjiune of Λ ¹ ) kV is applied, whereby the Aluniniuiagrancl 0 9 8 3 0/1248 BAD original0 9 8 3 0/1248 BAD original echicht der eloxierten Schicht gegenüber der Filmunterßcbichtelektrode positiv ist, und daß man diese Verrichtung mit Röntgenstrahlen aus einer bei 10 kV betriebenen Wolfraaröhre belichtet.The layer of the anodized layer opposite the film undercoat electrode is positive, and that one can do this with X-rays from a Wolfraa tube operated at 10 kV exposed. Verwendung nach Anspruch 38» dadurch gekennzeichnet, daß man die eloxierte Oberfläche ätzt zur Herstellung einer erhöhten Porengröße, daß nan die erweiterten Poren mit einer Losung imprägniert, die einen Röntgenstrahlenabsorber und einen Emitter für Sekundärelektronen enthält» daß man di© imprägnierte Anordnung zur Trocknung des Produkts erhitzt und das Innere der Poren der Folie mit einem Überzug versieht, daß man die photoempfindlicho Schicht auf diese Folie auflaminiert, wobei die photoempfindliche Schicht aus einer Unterschicht und einer auf dieser Unterschicht abgelagerten röntgeneapfindliehen Schicht besteht, in der die isolierende Unterschicht auf die iepi'ägnierten Poren aufgebracht ist, und daß Eian diese Schicht anordnung sur Laminierung in einem Vakuum hält und daß dabei erhaltene Laninat mit Röntgenstrahlen belichtet. Use according to claim 38 »characterized in that that the anodized surface is etched to produce a increased pore size that nan the enlarged pores with a Impregnated solution containing an X-ray absorber and contains an emitter for secondary electrons »that one di © impregnated arrangement heated to dry the product and provided the inside of the pores of the film with a coating, that the photosensitive layer is laminated onto this film, the photosensitive layer comprising an underlayer and one deposited on that underlayer X-ray sensitive layer consists in which the insulating Sub-layer is applied to the iepi'ägnierten pores, and that this layer arrangement sur lamination in a vacuum holds and that the resulting laninate is exposed to X-rays. 42. Verwendung nach Anspruch ^ιΆ , dadurch gekennzeichnet, daß man außerdem an das laminat eine Gleichstromspannung von Ί5 kV anlegt« wobei die untere Aluminiumfolie negativ gehalten und das Laminat mit Röntgenstrahlen bolichtet wird, während die Spannung an dem Laminat liegte42. Use according to claim ^{ι Ά,} characterized in that in addition laminate applies a direct current voltage of Ί5 kV to the "wherein the lower aluminum foil kept negative and the laminate is bolichtet with X-rays, while the voltage at the laminate liegte Verfahren zur Herstellung eines Röntgenbildvörstärkere, dadurch gekennzeichnet, daß man eine dünns Folie herstellt, die auB einer Mischung aus einer größeren Menge eine id Blei-, Wißumt-, Thorium- odar UraiJciKydc und eo.nej? kleineren Menge eines Alkalimetall- oder Erdalkalimetallhologenide besteht tmd gleichmäßig in einer synthetischen Polymerisatmatrix dis·» pergiert ist, daß man auf diono FoIiG oin Resistmaterial aufbringt, daß man diese Folie srar Herstellung von sich durch die Folie erstreckenden »ikrokanälcn «ätzt, daß man das Resistmaterial her auewäscht vind die Poren vergrößert, indem man auf die Folie'ei» IiÖBungoraittel aufbrinfirt, um ao ©ine Folie mitProcess for the production of a stronger X-ray image, characterized in that a thin film is produced which, from a mixture of a large amount, contains an id lead, knowledge, thorium or uraijciKydc and eo.nej? minor amount of an alkali metal or Erdalkalimetallhologenide consists tmd uniformly in a synthetic polymer matrix dis · »is pergiert, applying to diono FoIiG oin resist material that SRAR preparation, ikrokanälcn this film from extending through the film""etches in that the resist material The pores are washed out and the pores are enlarged by applying anti-inflammatory agents to the film to add to the film BAD ORIQINALBATH ORIQINAL ~ 40~ 40 einer Dicke von etwa 0,0^1 mm zu erzielen, welche Poren mit einem Durchmesser von etwa 0,6 Mikron aufweist und bei der die Anzahl der Poren so groß ist, daß das Verhältnis von offener BU geschlossener Fläche etwa 50 bis etwa 70 # beträgt, und daß man auf die dabei erhaltene poröse Folie eine dünne Metallfolie auflaminiertοto achieve a thickness of about 0.0 ^ 1 mm, which pores with about 0.6 microns in diameter and where the The number of pores is so large that the ratio of open BU to closed area is about 50 to about 70 #, and that a thin metal foil is laminated onto the porous foil obtained in this way 44. Verfahren zur Herateilung οine3 Röntgenbildverstärkers, dadurch gekennzeichnet, daß man44. Procedure for the division of an X-ray image intensifier, characterized in that one a) eine dünne Folie herstellt, die aus einer Mischunga) produces a thin film that consists of a mixture aus Uikroglaskugeln und gleichmäßig in einer PoIystyrolmatrix verteiltem Bleioxyd besteht, undconsists of micro glass spheres and lead oxide evenly distributed in a polystyrene matrix, and b) daß man diese dünne Folie aus einem röntgenempfind-Hohen Film, der einen photoempfindlichen Überzug aufweist, auf einen synthetischen Polymerisatschichtträger auflaminiert·b) that this thin sheet of a X-ray sensitive film, which is a photosensitive coating has, laminated onto a synthetic polymer support 45· Verfahren zur Verstärkung eines Röntgenbildes, dadurch gekennzeichnet, daß man45 · Method of enhancing an X-ray image, thereby marked that one a) ein laminiertes Produkt gemäß Anspruch 44 herstellt,a) produces a laminated product according to claim 44, b) an diese3 Laminat eine Gleichstromspannung anlegt und o) dieses Laminat alt einem Röntgenbildmotlv belichtet,b) apply a direct current voltage to this3 laminate and o) this laminate is exposed to an X-ray image, während es unter Spannung steht»while it is under tension » 46. Verfahren zur Herstellung einer kompakten Vorrichtung alt dünnen Schichten, die zur Verstärkung der Wirkung der Belichtung alt Röntgenstrahlen gaeignet ist, dadurch gekennzeichnet, daß sie mehrere dünne Schichten mit einem sandwichartigen Aufbau zwischen zwei Elektroden in der folgenden Reihenfolge .enthält:46. Method of manufacturing a compact device alt thin layers which are suitable for intensifying the effect of exposure to X-rays, characterized in that it contains several thin layers sandwiched between two electrodes in the following order: a) eine erste Elektrode, eine Röntgenstrahlenabsorberechicht,a) a first electrode, an X-ray absorber layer, b) eine Veratiirkerschicht,b) a processing layer, c) eine ladungsempfindlicho Schicht,c) a charge-sensitive layer, d) eine Isol&torschicht undd) an insulating layer and e) eins zweite Elektrode»e) a second electrode » 47· Verfahren nucli Anspruch 46, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode eine Metallschicht ist.47 · Process nucli claim 46, characterized in that the second electrode is a metal layer. BAD ORIGINALBATH ORIGINAL ^09830/1248^ 09830/1248 48. Verfahren naoh Anspruch 46, dadurch gekennzeichnet, d$ß die »weit· Elektrode durch Aufstreichen oder durch Aufdampfen, is Takuum mit der Schicht d) verbunden lot. 48. The method according to claim 46, characterized in that the electrode is connected to the layer d) by painting or by vapor deposition. BAD ORIGINALBATH ORIGINAL LeerseiteBlank page