DE19961970A1 - Production of optical switches comprises electrolytically etching nanostructured regions made of doped semiconductor material - Google Patents
Production of optical switches comprises electrolytically etching nanostructured regions made of doped semiconductor materialInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung optischer Schaltungen durch feldgeführte elektrolytische Ätzung nanostrukturierter Bereiche aus einem Halbleitermaterial.The invention relates to a method for manufacturing optical circuits through field-guided electrolytic Etching of nanostructured areas from one Semiconductor material.
Photonische Kristalle bestehen aus periodisch in kleinsten Abmessungen strukturierten Materialien zur geometrischen Definition von Bandlücken für die Ausbreitung von Licht. Durch spezielle Strukturen können Spiegel, Filter, Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler, Koppler, Weichen und optisch selektiv wirkende Resonatoren für Mikro-Laser erzeugt werden. Die optischen Eigenschaften der Bauelemente werden dabei stets durch die Strukturierung des Materials durch Lochanordnungen, Defekte und andere Strukturelemente bestimmt.Photonic crystals consist of periodically in the smallest Dimensions of structured materials for geometric Definition of band gaps for the propagation of light. Thanks to special structures, mirrors, filters, Resonators, waveguides, beam splitters, couplers, switches and optically selective resonators for micro lasers be generated. The optical properties of the components are always due to the structuring of the material through hole arrangements, defects and other structural elements certainly.
Zur Herstellung derartig fein strukturierter Festkörper werden Ätztechniken in trockenen und nassen Verfahren, sowie der dreidimensionale Schichtaufbau durch lithografische oder Depositions-Verfahren, wie Sputtern und additive dreidimensionale Lithografie mit Elektronen- oder Ionenstrahlen, eingesetzt. Diese Verfahren sind bekannt (Yablonowitz, John, Lin, Lehmann, Grüning, Birner, Koops SPIE). Siehe dazu den Übersichtsartikel in Physikalische Blätter 55, 1999, Nr. 4, 27-33. For the production of such finely structured solid bodies are etching techniques in dry and wet processes, as well the three - dimensional layer structure by lithographic or Deposition processes, such as sputtering and additive three dimensional lithography with electron or Ion beams. These methods are known (Yablonowitz, John, Lin, Lehmann, Grüning, Birner, Koops SPIE). See the review article in Physical Sheets 55, 1999, No. 4, 27-33.
Die lichtleitenden Kanäle eines hochselektiven photonischen Kristalls müssen eine Tiefenausdehnung von wenigstens der zehnfachen Lichtwellenlänge aufweisen. Bei der Anwendung chemisch abtragender Verfahren erfolgt neben einem Abtrag in der Tiefe gleichzeitig auch eine Aufweitung der gefertigten Strukturen. Durch elektrolytisches Ätzen lassen sich Lochstellen und Kanäle in einem Material mit einem Durchmesser bis hinunter zu einem Drittel der Wellenlänge des zu beeinflussenden Lichts (sichtbar oder infrarot) fertigen, so daß zur Herstellung der gewünschten Tiefenabmessungen der Kristallstruktur mittels dieser Verfahren wenigstens ein Tiefen-zu-Durchmesser-Verhältnis T/D von 30 erreicht werden muß.The light-guiding channels of a highly selective photonic Crystal must have a depth of at least that have ten times the wavelength of light. When using chemical ablation processes are carried out in addition to ablation in the depth also an expansion of the manufactured Structures. By electrolytic etching Holes and channels in one material with one Diameters down to a third of the wavelength of the light to be influenced (visible or infrared) manufacture so that to produce the desired Depth dimensions of the crystal structure using this Process at least one depth-to-diameter ratio T / D of 30 must be achieved.
Mit beispielsweise durch Japan Journal of Applied Physics, Vol. 33 (1994), Seiten 7099-7107 und SPIE, Vol. 2849 (1996), S. 248 bekannten lithografischen Verfahren lassen sich bestenfalls Werte von T/D bis etwa 5 herstellen. Auch mit additiver Nanolithografie durch elektronen- und ionenstrahlinduzierte Deposition können nur T/D-Werte bis etwa 20 erreicht werden. Durch elektrolytisches Ätzen (Lehmann, Grüning und Birner) können dagegen bei den gewünschten Größenverhältnissen Kanäle mit einem Tiefen-zu-Durchmesser-Verhältnis (T/D) von über 100 gefertigt werden, so daß dieses Verfahren zur Herstellung der angesprochenen Kristalle hervorragend geeignet ist.With, for example, the Japan Journal of Applied Physics, Vol. 33 (1994), pages 7099-7107 and SPIE, Vol. 2849 (1996), P. 248 known lithographic processes can be at best, produce values from T / D to about 5. Also with additive nanolithography by electron and Ion beam induced deposition can only have T / D values up to about 20 can be reached. By electrolytic etching (Lehmann, Grüning and Birner), however, can with the desired proportions channels with a Depth-to-diameter ratio (T / D) of over 100 are manufactured so that this method of manufacture of the crystals mentioned is extremely suitable.
Dabei werden durch lithografische Strukturierverfahren, wie optische oder Korpuskularstrahlen-Lithografie (Bestrahlung mit anschließender naßchemischer Entwicklung), nanostrukturierte Muster in Form von Lochanstichen in eine das Material abdeckende Maskierungsschicht (Positivlack) eingebracht. Bei einem ersten Ätzschritt werden sodann die in der Maskierungsschicht befindlichen Löcher zu spitz zulaufenden Ätzgruben geringer Tiefe und mit einer durch die kristallografische Orientierung des Materials definierten geometrischen Struktur und Form in die Oberfläche des Materials eingebracht. Danach werden die Kristallkanäle durch lichtunterstützte elektrolytische Ätzung mit Feldführung gefertigt.Here, by means of lithographic structuring methods, such as optical or corpuscular beam lithography (radiation with subsequent wet chemical development), nanostructured patterns in the form of punctures in a masking layer covering the material (positive varnish) brought in. In a first etching step, the holes in the masking layer too pointed tapered etching pits of shallow depth and with a through the defined the crystallographic orientation of the material geometric structure and shape in the surface of the Material introduced. After that, the crystal channels through light-assisted electrolytic etching with Field guide manufactured.
An das Material wird dabei eine elektrische Spannung angelegt, welche es erlaubt, die Größe und Form der Kanäle zu steuern. Durch Bestrahlung der Rückseite mit energiereichem Licht entstehen an der bestrahlten Oberfläche des Materials Elektron-Loch-Paare. Ladungsträger diffundieren von dort aus zu den Stellen höchster Feldstärke, welche durch die Geometrie des Dielektrikums und die im ersten Ätzschritt definierten Kanten und Spitzen der Ätzgruben festgelegt sind, d. h. zu den Spitzen der Ätzgruben. Dort findet mit Hilfe der durch das Licht ausgelösten Ladungsträger der elektrolytische Abtragprozeß (Ätzen) statt. Durch fortschreitendes Ätzen vertiefen und weiten sich die Ätzgruben im Material in Richtung des angelegten elektrischen Felds zu Löchern und Kanälen. Der Vorgang wird durch Abschalten der Ätzspannung unterbrochen, wenn die Kanäle tief genug ins Material eingearbeitet sind. Bei diesem Ätzvorgang werden die entstandenen inneren Oberflächen elektrolytisch poliert, um eine zu starke Streuung des zu leitenden Lichts an diesen Oberflächen zu vermeiden.An electrical voltage is applied to the material which allows the size and shape of the channels to control. By irradiating the back with high-energy light is generated on the irradiated surface of the material electron-hole pairs. charge carrier diffuse from there to the highest places Field strength, which is determined by the geometry of the dielectric and the edges and tips of the defined in the first etching step Etching pits are defined, d. H. to the top of the Caustic pits. There takes place with the help of the light triggered charge carriers the electrolytic removal process (Etching) instead. Deepen through progressive etching and the etching pits in the material widen in the direction of the applied electric field to holes and channels. The The process is interrupted by switching off the etching voltage, when the channels are worked deep enough into the material. During this etching process, the inner ones created Electrolytically polished surfaces to make them too strong Scattering of the light to be conducted on these surfaces avoid.
Problematisch ist bei der beschriebenen Vorgehensweise, daß der Ätzprozeß beim Abschalten der Spannung nicht sofort unterbrochen wird, da sich in den nur wenige hundert Nanometer dicken Kanälen und Löchern noch elektrolytisch wirksame Ätzchemikalien befinden, die erst in einem zeitaufwendigen Trockenvorgang entfernt werden müssen. Dadurch kann es zur ungewollten Ausweitung der fertigen Kanäle kommen und damit zur Veränderung der optischen Eigenschaften des fertigen Kristalls. Da die lichtunterstützte feldgeführte elektrolytische Ätzung sich grundsätzlich zur Fertigung ganzer optischer Schaltungen eignet, ist ein genau vorgebbarer Ätzstopp also notwendig und von herausragender technischer Bedeutung, weil damit die serienmäßige und kostengünstige Fertigung von Schaltungen mit photonischen Kristallstrukturen mit reproduzierbarer Qualität möglich wird.The problem with the procedure described is that the etching process does not immediately occur when the voltage is switched off is interrupted since there are only a few hundred Nanometer-thick channels and holes are still electrolytic effective etching chemicals that are only in one time-consuming drying process must be removed. This can lead to the unwanted expansion of the finished Channels come and thus change the optical Properties of the finished crystal. Since the light-assisted field-guided electrolytic etching basically for the production of entire optical circuits is suitable, a precisely definable etching stop is necessary and of outstanding technical importance because it standard and cost-effective production of circuits with photonic crystal structures with reproducible Quality becomes possible.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, welches einen genau vorgebbaren Ätzstopp ermöglicht.The object of the present invention is a method of Specify the type mentioned at the beginning, which one exactly predeterminable etch stop enables.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das verwendete Halbleitermaterial in einer derart vorgegebenen Konzentration leitend homogen dotiert wird, daß die an den entstehenden Oberflächen auftretende elektrisch nichtleitende Verarmungszone bei den vorgesehenen Fertigungs-Endbedingungen eine mittlere Dicke von gerade der Hälfte der gewünschten Wandstärke zwischen zwei Kanälen aufweist.This object is achieved in that the used semiconductor material in such a predetermined Concentration is doped homogeneously that the to the emerging surfaces occurring electrically non-conductive depletion zone at the intended Manufacturing end conditions an average thickness of just that Half the desired wall thickness between two channels having.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß der Ätzvorgang stoppt, wenn die an den inneren Oberflächen zweier Löcher bestehenden Verarmungszonen des Halbleitermaterials zusammenstoßen. Diese Verarmungszone, deren Dicke größtenteils materialspezifisch ist, ist elektrisch nichtleitend. Dadurch können auch bei noch in dem porösen Material enthaltenen wirksamen Ätzchemikalien keine Ladungsträger mehr quer zur Tiefenrichtung der Löcher ausgetauscht werden und der elektrolytische Prozeß und damit die Aufweitung der Löcher quer zur Tiefenrichtung wird gänzlich unterbrochen. Der Ätzprozeß stoppt dabei so exakt, daß in den meisten Fällen sogar das Nachpolieren der Kanalwände entfallen kann. Bei herkömmlichen Ätzverfahren bleibt demgegenüber eine starke Oberflächenrauhigkeit zurück. The invention is based on the knowledge that the Etching stops when the on the inner surfaces two holes existing depletion zones of the Collide semiconductor material. This depletion zone, the thickness of which is largely material-specific electrically non-conductive. This allows even in the porous material contain no effective etching chemicals Load carriers more transverse to the depth direction of the holes be exchanged and the electrolytic process and thus the widening of the holes becomes transverse to the depth direction completely interrupted. The etching process stops so precisely that in most cases even polishing the Canal walls can be omitted. With conventional etching processes remains a strong surface roughness back.
Die spezifischen Eigenschaften der erzeugten Bauelemente werden somit nur noch durch die vor dem Ätzen vorgefertigte lithografische Strukturierung mittels Ätzgruben und durch die voreingestellte Dotierung der Materialien definiert.The specific properties of the components produced are thus only made by those pre-etched lithographic structuring by means of etching pits and through defines the default doping of the materials.
Die Wandstärke W des verbleibenden Materials (doppelte Dicke
der Verarmungszone) beträgt
The wall thickness W of the remaining material (double the thickness of the depletion zone) is
W = [(2.εr.ε0)/(e.Nd).U]½,
W = [(2.ε r .ε 0 ) / (e.Nd) .U] ½ ,
wobei εr die Dielektrizitätskonstante des Grundmaterials, ε0 die absolute Dielektrizitätskonstante, e die Elementarladung, Nd die Dotierungskonzentration und U die angelegte Ätzspannung ist.where ε r is the dielectric constant of the base material, ε 0 is the absolute dielectric constant, e is the elementary charge, Nd is the doping concentration and U is the applied etching voltage.
Mit dem vorgeschlagenen Verfahren lassen sich die resultierenden Wandstärken des zwischen den Kanälen verbleibenden Materials und durch den Abstand der Ätzgruben damit auch die Breite der Löcher und Kanäle selbst in ausreichender Genauigkeit bereits vor dem Ätzvorgang festlegen. Dies hat zudem den Vorteil, daß der Fertigungsverlauf nicht mehr so genau überwacht werden muß, da die Gefahr einer Aufweitung der Kanäle nicht mehr besteht. Da die Dicke der Verarmungszone auch spannungsabhängig ist, können geringe Änderungen der Ätzspannung zum Feinabgleich der verbleibenden Wandstärken vorgenommen werden.With the proposed method, the resulting wall thicknesses of between the channels remaining material and by the distance of the etching pits hence the width of the holes and channels themselves sufficient accuracy before the etching process establish. This also has the advantage that the Production process no longer has to be monitored as precisely, since there is no longer any risk of widening the channels consists. Because the thickness of the depletion zone too is voltage dependent, small changes in the Etching voltage for fine adjustment of the remaining wall thicknesses be made.
Bei einer ersten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß das Material n-dotiertes Silizium oder n-dotiertes GaAs ist, welches mit einer Konzentration von 1013/cm3 bis 1020/cm3 leitend dotiert ist. Beide Materialien eignen sich für das vorgeschlagene Verfahren, wobei sich bei gleicher Dotierung und gleicher Ätzspannung bei beiden Materialien etwa die gleiche Dicke der Verarmungsschicht und damit der resultierenden Wandstärke ergibt. Beide Materialien verhalten sich ansonsten ähnlich wie III/V-Halbleiter. In a first embodiment of the invention it is provided that the material is n-doped silicon or n-doped GaAs, which is conductively doped with a concentration of 10 13 / cm 3 to 10 20 / cm 3 . Both materials are suitable for the proposed method, with approximately the same thickness of the depletion layer and thus the resulting wall thickness being obtained for both materials with the same doping and the same etching voltage. Otherwise, both materials behave similarly to III / V semiconductors.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß das Material InP oder n-GaAs ist, welches zu 1017/cm3 dotiert ist. Damit erhält man eine Dicke der Verarmungszone von etwa 50 nm. Die verbleibende Wandstärke wird somit auf etwa 100 nm eingestellt.A further embodiment of the invention provides that the material is InP or n-GaAs, which is doped to 10 17 / cm 3 . This gives the depletion zone a thickness of approximately 50 nm. The remaining wall thickness is thus set to approximately 100 nm.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Ausrichtung kristallografischer Ebenen des Materials so gewählt wird, daß die gewünschten inneren Begrenzungsoberflächen der Kanäle und Löcher parallel dazu liegen. Auf diese Weise entstehen beim Ätzen der Löcher und Kanäle auch ohne Polieren sehr glatte Oberflächen, welche zur direkten Benutzung geeignet sind. Ferner kann durch diese Maßnahme und durch exakt mit der Materialorientierung ausgerichtete Ätzgruben die Form der fertigen Löcher im Rahmen der kristallografischen Geometrie vorgegeben werden. So ist es beispielsweise möglich, Löcher exakt dreieckigen, viereckigen oder sechseckigen Querschnitts mit sehr glatten Seitenwänden zu fertigen. Da der Ätzprozeß zum Stillstand kommt, wenn benachbarte Löcher sich bis auf die verbleibende Wanddicke angenähert haben, entsteht eine exakte Ausrichtung aller Lochwände zueinander.In a development of the invention it is provided that the orientation of the material's crystallographic levels is chosen that the desired inner Boundary surfaces of the channels and holes parallel to it lie. In this way, holes and are formed during the etching Channels even without polishing very smooth surfaces, which are suitable for direct use. Furthermore, by this measure and by exactly with the material orientation aligned etching pits the shape of the finished holes in the Framework of the crystallographic geometry. For example, it is possible to make holes triangular, square or hexagonal cross section with very smooth To produce side walls. As the etching process comes to a standstill comes when neighboring holes extend up to the remaining one Approximate wall thickness, there is an exact alignment all perforated walls to each other.
Eine nächste Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß in der Maskierungsschicht Ätzgruben rechteckigen Querschnitts zur Fertigung von Wellenleitern mit glatten Seitenflächen vorgegeben werden. So lassen sich Streuverluste an geometriebedingten Rauhigkeiten vermeiden. Die Wellenleiter können durch den automatisch wirkenden Ätzstopp mit glatten Oberflächen hergestellt werden.A next development of the invention provides that in the masking layer etching pits of rectangular cross section for the production of waveguides with smooth side surfaces be specified. In this way, wastage can be lost Avoid geometry-related roughness. The waveguide can with the automatic etching stop with smooth Surfaces are made.
Claims (5)
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218471A (en) * | 1987-09-21 | 1993-06-08 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
| US5342737A (en) * | 1992-04-27 | 1994-08-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same |
| DE19628355A1 (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-13 | Deutsche Telekom Ag | Process for the production of 3-dimensional photon crystals |
| DE19610656A1 (en) * | 1996-03-05 | 1997-09-11 | Deutsche Telekom Ag | Optical multi-way switch with electrically adjustable photon crystals |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4995953A (en) * | 1989-10-30 | 1991-02-26 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor membrane using an electrochemical etch-stop |
| DE19526734A1 (en) * | 1995-07-21 | 1997-01-23 | Siemens Ag | Optical structure and process for its manufacture |
| DE59807589D1 (en) * | 1998-02-10 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | OPTICAL STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
-
1999
- 1999-12-22 DE DE1999161970 patent/DE19961970A1/en not_active Withdrawn
-
2000
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- 2000-11-29 WO PCT/EP2000/011932 patent/WO2001046724A1/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218471A (en) * | 1987-09-21 | 1993-06-08 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
| US5342737A (en) * | 1992-04-27 | 1994-08-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same |
| DE19628355A1 (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-13 | Deutsche Telekom Ag | Process for the production of 3-dimensional photon crystals |
| DE19610656A1 (en) * | 1996-03-05 | 1997-09-11 | Deutsche Telekom Ag | Optical multi-way switch with electrically adjustable photon crystals |
Also Published As
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